Transistor

ELETRNICA ANALGICA
Transistor Bipolar
Eletrnica Analgica: Introduo

Existe uma infinidade de sinais de interesse em eletrnica que so muitos fracos, como por exemplo: as correntes eltricas que circulam no corpo humano; o sinal de sada de uma cabea de gravao, etc., Para transform-los em sinais teis torna-se necessrio amplific-los.

Antes da dcada de 50, a vlvula era o elemento principal nesta tarefa.
A vlvula foi apresentada por J. A. Fleming em 1904. Era uma vlvula diodo. Em 1906, Lee de Forest acrescentou vlvula um terceiro elemento chamado grade, que servia para controlar o fluxo de corrente entre o anodo e o catodo.
Eletrnica Analgica: introduo
O potencial da grade, sendo negativo em relao ao catodo, dificulta a passagem do fluxo de eltrons, controlando a corrente na carga RL.
Assim, qualquer pequena variao de tenso de grade VG provoca uma pequena variao na sua corrente IG, causando uma grande variao na corrente de anodo IA, sendo que a relao entre essas variaes determina o ganho ou amplificao A do triodo, ou seja:
IA A= IG
Conforme mencionado anteriormente, este efeito amplificao obtido pelo controle de corrente, era tudo que a eletrnica precisa para desenvolver grandes projetos.

A revoluo
Nos laboratrios de pesquisas da indstria Bell Telephones, nos EUA, Walter Brattain e John Bardee mostraram ao mundo um novo conceito em eletrnica: o transistor bipolar (conduo nos dois sentidos) ou transistor de juno.
O que o transistor? um dispositivo de estado slido, de trs terminais, que apresentava as seguintes vantagens em relao s vlvulas:

Menor tamanho; Muito mais leve; No precisava de filamento; Mais resistente; Mais eficiente, pois dissipava menos potncia; No necessitava de tempo de aquecimento; Menores tenses de alimentao.
Com todas estas vantagens, os transistores revolucionaram a tecnologia eletrnica, permitindo que hoje, com toda a gama de tipos e tecnologias de fabricao, possamos ver as maravilhas que eles fazem.
Um microprocessador pode chegar a ter um milho ou mais de transistores em seus circuitos (todos montados de silcio de 25mm).
Dentre todos os transistores, o bipolar muito comum, com semelhanas ao diodo estudado anteriormente, com a diferena de o transistor ser formado por duas junes PN, enquanto o diodo por apenas uma juno.
Eletrnica Analgica: funcionamento de transistores bipolares

Do que feito? O transistor bipolar constitudo por trs materiais semicondutor dopado. Dois cristais tipo N e um tipo P ou dois cristais tipo P e um tipo N. O primeiro chamado de transistor NPN e o segundo de PNP.
Cada um dos trs cristais, que compe o transistor bipolar, recebe o nome relativo a sua funo.
O cristal do centro recebe o nome de base, pois comum aos outros dois cristais, levemente dopado e muito fino.
Um cristal da extremidade recebe o nome de emissor por emitir portadores de carga e fortemente dopado.
O ltimo cristal tem o nome de coletor por receber os portadores de carga e tem uma dopagem mdia.
Apesar de na figura anterior no distinguir os cristais coletor e emissor, eles diferem entre si no tamanho e na dopagem.

O transistor tem duas junes, uma entre o emissor a base, e outra entre a base e o coletor. Por causa disso, um transistor se assemelha a dois diodos. O diodo da esquerda comumente designado diodo emissor - base (ou s emissor) e o da direita de coletor - base (ou s coletor).

Ser analisado o funcionamento do transistor NPN. A anlise do transistor PNP similar ao do NPN, bastando levar em conta que os portadores majoritrios do emissor so lacunas em vez dos eltrons livres. Na prtica, isto significa tenses e correntes invertidas se comparadas com o NPN.
Eletrnica Analgica: transistor no polarizado

A difuso dos eltrons livres atravs da juno produz duas camadas de depleo. Cada camada tem aproximadamente uma barreira potencial de 0,7V (silcio), em 25C.

Com os diferentes nveis de dopagem de cada cristal, as camadas de depleo tem larguras diferentes. Tanto maior a largura quanto menor a dopagem. Ela penetra pouco na regio do emissor, bastante na base e mdio na regio do coletor
As junes do transistor podem ser polarizadas diretamente ou reversamente
JUNES COM POLARIZAO DIRETA Na Figura a seguir a bateria B1 polariza diretamente o diodo emissor, e a bateria B2 polariza diretamente o diodo coletor.
Os eltrons livres entram no emissor e no coletor, juntam-se na base e retornam para as baterias. O fluxo de corrente eltrica alto nas duas junes.

JUNES COM POLARIZAO REVERSA Na figura a seguir os diodos emissor e coletor ficam reversamente polarizado. A corrente eltrica circulando pequena (corrente de fuga).

JUNES COM POLARIZAO DIRETA REVERSA Na figura abaixo o diodo coletor est reversamente polarizado e diodo emissor diretamente polarizado.
A princpio espera-se uma corrente de fuga no diodo coletor e uma alta corrente no diodo emissor. No entanto isto no acontece, nos dois diodos as correntes so altas.

No instante em que a polarizao direta aplicada ao diodo emissor, os eltrons do emissor ainda no penetraram na regio da base. Se a tenso entre base e emissor (VBE) for maior que 0,7V, muitos eltrons do emissor penetram na regio da base.
Estes eltrons na base podem retornar ao polo positivo da bateria B1, ou atravessar a juno do coletor passando a regio do coletor.
Os eltrons que a partir da base retornam a bateria B1 so chamados de corrente de recombinao. Ela pequena porque a base pouco dopada.
Como a base muito fina, grande parte dos eltrons da base passam a juno base-coletor.
Esta juno, polarizada reversamente, dificulta a passagem dos portadores majoritrios do cristal de base (lacunas) para o coletor, mas no dos eltrons livres.
Esses atravessam sem dificuldade a camada de depleo penetram na regio de coletor. L os eltrons livres so atrados para o plo positivo da bateria B2.
Em suma, com a polarizao direta do diodo emissor, injetado uma alta corrente em direo a base.
Na base uma pequena parcela da corrente, por recombinao, retorna ao polo positivo da bateria B1 e o restante da corrente flui para o coletor e da para o plo positivo da bateria B2.
No transistor PNP as regies dopadas so contrrias as do transistor NPN. Isso significa que as lacunas so portadores majoritrios no emissor em vez dos eltrons livres.

O funcionamento como a seguir: O emissor injeta lacunas na base. A maior parte dessas lacunas circula para o coletor. Por essa razo a corrente de coletor quase igual a do emissor. A corrente de base muito menor que essas duas correntes.

Qualquer circuito com transistor NPN pode ser convertido para uso de transistor PNP. Basta trocar os transistores, inverter a polaridade da fonte de alimentao, os diodos e capacitores polarizados. E o funcionamento ser idntico ao modelo NPN.
A figura a seguir mostra o smbolo esquemtico para um transistor NPN e PNP.

A diferenciao a nvel de esquemtico feito atravs da seta no pino do emissor. A direo da seta mostra o fluxo de corrente convencional. Na figura mostrado tambm o sentido das correntes convencionais IB , IC e IE .
A lei de correntes de Kirchhoff diz que a soma de todas as correntes num n igual a soma das que saem. Ento: IE = IC + IB
Eletrnica Analgica: efeito da amplificao
Analisando o fenmeno que ocorre com a polarizao completa do transistor NPN sob o aspecto da variao de correntes, tem-se o seguinte:

Um aumento na corrente de base iB provoca um nmero maior de recombinaes, aumentado a corrente de coletor iC. Da mesma forma, a diminuio na corrente de base provoca a diminuio na corrente do coletor. Isto significa que a corrente de base controla a corrente de emissor e coletor.

A corrente de base, sendo bem menor que a corrente de coletor, faz com que uma pequena variao iB provoque uma grande variao iC. Isso significa que a variao da corrente de coletor um reflexo amplificado da variao da corrente ocorrida na base.
O fato do transistor possibilitar a amplificao de um sinal faz com ele seja considerado um dispositivo ativo.

Este efeito amplificao, denominado ganho de corrente, pode ser expresso matematicamente pela relao entre a variao da corrente de coletor iC e a variao da corrente de base iB, isto : Ganho de corrente =
iC iB
Este efeito amplificao ocorre tambm no transistor PNP, s que as correntes fluem no sentido contrrio.
Eletrnica Analgica: configuraes bsicas
Os transistores podem ser utilizados em trs configuraes bsicas: Base comum (BC); Emissor comum (EC); e Coletor comum (CC).
O termo comum significa que o terminal comum entrada e sada do circuito, como mostra esquematicamente a figura a seguir:
Cada uma destas configuraes tem caractersticas especficas e, portanto aplicaes diferentes.

Principais caractersticas da configuraes
Para facilitar o clculo da polarizao dos transistores, os fabricantes podem fornecer duas funes na forma grfica. Uma relacionada com a caracterstica de entrada e outra com a caracterstica de sada de cada configurao.
Em geral, os fabricantes fornecem as curvas caractersticas da configurao EC, sendo que a partir desta, possvel obter os parmetros para as outras configuraes.
A caracterstica de entrada mostra a relao entre a corrente e a tenso de entrada para vrios valores constantes de tenso de sada, formando um grupo de curvas, uma para cada tenso de sada.
Na caracterstica de sada, tem-se a relao entre a corrente e a tenso de sada para vrios valores constantes de corrente de entrada, formando um grupo de curvas, uma para cada corrente de entrada.
A partir destas curvas, possvel calcular os resistores de polarizao mais adequados para uma determinada configurao e aplicao.
Por um questo de conveno, as tenses e correntes sero representadas pelas letras maisculas V e I quando se tratar de valores constantes ou bem-definidos.
E as tenses e correntes sero representadas pelas letras minsculas v e i quando se tratar de valores genricos ou variveis.

Configurao Base Comum (BC)
Nesta configurao, o emissor o terminal de entrada de corrente e o coletor o terminal de sada de corrente do circuito, sendo o terminal de base comum s tenses de entrada e sada.

Curva caracterstica de Entrada BC
Para cada valor constante de tenso de sada VCB, variando-se a tenso de entrada VBE, obtmse uma corrente de entrada iE.
Observa-se que a caracterstica de entrada, ou caracterstica de emissor, semelhante curva caracterstica de um diodo, pois a juno emissor-base funciona como um diodo polarizado diretamente.

A partir do momento que a tenso de entrada faz os portadores vencerem a barreira de potencial a corrente atravs da juno dispara e pequenas variaes de VBE causam grandes variaes de iE.

Curva caracterstica de Sada BC
Para cada valor constante de corrente de entrada IE, variando-se a tenso de sada vCB, obtm-se um corrente de sada iC.
A caracterstica de sada, ou de coletor, pode ser dividida em trs regies distintas, pois em cada uma delas o transistor tem um comportamento especfico.

Na regio de corte as duas junes esto polarizadas reversamente, fazendo com que a corrente de coletor (sada) seja praticamente nula (IC ~ 0). Portanto, o transistor est cortado. como se o transistor estivesse desconectado do circuito.

Na regio de saturao as duas junes esto polarizadas diretamente, fazendo com que uma pequena variao de tenso vCB (sada) resulte numa enorme variao da corrente de coletor (sada). Neste caso, o transistor est saturado. como se seus terminais estivessem em curtocircuito (VCB ~ 0)

Na regio ativa a juno emissor-base est polarizada diretamente e a juno base-coletor reversamente. Esta a regio central do grfico de sada, onde as curvas so lineares. Portanto, esta regio utilizada na maioria das aplicaes, principalmente na amplificao de sinais, para que a distoro seja mnima.
Por outro lado, trabalhando na regies de corte e saturao, o transistor comporta-se como uma chave eletrnica, isto , chave aberta quando ele est cortado e chave fechada quando ele est saturado.
Ganho de corrente na Configurao BC O ganho de corrente de um circuito qualquer a relao entre a variao de corrente de sada e a variao de corrente de entrada, para tenso de sada constante.
Porm, como se pode observar na figura a seguir, na regio ativa, as curvas de iE so praticamente paralelas ao eixo de vCB.

Assim, pode-se escrever a relao corrente de sada e corrente de entrada da seguinte forma:
iC = iE
Lembrando que iE = iC + iB, conclui-se que o ganho de corrente sempre menor que 1. Na maioria dos transistores, esse valor est entre 0,90 a 0,998.

Configurao Emissor Comum (EC)
Nesta configurao, a base o terminal de entrada de corrente e o coletor o terminal de sada de corrente do circuito, sendo que o terminal emissor comum s tenses de entrada e sada.

Curva caracterstica de Entrada EC
Para cada valor constante de tenso de sada VCE, variando-se a tenso de entrada vBE, obtmse uma corrente de entrada iB.

A curva caracterstica de entrada, ou caracterstica de base, semelhante da configurao BC, pois tem-se tambm a juno polarizada diretamente. Observa-se que possvel controlar a corrente de base variando-se a tenso entre base e emissor.

Curva caracterstica de sada EC
Para cada valor constante de corrente de entrada IB, variando-se a tenso de sada VCE, obtm-se um corrente de sada iC.
A caracterstica de sada, ou de coletor, tambm muito parecida com a da configurao BC. Mas, observa-se que a inclinao das curvas de IB constante, na regio ativa, muito maior.

Ganho de corrente na configurao EC Para esta configurao, a relao entre a corrente de sada (iC) e corrente de entrada (iB) determina o ganho de corrente denominado ou hFE (forward current transfer ratio). hFE iC = = iB
Sendo iC muito maior que iB, o ganho de corrente sempre muito maior que 1, ou seja, na configurao emissor comum, o transistor funciona como um amplificador de corrente.
Por outro lado, como a inclinao das curvas varia para cada valor de IB, o ganho de corrente no constante. Valores tpicos de so de 50 a 900.
Ganho de Corrente EC x Ganho de Corrente BC A partir do ganho de corrente , da configurao EC, pode-se obter o ganho de corrente , da configurao base comum e vice-versa.
Num transistor as correntes se relacionam da seguinte forma: iE = iB + iC (1)
Pelas equaes dos ganhos de corrente, tem-se: iB =

iC
e iE =
iC

Substituindo-se iB e iE na equao (1):

+ , dividir por ic =>
+1
= + . => = .(1+ )
1+
ou =

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A figura a seguir mostra o smbolo esquemtico para um transistor NPN e PNP.

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Eletrnica Analgica: efeito da amplificao

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