2 - DISPOSITIVOS DE ALTAS FREQUÊNCIAS

Os transístores de Arsenieto de Gálio, sejam eles FETs ou TJBs, são utilizados em circuitos
integrados e analógicos sempre que as aplicações requerem elevadas frequências de trabalho. A
possibilidade de fornecer correntes elevadas com pequenas variações da tensão de entrada e o baixo
valor das capacidades internas destes dispositivos faz com que o seu desempenho seja óptimo em
altas frequências.
A utilização de novos processos tecnológicos no tratamento dos semicondutores levaram à
criação de novos dispositivos tais como o HEMT (transístor com electrões de elevada mobilidade) e
o HBT (transístor bipolar de heterojunção). No transístor de efeito de campo (FET) também se
obtiveram melhoramentos aumentando a potência de saída, eficiência e fiabilidade, e reduzindo o
factor de ruído, aumentando o seu campo de utilização. Como já foi referido no capítulo 1, também
no Silício se podem integrar TJBs com MOSFET (BiCMOS) e obter dispositivos, em tecnologias
disponíveis, com frequências de transição da ordem dos 20GHz.
Em conformidade, neste capítulo, pretende-se estudar os conceitos básicos que permitem
utilizar este tipo de transístores, nos circuitos que serão apresentados nos capítulos seguintes. Será
dada uma ênfase especial aos transístores de efeito de campo com barreira Schottky (TECMES)
uma vez que a sua utilização é específica das altas-frequências.

2.1 - TRANSÍSTORES DE EFEITO DE CAMPO COM BARREIRA SCHOTTKY (GaAs)

2.1.1 - Estrutura
A estrutura clássica do transístor TECMES está representada na figura 2.1.
Esta estrutura é constituída por uma camada de Arsenieto de Gálio do tipo N (camada activa,
com uma resistividade da ordem de 107Ω.cm, separada do substrato semi-isolante por uma camada
tampão (buffer) quase-intrínseca, que é necessária para evitar que as propriedades eléctricas do
canal sejam afectadas por uma junção directa, camada activa − substrato.

LGS L LGD
Fonte Dreno

Z Porta
ND d
Camada activa
Camada tampão ND1 D

Substrato

Metalização

Figura 2.1 - Estrutura do transístor TECMES

2.2 Capítulo 2
Sobre a camada de tipo N são depositados os contactos óhmicos da fonte e do dreno, quase
sempre de uma liga de ouro e germânio, assim como o contacto Schottky da porta em ouro ou
alumínio. A porta está num plano inferior, porque assim se reduz as resistências parasitas fonte-
canal e dreno-canal e se aumenta a tensão de disrupção do canal [2.1].
Na figura 2.1 encontram-se marcadas as grandezas que caracterizam a estrutura do
TECMES de GaAs: Z é a largura da porta (tipicamente 75 a 300µm para aplicações em baixas
potências); L é o comprimento da porta (0.25 a 1µm para utilizações da banda S à banda K); LGD e
LGS são as distâncias entre os eléctrodos da porta e do dreno e da porta e da fonte respectivamente

(1 a 3µm); d é a espessura da camada activa (0.1 a 0.4µm); D é a espessura da camada tampão (3.5µ
m); ND é a densidade de impurezas da camada activa (1016 a 3x1017 at./cm3); e ND1 é a densidade
de impurezas na camada tampão (cerca de 1013 at./cm3).

2.1.2 - Princípio de funcionamento

A estrutura do TECMES é semelhante à do TECJ clássico (junção PN), e as características
I(V) de dreno de ambos os dispositivos são qualitativamente idênticas.
A figura 2.2 mostra a formação da zona de carga espacial sob a porta, para as várias zonas de
funcionamento do transístor.
A polarização é normalmente feita de modo a que o dreno e a porta estejam,
respectivamente, com uma tensão positiva e negativa em relação à fonte. Para uma tensão VDS

baixa (VDS≈0) e VGS constante e igual a VGS1<0, a junção Schottky está inversamente polarizada,
pelo que se forma por baixo da porta uma região de depleção que vai diminuir a largura do canal.
Para VGS igual a VGS1, quando VDS é incrementada, mantendo-se no entanto baixa, a corrente ID
aumenta proporcionalmente a VDS. O comportamento do canal é semelhante a uma resistência
(troço de semicondutor) e por isso diz-se que o TECMES opera na zona linear ou óhmica (figura
2.2a).
Com o aumento da tensão VDS, a zona de depleção vai-se acentuando do lado do dreno, que

é a zona da junção com uma polarização inversa maior (VDS>0 ⇒|VGD|>|VGS|). O comportamento
linear deixa de se verificar quando se reduz fortemente a largura do canal junto ao dreno. Na zona
mais estreita do canal, os portadores atingem velocidades próximas da saturação (figura 2.2b).
Nestas condições a relação ID(VDS) é fortemente não linear e o transístor opera na zona de tríodo ou
de transição.
Quando a velocidade de saturação é atingida na zona mais estreita do canal onde o campo é
máximo, se VDS aumentar, ID aumenta apenas à custa de um aumento da concentração de portadores
_______________________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 2 2.3
no canal. O transístor entra na zona de saturação, caracterizada por uma corrente aproximadamente
constante (figura 2.2c). A carga total na região de acumulação é aproximadamente igual à de
depleção, e a maior parte da tensão cai neste dipolo estacionário. A tensão VDS no limiar da
saturação é designada por VDSS.

ID

S G D
+ + ++ +

VDS

a)

ID

S G D
+ + ++ +
+ + +
---
VDS

b)

ID

S G D
+++++
++
----- +
VDS

c)

Figura 2.2 - Zonas de funcionamento de um TECMES: a)VDS muito baixo; b)VDS no início da
saturação; c) saturação

Se todo o processo descrito tivesse sido repetido para uma tensão VGS<VGS1<0, a região de
depleção seria desde o início mais larga, e as correntes ID menores. Obtém-se deste modo uma
família de curvas ID(VDS) a VGS constante.
O valor da tensão de VGS pode ser tal que, mesmo para tensões VDS aproximadamente iguais
a zero, o canal está totalmente estrangulado e ID≈0; ao valor mínimo de VGS que provoca esta

_______________________________________________________________________________________________
Apontamentos de Electrónica Rápida
2.4 Capítulo 2
situação chama-se tensão de limiar ou de estrangulamento (pinch-off), VTO. Nestas condições o
transístor está na zona de corte.
Esta descrição do modo de funcionamento do TECMES permite apenas uma interpretação
qualitativa aproximada. Uma análise rigorosa terá que considerar outros fenómenos.
Um deles é a condução para tensões abaixo da tensão de limiar (condução sub-limiar). Da
figura 2.2 e da descrição feita, deduz-se que um transístor pode ser posto ao corte aumentando o
valor absoluto da tensão porta-fonte, i.e., a polarização inversa da junção da porta até que a zona de
depleção se estenda a todo o canal. No entanto, a passagem ao corte não é imediata. Primeiro, o
topo da região de depleção não é abrupto. A transição entre a região com depleção total (ausência de
cargas móveis) e a região do canal não deplecionada pode ser uma percentagem apreciável da
espessura total (zona útil para a condução). Segundo, a separação entre a camada activa e a camada
tampão nunca é perfeitamente abrupta, permitindo a passagem de alguma corrente do substrato,
mesmo quando a região activa está completamente estrangulada [2.2].
Para descrever completamente o funcionamento do transístor, falta ainda referir os
fenómenos de disrupção. Um dos factores que limita superiormente a tensão de polarização do
dreno é a disrupção do canal. O aumento da corrente deve-se neste caso à multiplicação por
avalanche dos electrões no canal, pelo que é máxima perto da tensão de limiar (maior zona de
depleção). Em conformidade, a tensão de disrupção do dreno, VDR, aumenta com o módulo da
tensão de polarização da porta, e o seu valor máximo obtém-se perto da tensão de limiar
(tipicamente VDR=20V).

2.1.3 - Modelo em sinais fracos

Representa-se na figura 2.3 um circuito equivalente, para alta frequência de um TECMES,
que o modela através de parâmetros concentrados (RLC e geradores comandados), para
funcionamento na região de corrente saturada.
Os elementos do modelo intrínseco são (Cgs+Cgd) que representam a capacidade distribuída
entre a porta e o canal; Ri é a resistência da zona óhmica do canal, entre a zona de depleção e o
terminal da fonte; 1/Rds relaciona ids com a queda de tensão aos seus terminais, ou seja, modela a
condutância do canal. A transadmitância ym relaciona ids com a queda de tensão em Cgs. Pode-se

representar ym como uma transcondutância gm, independente da frequência, com atraso τo, que
representa o tempo de trânsito dos portadores sob a porta à velocidade saturada (para um TECMES
de 0.5µm de porta, τo≈L/vs=0,5.10-4cm/2.107cm/seg=2.5ps):

y m = g me − jωτ o (2.1)

_______________________________________________________________________________________________
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Capítulo 2 2.5
Modelo
intrínseco
RG RD LD D
G LG CGD
Rds
CGS
vi Cds
R gmvi
i

RS

LS
S

Figura 2.3 - Modelo em sinais fracos do TECMES

Ao modelo intrínseco ("chip-device" ou dispositivo sem encapsulamento) são acrescentados

os elementos parasitas que dependem da estrutura geométrica e do processo tecnológico de
encapsulamento do dispositivo. Os elementos extrínsecos ou parasitas são as resistências e
indutâncias das zonas de acesso aos terminais intrínsecos da porta, fonte e dreno (RG, LG, RS, LS, RD
e LD), e a capacidade do substrato Cds.
O ganho de potência máximo do transístor vale aproximadamente [2.3]:

2
f 
G a max =  max  (2.2)
 f 

em que fmax é a máxima frequência de oscilação, que é dada por:

fT
f max = (2.3)
2 r1 + f T τ 3

com
gm
fT = (2.4)
2πC gs

R G + R i + RS
r1 = (2.5)
R ds

τ 3 = 2 πR G Cgd (2.6)

A equação prevê, para o ganho, um decréscimo com a frequência de 6dB/oitava, e à frequência fmax
um ganho unitário. Para maximizar fmax, deve-se optimizar fT (frequência de ganho de corrente

_______________________________________________________________________________________________
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2.6 Capítulo 2
unitário), e a razão Rds/Ri do TECMES intrínseco, e reduzir as resistências série RG, RS e RD, assim
como a capacidade de retroacção Cgd.

2.1.4 - Modelo em sinais fortes

A descrição qualitativa do funcionamento do TECMES, e o modelo em sinais fracos para a

zona de saturação, apresentados nos parágrafos anteriores, é insuficiente para simular ou obter a
resposta total dos circuitos que se vão nos estudar nalguns dos capítulos seguintes. É necessário um
modelo quantitativo que relacione os fenómenos físicos descritos com um circuito equivalente de
elementos concentrados que possam ser incluídos em programas de análise de circuitos.
Na literatura pode encontrar-se um grande número de modelos não-lineares para o TECMES
[2.4] a [2.9]; a maioria desses modelos tem uma estrutura que pode ser obtida a partir do circuito
equivalente da figura 2.4

Modelo
intrínseco
LG RG RD LD D
G Dgd
Dgs CGSCGD
Cds
Ri ID
RS

LS
S
Figura 2.4 - Modelo em sinais fortes do TECMES

As características dc do TECMES são descritas fundamentalmente pela fonte de corrente

não linear ID(VGS,VDS). Este é o mais importante elemento do modelo de sinais fortes, pois simula o
comando das tensões aplicadas aos terminais do dispositivo sobre a corrente do canal (efeito de
campo). Não só a função ID(VGS,VDS), mas também as suas primeiras derivadas parciais, devem
estar bem ajustadas às características experimentais do dispositivo. Deste modo, além das tensões
de limiar e de saturação, também a transcondutância, gm, e a condutância são simuladas com
precisão.
O modelo proposto por Curtice [2.4] é o mais simples, e foi o primeiro a ser implementado
no simulador SPICE. Tem a vantagem de que todos os seus parâmetros estão associados a zona de
funcionamento específicas do transístor, o que torna bastante simples a extracção dos seus valores.
A corrente de dreno é dada pela expressão:

_______________________________________________________________________________________________
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Capítulo 2 2.7
Idreno=(-IG-ID) (2.7)

onde, para VDS≥0 (modo normal de funcionamento) e VGS-VTO≥0 (zonas linear, de tríodo e de
saturação) se tem:

I D = β(1 + λVDS )( VGS − VTO ) 2 tanh(αVDS ) (2.8a)

em que α, β e λ são constantes escolhidas para obter um bom ajuste entre as características I(V).
α → parâmetro da tensão de saturação
β → coeficiente de transcondutância
λ → modulação do comprimento do canal
Para VGS-VTO≤0 (zona de corte) tem-se:

ID=0 (2.8b)

A relação I(V) (2.8a) é simplesmente a de um TECJ de Silício na zona de saturação, multiplicada

por uma função tangente hiperbólica, para modelar convenientemente a zona de tríodo do
TECMES.
Para VDS<0 (modo de funcionamento inverso) o dreno troca com a fonte nas equações (2.8),
admitindo-se a simetria da estrutura.
A corrente IGD, é uma das componentes da corrente de porta IG, a qual se obtém pela soma
de duas componentes do tipo exponencial para uma junção Schottky:

IG=IGS+IGD
com

(
i GD = I S e v GD / ηVT − 1 ) (2.9a)

i GS = I S (e v GS / ηVT
− 1) (2.9b)

onde IS é a corrente inversa de saturação dos díodos DGS e DGD.

As capacidades CGS e CGD que aparecem no modelo da figura 2.4 são as capacidades das
junções Schottky. Numa junção Schottky não há armazenamento de portadores minoritários pelo
que a sua capacidade é do tipo capacidade de transição numa junção pn e é dada por [2.5]:

C0
C= (2.10)
v
1−
φ bi

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2.8 Capítulo 2
onde V é a tensão aplicada aos terminais da junção, φbi é o potencial de contacto e C0 é o valor da
capacidade da junção para uma tensão de polarização nula.
Quando o denominador de (2.10) se aproxima de zero, o que acontece para valores de V
próximos de φbi, a capacidade C tende para infinito (a capacidade de transição aumenta à medida
que a zona de depleção diminui). Assim, a expressão (2.10) só se utiliza para tensões V<FC.φbi,
onde FC é um parâmetro de ajuste inferior a 1 [2.5].
Para V>FC.φbi, adopta-se a expressão:
 V 
C = C 0 ( 1 − FC) − (1+ M ) 1 − FC ( 1 + M ) + M  (2.11)
 φ bi 

2.1.4 - Modelo de ruído

Um estudo muito detalhado do comportamento de sinal e ruído para TECMES foi publicado
por Pucel et al [2.10]. Nesse trabalho o comportamento de ruído do transístor é caracterizado pelo
seu modelo intrínseco linear (diporto não ruidoso) e pelas duas fontes de corrente de ruído, ing,
associada à porta e ind associada ao dreno (figura 2.5).

i'ng i'nd
LD
Cgd
+
RG vi Cgs Rds ind RD
LG -
ing Gmv1
Ri Cds

ins
RS

LS

Figura 2.5 - Modelo do dispositivo para análise do ruído

O gerador de corrente na saída, ind, representa o ruído gerado no canal. O seu valor
quadrático médio pode ser expresso na seguinte forma [2.11]:

i 2nd = 4KTOg m P∆f (2.12)

em que gm é a transcondutância e P um factor dependente da geometria do dispositivo e da

polarização. Para tensão de dreno nula, ind representa o ruído térmico gerado pela resistência de
dreno Rds: P=1/Rdsgm. Para tensões de dreno positivas, o ruído gerado no canal é superior ao ruído

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Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 2 2.9
térmico gerado por Rds. De notar que esta expressão também é válida para os outros transístores de
efeito de campo como os de junção (JFET), os de Metal Óxido Silício (MOS) [2.12] e os de
heterojunção (HEMT) [2.13].
Uma tensão de ruído gerada localmente no canal, causa uma flutuação na largura da região
de depleção e por conseguinte na sua carga. Esta flutuação induz uma variação da carga
compensatória no eléctrodo de porta. A flutuação total induzida na carga da porta é modelada por
um gerador de corrente ing, entre a porta e a fonte (figura 2.5), de valor eficaz dado por:

ω2Cgs
2
Q
i 2ng = 4KTO ∆f (2.13)
gm

onde Cgs é capacidade porta-fonte e Q um factor dependente da geometria do TEC e das suas
condições de polarização. As duas fontes de corrente ing e ind provêm da mesma tensão de ruído do
canal, sendo portanto de esperar uma correlação entre elas. A correlação é um imaginário puro pois
ing é causada pelo acoplamento capacitivo entre o circuito da porta e as fontes de ruído do canal.

i nd i *ng
corc = jC = (2.14)
i 2nd i 2ng

onde C é o coeficiente de correlação entre as duas fontes de ruído e i ndi*ng = j4KTo ∆fωCgs V (V é

um factor dependente da polarização). Para o TEC extrínseco, as fontes de corrente dos elementos
parasitas Rg, Rs e Rd podem ser expressas como:

i 2x = 4KTO ∆f / R x x=g,s,d (2.15)

que correspondem ao ruído térmico.

Os factores P, Q e V podem ser calculados em função das tensões dreno-porta, fonte-porta e
de limiar e do campo de saturação; das expressões (2.12, 2.13 e 2.14) pode-se concluir que
C = V / PQ . Valores típicos, destes coeficientes, para um HEMT com comprimento de porta

0,5µm e largura de 200µm polarizado na zona de saturação são: P=1,1, Q=0,5 e C=0,9 [2.13].
O valor mínimo do factor de ruído, Fopt, do TEC intrínseco pode ser expresso por:

2
f  P  f 
Fopt = 1 + 2 PQ(1 − C ) 2 
+ 2g m R i P 1 − C    (2.16)
fT  Q   fT 

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2.10 Capítulo 2
onde fT=gm/(2πCgs). As resistências parasitas da porta, fonte e dreno geram elas próprias ruído
térmico e portanto aumentam consideravelmente o mínimo do factor de ruído.

2.1.5 - Redes de polarização

O projecto das malhas de polarização de um TECMES é tão importante como o projecto das
malhas de adaptação, uma vez que o custo por decibel de ganho em microondas ou de factor de
ruído é tão alto que o desempenho em rf não pode ser sacrificado por uma rede de polarização mal
desenhada.
O ponto de funcionamento em repouso deve ser seleccionado de acordo com a aplicação a
que se destina, - amplificador de baixo ruído e baixa potência; amplificador de ganho elevado;
amplificador de potência em classe A, classe B ou classe AB - pois para cada uma delas há um PFR
óptimo. Nos amplificadores de baixo ruído os transístores devem ser polarizados com corrente e
tensão baixas (normalmente ID=0.15IDSS)1, como mostra o ponto A na figura 2.6. Para obter ganhos
elevados deve-se aumentar a corrente ID até cerca de 0.9IDSS mantendo VDS baixo (ponto B). À
medida que for necessário mais potência na saída do transístor, VDS tem de aumentar, bem como ID.
Se se quiser manter o funcionamento na zona linear, como acontece com os amplificadores de
potência em classe A, deve-se ter ID≈0.5IDSS (ponto C). Para maior rendimento (classe AB), a
corrente ID deve diminuir e o PFR óptimo corresponde ao ponto D na figura 2.6.

IDS

VGS=0V
0.9IDSS B

VGS=-1V
C
0.5IDSS
A D
0.15IDSS VGS=-2V

3 8 VDS(V)

Figura 2.6 - Características de saída típicas de FET de GaAs. Ponto A é para baixo ruído, B para
ganho elevado, C para classe A e D para classe B ou AB

Na figura 2.7 apresentam-se vários circuitos de polarização típicos. Em qualquer

configuração, a polarização da porta, VG, deve ser ligada primeiro para evitar funcionamentos
transitórios fora da zona segura de operação já que para VGS=0 a corrente é máxima (transístor de

1
- IDSS é, tal como nos MOSFETs de deplecção, o valor da corrente de dreno obtida na saturação com VGS=0
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Capítulo 2 2.11
depleção) e se ligar VD deixando a porta em aberto a corrente ID pode tomar valores muito
elevados). Esta configuração apresenta uma baixa indutância na fonte, e portanto maior ganho e
menor factor de ruído. Os circuitos da figura 2.7b-c) têm só um tipo de fontes (positivas ou
negativas).

Choke Choke Choke Choke

+VS
-VG +VD +VD

a) b)

Choke
Choke Choke Choke
Choke Rs

-VS
-VG +VD

c) d)
+VD
-VG

Choke Choke
λ/4 λ/4
Rs

-VG

e) f)
Figura 2.7 - (a) a (f) Circuitos básicos de polarização de TECs

Neste tipo de circuitos de polarização é preciso usar, na fonte, condensadores de

desacoplamento específicos para altas frequências (baixa indutância parasita) com elevados factores
de qualidade (baixa resistência parasita); se tal não acontecer, além de o factor de ruído aumentar,
existe ainda o perigo de instabilidade em baixa frequência e consequente oscilação.
Os circuitos de polarização da figura 2.7d-e) só usam uma fonte de alimentação; este tipo de
circuito aplica a tensão à porta, dreno e fonte simultaneamente evitando os problemas de
temporização que existiam nos circuitos anteriores. A eficiência destes amplificadores fica reduzida
por se usar uma resistência na fonte em paralelo com o condensador uma vez que nela se dissipa
parte da potência dc. A vantagem reside no facto de a resistência proteger a fonte de transitórios na
alimentação. O PFR pode ser ajustado variando o valor de RS. Nos circuitos com dois tipos de

_______________________________________________________________________________________________
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2.12 Capítulo 2
fontes a protecção pode ser feita usando um circuito RC com uma constante de tempo grande na
fonte positiva e outro com constante de tempo pequena na fonte negativa.
As bobinas de bloqueio nos circuitos com parâmetros distribuídos são substituídos por
linhas de alta impedância de comprimento l=λ/4 em curto-circuito (figura 2.7f).

Exemplo 2.1 - Polarização passiva

Pretende-se dimensionar o circuito de polarização de um TECMES usando só uma fonte de
alimentação.

Solução - 1.O circuito a dimensionar é o da figura 2.7d).

2.Os "chokes" de RF podem ser feitos com 2 ou 3 voltas
3.Rs é um potenciómetro de 5KΩ (1W) que se ajusta até se obter a corrente ID que se
pretende.
4.Todos os condensadores são de 1nF com um factor de qualidade Q elevado.

Para além dos circuitos de polarização passivos, podem-se usar circuitos activos como o da
figura 2.8. Na figura 2.8 o PFR é controlado por RB2 e RE. RB2 é ajustado de modo a obter o valor de
VDS pretendido e RE de modo a obter ID.

VDD

RE Choke Co
RB1
vo
TPOL Ci
TRF
vi
RB2
RC Choke
CB

RC2
RC1

VEE

Figura 2.8 - Circuito de polarização activa para um TECMES

Um bom circuito de polarização de amplificadores com TECMES deve obedecer às

seguintes condições: a fonte deve ter uma boa massa, deve haver protecção para eventuais
transitórios nomeadamente no circuito da porta, e se, numa cadeia, um dos dispositivos se avariar
isso não deve afectar os outros dispositivos.

Exemplo 2.2 - Polarização activa

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Apontamentos de Electrónica Rápida
Capítulo 2 2.13
Pretende-se dimensionar uma malha de polarização activa para um TECMES (IDSS=80mA,
VDD=10V, VEE=-5V).

Solução - 1.O circuito a dimensionar é o da figura 2.8.

2.Os "chokes" de RF podem ser feitos com 2 ou 3 voltas
3.Os condensadores Ci e Co são de 1nF com um factor de qualidade Q elevado.
4.O condensador CB=5nF.
5.Os valores das resistências são
RB1=38KΩ
RB2=100KΩ (potenciómetro)
RE=5KΩ (potenciómetro)
RC=1KΩ
RC1=10KΩ
RC2=1MΩ

2.2 - TRANSÍSTORES DE EFEITO DE CAMPO METAL ÓXIDO SILÍCIO (MOS)

2.2.1 - Introdução

Este parágrafo foca a sua atenção, somente nos aspectos relevantes do funcionamento deste
dispositivo, para o projecto de circuitos de alta-frequência. A figura 2.9 mostra, de forma
simplificada, um transístor MOS de canal n. O nome da estrutura deve-se à sobreposição da camada
de poly, que funciona como metal, óxido fino e substrato semicondutor, na área activa do transístor.
A largura e o comprimento são dados pelas dimensões W e L da porta (G-gate), respectivamente. A
distância entre os implantes n+ de dreno (D-drain) e fonte (S-source), definem o comprimento
efectivo, Leff, do canal. A polarização do substrato (B-body) é feita pelo implante p+.
G

W
D,S S,D

n+ n+

L
Substrato p

Figura 2.9 - Estrutura simplificada de um transístor MOS de canal n

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2.14 Capítulo 2
O óxido fino serve para isolar a porta do substrato semicondutor. Ao aplicar na porta uma
tensão VGS, os electrões são atraídos para uma zona imediatamente por baixo do óxido fino da
porta. Forma-se uma película fina do tipo n, denominada camada de inversão, dada a sua polaridade
invertida em relação à do substrato do tipo p. A camada de inversão forma um canal n, que
possibilita a passagem de corrente entre os terminais dreno e fonte. O transístor assim constituído é
um MOS de enriquecimento de canal n.
A camada de inversão faz com que seja possível haver corrente no canal, ao aplicar uma
tensão VDS entre os terminais dreno e fonte. Essa corrente só é significativa quando a tensão VGS
estiver acima da tensão de limiar Vt (threshold voltage). Enquanto VGS não excede Vt em algumas
centenas de mV, o transístor está na zona de fraca inversão, e a corrente depende exponencialmente
de VGS. A tensão Vt depende da tensão VBS, entre o substrato e o terminal fonte (efeito de corpo) e
das características da tecnologia.
A tensão entre o canal e o substrato distribui-se ao longo do canal, sendo nula junto ao
terminal de fonte e valendo VDS junto ao terminal de dreno. Então, perto da fonte o canal está
sujeito a uma tensão VGS−0 e perto do dreno o canal passa a estar sujeito a uma tensão VGS−VDS. A
tensão aplicada ao canal decai entre a fonte e o dreno pelo que a espessura do canal reduz-se entre
estes terminais.
Se a tensão VDS for baixa em relação a VGS, a tensão aplicada entre a porta e o canal é quase
constante ao longo deste. O canal tem uma espessura quase constante pelo que o transístor MOS
funciona como uma resistência, controlada pela tensão de porta. Sob estas condições a corrente de
dreno, ID, varia linearmente com a tensão VDS pelo que o transístor está na zona linear ou de tríodo.
Ao aumentar a tensão VDS, o canal estreita junto do dreno (pinch-off), pelo que a resistência
do canal aumente com VDS. Quando VDS for tal que VGS−VDS=Vt, a tensão no canal, perto do dreno
vale Vt. Nesse ponto, o canal estrangula e, a corrente ID deixa de aumentar, dizendo-se que o
transístor está na zona de saturação de corrente.
A partir da análise simplificada de um transístor MOS de canal comprido [2.14] chegam-se a
equações para a corrente de dreno para as várias zonas de operação e que permitem uma primeira
aproximação num projecto com estes dispositivos. Se a tensão estiver abaixo da tensão de limiar, a
corrente é considerada nula (corte). Se a tensão de porta for superior a esta tensão, o transístor está à
condução, podendo estar na zona de saturação de corrente ou na zona linear, consoante o valor de
VDS em relação a VGS-Vt. Assim, para VDS< VGS-Vt (zona linear) a corrente de dreno, ID, é dada por:

W 1 
ID = k  (VGS − Vt )VDS − VDS2  (2.17)
L 2 

_______________________________________________________________________________________________
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Capítulo 2 2.15
Em que k=µCOX. Por sua vez, µ é a mobilidade dos portadores no canal e COX é a capacidade do
óxido fino, por unidade de área.
A partir VDS≥ VGS-Vt, a corrente passa a ser praticamente constante. Para obter a corrente
nesta zona, substitui-se VDS por VGS-Vt em (2.17),vindo:

1 W
ID = k (VGS − Vt )2 (2.18)
2 L

A capacidade distribuída entre a porta e o canal é representada electricamente por dois

condensadores: Cgs e Cgd cujos valores dependem da tensão no canal. Quando o transístor funciona
na zona linear, o canal é quase constante entre a fonte e o dreno, pelo que a capacidade entre a porta
e o canal divide-se em metade para Cgs e metade para Cgd. Quando o transístor funciona na zona de
saturação de corrente, o canal está estrangulado junto ao dreno, pelo que a capacidade entre a porta e
o canal recai quase toda em Cgs, sendo Cgd quase nulo.
A estrutura MOS contém ainda os díodos constituídos pelas junções dreno e fonte para o
substrato. Em funcionamento normal, estes díodos estão inversamente polarizados, pelo que a
corrente que os atravessa é desprezável, sendo modelados apenas pela sua capacidade de transição.
Os transístores MOS têm vindo a sofrer uma redução no comprimento do canal, fruto da
evolução dos processos litográficos, e que tem como consequência directa a redução da área activa
ocupada pelo transístor. Em conformidade, a frequência de operação sobe, não só devido ao
encurtamento do canal, mas também devido à redução das capacidades das junções de dreno e fonte.
Surgem assim os denominados MOS de canal curto. Não está bem definido o valor de comprimento
que distingue o canal curto de comprido, no entanto, as actuais tecnologias de circuitos integrados
MOS com comprimento de canal de algumas décimas de mícron são de canal curto [2.14].
Os principais efeitos do encurtamento do canal na corrente de dreno resumem-se na
saturação da velocidade dos portadores no canal, na dependência da tensão de limiar, Vt, com a
tensão VDS e na variação do comprimento eléctrico do canal com a tensão de dreno. Estes efeitos
não são exclusivos dos transístores de canal curto pois também se manifestam, mas em menor
escala, nos de canal comprido.
Ao encurtar o canal de um transístor MOS, o modo de funcionamento da corrente no canal
descrito sofre alterações. Os principais efeitos do encurtamento do canal na corrente de dreno
resumem-se na saturação da velocidade dos portadores no canal, a dependência da tensão de limiar,
Vt, com a tensão de dreno, e a variação do comprimento do canal com a tensão de dreno. A figura
2.10 representa todos esses efeitos.

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2.16 Capítulo 2
canal comprido LP canal curto

n+ n+ n+ n+
E E

substrato p Zona de depleção do dreno substrato p Zona de depleção do dreno

Figura 2.10 - Efeitos do encurtamento do canal na corrente de um transístor MOS.

Para uma determinada tensão fixa VDS, a redução do comprimento do canal conduz a um
aumento do campo eléctrico ao longo do canal. Quando o campo eléctrico ao longo do canal de um
transístor MOS é suficientemente elevado (cerca de 1.5MV/m, ou seja 1.5V numa tecnologia de
1µm), a velocidade dos portadores deixa de aumentar com o seu valor. Esta saturação da velocidade
dos portadores faz com que a dependência da corrente de dreno com a tensão de porta deixe de ser
quadrática (MOS de canal comprido) e passe a ser linear (MOS de canal curto), para correntes
elevadas de dreno.
Outro efeito que se faz notar mais nos transístores de canal curto é a influência das zonas de
depleção das junções de dreno e fonte na formação do canal. A camada de inversão é formada a
partir da zona de depleção causada pela tensão de porta e também pelas zonas de depleção das
junções dreno e fonte. Dado que a zona de depleção da junção de dreno depende da tensão VDS
aplicada, a formação do canal, ou seja Vt, depende de VDS. Se o comprimento do canal for bastante
superior à dimensão da zona de depleção do dreno (canal comprido), resulta que Vt é quase
independente de VDS, variando apenas com VBS. Para comprimentos de canal muito pequenos, a
dependência da tensão Vt com VDS é significativa, enquanto a sua dependência com VBS se reduz
devido à menor porção de canal sob a influência da porta e do substrato.
O outro fenómeno apreciável nos transístores de canal curto é a variação do comprimento do
canal com a tensão de dreno. Quando o transístor está a operar na zona de saturação de corrente, o
canal está estrangulado junto da junção de dreno. Esse estrangulamento conduz a uma redução, LP,
no comprimento do canal, que é variável com a tensão VDS. Nos transístores de canal comprido essa
variação LP é insignificante face ao comprimento do canal, resultando numa corrente ID menos
dependente de VDS. Nos transístores de canal curto essa variação de comprimento é significativa,
tendo a corrente IDS uma dependência apreciável com VDS.

2.2.2 - Modelo em sinais fortes

A estrutura MOS representada na figura 2.9 é descrita electricamente pelo circuito
representado na figura 2.11. O circuito é dividido em duas partes, contendo os elementos do
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Capítulo 2 2.17
transístor MOS intrínseco e os elementos parasitas a ele associados. O transístor MOS intrínseco é
descrito pela dependência da corrente no canal, iDS, com as tensões vDS e vGS intrínsecas, bem como
pela capacidade distribuída entre a porta e o canal, modelada pelas capacidades Cgsi e Cgdi. A
estrutura de parasitas compreende os díodos parasitas das junções de dreno e fonte, DBS e DBD, as
capacidades que resultam da sobreposição da porta com as difusões de dreno e fonte, CgdO e CgsO, e
com o substrato, CgbO.
G

CGS CGSO CGDO CGD

CGSi CGDi
RS RD
S D
Si iD(vGSi,vDiSi) Di

CBS DBS CBD DBD

CGBO

B
Figura 2.11 - Modelo em sinais fortes de um transístor MOS.

A evolução dos modelos dos transístores MOS tem sido motivada quer pela evolução das
tecnologias MOS quer pelas exigências a nível de simulação eléctrica. A evolução das tecnologias
deve-se essencialmente à redução do comprimento do canal dos MOS, enquanto as simulações
eléctricas têm como objectivo a previsão com rigor das características de circuito com
complexidade crescente.
As principais modificações nos modelos MOS têm-se verificado ao nível da modelação da
corrente ID, que conforme foi salientado anteriormente tem uma lei de variação dependente do
comprimento do canal. Para contemplar todos os efeitos do encurtamento do canal, nos modelos
mais recentes, tem se verificado um incremento dos parâmetros empíricos em detrimento dos físicos
(por exemplo no modelo nível 2 e 3 cerca de metade dos parâmetros são físicos, enquanto no
modelo nível 39, ou BSIM2 (Berkley Short-channel IGFET Model), apenas 7% dos parâmetros são
físicos) [2.15].
As características de sinal fraco, gm=(diDS/dvGS)|vDS=cte. e gds=(diDS/dvDS)|vGS=cte., geradas
pelo modelo não podem ter descontinuidades nas derivadas, tal como sucede com os transístores
reais. Essas descontinuidades que surgem nalguns modelos provocam problemas de convergência e
até mesmo soluções, nessas zonas, que não correspondem à realidade. Também importante, é o
comportamento das características, que mesmo tendo derivadas contínuas podem conduzir a
soluções sem sentido como, como por exemplo, gds negativo.
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2.18 Capítulo 2

2.3 - TRANSÍSTORES DE JUNÇÃO BIPOLARES

2.3.1 - Introdução
O princípio básico de funcionamento de um transístor de junção bipolar para microondas é
aproximadamente o mesmo dos transístores de baixa frequência, sendo no entanto necessário ter
mais cuidado nalgumas características que limitam o desempenho na frequência, tais como a largura
do emissor, a distância entre os contactos do emissor e da base e a área do colector (figura 2.12).

B E C
Metalização

n++ Difusão de Emissor

p+ Difusão de Base

n Camada Epitaxial

n+ Substrato de Si

Figura 2.12 - Estrutura do transístor de junção bipolar

Na banda de frequências abaixo dos 5GHz, os TJBs de Silício continuam a ser preferíveis face aos
de efeito de campo excepto no que diz respeito à concretização de amplificadores híbridos de muito
baixo factor de ruído. Uma vez que a tecnologia do Silício está mais madura e tem custos de
produção menores, em relação aos circuitos monolíticos, a possibilidade de integrar transístores
bipolares com transístores MOS (tecnologia BICMOS) torna-os particularmente atractivos para
frequências até 2GHz em aplicações multi-função. O ganho que se pode obter com um TJB é maior
do que com um TEC devido a maior transcondutância, gm, que estes apresentam. A frequência
máxima de oscilação é inversamente proporcional à largura do emissor e à distância entre os
contactos do emissor e da base. A maioria dos transístores de junção bipolares para microondas são
feitos em tecnologia planar e são npn.

2.2.2 - Modelo em sinais fracos e sinais fortes

Na figura 2.13 apresenta-se um modelo equivalente em sinais fracos com elementos
concentrados, de um TJB de microondas encapsulado, em montagem de emissor comum. Tal como
no caso do TEC de GaAs , o ganho de potência máximo do transístor pode ser aproximado por
[2.16]:
f 
G a max ≈  max  (2.19)
 f 
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Capítulo 2 2.19
onde fmax é a frequência máxima de oscilação. O ganho do TJB intrínseco cai a 6dB/oitava tal como
acontecia no TEC de GaAs.
Modelo
intrínseco
Lb Rbb' Rc Lc
B' Cc
B C
gmvb'
vb' Cb' Ro
Rb'

Re Co

Le

Figura 2.13 - Modelo em sinais fracos do TJB

O modelo de sinais fortes, para o transístor de junção bipolar intrínseco, implementado nos
simuladores de circuitos, é o modelo de Gummel-Poon (figura 2.14). Esse modelo, ao contrário do
que aconteceu com os primeiros modelos dos TECMES e dos MOSFET, continua a ser capaz de
descrever correctamente o funcionamento dos dispositivos, mesmo quando estes têm dimensões
muito pequenas (fTs elevadas).

C B E

Rc Rbb' Re
B´

Substrato

Figura 2.14 - Modelo em sinais fortes de um transístor de junção bipolar

2.3.3 - Modelo de ruído

Os transístores de junção bipolares têm sido usados em amplificadores de baixo nível de
ruído, em frequências até aos 4GHz embora o seus factor de ruído seja superior ao dos TECMES de
GaAs. Uma das duas principais fontes de ruído em transístores bipolares de microondas é o ruído
térmico causado pela agitação térmica dos portadores na região óhmica do substrato do transístor.
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2.20 Capítulo 2
Essa região é representada no modelo equivalente pelas resistências em série com a base, o emissor
e o colector. Em geral é a resistência de base Rbb´ que domina este efeito pelo que a fonte de ruído
térmico pode ser representada por uma fonte de ruído em série com Rbb' [2.17]:

enb 2 = 4KTO R ∆f (2.20)

bb′

A outra fonte de ruído é a fonte de ruído "shot" cuja origem são as flutuações nas correntes de
polarização da base e do colector, que podem ser expressas como fontes de corrente de ruído na
entrada e na saída:

i nb 2 = 2qI b ∆f (2.21)

i nc 2 = 2qI c ∆f (2.22)

onde q é a carga do electrão. Estas três fontes de corrente não são correlacionadas, isto é

e nb *i nb = 0, e nb *i nc = 0, e i nb *i nc = 0 . O factor de ruído óptimo Fopt do transístor é

aproximadamente dado por

Fopt = 1 + h(1 + 1 + 2 / h ) (2.23)

onde

h = 0.04I C R (f / fT ) 2 (2.24)
bb ′

e fT é a frequência para a qual o ganho de corrente é unitário.

De notar que a expressão (2.22) pode ser escrita em função de gm de modo a comparar o
desempenho em termos de ruído dos transístores de efeito de campo com os bipolares:

i nc 2 = 2 KT0gm∆f (2.25)

2.3.4 - Redes de polarização

No projecto de amplificadores de alta frequência, tal como em baixas frequências, as redes
de polarização devem proporcionar um ponto de funcionamento em repouso constante para uma
dada gama de temperaturas e para os valores de dispersão fornecidos pelos fabricantes. Do ponto de
vista da dessensibilização em relação à temperatura, os circuitos de polarização passivos são
satisfatórios e de fácil concretização. As duas configurações de polarização passiva mais usadas são
as da figura 2.15 e diferem dos circuitos de polarização em baixa frequência por terem os "chokes"
de RF que isolam as fontes dc do circuito ac. No circuito da figura 2.16b), a introdução de RB1 e

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Capítulo 2 2.21
RB2 na realimentação, permite usar resistências de menor valor o que é mais conveniente do ponto
de vista de integração.

Exemplo 2.3 - Polarização passiva de TJB

Um TJB para microondas tem os seguintes parâmetros:
VCC=30V IBB=1,5mA VBB=3V
VBE=1V ICBO=0 βF=50
Dimensione as malhas passivas de acordo com as figs.2.10a) e b) para um PFR IC=15mA,
VCE=10V.

RB2 RB1 RC
VCC
RB RC VCC
RB
Choke
Choke
Choke Choke

-
a) b)
Figura 2.15 - a) e b) Circuitos passivos para polarização de TJBs

Solução 1 : Malha passiva com realimentação de tensão (fig. 2.10a)

. −3
I C 1510
IB = = = 0,3mA
βF 50
VCE − VBE 10 − 1
RB = = = 30KΩ
IB . −3
0,310
VCC − VCE 30 − 10
RC = = = 1,3KΩ
IC + IB . − 3 + 0,310
1510 . −3

Solução 2 : Malha passiva com realimentação de tensão e corrente de base constante (fig. 2.10b)
VBB − VBE 3−1
RB = = = 6,67 KΩ
IB . −3
0,310
VCE − VBB 10 − 3
R B1 = = = 3,89KΩ
I BB + IB 1,5.10 −3 + 0,3.10−3
VBB 3
R B2 = = = 2 KΩ
. −3
I BB 1,510

VCC − VCE 30 − 10
RC = = , KΩ
= 119
. − 3 + 1,510
I C + I BB + I B 1510 . − 3 .0,310
. −3
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2.22 Capítulo 2
No entanto, quando variação do ganho de corrente em dc (βf) é muito elevada, a

compensação deve ser feita através de um circuito activo. O circuito de polarização activo estabiliza
melhor o PFR pelo que é aconselhado em amplificadores de potência e em amplificadores de baixo
nível de ruído. Na figura 2.16 apresenta-se um circuito de polarização activa típico. O PFR pode ser
seleccionado por ajuste das resistências RB1 e RE.

vo
vi TRF

C ho ke C ho ke
RC

TPOL
R B2

R B1 RE
V CC

Figura 2.16 - Circuito de polarização activa de um TJB

A polarização activa consiste numa malha de realimentação que amostra a corrente de

colector (IC) do transístor de alta-frequência (TRF) e ajusta a sua corrente de base de modo a manter
IC constante. O divisor resistivo constituído por RB1 e RB2 é escolhido de modo a fixar VCE de TRF,
e a corrente de colector é determinada por RE. O equilíbrio é atingido quando a corrente de base
mais a corrente de colector igualam a corrente em RE. Oscilações parasitas que possam surgir neste
circuito de polarização activa podem ser suprimidas usando condensadores de baixa frequência de
valor adequado.

PROBLEMAS

2.1 - O ponto de funcionamento em repouso de um TECMES de GaAs é: ID=14mA, VDS=5V, VGS=-

1V. Sabendo que se dispõe só de uma fonte de polarização VDD=9V.
a) Dimensione a resistência de dreno.
b) Dimensione a resistência da fonte.

2.2 - O TJB de Si tem os seguintes parâmetros: VBE=1V, βF=50. Sabendo que Vcc=15V e VBB=2V,
dimensione para obter o PFR (IC=5mA, VCE=10V):
a) A malha de polarização usando realimentação em tensão (fig.2.15a).
b) A malha de polarização usando realimentação em tensão e corrente de base constante (fig.2.15b).
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Capítulo 2 2.23
c) A malha de polarização usando resistência de emissor contornada.

2.3 - Um TECMES de GaAs tem os seguintes parâmetros: IDSS=50mA, VP=-3V. Para obter
ID=2,25mA, calcule:
a) A tensão porta-fonte VGS.
b) A resistência de fonte RS.

2.4 - Dimensione as resistências da malha de polarização activa do circuito da fig 2.8 para que o
PFR seja VDS=2,5V, ID=20mA. Considere VDD=10V, VEE=-5V, IDSS=30mA, VP=-1,2V. O TBF tem
βF=100 e VBE=0,7V.

2.5 - Dimensione as resistências da malha de polarização activa do circuito da fig 2.16 para que o
PFR seja VcE=8V, IC=15mA. Considere VCC=15V. O TPOL tem βF=100 e VBE=0,7V e o TRF tem
βF=50 e VBE=1V.

REFERÊNCIAS:
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GaAs Power MESFET's by a Simple Recess Structure", IEEE Trans, Electron Devices,
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Microwave Theory and Tech., vol. MTT-38, pp.822-824, Junho 1990.

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2.24 Capítulo 2
[2.10] - R. Pucel, H. Haus, H. Statz, "Signal and Noise Properties of Gallium Arsenide Microwave
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