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TECNOLOGIA DOS
COMPONENTES
ELETRÓNICOS
FORMADOR: JOSÉ ELIAS

TEAC

PUC-
UC-Rio
PUC
Semicondutores no nosso dia a dia
 O que são semicondutores?
• Condutividade varia de 10-7 (0,0000001)
a 103 (1000) (Ω m)-1

• Absorção e emissão de radiação

desde o infravermelho até o
ultravioleta, passando pelo visível
 Por quê?
No átomo os elétrons ocupam diferentes órbitas

E
Energia
 Por quê?
Um sólido é formado por muitos átomos
Em sólidos cristalinos os átomos se arranjam de maneira ordenada e periódica

E E

Energia

gap

O segredo dos semicondutores está no controle da condutividade e de suas propriedades ópticas

Esse controle os torna versáteis e adequados para a fabricação de diferentes dispositivos optoeletrônicos
 Parâmetros de controle
1)Escolha do material 2)Combinação de materiais
3)Introdução de impurezas 4)Dimensão da estrutura

1)Escolha do material
E

Energia
gap

Diferentes materiais gap e parâmetro de rede diferentes

 Parâmetros de controle
2) Combinação de materiais

Combinando materiais de gaps diferentes heteroestruturas

Energia

É possível escolher o caminho

que o elétron deve percorrer
através de vales e montanhas
 Parâmetros de controle

3) Introdução de impurezas

Introduzimos átomos que possuem um elétron a mais que o átomo

que será substituído dopagem
E

Controlamos assim a condutividade, a emissão e a absorção

Energia
 Parâmetros de controle
4) Dimensão das estruturas

Camadas finas, na escala nanométrica ( 10-9 m - mil vezes menor que

o diâmetro de um fio de cabelo) confinam o elétron as
energias permitidas para os elétrons são discretizadas

E
Energia
 Parâmetros de controle
Confinamento em 3 dimensões
Confinamento em 2 dimensões Pontos quânticos
4) Dimensão das estruturas Fios quânticos

Confinamento em 1 dimensão
Poços quânticos

v
Energia

v
v
 Como fabricar e moldar?
Crescimento epitaxial 2) epitaxia

1) substrato
MBE MOVPE
Epitaxia por feixe molecular Epitaxia na fase vapor
 Princípio de deposição
• (CH3)3Ga + AsH3 → GaAs + 3 CH4
• (1-x) (CH3)3Ga + x(CH3)3Al + AsH3 → AlxGa1-xAs + 3 CH4
 Princípio de deposição
TMGa
AsH3

GaAs substrate
 Fabricação de nanoestruturas
Fotolitografia versus litografia por feixe de elétrons ou nanolitografia

(a) (b) (c)

Camada epitaxial
Substrato
Fotoresiste
Máscara
Feixe UV
(d) (e)
Auto-organização
Auto-organização
A evolução dos dispositivos semicondutores
Transistor

100 KHz

30 GHz

Heteroestruturas desenvolvidas por Herbert

Primeiro transistor desenvolvido por Kroemer para eletrônica de alta velocidade.
Bardeen, Shockley e Brattain 25/12/1947. Prêmio Nobel em 2000
Prêmio Nobel em 1956
A evolução dos dispositivos semicondutores
Lei de Moore

Circuitos integrados

Primeiro microchip (5 componentes

integrados) desenvolvido em 1958 por
Kilby. Prêmio Nobel em 2000.
A evolução dos dispositivos semicondutores
Lasers

DH QW QD
Energia

Heteroestruturas desenvolvidas v
por Zhores Alferov para opto- v
eletrônica ao longo dos anos 80.
Prêmio Nobel em 2000
A evolução dos dispositivos semicondutores
Lasers
A evolução dos dispositivos semicondutores
Leds

GaN

Safira
 A evolução dos dispositivos semicondutores
Fotodetectores de infravermelho

Visível residual amplificado Infravermelho próximo Infravermelho distante

Heteroestrutura semicondutora Heteroestrutura semicondutora
nanoestruturada - QWIP
 E o futuro?
Transistor Dispositivo emissor de luz Grafeno

Fonte de fótons únicos

para criptografia

Transistor de uma molécula

Geim e
Novoselov
Nobel de
Física 2010

Transistor de elétron único

Resistências
Objectivos:
- Identificar os vários tipos de resistências;

- Caracterizar os vários tipos de resistências, através da consulta

de catálogos;

- Identificar as caraterísticas das resistências, através dos

códigos demarcação;

- Verificar o valor de resistências, utilizando o multímetro;

- Descrever as causas possíveis de avarias em resistências

 Classificação
(tipo)
Não bobinadas
Resistências fixas lineares
Bobinadas

Potenciómetros

Reóstatos
Resistências variáveis
Resistências de ajuste (Trimmers)

Termístores (PTC e NTC)

Resistências não lineares
Varístores (VDR)

Foto resistências (LDR)

 Classificação (montagem)

Inserção

SMD
(componente
s de
montagem
em superfície)
 Condensadores - Tecnologias

Poliéster – propriedades
Cerâmico – valores pequenos (até 1uF), semelhantes aos cerâmicos e
tensões elevadas, bom funcionamento em HF valores mais elevados (até 10uF)

Electrolítico –
Polarizados. Valores
elevados mas baixa
precisão e estabili-
dade com a tempe- Tântalo – Polarizados. Maior
ratura. Mal com- capacidade volumétrica e
portados em HF. melhor desempenho que os
electrolíticos. Baixas tensões.
Dispendiosos.

Condensadores – Valores standard

Valores de fabrico comercial (base = pico Farads).

10 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82

2,2pF, 22pF, 220pF, 2,2nF, 22nF, 220nF,

2,2uF, 22uF, 220uF, 2200uF

1pF, 10pF, 100pF, 1nF, 10nF, 100nF,

1uF, 10uF, 100uF, 1000uF

E. Martins, DETI Universidade de Aveiro 2-8

Circuitos Eléctricos – 2008/2009

Condensadores – código das cores

Idêntico ao das resistências

Cor 1º e 2º algarismo Multiplicador Tolerância Tensão máxima

Preto 0 x1 20%
Castanho 1 x10 ± 1%
Vermelho 2 x100 ± 2% 250 V
Laranja 3 x1000 ± 2,5%
Amarelo 4 x10 000 400 V
Verde 5 x100 000 ± 5%
Azul 6 x1 000 000 630 V
Violeta 7 -----
Cinzento 8 -----
Branco 9 ----- 10%
Base = pico Farads (pF)

Condensadores – código alfanumérico

É o mais habitual

1º e 2º algarismo
multiplicador
tolerância 10 K
103 M J
K
10 000 pF = 10 nF ± 20% 10 x 1000 = 10 000 pF = 10 nF ± 5%

Valores ≤ 10 pF: ≤ 10 pF > 10 pF

3º algarismo = 9 B ± 0,1 pF F ± 1% M ± 20%
(ex: 479 = 47 x 0.1 = 4,7 pF)
C ± 0,25 pF G ± 2% P +100% – 0%
D ± 0,5 pF H ± 3% S +50% – 20%
F ± 1 pF J ± 5% Z +80% – 20% ou
+100% – 20%
G ± 2 pF K ± 10%