SE463 Web

editorial
Editora Saber Ltda.

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Hlio Fittipaldi
Editorial
Nesta edio destacamos a soluo da Texas Instruments
para transmisso de dados pela rede de energia (PLC).
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Editor e Diretor Responsvel
Hlio Fittipaldi
Conselho Editorial
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Redao
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Andresa Deocldea Soares Crtes,
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Eutquio Lopez,
Hamilton Kosaka Igncio,
Hlio Fittipaldi,
Newton C. Braga,
Naur Arjonas,
Ricardo Pantoja.
Com o avano da tecnologia e o crescimento da populao mundial, notamos que em muitos pases h falta crescente de vrios insumos, entre eles, a energia eltrica.
A indstria, preocupada e sentindo essa oportunidade,
Hlio Fittipaldi
est, nos ltimos anos, disponibilizando novos produtos

que so mais econmicos no consumo de energia, possibilitando assim novas
aplicaes que aumentam a demanda energtica.
As oportunidades de gerao e distribuio de energia esto crescendo, e o nosso
papel mostrar aos leitores como se d isso e onde cada um pode atuar dentro
das suas caractersticas para tirar o melhor proveito.
H um ano publicamos o projeto do veculo eltrico, o E-Kart, abrindo pela primeira vez no mundo, atravs de uma revista tcnica, todo o projeto incluindo
o cdigo-fonte do mdulo de comando. Conseguimos at hoje que 573.000
downloads fossem feitos pelos profissionais da rea (do Brasil e de diversas
partes do mundo). Isto mostra o grande interesse pelo assunto, e, quando o
PARA ANUNCIAR: (11) 2095-5339

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Texas - Divulgao
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pblico comear a comprar esses veculos, mais energia eltrica ser necessrio
gerar. O Brasil precisar gerar energia provinda de diversas fontes, seja elica,
biocombustvel etc... Veja quantas oportunidades para voc que nos l!
A internet das coisas, e a entra tambm o Smart Grid, aumentar as oportunidades e inclusive o consumo de novos produtos, com novas tecnologias. Esperamos
continuar abordando estes novos caminhos para atender voc da melhor forma
possvel e desvendando material tcnico que nem na web se consegue encontrar,
como foi o caso do veculo eltrico. Continue a nos prestigiar e a fazer da Saber
Eletrnica um dos melhores veculos tcnicos impressos do mundo.
Submisses de Artigos
Artigos de nossos leitores, parceiros e especialistas do setor sero bem-vindos em nossa revista. Vamos analisar cada
apresentao e determinar a sua aptido para a publicao na Revista Saber Eletrnica. Iremos trabalhar com afinco em
cada etapa do processo de submisso para assegurar um fluxo de trabalho flexvel e a melhor apresentao dos artigos
aceitos em verso impressa e online.
Atendimento ao Leitor: atendimento@sabereletronica.com.br

Os artigos assinados so de exclusiva responsabilidade de seus autores. vedada a reproduo total ou parcial dos textos
e ilustraes desta Revista, bem como a industrializao e/ou comercializao dos aparelhos ou ideias oriundas dos textos
mencionados, sob pena de sanes legais. As consultas tcnicas referentes aos artigos da Revista devero ser feitas exclusivamente por cartas, ou e-mail (A/C do Departamento Tcnico). So tomados todos os cuidados razoveis na preparao do
contedo desta Revista, mas no assumimos a responsabilidade legal por eventuais erros, principalmente nas montagens, pois
tratam-se de projetos experimentais. Tampouco assumimos a responsabilidade por danos resultantes de impercia do montador.
Caso haja enganos em texto ou desenho, ser publicada errata na primeira oportunidade. Preos e dados publicados em
anncios so por ns aceitos de boa f, como corretos na data do fechamento da edio. No assumimos a responsabilidade
por alteraes nos preos e na disponibilidade dos produtos ocorridas aps o fechamento.
2012 Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 3
ndice
12
Reportagem
12 Instituto de Estudos Avanados completa 30 anos
Tecnologias
18 Grupo purifica silcio para fabricao de clulas
solares
Energia
20 Proteo Contra Surtos Transitrios Eltricos
26 Influncia das Harmnicas na Alimentao de
Dispositivos Eletrnicos Parte 2
Telecomunicaes
30 Solues Texas Instruments para Transmisso de
Dados pela Rede de Energia (PLC)
Conectividade
33 O que uma Rede de Sensores sem Fio?
Industrial
36 Redes Industriais Parte 3
Desenvolvimento
44 Uso do DSP como Sistema de Controle Digital
Componentes
48 Cabos pticos Autossustentveis e o Efeito Corona
52 IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
60 Conversores de Dados Parte I
24
03
06
Editorial
Acontece
06 Processadores SitaraTM ARM agora com

suporte ao Android 4.0
07 Nova fbrica da Altus responsvel por produzir
painis de automao e de potncia
52
08 O primeiro supercomputador comercial

resfriado com gua quente, da IBM
09 Novo Conector Mini Edge Card para alta
velocidade
10 Nova Interface Homem-Mquina
10 Nova srie de Capacitores Cilndricos Trifsicos
para Eletrnica de Potncia
ndice de anunciantes
Feira Electronica 2012 ........................
Metaltex .............................................
Feira Power Electronics ......................
Cika ........................................................
Key s t o n e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
05
09
11
17
25
Ta t o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Patola ......................................................
Globtek ....................................................
Blucolor ...................................................
Novasaber .................................................
4 I SABER ELETRNICA 460 I Maro/Abril 2012
29
29
35
43
51
Novasaber .................................................. 59
National .................................................. 2 capa
Novasaber ............................................... 3 capa
Texas ........................................................ 4 capa
acontece
Processadores Sitara ARM agora
com suporte ao Android 4.0
Ice Cream Sandwich
Novo kit de desenvolvimento de software traz o Android 4.0
aos processadores Sitara AM335x e AM37x ARM Cortex-A8,
atendendo a mercados que requerem SoCs de baixo custo e
baixa potncia
A Texas Instruments Incorporated
anunciou a disponibilidade de um novo
kit para desenvolvedores de software
(SDK) que traz o Android 4.0 (Ice
Cream Sandwich) aos processadores
Sitara AM335x e AM37x ARMCortex-A8. Esta oferta completa de
software permite aos inovadores avaliarem na sua totalidade o Android 4.0 em
aplicaes integradas em execuo nos
processadores Sitara. Para mais informaes ou para baixar o SDK gratuito.
Pela primeira, os desenvolvedores do
Sitara ARM podem tirar proveito do
Android 4.0 para aplicaes de baixo custo e baixa potncia, incluindo
aparelhos eletrnicos como relgios,
visores, displays para eletrodomsticos
e automao, educao e tablets corporativos, terminais de ponto de venda,
dispositivos de navegao portteis e
aplicaes de controle industrial.
O suporte ao Android 4.0 na nossa
plataforma Sitara demonstra o compromisso da Texas Instruments com
o avano das oportunidades para a
comunidade do cdigo aberto, diz
Adrian Valenzuela, diretor de marketing
dos processadores Sitara ARM, da Texas
Instruments. Trazer o Android 4.0
plataforma Sitara permite aos desenvolvedores usarem os recursos impressionantes que a sua nova verso entrega
a aplicaes integradas, como vdeo
inovador, imagem e efeitos grficos, interfaces de uso robustas e muito mais.
Avalie com facilidade

e rapidez as aplicaes
baseadas em Android
Completo com conectividade pr-integrada e capacidades de grficos 3D,

o SDK oferece uma base de software
estvel que pode ser utilizada em uma
ampla gama de produtos de processadores Sitara. Para

ajudar os desenvolvedores a integrarem e avaliarem
rpida e facilmente
aplicaes baseadas
em Android, o SDK
tem funcionalidade totalmente
testada usando o
teste de compatibilidade com Android
no mdulo de avaliao AM335x e nas
plataformas Beagleboard-xM, BeagleBone, AM37x EVM e Flash Board. O SDK
inclui:
Kernel Linux;
Boot loaders (uboot/x-loader);
Sistema operacional (OS) Android
4.0.3 Ice Cream Sandwich;
Grficos 3D usando o driver e as
bibliotecas POWERVR SGX OpenGL da Imagination Technologies;
Drivers de conectividade combinados WiLink 6.0 da Texas Instruments para as tecnologias Wi-Fi
(802.11 b/g/n) e Bluetooth v2.1;
RowboPERF, uma medida de desempenho e aplicao de benchmarking;
Ferramentas de servidor para depurao no Android com o ambiente
de desenvolvimento integrado Code
Composer Studio;
Notas de aplicao, guias e resultados
de testes para ajudar os desenvolvedores com seus projetos.
Suporte adicional
de software
Os processadores Sitara ARM oferecem suporte de software para os

sistemas operacionais mais utilizados
para permitir programao similar
6 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012
Processador Sitara AM335x,

da Texas Instruments.
dos microcontroladores, incluindo as

seguintes solues:
Suporte para os sistemas operacionais Linux, Android e Windows
Embedded Compact 7
Solues de segurana compatveis
e sistemas operacionais em tempo
real disponveis a partir de terceiros,
permitindo maior customizao de
produtos e desenvolvimento simplificado
O software StarterWare permite
aos desenvolvedores programarem
estes microprocessadores como um
microcontrolador, sem a necessidade
de um sistema operacional
O kit para desenvolvedores de
software EZ, da Texas Instruments,
permite a gerao de um demo em
minutos e o desenvolvimento em
menos de uma hora.
acontece
Altus inaugura fbrica responsvel por produzir
painis de automao e painis de potncia
Unidade localizada em Sapucaia do Sul / RS tem a capacidade
de produo de 3 mil colunas de painis eltricos por ano
Na manh de 16 de julho, o Governador do Estado do Rio Grande do Sul,
Tarso Genro, inaugurou a Fbrica de
Painis da Altus, na cidade de Sapucaia
do Sul. J em atividade, a unidade
voltada para a produo de painis de
automao e painis de potncia para
atender o setor de automao industrial e controle de processos. Alm
disso, a fbrica responsvel pela produo dos painis para automao das
plataformas de petrleo P-58 e P-62,
bem como das oito primeiras plataformas para produo em larga escala
do Pr-sal, contrato conquistado pela
Altus com a Petrobras em 2011.
Cerca de R$ 2 milhes foram investidos na estrutura, que conta com
uma grande rea de fabricao e salas
especiais para realizao de Testes de
Aceitao em Fbrica (TAF). A filial
dispe de 3.500 m de um ambiente
moderno, que permite o desenvolvimento de projetos com tecnologia de
ponta.
De acordo com o presidente da Altus,
Luiz Gerbase, passou o tempo em
que uma indstria podia competir
baseada em comandos manuais. Hoje
necessrio colocar nossa inteligncia dentro da mquina, e a mquina
dentro da indstria. Os equipamentos
que essa fbrica produz fazem que
qualquer processo industrial moderno
seja vivel, afirma.
Ricardo Felizzola e Luiz Gerbase na inaugurao

da nova unidade da Altus em Sapucaia do Sul.
A unidade est situada a uma distncia de 5 km da matriz da Altus, em

So Leopoldo. Uma equipe formada
por cerca de 100 profissionais atua
na fbrica, desenvolvendo atividades
especficas de engenharia: instalao,
montagem, superviso, comissionamento e start-up dos produtos.
Estiveram presentes na solenidade de
inaugurao o Governador do Estado
do Rio Grande do Sul, Tarso Genro,
o Secretrio de Desenvolvimento e
Promoo do Investimento do Estado,
Mauro Knijinik, a Secretria da Cincia, Inovao e Desenvolvimento Tecnolgico em exerccio, Ghissia Hauser,
o Secretrio da Indstria e Comrcio
de Sapucaia do Sul, Jos Kuhn, entre
outras autoridades.
Painis de automao
e de Potncia.
Tarso Genro visitou as instalaes da

Unidade de Painis da Altus e falou
sobre o comprometimento do Estado
do RS com o desenvolvimento da
indstria eletrnica. A alta tecnologia
embarcada nos equipamentos que a
fbrica da Altus produz, faz do estado
do Rio Grande do Sul referncia no
processo de automao para o setor
de gerao de energia em projetos
como a automao das plataformas
do Pr-sal e de Usinas Hidreltricas
em todo Brasil.
A concretizao de negcios como
esse, de acordo com Gerbase,
viabilizada pelo evoludo sistema de
financiamento para tecnologia desenvolvido pelo Brasil. Os fundos
setoriais, o BNDES e a FINEP so
chaves para a continuidade da poltica
industrial de alta tecnologia, sem eles
no estaramos aqui, explicou.
O presidente da Altus concluiu seu
discurso afirmando que possvel
exportar e competir em alta tecnologia com gigantes, graas a uma
boa educao e ambiente favorvel.
Quando aprendi que a usina de Paulo
Afonso era a maior do Brasil, nunca
imaginei que uma empresa nacional
pudesse controlar algo assim, agora
tenho certeza.
Julho/Agosto 2012 I SABER ELETRNICA 463 I 7
acontece
O primeiro supercomputador comercial
resfriado com gua quente, da IBM,
consome 40% menos energia
O SuperMUC da Leibniz considerado o supercomputador mais rpido da Europa
A Leibniz Supercomputing Centre
(LRZ), em conjunto com a IBM, anunciaram hoje o primeiro supercomputador resfriado com gua quente
comercialmente disponvel, com um
sistema eficaz projetado para ajudar
pesquisadores e instituies industriais em toda a Europa a investigar e
solucionar alguns dos desafios cientficos mais intimidantes.
O novo sistema SuperMUC da LRZ
foi elaborado com servidores IBM
System x iDataPlex Direct Water
Cooled dx360 M4 com mais de
150.000 ncleos a fim de proporcionar um desempenho mximo de at
trs petaflops, o equivalente ao trabalho de mais de 110.000 computadores
pessoais. Simplificando, trs bilhes
de pessoas usando uma calculadora
de bolso teriam que desempenhar
um milho de operaes por segundo
(cada uma) para atingir um desempenho equivalente ao SuperMUC. Alm
disso, uma nova forma de tecnologia
de resfriamento com gua quente
inventada pela IBM permite que o
sistema seja elaborado 10 vezes mais
compacto, melhorando substancialmente seu desempenho mximo ao
consumir 40 por cento menos energia
que uma mquina similar com resfriamento por ventilador.
Este ano, toda a eletricidade consumida pelas instituies financiada
pelo estado na Alemanha e elas so
obrigadas a comprar energia 100%
sustentvel, declarou o Prof. Dr.
Arndt Bode, presidente do conselho
da Leibniz Supercomputing Centre. O
SuperMUC nos ajudar a manter nosso compromisso, proporcionando, ao
mesmo tempo, o melhor sistema de
sua categoria comunidade cientfica
para testar teorias, projetar experimentos e prever resultados como
jamais se viu.
O super computador comercial SuperMUC,

da Leibniz Supercomputing Center.
Tecnologia de resfriamento
Atualmente, at 50% do consumo de

energia e pegada de carbono de uma
central de dados resfriada por ventilador comum no causada pela computao, e sim, para alimentar os sistemas
de resfriamento necessrios. Os
cientistas e desenvolvedores da IBM
decidiram tratar desse desafio com um
conceito de resfriamento com gua
quente, o que elimina a necessidade de
sistemas de resfriamento de centrais
de dados convencionais. A tecnologia
de resfriamento com gua quente da
empresa resfria diretamente os componentes ativos no sistema, tais como
processadores e mdulos de memria,
com temperaturas de refrigerao que
podem atingir at 113 F ou 45 C.
medida que continuamos cumprindo
com nossa viso de longo prazo de
uma central de dados com emisso
zero, podemos, finalmente, atingir
uma reduo de at um milho de
vezes no tamanho do SuperMUC, a
fim de que ele possa ser reduzido ao
tamanho de um computador desktop
com uma eficincia muito maior que

a de hoje, declarou Dr. Bruno Michel,
gerente de embalagens trmicas avanadas da IBM Research.
O SuperMUC combina sua capacidade
de resfriamento com gua quente,
que remove o calor de maneira 4.000
vezes mais eficiente que o ar, com
18.000 processadores Intel Xeon com
eficincia energtica.
Alm de ajudar com a descoberta cientfica, a integrao de resfriamento com
gua quente e software de gerenciamento de sistemas dinmico orientado
ao aplicativo IBM permite que a energia
seja capturada e reutilizada para aquecer os prdios durante o inverno no
vasto campus da Leibniz - uma economia de 1 milho de euros/ano.
O supercomputador mais
poderoso da Europa
O sistema SuperMUC o computador

mais rpido da Europa, de acordo com
a lista TOP500 dos computadores mais
rpidos do mundo. Esse desempenho
usado para impulsionar uma ampla gama
acontece
de pesquisa - desde a estimulao do fluxo
sanguneo por trs de uma vlvula cardaca, at
o planejamento de avies mais silenciosos para
escavar nossos insights em geofsica, incluindo a
compreenso dos terremotos.
O sistema SuperMUC tambm est conectado
a sistemas de visualizao, incluindo uma ampla parede de energia estereoscpica de 4K
e um ambiente de realidade virtual ou CAVE
artificial de cinco lados para visualizar conjuntos de dados em 3D de campos, incluindo a
cincia da Terra, astronomia e medicina.
A LRZ a central de computadores para as
universidades de Munique e para a Academia
Bavariana de Cincias e Humanidades. Ela
cuida da rede de dados cientficos em Munique, oferece uma ampla gama de servios de
dados, e proporciona instalaes de informtica de ponta para a comunidade cientfica
em toda a Europa.
O novo sistema SuperMUC da central o
maior da Europa e um dos sistemas mais
eficazes do mundo. parte da infraestrutura
de computao de alto desempenho da Parceria para a Computao Avanada na Europa
(PRACE) para pesquisadores e instituies
industriais em toda a Europa.
Novo Conector Mini Edge

Card para alta velocidade
A Samtec expandiu sua linha de solues High Speed Edge Card com o
Conector Mini Edge Card de passo 2,0 mm (0,0787), que ideal para aplicaes de computao em alta velocidade e armazenamento, bem como
para outros sistemas complexos com nveis mais elevados de interconectividade. Esse Edge Card Socket uma soluo flexvel para alta velocidade,
compatvel com diversas espessuras de carto e j vem com uma seleo
de caractersticas severas.
O Mini Edge Card Socket (MEC2 Series) de passo 2 mm (0,0787) um
sistema de fileira dupla (double row) com formatao polarizada e orientao de placa. O sistema disponvel com 5 a 50 contatos por fileira para
um nmero mximo de 98 I/Os. O conector acomoda ambas espessuras
de carto (1,60 mm (0,062) e 2,36 mm (0,093)) e oferece um range de
capacidade de corrente de at 3,5 A por contato para uma elevao de
temperatura de 30 C (dependendo do n total de contatos alimentados).
Especificaes severas incluem abas de soldagem opcionais e pinos de
alinhamento padronizados para melhoria da estabilidade.
A linha completa dos High Speed Edge Card Sockets encontra-se disponvel em uma variedade de passos e orientaes de forma a responder
adequadamente s necessidades de aplicaes especficas, standard e de
alta densidade. Solues especficas abrangem projetos para sistemas PCI
Express, Serial ATA, micro pitch e de alta velocidade, bem como para aqueles
otimizados visando performance da integridade do sinal.
Acesse www.samtec.com/MEC2-DV e obtenha mais especificaes.
acontece
Nova Interface Homem-mquina
cesso. Com aplicaes mais intuitivas
que ajudam os operadores a tomar as
decises corretas, a operao torna-se
mais segura e a produtividade aumenta.
Novas maneiras para

a personalizao
Nova soluo de IHM iX 2.0,

da Beijer Electronics
A tecnologia da interface homem-mquina deu um grande passo em

direo ao futuro com o lanamento
do novo software iX 2.0 para a interface homem-mquina e dos painis de
operador da nova gerao da Beijer
Electronics. A soluo iX HMI, que foi
incorporada no conceito da interface
homem-mquina impulsionada pelo
mercado, acelera o desenvolvimento
dos projetos, torna a aplicao mais
rpida e a navegao mais eficiente.
O software de desenvolvimento iX 2.0
minimiza a distncia entre a ideia da
interface homem-mquina e a aplicao intuitiva e totalmente desdobrada.
As ferramentas de engenharia mais
inteligentes e um conjunto de menus
melhorados num ambiente familiar
baseado no Windows garantem uma
poupana de tempo substancial aos
criadores de projetos.
Nunca uma interface homem-mquina
industrial foi to intuitiva como a nova
soluo iX HMI. Com a implementao de ferramentas de navegao
usadas nas aplicaes dirias, tais como
dispositivos mveis, a iX 2.0 cria novas
maneiras de interagir com as mquinas usando os gestos de deslocar e
deslizar. As caractersticas do software,
tais como o menu Ao nico, que
permite um sistema de menus de
vrios nveis e uma rpida execuo
das aes, e o bem conhecido painel
rolante ajudam a colocar a informao mais importante no local onde o
operador mais precisa dela, poupando espao na tela e permitindo uma
operao sem mos durante o pro-
As empresas procuram novos meios

para aumentar o valor dos negcios
e fortalecer as suas marcas. A Beijer
Electronics vai ao encontro desta tendncia do mercado com o lanamento
do software HMI iX 2.0, oferecendo
muitos modos de personalizar a
aplicao incluindo a personalizao
dos dilogos do sistema. Uma expresso visual que corresponde marca
da mquina e da empresa ajuda os
construtores de mquinas e outros a
destacarem-se em nvel competitivo. O
software iX garante uma funcionalidade total da interface homem-mquina e
est pronto a ser utilizado, oferecendo
tambm a possibilidade de adicionar,
por exemplo, componentes .NET e de
criar funcionalidades personalizadas
atravs do script C#, uma vez que o
software baseado no Microsoft
.NET Framework.
Os painis de operao da Beijer Electronics conseguem partilhar informao entre eles atravs das redes do
painel, qualquer que seja o tamanho ou
o desempenho, o que torna mais fcil
partilhar informao entre os usurios
e mais seguro o controle de mquinas
complexas, mesmo a longas distncias.
Os painis podem agir como servidor
OPC UA e client, permitindo a distribuio de informaes entre a sala de
produo e o sistema comercial ou
planejamento, e o criador de relatrios
incorporado transforma os dados em
relatrios Excel para serem guardados ou impressos diretamente. Como
servidores web, os painis da Beijer
Electronics permitem aos engenheiros
criarem livremente pginas web s
quais os operadores e supervisores
podem aceder, por exemplo, atravs
de dispositivos mveis, facilitando as
operaes mais eficientes.
Nova srie de
Capacitores
Cilndricos Trifsicos
para Eletrnica
de Potncia
Os dispositivos apresentam altas capacidades de corrente, faixa de tenses de
operao entre 400 VAC e 1650 VAC, e
uma grande variedade de opes de alturas
e dimetros
A Vishay Intertechnology, Inc. apresentou hoje uma nova srie de capacitores cilndricos trifsicos para eletrnica de potncia com alta capacidade de
corrente, nove tenses padronizadas
entre 400 VAC e 1650 VAC, e uma
vasta gama de valores de capacitncia
e opes de embalagem.
Os capacitores EMKP esto disponveis
em quatro alturas de 160 mm a 265
mm e cinco dimetros de 64 mm a
136 mm. Os dispositivos oferecem
elevados valores de corrente at 3
x 56 A e 3 x 104 A (dependendo do
tipo de bucha), correntes de pulso at
21,3 kA, muito baixa autoindutncia
(<100 nH), baixa resistncia-srie
(abaixo de 0,6 mohms), e valores de
capacitncia de 4,0 F a 600 F, com
uma tolerncia de 5%.
Otimizados para correo do fator
de potncia, filtragem de AC, aplicaes de filtragem de harmnicas da
rede trifsica, drives industriais e de
trao, conversores, turbinas elicas,
e inversores solares, os capacitores
trifsicos EMKP so dispositivos de
filme de polipropileno metalizado com
a tecnologia de autocura.
Eles oferecem uma especificao de
alta confiabilidade igual a 120 FIT, e
uma expectativa de longa vida til de
100.000 horas a + 70 C na tenso
nominal. Os capacitores so especificados para uma temperatura de
funcionamento entre - 40 C a + 85
C e atendem s normas tcnicas IEC
61071-1, IEC 61881 e IEC 60831. A
tenso de prova terminal- terminal
de 1,5 vezes a tenso nominal AC por
10 segundos.
reportagem
Instituto de Estudos
Avanados - IEAv -
completa 30 Anos
Hlio Fittipaldi
Autoridades presentes na solenidade

(a partir da esquerda para a direita):
Brig Eng Carlos Antonio de Magalhes
Kasemodel, Diretor do IAE; Brig Ar Wander
Almodovar Golfetto, Chefe do Subdepartamento Tcnico do DCTA; Maj Brig Ar Alvany
Ado da Silva, Vice Diretor do DCTA;
Ten Brig Ar Ailton dos Santos Pohlmann,
Diretor-Geral Departamento de Cincia
e Tecnologia Aeroespacial; Cel Av Vilson
Rosa de Almeida, PhD, Diretor do IEAv;
Hugo de Oliveira Piva, ex-diretor do DCTA;
Antnio Hugo Pereira Chaves, ex-diretor
do IEAv; Prof. Fernando Toshinori Sakane,
Vice-Reitor do ITA.
Conhea o importante papel no ensino, pesquisa, desenvolvimento, inovao

e servios tcnicos aeroespaciais do IEAv
- Instituto de Estudos Avanados, de So
Jos dos Campos, que comemorou 30 anos
em 2012.
uito se deve no Brasil a uma

estrutura montada h alguns
anos em So Jos dos Campos
e que, pioneiramente, em nosso
pas e na Amrica do Sul foi a responsvel
pelo desenvolvimento e liderana na rea
aeroespacial e diramos, tambm, em vrias
outras reas como na eletrnica. A ideia
partiu de Santos Dumont h mais de 100
anos atrs. Antes de fazer o seu primeiro
voo, em 1906, j defendia o importante
papel que os dirigveis e avies seriam
chamados a desempenhar, em futuro breve, logo nas primeiras dcadas do sculo
XX, recomendando, assim, a criao de
instituies de ensino de aerodinmica, de
materiais e processos, de estruturas, construes de aparelhos areos, de pesquisa de
materiais e motores, bem como de ensino
de comunicaes areas e de meteorologia.
Cada pas, dizia ele, deveria desenvolver
sua prpria tecnologia a par com o avano
da cincia aeronutica, dirigida para projetos
e produo de aparelhos, e tambm para
desenvolver produtos e materiais de acordo
com processos e mtodos tcnicos dos
respectivos parques industriais. Muitos anos

se passaram e logo aps a Segunda Guerra
Mundial, finalmente a ideia de Santos Dumont
se materializou com o primeiro instituto: o
Instituto Tecnolgico de Aeronutica (ITA).
Em seguida foram fundados o Instituto de
Aeronutica e Espao (IAE), o Instituto de
Fomento Industrial (IFI), e em 2 de junho
de 1982 foi criado o Instituto de Estudos
Avanados, IEAv.
Em 2 de junho passado, o IEAv comemorou 30 anos de existncia. Este instituto
que faz parte do DCTA - Departamento de
Cincia e Tecnologia Aeroespacial (antigo
CTA), em So Jos dos Campos, junto com
os outros institutos forma o departamento
com a misso de contribuir para o progresso
da sociedade brasileira por meio do ensino,
pesquisa, desenvolvimento, inovao e servios tcnicos aeroespaciais. Participaram da
solenidade vrios funcionrios, ex-diretores,
ex-funcionrios e autoridades convidadas,
como o leitor poder ver nas fotos.
O editor da Revista Saber Eletrnica, Hlio
Fittipaldi, entrevistou a seguir, o diretor do
IEAv: Cel Av Vilson Rosa de Almeida, PhD.
reportagem
Cel Av Vilson Rosa de
Almeida, PhD. Atual
Diretor do IEAv:
Apresentao do livro comemorativo dos 30 anos do IEAv pelo atual diretor Cel
Av Vilson Rosa de Almeida, PhD e pelo ex-diretor Marco Antnio Sala Minucci.
Como o senhor colocaria

a importncia do IEAv no
cenrio nacional?
O IEAv um lugar criado para gerar
conhecimento de fronteira em reas de
interesse aeroespacial. Os cientistas no IEAv
tm infraestrutura laboratorial, biblioteca,
servios de informtica, oficinas mecnica
e eletrnica, restaurante, etc. tudo isso a
10 quilmetros do centro de So Jos dos
Campos. Isso garante um timo ambiente para
a criatividade dos cientistas e colaboradores.
Os trabalhos de P&D no IEAv representam o
que o Brasil faz de mais avanado em vrias
reas de importncia tecnolgica estratgica e, consequentemente, econmica no
contexto atual ou futuro.
Quais tecnologias desenvolvidas
no IEAv o senhor considera as
mais expressivas do ponto de
vista da sociedade brasileira?
O IEAv participou ativamente no
desenvolvimento da urna eletrnica. O
pesquisador principal desse desenvolvimento tecnolgico esteve em diversos
pases da Amrica Latina a servio do
governo brasileiro, prestando assistncia
na utilizao de urnas eletrnicas. Recentemente, o IEAv produziu vrios girmetros
(dispositivos sensores inerciais capazes de
medir velocidade angular de rotao, sem
a necessidade de um referencial ou sinal
externo ao sensor) usando fibras pticas
especiais, que podero ser utilizados em
vrios produtos inerciais como, por exemplo, dispositivos portteis multifuncionais

ou de entretenimento, msseis, foguetes,
automveis e avies.
O IEAv desenvolve trabalhos de navegao autnoma e de sensoriamento remoto
que tero grande importncia econmica,
pois essas tecnologias so utilizadas para
controle de plantio e de safras, preservao de florestas, combate ao narcotrfico,
preveno de catstrofes, manuteno de
estradas, etc. As pesquisas na rea de lasers
tm gerado conhecimento que utilizado
no desenvolvimento de novas tcnicas para
tratamento de materiais e para a explorao
de petrleo em guas profundas. As pesquisas
nas reas nuclear e em velocidades hipersnicas podem contribuir para a explorao
do espao nas prximas dcadas.
Quais as principais reas
de atuao do IEAv?
O IEAv foi criado para desenvolver
competncia na rea nuclear, mais especificamente na rea de separao isotpica
e no levantamento de dados nucleares.
Nos ltimos anos, por causa de novas
diretrizes estratgicas, o IEAv desenvolveu
novas competncias derivadas do esforo
inicial na rea nuclear. Podemos dizer que o
IEAv lder em vrios nichos avanados da
C&T (Cincia & Tecnologia). Por exemplo:
aplicaes de lasers, experimentos em aerotermodinmica de veculos hipersnicos,
utilizao de navegao autnoma e sen-
Auxiliar Tcnico em Eletrnica formado

na antiga Escola Tcnica Federal do
Par, em 1983. Bacharel em Cincias
Aeronuticas e Oficial Aviador formado
pela Academia da Fora Area, em
1987. Engenheiro eletrnico formado
no ITA em 1997, com Distino
Acadmica Lurea Magna Cum Laude.
Mestre em Cincias em Micro-ondas e
Optoeletrnica em 1998, tambm pelo
ITA. PhD em Engenharia Eltrica, com
foco em Nanofotnica em Silcio, pela
Cornell University, Ithaca - NY, EUA,
em 2004. Possui dezenas de publicaes internacionais na rea de Fotnica
em geral e sete patentes nos Estados
Unidos na rea de Fotnica Integrada,
especialmente com o uso de silcio.
sores multiespectrais, desenvolvimento de
girmetros e acelermetros a fibra ptica,
simulao computacional e matemtica
aplicada, acelerador de eltrons, etc.
Como o senhor qualifica a interao
entre o IEAv e outros institutos
do DCTA, como o ITA, IAE e IFI?
O DCTA (antigo CTA) foi criado com
base em trs pilares: Ensino, Pesquisa e
Desenvolvimento. O ensino atribuio do
ITA que fornece grande parte dos recursos
humanos para os outros institutos; a pesquisa
, em grande parte, a atribuio do IEAv; o
desenvolvimento de Sistemas Aeronuticos e
Espaciais , na maior parte, atribuio do IAE.
No entanto, essas atribuies so bastante
interligadas e, por isso, existe uma grande
interao entre esses institutos. Devemos
falar tambm de outros institutos do DCTA,
como o IFI que responsvel pelo fomento
industrial, propriedade intelectual, homologao e certificao de produtos. H ainda
o IPEV, que realiza ensaios de equipamentos
aeronuticos que requerem engenheiros,
pilotos, alm de grande estrutura de apoio.
O IEAv tem atividade na
rea de ensino e formao
de recursos humanos?
O IEAv tambm detm o status de
Instituio de Ensino Superior (IES), com
enfoque particular em Ps-Graduao. Recentemente, em 2011, o IEAv, juntamente com
o IAE e o ITA teve aprovado pela CAPES um
reportagem
Programa de Ps-Graduao em Cincias e
Tecnologias Espaciais (PG-CTE), vinculado
para fins acadmicos ao ITA, em reas de
competncias mais especficas do IEAv e do
IAE; vide www.ieav.cta.br/CPPG_IEAv/
pg-cte.php. Isso foi necessrio em face
da carncia de recursos humanos com
qualificaes requeridas para a realizao
das pesquisas no Instituto.
Podemos dizer tambm que o IEAv
agora est colaborando para a formao de
recursos humanos de alto nvel em diversas
reas da C&T para o Pas como um todo. O
IEAv tambm promove trabalhos de Iniciao
Cientfica (vide www.ieav.cta.br/pibic/),
incluindo a disponibilizao de bolsas PIBIC
e do CNPq; recentemente, tambm passou a
disponibilizar Bolsas de Iniciao em Desenvolvimento Tecnolgico e Inovao - PIBITI.
Como o senhor qualifica a produo

cientfica e tecnolgica do IEAv?
A produo cientfica do IEAv representa
os resultados de pesquisas e desenvolvimentos
tecnolgicos realizados dentro do Instituto.
Recentemente, o MCT iniciou a avaliao de
pesquisadores com indicadores um pouco mais
voltados para o desenvolvimento tecnolgico.
Isso fez com que ICTs como o IEAv, a EMBRAPA, a FIOCRUZ e a CNEN ganhassem
um grande nmero de bolsas para seus pesquisadores, similares s bolsas de produtividade
em pesquisa do CNPq, que tm caractersticas
mais acadmicas. Isso possibilitou aos nossos
pesquisadores condies para concorrer a
recursos financeiros oferecidos por agncias
de fomento. Nesse ponto, podemos dizer que
essa valorizao do pesquisador brasileiro est
proporcionando uma maior transferncia de
conhecimento para as empresas e aumentando

a atividade econmica do Pas.
O recm-aprovado PG-CTE certamente
trar um incremento coordenado do nosso
nvel de produo cientfica e tecnolgica.
O fato de a CAPES ter conceituado nossos
programas de Mestrado e Doutorado com
nota inicial 4, denota a qualidade do nosso
trabalho cientfico-tecnolgico (vide www.
ieav.cta.br/CPPG_IEAv/pg-cte.php).
Os aportes de recursos financeiros
pelo governo federal so suficientes
para os trabalhos de P&D no IEAv?
Sim. Podemos dizer que o IEAv trabalha
no limite superior de sua capacidade e competncia. Esse limite ditado pela quantidade de
recursos humanos, que diminuiu sensivelmente
nos ltimos anos em virtude de uma lacuna
A Histria da Criao do DCTA em So Jos dos Campos

Santos Dumont procurou atrair a
ateno dos membros do governo e,
de 1915 a 1918, fez diversos pronunciamentos e trabalhos escritos com a
proftica anteviso do futuro sobre o
importante papel que os avies iriam
desempenhar no mundo.
Em 1918, a Editora A Encantada
publicou o livro O que vi, o que
veremos, onde Santos Dumont
registrou a ideia de criao de uma
escola tcnica no Brasil, voltada para
a aviao, antevendo um centro de
tecnologia que s se efetivaria em
1948, com a fundao do ITA. Em um
pargrafo desse livro, Santos Dumont
escreveu: Eu, que tenho algo de
sonhador, nunca imaginei o que tive
ocasio de observar, quando visitei
uma enorme fbrica nos EUA. Vi
milhares de hbeis mecnicos ocupados na construo de aeroplanos,
produzindo diariamente de 12 a 18.
Quando o Congresso Americano
acaba de ordenar a construo de
22.000 dessas mquinas, ns, aqui,
no encaramos ainda esse problema
com a ateno que merece.
A principal dificuldade para a navegao area est no progresso dos
motores... J o ao tem sido melho-
rado... Outra dificuldade que se apresenta navegao area a de localizar-se o aeroporto... tempo, talvez,
de se instalar uma escola de verdade
em um campo adequado... Margeando
a linha da Central do Brasil, especialmente nas imediaes de Mogi das
Cruzes, avistam-se campos que me
parecem bons. Os alunos precisam
dormir junto Escola, ainda que para
isso seja necessrio fazer instalaes
adequadas... Penso que, sob todos os
pontos de vista, prefervel trazer
professores da Europa e dos EUA,
em vez de para l enviar alunos.
Meu mais intenso desejo ver verdadeiras Escolas de Aviao no Brasil.Ver
o aeroplano, hoje poderosa arma de
guerra, amanh meio timo de transporte, percorrendo as nossas imensas
regies, povoando nosso cu, para
onde, primeiro, levantou os olhos o Pe.
Bartolomeu Loureno de Gusmo.
Em 1941, tanto o Dr. Joaquim Pedro
Salgado Filho (primeiro Ministro da
Aeronutica) como o ento Contra-Almirante Armando Figueira Trompowsky de Almeida (Diretor de Aeronutica Naval) tinham, pessoalmente,
plena convico de que, para se
desincumbir de sua atribuio mista,
civil e militar, o Ministrio da Aeronutica dependeria, essencialmente,

dos modernos avanos e do desenvolvimento da tecnologia aeronutica
no pas. Nos anos seguintes e com o
envolvimento do Brasil na 2 Guerra
Mundial, o Ministrio da Aeronutica
sentiu a necessidade de se montar
uma slida base tcnica. A princpio,
em 1941, foi criada por decreto a
Diretoria de Tecnologia Aeronutica,
mas ao ser efetivada, meses depois,
assumiu o nome de Subdiretoria de
Material. Foi indicado para assumir
aquela Subdiretoria o Ten.-Cel.-Av.
(Eng.) Casimiro Montenegro Filho,
oficial j consciente da evoluo da
cincia e da tecnologia aeronutica.
Em 1945, Montenegro vai aos EUA,
com o Cel.-Av. (Eng.) Telles Ribeiro,
o Cel.- Av. Faria Lima e mais um
grupo de Oficiais da FAB em visita a
diversas Bases Areas Americanas.
L, so procurados pelo Maj.-Av.
Oswaldo Nascimento Leal, que realizava o curso de Engenharia Aeronutica no Massachussets Institute
of Technology (MIT). Este sugere
a Montenegro que fosse a Boston
para conhecer o MIT e trocar ideias
com o Prof. Richard H. Smith, chefe
reportagem
de abertura de concursos pblicos. No futuro
prximo, a maior parte de nosso corpo de
pesquisadores seniores estar aposentada.
Recentemente, no entanto, o governo voltou
a acenar fortemente com a possibilidade de
abertura expressiva de vagas para concurso
pblico, j no curto prazo, para servidores
civis incluindo pesquisadores para o IEAv.
Por que o Brasil no tem um
programa espacial de sucesso
compatvel com sua importncia
poltica e econmica mundial?
O Brasil um pas cheio de contrastes
e potencialidades. Nosso programa espacial
poderia ter gerado mais benefcios para a
sociedade, mas isso depende de diversos
fatores, dentre os quais a definio de longo
prazo das prioridades nacionais, que so
do Departamento de Aeronutica
daquele instituto, antes que Montenegro tomasse qualquer deciso.
O Maj.-Av. Leal acreditava que o
necessrio, ao Brasil, era uma escola
de alto nvel para a formao de
engenheiros aeronuticos para a aviao civil e militar, e no apenas para a
Fora Area.
Seria imperiosa a formao de
engenheiros para atender tambm
o que os americanos chamavam de
spin-off, ou seja, o usufruto de
benefcios indiretos que a indstria
aeronutica poderia trazer s indstrias correlatas, como o controle
de qualidade de produtos e material
de aplicao no campo aeronutico,
a homologao de projetos e prottipos e a otimizao de operao
de empresas do transporte areo
comercial, incluindo-se as exigncias
de segurana tcnica sobre a aviao
civil em geral, etc.
A criao de uma instituio desse
gnero era uma aspirao do Prof.
Smith e uma necessidade real, no
Brasil, para o Cel. Montenegro. Em
agosto de 1945 ficou definido o Plano
Geral do Centro, considerando-se o
MIT como modelo para a organizao
Cerimnia de entrega de medalhas comemorativas a funcionrios do IEAv.
Cena do documentrio Santos Dumont: Pr-Cineasta? de

Carlos Adriano, onde Dumont explica seu balo dirigvel a
C.S. Rolls (futuro fundador da Rolls Royce) em 1901.
do futuro Centro Tcnico do Ministrio da Aeronutica.

O Brigadeiro do Ar Armando F.
Trompowsky, ciente da necessidade
e oportunidade do empreendimento,
apresentou ao Presidente da Repblica, Dr. Jos Linhares, o plano de
criao do CTA em 16 de novembro de 1945, que foi imediatamente
aprovado.
O plano estabelecia que o Centro
Tcnico seria constitudo por dois
institutos cientficos coordenados,
tecnicamente autnomos: um para o
ensino tcnico superior (ITA) e outro
para pesquisa e cooperao com a
indstria de construo aeronutica,
com a aviao militar e com a aviao

comercial (IPD).
O primeiro Instituto criado, o ITA, de
incio teria a seu cargo, nos limites de
suas possibilidades, todas as atividades do Centro.
Do ITA se desenvolveriam, gradualmente, os servios do outro Instituto. Assim, quando as possibilidades
materiais e as necessidades de servio
justificassem a criao do segundo
Instituto, a este seriam dadas todas
as atribuies, at ento conferidas
ao ITA, de colaborao com a aviao
militar, comercial e com a indstria
aeronutica. Saiba mais visitando
www.cta.br/cta.php.
reportagem
Histrico do IEAv
A Diviso de Estudos Avanados do
ento Instituto de Atividades Espaciais
do CTA, idealizada para a pesquisa e
desenvolvimento de vanguarda, foi instituda em 28 de outubro de 1976 para
atuar, principalmente, no Programa
Autnomo de Tecnologia Nuclear
(Programa de tecnologia nuclear que
possibilitou o desenvolvimento de
tcnicas nacionais de enriquecimento
de urnio). Nascia, assim, o embrio do
que viria a ser o IEAv.
Com o crescimento acelerado da
Diviso de Estudos Avanados, surgiu
a necessidade de um novo instituto, e,
em 2 de junho de 1982, foi assinado o
Decreto n 87.247, criando o Instituto
de Estudos Avanados.
As atividades do IEAv nos seus primeiros vinte anos concentraram-se no
desenvolvimento de mtodos alternativos de enriquecimento de urnio a
laser, no desenvolvimento de processos
de medida e avaliao de dados nucleares, enfim, nas diversas tecnologias
sensveis e estratgicas em torno da
energia nuclear, atingindo um patamar
de desenvolvimento cientfico reconhecido internacionalmente (IEAv, 2008).
Nesse perodo, o financiamento das
pesquisas do IEAv provinha do ento
Ministrio da Aeronutica e da Secretaria de Assuntos Estratgicos (SAE),
vinculada Presidncia da Repblica.
Entretanto, a partir de 1994, houve um
decrscimo do interesse governamental pela rea nuclear, obrigando o IEAv
a profundas transformaes. A capacitao na rea nuclear foi mantida, porm
o instituto procurou investir tambm
em outras reas estratgicas de interesse mais imediato do COMAER.
Tecnologias e capacitaes desenvolvidas anteriormente foram, ento, adaptadas ou redirecionadas para outras
aplicaes, demonstrando o alto nvel
de adaptao dos pesquisadores do
IEAv s tecnologias emergentes. Por
exemplo, tecnologias de enriquecimento de urnio a laser para a produo de combustvel nuclear passaram
a ser aplicadas no processamento de
materiais para diversas reas, como nas
indstrias aeronutica e automotiva,
odontologia e dermatologia.
Atualmente, o IEAv concentra esforos nas seguintes reas: fotnica, nanotecnologia, hipervelocidade, aeroter-
modinmica, sistemas de apoio deciso,

comando e controle, processamento de
alto desempenho, sensoriamento remoto,
energia nuclear e sistemas eletromagnticos.
Dentre os produtos e tecnologias
gerados pelo IEAv podem ser citados:
giroscpios a fibra ptica, software para
processamento de imagens de radar de
abertura sinttica (SAR), software de
planejamento de misso de defesa area,
software para anlise de dispositivos eletromagnticos, sensor imageador infravermelho termal, tnel de vento hipersnico,
sistemas micro-eletro-mecnicos (MEMS),
etc. Alm disso, vale ressaltar que o IEAv,
por meio da atuao de seu pesquisador
Osvaldo Catsumi Imamura, contribuiu
significativamente para o desenvolvimento
da urna eletrnica brasileira, sucesso em
praticidade e confiabilidade, demonstradas em inmeras eleies.
O IEAv tambm participa de vrios
projetos de grande importncia para o
Pas, como, por exemplo, a especificao
do satlite geoestacionrio brasileiro, o
desenvolvimento de plataformas inerciais
para satlites e aeronaves, a avaliao
de risco de coliso entre aeronaves nas
regies do Caribe e Amrica do Sul.
Vale lembrar que o IEAv participou em
colaborao com a Marinha do Brasil, do
esforo para o desenvolvimento de reatores nucleares de propulso naval.
Todas as reas de estudo do IEAv so
do interesse do Ministrio da Defesa e
do Ministrio de Cincia e Tecnologia,
evidenciando a vocao do instituto
para o desenvolvimento de conceitos e
tecnologias de uso aeroespacial. O IEAv
destaca-se, tambm, entre as instituies
brasileiras dedicadas a altos estudos em
Cincia e Tecnologia.
O amplo espectro de atividades e competncias atualmente existentes no IEAv lhe
confere um perfil de alta adaptabilidade
e capacidade para participar do processo
nacional de inovao tecnolgica, potenciais que devem ser explorados com
efetividade para o progresso nacional.
Referncias:
IEAv. Atividades de Pesquisa e Desenvolvimento Instituto de Estudos Avanados.

So Jos dos Campos: IEAv, 2008. www.
ieav.cta.br/wai8/pdf/Caderno_Institucional.pdf
Site: www.ieav.cta.br/historico.php
avaliadas e priorizadas pela nossa sociedade

por meio de nossos governantes, que definem
as necessidades mais urgentes.
Posso dizer que o IEAv, os outros institutos do DCTA, o INPE, a EMBRAER e
vrias empresas na regio de So Jos dos
Campos so indicadores de sucesso do que
podemos chamar de um programa espacial
amplo. Um aluno que formado no ITA,
uma previso meteorolgica realizada pelo
INPE, um foguete de sondagem lanado pelo
IAE, um avio produzido pela EMBRAER,
etc., todos esses produtos e servios so
possveis hoje porque algum pensou no
passado que o domnio cientfico-tecnolgico
seria consequncia final do objetivo inicial
da construo do complexo aeroespacial
de So Jos dos Campos. Esse homem foi o
Marechal do Ar Casimiro Montenegro Filho.
O senhor engenheiro eletrnico
formado no ITA. O que a
Eletrnica representa dentro das
atividades de seu instituto?
Como engenheiro eletrnico, eu posso
ser considerado suspeito para responder.
Mas o leitor sabe que todo sistema tecnolgico nossa volta envolve, em maior ou
menor grau, subsistemas eletrnicos. Isso
no diferente no IEAv. Nossas pesquisas
em Fotnica envolvem Eletrnica, nossos
laboratrios esto cheios de equipamentos
eletrnicos. Pesquisas em Fsica Aplicada,
Geointeligncia, Aerotermodinmica, radiaes ionizantes e no ionizantes, lasers,
sensores, etc. Tudo est repleto de dispositivos e subsistemas eletrnicos.
O que o senhor diria para os futuros
engenheiros para motiv-los a
construir uma grande carreira?
Os desafios para conseguir alcanar
a especializao, uma profisso, valem a
pena. Eu gostaria de recomendar a todos
que busquem estudar e se especializar
com afinco, que lutem sem medo por seus
sonhos e objetivos, pois sero certamente
recompensados no futuro. A carreira de
engenharia lhes dar o conhecimento e o
ferramental bsico para desempenharem
suas funes e, eventualmente, para se
aprofundarem nos diversos caminhos da
Cincia e da Tecnologia; isso os encher de
orgulho e satisfao no futuro. Alm disso,
o Brasil necessita urgentemente de mais
engenheiros, de todas as reas.
E
tecnologias
Grupo purifica silcio

para fabricao de
clulas solares
Andresa Deocldea
Soares Crtes
O Brasil importa lminas usadas na produo de painis, apesar de ter as

maiores reservas de quartzo do mundo, do qual se extrai a matria-prima
m grupo de cientistas da Unicamp

acaba de obter, pela primeira vez
no Brasil, o silcio purificado para
a fabricao de clulas solares
fotovoltaicas (FVs). Apesar de possuir as
maiores reservas mundiais de quartzo a
matria-prima bruta para o silcio o pas
importa, com altos custos, as lminas do
elemento qumico purificado para a produo dos painis FVs. Os dispositivos FVs so
responsveis pela captao e transformao
da energia solar em eltrica. Matriz limpa,
gratuita e inesgotvel, a energia solar fotovoltaica tem conquistado relevo mundial.
Os trabalhos so coordenados pelos
docentes Francisco das Chagas Marques, do
Laboratrio de Pesquisas Fotovoltaicas, do
Instituto de Fsica Gleb Wataghin (IFGW),
e Paulo Roberto Mei, do Laboratrio de
Fuso por Feixe de Eltrons e Tratamentos
Termomecnicos, do Departamento de
Engenharia de Materiais da Faculdade de
Engenharia Mecnica (FEM).
O Brasil possui tecnologia para a fabricao de clulas solares, mas importa o silcio
purificado, encarecendo o custo dos painis
solares. Ns temos, no entanto, as maiores
jazidas de quartzo do mundo, localizadas,
principalmente, em Minas Gerais e na Bahia.
Somos tambm um dos maiores produtores e exportadores de silcio metalrgico,
produzido a partir do quartzo, mas que
tem um ndice de pureza muito baixo. Aps
a purificao, principalmente nos Estados
Unidos e na Europa, compramos o silcio
a um preo maior do que a matria-prima
exportada. As clulas solares precisam de
silcio de alta pureza para que funcionem de
forma eficiente, refora o fsico e docente

Francisco das Chagas Marques, que investiga
esta rea na Unicamp desde a dcada de 1980.
O silcio purificado obtido nos laboratrios da Universidade apresenta os requisitos
necessrios para a fabricao de clulas solares
eficientes. Francisco Marques explica que, at
certo nvel, quanto maior a pureza do silcio,
mais eficiente ser a clula solar. O ndice de
pureza ideal comea a partir de 99,9999%,
segundo o cientista. Ns conseguimos
purificar o silcio at o nvel de 99,9993%,
que suficiente para a produo de painis
fotovoltaicos se adicionarmos outras tcnicas
de reduo de impurezas durante o processo
de fabricao das clulas solares, revela.
Estas tcnicas permitiram, segundo ele,
atingir um elevado grau de eficincia para
as clulas solares. No momento, estamos
fabricando clulas solares com silcio nacional com eficincias entre 10% e 13%, que
representam os maiores valores obtidos no
Brasil e semelhantes aos melhores ndices
reportados na literatura em todo mundo,
utilizando processos similares aos empregados
na Unicamp. Tais valores indicam que este
material pode ser aplicado na fabricao de
clulas solares comerciais para produo de
painis FVs, demonstra.
A purificao do silcio e a fabricao de
clulas solares na Unicamp, em escala experimental, conta com a colaborao voluntria do
grupo empresarial Rima. Instalado em Minas
Gerais, o grupo possui jazidas de quartzo e
produz o chamado silcio metalrgico. Este
material fornecido Universidade, que faz
a purificao at o nvel apropriado para a
utilizao nos painis.
Outra empresa do ramo, aTecnometal, que

possui fbrica em Campinas, tambm mantm
parceria com a Unicamp.A companhia mineira,
cuja sede fica na cidade de Vespasiano, a
nica que fabrica, comercialmente, os painis
FVs no Brasil, mas ainda a partir de clulas
importadas.A associao com a Universidade
j rendeu um projeto para a produo em
escala-piloto do silcio purificado, abrindo
a possibilidade para a fabricao industrial
de painis fotovoltaicos utilizando somente
matria-prima nacional.
No momento, a empresa pleiteia junto
ao Banco Nacional de Desenvolvimento
Econmico e Social (BNDES) um financiamento de aproximadamente R$ 13 milhes
para desenvolver o projeto. Pr-selecionada
pelo Banco em janeiro deste ano, a iniciativa
tambm prev investimentos em laboratrios
e compra de equipamentos de pesquisa para
a Unicamp.
Mercado
O contexto mundial para a produo de painis FVs bastante oportuno,

circunstancia o fsico Francisco Marques.
Apenas na ltima dcada, o mercado de
energia solar fotovoltaica tem crescido, em
mdia, 40% ao ano, estimulado, principalmente, pelos pases europeus e asiticos.
um crescimento extraordinrio, que
est relacionado a diversos fatores, entre
os quais a custos cada vez mais elevados
do petrleo e ao temor pelo aquecimento
global. Alguns pases esto trocando suas
matrizes energticas que poluem por fontes alternativas limpas. As principais so
a solar e a elica, situa.
Antonio Scarpinetti - ASCOM-Unicamp / Divulgao
tecnologias
De acordo com ele, pases como
Alemanha e Japo esto empenhados em
desativar algumas de suas usinas nucleares,
principalmente aps o acidente radioativo
em Fukushima, causado pelo terremoto e
tsunami de 2011. Isso vai dar outra disparada
na produo de painis fotovoltaicos. E quanto
mais se aumenta a escala de produo, mais
os custos so reduzidos. Estudos indicam que,
entre cinco e dez anos, a energia fotovoltaica
j estar competitiva com quase qualquer
outra fonte de energia, prev.
Silcio de grau solar
F1. Da esquerda para a direita: o Orientador, Co-orientador

e a autora do artigo, em laboratrio da FEM.
O silcio purificado possui diversas aplicaes. O elemento, identificado pela primeira

vez em 1787 pelo qumico francs Antoine
Laurent de Lavoisier, pode ser utilizado
tanto para a produo de ligas metlicas e
preparao de silicones, como nas indstrias cermica, eletrnica e fotovoltaica. O
elemento qumico purificado a principal
matria-prima dos microprocessadores de
computadores fabricados por empresas gigantes da eletrnica e informtica, instaladas
nas cidades norte-americanas de Palo Alto,
Santa Clara e San Jos, na Califrnia, regio
que ficou conhecida como Vale do Silcio.
O mtodo Siemens, desenvolvido na
Alemanha na dcada de 1950, amplamente
utilizado na indstria para a produo do
silcio purificado. Complexo e um dos mais
caros, o processo d ao silcio um grau
de pureza altssimo, concorda o docente
da Unicamp. Por isso, o procedimento
usado, principalmente, para a produo de
dispositivos eletrnicos, que necessitam de
quantidades menores de silcio e possuem
um valor agregado maior do que os painis
FVs. Para o emprego em painis solares, este
tipo de silcio com alto teor de pureza acaba
sendo comercialmente invivel.
Uma alternativa a este mtodo a rota
metalrgica, processo utilizado na Unicamp
para obter o chamado silcio de grau solar.
Mais acessvel financeiramente, o procedimento consiste em um melhoramento
do silcio metalrgico, que possui baixo
teor de pureza. O silcio para as clulas
fotovoltaicas requer certo grau de pureza
que no precisa ser, necessariamente, to
alto quanto o obtido por meio do mtodo
Siemens, esclarece Francisco Marques.
Neste mtodo alternativo, o silcio metalrgico submetido a uma desgaseificao
a vcuo, realizada em um forno de feixe de
F2 . O Silcio metalrgico (acima), a lmina

( equerda) e as clulas solares ( direita).
F3. O Co-orientador ao lado do forno

para difuso de fsforo, no IFGW.
eltrons, tambm conhecido pelo nome de

electron-beam,do termo em ingls.Este processo
reduz as impurezas com presso de vapor
maior que a presso do silcio. Impurezas com
presso de vapor menor no so eliminadas.
Aps esta etapa, produzimos tarugos de
silcio em um sistemaCzochralski da empresa
Rima e outro do laboratrio do IFGW. Os
tarugos so, ento, cortados em forma de
lminas para a fabricao das clulas solares.
Na fabricao de clulas solares, uma nova
etapa de purificao do silcio realizada por
um processo de armadilhamento de impurezas
em altas temperaturas, utilizando tomos de
fsforo introduzidos por difuso, detalha.
metalrgico melhorado, foi defendido por

Andresa em julho de 2011.
Atualmente, o pesquisador e doutorando Rafael Borges Merlo d sequncia aos
estudos, que so financiados pelo CNPq
(Conselho Nacional de Desenvolvimento
Cientfico e Tecnolgico).
Doutorado
O processo por rota metalrgica, que

no Brasil tambm vem sendo utilizado pelo
Instituto de Pesquisas Tecnolgicas (IPT),
foi tema do doutorado da pesquisadora da
Unicamp Andresa Deocldea Soares Crtes.
O trabalho, intitulado Desenvolvimento
de clulas fotovoltaicas utilizando silcio
Publicao
Tese: Desenvolvimento de clulas

fotovoltaicas utilizando silcio metalrgico
melhorado
Autora: Andresa Deocldea Soares
Crtes
Orientador: Paulo Roberto Mei
Co-orientador: Francisco das Chagas
Marques
Unidades: Faculdade de Engenharia
Mecnica (FEM) e Instituto de Fsica Gleb
Wataghin (IFGW)
Originalmente publicado no Jornal da
Unicamp Edio 530 - www.unicamp.br/
unicamp/ju/530/grupo-purifica-silicio-para-fabricacao-de-celulas-solares E
Eletrnica Aplicada
Energia
Proteo contra surtos

transitrios eltricos
Vocs com certeza j observaram equipamentos sem o pino
de aterramento em seus cabos de
energia, ou at mesmo j instalaram o terra da tomada interligado
com o neutro sem observar a forma
correta para esta prtica segundo as
normas. Estas so negligncias que
podem ocorrer, ou seja, a instalao
errada ou at a completa falta de
proteo contra os surtos eltricos,
lembrando o grau de prejuzo que
pode causar, por exemplo, durante
uma descarga atmosfrica, onde
pode provocar danos indiretos at a
15 km do ponto de queda e um choque eltrico de aproximadamente
4000 V atravs de um aparelho telefnico situado a 10 km deste mesmo
ponto. Desta forma, acredito que
este deveria ser um item melhor
analisado por todos ns.
Neste artigo, vocs conhecero
as origens e os elementos de uma
proteo contra surtos eltricos
para que possam identificar os
principais fatores que auxiliam na
proteo, os quais vo desde as
condies da infraestrutura at o
tipo/modelo do protetor que iremos
utilizar.
Naur Arjonas
O que um Surto
Transitrio Eltrico?
Distrbio resultante de sbitas descargas de energia eltrica armazenada,

que provoca efeitos de induo eltrica
e magntica em face aos altos valores de
corrente no circuito de descarga ocorridos
em um pequeno intervalo de tempo. Esta
a definio completa de um STE (surto
transitrio eltrico), sendo que o primeiro
exemplo e um dos mais preocupantes
o famoso relmpago, constitudo pelas
descargas eltricas.
Tipos de STE
Os STEs so divididos em dois tipos,

o randmico, do qual eu j citei o seu
maior exemplo (descargas atmosfricas),
sendo que podemos identificar este tipo
da seguinte forma:
Ocorrem em pontos inesperados;
No tm uma periodicidade definida;
So de uma natureza complexa.
Compare estas caractersticas com o
nosso exemplo: aonde vai ocorrer? De
quanto em quanto tempo? Como produzida uma descarga?
Um outro parmetro que poderamos
lembrar tambm que para detectarmos
um transitrio randmico, necessitamos
de instrumentos de monitorao com
rpida resposta a frentes de ondas e com
caractersticas que os habilitem a trabalhar
com nveis de tenso e corrente elevadas.
Um outro exemplo de transitrio randmico consiste nas descargas eletrostticas.
O segundo tipo o transitrio repetitivo, sendo que podemos identific-los
por ser:
Frequentemente observados
Provocados por fenmenos conhecidos.
Um exemplo desse tipo o Spike
composto pelos picos de energia eltrica
resultante dos chaveamentos eltricos,

por exemplo: o chaveamento de cargas
indutivas, excitao de motores, entre
outros. Os transitrios repetitivos so
mais simples de suprimir por terem suas
causas facilmente definidas, sendo que
para este caso podemos utilizar estabilizadores e nobreaks para a proteo dos
equipamentos eletroeletrnicos. Lembramos que alm do problema de queima de
equipamentos, os transitrios repetitivos
tendem a diminuir o tempo de vida dos
equipamentos.
Para podermos proteger os circuitos
devemos analisar causa por causa, ento
vamos comear pelo maior problema.
Descargas Atmosfricas
As descargas atmosfricas so um
fenmeno natural que acompanha o
homem em toda a sua histria e devido
destruio causada pelas descargas de
energia que acontece, at hoje impem
respeito e temor. E deve ser uma das
preocupaes para quem vai instalar ou
j instalou um sistema eltrico/eletrnico
(alm da prpria proteo patrimonial).
Para podermos nos proteger, primeiramente temos que entend-las.
Como ocorrem?
As grandes responsveis pelas descargas eltricas so as nuvens do tipo

cumulus nimbus, tambm denominadas
CB (figura 1). Usualmente as descargas
atmosfricas se iniciam dentro destas
nuvens, nas quais os valores eltricos so
bem maiores que no solo.
Um problema que temos que at
hoje h vrias controvrsias entre as
teorias de como ocorre a formao das
cargas eltricas positivas e negativas
dentro da nuvem. A mais usual que
inicialmente a nuvem possui cargas
positivas e negativas, e quando se inicia
a tempestade ocorrem fortes correntes

ascendentes de ar mido dentro das CBs.
Em resultado da condensao do vapor
de gua formam-se gotas de gua que,
atingidas certas dimenses, comeam a
cair carregadas de eletricidade, negativamente em sua parte inferior e positivamente na sua parte superior. Em sua
queda encontram gotculas em ascenso,
cedendo a elas sua carga positiva, nas
quais so violentamente arrastadas para
as bordas superiores das nuvens.
Como consequncia final, apresentam-se as nuvens com cargas eltricas
positivas em sua parte superior, ficando
a parte de baixo carregada negativamente. Desta forma se inicia o processo de
descarga eltrica, aumentando o campo
eltrico na nuvem.
N.A. Medies efetuadas nas nuvens
atravs de bales atmosfricos identificaram
que as densidades de cargas variam bastante,
sendo que o valor mximo medido foi de 100
volts por centmetro. Mesmo com tempo bom,
foi possvel encontrar valores onde se fizeram
presentes tenses da ordem de 20 a 30 V/cm.
F1. Nuvens do tipo

Cumulus Nimbus.
A Descida
O primeiro componente visvel da

descarga o denominado stepped leader,
que se movimenta em direo da terra
em saltos variando de 10 a 200 metros.
Quando este alcana a terra, intensa luminosidade ento vista, como se estivesse
deslocando-se do solo para a nuvem: esta
a chamada descarga de retorno com
alta corrente circulando, fazendo inclusive
que a temperatura do ar chegue a 3000
Celsius, provocando a expanso rpida do
mesmo ao redor do canal e, consequentemente, criando uma onda de choque
sonora ( o trovo).
No entanto, depois de um certo intervalo de tempo uma segunda descarga-lder descendente pode ocorrer seguida
tambm por uma de retorno: este ento
no mais o lder e muito mais rpido
que o primeiro, sendo ento chamado de
dart leader. Quando sucedem vrias dart
leaders seguidas de suas descargas de
retorno, ns temos as chamada descargas
atmosfricas mltiplas (figura 2).
O Poder das Pontas
Em 1749, Benjamin Franklin escreveu

uma srie de cartas para a Royal Society
F2. Descargas atmosfricas mltiplas.
(uma sociedade cientfica, em Londres) descrevendo as suas experincias eltricas e as

suas interpretaes. Numa delas referiu-se
ao extraordinrio poder das pontas observado nos objetos pontiagudos eletrizados,
poder esse que permitia extrair ou projetar
o fogo eltrico, que se manifestava nos
fenmenos chamados eltricos, de atrao
e de repulso, e que provocavam fascas de
uns corpos para outros.
Este poder funciona da seguinte forma, imagine um condutor vertical (uma
haste de para-raios por exemplo): durante as tempestades os campos eltricos
aumentam os seus valores, desta forma
ocorre uma concentrao de campo na
ponta da haste, se a intensidade de campo
na ponta da haste ultrapassar certo valor
crtico haver um curto-circuito com
parte do campo eltrico da nuvem, pois
ir ocorrer a ionizao por coliso, em
consequncia ocorrendo o transporte de
ons positivos da terra (atravs da haste
para a atmosfera), (figura 3).
Proteo
Um sistema completo de proteo

contra descargas atmosfricas (SPDA)
pode ser dividido em duas partes:
Earthing - responsvel pela absoro e transferncia da energia
proeminente das descargas atmosfricas, compreendido portanto
pelo sistema de hastes verticais e
eletrodos horizontais.
Grounding - referente aos meios e
princpios de vinculaes eltricas
que devem preservar a segurana,
dissipao para os sistemas de
proteo contra surtos e criao de
potenciais referentes.
Earthing
Foi em 1752 que Benjamim Franklin

verificou que entre um corpo eletrizado
e outro pontiagudo apenas saltava fasca
quando este ltimo estava ligado terra,
e na sequncia ele realizou uma das suas
mais famosas experincias, quando utili-
2012 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 21
Eletrnica Aplicada
Energia
F4. Ocorrncia de fascas

durante uma trovoada.
F3. Ionizao da terra para a

atmosfera atravs da haste.
zando um dispositivo baseado nos papagaios de papel e com uma chave presa na
outra extremidade da linha (e conectada
terra), quando pode comprovar a descarga recebida pelo papagaio ao carregar
uma garrafa de Leyden permitiu-lhe verificar que as nuvens estavam carregadas
de eletricidade.
N.A. - A garrafa de Leyden um tipo de
capacitor de alta tenso de uso comum em eletrosttica. Na forma usual atualmente (ltimos
200 anos...), consiste em um pote cilndrico de
material altamente isolante, com uma folha metlica fixada por fora e outra fixada por dentro.
Um terminal atravessando a tampa do pote faz
contato com a folha interior, e um anel metlico
faz contato com a folha exterior, constituindo
assim os dois terminais do capacitor.
Esta primeira experincia deu base a
uma segunda, que foi realizada na Frana. Sendo montado um mastro metlico
isolado da terra, um fio de cobre foi ligado terra e um dos experimentadores
presentes (isolado do cobre com vidro)
aproximou o cobre do mastro durante
uma trovoada, observando fascas a saltar
entre o mastro e o cobre, o que comprovou
a teoria de Franklin (figura 4).
Esta experincia serviu tambm para
mostrar a capacidade de proteo que este
para-raios proporciona, desde que o mastro seja ligado a terra. O que hoje constitui
a base do sistema de proteo pelo mtodo
de ngulo de proteo, tambm chamado
mtodo Franklin.
Captores
O captor tem a funo de interceptar a

descarga atmosfrica, sendo que os mtodos
mais utilizados de captores so:
Mtodo Franklin ou de ngulo de
proteo que consiste na instalao de um captor sobre um mastro
colocado na parte mais alta do
telhado. Este mastro possui ligao
com cabos de descida colocados
nos cantos externos da casa, que
tem como funo levar a descarga
eltrica at o solo (figura 5).
Condutores em Malhas ou gaiolas
o contorno de todo o telhado feito por uma malha de fios metlicos
intercalados por pequenas hastes
responsveis pelo recebimento de
descargas eltricas, que descem
atravs dos cabos ligados malha
(figura 6).
Descidas
So os cabos, ou outros meios, responsveis por conduzir a descarga eltrica desde

o captor at o sistema de aterramento.
Aterramento
formado pelo conjunto de eletrodos,

cabos e conexes fabricados em cobre,
que constituem o caminho de escoamento
e disperso da corrente recebida pelos
captores e conduzida ate o sistema para
a terra, sem provocar tenses de passos
perigosas e mantendo baixa a queda de
F5. Captor Franklin ou de

ngulo de Proteo.
tenso, e desta forma diminuindo ao

mximo a probabilidade de riscos a rea/
pessoas.
Na figura 7 podemos observar as diferentes configuraes de uma malha de
aterramento.
Efeitos Indiretos
Como j estudamos, uma descarga

eltrica com a potncia gerada pode causar
enormes danos aonde atinge, por isso
necessrio o uso de captores, descidas e
aterramento, evitando que as estruturas e
edifcios sejam total ou parcialmente destrudas pelos raios. No entanto, os danos
causados indiretamente pelos raios so
to importantes quanto os diretos, pois
quando ocorre a queda de um raio em um
prdio adequadamente protegido contra
descargas diretas, so geradas sobretenses nas redes da empresa concessionria
(tanto nas linhas de mdia quanto nas
linhas de baixa tenso), nas instalaes
eltricas do prprio edifcio e naquelas
dos edifcios vizinhos. Um prdio a centenas de metros de um outro que recebeu
a descarga pode ter seus equipamentos
danificados ou, nos casos mais graves, at
serem totalmente destrudos.
E, na maioria dos casos, mais crtica
e importante a interrupo das comunicaes ou ainda a perda de programas
em processamento do que os prprios
equipamentos em si que precisam ser
substitudos devido ao raio.
F6. Malha ou gaiola

de fios metlicos.
F7. Diversas configuraes para

uma malha de aterramento.
importante lembrar que no so

apenas as tenses, mas tambm nos nveis
de energia que determinam a avaria de um
equipamento.
Nveis de Exposio
e Suportabilidade
A aplicao de um determinado tipo

de circuito de proteo contra surtos depende, principalmente, do grau de exposio a descarga atmosfrica da instalao
ou qualquer outro STE, ou seja, o quanto o
equipamento a ser protegido est exposto
a um surto (STE).
Caractersticas dos
nveis de exposio
Exposio elevada: situaes
com alta probabilidade de imp a c t o d i r e t o o u o c o r r n c i a s

muito prximas de descargas
atmosfricas. Ex.: Topo de montanhas, altas estruturas, linhas
areas etc.
Exposio moderada: instalaes
eletrnicas em prdios pouco sujeitos a ao direta, mas ainda sujeitos a interferncia de descargas
atmosfricas prximas.
Exposio baixa: equipamentos
em uma nica sala ou abrigo, alimentados atravs de um mesmo
quadro de distribuio, com cabos
de comunicao tambm confinados na mesma sala.
F8. Curva de Suportabilidade: (Tenso Nominal

X N Ciclos) para equipamentos eletrnicos.
Suportabilidade
Suportabilidade a tolerncia mxima,

em nveis de tenso e corrente, aplicados
sem a degradao das caractersticas originais de um equipamento, seja em aplicao
repetitiva ou no.
Os equipamentos eletrnicos possuem
uma curva de suportabilidade de tenso dependente do tempo de durao do impulso
ou sobretenso do surto.
O estudo publicado pela CBEMA

(Computer Business Equipment Manufacturers Association) estabelece uma
orientao segura para operao de
equipamentos de informtica, baseada
nas caractersticas tcnicas das suas fontes
de alimentao, sendo uma forma eficiente de preparar uma operao tima de
equipamentos no que tange a alimentao
eltrica (figura 8).
Eletrnica Aplicada
Equipamentos que operam nas regies
A e B podem ter seu funcionamento comprometido.
Caractersticas Desejveis
dos Mdulos Protetores
Para podermos especificar qual a

melhor proteo para cada tipo de STE,
foram definidos alguns parmetros e
caractersticas eltricas desejveis destes
equipamentos:
Tenso de Clamping o valor de
tenso medido pico a pico, aps o
tempo de atuao da proteo, ou
seja, a tenso garantida aps a
proteo ter sido acionada;
Sobretenso residual o mximo
valor medido pico a pico no instante
anterior a atuao da proteo - a
tenso mxima em que o equipamento fica exposto antes da atuao
do protetor;
Tempo de resposta o tempo decorrido entre a aplicao do pulso e
a atuao da proteo. O ponto de
atuao da proteo caracteriza-se
pela passagem do pulso pelo valor
de Clamping, sendo que aps este
instante a tenso nos terminais do
protetor mantida nos limites especficos da atuao do mesmo.
Fator de Clamping a razo entre
a sobretenso residual e a tenso de
clamping:
Baseados nestes parmetros, agora podemos definir as caractersticas desejveis dos

protetores contra STE:
Grande capacidade energtica para
que possa suportar grandes descargas
de corrente e tenso;
Velocidade rpida de atuao com
baixa sobretenso residual quanto
mais rpido ele atuar, menor ser a
sobretenso que o equipamento protegido ir receber;
Tenso de Clamping condizente com
a classe de suportabilidade do equipamento protegido;
Baixa atenuao para que os equipamentos no tenham suas capacidades
alteradas;
Energia
Baixa distoro evitando assim
problemas como rudos na linha
telefnica.
Centelhador a Gs
Os centelhadores so constitudos por

dois ou trs eletrodos dentro de um tubo de
vidro ou cermica, separados por uma distncia bem determinada, na ordem de 1 mm,
sendo o volume preenchido por um gs raro.
Ele atua quando os limites de corrente
forem excedidos (seja em corrente, durao
ou nmero de aplicaes) podendo ter seus
eletrodos fundidos. Para entender melhor,
quando ocorre um aumento brusco da tenso (por um surto que atinge o centelhador),
inicia-se um processo denominado avalanche,
e que conduz a disrupo do gs. Uma vez
estabelecido o arco entre os eletrodos, a tenso de alimentao pode cair que o arco se
mantm ( uma descarga autossustentada).
O arco s ser extinto se a fonte no conseguir
fornecer correntes da ordem de 1 mA, ou se a
tenso da fonte ficar abaixo da tenso do arco
(entre 10 V e 20 V).
Devido a essas caractersticas, os centelhadores devem ser usados em circuitos
protegidos por fusveis ou disjuntores junto
a eles e do lado da fonte.
Varistores
Os varistores so resistores cuja resistncia

varia com a tenso aplicada, por isso, tambm
denominados VDR.
Os varistores tm uma aplicao bastante
ampla devido a larga faixa de tenses (desde
4 V at 4 kV) e de correntes de impulso (100
A at 120 kA), podendo ser fornecidos para
soldagem direta SMD, nas placas de circuito
impressa (PCB Power Circuit Board), com
terminais, ou ainda sem terminais (os chamados blocos para uso nos para-raios).
Diodos Supressores
Os diodos supressores so baseados nos

diodos Zener que so usados normalmente
como diodos estabilizadores de tenso, mas
para serem empregados como proteo sua
construo deve ser especial para obterem
maiores junes entre gros de silcio e maior
massa nos terminais e, desta forma, aumentando a dissipao de calor. Comercialmente
recebem diversos nomes, sendo os fabricados
respectivamente pela Siemens (TAZ) e pela
General Semiconductors (TRANSZORB) os
mais facilmente encontrados no comrcio.
O tempo de resposta teoricamente de 1 a 5

ns, mas esse tempo raramente conseguido
devido a indutncia dos terminais.
Em relao aos varistores os diodos so
mais rpidos, de menor tamanho e do melhor
proteo, mas em contrapartida tm menor capacidade de dissipar potncia e so mais caros.
Desta forma eles so usados como proteo
fina, ou em locais onde as energias so baixas
e precisamos de um elevado nvel de proteo.
Proteo hbrida
Como podemos observar, um nico

dispositivo de proteo no atende simultaneamente aos requisitos de tempo de
atuao, capacidade de conduo de corrente
e as caractersticas de suportabilidade de
tenso dos equipamentos que normalmente
precisamos proteger. Surge ento a opo de
usarmos uma proteo hbrida, onde usamos
as qualidades de cada elemento de proteo
para atenuar as desvantagens do outro, sendo
normalmente dividida em proteo primria,
proteo secundria e filtros.
Sendo que a proteo primria deve
atender as caractersticas do surto, principalmente quanto a capacidade de conduo
de corrente. E apresenta nveis de tenso de
operao superiores queles suportados pelos
equipamentos protegidos e sua velocidade
de atuao sempre menor que a requerida.
Os prximos estgios j apresentam
sempre velocidades de atuao superiores e
nveis de atuao (tenso de disparo) precisos
e compatveis com os nveis de suportabilidade de tenso dos componentes a serem
protegidos, porm possuem baixa capacidade
de conduo de energia.
Para atuar como elemento de retardo de
corrente e divisor de potncia so utilizados
filtros, normalmente indutivos, que defasam
e dividem a corrente e a tenso em tempo
suficiente para permitir que o estgio subsequente opere com baixos nveis de energia at
que ocorra a atuao da proteo primria.
Equalizao de potencial
Para nos assegurarmos quanto proteo contra STE, um sistema de aterramento

equalizado, ou seja, nico, se constitui como
a proteo mais completa, isto , ele garante
uma proteo contra descargas atmosfricas,
proteo das instalaes de baixa tenso, dos
sistemas eletrnicos e de telecomunicaes.
A equalizao de potencial necessria
principalmente onde existam muitos equi-
F9. Equalizao de potencial em um

ponto, ou distribuda em vrios pontos.
pamentos eletrnicos sensveis, e em alguns

casos a nica proteo de equipamentos e
operadores.
A equalizao de potencial obtida
mediante a interligao equipotencial, interligando:
Sistema de proteo contra descargas
atmosfricas;
Armao metlica da estrutura;
Instalaes metlicas;
Massas e blindagens de condutores;
Sistemas eltricos;
Sistemas eletrnicos;
Sistemas de telecomunicaes;
Lembrando que os condutores vivos devem, obrigatoriamente, ser conectados atravs
de protetores contra surtos.
A equalizao deve ser efetuada tanto em
um nico ponto, quando as distncias forem
pequenas, como em vrios pontos, quando h
grandes distncias ou vrios equipamentos
em um mesmo ambiente (figura 9).
Concluso
Os sistemas de proteo contra surtos

so visivelmente negligenciados durante
uma manuteno ou at mesmo durante a
instalao de sistemas eletroeletrnicos, ento, espero ter demonstrado de uma forma
geral que a instalao de uma proteo no
simplesmente uma norma legal, e sim uma
segurana para os equipamentos eletroeletrnicos e, principalmente, para ns mesmos
que trabalhamos uma boa parte do dia perto
de um micro ou uma mquina conectada a
sistemas eltricos.
E
Eletrnica Aplicada
Energia
Influncia das Harmnicas na Alimentao de
Dispositivos Eletrnicos:
Efeitos, e como elimin-los
Na primeira parte deste artigo
vimos que a energia da rede que
alimenta dispositivos em indstrias,
comrcios e residncias no pura,
contendo harmnicas que podem
causar srios problemas a esses
equipamentos. Nessa 2 parte veremos quais so esses efeitos e, uma
vez constatados, como podem ser
eliminados.
Newton C. Braga
omponentes de uma instalao,

equipamentos e a prpria instalao eltrica podem ser afetados
pela presena de harmnicas.
Danos irreversveis podem ocorrer em
muitos dos casos.
Os efeitos da presena de harmnicas
em uma rede se manifestam de diversas
formas. Em alguns casos, eles podem
ser ouvidos na forma de oscilaes ou
vibraes estranhas dos aparelhos alimentados. Em outras situaes, podem
ser percebidos pelo sobreaquecimento
ou mesmo oscilaes da tenso afetando
o brilho das lmpadas que iluminam o
local. No entanto, a maioria s poder
ser detectada de forma eficiente com a
utilizao de instrumentos apropriados.
Analisemos esses efeitos.
do alimentados por uma rede comum e

equipamentos que tenham caractersticas
capazes de gerar harmnicas e, com isso,
disparar disjuntores com frequncia.
Circuitos separados ou no-breakes so recomendados para que no ocorra a perda
de informaes em caso de interrupo do
fornecimento de energia.
Sobreaquecimentos
Alteraes de Tenso e
Fator de Potncia
As harmnicas podem ter frequncias muitas vezes maiores do que o sinal

fundamental. Pelo efeito pelicular, as
correntes de frequncias mais elevadas
tendem a circular pelas camadas exteriores do condutor. Isso significa que a
resistncia encontrada (pela distribuio
no uniforme da corrente) ser maior,
com um aquecimento consequentemente
maior, conforme mostra a figura 1.
Atuao de Sistemas
de Proteo
Os valores eficazes das correntes

podem ser pequenos, mas se o fator de
crista for elevado, dada a presena de
harmnicas, teremos o disparo dos dispositivos de proteo, mesmo que a corrente
no circuito seja aparentemente menor do
que o necessrio para isso.
Veja que esse fato importante nos
casos onde tenhamos computadores sen-
Ressonncia
Cargas indutivas em paralelo com cargas capacitivas podem formar um circuito

ressonante LC, conforme ilustra a figura 2.
Os bancos de capacitores usados na
correo do fator de potncia de certas
instalaes formam com as cargas indutivas, circuitos ressonantes capazes de
amplificar certas harmnicas presentes
nessas redes.
Como um outro efeito provocado

pela presena de harmnicas numa rede,
temos o aumento das quedas de tenso e
a reduo do fator de potncia.
O que Fazer para Corrigir

os Problemas?
Constatando-se problemas causados

pela presena de harmnicas em uma
rede, diversas so as aes a realizar no
sentido de se fazer sua correo. A seguir,
detalhamos algumas delas.
Cuidados com os condutores de Fase e Neutro
Os critrios da norma NBR5410 devem

ser a base para o dimensionamento dos
condutores. Na norma previsto o caso
ideal em que no existem harmnicas.
Entretanto, a corrente do circuito deve
considerar a presena das harmnicas,
levando-se em conta que ela pode chegar

a ter at trs vezes o valor das correntes
das fases, veja a figura 3.
Assim, em lugar da recomendao da
norma para que o condutor de neutro tenha metade da seco das fases, em alguns
casos esse condutor dever ser at mais
grosso que os condutores de fase, dada a
presena das harmnicas.
Um descuido nesse dimensionamento
pode levar a sobreaquecimentos e at
a problemas com o prprio dispositivo
alimentado.
Isso nos leva a procedimentos bsicos para a determinao das seces
dos condutores para circuitos trifsicos
em que estejam presentes harmnicas,
principalmente de 3 ordem nas fases.
Considerava-se ainda que os condutores
sejam dos mesmos materiais.
Esses procedimentos consistem em
se corrigir as bitolas recomendadas de
acordo com a presena de harmnicas
conforme a seguinte tabela 1. Essa correo vlida para circuitos trifsicos de 4
condutores.
Esta tabela deve ser usada em conjunto com as tabelas 31 a 34 da NBR5410/97.
Filtros
O controle da presena de harmnicas

em uma instalao de vital importncia
para se ter algumas garantias importantes para o correto funcionamento dos
aparelhos alimentados. Uma baixa THD
significa ter uma forma de onda mais
prxima possvel da senoidal.
Internacionalmente, recomenda-se
como limite para a presena dessas distores em todos os pontos de uma instalao
5 %. Normas como a IEC 61000 3 2 ,
IEC 3 4, IEEE 519-2 especificam os
limites de THD que devem existir numa
instalao eltrica.
Os valores de THDU e THDI (Distores Harmnicas de Tenso e Distores
Harmnicas de Corrente) esto interligados. Isso significa que os processos
utilizados na sua reduo podem operar
com as duas grandezas.
Os processos usados na reduo da
THDI e THDU so basicamente trs.
Uso de indutncias
Neste caso, o que se faz ligar

uma indutncia em srie com o dis-
F1. Sobreaquecimento do condutor pelo efeito pelicular.
F2. Circuito ressonante LC.
F3. Presena de harmnicas nos

condutores de Fase e Neutro.
F4. Filtro de harmnicas

com uso de Indutncia.
positivo alimentado, conforme mostra

a figura 4.
A indutncia agregada somada
indutncia do cabo e da fonte (transformador ou gerador), ocorrendo ento uma
atenuao dos sinais de frequncias mais
elevadas. que correspondem justamente
s harmnicas. Fontes chaveadas usadas
em computadores e outros dispositivos
fazem uso desta tcnica.
Embora esta soluo tenha uma eficincia limitada e dependendo da aplicao
suas dimenses possam ser grandes, alm
de haver uma certa queda de tenso na
linha, as vantagens principais esto na
sua simplicidade e possibilidade de uso
praticamente em qualquer tipo de fonte.
Filtro passivo
Neste caso, conforme exibe a figura 5,

o que se faz ligar um filtro LC em paralelo com o circuito alimentado, responsvel
pela poluio da energia.
Os valores dos elementos deste circuito devem ser tais que a impedncia do
filtro seja zero na frequncia da harmnica que deve ser eliminada. Esse filtro
tambm recebe a denominao de no
compensado.
Um outro tipo de filtro LC o compensado, que tem a configurao dada
na figura 6.
Nesse filtro temos uma indutncia a
mais ligada em paralelo com o conjunto
LC srie. Essa indutncia adicional reduz
Porcentagem da
3 harmnica na fase
Correo da seco
baseada na fase
Correo da seco
com base no neutro
0 15%
15 33%
33 45%
maior que 45%
1,0
0,86
-
0,86
1,0
T1. Correes das bitolas

dos fios FASE e NEUTRO.
Eletrnica Aplicada
Energia
a energia capacitiva exigida do gerador,

principalmente no momento da partida.
Estes filtros passivos apresentam
como principal vantagem a sua simplicidade e confiabilidade, alm da facilidade
de instalao, sendo bastante eficientes
quando a taxa de distoro harmnica
inferior a 5 %.
Todavia, como desvantagem eles eliminam apenas os sinais sintonizados, no
sendo eficazes numa banda mais larga.
Filtros Ativos
Os filtros ativos ou condicionadores

ativos como tambm so chamados, so
ligados em paralelo entre a fonte geradora
das harmnicas e a fonte de alimentao,
atente para a figura 7.
Esse tipo de filtro monitora em tempo
real as fases do sinal, e a partir dessa anlise ele gera o espectro harmnico. Com
as informaes contidas neste espectro
harmnico, o filtro gera uma corrente de
compensao que a diferena entre a
corrente total da carga e a fundamental.
Essa corrente (que consiste na soma
das correntes fundamental e harmnicas)
injetada no circuito, porm em oposio de fase de modo a cancelar os sinais
harmnicos. O resultado da combinao
dessas correntes um sinal senoidal puro
aplicado carga.
Veja que, este filtro faz com que no
percurso entre a fonte e a carga no existam correntes harmnicas circulando.
Note, ento, que outros equipamentos
ligados mesma fonte neste percurso no
sero afetados pela eventual presena de
harmnicas na linha de alimentao.
Os filtros ativos so circuitos com semicondutores de potncia, normalmente
IGBTs, e so projetados para atuar numa
faixa de harmnicas que vai do segundo
ao vigsimo quinto.
Transformadores
Em muitas instalaes so usados

transformadores que tm por finalidade modificar as tenses e correntes, ou
ainda para se obter um neutro de forma
diferente, isolando trechos ou ainda proporcionando um nvel segurana maior.
No entanto, as propriedades eltricas
desses componentes tambm permitem
que eles sejam empregados na confinao
dos circuitos que alimentam equipa-
F5. Filtro
Passivo LC.
F6. Filtro LC compensado.
F7. Filtro ou condicionador ativo.
F8. Uso de trafo para bloquear harmnicas.
mentos geradores de harmnicas. Um

transformador pode bloquear a passagem das harmnicas de uma linha para
outros trechos, afetando assim outros
equipamentos que so alimentados por
essa mesma linha, acompanhe na figura 8.
O modo como os enrolamentos de um
transformador so ligados determina a
ordem de bloqueio de certas harmnicas.
Logo, temos duas possibilidades.
Na primeira, mostrada na figura 9, um
transformador com uma ligao tringulo/estrela capaz de confinar ao trecho
alimentado pelos secundrios as terceiras
harmnicas e suas mltiplas.
Esse tipo de aplicao para um transformador especialmente indicado para
a alimentao de quadros que tenham
como cargas equipamentos com fontes
monofsicas, tais como computadores,
copiadoras, eletrodomsticos, etc.
Para o caso de cargas trifsicas, onde
predominam as quintas e stimas harmnicas, a melhor soluo consiste na utilizao de um transformador com secundrio
duplo, conforme ilustra a figura 10.
Estes enrolamentos fazem com que

haja um deslocamento de fase de 30 graus
nas tenses, o que implica com que as
correntes harmnicas se somem algebricamente e com isso se cancelem antes do
transformador, desaparecendo assim da
linha que alimenta o primrio.
Este tipo de soluo deve, entretanto,
alimentar apenas cargas trifsicas de
mesmas caractersticas, ou seja, que tenham o mesmo espectro harmnico alm
de carregarem da mesma forma os enrolamentos secundrios do transformador.
Isso necessrio para que as correntes de
primrio, quando somadas, resultem em
um valor o mais prximo de zero quanto
seja possvel.
Concluso
A presena de harmnicas numa linha

de alimentao um problema que se
agrava com o uso de dispositivos comutadores, na maioria das aplicaes.
As fontes comutadas, os dispositivos
da famlia dos tiristores que trabalham
com a rpida comutao de correntes em
F9. Trafo com ligao

tringulo/estrela.
inversores de frequncia, os controles

de velocidade e muitos mais geram uma
grande quantidade de harmnicas que
polui as linhas de alimentao, causando
diversos tipos de problemas.
Nestes dois artigos estudamos como
as harmnicas so geradas, o que elas
podem causar em uma instalao e
F10. Trafo com secundrio duplo para o

caso de cargas trifsicas.
completamos com alguns procedimentos que podem ser adotados para sua
eliminao, entre eles o uso de filtros e
transformadores.
Tambm tratamos da escolha adequada dos cabos de uma instalao onde
a presena de harmnicas ocorra de
forma mais frequente, podendo causar
problemas de aquecimentos e desarme

de dispositivos de proteo.
Acreditamos que este artigo tenha sido
de grande utilidade para os que fazem
instalaes eltricas, manuteno de instalaes, principalmente em indstrias e
outros locais onde esses problemas possam
se manifestar de forma mais intensa. E
Eletrnica Aplicada
Solues Texas
Instruments para
Telecomunicaes
Transmisso de Dados pela

Rede de Energia (PLC)
Em importante documentao tcnica, a Texas Instruments (www.
ti.com) descreve solues para se implementar comunicaes utilizando
a rede de transmisso de energia eltrica ou PLC (Power Line Communications). Estas solues encontram uma enorme gama de aplicaes
prticas que procuramos descrever neste artigo, totalmente baseado
naquela documentao. Os leitores que tenham um bom conhecimento do ingls podem acessar a documentao original digitando:
slay021PLC, no search do site daTexas Instruments.
Newton C. Braga
meio ruidoso em que se constitui

a rede de transmisso de energia
dificulta a sua utilizao em comunicaes a longas distncias e em
altas velocidades. No entanto, para curtas e
mdias distncias, ou em sistemas que no
exijam altas velocidades, a implementao
de sistemas se torna vivel permitindo sua
utilizao numa ampla gama de aplicaes
prticas.
Com a possibilidade de se usar o prprio
cabeamento de energia para transmitir
dados, aplicaes importantes na automao predial, segurana e mesmo links de
dados para monitoramento de consumo se
tornam simples de implementar, com custos
reduzidos e desempenhos que atendem
plenamente aos usurios.
Dentre as possibilidades que a PLC
oferece, destacamos o controle de lmpadas
(dimmers) feito a partir de qualquer local de
uma instalao eltrica ou de uma central
inteligente de controle que gerencie a energia consumida no local. O mesmo sistema
pode acionar (ou desligar) lmpadas em
determinados horrios segundo programao, usando os comandos feitos atravs

da prpria rede de energia que as alimenta.
Tambm podemos implementar sistemas de
segurana com sensores inteligentes que se
comunicam com uma central, utilizando
a fiao do prprio prdio que deve ser
protegido.
O monitoramento do consumo de
energia, aparelho por aparelho, registrado
numa central inteligente que tambm o
gerencie, outra possibilidade importante
que a PLC apresenta.
Com uma preocupao crescente com o
consumo consciente da energia e a entrada e
utilizao de novas fontes, como os painis
solares, o gerenciamento do interfaceamento
das diversas fontes, feito atravs da prpria
linha de energia que elas fornecem, possvel com o emprego da tecnologia PLC.
Um gerenciamento dos inversores utilizados com os painis solares a partir de
centrais inteligentes pode ser criado com
facilidade de modo a se obter o melhor
aproveitamento da energia gerada.
Eletrnica Aplicada
Parmetro
IEC1334 S-FSK
PRIME (OFDM)
G3 (OFDM)
P1901.2 / G3-FCC (OFDM)
Tamanho da Modulao
Spread frequency shift keying
DBPSK / DQPSK / D8PSK
DBPSK / DQPSK / (D8PSK)
Correo de erro direta
N/A
Taxa de dados
2,4 kbps
Plano de banda
CENELEC-A
Modo ROBO
Mscara de tom
Mapa de tom adaptativo
MAC
Camada de convergncia
Aplicao para medida
No
No
No
IEC61334 MAC
IEC61334-4-32
COSEM/DLMS
taxa do cdigo convolucional

21, 42, 64, 84, 64 kpbs (com
codificao)
Continuo 42-89 kHz (definido
pelo cenrio LV)
No
No
Sim
PRIME MAC
IEC61334-4-32/IPv6
COSEM/DLMS, IP
RS Externo + taxa interna

cdigo convolucional
20, 36/34, 76 (46)kpbs (com
codificao)
36-91 kHz com mascaramento
de tom para SFSK
Sim
Sim
Sim
Perfil 802.15 4/63
6LoWPAN/IPv6
COSEM/DLMS, IP
D8PSK/DQPSK/D8PSK/modulao coerente
RS Externo + taxa interna
cdigo convolucional
Escalvel at 250 kbps
Os Padres
O modo como os dados podem ser enviados atravs da rede de energia estabelecido
por diversos padres. Os padres existentes
levam em conta os diversos ambientes de
operao e tambm as aplicaes possveis.
Os mais conhecidos so os G3 e PRIME.
Pode-se dizer que o G3 primo do IEEE
P19012, visando aplicaes que exigem mais
robustez. Dada sua capacidade de trabalhar
melhor em ambientes com elevado nvel de
rudo, atualmente o G3 tem sido o escolhido
para a maioria das aplicaes. Na tabela 1,
da documentao da Texas Instruments,
damos as principais caractersticas destes
padres.
A G3 Alliance a responsvel pela
evoluo do padro G3 que opera na banda
CENELEC-A usada na Europa, de 3 - 95 kHz,
e que pode se estendida por toda banda do
FCC de modo a possibilitar uma taxa maior
de transmisso de dados em outros pases.
O padro G3 permite a transmisso
bidirecional com uma taxa efetiva de 20 a
40 kbps na banda CENELEC-A e at 200 400 kbps na banda do FCC (G3-FCC). Ele
coexiste com a S-FSK e outras tecnologias
PLC legalizadas.
Para proporcionar uma imunidade
maior s interferncias e atenuao, o padro
G3 adota a modulao OFDM (Orthogonal
Frequency-Division Multiplexing). Como resultado, podem ser conseguidos alcances de at
6 milhas em trechos entre transformadores
de mdias tenses. No caso em que existam
transformadores de mdia e baixa tenso no
percurso do sinal, o alcance ficar na faixa
de 2 a 3 milhas, dependendo de diversos
fatores adicionais.
muito importante ressaltar a capacidade dos sinais de passar atravs de transformadores, principalmente em reas rurais
onde a densidade de populao baixa.
O que ocorre que os transformadores
consistem em um obstculo para os sinais,
exigindo eventualmente o emprego de um
concentrador, cuja finalidade passar os
sinais atravs dele, aplicando-os a um trecho
seguinte da linha.
A utilizao de um concentrador com
estes transformadores numa localidade de
baixa densidade de populao no compensa seu custo.
Como o G3 permite a passagem dos
sinais atravs dos transformadores, os
concentradores podem ser colocados apenas
nos locais em que eles possam reunir dados
de diversos locais e em que se observe que
eles so necessrios.
O G3 tambm forma o as partes Annex-A
e Annex-D (G3-FCC) do ITU G.9955 (G.9956
pra G3 MAC). O IEEE est desenvolvendo
uma verso mundial do G3 com o nome
de P1901.2, que dever estar disponvel no
final de 2012.
Para conseguir maior taxa de dados,
o G3-FCC utiliza modulao coerente e
diversas demodulaes para o modo rob,
BPSK, QPSK, 8PSK e 16QAM com um ganho
de at 5 dB.
Alm do G3
Na busca da melhor soluo para implementao da PLC, diversos pases esto

fazendo testes no sentido de verificar seu
desempenho sob condies ruidosas de
operao. Podemos citar o caso da Coreia
que faz testes com cabos subterrneos.
CENELEC-A, Banda FCC

Sim
Sim
Sim
Baseado no 802.15.4
6LoWPAN/IPv6
COSEM/DLMS, IP
T1. Principais caractersticas
dos diversos padres.
Mas no so todos os pases que esto

adotando o G3. Pases como a Espanha
e Frana escolheram outras tecnologias.
Evidentemente, diante da batalha entre
os padres, com a possibilidade de cada
pas adotar um padro diferente, os OEM
que puderem desenvolver produtos multi-padro estaro numa posio privilegiada
para colocar seus produtos no mercado.
A Texas Instruments disponibiliza uma
plataforma que pode operar com todos os
padres da tabela que demos. Para isso
ela criou a PLC-Lite como plataforma de
desenvolvimento no baseada em padres,
de baixo custo e muito flexvel para o desenvolvimento de aplicativos PLC.
Justamente por no ser uma plataforma
de desenvolvimento padronizada, os desenvolvedores podem explorar a flexibilidade
da PLC-Lite para otimizar a implementao das caractersticas especficas de canal e,
com isso, melhorar a robustez do link em
ambientes em que a G3 e PRIME encontram
dificuldades devido ao fato de que o nvel
de interferncia na linha exige capacidade
de manuseio excepcional.
A taxa mxima de dados da PLC-Lite
de 21 kbps e ela suporta tanto os modos
Banda Completa (Full-band) como Meia
Banda (Half-band), conforme a tabela 2.
Ela possui recursos para proporcionar
robustez em relao a determinados tipos
de interferncia como as de banda estreita
que podem afetar os links G3.
A PLC-Lite apropriada para as
aplicaes muito sensveis ao custo e onde
a complexidade do G3 e PRIME no so
exigidas. No entanto, um canal robusto de
comunicao necessrio.
Eletrnica Aplicada
Podemos fazer uma comparao com os
controles remotos de diversos aplicativos
domsticos que no necessitam de todas
as capacidades do Wi-Fi para um simples
aumento de volume, liga- desliga de um CD,
ou troca de canal de um televisor.
Isto importante, pois numa aplicao
simples como: acender ou apagar uma
lmpada, mudar volume, ou trocar canal
no se necessita mais do que alguns kbps
para executar a funo.
A PLC-Lite tambm especialmente
indicada para desenvolvimento de dispositivos que devem operar alm do medidor
de energia como conversores solares, iluminao industrial e residencial e aplicaes
de rede.
Telecomunicaes
Banda
Meia Banda A/B/C/D, configurvel

no compliante CENELEC run-time
Largura de banda
Frequncia de amostragem
Durao dos dados/caberio
Durao do prembulo (cada)
Taxa de dados PHY
23 kHz
500 kHz
2.24 ms
2.048 ms
21 kbps (BPSK)
11 kbps (BPSK + FEC)
2.6 kbps (Robo-4)
1.3 kbps (Robo-8)
1024
96
49
CSMA/CA
Tamanho da FFT
Tamanho do CP
Nmero de subportadoras
MAC
Banda Completa CENELEC A
47 kHz
250 kHz
2.24 ms
2.048 ms
42 kbps (BPSK)
21 kbps (BPSK + FEC)
5.2 kbps (Robo-4)
2.6 kbps (Robo-8)
512
48
97
CSMA/CA
T2. Principais especificaes nos modos
suportados: Meia Banda e Banda completa.
Flexibilidade atravs
de Software
Com o seu software plcSUITE, a Texas Instruments proporciona uma soluo

totalmente operacional para os principais
sistemas PLC com um processamento
completo de camadas MAC e PHY, assim
como uma API para a aplicao - veja a
figura 1.
A simplicidade de uso do software
plcSUITE da Texas Instruments facilita
a criao de um produto em muito menos
tempo, o que um fator importante para sua
chegada ao mercado antes dos concorrentes.
Os desenvolvedores podem pedir uma
verso licenciada do cdigo- fonte, dando
a opo de utilizar os componentes que
desejarem.
Um dos pontos de destaque do PLC
software PE que ele roda em seus MCUs.
Para aplicaes em que o PLC deva ser implementado em subsistemas independentes,
o microcontrolador PLC83 proporciona uma
abordagem econmica.
Caso se exija que a aplicao e o PLC
devam rodar no mesmo processador, a
plataforma C2000 Concerto de microcontroladores da Texas Instruments
uma soluo importante, pois ela oferece
uma variedade de opes com diferentes
densidades de memria e capacidades de
processamento.
Uma vantagem importante destes processadores que eles tm ainda a capacidade
de suportar maior taxa de dados. Para
aplicaes de baixo custo, a Texas oferece
ainda o processador F280x da srie C2000
Piccolo que usa a plataforma PLC-Lite.
F1. O software plcSUITEda Texas Instruments proporciona uma soluo para os principais sistemas de PLC.
O desenvolvedor poder escolher a melhor soluo para seu produto em termos de

custo e desempenho, uma vez que ele dispe
de diversos tipos de microcontroladores.
Kit de Desenvolvimento
Os desenvolvedores podem ter um contato inicial com a tecnologia PLC atravs do

kit de avaliao TMDSPCLKIT-V3 da Texas
Instruments, o qual inclui a plcSUITE e
a ferramenta Zero-Configuration Gui Tool.
Trata-se de uma poderosa ferramenta que
permite a caracterizao de um canal de
link. No modo de configurao zero, os
desenvolvedores podem transmitir dados
entre nodos sem ter de definir qualquer
parmetro de configurao. Isso simplifica
substancialmente o processo de avaliao,
especialmente pelos desenvolvedores que
ainda no esto familiarizados com detalhes

da implementao de PLC.
A ferramenta tambm ajuda a acelerar o
desenvolvimento de um produto, suportando o modo expert no qual o desenvolvedor
pode fazer o ajuste fino de uma configurao
de canal de modo a capturar mais dados
atravs do canal.
Diversos testes foram realizados em
pases para se obter informaes que permitam a utilizao da tecnologia PLC de
maneira mais eficiente, analisando como
os meios especficos podem influir em
seu desempenho. Estes testes podem ser
visualizados na documentao original da
Texas Instruments no link dado no incio
do artigo.
Mais informaes podem ser obtidas
na Texas Instruments do Brasil.
E
Eletrnica Aplicada
O que uma Rede de

Sensores sem Fio?
Neste artigo, veremos o que uma plataforma WSN, e quais so as suas
caractersticas e topologias. Tambm veremos uma Rede de Sensores sem Fio
da National Instruments.
National Instruments
ma rede de sensores sem fio (Wireless Sensor Network) uma rede

sem fio que consiste de dispositivos
autnomos distribudos espacialmente, os quais utilizam sensores para
monitorar condies fsicas ou ambientais.
Estes dispositivos autnomos, ou ns, so
utilizados com roteadores e um gateway
para criar um tpico sistema WSN. Os ns
de medio distribudos comunicam-se
(sem fio) com um gateway central, o qual
fornece uma conexo ao mundo cabeado
onde voc pode medir, processar, analisar
e apresentar seus dados coletados. Para
aumentar a distncia e a confiabilidade de
uma rede de sensores sem fio, voc pode
utilizar roteadores para um link adicional de
comunicao entre os ns finais e o gateway.
As redes de sensores sem fio da National Instruments oferecem confiabilidade,
com ns de medio de baixa potncia
que operam por at trs anos com 4 pilhas
AA e podem ser utilizados por um longo
prazo, operando remotamente. O protocolo
NI WSN, baseado nas tecnologias IEEE
802.15.4 e ZigBee, fornece um padro de
comunicao de baixa potncia que possui
capacidades de roteamento de malha para
aumentar a distncia e a confiabilidade da
rede. O protocolo sem fio que voc seleciona
para sua rede depende dos requisitos de sua
aplicao. Para aprender mais sobre outras

tecnologias sem fio para sua aplicao, veja o
artigo Selecting the Right Wireless Technology.
Aplicaes WSN
A monitorao integrada abrange vrias

reas de aplicao, incluindo aquelas em que
limitaes de potncia ou infraestrutura
fazem uma soluo cabeada apresentar um
custo alto, desafiador, ou quase impossvel.
Voc pode posicionar redes de sensores sem
fio junto com sistemas cabeados para criar
um sistema de medio e controle completo,
cabeado e sem fio.
Um sistema WSN ideal para uma
aplicao como monitorao ambiental,
cujos requisitos exigem aquisio de dados
por longos prazos para realizar medies
de caractersticas da gua, do solo ou do
clima. Para utilidades como rede eltrica,
iluminao pblica e distribuio de gua,
sensores sem fio oferecem um mtodo de
baixo custo para coletar dados sobre a sade
do sistema, reduzir o consumo de energia
e melhorar o gerenciamento de recursos.
No monitoramento de sade de estruturas, voc pode utilizar sensores sem fio para
monitorar efetivamente rodovias, pontes e
tneis. Voc tambm pode implantar esses
sistemas para monitorar continuamente
edifcios comerciais, hospitais, aeroportos,
Eletrnica Aplicada
Conectividade
F1. reas de aplicao de WSN.
2,4 GHz ISM, alm de taxa de dados de at

250 kb/s. O ZigBee projetado para atuar
sobre as camadas do 802.15.4 para fornecer
segurana, confiabilidade atravs de topologias de rede em malha, e interoperabilidade com outros dispositivos e padres.
O ZigBee tambm permite aplicao de
objetos definidos pelo usurio, ou perfis,
que fornecem personalizao e flexibilidade
com o protocolo.
Alm dos requisitos de vida longa,
voc deve considerar o tamanho, o peso, e
a disponibilidade das baterias, bem como as
normas internacionais para seu embarque.
O baixo custo e grande disponibilidade das
baterias alcalinas e de zinco- carbono fazem
delas uma escolha comum.
Tcnicas de coleta de energia tambm
esto se tornando mais comuns em redes
de sensores sem fio. Com dispositivos que
utilizam clulas solares ou coletam calor de
seu ambiente, voc pode reduzir ou mesmo
eliminar a necessidade de fornecimento de
energia atravs de baterias.
Tendncias do Processador
F2. Arquitetura de uma rede de sensores sem fio comum.
fbricas, usinas de energia e instalaes de

produo. Veja a figura 1.
Arquitetura de um
Sistema WSN
Em uma arquitetura WSN comum,

os ns de medio so implantados para
adquirir medidas como as de temperatura,
tenso ou mesmo de oxignio dissolvido.
Os ns so parte de uma rede sem fios
administrada pelo gateway, que governa
aspectos da rede como autenticao de
cliente e segurana de dados. O gateway
coleta os dados medidos em cada n e os
envia atravs de uma conexo cabeada, tipicamente Ethernet, para uma controladora
host. Nesta controladora, um software como
a plataforma de programao grfica NI
LabVIEW pode fornecer processamentos e
anlises avanadas e apresentar seus dados
em um estilo que atenda suas necessidades.
Observe um exemplo de Arquitetura de
Rede na figura 2.
Padres de Potncia e Rede
Um n de medio WSN contm vrios

componentes incluindo o rdio, a bateria,
o microcontrolador, o circuito analgico, e
a interface com o sensor.
Em sistemas energizados por baterias,
voc deve checar constantemente a condio das mesmas e substitu-las quando
necessrio, pois maiores taxas de dados
e uma utilizao mais frequente do rdio
consomem mais energia.
Atualmente, baterias e tecnologias de
gesto de energia evoluem continuamente
devido extensa pesquisa.
Em aplicaes WSN comum a necessidade de trs anos de vida das baterias,
portanto, muitos destes sistemas hoje so
baseados em protocolos ZigBee ou IEEE
802.15.4 devido ao seu baixo consumo de
energia. O protocolo IEEE 802.15.4 define
as camadas de controle de acesso mdio
e fsico no modelo de rede, fornecendo
comunicao nas bandas 868 a 915 MHz e
Para prolongar a vida das baterias, um

n WSN acorda periodicamente para adquirir e transmitir dados, ligando o rdio e
depois desligando-o para conservar energia.
O rdio WSN deve transmitir de maneira
eficiente um sinal e permitir que o sistema
volte a dormir, realizando isso com um
mnimo consumo de potncia.
Do mesmo modo, o processador tambm
deve ser capaz de acordar, energizar-se
e voltar a dormir de modo eficiente. As
tendncias de tecnologias de microprocessadores para WSNs incluem reduo
do consumo de energia enquanto mantm
ou aumentam a velocidade do processador.
Tal qual a escolha do rdio, trade off de
consumo de energia e velocidade de processamento uma preocupao fundamental
na seleo de um processador para WSN.
Isto faz com que arquiteturas PowerPC e
baseadas em ARM sejam uma opo no
indicada para dispositivos alimentados
por baterias.
Uma opo mais comum de arquitetura
inclui o TI MSP430 MCU, que foi projetado
para operao de baixa potncia. Dependendo do processador especfico, o consumo de
energia no sleep mode pode variar de 1 a 50
W, enquanto que em operao o consumo
pode variar de 8 a 500 mW.
F3. Topologias de rede WSN.
Topologias de Rede
Voc pode utilizar vrias topologias

de rede para coordenar o gateway WSN,
os ns finais e os ns roteadores. Estes
ltimos so similares aos ns finais, j que
podem adquirir dados de medio, mas voc
tambm pode utiliz-los para transmitir
dados medidos ao longo de outros ns. A
primeira e mais bsica topologia a estrela
(star), na qual cada n mantm uma nica
via de comunicao direta com o gateway.
Esta topologia simples, mas restringe a
distncia total que sua rede pode alcanar.
Para aumentar a distncia que uma rede
pode alcanar, voc pode implementar uma
topologia cluster, ou rvore. Nesta arquitetura mais complexa, cada n mantm um
nico caminho para o gateway, mas pode
utilizar outros ns para rotear os dados
ao longo desse caminho. Entretanto, esta
topologia apresenta uma desvantagem:
se um n roteador perder a comunicao,
todos os ns que dependem desse n roteador perdero sua via de comunicao
com o gateway.
A topologia rede de malha remedia
este problema utilizando vias de comunicao redundantes para aumentar a
confiabilidade do sistema. Em uma rede
de malha, os ns mantm mltiplas vias de
comunicao com o gateway, de modo que,
se um n roteador perder a comunicao, a
rede automaticamente redireciona os dados
por um caminho diferente. A topologia de
malha, embora muito confivel, sofre de
um aumento na latncia da rede, pois os
dados devem fazer mltiplos saltos antes
de chegarem ao gateway.
Veja as trs topologias de redes na
figura 3.
Vantagem da rede de
sensores sem fios da NI
Com a plataforma WSN da National

Instruments, voc pode personalizar e
melhorar uma tpica arquitetura WSN para
criar um completo sistema de medio,
cabeado e sem fios, para sua aplicao.
A integrao dos softwares da NI fornece
a flexibilidade para escolher um controlador
host baseado em Windows para seu sistema
WSN ou um controlador host de tempo real
como o NI CompactRIO, dando-lhe a possibilidade de integrar E/S reconfigurveis
com suas medies sem fios.
Com ambos os controladores host,
voc pode utilizar o LabVIEW e o software
NI-WSN com integrao ao projeto no LabVIEW e programao clique e arraste para
configurar facilmente seu sistema WSN, de
modo a extrair dados de alta qualidade de
suas medies, fornecer anlises e apresentar seus dados.
Alm disso, a integrao com LabVIEW oferece a possibilidade de ampliar
a conectividade de sua aplicao WSN e o
nvel de dados por todo caminho atravs
da internet para o cliente final, como um
iPhone ou um laptop.
Voc pode utilizar esta arquitetura de
sistema completa para adquirir dados de
praticamente qualquer lugar com uma rede
de sensores sem fio da NI, process-los e
armazen-los em um servidor, e depois
acessar os dados convenientemente e
remotamente a partir de um dispositivo
inteligente sem fio.
Para aprender mais sobre as opes em
sistemas de medio WSN, veja o artigo NI
WSN Measurement Systems.
Eletrnica Aplicada
Industrial
Redes
Industriais
Parte
3
Nesta ltima parte da srie sobre Redes Industriais, veremos a rede

digital multi-drop para conexo entre sensores, atuadores e sistemas
de automao industrial em geral, DeviceNet. Alm disso, os protocolos
HART / 4-20 mA e WirelessHARTTM
Csar Cassiolato
DeviceNet
DeviceNet um rede digital, multi-drop,

para conexo entre sensores, atuadores e
sistema de automao industrial em geral.
Ela foi desenvolvida para ter mxima
flexibilidade entre equipamentos de campo e interoperabilidade entre diferentes
vendedores.
Apresentado em 1994 originalmente
pela Allen-Bradley, o DeviceNet teve sua
tecnologia transferida para a ODVA em 1995.
A ODVA (Open DeviceNet Vendor Association
- www.odva.org) uma organizao sem
fins lucrativos composta por centenas de
empresas ao redor do mundo que mantm,
divulga e promove o DeviceNet e outras
redes baseadas no protocolo CIP (Common
Industrial Protocol). Atualmente mais de 300
empresas esto registradas como membros,
sendo que mais de 800 oferecem produtos
DeviceNet no mundo todo.
A rede DeviceNet classificada no
nvel de rede chamada devicebus, cujas caractersticas principais so: alta velocidade,
comunicao em nvel de byte englobando
comunicao com equipamentos discretos
e analgicos, e alto poder de diagnstico
dos devices da rede.
A tecnologia DeviceNet um padro

aberto de automao com objetivo de transportar 2 tipos principais de informao:
dados cclicos de sensores e atuadores
diretamente relacionados ao controle,
dados acclicos indiretamente relacionados ao controle, como configurao
e diagnstico.
Os dados cclicos representam informaes trocadas periodicamente entre o
equipamento de campo e o controlador. Por
outro lado, os acclicos so informaes trocadas eventualmente durante configurao
ou diagnstico do equipamento de campo.
A camada fsica e de acesso da rede DeviceNet baseada na tecnologia CAN (Controller
Area Network) e as camadas superiores no
protocolo CIP, que define uma arquitetura
baseada em objetos e conexes entre eles.
Uma rede DeviceNet pode conter at
64 dispositivos onde cada dispositivo
ocupa um n na rede, endereados de 0 a
63. Qualquer um destes pode ser utilizado.
No h qualquer restrio, embora se deva
evitar o 63, pois este costuma ser utilizado
para fins de comissionamento.
Um exemplo de rede DeviceNet mostrado na figura 31.
Eletrnica Aplicada
Caractersticas da
rede DeviceNet
As caractersticas da rede DeviceNet so:

Topologia baseada em tronco principal com ramificaes. O tronco
principal deve ser feito com o cabo
DeviceNet grosso, e as ramificaes
com o cabo DeviceNet fino ou chato.
Cabos similares podem ser usados
desde que suas caractersticas eltricas e mecnicas sejam compatveis
com as especificaes dos cabos
padro DeviceNet;
Permite o uso de repetidores, bridges,
roteadores e gateways;
Suporta at 64 ns, incluindo o mestre, endereados de 0 a 63 (MAC ID);
Cabo com 2 pares: um para alimentao de 24 V e outro para comunicao;
Insero e remoo a quente, sem
perturbar a rede;
Suporte para equipamentos alimentados pela rede em 24 V, ou com
fonte prpria;
Uso de conectores abertos ou selados;
Proteo contra inverso de ligaes
e curto-circuito;
Alta capacidade de corrente na rede
(at 16 A);
Uso de fontes de alimentao de
prateleira;
Diversas fontes podem ser usadas
na mesma rede atendendo s necessidades da aplicao em termos
de carga e comprimento dos cabos;
Taxa de comunicao selecionvel:125, 250 e 500 kbps;
Comunicao baseada em conexes de E/S e modelo de pergunta
e resposta;
Diagnstico de cada equipamento
e da rede;
Transporte eficiente de dados de
controle discretos e analgicos;
Deteco de endereo duplicado
na rede;
Mecanismo de comunicao extremamente robusto a interferncias
eletromagnticas.
Para mais informao, visite tambm o
site da ODVA: www.odva.org
HART/ 4-20 mA
Atualmente muito se fala em termos de

redes fieldbus, mas tem-se muitas aplicaes
rodando em HART (Highway Addressable
F31. Exemplo de Rede DeviceNet.
F32. Loop de corrente convencional.
Remote Transducer), tendo vantagens com os

equipamentos inteligentes e utilizando-se
da comunicao digital de forma flexvel
sob o sinal 4-20 mA para a parametrizao
e monitorao das informaes.
Introduzido em 1989, tinha a inteno
inicial de permitir fcil calibrao, ajustes
de range e damping de equipamentos analgicos. Foi o primeiro protocolo digital de
comunicao bidirecional que no afetava
o sinal analgico de controle.
Este protocolo tem sido testado com sucesso em milhares de aplicaes, em vrios
segmentos, mesmo em ambientes perigosos.
O HART permite o uso de mestres: um
console de engenharia na sala de controle e
um segundo mestre no campo, por exemplo
um laptop ou um programador de mo.
Em termos de performance, podemos
citar como caractersticas do HART:
Comprovado na prtica, projeto simples, fcil operao e manuteno.

Compatvel com a instrumentao
analgica;
Sinal analgico e comunicao digital;
Opo de comunicao ponto a
ponto, ou multi-drop;
Flexvel acesso de dados usando-se
at dois mestres;
Suporta equipamentos multivariveis;
500 ms de tempo de resposta (com
at duas transaes);
Totalmente aberto com vrios fornecedores.
As especificaes so atualizadas continuamente, de tal forma a atender todas
as aplicaes.
Veremos a seguir alguns detalhes do
protocolo HART.
Eletrnica Aplicada
Industrial
A simplicidade: o HART
e o loop de corrente
convencional
F33. Loop de corrente

acrescido o HART.
F34. Modulao e sinal HART.
F35. Elementos tpicos de

uma instalao HART.
As figuras 32 e 33 nos mostram como

entender o HART facilmente. Na figura
32 temos um loop de corrente analgica,
onde os sinais de um transmissor variam
a corrente que passa por ele de acordo com
o processo de medio.
O controlador detecta a variao de
corrente atravs da tenso sob um resistor
sensor de corrente. A corrente de loop varia
de 4 a 20 mA para frequncias usualmente
menores que 10 Hz.
A figura 33 baseada na figura 32,
onde o HART foi acrescido. Agora ambas
terminaes do loop possuem um modem
e um amplificador de recepo, sendo que
este possui alta impedncia de tal forma a
no carregar o loop de corrente.
Note ainda que o transmissor possui
uma fonte de corrente com acoplamento AC
e o controlador uma fonte de tenso com
acoplamento AC. A chave em srie com a
fonte de tenso no controlador HART, em
operao normal fica aberta.
No controlador HART os componentes
adicionais podem ser conectados no loop
de corrente, como mostrado, ou atravs do
resistor sensor de corrente. Do ponto de vista
AC, o resultado o mesmo, uma vez que a
fonte de alimentao um curto-circuito.
Note que o sinal analgico no afetado,
uma vez que os componentes adicionados
so acoplados em AC.
O amplificador de recepo frequentemente considerado como parte do modem
e usualmente no mostrado em separado.
Na figura 33 foi desenhado separadamente
para mostrar como se deriva o sinal de
tenso de recepo. O sinal de recepo
no somente AC, nem no controlador ou
mesmo no transmissor.
Para enviar uma mensagem, o transmissor ao ligar sua fonte de corrente, far com
que se sobreponha um sinal de corrente de
1 mA pico a pico, de alta frequncia, sobre o
sinal analgico da corrente de sada. O resistor R no controlador converter este sinal
em tenso no loop e esta ser amplificada
no receptor, chegando at ao demodulador
do controlador (modem).
Do mesmo modo, para enviar uma mensagem ao transmissor, o controlador fecha
sua chave, conectando sua fonte de tenso
que sobrepe um tenso de aproximada-
Eletrnica Aplicada
mente 500 mV pico a pico atravs do loop.
Esta vista nos terminais do transmissor
e encaminhada ao amplificador e demodulador. Note que existe uma implicao
na figura 33 que que o mestre transmita
como fonte de tenso enquanto o escravo,
como fonte de corrente.
A figura 34 mostra detalhes do sinal
HART, sendo que as amplitudes podem
variar de acordo com as impedncias e capacitncias de cada equipamento e perdas
causadas por outros elementos no loop.
O HART se utiliza do FSK, chaveamento
por mudana de frequncia (Frequency
Shift Keying), onde a frequncia de 1200
Hz representa o 1 binrio e a de 2200 Hz,
representa o 0 binrio.
Note que estas frequncias esto bem
acima da faixa de frequncias do sinal
analgico (0 a 10 Hz) de tal forma que no
h interferncias entre elas. Para assegurar
uma comunicao confivel, o protocolo
HART especifica uma carga total do loop
de corrente, incluindo as resistncias dos
cabos, de no mnimo 230 ohms e no mximo
1100 ohms.
Equipamentos de campo e handhelds
(programadores de mo) possuem um
modem FSK integrado, onde via port serial
ou USB de um PC, ou laptop, pode-se conectar uma estao externamente. A figura
35 mostra uma conexo tpica HART de
campo. Veremos, posteriormente, outros
tipos de conexes.
Em uma conexo do tipo ponto a ponto,
como a da figura 36, necessrio que o
endereo do equipamento seja configurado para zero, desde que se use o modo de
endereo na comunicao para acess-lo.
Em sistemas considerado grandes, pode-se utilizar de multiplexadores para acessar
grandes quantidades de equipamentos
HART, como por exemplo, na figura 37,
onde o usurio dever selecionar o loop de
corrente para comunicar via Host. Nesta
situao em cascata, o host pode comunicar
com vrios equipamentos (mais do que
1000), todos com endereos zero.
Ainda podemos ter rede em multi-drop
e condies de split-range. Na figura 38, na
conexo em multi-drop, observe que podem
ser ligados no mximo at 15 transmissores
em paralelo na mesma linha. A corrente
que passa pelo resistor de 250 ohms (foi
ocultado na figura) ser alta, causando uma
alta queda de tenso.
F36. Conexo HART

ponto a ponto.
F37. Conexo HART via

multiplexador.
F38. Conexo HART em Multidrop.
Portanto, deve-se assegurar que a tenso

da fonte de alimentao seja adequada para
suprir a tenso mnima de operao.
No modo multi-drop a corrente fica fixa
em 4 mA, servindo apenas para energizar
os equipamentos no loop.
A condio de split-range usada em
uma situao especial onde normalmente
dois posicionadores de vlvulas recebem o
mesmo sinal de controle, por exemplo, um
operando com corrente nominal de 4 a 12
mA e o outro de 12 a 20 mA. Nesta condio,
os posicionadores so conectados em srie
no loop de corrente com endereos diferentes e o host ser capaz de distingui-los via
comunicao. Veja figura 39.
Como visto anteriormente, o HART se
utiliza do sinal de 4-20 mA, sobrepondo
um sinal em tcnica FSK, chaveamento

por mudana de frequncia (Frequency
Shift keying), onde a frequncia de 1200
Hz representa o 1 binrio e a de 2200 Hz
representa o 0 binrio. Cada byte individual
do telegrama do layer 2 transmitido em
11 bits, usando-se 1200 kHz.
Cabeamento
Utiliza-se um par de cabos tranados

onde se deve estar atento resistncia total
j que esta colabora diretamente com a carga
total, e agindo na atenuao e distoro do
sinal. Em longas linhas e sujeitas a interferncias, recomenda-se o cabo com shield,
sendo este aterrado em um nico ponto,
preferencialmente no negativo da fonte de
alimentao.
Eletrnica Aplicada
Industrial
F39. Conexo HART

via Split Range.
F40. Frame HART.
Layer 2
O protocolo HART opera segundo o

padro Mestre-Escravo, onde o escravo
somente transmitir uma mensagem se
houver uma requisio do mestre.
A figura 40 mostra de maneira simples
o modelo de troca de dados entre mestre e
escravo. Toda comunicao iniciada pelo
mestre e o escravo s responde algo na linha
se houve um pedido para ele.
Existe todo um controle de tempo entre
envios de comandos pelo mestre. Inclusive
existe um controle de tempo entre mestres
quando se tem dois mestres no barramento.
A convivncia de
vrios protocolos em
uma mesma planta
Daqui para frente esperado que a

convivncia entre vrios protocolos torne-se uma constante, principalmente onde
o parque instalado for grande e deseja-se
preservar os investimentos feitos. A figura
F41. Integrao Foundation Fieldbus

e HART usando o HI302.
41 um exemplo tpico de sistema onde se

tem em uma mesma planta os protocolos
Foundation Fieldbus e HART.
Neste caso, uma interface HART-FF, o
HI302, utilizada, permitindo conexes
ponto a ponto e multi-drop.
O HI302 uma ponte entre equipamentos HART e sistemas Foundation Fieldbus,
possui 8 canais HART master e permite ao
usurio executar manuteno, calibrao,
monitoramento de status do sensor, status geral do equipamento, dentre outras
informaes.
WirelessHART
Nos ltimos anos, a tecnologia de redes

sem fio sofreu grandes avanos tecnolgicos
o que hoje pode proporcionar: segurana,
confiabilidade, estabilidade, auto-organizao (mesh), baixo consumo, sistemas
de gerenciamento de potncia e baterias
de longa vida. Em termos de benefcios
podemos citar, entre outros:
a reduo de custos e simplificao

das instalaes
a reduo de custos de manuteno,
pela simplicidade das instalaes
monitorao em locais de difcil acesso ou expostos a situaes de riscos
escalabilidade
integridade fsica das instalaes
com uma menor probabilidade de
danos mecnicos e eltricos (rompimentos de cabos, curto-circuitos no
barramento, ataque qumico, etc).
Hoje, no mercado, vemos vrias redes
proprietrias e tambm algumas padronizadas. Existem muitos protocolos relacionados
com as camadas superiores da tecnologia
(ZigBee, WirelessHART, ISA SP100) e
o protocolo IEEE 802.15.4 (2006) para as
camadas inferiores.
O protocolo IEEE 802.15.4 define as
caractersticas da camada fsica e do controle de acesso ao meio para as LR-WPAN
(Low-Rate Wireless Personal Area Network).
Eletrnica Aplicada
F42. Estrutura de uma rede

WirelessHART.
A padronizao para redes sem fio

mostra que, ainda que existam diferenas,
as normas esto convergindo e a principal
dentre elas, a SP100 e WirelessHART, da
ISA e HCF (HART Foundation e que hoje
vem sendo adotado como padro para a
Foundation Fieldbus e Profibus). Vamos comentar um pouco sobre o WirelessHART.
A estrutura de uma rede WirelessHART est representada no diagrama
da figura 42, onde a comunicao de uma
rede WirelessHART feita atravs de
uma gateway.
Consequentemente, o gateway precisa
ter a funcionalidade de um roteador de
pacotes para um destino especfico (instrumento da rede, aplicao hospedeira
ou gerenciador da rede). O gateway usa o
padro de comandos HART para comunicar
com os instrumentos na rede e aplicaes
hospedeiras (host applications).
Incluso ao HART 7 est o Wireless-HART, o primeiro padro aberto de
comunicao sem fio desenvolvido especificamente para atender as necessidades
da indstria de processo.
Opera na frequncia de 2,4 GHz ISM
usando o Time Division Multiple Access
(TDMA) para sincronizar a comunicao
entre os vrios equipamentos da rede. Toda
a comunicao realizada dentro de um slot
de tempo de 10 ms. Slots de tempo formam
um superframe.
Suporta chaveamento de canais (channel
hopping) a fim de evitar interferncias e
reduzir os efeitos de esvanecimento multipercurso (multi-path fadings). O protocolo
HART foi elaborado com base na camada
7 do protocolo OSI. Com a introduo da
F43. Sistema Wireless com o DF100

(Controlador HSE- WirelessHART).
tecnologia sem fio ao HART tem-se duas

novas camadas de Data Link: token-passing
e TDMA. Ambas suportam a camada de
aplicao HART.
Na figura 43 temos o primeiro controlador HSE (High Speed Ethernet) WirelessHART. um controlador da Smar que
traz ao mercado mais uma inovao. um
controlador com tecnologia digital aberta e
integrvel em sistemas baseados em HSE.
Uma rede de comunicao WirelessHART estruturada em malhas, onde
cada sensor funciona como um router,
ou como um repetidor. Deste modo, o
alcance de uma rede no depende apenas
de uma gateway central, o que permite
a configurao de uma ampla estrutura de
rede distribuda.
uma forma inteligente de se garantir
que em uma situao de obstruo que possa
causar a interrupo de um caminho de
comunicao, o sistema remaneje e consiga
rotas alternativas, aumentando e garantindo
assim a disponibilidade da rede.
O WirelessHART adota uma arquitetura utilizando uma rede Mesh baseado
no IEEE 802.15.4 operando na faixa de 2,4
GHz. Os rdios utilizam o mtodo de DSSS
(espalhamento espectral com sequenciamento direto) ou salto de canais FHSS
(Spread Spectrum de salto de frequncias)
para uma comunicao segura e confivel,
assim como comunicao sincronizada entre

os dispositivos da rede utilizando TDMA
(Time Division Multiple Access).
As redes Mesh permitem que os ns
da rede se comuniquem entre si estabelecendo caminhos redundantes at a base,
aumentando a confiabilidade, pois se um
caminho est bloqueado, existem rotas
alternativas para que a mensagem chegue
ao seu destino final.
Este tipo de rede tambm permite
escalabilidade simplesmente adicionando
mais ns ou repetidores na rede. Outra caracterstica que quanto maior a rede, maior
a confiabilidade porque mais caminhos
alternativos so automaticamente criados.
Uma rede WirelessHART possui trs
dispositivos principais:
Wireless Field devices: equipamentos de campo
Gateways: permitem a comunicao
entre os equipamentos de campo e
as aplicaes de controle
Network Manager: responsvel
pela configurao da rede, gerenciamento da comunicao entre os
dispositivos, rotas de comunicao
e monitoramento do estado da rede.
O Network Manager pode ser integrado em um gateway, aplicao
no host ou em um controlador de
processo.
Eletrnica Aplicada
Industrial
F44. Exemplo de um Sistema Digital Aberto, baseado

em redes industriais: SYSTEM302, Smar.
Sistema de automao
aberto baseado em
redes industriais
A figura 44 mostra um exemplo de um

sistema verdadeiramente aberto baseado em
redes industriais. O SYSTEM302, sistema
de automao e controle da Smar, fornece
uma plataforma de automao com ampla
capacidade de conectividade com as mais
diversas tecnologias (Foundation Fieldbus,
Profibus-DP, Profibus-PA, HART/4-20mA,
DeviceNet, AS-i, I/O convencional, Modbus,
DNP3, HSE, etc), criando um ambiente
amigvel, flexvel, escalonvel, integrado
e colaborativo.
O ambiente integrado facilita a engenharia, comissionamento, manuteno e gesto
de redes de campo. Sua interface intuitiva
permite a fcil operao e diagnstico de
todo o sistema. uma arquitetura poderosa
de informaes e a soluo para:
Sistemas de automao para os mais
diversos segmentos industriais
Aplicaes de pequeno, mdio e
grande porte
Sistemas hbridos de controle de
processo, combinando o melhor dos
dois mundos, SDCD e CLP
Controle contnuo e discreto, controle avanados, tempos de varreduras

menores, arquiteturas redundantes
Melhoria da eficcia operacional
atravs de informaes integradas
Gerar solues eficazes atravs da
engenharia simplificada e integrada
Gerenciamento de informaes e
alarmes
Gerenciamento de Ativos e gesto
de Negcios (MES)
Conectividade, modularidade e
facilidade de expanso
Segurana aliada confiabilidade
de hardware e software
Excelncia operacional
Para mais detalhes, consulte: www.
smar.com/brasil2/system302/
Concluso
As Redes de Comunicao Industrial

tm um papel fundamental para as indstrias em geral. Hoje a automao extrapola
o cho de fbrica e chega ao mundo dos
negcios. Vimos vrios padres abertos e
suas caractersticas.
O fator tecnolgico imprescindvel para
a sustentabilidade de uma unidade indus-
trial. A inovao tecnolgica responsvel

pelo rompimento e/ou aperfeioamento das
tcnicas e processos de produo. Pode,
desta forma, trazer ganhos em termos de
competitividade.
Neste caso, deve-se romper com a
tecnologia convencional e ampliar as
possibilidades de sucesso com a inovao
demandada pelo mercado, neste caso
sistemas de automao verdadeiramente
abertos, com tecnologia digital, baseados
em redes industriais e com vrias vantagens
comparadas aos convencionais SDCDs:
Reduo do erro de medio com a
eliminao da converso A/D do sinal vindo do transmissor de campo;
Visibilidade acrescida de toda a
instrumentao digital, isto , desde
o cho de fbrica at a automao
dos negcios;
Diagnsticos em linha, em qualquer
ponto do sistema;
Expanso da rede com o sistema em
funcionamento;
Reduo de materiais na fase de
montagem: eletrocalhas, eletrodutos, condulets, caixas de juno,
cabos, etc;
Eletrnica Aplicada
Redues de tempo e custo de comissionamento e partida de sistemas;
Reduo no uso de armrios de
rearranjo;
Interoperabilidade entre equipamentos de fabricantes diferentes;
Atualizao de firmware;
Instrumentos multivariveis;
Reduo do cabeamento, painis,
borneiras, fontes de alimentao,
conversores e espao na sala de
controle;
Alimentao do instrumento pelo
mesmo cabo de sinal;
Opes de segurana intrnseca;
Capacidade de auto-sensing (autor
reconhecimento) do instrumento,
permitindo fcil instalao e download de parmetros;
Reduo dos custos de engenharia,
instalao e manuteno. Alm do
controle de fluxo de informaes e
processos;
Gesto de ativos.
A mudana do controle de processo da
tecnologia 4-20 mA para as redes digitais e
sistemas abertos j se encontra num est-
gio de maturidade tecnolgica e usurios

colhendo seus benefcios.
Essa mudana encarada como um
processo natural demandado pelos novos
requisitos de qualidade, confiabilidade e
segurana do mercado.
A sua utilizao traz uma vantagem
competitiva, no sentido que essa nova tecnologia traz aumentos de produtividade pela
reduo das variabilidades dos processos e
reduo dos tempos de indisponibilidade
das malhas de controle.
E
Bibliografia
Material de Treinamento
Profibus - Csar Cassiolato.
Artigos tcnicos Foundation
Fieldbus, HART, Profibus,
Wireless - Csar Cassiolato
Manuais Smar
www.system302.com.br
www.smar.com.br
Csar Cassiolato Diretor de

Marketing, Qualidade e Engenharia
de Projetos & Servios da da Smar
Equipamentos Ind. Ltda., foi Presidente
da Associao Profibus Brasil Amrica
Latina de 2006 a 2010, Diretor
Tcnico do Centro de Competncia
e Treinamento em Profibus, Diretor
do FDT Group no Brasil, Engenheiro
Certificado na Tecnologia Profibus e
Instalaes Profibus pela Universidade
de Manchester.
Pesquisas na internet
Obs.: Todas as ilustraes, marcas
e produtos usados aqui pertencem
aos seus respectivos proprietrios,
assim como qualquer outra forma de
propriedade intelectual.
Desenvolvimento
Uso do DSP
como Sistema de
Controle Digital
Saiba como controlar motores
atravs desta ferramenta,
tanto no mtodo V/f como
no orientado a campo
Neste artigo, descreveremos como fazer a anlise e desenvolvimento de um projeto de controle digital de sistemas
desde a modelagem at a concepo de tcnicas avanadas
de controle usando um DSP (processador digital de sinais),
comparando as solues V/Hz (tenso/frequncia) versus FOC
(controle orientado a campo), que podem ser implementadas
para controlar um motor eltrico.
O potencial de mercado para desenvolver um sistema
de controle digital de motores imenso. Pois bem, vamos
comear, dividindo a definio da soluo em etapas.
Hamilton Kosaka Igncio
Anlise e desenvolvimento
de um sistema de controle
Vamos partir de um conceito bem simples de entender. Queremos medir a altura

do nvel de gua de um tanque (vide figura
1). Assim sendo, em nosso sistema temos a
sada (altura do nvel de gua h), o sensor
(flutuador), um atuador (vlvula ajustvel
que relaciona com a velocidade do fluxo de
gua v) e, finalmente, o controlador (mecanismo que converte a posio medida do
flutuador; o chamado feedback em abertura
de vlvula; o controle). O entendimento
dessa situao nos ajuda a modelar a soluo.
O que um sistema
de controle?
Um sistema de controle composto de

um processo ou planta, um controlador ou
controladores, juntamente com sensores e
atuadores (veja a figura 2).
A grande preocupao ao desenvolver um sistema de controle a sada se
comportar de acordo com o desejado e
esperado, ou seja,
Manter a sada (ou sadas) constantes;
Mudar a sada (ou sadas) do modo
desejado.
F1. Tanque de gua com nvel na altura h.
F3. Sistema de um Controle Digital de Motor.
F2. Diagrama de um Sistema de Controle.
Desenvolvendo um
Controle Digital de Motor
De posse do conceito acima, podemos

definir o sistema de controle digital de
motor, conforme mostrado na figura 3.
Note os principais elementos necessrios para implementar a soluo proposta,
incluindo as formas de onda em cada
etapa do modelo para melhor visualizar o
processamento em sua plenitude, ou seja,
para falarmos com o mundo real (que
analgico) atravs do mundo digital (por
exemplo, um controlador digital DSP),
colocaremos componentes que faam essa
interface (conversores A/D e D/A, amplificadores operacionais) e a atuao sobre o
motor ser realizada pela parte de potncia
(por exemplo, IGBTs ou MOSFETs). Pronto, j
temos um modelo para controlar um motor
eltrico, bem simples.
Quais so os requerimentos
de um controlador digital?
Passada a etapa do modelo de controle,
precisamos agora definir quais so as especificaes necessrias de um controlador
digital. Abaixo, seguem alguns requerimentos necessrios.
Alto poder de processamento para
implementar algoritmos avanados
de controle;
F4. Etapas do desenvolvimento de um Sistema de Controle.
Tempo rpido de resposta para

eventos e excees para garantir
segurana e adaptao ao processo e
mudanas no ambiente de contorno.
Alta preciso para minimizar erros
de quantizao e evitar introduo
de rudo no sistema.
Alta taxa de amostragem para minimizar o fenmeno do aliasing, ou
seja, evitar a introduo dos efeitos
de amostragem (rudo) no sistema.
Quais so os requerimentos
de um processador digital?
Em linhas gerais, necessitamos das
seguintes especificaes:
Grande poder de processamento
para desenvolver algoritmos complexos de controle e respostas rpidas
(instrues MAC/MACD executadas
em um nico ciclo de instruo)
Tamanho de palavra longa para faixa
dinmica e resoluo necessria
Baixa latncia de interrupo, lgica

rpida e operaes de salto para respostas rpidas a eventos e excees
Alta integrao de perifricos para
reduzir o overhead da CPU, tais
como timers, conversores A/D, gerador de sadas PWM, etc.
Interfaces de comunicao.
Note que o DSP uma boa escolha para
desempenhar a funo de controlador em
um sistema de controle digital de motor.
Vrios deles possuem arquitetura Harvard
modificada (parte de memria de dados pode
ser alocada para operar como memria de programa), multiplicador por hardware, pipeline
de vrios nveis, vrios perifricos integrados
ao silcio, facilitando a implementao desses
algoritmos complexos de controle.
Projetando um sistema
de controle
A seguir, apresentamos as etapas de

desenvolvimento de um sistema de controle (observe a figura 4 para detalhes de
interdependncia).
Desenvolvimento
F5. Sistema com Resposta Rpida a transientes.
F7. Modelo dinmico de motor com

transformao de coordenadas.
F6. Grficos (V x ) e (Te x ) para

o Controle Digital de Motor.
Exemplos de modelos de controle

Equaes diferenciais
Leis bsicas da fsica
Frequentemente simplificado
Equaes de transferncia
Transformada de Laplace
Plos e zeros
Equaes de estado
Transformada de Laplace
Plos e zeros
Modelagem: descrever o comportamento de um sistema (ou processo) atravs de

expresses matemticas.
Anlise e projeto: analisar o sistema e
projetar o controlador baseado em certos
critrios.
Simulao e teste: simular o sistema
proposto e testar segundo as condies
de contorno.
Implementao: implementar o projeto.
Veja alguns exemplos de modelos de
controle no box ao lado.
Critrios para projeto

Abaixo, citamos os principais critrios
para projetar o sistema de controle digital
de motor:
Estabilidade;
O sistema deve ser estvel;
Resposta de transiente (figura 5);
Rpido, overshoot limitado, pequeno
erro de estado steady;
Sensibilidade a variao de parmetros, robustez;
Atenuao a rudo e distrbios.
Em termos de solues de controle
para um determinado motor, temos alguns
possveis approaches, indo da clssica
ideia onde o foco posio dos polos e zeros, resposta em frequncia (diagrama de
Bode) e margem de estabilidade (critrio de

Nyquist), cujo controlador PID um bom
exemplo, at ideias mais modernas e avanadas como realimentao e observador de
estado, controles estocstico e adaptativo,
lgica fuzzy e redes neurais.
Note que a implementao de algumas
tcnicas de controle ainda est muito limitada ao poder de processamento do componente escolhido, porm o uso de DSP facilita
a implementao de algoritmos avanados
de controle, dando asas ao projetista para
voar e desenvolver novos produtos com
grande valor agregado, diferenciando-os
no mercado.
Para ilustrar toda essa narrativa, escolhemos um exemplo de controle de velocidade de um motor AC de induo (ACIM),
onde discutimos duas possveis solues:
Tenso/Frequncia (V/Hz) versus Controle
Orientado a Campo (FOC). Quais so os
prs e contras de cada uma das solues.
Algumas vezes, esse um dilema que vrios
projetistas tm que resolver para satisfazer
o binmio custo/benefcio.
Em termos gerais, segundo o princpio
de controle de velocidade, controlando o torque, ns conseguimos controlar a acelerao.
Para compreender melhor o princpio
de controle Tenso/Frequncia (V/Hz),
vide figura 6 com dois grficos. O primeiro
o perfil da tcnica V/Hz e o segundo no
domnio do torque.
Na regio de baixa velocidade, Vmin
aplicada para compensar a reduo de fluxo.
Na regio de debilitao do campo, fluxo e
torque so reduzidos, V=Vnom. Entre ambas
as regies, um fluxo constante aplicado
(fluxo nominal).
Quais so as limitaes
dessa tcnica?
O valor Rs no pode ser esquecido

em baixas velocidades, o modelo de fluxo
constante apenas uma aproximao, overshoots de corrente descontrolados devido a
oscilao do torque, entre outras.
Vamos agora analisar o princpio de
controle orientado a campo (FOC).
Essa tcnica baseia-se no uso de modelo
dinmico de motor AC de induo juntamente com a transformao de coordenadas,
migrando das coordenadas do estator a-b-c
para o sistema de referncia do fluxo do
rotor chamado referncia s-q (atente para
figura 7).
Nesse sistema, o controle do motor AC
de induo torna-se muito similar a uma
simples mquina DC (separately-exited DC
machine), visto que imR mantida constante.
Temos que isq controla o torque da mesma maneira que a corrente de armadura faz
em motor DC.
F8. Diagrama de Blocos do Controle Orientado a Campo para Inversor Trifsico.
Na figura 8, encontra-se um diagrama

de blocos do controle orientado a campo
para um inversor trifsico, controlando um
motor AC de induo.
Em termos de torque versus velocidade
para a tcnica FOC, veja a figura 9 com
detalhes da expresso torque-controle
instantneo.
Quais so as vantagens
dessa tcnica?
Torque mximo em toda faixa de rotao

at a velocidade nominal: baseada em
um modelo dinmico de motor, controle
de torque contnuo, as correntes do estator
so controladas em amplitude mxima,
entre outras.
A concluso a que chegamos que o
controle FOC apresenta a melhor soluo
tcnica, pois tem controle de fluxo e torque
contnuo ao passo que o controle V/Hz
no possui controle de torque contnuo,
alm de apresentar potenciais problemas
com o motor (perdas traduzidas em calor,
saturao do material magntico, ripples de
torque, desbalanceamento).
Quem estiver interessado em conhecer
com mais detalhes a soluo V/Hz para
motores AC de induo, visite o link abaixo
para baixar o application note: http://focus.
F9. Grfico (Torque x Velocidade) para um motor AC de induo.
ti.com/docs/apps/catalog/resources/appnoteabstract.jhtml?appId=120&abstract
Name=spra284a.
Agora, para aqueles leitores interessados em conhecer a soluo FOC para
motores AC de induo, visitem o link a
seguir para baixar o application report: http://
focus.ti.com/docs/apps/catalog/resources/
appnoteabstract.jhtml?appId=120&abstra
ctName=bpra073.
Esperamos que este artigo atinja o
objetivo de discutir algumas tcnicas de
controle e como implement-las. A nossa
ideia abrir a discusso do uso de DSP para
o controle digital de motores.
E
Hamilton Ignacio engenheiro eletrnico

com ttulo de MBA, com diversos cursos de
especializao em DSP e microcontroladores
nos EUA, e Gerente de Produtos e Aplicaes
da Texas Instruments para a Amrica do Sul.
Responsvel pela famlia de DSP
TMS320C2000, microcontroladores
MSP430, Stellaris ARM Cortex M3 e M4,
e conversores de dados, gerencia as reas
de automao industrial, instrumentao,
smart grid, controle digital de sistemas e
motores, linha branca, segurana eletrnica, automotiva e no-breaks, entre outras.
Tambm gerencia o programa universitrio
na Amrica do Sul.
Componentes
Cabos pticos Autossustentveis e o
Efeito Corona
Ricardo Pantoja*
efeito Corona (figura 1) tambm conhecido como fogo de

Santelmo. Esse efeito um fenmeno relativamente comum
em linhas de transmisso com sobrecarga.
Devido ao campo eltrico muito intenso
nas vizinhanas dos condutores, as partculas de ar que os envolvem tornam-se
ionizadas e, como consequncia, emitem
luz quando da recombinao dos ons e
dos eltrons.
O nome Fogo de Santelmo vem de
Santo Elmo, padroeiro dos marinheiros,
e surgiu quando antigos marinheiros
observavam navios com os mastros envolvidos por uma tnue luz. A superstio
cuidou de transformar esse fenmeno em
apario divina. Posteriormente, porm,
observou-se que tal apario ocorria
principalmente nas regies tropicais, em
condies que precediam as tempestades.
As nuvens eletrizadas induziam cargas
nas pontas dos mastros, produzindo o
efeito Corona.
O efeito Corona aparece na superfcie
dos condutores de uma linha area de
transmisso quando o valor do gradiente
de potencial a existente excede o valor
do gradiente crtico disruptivo do ar.
Mesmo em um campo eltrico uniforme,
entre dois eletrodos planos paralelos no
ar, uma srie de condies controlam essa
tenso disruptiva, tais como a presso do
ar, a presena do vapor dgua, o tipo de
tenso aplicada e a fotoionizao incidente. No campo no uniforme em torno de
um condutor, a divergncia do campo
exerce influncia adicional, e qualquer
partcula contaminadora, como poeira,
por exemplo, transforma-se em fonte
pontual de descargas (figura 2).
Descargas eltricas em gases so geralmente iniciadas por um campo eltrico que

acelera eltrons livres a existentes. Quando
esses eltrons adquirem energia suficiente
do campo eltrico, podem produzir novos
eltrons por choque com outros tomos.
o processo de ionizao por impacto.
Durante a sua acelerao no campo
eltrico, cada eltron livre colide com
tomos de oxignio, nitrognio e outros
gases presentes, perdendo, nessa coliso,
parte de sua energia cintica. Ocasionalmente, um eltron pode atingir um tomo
com fora suficiente de forma a excit-lo.
Nessas condies, o tomo atingido passa
a um estado de energia mais elevado. O
estado orbital de um ou mais eltrons
muda e o eltron que colidiu com o tomo perde parte de sua energia, para criar
esse estado.
Posteriormente, o tomo atingido
pode reverter ao seu estado inicial, liberando o excesso de energia em forma de
calor, luz, energia acstica e radiaes
eletromagnticas. Um eltron pode
F1. O efeito
Corona.
igualmente colidir com um on positivo,

convertendo-o em tomo neutro. Esse
processo, denominado recombinao,
tambm libera excesso de energia.
Toda a energia liberada ou irradiada
deve provir do campo eltrico da linha,
portanto, do sistema alimentador, para o
qual representa perda de energia e, por
conseguinte, prejuzo. Essas perdas e suas
consequncias econmicas tm sido objeto
de pesquisas e estudos h mais de meio
sculo, no obstante, s recentemente se
alcanaram meios que permitem determinar, com razovel segurana, qual o
desempenho que se poder esperar para
as diversas solues possveis para uma
linha de transmisso, no que diz respeito
a essas perdas.
De um modo geral, elas se relacionam
com a geometria dos condutores, tenses
de operao, gradientes de potencial nas
superfcies dos condutores e, principalmente, com as condies meteorolgicas
locais. Constatou-se, por exemplo, que as
perdas por Corona em linhas com tenses
F2. Explicao do
Efeito Corona.
extraelevadas podem variar de alguns

quilowatts por quilmetro at algumas
centenas de quilowatts por quilmetro,
sob condies adversas de chuva ou
garoa. As perdas mdias, como se verificou, podem constituir apenas pequenas
partes das perdas por efeito Joule, porm
as perdas mximas podem ter influncia
significante nas demandas dos sistemas,
pois a capacidade geradora para atender a
essa demanda adicional dever ser prevista, ou a diferena de energia importada.
Tanto as perdas com tempo bom
como aquelas sob chuva dependem dos
gradientes de potencial na superfcie dos
condutores. As perdas sob chuva dependem no s do ndice de precipitaes,
como tambm do nmero de gotculas
dgua que conseguem aderir superfcie
dos condutores. Esse nmero maior nos
condutores novos do que nos usados, nos
quais as gotas dgua aderem mais facilmente geratriz inferior dos condutores.
As linhas areas de transmisso de
energia eltrica h muito tm sido consideradas como causadoras de impacto visual
sobre o meio ambiente em que so construdas. Uma espcie de poluio visual
que os conservadores, urbanistas e estetas
h muito vm combatendo. O advento da
transmisso em tenses extraelevadas e as
perspectivas de transmisso em tenses
ultraelevadas enfatizaram dois outros
tipos de perturbao do meio, provocados
pelo efeito Corona, sendo-lhes atribudo
tambm carter de poluio: A radiointerferncia (RI) e o rudo acstico (RA).
Descargas individuais de Corona provocam pulsos de tenso e corrente de curta
durao que se propagam ao longo das
linhas, resultando em campos eletromagnticos em suas imediaes. Essas descargas
ocorrem durante ambos os semiciclos da
tenso aplicada, porm aquelas que ocorrem durante os semiciclos positivos que
irradiam rudos capazes de interferir na
radiorrecepo nas faixas de frequncia
das transmisses em amplitude modulada
(AM), em particular nas faixas das ondas
mdias. Eflvios de Corona tambm ocorrem em outros componentes das linhas,
tais como ferragens e isoladores, porm a
intensidade dos rudos gerados bastante
inferior dos gerados pelos condutores.
Ferragens defeituosas, pinos e contrapinos
mal ajustados ou soltos podem igualmente
gerar pulsos eletromagnticos. Estes, no entanto, ocorrem nas faixas das frequncias de
FM e TV, provocando interferncia ou
rudos nas recepes de FM e TV (TVI).
A gerao desses rudos interfere com
os direitos individuais dos moradores das
vizinhanas das linhas de transmisso,
uma vez que os rudos se podem propagar
alm das faixas de servido das linhas.
Ainda no possvel projetar-se economicamente uma linha de transmisso area
em tenses acima de 100 kV e que no
produza radiointerferncia. No obstante,
critrios corretos e ateno aos aspectos
relevantes do projeto podem produzir
um sistema que resulte pelo menos em
nveis aceitveis de perturbao. O estudo
do comportamento das linhas no que se
refere a RI bastante complicado em
virtude dos inmeros fatores que afetam
seu comportamento, muitos dos quais
ainda so indefinidos e nem mesmo completamente entendidos, de forma que os
efeitos cumulativos so considerados em
bases estatsticas.
Nos projetos de pesquisa sobre Corona
em tenses extra e ultraelevadas verificou-se, igualmente, que outra manifestao
sua no mais poderia ser descurada nas
linhas de 500 kV ou tenses mais elevadas,
dado o carter de poluio ambiental que
apresenta. a poluio acstica causada
pelo rudo caracterstico provocado pelos
eflvios do Corona. Esse aspecto tambm
vem merecendo crescente ateno no dimensionamento das linhas, a fim de que
o grau de perturbao seja mantido em
nveis aceitveis. Tais estudos mostraram
que o rudo auditivo funo dos mxi-
mos gradientes de potencial na superfcie

dos condutores.
Em vista do exposto, pode-se concluir
que, para as linhas de transmisso em
tenses extras e ultraelevadas, o dimensionamento econmico das linhas est
diretamente relacionado com a escolha do
gradiente de potencial mximo admissvel
na superfcie dos condutores das linhas de
transmisso. Gradientes para uma mesma
classe de tenso somente so reduzidos
mediante o emprego dos condutores de
dimetros maiores, ou maior espaamento
entre fases, ou pelo emprego de condutores mltiplos, com nmero crescente de
subcondutores, ou pela forma com que
so distribudos sobre o crculo tendo
como centro o eixo do feixe.
Alternativamente, vm sendo pesquisados outros mtodos para a reduo
da radiointerferncia e rudos audveis,
como a colocao de espiras ao longo
dos condutores ou o seu envolvimento
em capas de neoprene. A disposio dos
subcondutores em forma de polgono
irregular tambm vem sendo investigada
como meio de reduzir os gradientes de
potencial, e parece ser a forma mais promissora: possvel encontrar uma posio
para cada subcondutor na periferia de um
crculo, de forma que a gradiente em todos
os subcondutores seja mnima.
O emprego dos condutores mltiplos
assimtricos tem apresentado problemas
de estabilidade mecnica sob ao do
vento, e a melhor soluo sob esse aspecto
poder conflitar com a melhor soluo sob
o aspecto de distribuio de gradientes de
potencial. Atente para a figura 3.
F3. Cabo de Fibra tica poludo

prximo a linha de alta tenso.
Componentes
Clculo de trao e frmula
de design para cabo autossustentvel de fibra ptica
O clculo da tenso em um cabo de fibra ptica um processo um pouco difcil

para um engenheiro de design para cabos
pticos de fibra. A resistncia trao
(T) de todos os tipos de cabos dieltricos
autossustentveis pode ser calculada
usando-se a seguinte frmula e condies:
Flexa em condies normais: 0,5 m.
Presso do Vento: 700 Pa.
Temperatura mxima: 55 C.
Mnima temperatura: - 6 C.
Distncia entre Postes: 70 m.
T ser calculada a partir da seguinte
frmula:
Durante o perodo do teste, o alongamento da fibra que medido em termos

de tenso no deve exceder 0,20%. O cabo
de fibra ptica no deve sofrer danos
permanentes durante o teste.
O revestimento exterior do cabo de
fibra ptica deve ser cuidadosamente
examinado para quaisquer rachaduras
ou danos.
Onde:
T1 = tenso de instalao, sem vento (N)
T = tenso resultante sob pior carga (N)
w = massa de cabo (kg/m)
g = acelerao gravitacional (9,81 m / s2)
L = comprimento do vo entre os polos (m)
S = flexa do cabo, sem vento (m)
E = mdulo de elasticidade de membro da
fora (MPa)
a = rea da seco transversal de membro da
fora (mm2)
k = coeficiente de expanso linear de membro
da fora (/ C)
t1 = temperatura em que T calculado (C)
t = temperatura em que T1 calculada (C)
P = presso de vento (Pa)
D = rea projetada por metro de cabo (mm2)
F = Fator de forma (0,6 por cabo redondo)
Condies do teste de trao

para um cabo de fibra tica
autossustentvel
O comprimento do cabo de fibra tica

em teste ter um mnimo de 70 m.
Terminar ambas extremidades do cabo
de fibra ptica em teste com um tipo dedal, pr-formado em torno da braadeira
de terminao.
Ancorar a extremidade um, ao aplicar
a carga T. Manter a carga de trao por 10
minutos enquanto se mede o alongamento
da fibra.
Creep test
A amostra do cabo de fibra ptica

usada no teste de trao deve ser utilizada e o teste de configurao pode ser
o mesmo.
Aplicar uma carga Tc = (T + T1) / 2,
onde Tc = tenso de Creep. Veja os mtodos de instalaes dos cabos, nas figuras
4, 5 e 6.
F4. Dois Mtodos utilizando

o Carretel Mvel.
F5. Mtodo Carretel Fixo usando

um Cabo pr-instalado.
F6. Mtodo do Carretel

fixo puxando o cabo.
Como sugesto ser apresentado na

tabela 1, o modelo de cabo TELDOR para
vos de 70 metros, considerando o SAG de
0,7% com PART NUMBER F902040612B.
Este modelo composto de 6 tubos
LOOSE TUBE contendo 4 fibras monomodo por tubo. Na sua construo todas
as fibras so protegidas e reforadas com
kevlar e tambm bloqueadas contra umidade e gua waterblocking.
Sendo muito importante nestas aplicaes, acrescenta-se uma capa externa confeccionada em polietileno de alta densidade
HDPE resistente a extremos de temperatura, impacto, torso e raios UV.
E
(*) Ricardo Pantoja fundador e diretor da empresa Pantoja Engineering & Consultant - Ethernet
Industrial: www.pantojaindustrial.com
ADSB-9-06X04-D-KP-D 70M_120KM_H_0.7%Sag
Part Number:
Applications:
General Construction:
Outer Jacket Material:

Outer Diameter:
Weight:
Design & Materials
Buffer Material:
Color code:
Central Strength Member:
Cabling:
Strength Elements:
Total Number of Tubes:
Number of fibers:
Waterblocking:
Rip-Cord:
Outer Jacket Color:
Marking:
Standards
Applicable Standards:
Installation:
Performance
Max. Span:
Sag:
Max. Installation Tension:
Loading Tension:
Max. Wind Velocity:
Impact Resistance:
Impact Resistance:
Max. Crush Resistance:
Min. Bend Radius for Installation:
Min. Bend Radius for Operation:
Max. Operating Temperature:
Min. Operating Temperature:
Max. Installation Temperature:
Min. Installation Temperature:
Max. Storage Temperature:
Min. Storage Temperature:
F90240612B
The Teldor P/N and Description
Aerial Installations
This All Dielectric Self-Supporting (ADSS) cable contains 24 SM
color coded optical fibers. The cable contains 6 loose tubes filled
with thixoropic gel, 4 fibers in each tube. The loose tubes are
stranded around a dielectric central strength member. The cable
core is reinforced and protected by dry waterblocking strength
yarns, and an outer jacket with a black, UV-resistant HDPE compound completes the cables construction.
HDPE
10.5 mm nom.
85 kg/km
PBT
Per TIA/EIA 598-C
FRP
SZ
Aramid Yarns
6
24
Dry Waterblocking
Yes
Black
Per request
IEC 60794, EIA/TIA-455
Guidelines as per IEC 60794-1-1 Annex A
70 m
0.7 %
970 N
3000 N
120 km/hr
3 Nm
20 cycles
400 N/cm
20xD mm
10xD mm
+70 C
40 C
+35 C
5 C
+70 C
40 C
T1. Caractersticas do cabo TELDOR

para vos de 70 metros.
Componentes
Insulated Gate
Bipolar Transistor (IGBT)

Conhea sua estrutura, e a importncia do Insulated Gate Bipolar
Transistor (IGBT ) na automao
industrial.
Alexandre Capelli
esde a inveno do primeiro tiristor de quatro camadas PNPN

pelos laboratrios Bell em 1957,
houve um grande avano nos
dispositivos semicondutores de potncia.
Na verdade, estes substituram as rudimentares vlvulas ignitron, phanatron e
thyratron, que j eram capazes de suportar grandes correntes e elevadas tenses
reversas de chaveamento. Na maioria
dos casos, esses semicondutores devem
tambm operar em elevadas frequncias
como, por exemplo, na etapa de sada de
inversores. Para suprir essa necessidade
foi, ento, criado o IGBT. Confira agora
seu funcionamento, e entenda qual sua
importncia na automao industrial.
Estrutura e Funcionamento
O IGBT rene duas importantes caractersticas: alta velocidade de comutao

mesmo em grandes potncias (semelhante
aos transistores bipolares); e alta impedncia de entrada (como os MOSFETs).
Os transistores bipolares de frequncia possuem caractersticas que permitem
sua utilizao no chaveamento de ele-
vadas correntes com muitas vantagens,

sendo a principal as baixas perdas no
estado de conduo.
Sua desvantagem, entretanto, a alta
corrente de base, visto que eles operam
como amplificadores de corrente. J os
transistores de efeito de campo MOS de
potncia, por serem excitados por tenso,
tm a vantagem de uma alta impedncia
de entrada, exigindo correntes nfimas
para seu funcionamento. Estes dispositivos, porm, tm como desvantagem a
baixa velocidade de comutao, devida s
capacitncias parasitas de gate.
O IGBT um componente hbrido
que rene a facilidade de acionamento
dos MOSFETs e sua elevada impedncia
de entrada, com pequenas perdas em
conduo dos transistores bipolares de
potncia. Assim, a velocidade dos IGBTs
semelhante a estes, no entanto, nos ltimos anos tem crescido gradativamente,
permitindo sua operao em frequncias de dezenas de kHz, e centenas de
ampres.
Com essas duas facilidades, este componente torna-se cada vez mais indicado
F1. Limites de operao de componentes

semicondutores de potncia.
F2. Estrutura
do IGBT.
para comutao de cargas em alta velocidade e corrente.

Na figura 1 apresentamos um grfico
contendo uma comparao entre os principais dispositivos semicondutores de
potncia quanto s suas caractersticas de
tenso, corrente e frequncia de operao.
Podemos ver que os tiristores so os
dispositivos que conseguem superar os
maiores valores de corrente e tenso,
mas no podem operar em frequncias
de chaveamento elevadas. Por outro
lado, os IGBTs possuem uma capacidade
de suportar maiores tenses e podem
operar em mais altas frequncias que
os transistores bipolares de potncia, e
ainda maiores tenses e correntes que
os MOSFETs de potncia. Como observamos, a regio segura do IGBT maior
que as regies reservadas ao MOSFET e
ao transistor bipolar.
A figura 2 ilustra a estrutura tpica de
um IGBT de canal tipo N (o canal P tem
seu funcionamento anlogo).
Diferenas
A principal diferena entre a estrutura

do IGBT e a do MOSFET a incluso de
um substrato P + (o smbolo + uma
conveno para indicar que esta regio
fortemente dopada, enquanto o smbolo -
indica que a regio fracamente dopada)
onde conectado o terminal de coletor. Esta
mudana tem como efeito a incluso das
caractersticas bipolares do componente. A
camada P+ tem como objetivo a formao de
portadores positivos (lacunas) na regio de
arrastamento (Drift region) como feito em

um transistor bipolar do tipo PNP.
Na estrutura do IGBT importante notar
que o terminal de porta est conectado s
duas regies (isoladas do material semicondutor atravs de uma camada isolante de
xido de silcio SiO2) ao invs de ser apenas
uma nica regio como costumamos ver em
MOSFETs. O IGBT, portanto, apresenta a formao de dois canais ao invs de apenas um.
Na figura 3 podemos contemplar o circuito equivalente do IGBT, construdo com
o MOSFET e um transistor bipolar. Quando
uma tenso positiva aplicada ao gate do
MOSFET, sua resistncia entre dreno e fonte
(representada por Rmod) cai drasticamente.
Desta forma a base do transistor bipolar PNP aterrada, levando-o a saturao
(VCE 0 V), e, consequentemente, energizando a carga.
bom lembrar que o transistor IGBT
utilizado, quase sempre, como chave, ou seja,
trabalha no corte ou na saturao.
Limites de Operao e
Parmetros do IGBT
Os limites de operao (ratings) so

os valores mximos que cada parmetro
pode assumir tais como: tenso, temperatura, potncia dissipada, etc., recomendados, claro, pelo fabricante. Para garantir
uma vida longa para o componente e,
consequentemente, ao equipamento de
que ele faz parte, imperativo que estes
valores sejam respeitados.
Cada tipo apresenta seu prprio limite, sendo alguns deles interligados em
F3. Circuito
equivalente.
mdulos, conforme podemos observar

na figura 4. Outros, entretanto, podem
ser comercializados individualmente, em
encapsulamento TO 220.
A seguir, faremos uma breve anlise
dos principais parmetros deste componente:
Corrente contnua
de coletor
Esta corrente definida como a corrente mxima direta que pode fluir atravs
do dispositivo a uma dada temperatura
(geralmente entre 70 e 85C) de encapsulamento, em conjunto com a mxima
temperatura de juno (intrnseca ao
transistor) durante a mxima potncia
dissipada.
Este valor funo de:
T Jjax = Temperatura mxima de
juno
RTH(j-c) = Resistncia trmica entre
juno e encapsulamento
VCE(sat) = VCE na saturao
VGE = Tenso aplicada ao gate em
relao ao emissor
A frmula que relaciona essas grandezas :
*VCE(sat) = considerando IC a uma TJmax mxima.
Conforme podemos observar pela

figura 5, e considerando uma fonte cons-
Componentes
tante, quando aumentamos a tenso de
gate, a tenso de saturao (VCE) diminui,
e a corrente de coletor (IC) aumenta.
J a figura 6 mostra como o IC diminui
com o aumento da temperatura do encapsulamento (TC).
Capacidade de bloqueio entre

coletor e emissor:
A capacidade de bloqueio entre
coletor e emissor, conhecida como VCES
(continuous collector to emitter voltage), a
mxima tenso que a juno entre coletor
e emissor pode suportar, estando o gate
em curto-circuito com o emissor (sob a
mxima temperatura permitida).
Tenso gate/emissor
A tenso VGES (gate to emitter voltage)
a tenso que pode ser aplicada entre a
juno gate e o emissor sem que ocorra a
degradao do componente.
O fator que influencia diretamente
esse parmetro a espessura da camada
de xido de isolao do gate, determinada
na fabricao do IGBT.
Potncia total
a mxima potncia (PTOT) que pode
ser dissipada pelo componente a uma
temperatura TC.
A potncia total dissipada = perdas
no estado on + perdas no chaveamento
+ perdas no estado off.
Obs.: Dimenses em mm
F4. Alguns exemplos de

mdulos de IGBTs.
Este parmetro est relacionado com a

permeabilidade da dissipao da temperatura entre invlucro e o ambiente, bem como
a resistncia trmica entre a juno e ele.
Outros fatores de influncia so: temperatura da juno, corrente de coletor, e
tenso entre gate e emissor.
Temperatura da juno
a faixa (mnima e mxima) de temperatura em que a juno do componente
pode operar.
Caractersticas
Eltricas Estticas
F5. Tenso
Gate x Ic.
F6. Temperatura de
encapsulamento x Ic.
Estas caractersticas descrevem o

comportamento do componente em duas
situaes: on-state (conduo) e off-state (corte).
Off-State
ICES: a corrente de bloqueio entre
cowletor e emissor (ou collector

cut-off). No datasheet especificado
na tenso de corte entre coletor e
emissor (VCES) com gate e emissor
em curto-circuito a uma temperatura (TJ) de 25 C. Este parmetro
uma juno de VCES e TJ. ICES aumenta com o aumento de VCES e TJ.
IGES: a corrente residual entre gate
e emissor em uma tenso especfica VGE, com coletor e emissor em
curto-circuito (VCE = 0) e TJ = 25C.
Estado de conduo (on-state):

VGE(th): a tenso mnima entre gate
e emissor requerida para levar o

IGBT ao estado de conduo, com
uma IC e VCE determinada.
VGE(sat): a tenso de saturao entre
gate e coletor e emissor, a qual, uma
vez atingida, qualquer valor acima
no alterar a condio de on-state.
Todos os parmetros acima so influenciados diretamente pela temperatura. A figura 7 ilustra a diferena da
corrente de coletor para uma temperatura
de 25C e de 125C.
Caractersticas Dinmicas
As caractersticas di-nmicas descrevem a performance do componente em

dois estados de transio: de off para on;
e de on para off. H grande perda durante
este chaveamento, portanto importante
contemplar esses parmetros a fim de
determinar o montante das perdas.
Tenso turn-on
A figura 8 apresenta o comportamento
de VCE e IC neste perodo.
td(on): o tempo de atraso para o
estado on (delay time), e definido
como tempo decorrido entre VGE =
0 at IC = 10% do valor final (t1 a t2).
t1: o tempo de subida (rise time) para
aumentar IC de 10% a 90% do valor
final (t2 a t3). Este parmetro funo
das caractersticas de cada IGBT.
ton: a soma de td(on) + tr
Eon: a energia perdida em turn-on tambm exibida na figura 8.
F7. Comparao de Ic a
T = 25C e T = 125C.
Componentes
Transio turn-off
As formas de onda no perodo de
transio turn-off podem ser vistas na
figura 9.
td(off): o tempo de atraso no desligamento (turn-off delay time), e
definido como o tempo decorrido
de VGE = 90% do valor inicial at IC =
90% tambm do valor inicial (t8 a t9).
tr: o tempo da queda de IC = 90%
at 10% do valor inicial (t9 a t10).
toff: a soma entre td(off) e tr.
Eoff: a energia dissipada na transio (figura 9).
Um conceito final, e que resume todo
o processo, o fenmeno de formao do
canal n- (fracamente dopado) no tempo de
estado on, bem como sua extino em off.
Relao entre
VCE, VGE, PTOT, IC e TJ
F8. Formas de onda tpicas da

transio para o estado ON.
F9. Formas de onda tpicas da

transio para estado OFF.
F10. Vce x
Vge.
F11. Vce
x Ic.
Estes parmetros esto ligados intimamente, e a alterao de um pode afetar

os demais. O principal deles a tenso de
controle VGE (gate/emissor). Como j foi
visto, seu aumento leva o IGBT ao estado
de conduo, diminuindo radicalmente
VCE. O mximo valor de VGE, usualmente
20 V, porm, o recomendado 15 V. A figura 10 ilustra os efeitos do VGE sobre VCE,
e como eles afetam a corrente de coletor e
temperatura do dispositivo.
Como podemos notar pela figura 11,
VCE(sat) aumenta com a elevao da corrente de coletor, o que eleva a dissipao
de potncia.
VCE(sat) ir aumentar com o acrscimo
de temperatura em caso de altas correntes de coletor. Isto o que chamamos de
operao na regio de coeficiente positivo de temperatura. Quando, porm, a
corrente de coletor pequena, e VCE(sat)
diminui com o aumento de temperatura,
dizemos que o regime de operao na
regio de coeficiente negativo de temperatura. Esta regio muito til, visto que
diminui as perdas e aumenta a vida til
do componente.
Capacitncias do IGBT
F12. Capacitncias
parasitas do IGBT.
F13. Curva
RBSOA.
So trs as capacitncias parasitas

apresentadas em um IGBT (figura 12):
C RES: a capacitncia reversa de
transferncia (reverse transfer capacitance) est disposta entre o coletor e
gate, e pode ser analisada de modo
anlogo capacitncia Miller

(efeito Miller ) nos transistores
bipolares.
C IES: A capacitncia de entrada
(input capacitance) a soma da capacitncia entre gate e coletor; e a
gate com emissor.
C OES : A capacitncia de sada
(output capacitance) a soma das
capacitncias entre gate/coletor
e coletor/emissor, considerando
o gate em curto-circuito com o
emissor.
F14. Circuito de teste RBSOA.
F15. Forma de onda do teste.
F16. Expectativa de
vida x temperatura.
F17. Dissipador de calor para IGBT

com encapsulamento TO-220.
RBSOA
A rea segura de operao (Reverse

Biased Safe Operating Area) a curva que
limita a mxima corrente e a tenso de
operao que o componente pode chavear a uma temperatura mxima que
respeita as caractersticas do dispositivo.
Se o IGBT estiver dentro desta curva, teoricamente, ele no sofrer danos.
Normalmente, nos testes para determinar esta curva, os fabricantes aplicam
uma corrente 200% a mais da nominal,
com 85% de VCES a uma temperatura TJ =
125C. Alm disso, o IGBT trabalha com
uma carga indutiva (pior caso).
A figura 13 exibe uma curva RBSOA
tpica, e a figura 14 um exemplo de circuito de teste.
A figura 15 ilustra uma forma de onda
tenso x tempo do teste.
Dissipadores de Calor
A funo do dissipador de calor em

um IGBT (ou em um mdulo de IGBTs)
manter a temperatura da juno (ou
junes no caso de um mdulo) dentro
de um valor seguro (abaixo do mximo).
A temperatura da operao do IGBT
est relacionada com a expectativa de vida
do componente. A figura 16 mostra como
o aumento da temperatura diminui a vida
do componente de modo exponencial.
Por esta razo a escolha de um dissipador deve ser cuidadosa, pois ela define
a confiabilidade do sistema. Alguns equipamentos, inversores de frequncia, por
exemplo, utilizam coolers para melhorar a
conduo de calor entre o componente e
o meio ambiente.
Os fatores a serem considerados para
a escolha de um dissipador de calor (com
ou sem cooler) so:
Obs.: Dimenses em mm
F18. Dissipador para

mdulo de seis IGBTs.
Qual a mxima temperatura de
juno?
Qual a capacidade de sobrecorrente?
Qual o custo do sistema de dissipao?
Qual o espao fsico ocupado pelo
dissipador e ventilador?
Qual ou quais tipos so viveis de
serem instalados?
A figura 17 ilustra um dissipador

tpico de um IGBT em encapsulamento
TO-220; j a figura 18 exibe um dissipador
para um mdulo de seis IGBTs.
IGBTs e Inversores
de Frequncia
A importncia dos equipamentos inversores de frequncia (utilizados como

acionamentos de motores AC) na auto-
Componentes
mao industrial tornou-se extremamente
significativa nas ltimas dcadas.
Atualmente, inversores vetoriais e
sensor less j so dispositivos comuns
que equipam grande parte das mquinas
e sistemas de produo contnuos e da
manufatura.
At o final da dcada de 80, entretanto,
estes aparelhos eram muito caros e utilizados em situaes muito especficas. Naquela poca, os acionamentos em corrente
contnua (conversores CC) dominavam o
mercado, mesmo com as desvantagens
tcnicas quanto ao alto preo da manuteno preventiva e corretiva.
Um dos fatores que contribuam para
o alto preo dos inversores era sua etapa
de potncia, feita com transistor FET de
potncia (os famosos V FETs). Estes
componentes, alm de caros, no podiam chavear grandes cargas (motores
pesados).
O advento do IGBT, por outro lado,
foi fundamental para a popularizao
dos inversores de frequncia, fazendo
com que, em uma dcada, quase toda a
motorizao industrial se convertesse em
corrente alternada.
A figura 19 ilustra uma etapa tpica de
potncia de um inversor, feita com IGBTs.
A tendncia mais moderna integrar
estes componentes em mdulos (power block), de modo a otimizar o projeto e espao.
O princpio de operao simples, visto que um circuito eletrnico de controle
comuta trs IGBTs por vez (cada um em
associao em srie diferente com um na
parte de cima e outro na parte de baixo),
a ordem de chaveamento pode ser vista
na figura 20, onde temos as tenses em
cada uma das chaves com o tempo e a
tenso total entre a fase T e o neutro da
associao em Y.
Este tipo de inversor chamado de
seis passos, onde podemos observar
que a forma de onda da tenso da fase
T com respeito ao neutro formada por
seis segmentos idealmente retos. As
formas de onda nas demais fases so
iguais a T, defasadas em fase 120 uma
da outra.
Uma caracterstica interessante dos mdulos de IGBTs a presena dos diodos em
antiparalelo com cada componente. Estes
dispositivos so conhecidos como diodos
free whee ling, e protegem cada elemento
F19. Bloco funcional de um

inversor de 6 pulsos.
F20. Fase T em relao ao

neutro.
do mdulo da fora contra eletromotriz

gerada por cargas indutivas (motores).
Geralmente, estes diodos podem suportar 2/3 da corrente nominal de cada
transistor, o que confere proteo suficiente
para a maioria das aplicaes.
Concluso
Assim como os IGBTs podem ser

utilizados como etapa de potncia
de sada para inversores de frequncia, eles podem ser usados como

toda e qualquer chave esttica, cujo
regime de operao seja severo (alta
temperatura, corrente, tenso, e frequncia).
Esta caracterstica faz desse transistor
um importante elemento para sistemas
de alta confiabilidade em automao
industrial.
E
Componentes
Conversores
de
Dados:
Saiba como interpretar suas principais caractersticas,
e escolher o melhor tipo para sua necessidade
Os conversores de dados fazem
parte de uma infinidade de aplicaes eletrnicas modernas. Convertendo dados da forma digital
para analgica (DAC) ou da forma
analgica para digital (ADC), eles
operam em conjunto com microprocessadores, integrando DSP,
alm de estarem presentes numa
infinidade de aplicaes onde sinais
analgicos e digitais devam ser
processados e convertidos.
Nesta srie de artigos, feitos com
base em ampla documentao da
Texas Instruments, analisaremos
um pouco dos principais problemas
que envolvem o uso de conversores
de dados, com especial nfase para
pontos que muitos projetistas, mesmo experientes, s vezes esquecem
ou no conhecem, e que podem
comprometer um projeto, que so
as interpretaes das especificaes
e os erros.
onverter dados da forma digital

para analgica e vice-versa no
to simples como parece. A infinidade de tipos de conversores, com
caractersticas que nem sempre so bem
interpretadas, pode complicar as coisas
para um projetista e muito mais que isso,
induzi-lo a uma escolha errada.
Neste primeiro artigo de nossa srie
de trs, trataremos dos parmetros que
devem ser observados em um conversor
de dados ADC ou DAC, fornecendo elementos para que os projetistas tenham
condies de interpretar corretamente os
dados de suas folhas de especificaes, e
assim no errar na escolha do tipo apropriado para seu projeto.
O Conversor ideal
O conversor analgico-digital (ADC)

ideal tem uma curva de converso que
uma linha reta. No entanto, na realidade,
dada a quantidade finita de valores que
podem ser representados na forma digital
com um determinado nmero de bits, a
curva real de um conversor uma escada,
conforme ilustra a figura 1.
Do mesmo modo, o conversor digital-analgico ou DAC ideal tem tambm
uma curva que seria representada por
uma linha reta, com infinitos pontos de
converso. Contudo, na prtica, essa curva tambm uma escada onde o nmero
de degraus ou passos depende do nmero
de bits, e, portanto, da quantidade de
Newton C. Braga
F1. Curva de converso real de um Conversor AnalgicoDigital (ESCADA).

valores individuais que podem ser convertidos, observe a figura 2.

Analisemos os dois tipos de conversores separadamente para entendermos
melhor o que essa fuga do comportamento ideal pode representar na escolha de
um conversor.
O Conversor AnalgicoDigital ou ADC
Um ADC s pode representar uma

quantidade de valores finitos do sinal de
entrada.
Conforme vimos pela figura 1, cada
cdigo digital de sada representa apenas
uma frao da faixa analgica de entrada.
Como a escada de valores analgicos
contnua e a faixa de cdigos digitais
discreta, h um processo de quantizao
na converso que introduz um erro.
medida que o nmero de cdigos
discretos aumenta, os degraus da escada
de converso se tornam menores e a
funo de transferncia se aproxima de
uma linha reta ideal.
No projeto de um ADC os degraus
(ou passos) so programados de modo a
ter transies que fiquem no ponto mdio
de cada um na escada de converses,
justamente por onde passa a linha que
corresponderia a um conversor ideal.
A largura de um degrau definida
como 1 LSB (Least Significant Bit) ou bit
menos significativo, e utilizada tambm
como referncia para outras grandezas
nas especificaes dos conversores. Ela
tambm pode ser empregada para indicar
a resoluo de um conversor, j que define
o nmero de divises ou unidades da
escala analgica varrida pelo conversor.
Isso significa que LSB representa uma
quantidade analgica que corresponde
metade da resoluo analgica.
A resoluo de um ADC normalmente expressa pelo nmero de bits do cdigo
digital de sada.
Por exemplo, um ADC com n bits de
resoluo tem 2n cdigos digitais de sada,
os quais definem 2n degraus na escada
de converso.
Todavia, se levarmos em conta que o
primeiro degrau (zero) e o ltimo degrau,
tm apenas metade da largura total dos
demais degraus, devemos dizer que a escada total (full-range) ou FSR est dividida
em 2n -1 degraus.
F2. A curva real de um Conversor Digital

Analgico tambm uma ESCADA.
F3. Erro de offset do

conversor.
Isso quer dizer que para um conversor

de n bits temos:
O Conversor
Digital-Analgico
Um conversor digital-analgico s
pode representar um nmero limitado
de cdigos digitais de entrada. Com isso,
ele s pode fornecer um nmero finito de
valores analgicos de sada, conforme
vimos pela curva de transferncia da
figura 2.
Para um DAC, 1 LSB corresponde

altura de um passo entre dois valores
analgicos de sada (veja a figura 2),
e isso vale da mesma forma para um
ADC. Um DAC pode ser comparado a
um potencimetro controlado digitalmente, no qual a escala de valores de
sada determinada pelo cdigo digital
de entrada.
Erros
Como os conversores no so perfeitos, fugindo do comportamento ideal

pelas caractersticas que vimos, erros so
introduzidos. Analisemos alguns desses
erros.
Componentes
Fontes de Erros Estticos
Erros estticos so aqueles que afetam a

preciso de um conversor quando ele converte sinais estticos (DC). Esses erros podem ser
resumidos em quatro espcies: erro de offset,
erro de ganho, no linearidade integral e no
linearidade diferencial. Cada um deles pode
ser expresso em termos de unidades LSB, ou
ainda na forma de uma porcentagem.
Por exemplo, um erro de LSB em
um conversor de 8 bits corresponde a um
FSR de 0,2%. Examinemos em detalhes
esses erros:
Erro de offset
F4. Erro de Ganho do
Conversor.
O erro de offset, observe a figura 3,

definido como a diferena entre os pontos
nominais e reais de offset.
Para um ADC, o ponto de offset o
valor de meio degrau quando a entrada
digital zero.
Para um DAC o valor do degrau
quando a entrada digital zero. Esse tipo
de erro afeta todos os cdigos da mesma
forma (com igual intensidade) e pode
normalmente ser compensado com um
processo de ajuste ou compensao.
Se o ajuste ou compensao no
possvel, o erro referido como erro de
escala zero ou zero-scale, se indicarmos
o termo em ingls.
Erro de Ganho
O erro de ganho ilustrado na figura 4,

definido como a diferena entre o ponto
nominal e o ponto de ganho real na funo
de transferncia, depois de feita a correo
do erro de offset para zero.
Para um ADC, o ponto de ganho est
no centro do degrau quando a sada digital
est no final da escala, enquanto que para
um DAC o valor do degrau quando a
entrada digital est no seu valor mximo.
Esse erro representa a diferena entre
o desvio real e a funo de transferncia
ideal, uma vez que ele tem sempre a
mesma porcentagem de erro para cada
degrau. Ele tambm pode ser normalmente reduzido para zero atravs de
compensao ou ajuste.
Erro de No Linearidade Diferencial ou DNL (Differential Nonlinearity Error)

F5. Erro de No Linearidade Diferencial (DNL) do Conversor.
O erro de no linearidade diferencial

exibido na figura 5, e algumas vezes
F6. Erro Integral de No

Linearidade (INL).
F7. Erro Total de um

Conversor.
chamado simplesmente de linearidade

diferencial. No caso de um ADC, esse
erro dado pela diferena entre a largura
real do degrau (ou a altura do degrau se
for um DAC), e o valor ideal que de 1
LSB. Se a largura ou altura do passo for
exatamente 1 LSB, ento o erro de no
linearidade diferencial zero.
Se o DNL for maior que 1 LSB, ento
o conversor poder tornar-se no monotnico, ou seja, a magnitude da sada ser
menor para um aumento da magnitude
da entrada. Em um ADC existe ainda a
possibilidade que ocorra a ausncia de cdigos, ou seja, um ou mais dos 2n cdigos
de sada nunca estar presente na sada.
Erro Integral de No
Linearidade (INL)
O erro integral de no linearidade

(Integral Nonlinearity Error) abreviado por
INL mostrado na figura 6.
Esse erro dado pelo desvio da reta

ideal do valor na funo real de transferncia.
Essa linha reta poder ser a melhor
linha reta que seja desenhada para
minimizar esses desvios ou uma linha
reta traada entre os pontos extremos
da funo de transferncia, uma vez que
os erros de ganho e offset tenham sido
modificados.
O segundo mtodo denominado
linearidade de pontos extremos.
Para um ADC, os desvios so medidos nas transies de um degrau para
o seguinte, e para os DAC so medidos
a cada degrau.
O nome no linearidade integral
deriva do fato de que a soma das no
linearidades diferenciais de baixo para
cima de um degrau especfico determina o valor da no linearidade integral
naquele passo.
Erro de Preciso
Absoluta (Total)
A preciso absoluta ou erro total de

um ADC, representada na figura 7.
Trata-se do valor mximo que a diferena de um valor analgico tem em
relao ao valor mdio do degrau. Esse
erro inclui o os erros de ganho, de offset e
de no linearidade integral, assim como
o erro de quantizao no caso dos ADCs.
Erro de Abertura
O erro de abertura, tambm conhecido

como jitter de abertura, causado pela
incerteza no instante em que a amostragem e manuteno passam do modo de
amostragem para o modo de manuteno,
observe a figura 8.
Essa variao causada pelo rudo no
clock, ou pelo sinal de entrada. O efeito do
erro de abertura uma limitao para a
fixao da frequncia mxima de um sinal
Componentes
senoidal aplicado na entrada porque ele
define a taxa mxima de crescimento do
sinal. As frmulas que determinam esse
erro so dadas nessa prpria figura.
Efeitos da Quantizao
F8. Erro (ou jitter) de Abertura

do Conversor.
Na prtica, os sinais analgicos na

entrada de um ADC formam um espectro contnuo de valores com um nmero
infinito de estados possveis. Entretanto,
a sada digital uma funo discreta
com um nmero finito de estados que
so determinados pela resoluo do
dispositivo.
Em consequncia disso, parte dos
valores de tenses diferentes aplicadas na
entrada representada pelo mesmo valor
digital na sada. Assim, parte da informao perdida, e uma distoro no sinal
introduzida. Isso o que denominamos
de rudo de quantizao.
Para uma escada de transferncia ideal
de um ADC, o erro entre o valor real da
entrada e a forma digital obtida na sada
ter uma densidade de probabilidade
uniforme se o sinal de entrada for considerado aleatrio.
Ele pode variar na faixa de +/- LSB
ou +/-q/2, onde q a largura de um passo,
como ilustra a figura 9.
Nela, temos as frmulas que permitem
calcular esse erro.
Amostragem Ideal
F9. Erro de Quantizao

do Conversor.
Quando se converte um sinal contnuo

em relao ao tempo em uma representao digital, o processo de amostragem
um requisito fundamental para o bom
funcionamento disso.
No caso ideal, a amostragem consiste
em um trem de pulsos que so infinitamente estreitos e tm uma unidade de
rea. A recproca do tempo entre cada
impulso chamada taxa de amostragem
(sample rate).
O sinal de entrada tambm deve ter
suas caractersticas limitadas, no contendo componentes acima de certo valor no
seu espectro, veja exemplo na figura 10.
A condio de amostragem ideal
representada tanto no domnio de frequncia quanto de tempo.
O efeito da amostragem no domnio
do tempo produz um trem modulado em
amplitude que representa o valor do sinal
no instante da amostragem.
No domnio de frequncias, o espectro

do trem de pulsos uma srie de frequncias discretas que so mltiplas da taxa
de amostragem.
A amostragem convolve o espectro do
sinal de entrada de tal forma que o trem de
pulsos produz o espectro combinado, exibido na figura, com duas bandas laterais
em torno de cada frequncia discreta, que
so produzidas no processo de modulao
em amplitude.
O efeito de algumas frequncias mais
altas refletido de tal forma que h a produo de uma interferncia nas frequncias mais baixas. Essa interferncia causa
distoro, que chamada tecnicamente
aliasing ou falseamento.
Se o sinal de entrada manuseado de
modo a ter limitaes para uma frequncia determinada fl, numa frequncia de
amostragem fa como mostra a figura 10,
o desvio e o fenmeno de falseamento no
vo ocorrer se:
fl < fa fl
F10. Representao da Amostragem de um Sinal
nos domnios do tempo e Ideal da frequncia.
Ou seja:
2fl < fa
Dessa forma, na amostragem realizada
em uma frequncia que seja pelo menos
duas vezes maior que a frequncia do sinal de entrada, o fenmeno do aliasing ou
falseamento no acontece e a informao
contida no sinal pode ser extrada.
Esse o Teorema da Amostragem de
Nyquist, que fornece o critrio bsico
para a seleo da taxa de amostragem
necessria converso de um sinal de
entrada numa determinada faixa de
frequncias.
A Amostragem Real
O conceito de pulso til para simplificar a anlise do processo de amostragem.

Todavia, trata-se de um ideal terico que
pode ser aproximado, mas nunca alcanado na prtica. Em lugar disso, o sinal real
uma srie de pulsos com um perodo
que igual ao recproco da frequncia de
amostragem.
O resultado da amostragem com o
trem de pulsos uma srie de pulsos mo-
dulados em amplitude conforme ilustra

a figura 11. Examinando o espectro do
trem de pulsos retangulares, observamos
uma srie de frequncias discretas, mas
a amplitude dessas frequncias modificada por um envelope. O erro resultante
disso pode ser controlado por um filtro
que compensa o envelope senoidal. Ele
pode ser implementado como um filtro
digital num DSP ou utilizando tcnicas
analgicas convencionais.
O Efeito de Falseamento e
Consideraes
Nenhum sinal realmente determinstico e em consequncia, na prtica,

ocupa uma faixa infinita de frequncias.
Entretanto, a energia nas componentes
de frequncias mais altas diminui gradualmente de tal forma que a partir de certo
valor, sua presena pode ser considerada
irrelevante. Esse valor pode servir de referncia para a elaborao de um projetista.
Como mostrado, a intensidade do
falseamento ou aliasing afetada pela
frequncia de amostragem e pela largura
de faixa relevante do sinal de entrada,
filtrado da forma necessria. O fator que

determina quanto de falseamento pode
ser tolerado , em ltima anlise, a resoluo do sistema.
Se o sistema tem baixa resoluo, ento o piso de rudo relativamente alto
e o efeito de falseamento no aparece
de modo significativo. Contudo, em um
sistema de alta resoluo, o efeito do
falseamento pode aumentar o piso de
rudo consideravelmente, e ento deve
ser controlado de forma mais completa.
Uma forma de prevenir o efeito
de falseamento aumentar a taxa de
amostragem. Todavia, a frequncia est
limitada pelo tipo de conversor usado
e tambm pela taxa mxima de clock do
processador digital que recebe e transmite
os dados. Assim, para reduzir os efeitos de
falseamento para nveis aceitveis, filtros
analgicos devem ser usados de modo
a alterar o espectro do sinal de entrada,
observe a figura 12.
Escolha do Filtro
Conforme vimos, na amostragem

existe uma soluo ideal para a escolha do
Componentes
F11. Resultado da Amostragem Real do Sinal nos

domnios do tempo e da frequncia.
filtro e para a realizao prtica que no

comprometa o projeto. O filtro ideal considerado uma barreira que no introduz
nenhuma atenuao na faixa passante e ao
mesmo tempo corta instantaneamente os
sinais indesejveis.
Na realidade, isso no ocorre, pois
todo filtro introduz certa atenuao na
faixa passante, tem uma resposta finita e
deixa passar algumas frequncias na faixa
que deve ser bloqueada. Alm disso, ele
tambm pode introduzir distoro de fase
e de amplitude nos sinais.
A escolha admite diversas possibilidades.
Filtro Butterworth
Filtro de Chebyshev
Filtro Inverso de Chebyshev
Filtro de Cauer
Filtro de Bessel-Thomson.
Cada um desses filtros apresenta caractersticas apropriadas para determinados tipos de projetos, devendo o projetista
de conversores de dados conhec-los
muito bem para saber qual deve usar
numa aplicao.
E
F12. Uso de Filtro Analgico para reduo do

efeito de falseamento para nveis aceitveis.

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