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Falta
Para obter essa coordenao, algumas regras prticas podem ser adotadas
para as diferentes formas de ligao de dispositivos de proteo. Os itens seguintes
apresentam as diferentes formas de ligao dos dispositivos de proteo e as
condies que garantem uma boa coordenao da proteo.
8.6.1 Fusvel em srie com fusvel.
A Figura 8.14 apresenta um fusvel em srie com outro fusvel.
Figura 8.14: Fusvel em srie com fusvel.
apresenta
um fusvel
em
srie
com
um
disjuntor
Faixa de curto-circuito:
Tatuao do fusvel Tatuao do disjuntor + 50ms
A Figura 8.17 tambm apresenta a condio que garante uma perfeita
coordenao entre os dispositivos ligados em srie.
8.6.3 Disjuntor termomagntico em srie com fusvel
A Figura 8.18 apresenta um disjuntor termomagntico em srie com um
fusvel.
Figura 8.18: Disjuntor termomagntico em srie com fusvel.
Faixa de curto-circuito:
Tatuao do disjuntor Tatuao do fusvel + 100ms
A Figura 8.19 tambm apresenta a condio que garante uma perfeita
coordenao entre os dispositivos ligados em srie.
8.6.4 Disjuntor em srie com disjuntor
A Figura 8.20 apresenta um disjuntor em srie com outro disjuntor
termomagntico.
Figura 8.20: Disjuntor em srie com outro disjuntor.
situao torna-se mais crtica nos pontos de entrada e sada da corrente, uma vez
que:
a pele apresenta uma elevada resistncia eltrica, enquanto os tecidos internos
so, comparativamente, bons condutores;
a resistncia de contato entre a pele e as partes sob tenso soma-se
resistncia da pele;
a densidade de corrente maior nos pontos de entrada e de sada da corrente,
principalmente se forem pequenas as reas de contato.
As queimaduras produzidas so tanto mais graves quanto maior a
densidade de corrente e quanto mais longo o tempo pelo qual a corrente
permanece. Nas altas tenses, predominam os efeitos trmicos da corrente, o calor
produz a destruio de tecidos superficiais e profundos bem como o rompimento de
artrias com conseqente hemorragia, a destruio dos centros nervosos, etc.
9.4 Fibrilao ventricular.
O fenmeno fisiolgico mais grave que pode ocorrer quando da passagem da
corrente eltrica pelo corpo humano a fibrilao ventricular.
O msculo cardaco, normalmente, contrai-se ritmicamente de 60 a 100 vezes
por minuto, sustentando, assim, a circulao sangnea nos vasos. A contrao da
fibra muscular produzida por impulsos eltricos proveniente do ndulo seno-atrial.
Se atividade eltrica fisiolgica normal sobrepe-se uma corrente eltrica de
origem externa e muitas vezes maior do que a corrente biolgica, ocorre um
desequilbrio eltrico no corpo. As fibras do corao passam a receber sinais
eltricos excessivos e irregulares, as fibras ventriculares ficam superestimuladas de
maneira catica e passam a contrair-se de maneira desordenada, uma independente
da outra, de modo que o corao no pode mais exercer sua funo. Este o
fenmeno da fibrilao ventricular, responsvel por muitas mortes em acidentes
eltricos.
de suma importncia observar que o perigo de ocorrncia de um choque
eltrico no est simplesmente em tocar um elemento energizado, seja uma parte
viva (contato direto), seja uma massa sob tenso (contato indireto), e sim em tocar
simultaneamente um outro elemento que se encontre em um potencial diferente em
relao ao primeiro. Isto , o perigo est na diferena de potencial. Como regra
geral, deve-se considerar que as pessoas sempre podem estar em contato com um
elemento do prdio, por exemplo, piso ou parede, que esteja num potencial bem
definido, via de regra o da terra, e, portanto, qualquer contato com outro elemento,
que esteja em um potencial diferente, pode ser perigoso. A Figura 9.1 caracteriza
uma massa e um condutor estranho a uma instalao eltrica. J a Figura 9.2,
apresenta exemplos de contatos direto e indireto.
10 O SISTEMA DE ATERRAMENTO
A terra, ou seja, o solo, pode ser considerado como um condutor atravs do
qual a corrente eltrica pode fluir. Denomina-se aterramento a ligao intencional
com a terra, que pode ser realizada utilizando apenas os condutores eltricos
necessrios (aterramento direto) ou atravs da insero intencional de um resistor
ou reator, introduzindo uma impedncia no caminho da corrente.
Nas instalaes eltricas so considerados dois tipos de aterramento:
o aterramento funcional, que consiste na ligao terra de um dos condutores do
sistema, geralmente o neutro, e est relacionado com o funcionamento correto,
seguro e confivel da instalao; e
o aterramento de proteo, que consiste na ligao terra das massas e dos
elementos condutores estranhos instalao, visando a proteo contra choques
eltricos por contato indireto.
Dentro de determinadas condies pode-se ter, em uma instalao, um
aterramento combinado: funcional e de proteo.
O eletrodo de aterramento o condutor ou o conjunto de condutores
enterrado(s) no solo e eletricamente ligado(s) terra para fazer um aterramento. O
termo tanto se aplica a uma simples haste enterrada como a vrias hastes
enterradas e interligadas e a diversos outros tipos de condutores em diversas
configuraes.
10.1 Esquemas de aterramento.
Os aterramentos devem assegurar, de modo eficaz, as necessidades de
segurana e de funcionamento de uma instalao eltrica, constituindo-se num dos
pontos mais importantes de seu projeto e de sua montagem. O aterramento de
proteo, que consiste na ligao terra das massas e dos elementos condutores
estranhos instalao, tem por objetivo:
limitar o potencial entre massas, entre massas e elementos condutores estranhos
instalao e entre ambos e a terra a um valor suficientemente seguro sob
condies normais e anormais de funcionamento;
proporcionar s correntes de falta para terra um caminho de retorno de baixa
impedncia.
Por sua vez, o aterramento funcional, a ligao terra de um dos condutores
vivos do sistema (o neutro em geral), proporciona principalmente:
definio e estabilizao da tenso da instalao em relao terra durante o
funcionamento;
limitao de sobretenses originadas por manobras, descargas atmosfricas e a
contatos acidentais com linhas de tenso mais elevada.
De acordo com a NBR 5410, as instalaes de baixa tenso devem obedecer,
no que concerne aos aterramentos funcional e de proteo, a trs esquemas
bsicos. Tais esquemas so classificados em funo ao aterramento da fonte de
alimentao da instalao (transformador, no caso mais comum, ou gerador) e das
massas, sendo designados por uma simbologia que utiliza duas letras fundamentais:
1a letra indica a situao da alimentao em relao terra, podendo ser:
T um ponto diretamente aterrado;
I nenhum ponto aterrado ou aterramento atravs de impedncia.
2a letra indica as caractersticas do aterramento das massas, podendo ser:
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Massas
PE
Esquemas TN.
No esquema TN existe tambm um ponto de alimentao (via de regra o
secundrio do transformador com seu ponto neutro) diretamente aterrado, sendo as
massas da instalao ligadas a esse ponto atravs de condutores de proteo. O
esquema poder ser do tipo TN-S, quando as funes de neutro e de proteo
forem asseguradas por condutores distintos (N e PE) ou do tipo TN-C, quando as
funes forem acumuladas pelo mesmo condutor (PEN). Pode-se, tambm, utilizar o
sistema misto TN-C-S, onde parte do aterramento possui um condutor comum para
proteo e neutro e outra parte condutores distintos para cada uma dessas funes.
As Figuras 10.2, 10.3 e 10.4 apresentam, respectivamente os esquemas TN-S, TN-C
e TN-C-S.
Figura 10.2: Esquema de aterramento TN-S.
R
S
T
N
PE
Secundrio do
transformador
Aterramento de
alimentao
Massas
Secundrio do
trasnformador
Aterramento de
alimentao
Massas
PE
N
Secundrio do
trasnformador
Aterramento de
alimentao
Massas
Impedncia
Aterramento de
alimentao
Massas
PE
Proteo
Exigncias
Ligao do neutro Seletividade
ao
terra
da entre DRs, se
alimentao e das necessrio.
massas a(s) terra(s)
independentes.
Uso de dispositivos
DR.
TN
Definio
de
comprimentos
mximos
de
circuitos
em
funo
das
condies
de
seccionamento.
Complementao
da
segurana
por
dispositivos DR.
Alimentao
no Necessidade de
aterrada ou atravs vigilncia
permanente do
de impedncia;
massas
aterradas isolamento.
por
eletrodo(s)
independente(s) ou
no mesmo eletrodo
da alimentao.
IT
Ligao do neutro e
da alimentao; uso
de dispositivos a
sobrecorrente
na
proteo
contra
contatos indiretos.
Vantagens
Facilidade
de
projeto.
Simplicidade de
manuteno.
Qualidade
da
instalao
supervisionada
pelos DRs.
Dispositivos
a
sobrecorrente
protegendo
tambm contra
contatos
indiretos.
Possibilidade de
economia
de
condutores (uso
de
condutores
PEN).
Analogia
do
esquema
TT
quando
as
massas no so
interligadas.
Analogia
com
sistema
TN
quando
as
massas
so
interligadas.
Desvantagens
Custo
adicional
dos DRs.
Massas sujeitas
sobretenses do
neutro
da
alimentao.
Exigncia
de
pessoal
especializado na
manuteno.
Dimensionamento
dos circuitos mais
complexo.
Necessidade de
uso
de
um
controlador
permanente
de
isolamento, com a
finalidade
de
indicar
ocorrncias
de
falta.
a) alimentao:
em instalaes alimentadas por rede pblica em baixa tenso, em funo da
exigncia de aterramento do neutro na origem da instalao, s podem ser
utilizados os sistemas TT e TN;
em instalaes alimentadas por transformador (ou gerador) prprio, em
princpio, qualquer sistema pode ser utilizado, entretanto d-se preferncia ao
TN (instalaes industriais e prdios comerciais de grande porte) e, em
alguns casos especficos, ao esquema IT (certos setores de indstrias, de
hospitais e em instalaes de minerao).
b) equipamentos de utilizao:
quando existirem na instalao equipamentos de utilizao com elevadas
correntes de fuga, como fornos e certos tipos de filtros, no conveniente
utilizar o esquema TT, em virtude da possibilidade de disparos intempestivos
dos DRs;
no caso de equipamentos com elevada vibrao mecnica, no
recomendvel o uso do esquema TN, em funo da possibilidade de
rompimento do condutor de proteo (contido na mesma linha eltrica dos
condutores vivos).
c) natureza dos locais:
locais com risco de incndio ou de exploses no so convenientes para o
uso do sistema TN, por causa do valor elevado das correntes de falta fasemassa.
d) funcionamento:
em instalaes onde ser fundamental e indispensvel a continuidade no
servio deve-se optar pelo esquema IT;
quando no se dispe de pessoal de manuteno especializado no
conveniente utilizar os esquemas TN e IT, pois neles a substituio de um
dispositivo de proteo por outro de caractersticas diferentes pode
comprometer a proteo contra contatos indiretos.
e) custos globais:
em termos de projeto, os esquemas TN e IT exigem um pouco mais de horas
de trabalho, em funo da maior complexidade no dimensionamento dos
circuitos;
no que concerne execuo, o esquema TN, por utilizar na proteo contra
contatos indiretos dispositivos a sobrecorrente e, em muitos casos, utilizar os
condutores PEN, apresenta custos mais baixos;
quanto manuteno, o esquema TT, por sua simplicidade, o que
apresenta os custos mais reduzidos.
10.2 Eletrodos de aterramento.
Um eletrodo de aterramento o condutor ou o conjunto de condutores
enterrado(s) no solo e eletricamente ligado(s) terra para fazer um aterramento. Isto
, o eletrodo pode ser constitudo por um ou mais elementos.
Os eletrodos de aterramento podem ser:
especialmente estabelecidos para a funo do eletrodo, sendo usado nesses
casos:
hastes de cobre, de ao zincado ou de ao revestido de cobre;
tubos de ao zincado;
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A soma s no ser igual a zero se houver corrente fluindo para a terra (esquema
3), como no caso de um choque eltrico. A sensibilidade do interruptor, que varia de
15 a 500mA, deve ser dimensionada com cuidado, pois existem perdas para a terra
inerentes prpria qualidade da instalao.
Figura 11.2: Princpio de funcionamento de um dispositivo DR.
Esquema TN.
Nas instalaes com esquema TN a NBR 5410, alm de considerar os DRs
como um dos meios possveis para proteo contra contatos indiretos, recomenda
especificamente seu uso em circuitos terminais que alimentam:
tomadas de corrente em reas externas e locais com piso e/ou revestimento no
isolantes;
aparelhos de iluminao instalados em reas externas.
Para esta configurao de aterrmento recomendado o uso de dispositivos
DRs de alta sensibilidade.
Esquema IT.
Nas instalaes com esquema de aterramento IT, o DR o dispositivo mais
indicado no caso de massas aterradas individualmente ou por grupos.
11.3 Dimensionamento.
No dimensionamento dos dispositivos DRs, a corrente nominal do dispositivo
deve ser igual ou maior que o valor da corrente nominal do dispositivo de proteo
utilizado contra sobrecorrente. A Tabela 11.1 apresenta exemplos de valores dos
dispositvos DRs.
Tabela 25. Exemplos de valores de disjuntores diferenciais-residuais.
Nmero de plos
IN [A]
30 mA
Bipolar e Tripolar:
230/400 V
300 mA
IN [A]
16
20
25
32
40
50
63
80
90
100
16
20
25
32
40
50
63
80
90
100