Captulo 7 - Solidificao

Solidificao - resultado do vazamento de material lquido

2 etapas Nucleao: Formao de ncleos slidos (agregados ou cachos de tomos) Crescimento: crescimento dos ncleos formando cristais e originando uma estrutura de gros

ncleos

lquido

cristais em crescimento

Estrutura de gros

Os cristais crescem at as suas fronteiras se tocarem

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Mecanismos de Nucleao
Nucleao Homognea
Ncleos formam-se no interior do metal lquido Necessrio sobrearrefecimento elevado (tipicamente 80-300C)

Nucleao Heterognea
Mais fcil pois j existem locais de nucleao: paredes do molde ou impurezas existentes na fase lquida Permite solidificao com sobrearrefecimento baixo 0,1-10C

Nucleao Homognea
Energia Livre de Superfcie - energia necessrio fornecer para criar uma interface slido-lquido esfrica : energia livre de

GS

superfcie/unidade rea

Energia Livre de Volume energia libertada na formao do slido (volume esfrico)

Nucleao Homognea
GS GT = Energia Livre Total G* G*: energia de activao (mximo de GT) r*: raio crtico GT GV
partculas r < r* tendem a dissolver-se (embries) partculas r > r* tendem a crescer (ncleos)
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r r* r

Nucleao Homognea

G*

r*

Quando r = r*

r* e G* variam com e G

pouco sensvel a T G muito sensvel a T

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Nucleao Homognea
G a fora motriz para a nucleao

G* r*
HS: calor latente de fuso TF: temperatura de fuso T=TF-T: sobrearrefecimento

Quando T=TF

T=0 G=0

r* G*

8 8

No h nucleao

Nucleao homognea
TF

Para haver nucleao necessrio que T>0 (i.e. T<TF) Quanto maior T (i.e. quanto menor T): r* e G* so menores
Nucleao mais fcil Maior a taxa de nucleao (N: nmero de ncleos formados por unidade de volume e de tempo) T

T>0

T2<T1
T elevado (80-300C metais puros)

Nucleao homognea

Nucleao Heterognea

Agente nucleante (molde, impureza)

nucleao heterognea diminui

G*het<< G*hom

Nucleao heterognea permite solidificao com T baixo (0,1-10C)

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Crescimento
inicia-se quando os aglomerados de tomos atingem o raio crtico tornando-se ncleos estveis. ocorre por acoplamento de tomos aos ncleos formando cristais difuso atmica cessa quando as fronteiras dos cristais se tocam e a fase me (L) se esgota, originando uma estrutura de gros A velocidade de crescimento determinada pela velocidade de difuso (que depende fortemente de T) velocidade de crescimento aumenta com T

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Solidificao
Controlada por nucleao e crescimento de cristais
100 % fase slida 50 Regime de
nucleao
Regime de crescimento

Taxa de Nucleao aumenta com T Taxa de crescimento aumenta com T log (tempo)

t 0.5

Exemplo:
Fase slida L L L TF

T pouco < TF
Taxa de Nucleao baixa Taxa de crescimento elevada

<<

. Taxa de Nucleao mdia Taxa de crescimento mdia

T <<< TF
Taxa de Nucleao elevada Taxa de crescimento baixa
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Materiais de gro fino e grosseiro

T baixo poucos ncleos -estrutura com poucos gros e grandes (estrutura de gro grosseiro) Mais macio e dctil

d - tamanho de gro (mm)

T elevado muitos ncleos estrutura com muitos gros e pequenos (estrutura de gro fino) Mais duro e mais resistente
Equao de Hall-Petch
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Tamanho de Gro
Mtodo ASTM (American Society for Testing and Materials) (para aos) Cartas padro comparativas tendo diferentes tamanhos de gro, numeradas de 1 a 10 (nmero ASTM de tamanho de gro n) Prepara-se uma imagem de uma amostra com 100X de ampliao O tamanho de gro dessa amostra determina-se por comparao com a carta que mais se aproxima dos gros da imagem de forma a que:

n - n ASTM de tamanho de gro (n da carta mais aproximada) N - n de gros por polegada quadrada da imagem com 100X

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Tamanho de Gro
Exemplo: a) Se numa imagem com 100X de ampliao existirem 35 gros/polegada2, qual o tamanho de gro ASTM? N = 35 gros/polegada2

b) Se a imagem for obtida com 75X de ampliao, quantos gros/polegada2 existiro? N75X > N100X

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Limites de Gro (Defeitos Planares)

Limites ou fronteiras de Gro
regies entre os cristais transio entre uma regio e outra com orientao diferente regio ligeiramente desordenada densidade baixa nos limites de gro mobilidade elevada difusividade elevada reactividade qumica elevada Estrutura em gros

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Solidificao
Gros: equiaxiais (aproximadamente mesma dimenso em todas as direces) colunares (gros alongados) ~ 8 cm

Fluxo de calor Gros colunares no interior onde T menor Camada de gros equiaxiais devido ao arrefecimento rapido (T elevado) junto s paredes
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Monocristais
Algumas applicaes em engenharia requerem monocristais (1 ncleo, 1 cristal, 1 gro):
- ps de turbina - monocristais de diamante (abrasivos)

Propriedades dos materiais cristalinos relacionadas com estrutura cristalina

- Ex: Calcite fractura mais facilmente ao longo de alguns planos cristalinos do que noutros: clivagem

ANISOTROPIA

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Policristais
A maioria dos materiais usados em engenharia so policristais.

Anisotropo

1 mm Isotropo

Soldadura por feixe de electres em chapa de Nb-Hf-W Cada "gro" um monocristal com uma orientao cristalogrfica. Se os gros esto orientados aleatoriamente, as propriedades globais do componente so no direccionais. ISOTROPIA Tamanhos de gro variam tipicamente entre 1 nm e 2 cm (i.e., de alguns planos atmicos at milhes deles).

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Monocristais vs Policristais
Monocristais
-Propriedades variam com a direco: anisotropia -Exemplo: o mdulo de Young (E) do Fe CCC:
E (diagonal) = 273 GPa

Policristais

E (aresta) = 125 GPa

-Propriedades podem ou no variar com a direco. -Se os gros estiverem orientados aleatoriamente: isotropia (Epoli Fe = 210 GPa) -Se os gros estiverem orientados segundo direco preferencial (textura), anisotropia

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Observao Microscpica
Vista desarmada para gros de elevadas dimenses (mm) Microscopia ptica e microscopia electrnica de varrimento para gros da ordem dos m Microscopia electrnica de transmisso para gros da ordem dos nm

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Microscopia ptica
Limites de gro... defeitos, mais susceptveis de ataque revelados como zonas escuras

superfcie polida Sulco Limite de gro

Microscopia Electrnica
Baixa resoluo da microscopia ptica: 0.1 m Electres tm resoluo mais elevada pois: Comp. de onda 3 pm (0.003 nm)

(ampliaes - 1,000,000X)
Prximo da resoluo atmica
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