UNIVERSIDADE FEDERAL DE ALAGOAS

CENTRO DE TECNOLOGIA
PROGRAMA DE PÓS-GRADUAÇÃO EM MATERIAIS

DISCIPLINA: CARACTERIZAÇÃO DE MATERIAIS I

CARGA HORÁRIA: 60 HORAS

CRÉDITOS: 4

EMENTA:

Disciplina com parte teórica e prática, envolvendo conceitos básicos,

manuseio de equipamentos, aquisição e interpretação de resultados e preparação
de amostras. Técnicas principais: difração de raios-X, microscopia de varredura de
elétrons, microscopia de transmissão de elétrons, espectroscopia de raios-X e
microscopia de força atômica.

BIBLIOGRAFIA:

1. B.D. Cullity and S.R. Stock, Elements of X-Ray Diffraction, 3rd Edition (Prentice
Hall, 2001);
2. L. Reimer and P.W. Hawkes, Scanning Electron Microscopy: Physics of Image
Formation and Microanalysis, 2nd Edition (Springer, 1998);
3. J. Goldstein, D. E. Newbury, D. C. Joy, C. E. Lyman, P. Echlin, E. Lifshin, L.C.
Sawyer, and J.R. Michael, Scanning Electron Microscopy and X-ray
Microanalysis, 3rd Edition (Springer, 2003);
4. David Brandon (Author), Wayne D. Kaplan, Microstructural Characterization of
Materials, 2nd Edition (Wiley, 2008).
 UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA – UFSC
DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA MECÂNICA – EMC
LABORATORIO DE MATERIAIS – LABMAT
LABORATÓRIO DE CARACTERIZAÇÃO MICROESTRUTURAL E ANÁLISE DE IMAGENS – LCMAI

https://sites.google.com/a/unifei.net/emt/prat
ica#TOC-Tipos-de-filamentos-do-canh-o-de-
el-trons

MICROSCOPIA ELETRÔNICA DE
VARREDURA

Profa. Ana Maria Maliska

 Assistir vídeo – microscopia/arte

https://www.bbc.com/reel/video/p07w4q2m/the-stunning-
images-that-are-invisible-to-the-naked-eye
Microscopia Eletrônica de Varredura
(MEV)
Scanning Electronic Microscopy (SEM)

Fundamentação Teórica e
Princípios Básicos
 A análise microestrutural de
materiais é muito importante

• entender as correlações microestrutura -

defeitos - propriedades;
• predizer as propriedades do material quando
estas correlações são estabelecidas.

As técnicas mais utilizadas para este tipo de

análise são a Microscopia Ótica e
Eletrônica.
Microscópio óptico (MO)

O contraste da imagem é resultado da

diferença de ref letividade da luz nas diversas
regiões da microestrutura;

→ Constituído
fonte de iluminação e sistema de lentes.

→ Limitações
aumento máx. → ~ 2.000 x
Microscopia Eletrônica de Varredura
→ Fino feixe de elétrons
→Aumento máx. fica entre o MO e o Microscópio
Eletrônico de Transmissão (MET).
 MEV → resolução de 2 a 5 nm → até 1 nm
MO → 0,5 μm.
 Comparado com o MET a grande vantagem do
MEV está na facilidade de preparação das amostras.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Histórico
 1935, M. Knoll → descreveu a concepção do MEV;
 1938, von Ardenne → construiu o 1° microscópio
eletrônico de transmissão de varredura adaptando
bobinas de varredura ao microscópio eletrônico de
transmissão.
Amostras não podiam ser espessas e o
tempo de obtenção de uma foto era
de ~ 20 min.; aumento máx. 8.000x e
resolução ~ de 50 nm.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Histórico
Assim, o 1° MEV acabou surgindo somente em 1947,
na Universidade de Cambridge, construído por
Charles Oatley.

resolução ~ 1 µm;

O 1° MEV na Universidade de Cambridge, e a primeira imagem

(amostra de alumínio atacada).
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Com o tempo.... ...

Melhoramentos ... ...
- reduzir o diâmetro do feixe de ē;
- elétron-multiplicadora → parte
eletrônica (a relação sinal-ruído)
com uso de.
50 nm (500 Å)

A subst. das lentes

eletrostáticas por Resolução 25 nm.
lentes
eletromagnéticas
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Componentes do MEV

O MEV consiste
basicamente da coluna
optico-eletrônica
(canhão de elétrons e
sistema de
demagnificação), da
unidade de varredura,
da câmara de amostra,
do sistema de detectores
e do sistema de
visualização da imagem.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Componentes do MEV

O MEV consiste
basicamente da coluna
optico-eletrônica
(canhão de elétrons e
sistema de
demagnificação), da
unidade de varredura,
da câmara de amostra,
do sistema de
detectores e do sistema
de visualização da
imagem.
Microscopia Eletrônica de Varredura
 Microscopia Eletrônica de Varredura

conjunto de componentes
cuja finalidade é a produção
dos ē e a sua aceleração para
o interior da coluna.

Vários tipos são usados Produz feixe de ē muito

variando:
-quantidade de corrente;
- tamanho da fonte;
- estabilidade do feixe;
- tempo de vida da fonte;
grosseiro → não produz
uma boa imagem em
grandes aumentos e por isso
precisa ser reduzido pelas
condensadoras (lentes
eletromagnéticas).
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Canhão de elétrons
→ O modelo mais usado é do tipo triodo
Efeito termoiônico; fornecido calor suficiente p/ os
elétrons ultrapassarem a barreira de energia para escapar
do material.
W → temp. de emissão 2427 °C e TF é de 3410 °C;
duração do filamento ~60h

Grade catódica → funciona como um eletrodo adicional de

controle e é polarizada negativamente.
→ foca os ē emitidos pelo filamento para dentro do
canhão e controlar a quantidade de ē emitidos pelo
filamento;

Fig. Diagrama esquemático do canhão de ē tipo triodo

 Microscopia Eletrônica de Varredura

Canhão de elétrons
→ O modelo mais usado é do tipo triodo
O filamento ao ser aquecido (corrente
elétrica) emite ē. Estes são repelidos pela
polarização negativa da grade catódica,
passando pelo orifício central existente
na grade catódica e são então acelerados
para dentro da coluna do MEV, devido a
diferença de potencial ( ddp ) entre a
voltagem aplicada no filamento e o ânodo
(terra).

somente uma fração dos elétrons

emitidos continuem em direção ao
interior da coluna.
Fig. Diagrama esquemático do canhão de ē tipo triodo
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Canhão de elétrons
→ O modelo mais usado é do tipo triodo
Funcionam como lentes eletrostáticas →
produção de um feixe de ē com um
pequeno diâmetro;

Entrecruzamento (crossover)
é o 1° foco e é uma imagem da área de
emissão do filamento, cujo tamanho
depende do valor da tensão aplicada na
grade.
→ para se obter uma corrente de feixe
satisfatória, a área da emissão deve ser
grande.
Dependendo das distâncias filamento-
grade catódica e grade catódica-ânodo, a
imagem do 1° foco pode ser feita menor
que a área de emissão, permitindo assim
a produção de um fino feixe de ē
Fig. Diagrama esquemático do canhão de ē tipo triodo
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Importante → imagem do 1° foco seja menor possível

porque a função das lentes condensadoras é tornar o feixe
eletrônico divergente quando se afasta do canhão, em um
feixe o mais fino possível, monocromático e focado na
superfície da amostra.

A resolução de um MEV não depende apenas da tensão de

aceleração utilizada, mas também do desempenho das lentes
condensadoras e do n° de ē que se consegue tirar do filamento,
mantendo a área de emissão a menor possível.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Fontes de elétrons
Desempenho considerados: densidade de corrente,
brilho, tempo de vida, tamanho e estabilidade da
fonte

é o parâmetro mais adequado para caracterizar o

desempenho de uma fonte. O brilho leva em conta
tanto a densidade de corrente, como a divergência
do feixe de elétrons;
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Fontes de elétrons

FEG LaB6 W
Tabela 2.1. Comparação de várias fontes a 20 kV.

termoiônicas

eletrostática Field Emission Gun

 Microscopia Eletrônica de Varredura

Fontes de elétrons

termoiônicas

Densidade de corrente de operação do LaB6 é de 40 A/cm2 a 1527

°C; W é de 3,4 A/cm2 2427 °C.
→ LaB6 tem geralmente maior custo operacional do que W.
→ Vácuo é bem mais elevado, menor do que 10-5 Pa (10-7 Torr), uso
de bombas turbomoleculares.
→ LaB6 custo ~10x W.
Entretanto o aumento significado da corrente do filamento e o
grande tempo de vida destas fontes justificam o seu emprego.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Fontes de elétrons
FEG
→ desvantagem fontes termoiônicas → menor
brilho e evaporação da fonte.
→ fonte de emissão eletrostática (FEG) →
monocristal de W na forma de um fio com uma
ponta extremamente fina (100 nm ou menos).
→ não exige tanto das lentes (demagnificação) →
uma resolução de 1 a 2 nm.

Necessidade de elevado vácuo, fazem com que essas fontes

sejam pouco empregadas.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Lentes
→ colimam o feixe de
elétrons primários o
máximo possível,
demagnificando a imagem
Objetivo → Demagnificação
do “crossover ”;
ordem 10.000x (termoiônico)
→ foca imagem;
objetiva(eletrostáticas);
e 10-100x
→reduzir
Sistemaaberrações
de lentes: 2
esféricas.
condensadoras e 1 objetiva.
Condensadoras e
objetivas são
controladas
simultaneamente
 Microscopia Eletrônica de Varredura

→Lentes Condensadoras:
- quanto > a corrente que flui pelas condensadoras < o
tamanho final do feixe eletrônico;
- normalmente refrigeradas ao ar;

→Lente Objetiva:
- lente mais potente, com uma intensa corrente
fluindo através de suas bobinas → refrigerada.
Esta lente normalmente contém as bobinas defletoras,
as bobinas de correção do astigmatismo e a abertura final.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Colimação do Feixe de ē

O feixe é defletido na direção x e y por um par de

bobinas eletromagnéticas.

- Tamanho do feixe ideal: cujas bordas do feixe

tocam levemente a linha anteriormente varrida.
- Feixe muito grande → sobreposição das linhas
varridas → imagem fora de foco.
- Feixe muito pequeno → n° de ē reduzidos
que interagem → aumenta ruído eletrônico;
Algumas áreas da amostra, onde as bordas do
feixe não se encontram não serão varridas pelo
feixe de elétrons.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Ilustração colimação
do feixe
Microscopia Eletrônica de Varredura

cerâmica
 Microscopia Eletrônica de Varredura

→Efeitos :

Aberrações das
lentes:

Astigmatismo
Aberração Esférica
Aberração Cromática
Microscopia Eletrônica de Varredura
 Microscopia Eletrônica de Varredura

→Efeitos :

- Efeito da
distância de
trabalho;
 Microscopia Eletrônica de Varredura

→Fatores :

- Efeito da distância de trabalho;

 Microscopia Eletrônica de Varredura

→Varredura :
As correntes nas lentes condensadoras, o material
da amostra e a voltagem aplicada

Diâmetro do feixe

Experiência

selecionar o aumento que se deseja e

gradualmente reduzir o diâmetro do feixe até
que depois de ajustado a correção do
astigmatismo e refocada novamente é obtida
uma imagem bem nítida.
Formação da Imagem
Interações Elétrons-Amostra

Feixe incidente ao Potencial

Mudança na sua
atômico e
interagir com a nuclear vel. inicial
amostra

Mudança na trajetória Transf. de energia do

sem variação na sua Ep para os átomos
energia cinética

Interações Elásticas Interações Inelásticas

Simulação Monte-Carlo Em particular o espalhamento
inelástico é mais intenso para
materiais com elevado Z do que para
materiais com baixo Z. Isso significa
que apesar do espalhamento elástico
aumentar para materiais com
elevado Z, a profundidade de
penetração é menor do que para
baixo número atômico.

a profundidade de penetração
para o caso do carbono é de 3
µm e para a prata é de 0,7 µm.
A forma do volume de interação
também é influenciada pela estrutura
interna do material. Por exemplo, num
material com estrutura cristalina, os
elétrons penetram por determinados
canais preferenciais, sem muita perda
de sua energia interna. Se a direção
destes canais for a mesma dos elétrons
primários, haverá um aumento na
profundidade de penetração.
- Origem dos Sinais

Como resultado das interações elásticas e inelásticas

o elétron pode se Ionização (elétrons

tornar um elétron secundários)
retroespalhado (ERE)

Pouca
profundidade
Podem gerar ES
Energia entre 2 e 5 eV
De todos os sinais que
podem ser usados para
análise de amostras no
MEV o sinal de Elétrons
Secundários é o mais
usado
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Elétrons Secundários (ES)

São ē que são ejetados de átomos da amostra

devido a interações inelásticas dos ē energéticos do
feixe primário com ē pouco energéticos da banda de
condução nos metais ou de valência nos
semicondutores e isolantes.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Os ES também podem ser gerados, a medida que o feixe

de ē penetra na amostra, pelos elétrons retroespalhados
quando estes vão deixando a amostra.
gerados quando FP interage
numa região superficial. São
os elétrons de alta
resolução.

A medida que o FP se espalha pela

amostra irá gerar ES devido as
colisões inelásticas.
São de baixa resolução e trazem
informações do ē retroespalhado.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Dependência dos ES com a composição da amostra e

a energia dos elétrons primários (EP)

O coeficiente de emissão dos EP → insensível

com a variação do Z dos elementos, entretanto
aumenta com a diminuição da energia do feixe
incidente.

Os ES escapam da amostra de uma região

muito superficial, na ordem de 1-10 nm, de tal
maneira que todos os elétrons originados em
regiões mais profundas são perdidos na
amostra.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Interações Elétrons-Amostra
- Os diversos tipos de ē
refletidos e os absorvidos são
utilizados em MEV;

- Os raios-X → identificar e
quantificar os elementos
presentes (EDS);

- Os ē transmitidos,
particularmente os espalhados
elasticamente → TEM;
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Interações Elétrons-Amostra
Maneira esquemática da interação do feixe de ē
com a amostra sólida e as profundidades típicas de
escape. apresentam imagem com menor
resolução
baixa energia, que os 50elétrons eV,
energia levemente
secundários;
emergem são superior
de a
refletidos
uma
principalmente
1500 eV e por colisões
profundidade de
profundidade de 100
elásticas, de uma profundidadea 200
escape
Å. Depende entre sensivelmente
2 e 20Å,
entre 300 e 400 Å. Têm energia
utilizados
da em espectroscopia
alta,topografia
podendo da superfície
Auger.
ser
da aproximadamente
amostra e apresentaigual à do
feixe
imagem incidente. com
Indicado para
boa
aumentos
profundidadeaté 2 000
de X.foco para
grandes aumentos
Microscopia Eletrônica de Varredura
Microscopia Eletrônica de Varredura
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Detector
Everhart-Thornley (ET) → formado pelo cintilador,
tubo de luz e a fotomultiplicadora.
Os ē que penetram no
detector são acelerados
em direção ao cintilador
por uma voltagem
aplicada a um filme de
alumínio depositado
sobre o cintilador.
Produz fótons de luz
quando atingirem o cintilador. Esses fótons são conduzidos a FM
onde são transformados num sinal elétrico. A luz ao atingir a FM
Isolado eletricamente do
cria um cascata de ē gerando um sinal que é amplificado até 108
restoPermite
vezes. do microscópio
uma grande amplificação do sinal (ES).
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Mecanismos de contraste

A imagem é o resultado da variação de

contraste que ocorre quando um feixe de EP varre a
superfície da amostra em análise ponto a ponto. De
maneira geral, as variações de contraste ponto a
ponto ocorrem devido a variação do número de
elétrons que são emitidos da amostra e que atingem
o detector.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

- Influência da inclinação da superfície

Os EP têm um maior número de interação próximo a

superfície, aumentando assim a probabilidade de
aumentar a produção de ES.

→ Pequenas rugosidades e detalhes na superfície

podem tornar-se visíveis aumentando-se a inclinação
da amostra. Os ângulos de inclinação mais indicados
para os detectores de ES ficam na faixa de 30 a 45°.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

- Influência da topografia - contraste de

orientação
Os ē têm seu caminho
obstruído em direção ao
detector. O resultado é que
as regiões que estão
direcionadas para o
detector aparecem mais
claras do que aquelas que
se encontram escondidas.

Os ē que são emitidos não sofrem obstrução no seu

caminho em direção ao detector, sendo praticamente
todos captados e de grande contribuição para o sinal.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

- Influência das arestas (bordas)

maior quantidade de ES
são gerados, porque neste
caso os elétrons sairão de
uma região maior do
volume de interação; maior
brilho

Somente os ES gerados a poucos nanometros da

superfície é que são capazes de escapar da amostra e
contribuir para o sinal.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

- Contraste de composição

Somente os ES do tipo I → contém as informações da

superfície.

Nos materiais de baixo Z estes sinais são a maior

proporção dos ES total que deixam a amostra.
A medida que Z aumenta a proporção do tipo I cai
para o tipo II consideravelmente.
Por ex: amostras de carbono a
contribuição do tipo I para o sinal de
ES é de ~ 87% caindo para cerca de
50% no caso do cobre.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

- Contraste carregamento

Pode introduzir artefatos na imagem, e nos piores

casos pode produzir distorções e instabilidade tão
severas que não é possível obter a imagem.

Ocorre em amostras não condutoras e que não foram

recobertas por um material condutor.

regiões não condutoras da superfície vão

gradualmente acumulando cargas (-).
 Microscopia Eletrônica de Varredura

IMAGEM POR ELÉTRONS RETROESPALHADOS

possuem energia entre 50 eV até o valor da energia do Ep.

Os ERE com energia próxima a dos Ep são aqueles que
sofreram espalhamento elástico e são estes que formam
a maior parte do sinal de ERE.

ERE de alta energia são aqueles que resultam de uma simples

colisão elástica, sendo, portanto, oriundos da camada mais
superficial da amostra. Logo, se somente os ERE de alta energia
forem captados, as informações de profundidade contidas na
imagem serão poucas quando comparadas com a profundidade
de penetração de penetração do feixe.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

O mecanismo de contraste mais importante dos ERE é

o contraste de composição, pois o coeficiente de
emissão dos elétrons retroespalhados está
diretamente relacionado com o número atômico.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Em 1966, Heinrich mostrou que o coeficiente η

aumenta com o número atômico da amostra
bombardeada.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

ERE também contem

informações sobre a
topografia da amostra

Pois o coeficiente de emissão dos ERE depende

do ângulo de incidência do feixe de EP com a
superfície da amostra.

Em alguns casos a imagem de ERE consiste de

contraste de composição e contraste
topográfico.
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Exemplos ERE
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Exemplos ERE

Pt particles on alumina
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Amostras
Condutora depósito de uma fina camada de um
material condutor (Au, Pd, C).

Sem recobrimento
→ baixa voltagem de aceleração no feixe de EP.
Nos microscópios mais antigos não era
possível trabalhar com voltagens tão baixas,
mas com as inovações introduzidas no canhão
e na coluna, é possível obter resolução de até
25 nm em tais condições
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Stub
Microscopia Eletrônica de Varredura
Microscopia Eletrônica de Varredura
Microscopia Eletrônica de Varredura
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Outros Ex:

SEM images of vanadium oxide nanotubes obtained at different

electron energies
 Microscopia Eletrônica de Varredura

EDS
 Microscopia Eletrônica de Varredura

EDS
 Microscopia Eletrônica de Varredura

EDS
Microscopia Eletrônica de Varredura
 Microscopia Eletrônica de Varredura

Importante
Conhecimento do que será
visualizado!
 Morfologias vistas no MEV
Fibras
“Escamas” e/ou folhas
Rugosidade
porosidade
cristalina
Amorfa
 Preparo de amostras
Link com vídeos de diversas técnicas de microscopia,
incluindo a STM:
https://toutestquantique.fr/en/microscopy/

Link do simulador :
http://myscope-explore.org/virtualSEM_explore.html

https://www2.ifsc.usp.br/portal-ifsc/a-usp-em-
nanoescala/
Preparo amostra
https://www.youtube.com/watch?v=HpgdP2QEahY

Tissue Preparation for Electron Microscopy

https://www.youtube.com/watch?v=Ad5VGbA-_vk

concreto
https://www.youtube.com/watch?v=edk48r78-j