Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do

Maranhão
Programa de Pós-Graduação em Engenharia de Materiais

TÉCNICAS DE CARACTERIZAÇÃO

MICROSCOPIA ELETRÔNICA
VARREDURA E TRANSMISSÃO

Prof. Dr. Marcelo M. Oliveira

Durante a fase de produção ou análise de materiais,
quase sempre se torna necessário analisar a sua
microestrutura. Esta análise microestrutural é muito
importante pois permite:

• entender as correlações microestrutura - defeitos -

propriedades;
• predizer as propriedades do material quando estas
correlações são estabelecidas.

As técnicas mais utilizadas para este tipo de análise são a

Microscopia Ótica e Eletrônica.
 COMPARAÇÃO ENTRE O MO E O MEV

Microscópio Ótico MEV

Só a superfície dos materiais
podem ser observadas e precisa ser
cuidadosamente preparada de
maneira a revelar detalhes da
microestrutura.
Aumento máximo 3.000x
Analisa:
 Propriedades microestruturais,
 estruturas deformacionais e,
contornos de grãos
Fornece informações tais como:
 Topografia da superfície;
 Composição;
 Cristalografia, etc.
Pode atingir até 900.000x de
aumento (FEG).
Vantagens do MEV em relação ao MO
Resolução na ordem de 2 a 5nm
(atualmente até 1nm)
Ótico – 0,5 m
 COMPARAÇÃO ENTRE O MO E O MEV

A diferença básica entre os dois tipos de microscópio:

O microscópio eletrônico funciona com a emissão de elétrons pelo
filamento de tungstênio (W) ou hexaboreto de lantânio (LaB 6),
localizado no topo do aparelho.
O microscópio ótico funciona a partir da emissão de luz por uma fonte
luminosa, que é disposta em dois pontos do aparelho, uma no braço do
microscópio (luz refletida) e outra na base do aparelho (luz
transmitida). Não é possível trabalhar com as duas fontes
simultaneamente.
O MO E O MEV
O MICROSCÓPIO ELETRÔNICO DE VARREDURA

https://www.youtube.com/watch?
v=-jK_WcfJO4U
- MEV Conceitos Básicos e
Aplicações

Representação esquemática dos

componentes do Microscópio
Eletrônico de Varredura
O MICROSCÓPIO ELETRÔNICO DE VARREDURA

Emissão termiônica dos elétrons

(2427 oC)
Cilindro de Wehnelt

Grade catódica – atua no sentido

de focar os elétrons e controlar a
quantidade de elétrons emitidos

Crossover

Acelera os elétrons
O MICROSCÓPIO ELETRÔNICO DE VARREDURA

Basicamente  Coluna ótico-eletrônica (canhão de

elétrons e sistema de demagnificação1)
1
Redução do diâmetro do feixe de elétrons.
Spputering (amostras não condutoras) Porta amostra

Detectores
Ver aula MEV
parte III
FEG – Field Emission Gun
LIEC - UFSCAR
 Porta amostra (8 amostras)

Detectores
Microscópio Phenom Pro X – UFMA – Núcleo de Combustíveis, Catálise e
Ambiental
 O MICROSCÓPIO ELETRÔNICO DE VARREDURA

Micrografia eletrônica de um filamento de W (a), LaB 6 (b) e FEG (c).

Custo (~ $) PF
90 3422oC
1000-3000 2210oC Crossover
FORMAÇÃO, PROCESSAMENTO E INTERPRETAÇÃO DAS IMAGEM
O quadrado indica a varredura pelo feixe de elétrons do MEV

Aço inoxidável austenítico, com composição percentual de

0,035C; 0,37Si; 20,3Cr; 10,6Ni; 4,04Mg; 2,47Mo; 0,29Nb e 0,36N
FORMAÇÃO, PROCESSAMENTO E INTERPRETAÇÃO DAS IMAGEM

Elétrons retroespalhados (ERE [BSE – BackScaterring Electron])

Energia máxima dos elétrons igual a energia do elétron primário.
A imagem de elétrons retroespalhados contém dois tipos de
informações: uma sobre a composição da amostra (COMPO), e a
outra sobre a topografia da amostra (TOPO)
Os Elétrons Retroespalhados (BSE - Backscattered electrons) são elétrons
espalhados de maneira elástica.

• Mínima perda de energia.

• Grandes mudanças na direção da trajetória.
• Energias > 50 eV
• Forte correlação com o número atômico.

• BSE surgem a partir da interação do feixe

de elétrons com o núcleo atômico. Quanto
maior o número atômico do núcleo, mais
provável é que essa interação aconteça.

• A amplitude do sinal BSE aumenta com o

número atômico da amostra átomo (imagens
mais claras).

• BSE contém informações sobre o elemento

químico da amostra (chemical make-up). Por
exemplo, Chumbo (Z = 82) é muito mais
brilhante do que Ferro (Z = 26).
FORMAÇÃO, PROCESSAMENTO E INTERPRETAÇÃO DAS IMAGEM

O Contraste do ERE está relacionado a nuvem de e’ do material ou seja,

com o Z. Quanto maior o número de elétrons, mais clara a imagem
(mais elétrons chegam no detector). Z menor imagens mais escuras.

Piso cerâmico Varistor de ZnO

 1 Cassiterita – SnO2
(ZSn = 50)
2 Zircão – ZrSiO4
(ZZr = 40, ZSi = 14)
3 Gibssita – Al(OH)3
(ZAl = 13)
4 Barita - BaSO4
(ZBa = 56, ZS = 16 )
5 Betafita –
(Ca,Na,U)2(Nb,Ta)2O
6(O,OH)
(ZCa = 20, ZNa = 11,
ZU = 92, ZTa = 73)
6 Pirita – FeS2
(ZFe = 26)
SnO2 = 151 g/mol
Sn (79% da massa)
BaSO4 = 233 g/mol
Ba (59% da massa)

Figura – Imagem de concentrado obtida com detector de elétrons

retroespalhados em MEV. 1- cassiterita, 2- zircão, 3- gibbsita, 4-
barita, 5- mineral do grupo do pirocloro (betafita), 6- pirita
(parcialmente alterada para óxidos/hidróxido de ferro).
14  13  19 
Si  Al  K 
28.09 26.98 39.10
11  22  26 
Na Ti  Fe 
22.99 47.90 55.85
20  12 
Ca  Mg 
40.08 24.31
Os Elétrons Secundários são espalhados de forma inelástica. O elétron
incidente perde e cede a maior parte da sua energia para a amostra.

• Elétrons fracamente vinculados da amostra são "boiled-off".

• Energias <50 eV.
• Informação Topográfica.
• O detector de SE são desenhadas para funcionar com polaridade positiva.

O elétron incidente colide

com um elétron de valência a
amostra. Parte da energia é
transferida do elétrons
incidente para os elétrons da
amostra.
FORMAÇÃO, PROCESSAMENTO E INTERPRETAÇÃO DAS IMAGEM

Elétrons Secundários (ES [SE – Secundary Electron])

Proveniente de uma região de muito pouca profundidade, cerca de 1 nm para
metais. Energia de 2 a 5 eV.
Noção do relevo da amostra. Topo – imagens mais claras  maior número de
feixes que chega no detector. Vale  imagens mais escuras, menos feixe chega
ao detector.

Detector
ES
Imagem obtida por MEV-FEG – Varistor SnO2
Imagem obtida por MEV – Varistor SnO2
The following image is from the secondary electron detector and shows a metal
surface at the same magnification but with different beam energies (different kVs):
5kV; 10kV; 15kV; 30kV (across 1-4). Note that subsurface and compositional
information is apparent in frames 3 and 4 because the SE detector is also gathering
backscattered electrons.

http://www.ammrf.org.au/myscope/sem/practice/principles/imagegeneration.php
FORMAÇÃO, PROCESSAMENTO E INTERPRETAÇÃO DAS IMAGEM

Azulejo do centro histórico de São Luís - MA

FORMAÇÃO, PROCESSAMENTO E INTERPRETAÇÃO DAS IMAGEM

Seção de um metal
Raios X característicos são gerados em um processo de múltiplos passos.

• Um elétron próximo do núcleo é golpeado por um elétron incidente o qual é

emitido para fora do átomo.

• Um elétron de uma camada exterior preenche a vaga originada, produzindo

uma transição atômica.

• A diferença de energia é emitida como um fóton (em forma de raio X).

http://www.instrutec.com.br/v2/represen/Aspex/aspex_psem_principios.html
 MICROANÁLISE POR ENERGIA DISPERSIVA

Através da identificação dos raios X emitidos pela amostra, quando da

interação com o feixe eletrônico, é possível determinar a composição de
regiões com até 1 µm de diâmetro. É uma técnica não destrutiva, podendo
determinar quantidades de até 1-2% dos elementos presentes na amostra.
A detecção dos raios X emitidos pela amostra pode ser realizada tanto pela
medida de sua energia (EDS) como do seu comprimento de onda (WDS).

N2 (l) – minimizar
o ruído eletrônico

Si (Li)

Janela do detector
 MICROANÁLISE POR ENERGIA DISPERSIVA

A notação usada para designar as transições são as normalmente usadas na espectrometria de

raios X onde:
- as letras K, L, M, N, designam a camada em que ocorreu a ionização, de onde foi retirado o
elétron,
- as letras gregas minúsculas α, β, γ, designam a camada a partir da qual saiu o e’ para preencher
o vazio deixado pela ionização, sendo α a mais provável transição,
- os sub-índices 1,2,3, designam a transição entre as subcamadas.

Núcleo

a radiação Kα resulta da
retirada de um elétron da
camada K e saída de um elétron
da camada L para ocupar esta
posição.
A radiação Kβ ocorre quando um
elétron da camada M se move
para ocupar a posição na
camada K.
 MICROANÁLISE POR ENERGIA DISPERSIVA

Na espectrometria por energia dispersiva (Energy Dispersive X-

ray Spectrometry (EDS), os raios X são distribuídos no espectro por ordem de sua
energia e mais comumente do baixo número atômico (baixa energia) para elevado
Z (alta energia), conforme pode ser visto no espectro da Figura abaixo.

Espectro por energia dispersiva mostrando a ordem dos números atômicos para os picos da
série K.
MICROANÁLISE POR ENERGIA DISPERSIVA

AlK AlK

SiK

SiK

FeK  NiK 
MICROANÁLISE
POR ENERGIA
DISPERSIVA
Spot 1

Spot 3

Spot 2

Material retirado de Azulejo

de São Luís
 Spot 1 Spot 2

Spot 3 Spot 5

Spot 6
Spot 4
 Sn Co

Ni

Filtro Varistor a
cerâmico base de
Mn Cr SnO2
La

Al

Fe U
Tinta impressa em papel

Mapeamento de como os elementos

Mineral
estão distribuídos na amostra
 OUTRAS ANÁLISES

DIÂMETRO MÉDIO DE GRÃO

Sample: 13La5 Units: microns

Measurement Average Median Minimum Maximum 1 Std.
Deviation
Feature # 890 890 1 1780 514
Field # 3 3 1 6 2
Avg Diameter 5.48 4.92 0.61 26.90 3.25
Aspect Ratio 1.68 1.52 1.03 12.33 0.66
 GRAIN SIZE DETERMINATION

O método mais comumente utilizado é provavelmente aquele que foi

desenvolvido pela Sociedade Americana para Testes e Materiais
(ASTM—American Society for Testing and Materials).
A Norma ASTM E112, "Métodos Padronizados para Estimativa do Tamanho Médio dos grãos de Metais"
("Standard Methods for Esrimating the A verage Grain Sizefor Metals")

Let n represent the grain size number, and N the average number
of grains per square inch at a magnification of 100x These two
parameters are related to each other through the expression.

n 1
N 2
 DIÂMETRO MÉDIO DE GRÃO

MÉTODO DOS INTERCEPTOS

R = comprimento da reta / no de interceptos (Contornos de grão)

11 cm A  11/4 = 2,75 cm
11 cm
B  11/4 = 2,75 cm
12 cm  dm = 2,68 cm
C  12/4 = 3,00 cm
D  11/5 = 2,20 cm
11 cm
3,40 cm ------- 4 m
2,68 cm ------- x = 3,15 m

d = 3,15 x 1,56* = 4,91 m

*
Fator estatístico
 PREPARAÇÃO DE AMOSTRAS

O Microscópio Eletrônico de Varredura possui algumas restrições

principalmente no que diz respeito ao tamanho do material a se
analisado. O equipamento MEV dispõe de uma câmara que limita o
tamanho da amostra em no máximo 50 mm de diâmetro e alguns
milímetros de espessura, por isso é necessário a utilização de
equipamentos de alta precisão para o preparo das amostras.

Embutir (Resina polimérica)

Lixar e Polir (até formar um “espelho”)

Desembutir (Forno a 200 oC)

Limpeza (Ultra-som)

“Sputtering” (Recobrimento com ouro ou carbono)

(Para amostras não condutoras)

Fluxograma para preparação de amostras cerâmicas (MEV)

PREPARAÇÃO DE AMOSTRAS

Metalização de Amostras

As amostras de materiais não condutores necessitam de uma camada

condutora sobre a superfície para aterrar os elétrons que atingem e
portanto, evita efeitos de carregamento, que impedem a obtenção de
imagens satisfatórias formadas por elétrons secundários.

Deposição de íons (“Sputtering”)

Um alvo de Au é bombardeado com átomos de um gás como argônio, sob
vácuo, e o átomo do metal são ejetados do alvo, e depositados sobre a
superfície da amostra.

Recobrimento por evaporação de carbono

Fibras de C evapora devido ao aquecimento em temperaturas da ordem
de 2000 oC a vácuo, e depositam-se na forma de filmes na região
adjacente.
Embora não seja um bom emissor de e’ pode fornecer um caminho
condutor sobre a amostra mesmo em camadas muito finas.
Microscopia Eletrônica de Transmissão - MET

Microscópio Eletrônico de Transmissão -

Resolução de 0.1 nm (nanômetros) e ampliação
máxima de 1.5 milhões de vezes
 Microscopia Eletrônica de Transmissão - MET

Vantagens e Desvantagens

MEV
- Fácil preparação de amostras;
- Resolução de EDS > 1 m;
- Contraste Z, topográfico, RX;
- Resolução < 1 m.
MET
- Difícil (trabalhosa) preparação
de amostras;
- Resolução de EDS < 1nm
- DF, BF, Z, DE, RX;
- Resolução  2 A.
Microscopia Eletrônica de Transmissão - MET
Microscopia Eletrônica de Transmissão - MET

Partículas de silica
Microscopia Eletrônica de Transmissão - MET

Descontinuidade
entre grãos “twins” Varistor

Contorno
de grão
 Região
amorfa

Planos
cristalinos

YAG – Possível supercondutor!

Nanofio
Difração de elétrons em MET

Tipos característicos de figuras de difração:

A figura abaixo apresenta uma difração de elétrons do ferro alfa
(estrutura cristalina CCC) já indexada, isto é, as manchas ou
pontos ("spots") já foram analisadas e identificadas.
Microscopia Eletrônica de Transmissão - MET

Difração de elétrons

A Figura ilustra o modelo que

caracteriza o conceito da constante
de câmara (L), por meio do qual
distâncias R no difratograma são
diretamente relacionados com as
respectivas distâncias d do cristal,

 L = R d.

As constantes de câmara para 120

kV e 200 kV são 2,0995 Å.cm e
2,3826 Å.cm respectivamente.
Microscopia Eletrônica de Transmissão - MET

Grão de SnO2
Precipitado de Co2SnO4
d(A) I(f) I(v) h k l 1.184 3.0 8.0 4 0 0
1.154 6.0 16.0 2 2 2
3.347 100.0 92.0 1 1 0 1.149 1.0 3.0 4 1 0
2.642 75.0 88.0 1 0 1 1.116 3.0 8.0 3 3 0
2.369 21.0 27.0 2 0 0 1.091 7.0 20.0 3 1 2
2.309 4.0 5.0 1 1 1 1.081 8.0 23.0 4 1 1
2.118 1.0 1.0 2 1 0 1.059 3.0 9.0 4 2 0
1.764 57.0 100.0 2 1 1 1.053 1.0 3.0 3 3 1
1.675 14.0 26.0 2 2 0 1.036 3.0 9.0 1 0 3
1.593 6.0 12.0 0 0 2 1.013 1.0 3.0 3 2 2
1.498 11.0 23.0 3 1 0 1.012 1.0 3.0 1 1 3
1.482 1.0 2.0 2 2 1 1.005 1.0 3.0 4 2 1
1.439 12.0 26.0 1 1 2 0.950 4.0 13.0 4 0 2
1.415 14.0 31.0 3 0 1 0.949 7.0 23.0 2 1 3
1.356 1.0 2.0 3 1 1 0.932 1.0 3.0 4 1 2
1.322 6.0 14.0 2 0 2 0.929 3.0 10.0 5 1 0
1.314 1.0 2.0 3 2 0 0.914 3.0 10.0 3 3 2
1.273 1.0 2.0 2 1 2 0.908 8.0 27.0 5 0 1
1.214 9.0 23.0 3 2 1 0.897 1.0 3.0 2 2 3
Materiais Amorfos

Vidro

Metal-vidro
Materiais Cristalinos

Nano fios
de Sn

Si

Au

http://crysta.physik.hu-berlin.de/elmi/JEM2200FS_first_results.html
Microscopia Eletrônica de Transmissão - MET
PREPARAÇÃO DE AMOSTRAS

Cerâmicas

Dippling
Cortador Ultra-sônico

Canhão Iônico

Suporte do
porta amostra canhões
Etapas de preparação de amostra de cerâmicas para microscopia eletrônica
de transmissão.
PREPARAÇÃO DE AMOSTRAS

Metais

Polimento Eletrolítico
TENUPOL
PREPARAÇÃO DE AMOSTRAS

Ultramicrotomia:  o material é levado até o ultramicrótomo, onde

obtemos fatias com espessuras ultrafinas na ordem de nanômetros;

Polímeros
PREPARAÇÃO DE AMOSTRAS

PÓ
Um diagrama de um suporte de
inclinação de eixo único para a
inserção de amostra em
goniômetro de MET. A inclinação
do fixador é obtida através da
rotação de todo o goniômetro.