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• 14.6 Transistores de Potência (pag. 779) - (SEDRA SMITH 5 ed.)

Como a alta temperatura nas junções semicondutoras prejudicam o

funcionamento dos transistores, é necessário retirar esse calor e dissipá-lo
externamente.
Transistores de potência dissipam calor em suas junções coletor-base,
essa potência converte-se em calor (TJ), e esse calor não pode ultrapassar o
máximo (TJmax). Para transistor de silício, essa temperatura (TJmax) situa-se
entre 150 à 200 oC.

TJ - Temperatura de Junção - TJmax entre 150 e 200oC.

qJA é a resistência Térmica entre a junção e o ambiente (oC/W).
PD é a potência dissipada (W).

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 TJ
Figura 14.17 – Circuito
TJ-TA=qJA PD (14.36) PD qJA elétrico equivalente de
condução térmica (pag. 780).
TA

TA - Temperatura no ambiente.
Os fabricantes usam como referência a temperatura típica de 25oC (TAo )

Normalmente é especificado pelo fabricante TJ max , qJA e a potência máxima

dissipada (PDo).
PDmax
PDo
Inclinação=-1/ qJA

TA
0 TAo TJmax
Figura 14.18 - Curva de degradação de potência (pag. 780).
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 Exercício

1) Um TBJ é especificado para dissipação de potência máxima de 2W à

TAo=25 oC. E uma temperatura máxima de TJmax de 150 oC.
Determine:
a) A resistência térmica qJA.
b) A máxima potência segura operando na temperatura ambiente de 50 oC .
c) A temperatura na junção se o dispositivo estiver operando com TA=25 oC
e dissipando 1W.

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14.6.4 Encapsulamento (pag. 781)

qJA= qJC + qCA (14.39)

Onde qJC é resistência térmica entre junção e o encapsulamento do

transistor e qCA é resistência térmica entre o encapsulamento e o ambiente.

Figura 14.19 – Encapsulamento de

transistor de potência

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Dissipador de Calor (pag. 781)

qCA= qCS + qSA (14.40)

Onde qCS é resistência térmica entre o encapsulamento e o

dissipador de calor (normalmente uma pasta térmica, branca e grudenta)
e qSA é resistência térmica entre o dissipador de calor e o ambiente,
resultando em:

qJA= qJC + qCS + qSA

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 TJ-TA=(qJC+ qCS + qSA)PD (14.41)

TJ
qJC
PD
TC
qCS
TS
qSA
TA

Figura 14.20 – Circuito elétrico equivalente de condução térmica (pag. 781).

TC é a temperatura no encapsulamento e TS é a temperatura no dissipador.

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 PDmax
PDo
Inclinação=-1/ qJC

TC
0 TCo TJmax
Figura 14.21 - Curva de degradação de potência em função da temperatura
do encapsulamento (pag. 782).

TJmax-TC = qJC PD (14.42)

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 iC
1 Limite da dissipação
iCmax
térmica
2
Limite da segunda
ruptura
3
4
vCE
0 BVCEO

Figura 14.23 - Área de operação segura (pag. 783).

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 Exercício

2) Um TBJ possui TJmax =150 oC e é capaz de dissipar potência nas seguintes

condições:
40W a TC = 25 oC (encapsulado) e 2W a TA=25 oC.
Além disso possui uma curva linear de degradação de potencia acima de 25
oC para q =3,12 oC/W e q = 62,5 oC/W .
JC JA
Determine:
a) A máxima potência segura operando na temperatura ambiente de 50 oC
b) A máxima potência segura operando na temperatura ambiente de 50 oC,
mas com dissipador de qCS =0,5 oC/W e qSA =4 oC/W, calcule a temperatura
na superfície do encapsulamento e do dissipador.
c) A máxima potência que pode ser dissipada com dissipador infinito e
TA=50 oC.

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 Exercício

3) Um transistor de potência 2N6306 é especificado com TJmax=200 oC e

PDmax=125W para TC ≤ 25 oC. Para TC ≥ 25 oC, qJC =1,4 oC/W. Se uma
aplicação particular o dispositivo deve dissipar 50W e operar em uma
temperatura ambiente de 25 oC, calcule a resistência térmica máxima do
dissipador que deve ser usada (qSA). Considere qCS =0,6 oC/W.
Qual é a temperatura do encapsulamento?

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