8 CONGRESO IBEROAMERICANO DE INGENIERIA MECANICA

Cusco, 23 al 25 de Octubre de 2007

ESTUDO NUMERICO SOBRE A DISSIPAO TRMICA NUM MICROPROCESSADOR COMERCIAL

Henrquez, J.R.1, Bueno, C.E.G.2, Primo, A.R.M.3 Depto. de Eng. Mecnica - Universidade Federal de Pernambuco Av. Acadmico Hlio Ramos s/n, Cid. Universitria, Recife-PE, Brasil, CEP: 50740-530 (1) e-mail: rjorge@ufpe.br
(1,2,3)

RESUMO Devido ao rpido desenvolvimento da indstria microeletrnica, com uma reduo contnua nas dimenses dos componentes eletrnicos e o aumento drstico no nvel de empacotamento desses componentes, verifica-se um aumento na potncia trmica dissipada o que demanda um controle trmico adequado para um funcionamento confivel e aumento do tempo de vida desses dispositivos. Assim, o dimensionamento eficiente de sistemas de dissipao de calor um aspecto desafiador e necessrio. Uma das formas usuais de resfriamento utiliza ventiladores para forar o ar a escoar pelos dispositivos. Em microprocessadores comerciais a utilizao de um sorvedouro de calor em contato com o dispositivo necessria visto que a reduzida rea superficial do componente impede que a energia trmica seja removida numa taxa que mantenha a temperatura mxima de operao abaixo dos limites estipulado pelo fabricante. A dimenso da placa absorvedoura e o tipo de material utilizado, a taxa de escoamento de ar, a temperatura do ar, entre outros, so parmetros que impactam diretamente na eficincia do resfriamento. Este trabalho representa um estudo numrico utilizando a plataforma FLUENT sobre a dissipao trmica em processadores comerciais. O modelo matemtico baseado na equao da conduo de calor na sua forma tridimensional e transiente.

PALABRAS CHAVE: Dissipao Trmica, Anlise Numrica, FLUENT, Dispositivos Eletrnicos.

Cdigo 1491

INTRODUO O controle da temperatura em dispositivos eletrnicos fundamental para um desempenho timo, um funcionamento confivel e aumento do tempo de vida dos mesmos. Com a crescente reduo de componentes microeletrnicos e aumento da densidade de empacotamento verifica-se um aumento na potencia trmica dissipada pelos novos sistemas eletrnicos. Deste ponto de vista, o dimensionamento eficiente de sistemas de dissipao de calor em dispositivos eletrnicos um aspecto desafiador e necessrio. Uma das formas mais usuais de dissipao trmica ou resfriamento destes componentes via conveco forcada fazendo uso de ventiladores que foram o ar a escoar pelos dispositivos a serem resfriados permitindo manter a temperatura destes em nveis aceitveis. Diversos estudos relativos a dissipao trmica de componentes eletrnicos tem sido reportados na literatura especializada tendo como foco de estudo o desenvolvimento de novas tecnologias de resfriamento, levantamento da influencia dos parmetros geomtricos e termofsicos envolvidos no processo dissipao de calor, o desenvolvimento de modelos matemticos e simulao numrica, e uso de novas tcnicas experimentais. O resfriamento de dispositivos eletrnicos montados numa placa de circuito impresso tem sido amplamente estudado por diversos autores. Alguns destes estudos tm considerado as placas de circuito impresso na posio vertical formando canais por onde pode escoar um fluxo de ar de forma ascendente apenas movido pelas foras de empuxo provocadas pela variao de densidade do fluido. Neste sentido, Bar-Cohen e Rohsenow[1] apresentaram algumas correlaes visando a otimizao do espaamento entre placas verticais como aquelas encontradas em equipamentos eletrnicos Os resultados so tambm discutidos por Kraus e Bar-Cohen[2]em textos sobre a anlise trmica de equipamentos eletrnicos. Mais recentemente Avelar e Ganzarolli[3] apresentaram os resultados de um estudo numrico e experimental sobre escoamento por conveco natural entre placas paralelas verticais com elementos protuberantes aquecidos. A conveco forada em canais com elementos protuberantes foi estudado por Hacohen et al[4]. No mesmo trabalho foi estudado tambm o escoamento por conveco natural. Os resultados so apresentados na forma de correlaes empricas para o nmero de Nusselt mdio e local. Feng e Xu[5] apresentaram um estudo sobre a resistncia trmica de dissipadores aletados para aplicaes de resfriamento de componentes eletrnicos. Os autores apresentam um modelo matemtico do problema e uma soluo analtica usando series de Fourier. Tcnicas mais sofisticadas para o resfriamento de componentes eletrnicos, tambm tm sido estudadas e apresentadas na literatura. O uso de tubos de calor em miniatura uma destas tcnicas em desenvolvimento que tem sido usado para controle trmico destes componentes como descrito nos trabalhos de Groll et al.[6], Toth et al.[7] e Pastukhov et al.[8]. Material de mudana de fase encapsulado representa uma alternativa que desperta interesse para uso como uma tcnica passiva de controle trmico. Neste sentido, Tan e Tso[9] realizaram um estudo experimental explorando esta tcnica. Neste artigo apresenta-se um estudo numrico da transferncia de calor e distribuio de temperatura em um dissipador aletado acoplado a um microprocessador. O modelo matemtico baseado na equao da energia na sua forma tridimensional sob condies de regime transiente. O dissipador admitido como sendo um placa plana de espessura finita com uma das suas superfcies submetida a uma fonte de calor uniforme dissipada pelo microprocessador, enquanto que a outra superfcie submetida a uma transferncia de calor por conveco forcada, computada atravs de correlaes adequadas para este tipo de geometria e condies do problema. A simulao numrica foi realizada utilizando a plataforma numrica FLUENT. DESCRIO DO PROBLEMA O mtodo bsico e mais comum de resfriamento de microprocessadores e componentes eletrnicos em geral consiste em sobrepor ao processador uma superfcie de metal que tem a funo de homogeneizar a distribuio de temperatura e acoplado a esta placa um sistema de dissipao trmica com um perfil de aletas que pode apresentar diversos formatos. A Figura 1 mostra um esquema deste sistema convencional. O sentido do fluxo de calor d-se ento do processador para a placa homogeneizadora para depois ser conduzido ao sistema aletado onde ser removido pelo fluido em contato direto com as aletas. A dissipao de calor das aletas realizada atravs de um escoamento forado de ar atravs das aletas provocado por um sistema de ventoinha que rejeita o calor para fora do conjunto dissipador-processador. O processo de transferncia de calor atravs da superfcie em contato com o processador apresenta caractersticas de transferncia de calor multidimensional devido diferena de tamanho entre a fonte de calor (processador) e a superfcie do dissipador como mostrado na Figura 2.

Sistema aletado

Placa Homogeneizadora Processador

Figura 1: Sistema tpico de dissipao trmica de um microprocessador.

Figura 2: Desenho esquemtico do processador e o sistema de resfriamento.

A anlise do sistema aqui apresentado ser tratada atravs de um estudo simplificado envolvendo apenas a transferncia de calor na placa homogeneizadora em contato com o processador. A energia trmica dissipada pelo processador atua como um fluxo de calor que ser fornecida numa regio de uma das superfcies da placa. Embora possa haver uma resistncia trmica de contato entre o processador e a placa que se ope passagem do fluxo de calor, esta ser descartada nesta anlise. Na prtica esta resistncia trmica minimizada atravs do uso de uma pasta trmica de alta condutividade trmica que facilita a transferncia de calor. O sistema aletado em contato com a superfcie da placa oposta ao processador ser modelado como uma resistncia trmica envolvendo a transferncia de calor por conduo atravs das aletas e a conveco devido ao escoamento forado de ar. Um dos objetivos desta anlise determinar a temperatura da regio de contato com o processador uma vez que esta temperatura deve ser representativa do prprio processador devido ao tamanho deste. A espessura tpica de um processador da ordem de 0.5mm e a potncia dissipada da ordem de 40000 W/m conferindo caractersticas isotrmicas ao processador. MODELO MATEMTICO E SOLUO NUMRICA O equacionamento matemtico do problema esta baseado na equao da conduo na sua forma transiente e tridimensional. Em coordenadas cartesianas.
2T x 2 + 2T y 2 + 2T z 2 = 1 T t

(1)

Tomando como base a Figura 3, as condies de contorno baseadas nas caractersticas do problema so dadas a seguir. Destaca-se que devido simetria do problema apenas uma quarta parte do domnio ser resolvida, portanto em; 0 y b para x = 0 e 0 x a para y = 0 devemos ter uma condio de fluxo de calor nulo. Alm disso, ser adotado que nas laterais do sistema ( 0 y b para x = a e 0 x a para y = b ) temos uma condio de superfcie adiabtica. Na prtica esta condio no real, no entanto plenamente justificada se a espessura da placa for muito menor que o tamanho dos lados da mesma.
T T T T = = = =0 x x =0 x x = a y y =0 y y =b (2)

(a) Vista superior

(b) Vista lateral

Figura 3: Sistema de coordenadas para o problema

O efeito da dissipao trmica do processador imposto como um fluxo de calor na superfcie da placa na regio compreendida entre 0 x a1 e 0 y b1

q T = z z =t k
Na regio externa ao processador, a1 x a e b1 y b foi adotado que a superfcie adiabtica.
T =0 z z =t

(3)

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Na superfcie oposta ao processador a placa esta em contato com o sistema aletado, de modo que a condio de contorno que ser adotada aqui uma superposio de efeitos que envolvem a transferncia de calor por conduo atravs das aletas e a transferncia de calor por conveco entre as aletas e o ambiente. Por simplificao isto pode ser tratado atravs de um coeficiente global de transferncia de calor que represente de forma equivalente estas trocas trmicas.
k T = U (T T ) z z =0

(5)

A resoluo das equaes que compem o modelo foi realizada numericamente atravs do mtodo dos volumes finitos. Mtodos numricos so uma ferramenta precisa e flexvel que permitem resolver problemas complexos e sem restries de geometrias ou condies de contorno, tornando-se uma das nicas alternativas em situaes onde os mtodos analticos so incapazes de resolver as equaes do modelo. Atualmente a modelagem computacional e simulao numrica ocupam um papel importante tanto na universidade e centros de pesquisa quanto no segmento industrial auxiliando neste ltimo caso a engenheiros e projetistas na agilizao e otimizao de projetos de engenharia. Este cenrio tem sido favorecido pelo surgimento de pacotes computacionais que permitem uma interatividade e agilidade na resoluo de problemas complexos. Em geral estes pacotes computacionais incluem,

alm de um gerador de malha e um solver que permite resolver as equaes do modelo, uma sries de modelos fsicos j testados e consolidados que facilitam o processo de simulao. Uma alternativa ao uso de pacotes computacionais representa uma implementao prpria de um cdigo computacional que permita a resoluo das equaes que compem o modelo. Isto bastante usual e pode em alguns casos ser a nica alternativa vivel diante do custo elevado que representa a aquisio de um software comercial ou sua licena de uso, no entanto diante das vantagens competitivas que resultam do seu uso, como menor tempo de implementao da soluo e uso de subroutinas de clculo e modelos j amplamente testados e consolidados, a sua utilizao altamente recomendada. No presente trabalho foi usado o software comercial FLUENT que consiste num cdigo computacional fundamentado no mtodo dos volumes finitos. A malha gerada para o domnio computacional do presente problema foi realizado com o programa GAMBIT que um software de prprocessamento do FLUENT que permite desenhar o domnio fsico do problema e sobre este desenho gerar a malha computacional. No prprio ambiente do GAMBIT possvel a verificao da qualidade da malha antes de transferir estas informaes ao ncleo de processamento do FLUENT. As informaes de condies de contorno e condies iniciais, propriedades termofsicas, definio do solver, tipos de modelos que sero empregados, etc. so todas definidas na plataforma do prprio FLUENT.

RESULTADOS E DISCUSSES
Conforme o modelo matemtico apresentado, as simulaes numricas foram realizadas para um quarto do domnio real baseado nas condies de simetria do problema. Entretanto, os resultados so apresentados para o domnio completo de modo a ilustrar de melhor maneira o campo de temperatura nas superfcies correspondentes. A seguir as Figuras 4 6 representam os resultados obtidos para uma simulao tpica da transferncia de calor sobre a placa homogeneizadora em contacto com o processador. As figuras mostram o campo de temperatura na superfcie em contato com o processador, na superfcie xz correspondente a um corte na linha mdia do plano xy, e finalmente na superfcie oposta aquela em contato com o processador (superfcie em contato com o dissipador aletado). Estes resultados mostram a capacidade da ferramenta computacional em descrever os campos de temperatura do sistema simulado com detalhes que dificilmente poderiam ser obtidos por tcnicas experimentais. Os resultados indicam que a maior temperatura se encontra na regio onde h o contato trmico com o processador e que h pouca variao de temperatura na placa homogeneizadora. Os resultados correspondem a um processador dissipando em torno de 40 W, uma placa de metal homogeneizadora de alumnio de 1 cm de espessura. O processador cobre uma regio de 4x4 cm da superfcie da placa homogeneizadora e a temperatura ambiente externa foi considerada como sendo de 30 oC. O coeficiente global de transferncia de calor da ordem de 100 W/ m C.

Figura 4: Campo de temperatura (C) na superfcie da placa em contato com o processador, para t=1 cm , a=b=8 cm , a1=b1=4 cm, k=202.4 W/mC, U=100 W/m C, q=25000 W/m

Figura 5: Campo de temperatura (C) no plano xz para t=1 cm, a=b=8 cm, a1=b1=4 cm, k=202.4 W/mC, U=100W/m C, q=25000 W/m

Figura 6: Campo de temperatura (C) para a face em contato com o dissipador aletado, para t=1 cm, a=b=8 cm, a1=b1=4 cm, k=202.4 W/mC, U=100 W/m C, q=25000 W/m.

Para a potncia dissipada pelo processador, recomendaes de fabricantes desse tipo de dispositivos indicam uma temperatura mxima de operao da ordem de 55 oC. Conforme os resultados obtidos, as condies geomtricas e operacionais assumidas na presente simulao no permitem atender este limite. Em funo disto podemos pensar em algumas novas condies que permitam aumentar a dissipao trmica reduzindo a temperatura na regio do processador. Isto pode ser alcanado aumentando a condutividade trmica da placa homogeneizadora, aumentando o coeficiente global de transferncia de calor atravs do aumento do coeficiente de transferncia de calor por conveco ao redor do dissipador aletado ou aumentando a rea superficial da placa homogeneizadora. Esta ltima opo foi testada e os resultados mostrados nas Figuras 7 e 8. Foram realizadas duas novas simulaes mantendo

todas as condies da simulao anterior e apenas foi variado o tamanho da placa homogeneizadora. A Figura 7 mostra os resultados para uma placa de lados igual a 10 cm cada, enquanto que a Figura 8 mostra resultados do campo de temperatura para uma placa de dimenses igual a 15 cm de lado. Os resultados obtidos neste ltimo caso mostram que a temperatura mxima alcanada est dento dos limites estabelecidos pelo fabricante.

Figura 7: Campo de temperatura (C.) na superfcie da placa em contato com o processador para U=100W/m C, a=b=10 cm, a1=b1=4 cm, k=202.4 W/mC e q=25000W/m.

Figura 8: Campo de temperatura (C.) na superfcie da placa em contato com o processador para U=100W/m C, a=b=15 cm, a1=b1=4 cm, k=202.4 W/mC, q=25000W/m.

CONCLUSES
Foi desenvolvido e apresentado um modelo numrico para simular o processo de dissipao trmica num processador comercial. As equaes constituintes do modelo foram resolvidas atravs mtodo dos volumes finitos utilizando para tanto o software comercial FLUENT. Os resultados mostram o campo de temperatura para trs condies diferentes do tamanho da placa homogeneizadora, indicando que a escolha correta deste parmetro permite dimensionar sistemas de resfriamento que atendam as condies de temperatura mxima de trabalho do

processador. Resultados semelhantes podem ser obtidos variando os outros parmetros de interesse que possam maximizar a energia trmica dissipada. Destaca-se que este processo de simulao pode ser utilizado como uma ferramenta auxiliar de projeto ou otimizao de projetos atravs de um estudo paramtrico que possa mostrar claramente as melhores condies de dissipao trmica no processador em funo da potncia dissipada.

AGRADECIMENTOS
O primeiro co-autor agradece ao Conselho Nacional de Desenvolvimento Cientfico e Tecnolgico - CNPq pelo apoio financeiro na forma de bolsa de estudos.

REFERNCIAS
1. 2. 3. Bar-Cohen e W.M. Rohsenow, Thermally optimum spacing of vertical, natural convection cooled parallel plates, Journal of Heat Transfer, v.106, p.116-123, 1984. A.D. Kraus e A. Bar-Cohen, Thermal analysis and control of electronics equipment, Hemisphere Publishing Corporation, 1983. A.C. Avelar e M.M. Ganzarolli, 2002, Numerical and experimental analysis of natural convection heat transfer in an array of vertical channels with two dimensional protruding heat sources, II Congresso Nacional de Engenharia Mecnica, Joo Pessoa, Paraba, em CD. J. Hacohen, T.W. Chiu e A.A. Wragg, Forced and free convective heat transfer coefficients for a model printed circuit board channel geometry, Experimental Thermal and Fluid Science, vol. 10, pp. 327-334, 1995. T.Q. Feng e J.L. Xu, An analytical solution of thermal resistance of cubic heat spreaders for eletronic cooling, Aplied Thermal Engineering, Vol. 24, pp. 323-337, 2004. M. Groll, M. Schneider, V. Sartre, M.C. Zaghdoudi e M. Lalleman, Thermal control of electronic equipment by heat pipes, Rev. Gen. Therm., Vol. 37, pp. 323-352, 1998. J. Toth, R. DeHoff e K. Grubb, Heat pipes: the silent way to manage desktop thermal problems, Proceedings of the I-THERM Conference, Seattle, EUA., 1998. V.G. Pastukhov, Y.F. Maidanik, C.V. Vershinin, M.A. Korukov, Miniature loop heat pipes for electronics cooling, Applied Thermal Engineering, Vol. 23, pp.11251135, 2003 F.L. Tan e C.P. Tso, Cooling of mobile electronic devices using phase change materials, Applied Thermal Engineering, Vol. 24, pp. 159169, 2004.

4. 5. 6. 7. 8. 9.

NOMENCLATURA

a a1 b b1 k q U T T t

Metade do comprimento da placa homogeneizadora (m) Metade do comprimento que ocupa o processador (m) Metade da largura da placa homogeneizadora (m) Metade da largura que ocupa o processador (m) Condutividade trmica (W/m K) Fluxo de calor (W/m2) Coeficiente global de transferncia de calor (W/m K) Temperatura (C) Temperatura do ambiente (C) Espessura da placa homogeneizadora (m) Coeficiente de difusividade trmica (m2/s)