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CONSIDERAES GERAIS

A principal funo de qualquer microscpio tornar visvel ao olho humano o que for
muito pequeno para tal. A forma mais antiga e usual a lupa seguida do microscpio ptico, que
ilumina o objeto com luz visvel ou luz ultravioleta. O limite mximo de resoluo dos
microscpios pticos estabelecido pelos efeitos de difrao devido ao comprimento de onda
da radiao incidente. Os microscpios pticos convencionais ficam, ento, limitados a um
aumento mximo de 2000 vezes,
porque acima deste valor, detalhes menores so
imperceptveis. Para aumentar a resoluo pode-se utilizar uma radiao com comprimento de
onda menor que a luz visvel como fonte de iluminao do objeto. Alm disso, a profundidade
de campo inversamente proporcional aos aumentos, sendo necessrio, ento, um polimento
perfeito da superfcie a ser observada, o que s vezes incompatvel com a observao desejada
(KESRENBACHK, 1994).
Um microscpio eletrnico de varredura (MEV) utiliza um feixe de eltrons no lugar de
ftons utilizados em um microscpio ptico convencional, o que permite solucionar o problema
de resoluo relacionado com a fonte de luz branca.

Desenho esquemtico para comparao entre microscpio ptico e microscpio eletrnico de


varredura
De Bloglie, em 1925, mostrou o dualismo onda-partcula e, por conseguinte, que o
comprimento de onda de um eltron funo de sua energia (DE BLOGLIE, 1925). A energia
pode ser comunicada a uma nova partcula carregada por meio de um campo eltrico acelerador.
Assim, sob uma voltagem suficientemente grande, por exemplo, 50 10 kV, eltrons de
comprimento de onda extremamente curto (=0,005) e, portanto, de poder de resoluo
potencialmente alto como uma fonte de iluminao, podem ser produzidos. Alm disto, devido
s suas cargas, os eltrons podem ser focalizados por campos eletrostticos ou eletromagnticos
e, ento, so capazes de formar imagens. Eles possuem, portanto, as caractersticas essenciais
necessrias a um microscpio de alta resoluo.
Como resultado tem-se que os aparelhos modernos permitem aumentos de 300.000
vezes ou mais, para a maior parte de materiais slidos, conservando a profundidade de campo
compatvel com a observao de superfcies rugosas.
O MEV um aparelho que pode fornecer rapidamente informaes sobre a morfologia
e identificao de elementos qumicos de uma amostra slida. Sua utilizao comum em
biologia, odontologia, farmcia, engenharia, qumica, metalurgia, fsica, medicina e geologia.
O MEV um dos mais versteis instrumentos disponveis para a observao e anlise
de caractersticas microestruturais de objetos slidos. A principal razo de sua utilidade a alta

resoluo que pode ser obtida quando as amostras so observadas; valores da ordem de 2 a 5
nanmetros so geralmente apresentados por instrumentos comerciais, enquanto instrumentos
de pesquisa avanada so capazes de alcanar uma resoluo melhor que 1 nm (NAGATANI et
al. 1987).
Outra caracterstica importante do MEV a aparncia tridimensional da imagem das
amostras, resultado direto da grande profundidade de campo. Permite, tambm, o exame em
pequenos aumentos e com grande profundidade de foco, o que extremamente til, pois a
imagem eletrnica complementa a informao dada pela imagem ptica.

HISTRICO
O MEV um dos mais versteis instrumentos disponveis para a observao e anlise
das caractersticas microestruturais de materiais slidos. O primeiro trabalho reconhecido
descrevendo o conceito de um MEV o de Knoll (KNOLL,1935). Mais adiante, Von Ardenne
em 1938 construiu um microscpio eletrnico de varredura e transmisso (STEM) adaptando
bobinas de varredura a um microscpio eletrnico de transmisso (VON ARDENNE, 1938).
O primeiro MEV usado para observar amostras espessas foi descrito por Zworykin e
colaboradores em 1942 (ZWORYKIN et al., 1942). Os autores descreveram que a emisso de
eltrons secundrios poderia ser responsvel pelo contraste topogrfico da imagem gerada. O
coletor foi polarizado positivamente em relao amostra com 50Volts e os eltrons
secundrios coletados produziram uma queda de voltagem no resistor. Esta queda de voltagem
foi enviada a uma tela de televiso para produzir a imagem; entretanto, a resoluo atingida foi
de apenas 1m. Esta resoluo foi considerada insatisfatria pela equipe, visto que buscavam
atingir uma resoluo maior de 0,5 m atingida pelos microscpios pticos. Ao reduzir o
dimetro do feixe eletrnico spot, bem como aperfeioar a razo sinal/rudo, foi construdo um
novo instrumento. Uma anlise detalhada da relao entre aberraes das lentes, brilho do
canho e tamanho do dimetro do feixe resultou em um mtodo para determinar o tamanho
mnimo do dimetro do feixe em funo de sua corrente (ZWORYKIN et al., 1942). A
contribuio posterior do grupo foi usar um tubo multiplicador dos eltrons, como um pramplificador para a corrente de emisso secundria (eltrons secundrios) vinda da amostra,
mesmo assim as imagens ainda apresentavam rudo. O sistema 11 ptico-eletrnico do
instrumento consistia de trs lentes eletrostticas com bobinas de varredura posicionadas entre a
segunda e terceira lentes apresentando uma resoluo aproximada de 50 nm (500). A etapa
seguinte foi o aperfeioamento do detector de eltrons secundrios pelo mesmo autor
(ZWORYKIN et al., 1942). Porm, a etapa foi seguida por Everhart e Thornley (EVERHART;
THORNLEY,1960) que empregaram um cintilador para converter os eltrons em luz, os quais
eram, ento, transmitidos a um fotomultiplicador.
Desde o primeiro instrumento comercial de 1965 (Cambridge instrumentos cientficos
modelo Stereoscan), muitos avanos foram obtidos. Atualmente, os modernos microscpios
eletrnicos de varredura so equipados com estrutura digital que permite o armazenamento
temporrio da imagem para observao ou at mesmo a transferncia por rede para outras partes
do planeta. Alm disto, alguns modelos podem operar com baixo vcuo (linhas de ecologia) e
outros fazem parte da linha para produo em srie, e so utilizados na inspeo e controle de
qualidade de frmacos, semicondutores e peas de preciso.

PRINCPIO DE FUNCIONAMENTO
O princpio de um microscpio eletrnico de varredura (MEV) consiste em utilizar um
feixe de eltrons de pequeno dimetro para explorar a superfcie da amostra, ponto a ponto, por
linhas sucessivas e transmitir o sinal do detector a uma tela catdica cuja varredura est
perfeitamente sincronizada com aquela do feixe incidente. Por um sistema de bobinas de

deflexo, o feixe pode ser guiado de modo a varrer a superfcie da amostra segundo uma malha
retangular. O sinal de imagem resulta da interao do feixe incidente com a superfcie da
amostra. O sinal recolhido pelo detector utilizado para modular o brilho do monitor,
permitindo a observao. A maioria dos instrumentos usa como fonte de eltrons um filamento
de tungstnio (W) aquecido, operando numa faixa de tenses de acelerao de 1 a 50 kV. O
feixe acelerado pela alta tenso criada entre o filamento e o nodo. Ele , em seguida,
focalizado sobre a amostra por uma srie de trs lentes eletromagnticas com um spot menor
que 4 nm. O feixe interagindo com a amostra produz eltrons e ftons que podem ser coletadas
por detectores adequados e convertidas em um sinal de vdeo.
Quando o feixe primrio incide na amostra, parte dos eltrons difunde-se e constitui um
volume de interao cuja forma depende principalmente da tenso de acelerao e do nmero
atmico da amostra, conforme figura 1.2. Neste volume, os eltrons e as ondas eletromagnticos
produzidos so utilizados para formar as imagens ou para efetuar anlises fsico-qumicas.
Para serem detectados, as partculas e/ou os raios eletromagnticos resultantes da
interao do feixe eletrnico com a amostra devem retornar superfcie da amostra e da
atingirem o detector. A profundidade mxima de deteco, portanto, a resoluo espacial,
depende da energia com que estas partculas ou raios atingem o detector, ou so capturadas pelo
mesmo. Por exemplo: eltrons retroespalhados possuem maior energia do que os eltrons
secundrios, assim, o detector de eltrons retroespalhados ir operar na faixa de energia maior e
o de eltrons secundrios na faixa menor.
A imagem formada a partir do sinal captado na varredura eletrnica de uma superfcie
pode apresentar diferentes caractersticas, uma vez que a imagem resulta da amplificao de um
sinal obtido de uma interao entre o feixe eletrnico e o material da amostra. Diferentes sinais
podem ser emitidos pela amostra. Dentre os sinais 12 emitidos, os mais utilizados para obteno
da imagem so originrios dos eltrons secundrios e/ou dos eltrons retroespalhados.

Volume de interao: a) localizao dos sinais emitidos pela amostra; b) relao da voltagem
para elementos leves e pesados. Figura adaptada de KESTENBACH, 1994.
A imagem formada a partir do sinal captado na varredura eletrnica de uma superfcie
pode apresentar diferentes caractersticas, uma vez que a imagem resulta da amplificao de um
sinal obtido de uma interao entre o feixe eletrnico e o material da amostra. Diferentes sinais
podem ser emitidos pela amostra. Dentre os sinais emitidos, os mais utilizados para obteno da
imagem so originrios dos eltrons secundrios e/ou dos eltrons retroespalhados.

Eltrons Secundrios (secondary electron SE)


Os eltrons secundrios no MEV resultam da interao do feixe eletrnico com o
material da amostra. Estes eltrons resultantes so de baixa energia (<50eV), e formaro
imagens com alta resoluo (3-5 nm). Na configurao fsica dos MEV comerciais, somente os
eltrons secundrios produzidos prximos superfcie podem ser detectados. O contraste na
imagem dado, sobretudo, pelo relevo da amostra, que o principal modo de formao de
imagem no MEV. Os eltrons secundrios, eltrons de baixa energia, gerados pelas interaes
eltron-tomo da amostra tm um livre caminho mdio de 2 a 20 nm, por isso, somente aqueles
gerados junto superfcie podem ser reemitidos e, mesmo estes, so muito vulnerveis
absoro pela topografia da superfcie.
Eltrons Retroespalhados (backscattering electron- BSE)
Os eltrons retroespalhados, por definio, possuem energia que varia entre 50eV at o
valor da energia do eltron primrio. Os eltrons retroespalhados, com energia prxima dos
eltrons primrios, so aqueles que sofreram espalhamento elstico, e so estes que formam a
maior parte do sinal de ERE. Os eltrons retroespalhados de alta energia, por serem resultantes
de uma simples coliso elstica, provm de camadas mais superficiais da amostra. Logo, se
somente este tipo de eltrons forem captados, as informaes de profundidade contidas na
imagem sero poucas se comparadas com a profundidade de penetrao do feixe. O sinal de
BSE resultante das interaes ocorridas mais para o interior da amostra e proveniente de uma
regio do volume de interao abrangendo um dimetro maior do que o dimetro do feixe
primrio. A imagem gerada por esses eltrons fornece diferentes informaes em relao ao
contraste que apresentam: alm de uma imagem topogrfica (contraste em funo do relevo)
tambm obtm-se uma imagem de composio (contraste em funo do nmero atmico dos
elementos presentes na amostra).
Outros tipos de interaes podem ser obtidos pela incidncia do feixe primrio na
amostra, como segue:
Eltrons transmitidos: sofrem espalhamento elstico (espalhamento de Rutherford) sendo,
ento, os responsveis pela formao da imagem dos MET (microscpios eletrnicos de
Transmisso).
Eltrons absorvidos: perdem toda sua energia na amostra, e, portanto, geram uma corrente
eltrica entre a amostra e o porta- amostra, que dever ser aterrado para descarreg-la e garantir
a integridade da mesma.
Eltrons Auger: estes so os eltrons cuja energia (em torno de 1500eV) caracterstica do
elemento que a emite e do tipo de ligao qumica. Estes eltrons possuem energia mxima de
cerca de 2 keV, por isso, pode ser utilizada para anlise elementar (principalmente xidos e
filmes muito finos). A profundidade de escape da interao de aproximadamente 0,2 a 2,0 nm,
a anlise correspondente a este tipo de sinal chamada espectroscopia Auger (AS).
Catodoluminescncia
Quando materiais isolantes ou semicondutores so bombardeados pelo feixe de eltrons,
ftons de grande comprimento de onda (ultravioleta e visvel) so emitidos. O espectro obtido
depende do material estudado e de sua pureza. Alguns materiais apresentam fluorescncia na
faixa de luz visvel sob o bombardeio de eltrons, conforme ilustrado pelo fsforo dos tubos de
raios catdicos. A radiao , em muitos casos, uma funo de nveis de impurezas dentro dos
materiais e muito utilizada em pesquisa de semicondutores e em muitas investigaes
mineralgicas.

Difrao de Eltrons Retroespalhados


A tcnica de EBSD (em ingls Electron BackScatter Diffraction ou difrao de
eltrons retroespalhados) permite a anlise cristalogrfica de um material, ou seja, a

determinao da orientao cristalina pontualmente ou em reas especficas. A superfcie da


amostra a ser analisada posicionada no porta-amostras a um ngulo de 70 a 80 em relao ao
feixe de eltrons de modo a diminuir o percurso dos eltrons retroespalhados e diminuir a frao
de eltrons absorvidos. O feixe de eltrons direcionado para o ponto ou a rea de interesse. O
espalhamento elstico dos eltrons incidentes prova a difrao na condio de Bragg, como os
eltrons da amostra. As figuras de difrao so capturadas por uma tela de fsforo posicionada
no interior da cmara de vcuo e conectada a uma TV ou cmara CCD. A imagem processada
e ento comparada com padres pr-estabelecidos. A largura das bandas formadas devido
difrao est relacionada com a distncia interplanar, e os ngulos entre as bandas
correspondem ao ngulo entre os planos cristalinos (PINTO et al., 2003).

COMPONENTES DO MEV
O MEV convencional apresenta uma coluna ptico-eletrnica adaptada a uma cmara
com porta-amostra aterrado, sistema eletrnico, detectores e sistema de vcuo.

Desenho esquemtico dos componentes bsicos do MEV. Adaptado de KESTENBACH, 1994


Coluna ptico-Eletrnica
O projeto ptico-eletrnico do MEV visa produo de um pequeno feixe de eltrons
de alta intensidade. Bobinas de explorao eletromagntica de dupla deflexo, posicionadas no
interior da lente final, so alimentadas por um gerador de varredura e fazem com que o feixe
explore a superfcie da amostra, seqencialmente, iluminando reas de aproximadamente 10 nm
de dimetro.

Cmara da Amostra
O compartimento onde so inseridas as amostras chamado de cmara de amostras. A
presso na cmara de, aproximadamente, 10-6 Torr ou menor e na pr-cmara, para os
modelos que a apresentam, de 10-3 Torr. A parte externa da cmara pode apresentar botes

para ajustes manuais que permitem variar deslocamento da amostra segundo trs direes (x, y,
z), a rotao da amostra, sendo que estes tambm podem ser acessados via software.
Fonte de gerao do feixe
A fonte de eltrons chamada de canho eletrnico e composta basicamente por trs
elementos: filamento de tungstnio (W) ou de hexaboreto de lantnio (LaB6) + ctodo (cilindro
de Whenelt) + nodo. O filamento aquecido (W geralmente a 2500C), o que causa uma
emisso terminica de eltrons. Os eltrons que so atrados para o nodo e mantidos em
potencial positivo em relao ao filamento na faixa de 1 a 30 kV. Na figura a seguir mostrada
uma representao do canho, observando-se que os trs constituintes so mantidos a diferentes
potenciais eltricos.
O filamento, percorrido por uma corrente eltrica, emite espontaneamente os eltrons
que so acelerados por um campo eltrico que lhes confere energia suficiente para atingir a
amostra que est localizada na cmara. Durante o percurso do feixe de eltrons at amostra,
existem vrios dispositivos eletromagnticas cuja a funo direcionar o feixe para o ponto de
anlise, que sero apresentados a seguir.

Representao esquemtica de canho eletrnico tradicional com filamento de tungstnio.


Adaptada de GOLDSTEIN, 1992.
Detectores
Coletam o sinal emitido pelos diferentes tipos de interaes entre o feixe primrio e a
amostra (eltrons secundrios ou retroespalhados, raios-X, eltrons Auger, etc) que ficam
ligados a uma tela de visualizao e um sistema de gravao de imagens. O detector pode ser
um cintilador polarizado positivamente, acelerando os eltrons sobre a rea reativa e, a partir
desta, transmitindo um sinal atravs de um guia de luz e um fotomultiplicador aos

amplificadores de sinal e aos processadores e, finalmente, para o tubo de raios catdicos. Os


elementos pticos: diafragma e lentes eletrostticas ou magnticas so responsveis pela
correo das aberraes das aberturas ou cromticas (reduo do dimetro do feixe e
focalizao sobre o objeto), e o Sistema de varredura: bobinas defletoras comandam o ponto de
impacto dos eltrons sobre a amostra.
Detector de eltrons secundrios
Os eltrons so atrados para o interior do detector devido voltagem positiva (200V)
da grade localizada na frente do detector. Dentro do detector os eltrons so acelerados at
10kV para um guia de luz de quartzo coberto com material cintilador. Esta acelerao resulta na
emisso de ftons que percorrem o guia de luz at o fotomultiplicador que produzir uma
corrente de eltrons. O pulso amplificado gera um ponto na tela de tubos de raios catdicos
(TRC).

Detector de eltrons secundrios. Adaptado de KESTENBACH, 1994.


Detector de eltrons retroespalhados
O detector de eltrons retroespalhados pode separar as informaes de composio e
topografia. Existem dois tipos comerciais sendo utilizados em MEV, o de estado slido
(semicondutor) e o Robison que usa um cintilador para deteco de eltrons retroespalhados,
conforme mostrado na figura 1.6. O detector de estado slido o mais moderno, se compem
de um par de semicondutores dispostos simetricamente com o eixo ptico, cuja simetria e
disposio dependem do fabricante.
A amplificao independente do foco da lente e pode se variar rapidamente
centralizando-se num ponto fixo da superfcie. Embora usando exposio a duas dimenses, as
imagens produzidas so caracterizadas por seu aspecto tridimensional e por nveis de cinza
relacionados a composio da superfcie da amostra O registro da imagem usa um segundo tubo
de raios catdicos de alta resoluo e um sistema de cmera convencional acoplada ou registro
digitalizado. As imagens produzidas pelo detector de BSE (eltrons retroespalhados) so
imagens de relativa facilidade de interpretao por equipe no especializada.

Esquema de funcionamento de detectores de eltrons retroespalhados. Sendo que em (a) o tipo


Robison e em (b) o de estado slido ou semicondutor.
Sistema de Vcuo
Para atingir o vcuo apropriado para as anlises na cmara do MEV, geralmente
utilizado um conjunto de bombas operando com uma bomba mecnica para o vcuo primrio
(em torno de 10-3 Torr) e outra para o vcuo secundrio (em torno de 10-6 Torr). Dependendo
do modelo do microscpio eletrnico, podem ser usadas uma bomba mecnica seguida de uma
bomba turbomolecular ou difusora para a cmara e uma ou duas bombas inicas para a coluna
do MEV.

Vista geral de um MEV modelo XL30 da Phillips

(A) Coluna ptico-eletrnica, (B) cmara da amostra com mesa para fixao dos suportes
metlicos, (C) detalhe dos detectores de eltrons secundrios, detectores de eltrons
retroespalhados e sonda de EDS.

RESOLUO DAS IMAGENS


Os parmetros que mais influenciam na resoluo da imagem em um MEV so: a)
tenso de acelerao dos eltrons; b) corrente da sonda: quanto maior a corrente, maior o
dimetro do feixe; c) a distncia de trabalho que a distncia entre a amostra e a lente
objetiva. Quanto menor a distncia de trabalho, melhor ser a resoluo. Por outro lado, quanto
maior a distncia de trabalho tanto maior ser a profundidade de campo obtida. Mesmo que o
dimetro do feixe seja de somente alguns nanmetros, o feixe se espalha dentro da amostra
sofrendo choques. Portanto, o sinal que se utiliza pode vir de uma zona mais estendida que o
dimetro da sonda. A resoluo que se pode obter com o MEV depende do tamanho da zona de
onde vem o sinal utilizado para formar a imagem. A resoluo ser determinada pelo dimetro
sobre o qual vai sair o sinal (SE, BSE ou raios-X) que ser utilizado para formar a imagem, e
no ser possvel observar detalhes de tamanho inferior a este dimetro.
Os eltrons secundrios so bem pouco energticos. Eles no podem percorrer um
trajeto importante dentro do material. Eles provm, portanto, de uma zona da ordem de alguns
angstrons () em torno do feixe incidente. Os eltrons secundrios so as interaes que
permitem obter a melhor resoluo.
Os eltrons retroespalhados possuem uma energia que em torno daquela do feixe
incidente (choques elsticos). A resoluo ser, portanto, maior medida que a tenso for mais
fraca. Mas preciso salientar o fato de que se produzem menos eltrons retroespalhados
medida que a tenso diminui. O dimetro da regio de interao do feixe incidente com a
amostra, para gerar os eltrons retroespalhados, depende da profundidade de penetrao dos
eltrons a qual depende essencialmente de trs fatores: a) tenso de acelerao; b) nmero
atmico da amostra; c) ngulo de incidncia do feixe com a superfcie.
Aparentemente, a profundidade da penetrao dos eltrons maior medida que a
tenso de acelerao mais forte. A profundidade de penetrao dos eltrons pode variar de

algumas dezenas a vrios micrmetros. O nmero atmico faz, igualmente, variar a


profundidade de penetrao dos eltrons. Quanto maior o nmero atmico menor o poder de
penetrao dos eltrons. Da mesma forma, a penetrao ser maior quando a superfcie for
perpendicular ao feixe incidente. Em concluso, a melhor resoluo obtida com eltrons
secundrios em materiais de peso atmico elevado.

Fotomicrografia eletrnica de varredura com aumento de 1000X de uma cermica.

MICROANLISE DE RAIOS-X
A microanlise eletrnica consiste na medida de raios-X caractersticos emitidos de uma
regio microscpica da amostra bombardeada por um feixe de eltrons. As linhas de raios-X
caractersticos so especficas do nmero atmico da amostra e, o seu comprimento de onda ou
sua energia podem ser utilizados para identificar o elemento que est emitindo a radiao.
Espectros de raios-X podem ser obtidos para todos os elementos da tabela peridica, com
exceo do hidrognio. Entretanto, a emisso dos primeiros dez elementos de baixo nmero
atmico consiste de bandas na regio de baixa energia onde as perdas por absoro na amostra
so grandes. Assim, elementos como carbono, oxignio e nitrognio so freqentemente
determinados por estequiometria.
Os raios-X emitidos da amostra devido ao bombardeio de eltrons do feixe podem ser
detectados pelo espectrmetro convencional de cristais ou pelos dispositivos de estado slido,
Silcio dopado com Ltio. O detector de raios-X e o MEV so concepes alternativas de
projeto do mesmo instrumento bsico, isto , partem do mesmo princpio fsico para resultados
diferenciados. O feixe de eltrons 20 suficientemente energtico para ionizar camadas
profundas dos tomos e produzir tambm a emisso de raios-X, alm da emisso de outras
partculas como os eltrons retroespalhados utilizados na formao da imagem. A resoluo
espacial da anlise depende da energia do raio-X detectado e da natureza do material. A figura
anterior mostra, de forma esquematizada, o processo de excitao de eltrons para produo de
raios-X.

Esquema ilustrativo da emisso de raios-X. Adaptado de KESTENBACH, 1994.


Atravs da anlise dos picos obtidos no espectro pode-se determinar os elementos
presentes na amostra, porm, tendo o cuidado de observar se h o aparecimento do pico de
ionizao do Silcio (quando se utiliza o detector de estado slido). Dois tipos de detectores que
captam raios-X caractersticos podem ser utilizados: por disperso de energia (EDS) ou por
disperso em comprimento de onda (WDS). Ser discutida neste estudo somente a
espectroscopia por disperso de energia (EDS), por ser largamente utilizada. Na tabela a seguir
apresenta-se uma comparao entre as tcnicas WDS e EDS.

Tabela - Comparao entre as tcnicas WDS e EDS


*Correo ZAF: Z (nmero atmico), A (probabilidade de absoro), F (fluorescncia de raiosX secundria)
A tcnica de EDS considera o princpio de que a energia de um fton (E) est
relacionada com a freqncia eletromagntica () pela relao E = h, onde h a constante de
Planck. Ftons com energias correspondentes a todo espectro de raios-X atingem o detector de
raios-X quase que simultaneamente, e o processo de medida rpido, o que permite analisar os
comprimentos de onda de modo simultneo.

No caso do WDS, a separao dos raios-X obtida por difrao dos ftons incidentes
caractersticos dos elementos presentes na regio atingida pelo feixe de eltrons do canho do
MEV. A lei de Bragg fornece a relao entre o comprimento de onda de raios-X, , e o ngulo
crtico de incidncia do feixe, para a interferncia construtiva, isto , n = 2dsen , onde n
um nmero inteiro e d o espaamento interplanar da famlia de planos difratados.
Na configurao de um microscpio eletrnico podem-se acoplar os dois detectores de
raios-X (EDS E WDS), que permitem coletar ftons produzidos pelo feixe de eltrons
primrios.
A zona analisada ser, portanto, aquela que percorrida pelo feixe. Se estivermos
trabalhando no modo de varredura (formao de uma imagem), ento a anlise ser de toda a
superfcie da imagem. possvel, tambm, parar a varredura e analisar em um ponto (spot), rea
ou linha selecionada na imagem.
O detector capaz de determinar a energia dos ftons que ele recebe. Fica possvel,
portanto, traar um histograma com a abscissa sendo a energia dos ftons (keV) e a ordenada o
nmero de ftons recebidos (contagens). O tempo necessrio para adquirir o espectro de boa
qualidade fica em torno de 2 minutos.

Espectro obtido por microanlise de raios-X caractersticos por EDS com tabela de
discriminao dos elementos analisados.
A interpretao dos espectros facilitada por uma base de dados que contm, para cada
elemento, as energias e a intensidade das raias que as produziu. possvel localizar, para cada
energia do espectro, a lista dos elementos que possuem uma raia neste domnio energtico. E,
tambm para cada elemento, fazer aparecer sobre o espectro um diagrama em barras
representando a posio e as energias das raias deste elemento. Cabe salientar que os elementos
em quantidade inferior a 0,2% em massa no podero ser detectados. Os elementos hidrognio
(H), ltio (Li), berlio (Be) no podero ser detectados pelas tcnicas citadas. importante
escolher uma tenso de acelerao compatvel com os elementos que se quer analisar. possvel
conhecer, por meio de clculos complexos, as quantidades respectivas dos diferentes elementos
analisados.

Aspectos Quantitativos
A determinao das porcentagens dos elementos por microanlise de raios-X uma
operao possvel no microscpio eletrnico. Existem vrios mtodos para quantificao dos
elementos qumicos presentes na amostra, sendo o mtodo mais simples o sem padres. Neste
caso, a anlise denominada semiquantitativa. O princpio consiste em avaliar a superfcie dos
picos que proporcional quantidade de tomos que produziu a raia. A quantificao consiste,
portanto, em medir a superfcie dos picos que se tem previamente identificada a ser atribudo
um coeficiente e ento calcular as porcentagens. As dificuldades so inmeras: h,
infelizmente, alm da quantidade, muitos outros parmetros (fora aqueles ligados ao material)
que fazem variar a superfcie dos picos a considerar como: a) tenso de acelerao; b) natureza
dos outros elementos presentes com os quais se faz a quantificao: as raias de um elemento
podem ser mais ou menos absorvidos pelos outros elementos que esto presentes no volume
analisado; c) repartio dos elementos no volume analisado (os programas de clculo
quantitativo so elaborados para os elementos que seriam repartidos de modo homogneo, fazer
ateno, portanto anlise de material com mltiplas fases (camadas, lamelas, incluses)) e d)
geometria da superfcie analisada (os programas de clculo quantitativo so elaborados para
superfcies planas, polidas).
Na prtica para determinar a superfcie dos picos preciso fazer a deconvoluo do
espectro. Esta operao consiste em fazer seguir os contornos do espectro por uma curva
matemtica sobre a qual sero efetuados os clculos desejados. necessrio, ainda, efetuar uma
correo sobre as superfcies medidas de maneira a levar em conta as diferentes interaes
fsicas que intervm no material. Por exemplo, pode-se utilizar a correo ZAF, que permite
ter em conta a influncia do nmero atmico dos elementos sobre a eficcia da excitao e da
deteco (fator Z), da probabilidade que um raio-X seja absorvido antes mesmo de ser detectado
(fator A) e da contribuio dos raios-X emitidos por um outro elemento (fluorescncia
secundria, fator F).
A anlise quantitativa consiste em se obter a concentrao a partir de relaes de
intensidade de raios-X da amostra em estudo e de um padro apropriado. Quando a composio
do padro prxima da composio da amostra, os efeitos da matriz sobre a intensidade de
raios-X so insignificantes e a anlise se reduz comparao das intensidades observadas.
Entretanto, na maioria dos casos utilizam-se padres de elementos puros porque possvel
caracteriz-los com bastante preciso, mas nestes casos a preciso da anlise depende
essencialmente do modelo de correo (GOLDSTEIN et al.,1992).
Influncia da Tenso de Acelerao na Microanlise
A tenso de acelerao do feixe de eltrons incidente um dos parmetros importantes
para a microanlise. Os eltrons incidentes no podero ejetar eltrons de uma energia superior
sua, o espectro ir, portanto, parar sobre o eixo das abscissas em um valor de energia que
corresponde tenso de acelerao. Por exemplo, se utilizada uma tenso de acelerao de
15kV, o fton mais energtico detectado ter uma energia de 15 kV. A quantidade de ftons
produzida em uma gama de energia tambm funo da tenso de acelerao. O mximo de
ftons de uma dada energia ser produzido por uma tenso de acelerao 2,5 vezes superior
energia dos ftons. Por exemplo, uma tenso de acelerao de 15 kV ser eficaz para produzir
ftons de 6 keV.
importante escolher uma tenso de acelerao compatvel com os elementos que se
analisa. Tenses de at 10 kV para elementos leves devero ser utilizadas, dando-se prioridade
s tenses maiores que 10 kV para os elementos mais pesados. Portanto, indispensvel para a
quantificao levar em conta a tenso de acelerao com a qual se faz a medida, porque pode-se
encontrar um grande pico sem que este signifique, obrigatoriamente, uma quantidade
importante. Este cuidado feito automaticamente pelo programa analisador de espectro.

PREPARAO DE AMOSTRAS
Materiais biolgicos, em geral, aps passar pelo processo de fixao e desidratao,
sero transferidos para a cmara do equipamento de secagem ao ponto crtico do CO2 (CPD critical point drying). Com a cmara isolada, em um volume de etanol absoluto ou acetona,
injeta-se o CO2 lquido, fazendo-se vrias substituies at remoo total do etanol ou acetona,
esta troca ocorre entre 0 e 5C. A amostra permanece sempre imersa na fase lquida. Eleva-se a
temperatura dentro da cmara entre 40 e 45 C e, conseqentemente, a densidade da fase lquida
diminui. O aumento da presso (de aproximadamente 73 atm) causa o aumento da densidade na
fase gasosa, pois devido ao aumento gradual da temperatura, as molculas adquirem energia
cintica e se convertem em gs, o que aumenta a presso interna na cmara. Quando estamos
prximos da temperatura crtica significa que as densidades da fase gasosa e lquida esto
prximas. Logo, quando o ponto crtico excedido, a fase gasosa e lquida apresentam a
mesma densidade, garantindo que a temperatura est em torno de um valor crtico onde no h
limites entre as fases, ou seja, o menisco de transio de fases desaparece. Nesta situao, a
tenso superficial igual a zero e todo o lquido se converteu em gs, assim se evita o efeito da
tenso superficial sobre a amostra. A cmara , ento, despressurizada at presso atmosfrica, e
a amostra removida da cmara. A amostra pode ento ser montada em um suporte metlico e
metalizada para ser observada no microscpio eletrnico de varredura. A figura 1.12 mostra um
exemplar de uma cmara de CPD tpica disponvel comercialmente. O processo de secagem ao
ponto crtico no totalmente livre de problemas. Alguns tipos de tecidos podem sofrer
contrao significativa, variando de 10 a 15% para tecidos nervosos a 60% para tecidos
embrionrios (BOZZOLA et al.,1999).
Para amostras fixadas em lminas ou lamnulas de vidro ou em filtros, pode-se utilizar
peas especiais para depositar as amostras na cmara de CPD, fabricadas em ao inoxidvel,
que previnem a quebra dos suportes dentro da cmara evitando que a amostra seja danificada.

Equipamento de ponto crtico utilizado para secagem de amostras biolgicas.


Devido necessidade de interao do feixe eletrnico com a amostra, alguns eltrons
so absorvidos pela amostra que deve conduzi-los para o fio terra, por isso, preciso que as
amostras sejam condutoras. Caso isto no ocorra, possvel torn-las condutoras atravs de
vrios processos fsicos como evaporao ou a deposio de ons (sputtering). Outro motivo
para o recobrimento das amostras, que as camadas depositadas podem melhorar o nvel de

emisso de eltrons, pois emitem mais eltrons que o material da amostra, facilitando a
construo da imagem (GOLDSTEIN et al.,1992).
Geralmente o mais utilizado o recobrimento por deposio de ons metlicos de ouro
(Au), liga de ouro-paldio (Au-Pd) ou platina (Pt), entre outros. Neste processo, as amostras so
colocadas em uma cmara com presso em torno de 0,1 a 0,05 mbar e o alvo metlico
bombardeado com tomos de gs inerte como, por exemplo, argnio. Os tomos do alvo so
depositados sobre a amostra. As mquinas utilizadas para esta finalidade so denominadas
metalizadoras e oferecem como parmetros de ajuste: corrente aplicada (em mA), tempo de
deposio e altura da amostra em relao ao alvo, a fim de que seja calculada a espessura do
metal depositado. No recobrimento a partir da evaporao, normalmente utilizado o carbono.
O revestimento com carbono usado para recobrir regies da superfcie em que os tomos de
ouro no tm cobertura efetiva, uma vez que so tomos maiores; ou ainda, quando no
desejada a incorporao de tomos na superfcie como, por exemplo, para anlise por raios-X
para determinao de ouro ou elemento prximo a ele na tabela peridica. O carbono tambm
recomendado para superfcies com diferenas de altura, pois, pelo mtodo da evaporao, os
tomos espalham-se de forma mais uniforme. Fibras de carbono so aquecidas em torno de
2000C em vcuo e evaporadas sobre a amostra. Para este procedimento utiliza-se a cmara de
uma metalizadora a qual acoplado um sistema para aquecimento das fibras de carbono.
Apesar do carbono no ser um bom emissor de eltrons, este elemento pode fornecer
um caminho condutor sobre as amostras mesmo em camadas muito finas. O mtodo de
impregnao metlica com OsO4 tambm utilizado para evitar estes efeitos.
A figura seguinte mostra um equipamento que pode ser utilizado para recobrimento das
amostras por sputtering ou por evaporao. Os recobrimentos metlicos utilizados por estes
procedimentos visam apenas tornar as amostras condutoras de modo a gerar imagens com boa
resoluo no MEV, portanto, preciso um controle da espessura depositada a fim de evitar
artefatos na imagem que podem mascarar a superfcie real da amostra.

Equipamento utilizado para recobrimento com carbono ou deposio metlica sobre as


amostras no condutoras.
Amostras metlicas podem ser observadas sem recobrimento, desde que a faixa de
tenso usada no microscpio seja apropriada para o material em estudo.