Transistor de juno bipolar

Sedra & Smith, 4a edio, captulo 4 http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/toc5.htm

Transistor de juno bipolar (2)

Transistor pnp

Transistor npn

Figura 4.2 Estrutura simplificada do transistor pnp.

Figura 4.1 Estrutura simplificada do transistor npn.

Dependendo da polaridade da tenso aplicada em cada juno, obtm-se diferentes modos de operao do TJB.

Modos de operao do TJB npn

http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/chapter5/ch5_3.htm e Sedra. A funo do emissor e do coletor so invertidas (TJB no so normalmente simtricos). Ligado baixa impedncia Saturado Liga/Desliga: circuitos lgicos

Operao do transistor npn na regio ativa

Desligado elevada impedncia Amplificadores com TJB Cortado (vBC e vBE reversam. pol.) Pequena corrente reversa.

Modo
Cortado Ativo Saturao

JEB
Reverso Direto Direto

JCB
Reverso Reverso Direto

Figura 4.3 Fluxo de corrente em um transistor npn polarizado de modo a operar na regio ativa. (Componentes de corrente reversa devido ao movimento de deriva de portadores minoritrios gerados termicamente no esto mostrados.)

Esto mostrados apenas os componentes da corrente de difuso.

Concentrao dos portadores minoritrios

A corrente de coletor iC
Corrente de difuso de eltrons In :
dn p ( x) n p (0) I n = AE q Dn = AE q Dn dx W

A corrente de coletor iC = In :
ncoletor = 0 JBC diretamente
polarizada

IS: fator de escala de corrente

iC = I S e vBE / VT

I S = AE q Dn

n p 0 (0) W

= AE q Dn

ni2 W NA

n p (0) = n p 0e

vBE / VT

Observe que a magnitude de iC independe de vCB

(contanto que seja 0).

Figura 4.4 Perfis das concentraes de portadores minoritrios na base e no emissor de um transistor npn operando no modo ativo: vBE > 0 and vCB 0.

A corrente de base iB
Componente iB1 (lacunas injetadas da base para a regio do emissor):
iB1 = AE q D p ni2 N D LP evBE / VT

A corrente de base iB (2)

v /V C S iB = iB1 + iB 2 = = e BE T

Dp: difusividade das lacunas no emissor; Lp: comprimento de difuso de lacunas no emissor; ND: concentrao de dopantes no emissor.

=1

Dp N A W 1 W 2 + Dn N D LP 2 Dn b

Constante para um transistor em particular (no caso ideal)

Componente iB2 (lacunas que devem ser fornecidas pelo

circuito externo de modo a repor as lacunas perdidas na base pelo processo de recombinao): iB 2 1 AE q W ni2 vBE / VT = = e b 2 bN A Qn

: ganho de corrente com emissor comum (usualmente, 100 < < 200).

b: tempo de vida do portador minoritrio

Qn: carga do portador minoritrio na base.

Para obter um elevado valor de (desejvel), a base

deve ser fina (W pequeno) e levemente dopada e o emissor fortemente dopado (NA / ND pequeno).

A corrente de emissor iE
v /V iE = iC + iB = iC = I S e BE T

Transistor npn na regio ativa

Tenso direta vBE : corrente iC (dependncia exponencial com vBE ) flui no terminal de coletor.

+ 1

+ 1

iC = iE , =

, = +1 1

I iE = S evBE / VT

iC independe da tenso do coletor contanto que vCB 0. Na regio ativa de operao, o terminal de coletor comporta-se como uma fonte de corrente constante ideal, em que o valor da corrente determinada por vBE . iB = iC / ; iE = iC + iB iB << iC ( >>1) iE iC (iC = iE , < 1, mas 1)

: constante para um transistor em particular (idealmente), < 1 (se, por ex., = 100 0,99).
Pequenas variaes em correspondem a grandes

variaes em .

: ganho de corrente em base comum.

Modelos de circuitos equivalentes

Estrutura fsica simplificada

Diodo DE : fator de escala de corrente = IS / fornece a corrente iE relacionada a vBE conforme as equaes anteriores.
Fonte de corrente no-linear controlada por tenso (grandes sinais).

Figura 5.6 Seo transversal de um TJB npn.

Fazer os exerccios 4.1 a 4.5 do livro texto.

Pode-se convert-la em uma fonte de corrente controlada por corrente expressando-se a corrente da fonte controlada por iE. B: terminal comum (terra) : ganho de corrente de E para C.

O transistor pnp

O transistor pnp circuitos equivalentes (grandes sinais)

E

iE

+
iB
B vEB

(I S / )

DB

I S e vEB / VT

iC
C

Figura 4.7 Fluxo de corrente em um transistor pnp polarizado de modo a operar no modo ativo.

Figura 4.8 Dois modelos de grandes sinais para o transistor pnp operando no modo ativo.

Smbolos de circuito e convenes

iC iE
Indica a direo da polarizao direta da juno BE.

Relaes corrente-tenso do TJB no modo ativo de operao

iC = I S e vBE / VT iB =
iE =

+1

iC

I = S evBE / VT
I = S evBE / VT
iB = (1 ) iE = iE = ( + 1) iB iE

VT = tenso trmica =

kT q

iC

25 mV na temperatura ambiente

Obs: Para o transistor pnp , substitua vBE por vEB .

Figura 4.10 Polaridade das tenses e fluxo de corrente nos transistores polarizados no modo ativo de operao ( vBE (ou vEB ) >0 e vCB (ou vBC ) 0 ).

iC = iE iC = iB

+1

Exemplo 4.1
O transistor na figura tem = 100 e exibe uma tenso vBE de 0,7V com iC = 1 mA. Projete um circuito de modo que uma corrente de 2 mA flua atravs do coletor e que uma tenso de + 5V aparea no coletor.

Exemplo 4.1 - soluo

VC = +5 V VRC = 15 5 = 10 V IC = 2 mA VRC = 10 V / 2 mA = 5 k
vBE = 0,7 V com iC = 1 mA

vBE com iC = 2 mA dado por: 2 = 0,717 V VBE = 0,7 + VT ln 1 VB = 0 VE = 0,717 V = 100 = 100/101 IE = IC / = 2 / 0,99 = 2,02 mA RE = (VE ( 15)) / IE = 7,07 k

Representao grfica das caractersticas do transistor

iC = I S e vBE / VT
Figura 4.12 A caracterstica iC vBE de um transistor npn (igual curva i-v do diodo, exceto pelo valor da constante n). As caractersticas iE-vBE e iB-vBE so tambm exponenciais, mas com diferentes correntes de escala: IS / para iE e IS / para iB. Para anlises dc rpidas de primeira normalmente assume-se que VBE 0,7V. ordem,

Transistor npn: i C v CB (por iE)

Modo ativo de operao (vCB 0).
iC = iE

Para um transistor pnp, a caracterstica iC vEB ser idntica da figura. A tenso na juno emissor-base decresce de, aproximadamente, 2 mV para cada acrscimo de 1oC na temperatura (para uma corrente de juno constante). Figure 4.13 Efeito da temperatura na caracterstica iC vBE. Para uma corrente de emissor constante (linha tracejada), vBE varia na taxa de 2 mV/C.

Figura 4.14 A caracterstica iC vCB de um transistor npn.

Dependncia de i C com a tenso de coletor o efeito Early

Modo ativo de operao TJBs mostram uma certa dependncia com da corrente de coletor com a tenso de coletor. Suas caractersticas iC vCB no so linhas retas horizontais.

Dependncia de i C com a tenso de coletor o efeito Early (2)

vBE > 0. vCE pequeno (vC < vB) JCB: polarizao direta regio de saturao. vCE vCB < 0 JCB: pol. reversa espessura da regio de depleo na JCB WEFETIVA DA BASE IS iC : efeito Early.

Relao linear de iC com vCE : assumindo que IS permanece constante: v iC = I S e vBE / VT 1 + CE VA

Inclinao no-nula das linhas retas iC vCE : a impedncia de sada do coletor no infinita

Figura 4.15 (a) Circuito conceitual para a medio da caracterstica iC vCE do TJB. (b) A caracterstica iC vCE de um TJB usual.

Dependncia de i C com a tenso de coletor o efeito Early (3)

Inclinao no-nula das linhas retas iC vCE a impedncia de sada do coletor finita e definida por:

Anlise dc de circuitos com transistores

Modelo da tenso constante VBE assuma que VBE = 0,7V independentemente do valor exato da corrente iC .

i ro C v CE

vBE =constante

Exemplo 4.2: Considere o circuito da figura. Deseja-se analisar

este circuito de modo a determinar as tenses em todos os ns e as correntes em todos os ramos. Assuma = 100.

Da equao anterior: ro VA / IC IC : o nvel da corrente correspondendo ao valor constante de vBE prximo fronteira da regio ativa. Esta dependncia de iC com vCE no projeto e anlise do circuito de polarizao normalmente no considerada; no entanto, a resistncia de sada finita ro pode ter um efeito significativo no ganho de amplificadores a transistores.

Exemplo 4.2 anlise

O transistor est na regio ativa?
VB (em relao ao terra) = 4V ; VE = VRE < 4V (assumindo o modo ativo de operao, h uma queda VBE de 0,7 na JBE) A juno BE est diretamente polarizada. VE = 4 VBE 4 0,7 = 3,3 V

Exemplo 4.2 anlise (2)

VBE > 0 , VBC < 0: O transistor est na regio ativa?
IB = IE / ( + 1) = 1 / 101 0,01 mA. Condies consistentes O transistor est na regio ativa!

VRE = VE = 3,3 V IE = VE / RE = 1 mA .
VC = 10 V IC RC ; VB = 4V Vamos assumir que VBC < 0: regio ativa de operao (juntamente com a condio VBE > 0). Assim: IC = IE = / (+1) = 100/101 0,99 IC = 0,991 = 0,99 mA. VC = 10 IC RC = 10 0,99 4,7 +5,3 V: VBC = 1,3V ()

Exemplo 4.3
Analise o circuito da figura e determine as tenses em todos os ns e as correntes em todos os ramos. Assuma = 100.
O transistor est na regio ativa? Assuma, inicialmente, operao na regio ativa.

Exemplo 4.4
Analise o circuito da figura e determine as tenses em todos os ns e as correntes em todos os ramos. Assuma = 100.
O transistor est na regio ativa? VB = 0V JBE no conduz (VBE < 0) iE = 0 ; VC = 10 IC 4,7k > VB = 0 JBC no conduz (VBC = 0 VC < 0) iC = 0 iB = iC iE = 0
O transistor est no modo cortado de operao.

O transistor est no modo de saturao (visto mais adiante).

Exemplo 4.5
Analise o circuito da figura e determine as tenses em todos os ns e as correntes em todos os ramos. Assuma = 100.
Observe que o transistor agora pnp!

Exemplo 4.6
Analise o circuito da figura e determine as tenses em todos os ns e as correntes em todos os ramos. Assuma = 100.
O transistor est no modo ativo?

Exemplo 4.7
Analise o circuito da figura e determine as tenses em todos os ns e as correntes em todos os ramos. Assuma = 100.
O transistor est no modo ativo?

Exemplo 5.9 5a edio do Sedra&Smith

Analise o circuito da figura e determine as tenses em todos os ns e as correntes em todos os ramos. Assuma = 100.

Exemplo 4.8
Analise o circuito da figura e determine as tenses em todos os ns e as correntes em todos os ramos. Assuma = 100.