Escolar Documentos
Profissional Documentos
Cultura Documentos
Cursofontes
Cursofontes
Cursofontes
• Introdução
• Capítulo I – Retificador e Filtro de Entrada
• Capítulo II – Fontes Chaveadas do Tipo Flyback
• Capítulo III – Fontes Chaveadas do Tipo Forward
• Capítulo IV – Fontes Chaveadas do Tipo Half-Bridge, Full Bridge e
Push-Pull
• Capítulo V – Transistores de Potência
Programa
2a Semana:
- Computadores e microcomputadores;
- Telecomunicações;
Rede CA Fonte de CC
- Equipamentos médicos e militares;
Alimentação
- Aviões e satélites;
• Baixo custo.
• Limitação na regulação.
e baixo custo).
Introdução a Fontes Chaveadas
Fontes Chaveadas : Utilizam interruptores de potência na região de saturação
(chave com estados aberto e fechado).
- Maior rendimento; !
- Elevada densidade de potência: menor volume e peso; !
- Grande capacidade de regulação; !
- Possibilidade de operar com fator de potência unitário; !
- Menos robusta e resposta transitória lenta; "
- Ondulação na tensão de saída; "
- Interferência radioelétrica e eletromagnética; "
- Maior número de componentes; "
- Componentes mais sofisticados. "
Introdução a Fontes Chaveadas
- Retificador
Rede AC Interruptor Transformador de - Retificadores
Filtro de
- Filtro IGBT/ MOSFET Isolamento
Rádio Freqüência - Filtros
- Proteções
- Comando
Circuitos de
- Proteção
Controle
- Fonte Auxiliar
Introdução a Fontes Chaveadas
1.1 Monofásico
Vpk
vC
vC
i i2
VCmin
D1 D2 C1
vAC 220V
1
2 Conversor t1 t2 ωt
S 110V 0 tc π 2π
i Ip
D3 D4 C2
ωt
92.5%
83.2%
74.0%
64.7%
55.5% TDH = 148%
46.2% o
37.0% Desl. = 1,48
27.7%
FP = 0,553
18.5%
9.2%
0.0%
3 5 7 9 11 13 15 17 19 21 23 25 27 29 31 33 35 37 39 41 43 45 47 49 51
Introdução a Fontes Chaveadas
1. Retificadores não Controlados (baixo FP)
1.2 Trifásico
V
C
D1 D2 D3
V1 +
V1
V2
C VC R
π i1 ωt
V3
- _
D4 D5 D6
Introdução a Fontes Chaveadas
2. Retificadores Controlados (FP elevado)
retificador
Vs
CONVERSOR carga
controle
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
Retificador Monofásico com Filtro Capacitivo
vC
i i2
D1 D2 C1
vAC 220V
1
2 Conversor
S 110V
D3 D4 C2
•220 V
C=
C1 C 2
C1 + C 2
Win 1
2
= C Vpk − VC min
2
2 2
( ) Win =
Pin
f
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
Vpk
vC
VC min = Vpk cos( 2πf t c )
VCmin
( )
t1 t2 ωt
0 tc π 2π arccos VC min Vpk
i Ip tc =
2πf
ωt
Pin Pin
C ( Vpk − VC min ) =
2 2 C=
f f ( Vpk 2 − VC min 2 )
Seja
IC1ef - valor eficaz da componente alternada da corrente i
Imed - valor médio da corrente i
Ief -valor eficaz da corrente i
2t c
I ef = I med + I C1ef
2 2 2
I C1ef = I ef − I med
2 2
I med = I p
T
2
2 2t c
2tc 2tc
I ef = I p I C1ef = I p
2
− Ip I C1ef = I p 2tc f − (2tc f ) 2
T T T
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Estágio de entrada é ligado ao conversor CC-CC operando em alta
freqüência
i2 Pin = I 2 pk VC min D
I 2pk
Onde: Ton
ωt
D=
Ton
Ts
T
Pin 2Pin
I 2 pk = Para Dmax=0,5 I 2 pk =
VC min D VC min
I 2 pk
P Pout
I 2 ef = = in Pin = Logo:
I Cef = I 2 ef + I C1ef
2 2
2 VC min η
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Grandezas Elétricas nos Diodos das Pontes Retificadoras
Pin
I Dmed =
2 VC min
tc
I Def = I p
T
VD max = V pk
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Exemplo Numérico
Pout 70
a) Pin = = = 100W
η 0,7
Pin 100
b) C= C= ≅ 203µF
f ( Vpk − VC min
2 2) 2 2
60 ⋅ (135 − 100 )
V pk = 135V C1 = C2 = 406µF
c) tc =
(
arc cos VC min Vpk
=
)
arc cos (100 135)
= 1,954ms
2 πf 2 ⋅ π ⋅ 60
C ∆V 203 ⋅ 10 −6 ⋅ 35
d) Ip = = − 3
= 3,64A
tc 1,954 ⋅ 10
−3
e) 2t c f = 2 ⋅ 1,954 ⋅ 10 ⋅ 60 = 0,2345
tc 1,954 ⋅ 10 − 3
h) I Def = I p = 3,64 ⋅ = 1,25A
−3
T 16,666 ⋅ 10
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
Pin 100
i) I Dmed = = = 0,5A
2 VC min 2 ⋅100
k) I Dp = I p = 3,64A
UFA !!
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Simulação Numérica
vC
i iR
v AC ( t ) = 2 ⋅ 99 sen (377t )
D1 D2 iC
vAC
C R
R = 100Ω
C = 203µF
D3 D4
140V
Vpk ≅ 140V
vC Vpk
130V
VCmin ≅ 102V
120V tc = 2,1ms
100V
t
Imed ≅ 1,0A
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Corrente Capacitor + Carga • Corrente de Carga
10A 1,4A
i iR
8A
1,3A
∆Q
6A
4A 1,2A
2A
1,1A
0A
tc
-2A 1,0A
t t
iC iv
AC
8A
5A
6A
4A 0A
2A
-5A
0A
-2A -10A
t t
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• VCmin, Vpk, tc, ∆Q e Imed possuem praticamente os mesmos valores;
• I pico ≅ 2 I p
• Análise Detalhada
VC (θ) = Vpk ⋅ senθ
VC
dVC (θ)
VCmín
V i C (θ) = ωC ⋅
S1 pk dθ
i C (θ) = ωCVpk cos θ
V1
S3 S2
π π θ1 3π ωt
θ3 θ2
2 2 i C (θ 2 ) = i R (θ 2 )
α iC
β γ Vpk
π i R (θ 2 ) = − senθ 2
R
θ 2 = π − tg −1 (ωRC )
Vpk
ωCVpk ⋅ cos θ 2 = − senθ 2 tgθ 2 = −ωRC
R
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
VC min = Vpk sen (θ1 − π)
• Análise Detalhada
VC
sen (θ1 − π) =
VC min
VCmín
V Vpk
S1 pk
V1 VC min
−1
S3 S2
θ1 = π + sen
Vpk
θ3 π θ2
π θ1 3π ωt
2 2
α iC
3π
β γ α= − θ1 β = θ2 − π
π 2 2
S1 = S 2 + S3 θ1 −θ 2 α+β+ γ = π
VC (θ )
π
S2 = ∫ ⋅ dθ
i C (θ) ⋅ dθ i C (θ 2 ) ⋅ β
2
S1 = ∫ R
ο θ S3 =
π −
2
−α
VC (θ) = Vpk (cos β ) e ωRC 2
S1 = ωCVpk (1 − cos α ) β ⋅ Vpk ⋅ cos β
ωRC ⋅ Vpk ⋅ cos β − 1 2
θ −θ S3 =
S2 = 1 − e
ωRC
2R
R
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Análise Detalhada
VC
VCmín
V
S1 pk
V1
S3 S2 S1 = S 2 + S3
π π θ1 3π ωt
θ3 θ2
2 2
α iC
β γ
π
80
72
64
56
48
ω RC 40
32
24
16
0
0.2 0.28 0.36 0.44 0.52 0.6 0.68 0.76 0.84 0.92 1
V
Cmin / Vp
k
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Análise Detalhada
VC
VCmín
V
S1 pk
V1
S3 S2 S1 = S 2 + S3
π π θ1 3π ωt
θ3 θ2
2 2
α iC
β γ
π
4
3.6
3.2
2.8
R . I Cef
2.4
V pk 2
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0 10 20 30 40 50 60 70
ω R C
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V)
i + i +
D1 D2 vC1 C1 + D1 D2 vC1 C1 +
vAC
_
- _ vAC + -
+ Conversor vC Conversor vC
+ +
vC2 - vC2 -
D3 D4 C2 D3 D4 C2
- -
VC 2min + VC 2pk
vAC
ωt
VC min = VC1min +
2
VC1min = VC 2min VC1pk = VC 2pk
vC
VCpk
vC1
ωt
0 π 2π
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V)
I p1 =
C1 ∆V1 C1 ( VC1pk − VC1min )
=
I med1 = I p1 t c f
tc tc
I C1ef = I ef 1 − I med1
2 2
I C1ef = I p1 t c f − ( t c f ) 2 I Cef = I Cief 1 + I 2ef
2 2
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V) - Projeto
C ≅ 80µF
(
arccos VC1min VC1pk ) = arccos(88,33 135) = 2,275ms
c) t c =
2πf 2 ⋅ π ⋅ 60
C1 ( VC1pk − VC1min ) 160 ⋅ 10 −6 (135 − 88,33)
d) I p1 = = = 3,28A
−3
tc 2,275 ⋅ 10
Capítulo I – Estágio Retificador com Filtro
de Entrada
• Dobrador de Tensão (110 V) - Projeto
e) t c f = 2,275 ⋅ 10 −3 ⋅ 60 = 0,1365
A = 5.τ ≅ 15.R1 .C
400V
vC
200V
0V
2Ω
R = 2Ω
100A
iC
50A
0A
R1
vC
vAC - +
NT
C
T D
Capítulo II - Fontes Chaveadas do Tipo
FLYBACK
Vce D1
+ -
is +
+ - -
BUCK-BOOST Vin S C RL
iL L Vout
- +
+
-
V D1
+ CE - TR
iP iD +
+
T
1 +
FLYBACK Vin C R Vout
-
- iC
NP NS -
is +
+ - - To
Vin S iL C RL Vout
L ( Vout )
- + T1 T2
+ T
-
V
CE
( Vin+Vout )
a
2 Etapa ( Vin )
Vce D1
+ -
is -
+ - - is
Vin S iL C RL Vout
L
- +
+ i
D
+
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
V
• Equacionamento L ( Vin )
( Ip )
iL
a) Corrente de Pico na entrada
To
di T1
VL = L D=
( Vout )
T1 T2
T
dt T V
CE
( Vin+Vout )
Vin Vin
Ip = DT Ip = D ( Vin )
L f .L
is
Vin
Ip max = Dmax Dmax = 0,45
f .L i
D
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
b) Tensão de Carga
Ip .T1
P1 = Vin .I1md = Vin .
2T
2
Vin2 .T12 Vout
P1 = = P2 =
2.L.T RL
RL .Vin2 .T12 RL .f
Vout = = Vin .T1.
2.L.T 2.L
Vin .D RL .f RL .f
Vout = . = Vin .D.
f 2.L 2.L
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
c) Indutor
Pout 1 2
Pin = PL = = .L.Ip .f
η 2
Pout 1 Vin2 .D2max
= .L.f . 2 2
η 2 f .L
1 Vin2 .D2max .η
L= .
2 Pout .f
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
a
1 Etapa
V D1
+ CE - T1
iP iT N
P
Vout .
+ - + V N
S
T N
S
S
Vin LP VS C R Vout Vin .
- L N
P
- +
To
( Vout )
V N
CE P
( Vin+Vout ) .
N
S
( Vin ) ( Vin )
a
2 Etapa T1 To
V D1
+ CE - T2
iP = i
T Ip
iD
+ - +
T
Vin VP iS VC R Vout
- L N
P
iS = i IP .
- D N
+ C S
LS
T1 To
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
C1 R
N L1
S1
+ D2 V
Vin 2
-
N C2 R
P N L2
S2
D3 V
3
T
C3 R
N L3
S3
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
VL
a) Corrente de Pico no Primário
Vin
di
VL = L t
dt -Vo
T1=DT T2
V
Ip = in D T iL
L Ip
2 Pout
Ip =
η Vin Dmax T
t
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
∫
1 t Ip T1
I1md = Ip dt =
Ts T1 2 Ts t
0 T1
Ts
Vin T12
2
P1 = Vin I1md =
2 L Ts
RL η
Vout = Vin D
Vout 2 2 L fs
P1 η = Po =
RL
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
c) Cálculo da Indutância
Vout Vin
D crit =
1 + (Vout Vin )
• Equacionamento
Dmax
Vce = − VD = Vin + Vo = Vin +
1
1 − Dmax
T 2
∫
1 Ip Vin D3
Ief T =
t dt =
T T fL
1 3
0
Vin 2 D2
IDmd =
2 f L Vout
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
f) Capacitor de Saída
Io
+ +
VC RL Vo iS VC RL Vo
- C - C
dVc I D
ic = C C = o max
dt fs ∆Vc
2
∆Vc T I T
R SE < IC ef = Isef 2 − Io = Is 2 o − s o
Is 3 Ts 2 Ts
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
• Equacionamento
g) Transformador
Aw
Ae
δ
2
• Equacionamento
g) Transformador
δ - entreferro (metros)
2 µ o ∆W π 10-7
µo - 4π
δ=
∆B 2 A e Ae - área da secção transversal do núcleo (metros2)
∆W - energia (joule)
∆B - variação de fluxo eletromagnético (0,2-0,3T)
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom ) Ns - número de espiras do secundário
Vin Dnom VF - queda de tensão no diodo
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
4
Condução Descontínua
Vout RL η D 3
=D =
Vin 2 L fs I′o 0.7
Vout
____ 2
Vin 0.6
Condução Contínua
1 0.4
Vout D
=
Vin 1 - D D=0.2
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1
Ió
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
Vout Vin
D crit =
→ para DCM Dnom ≤ Dcrit
1 + (Vout Vin )
3. Calcular a indutância.
1 Vin 2 Dmax 2 η
L=
2 Pout fs
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
Vin
Ip = Dnom
fs L
5. Calcular a resistência de carga.
Vout 2
Ro =
Pout
6. Calcular a capacitância.
I D
C = o max
fs ∆Vc
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
1,1 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J ∆B fs
2 Pout
3. Calcular a corrente de pico no primário. Ip =
η Vin Dmax
P
4. Calcular a energia acumulada no transformador. ∆W = out
η fs
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
5. Calcular o entreferro.
2 µ o ∆W
δ=
∆B 2 A e
Np =
∆B δ
Nsn = Np
(Vout n + VF ) (1 - Dnom )
0,4 π Ip Vin Dnom
1 Vin2 Dmax 2 η
L=
2 Pout fs
Fontes Chaveadas do Tipo FLYBACK
Isn = Ip an
Vout n 2
R on =
Pout n
Iout n Dnom
Con =
fs ∆Vout n
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
L
V
iR
iT iL iC
+ +
T
E + + VR
in Vo iD VC
C -
BUCK - - - RL
V V D1 L
P S V V
1 out
ND
+ -
V
F
NP NS C RL
+ D2
V
in
FORWARD -
T
DD
NP - enrolamento primário
NS - enrolamento secundário
ND - enrolamento de desmagnetização
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
a
1 Etapa
L T1 T2
T
iT iL iL iL
+
T iT iD iT
E + RL
in D C
- -
V (E in )
CE
a
2 Etapa
V L
CE -
+ (E in )
V
D
iL
+
T
E + RL
in D C
- -
V
C V
C
0 T1 T
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
T1
VL md = 0 ⇒ Vout = VDmd Vout = Vin = Vin D
T
V (1 - D ) D
Vin
∆iL max → D = 0,5 ∆iL max =
∆iL = in 4 fs L
fs L
Vin
L=
4 fs ∆iL max
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
c) Corrente de Pico
d) Tensão no Capacitor
∆iL ∆iL
sen(2πf .t ) cos (2 π fs t )
1
iC ≅ VCA = iC .dt =
2 C 2 π fs 2 C
V V (1 − D )D
ITp = IDP = out + in
RL 2 fs L
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
Vout
Dnom =
Vin
3. Calcular a indutância.
Vin
L=
4 fs ∆iL max
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
4. Definir o capacitor.
∆iL ∆V
C= RSE =
2 π fs ∆Vc ∆iL
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
iT
a
2 Etapa
D1 L
iL
N
NP NS RL V V in + V in. P
C CE N
+ D2
D
V
in ND
- iT (V in )
+ iM
T V
CE DD
-
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
Ns T1 N
VLmd = 0 ⇒ Vout = VDmd Vout = Vin = Vin s D
Np T Np
∆iL =
(Vin a )(1 - D ) D ∆iL max → D = 0,5
V a
∆iLmax = in
fs L 4 fs L
Vin Np
L= a=
4 fs ∆iLmax a Ns
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
∆iL 1 ∆i
ISp = Io + IPp = Io + L
2 a 2
d) Cálculo da Capacitância
∆iL
C= VRSE = R SE ∆iL
2 π fs ∆Vc
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
Aw
Ae
δ
2
Nsn = Np 1,1
(Voutn + VF Dnom ) Ns - número de espiras do secundário
Vin Dnom VF - queda de tensão no diodo
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
Po ∆Ion Voutn
Ion = Isp = Ion + R on =
Voutn n 2 Ioutn
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
∆iL ∆V
C= R SE =
2 π fs ∆Vc ∆iL
2 Pout 10 4
Ae A w =
k p k w J ∆ B fs η
Fontes Chaveadas do Tipo FORWARD
Np =
Vin
Nsn = Np 1,1
(Vout n + VF Dnom )
2 A e ∆B fs Vin Dnom
Np
7. Calcular as relações de transformação. an =
Nsn
Vin
Ln =
4 fs ∆iL max an
Conversores Half Bridge, Bridge e Push-Pull
+ TR1
D3 L
Vin/2 Va Vout
- D1
VS
i
L
C RL
iT
NS
Half Bridge (Meia Ponte)
R1 VP
NP
NS
+ D2 +
Vin/2 VCE2 D3 L
- TR2 V1
- D4
iL
N N RL
P S C
N
S
Push Pull Vin
D
TR TR 4
1 2
D1 D2
Vin
TR TR
1 3
D1 D3
D5 L
C C RL
TR
1
T1
TR
+ TR1 a 2
Vin/2
D1
1 Etapa D3 T
-
2T
+ iL
+
Va
-
+ N
- Vin . S
NP
Vin iT
iL
iL
D4
D3 L
iL
Vout
RL
C VC
a
2 Etapa
NP
i TR1
D3 L
D4
- iL
T1 VCE
-
C
RL
D= Vin
+
T Vin/2
-
+
+ + a
3 Etapa T = período da tensão de entrada do filtro de saída
Vin/2
D2
- TR2
D4 TS = 2T = período de funcionamento do conversor
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
N 4
I0 . S
N C≥
2
2 2 NP
i P
C
V
C
C
π fs L
0
T T
T
S NS
S S
4 2
N I0
C≥ P ×
NS 2 fS ∆VC
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
• Conversor Full Bridge (Ponte Completa)
Vin
TR TR
1 3
D1 D3
D5 L
C C RL
D6
TR TR
2 4
D2 D4
VCEmáx = Vin
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
• Conversor Push-Pull
D3 V1 L
iL
NP NS RL
C
N
S
Vin
D4
TR TR
1 2
D1 D2 TR
1
T1
T
TR
2
T3
V
1
VCEmáx = 2 Vin
(2V in )
V
CE1 (V in )
Conversor Half Bridge, Bridge e Push-Pull
• Transformador
Vin Np
1.5 Pout 10 3 Np = an =
Ae A w = 2 A e ∆B fs Nsn
k w k p J fs ∆B
Nsn = Np 1,1
(Vout n + VF Dnom )
• onde: kw=0.4 e kp=0.41 Vin Dnom
• para as mesmas condições, o transformador é menor que o do conversor Forward.
• Filtro de Saída
Vin ∆iL ∆V
Ln = Cn = R SEn =
4 fs ∆iL max an 2 π fs ∆Vc ∆iL
Aspectos de Comutação
MOSFET
D
ID
Características em Condução:
+
• RDSon, G VDS
+ Di -
• ID e IDM, VGS
• VGS, -
S
• VGS(th),
• VDS(on)=RDSon x ID.
Características Estáticas
MOSFET
MOSFET
• Parâmetros importantes
a) RDson – O MOSFET “saturado” comporta-se como uma resistência;
b) ID – máxima corrente contínua que o componente pode conduzir;
c) IDM – máxima corrente pulsada de dreno que o MOSFET pode conduzir;
d) VGS – máxima tensão entre gate e source que pode ser aplicada (positiva ou
negativa);
e) ≈ 4,0 V);
VGS(th) – a tensão de gate suficiente para iniciar a condução (≈
f) VDC(on) = RDS(on).ID – tensão dreno-source com o MOSFET conduzindo;
g) O MOSFET bloqueado é caracterizado pela tensão de avalanche entre dreno e
source – V(BR)DS
Aspectos de Comutação
MOSFET
Características Dinâmicas:
D
Cgd
G C ds
Cgs
S
Aspectos de Comutação VDD
I DRL
MOSFET
D
R
Comutação com Carga Indutiva: G
S
50
td(on) = 30 ns
tr(on) = 50 ns
td(off) = 10 ns
tf = 50 ns
Perdas em um MOSFET
P = Pcond + Pcom
t on
Pcond = .rds(on) .id(on) = rds(on) .id(on) .D = rds(on) .id( ef )
2 2 2
T
f
Pcom = .( t r + t f ).id(on ) .Vds (off )
2
t f ≅ t on t r ≅ t off
Perdas na Comutação
a) Conversor Flyback
Entrada em condução
E
E D
+ -
Vout VL E VCE ( Ip )
- + iC
N
L! L! Vout ( P ) = E
NS
+
T VCE T
-
iC
Perdas na Comutação
Conversor Flyback - Bloqueio
• Ll = 0
E E
1 ´
= I.E .t f
+
ES1
I E I E
2
-
iC iC
+
VCE
+
VCE
t f = t rv + t fI
- -
(a) (0 < t < t 1 ) (b) ( t1 < t < t 2 )
iC = I VCE = E´
P1 = ES1 .f
0 ≤ VCE < E´ I < iC ≤ 0
(I)
iC
(E) P1 = 0,5.I.E´.t f .f
t1 t2
t rv tfI
tf
(c)
Perdas na Comutação
Conversor Flyback - Bloqueio
• Ll ≠ 0
VL E
L!
+
VCE
-
Aspectos de Comutação
Snubber RCD
• Comutação com carga indutiva e com Snubber.
E 1 t fI
v off (t ) =
CS ∫0 iCS ( t )dt
I I.t
iC (t ) =
S t fI
I.t
Voff = fI
2CS
L!
t I2 .t 2fI .f
iC ( t ) = I1− P1 =
Q5
IC t fI 24C
DS RS
I CS
1 2 1 Ll
CS
Ll .I = CS .VCEmáx
2
VCEmáx = .I
2 2 CS
Aspectos de Comutação
Snubber RCD
I t t onmin Vin
• Flyback (Cond. Desc.): Cs = P fi Rs ≤ Rs ≥
2 Voff 3 Cs ICsp
1
PR = CS .E 2 .f
2
Snubber RCD
ES2
1
= I.E
1
P2 = I.E.t r .f P = 0,5.VinI.f .(t r + t f )
2 2
IP (t fi + t rv ) t onmin Vin
Cs = Rs ≤ Rs ≥
V1n 3 Cs ICsp
1
P = .C.Vin2 .f
2
Perdas em um Diodo
• Perdas de Condução:
I RM
iT
t rI ta
Tj − Ta
Tj − Ta = P.(R jc + Rcd + R da ) RDa = − R jc − RCD
P
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Princípio Básico
S1 Rg
G
Ig
+
VC S2 C iss
-
∆V t f = t r = 2,2R g .Ciss
Ig = Ciss .
•Ciss = 700 pF ∆t
•VC = 15 V
−12
700 x10 .15 tf 40 x10 −9
∆t = 40 ns Ig = = 0,26 A Rg = =
•∆
−9 2,2.Ciss 2,2.700 x10 −12
40 x10
R g ≅ 25Ω
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Circuitos de Comando não-isolado
+VC
+VC
R1
T1 D
T2
Rg
Rg Tp
D
G
T1 T3 R2
S
T2 R3
R2
D = 1N914 R2 = 4,8 kΩ Rg = 50 Ω
T2 = MPS 2907 R3 = 10 kΩ
Circuitos de Comando de MOSFETs
• Circuito de Comando Isolado
+VC
R1=100 D
D2
G
D1 S
V V
P S
TR
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• A questão do isolamento
T1
T2
T3
FONTE CIRCUITOS
DE
AUXILIAR COMANDO
•Massa de alta tensão (chaves) e massa de baixa tensão (saída, comando, fonte
auxiliar).
• Isolamento: T1 (transformado principal), T2 (transformador p/ comando), T3
(transformador da fonte auxiliar).
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• A questão do isolamento
T1
• Massa de alta tensão (chaves, comando, fonte auxiliar) e massa de baixa tensão
(saída, controle).
• Isolamento: T1 (transformado principal) e isolador ótico.
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Fonte Auxiliar
Carga
+
-
Rede
Rede R1
C1
T1
Z
D1 D2 D3
Carga
+
C2 NS C3
-
Circuito de
Comando
S1
VRef
+
Verro
-
A
VC
Comparador S2
-
VReal
+
VT Q
F/F
OSC. Q
VC
S1
S2
T1
T
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos Integrados PWM Dedicados
TP L
R5 DRC C RL
+
V
in C1 R3 15
- R6
16
1 -
R1
R4 A1
2 +
9 - 12
R2 S1
COMP
4 + +
5 A2 11
-
FF
S2
RSh 13
10
14
7
6 OSC 3
8 UC3524
CT RT
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Controlador de tensão
Z2
Vin Z1
1 -
9 Vout
A1
2
VRef +
.(V in−VREF )
Z2
Vout =
Z1
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Soft-Start (Partida Progressiva)
Z1
Vout 1
- V9
A1 -
+ 9 COMP
VRef 2 +
+V
D2 R1 OSC.
D1
+
C
-
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Circuitos para Limitação de Corrente
• Curto-circuito
na carga: desativar a fonte e reativar após o
desligamento e religamento do equipamento.
+10V +5V
TR1
9 UC3524
R4
T2 10
R5
R6
TP
Th R2 IE
C1 R3 R1 N
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
V2
V9 = V2 − R2 .I 2
+12V
I2 R2
Rg
R1
V1 − 1
I1 =
V1 16 15
V9
I1 9 13
4N26 R1
UC3524
1 2 4 5 8 6
14
7
I 2 = βI 1
470 k
β .(V1 − 1)
4V
R2
V9 = V2 − R2 β .I 1 = V2 −
R1
R2 R2
0,6 V
V9 = V2 − β .V1 + .β
R1 R1
∂V9 R2
Se R2 = R1 ⇒ G=β G= = − .β
∂V1 R1
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Utilização de Isolador Ótico
+VCC
D1
Vout
R1
NP C1 RL
R2
R4
R5 C3
R3
R6 -
A
+ VRef
C2 Z1
Circuitos Auxiliares das Fontes Chaveadas
• Proteção contra Sobretensão na Saída
+
Z VZ C
+
- SCR A
R Vout
+ G
R C VGK A
-
-
C R1 R2
Vin .D = V1
IL C R1 R2
IC
Resposta Transitória e Estabilidade
R1.R 2
R=
R1 + R 2
• Antes do transitório VC0 = R1.IL
R1
iC = − .IL .e −t / RC
R2
• Sem RSE
Resposta Transitória e Estabilidade
• Com RSE
S2
C
I R1 R2
RSE
Vout = VC + VRSE
R1
VRSE = RSE.iC = −RSE. .IL .e −t / RC
R2
[
Vout = IL R + (R1 − R ).e − t / RC
] R1
− RSE. .IL .e −t / RC
R2
Resposta Transitória e Estabilidade
S2
I2 C
R1 R2
RSE
H(s) +VREF
H(s)
O ( s ) = G ( s ).ε ( s )
O( s) G ( s)
= = F ( s)
I ( s ) 1 + G ( s ).H ( s )
Resposta Transitória e Estabilidade
• Critérios de Estabilidade
H(s)
1 + G ( s ).H ( s ) = 0 Instabilidade
G ( s ).H ( s ) = −1
(G(ω ).H(ω ))dB = 20.log[G(ω ).H(ω ) ] = 0
Φ = −180o
Resposta Transitória e Estabilidade
• Critérios de Estabilidade
fs
fc ≅
4
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
NS
V2 md = VST .D = Vin .D
NP
T1 VC
( VS ) D= =
T VS
VC
N S VC
V2 md = Vin . .
N P VS
T1
V2 md Vin N S
T
= .
VC VS N P
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
Vout ( s) 1 Vout ( s ) 1
= 2 =
V2 md ( s) s LC + 1 V2 md ( s ) s 2
2 + 1
w0
Vout ( s) 1
= G ( w) dB = −20 log 1 + ( w / w0 ) 4
V2 md ( s) jw 2
+ 1
w0
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
• Com RSE:
Vout ( s) (1 + s.C.RSE )
=
Vout ( s ) V2 md ( s ) Vout ( s )
. = V2 md ( s) (1 + s 2 / w02 )
V2 md ( s ) VC ( s ) VC ( s ) Vout ( s ) (1 + s / wZ )
=
V2 md ( s ) (1 + s 2 / w02 )
Vout ( s) Vin N S 1
= . . 2 2 Vout ( s ) Vin N S (1 + s / wZ )
VC ( s) VS N P ( s / w0 + 1) = . .
VC ( s ) VS N P (1 + s 2 / w02 )
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Forward
V2 L Vout
V in
VST
C RL
NS
NP
dB
2 pólos
-40 dB/dec
zero
-20 dB/dec
fp fz f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback Vout
P2 md = R2 .I 22md
V in
I1 I2md I2
I p .T1
P1md = Vin .I 1md = Vin .
C R2
2T
Vin2 .T12
P1md =
2 L.T
dVout Vout IC IR
I 2 md =C +
dt R2 I2md
R2
C
Vin dVout Vout
.D = +
C 2 L.R2 . f dt R2 .C
Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
Vout ( s) A A.R2 C
S .Vout ( s) + = .VC ( s) .VC ( s)
R2 C VS VS
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
Vout
Vout ( s)[s.R2 C + 1] =
A.R2 C IC IR
.VC ( s)
VS I2md
R2
C
Vout ( s) A.R2 C 1
= .
VC ( s ) VS (1 + s.R2 C )
Vin 1
G (s) =
Vin .R2 C
.
1 G( s) = .
2 L.R2 . f .C (1 + s.R2 C ) 2 L. f (1 + s.R2 C )
R2
• Sistema de 1a ordem
• Ganho depende da Resistência de carga
Resposta Transitória e Estabilidade
• Representação fonte tipo Flyback
Vin (1 + s.RSE.C )
Com RSE: G(s) = .
2 L. f (1 + s.R2 C )
R2
G (jw)dB
pólo
-20 dB/dec
0 dB
zero
fp fz f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Circuitos de Compensação
• Compensador de 1 pólo
Rf dB
VC Z f +20 +90°
Cf
= -20 dB/dec
V0 Zi
Ri 0 0
V0
-
A VC
Vref +
-20 -90°
Rref
R f / C f .s
Z i = Ri Zf = -40
R f + 1 / C f .s
0,1fp fp 10fp 100fp
VC ( s ) Rf Rf 1 Ri . R f
= = . Rref =
V0 ( s ) C f .s ( R f + 1 / C f .s ) Ri Ri (1 + s.C f .R f ) Ri + R f
Resposta Transitória e Estabilidade
• Circuitos de Compensação
(dB)
• Compensador de 2 pólos 80
Ci Rfz Cf
60
R ip Riz
V0 - 40
fp2
A VC
Vref +
20
R ref
fz1 = fz2
1
Z f = R fz + 0
s.C f
-20
1 f1 10 100 1k 10k f2 100k
Riz / s.C i Riz 1
Z i = Rip + = . + Rip
1 s.C i 1
Riz + ( Riz + )
s.C i s.C i
VC (s) (1 + Riz .Ci.s)(1 + Cf .R fz .s) C f .R fz = Ci .Riz
= fz1 = fz2
V0 (s) Rip .Riz
Cf .s.(Rip + Riz ).1 + Cis.
Riz + Rip
Resposta Transitória e Estabilidade
• Método prático p/ cálculo do compensador para conversor Forward
G(s)
20
H2
(H 2 )
-40 dB/dec
10
-20 dB/dec +20 dB/dec
-1
+1
0
A
-10
-1
-20
-30
f p1 0,1 fc f0 fc f p2 10 f 0
f p2 fc
H 2 = A + 20 log = 20 log A2 H 1 = A − 20 log = 20 log A1
fc f0
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
1 1
f0 = = 325Hz fz = = 1590Hz
2.π . L.C 2.π .RSE.C
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
Ganho (dB)
(H2 )
20
0
0
fs
fc = = 10kHz
10
20
4
21,5 dB
1
f p2 =
90
1 10
100
100
325 1k f p2
1 10
3 f c = 10k
1 10
4
1 10
5 f (Hz)
1 10
6 = 1600 Hz
Rip .R fz
1 1590
f
1 .10
6
f z1 = f z2 = f0
2.π .Ci .
R +R
fz ip
Riz = 47 k Ci =
1 C i = 0,01µF
2.π .Riz . f z1
Resposta Transitória e Estabilidade
• Exemplo de Projeto – Conversor Forward
0
Ganho (dB)
20
0
(H2 )
R fz
= 11,9
Rip
10
20
21,5 dB
21,5 dB
-10
60
90
100 325 1k f p2 f c = 10k f (Hz)
3 4 5 6
1
1 10 100 1 10
1590
f
1 10 1 10 1 10
1 .10
6 Ci.Riz = Cf .Rfz
f z1 = f z2 = f0
Cf =
C i .Riz C f = 3,33nF
R fz
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
L1
L1 = L2 = 500 µH
C1 = C2 = 0,1 µF
Rede Fonte R1 = R2 = 150 Ω
AC L2 Chaveada
C1 C2
Comutação do transistor
Rede E
-
+
VC
Terra -
VC T/2
E 2 π
n .sen(n.f .π .ζ )
1 (E )
Vn = . 2 sen 2
2 n .f .π .ζ
2
2
1 ( -E/2 )
f =
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Se: dB
150 dB -20 dB/dec
f = 50 kHz
ζ = 500 ns
E = 150 V -40 dB/dec
n = 1 a 1000
n=3
f3 = 150 kHz 0
V3 31,537 V
V3dB = 20 log = 20 log Amplitudes das tensões parasitas dependem:
1µV 1µV
V3dB = 150,57dB / µV • Da tensão E
• Da freqüência de comutação da fonte
• Dos tempos de comutação
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Propagação das tensões parasitas:
Área
C = ε 0 .ε R . ε 0 = 8,855 pF / m
Espessura
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Correntes parasitas simétricas – tensões de modo comum
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Correntes parasitas assimétricas – tensões de modo diferencial
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Exemplo
C = 150 pF ∴
f3 = 150 kHz (freqüência de harmônica)
V3 = 31,537 V
1 1012 1012 10 3
XC = = XC = = = 7073Ω
2.π . fC 2.π .150 x10 3.150 2.π .10 .0,15.0,15 x10
3 6
2.π .0,15 2
V 31,537 R 150
i3 = 3 = = 4,46mA ∆V3 = .i3 = .4,46mA = 334,5mV
XC 7073 2 2
334,5mV
∆V3dB = 20 log ≅ 170,5dB
1µV
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
Cx = 4 pF para x = 2 cm
150
V3 = .115,92 µA = 8694 µV ∆V3dB = 78,78dB
2
c) Placa condutora entre o interruptor e o dissipador
C1 C2
Dissipador
Placa
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
CX L3
b
N
L3
2R
R
Z cd =
d
b 1 + j 2 Rω X C
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
F
L1
C
R R Cy Cy
1
T
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Medidas para redução de rádio interferência
Cy
5mH 4,7nF
CX
0,1 µ F
5mH Cy
4,7nF
N
L3
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Influência da capacitância entre enrolamentos
Primário Secundário
CT
• Grades condutoras
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
• Exemplo de cálculo do filtro de rede
R V3 56,4mV
VR 3 = iC3 = 75.0,752.Ω.mA = 56,4mV VR3dB = 20 log = 20 log
2 1µV 1µV
Cy = 5 nF
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
1 1
X C3 = 21kΩ X Cy = = −9
= 106Ω
W3 .2.C y 2.π .150 x10 .2.5 x10
3
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
4) Quarto passo – escolha do indutor Lo para filtrar correntes de modo comum
L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
V V0 500µV
54 = 20 log 0 V0 = 500 µV i0 = = = 0,0067mA
1µV R0 75Ω
Como i0 << , a tensão V0b é dada por
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
P 150
i= = = 0,68 A ICx= 0,001.i = 0,0068A
V 220
iC X 0,0068
CX = = = 0,084µF CX = 0,1 µF
2.π . f .V 2.π .60.220
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
6) Sexto passo – Escolha de L2 e L3 L
2 = 4,28 mH
F
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
L2 + L3
L2 = L3 = = 4,28mH
2
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
7) Sétimo passo – Escolha do resistor de descarga
L 2 = 4,28 mH
L1 Cy = 5nF/250V
Cx = 0,1µF/250V
L1 = 6,25 mH Cy
L 3 = 4,28 mH
N
t
RD = t=1s
2,21.C X
10 6
RD = ≅ 4,5MΩ
2,21.0,1
Interferência Radioelétrica (RFI) nas Fontes
Chaveadas
Ensaios de Interferência conduzida numa fonte para telecomunicações
10dB
WA SB
SC FC
CORR
A
10dB
WA SB
SC FC
CORR
A