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Componentes Semicondutores II
Meta deste captulo
Captulo
Revisar componentes semicondutores e apresentar
caractersticas novas relacionadas eletrnica de
potncia.
o
b
j
e
t
i
v
o
s
Revisar transistores bipolares de juno;
Estudar BJTs de potncia;
Estudar MOSFETs de potncia;
Estudar IGBTs;
Identificar diferentes modelos de BJT, MOSFET e IGBT;
Testar BJT, MOSFET e IGBT;
Realizar ensaios com BJT, MOSFET e IGBT.
Pr-requisitos
Ter estudado o captulo referente aos Semicondutores de Potncia I: diodos e
tiristores.
Continuidade
O estudo continuar com a especificao de semicondutores e clculo
trmico.
Prof. Clvis Antnio Petry.
Florianpolis, agosto de 2013.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
2
1 Introduo
No captulo anterior foram estudados os diodos e tiristores, abordando-se com detalhes
aspectos novos relacionados a estes componentes. Os diodos j haviam sido estudados em
disciplinas de eletrnica do seu curso, mas detalhes da comutao, diferentes tecnologias, perdas,
dentre outras caractersticas, foram apresentadas pela primeira naquele captulo.
Do mesmo, os transistores bipolares de juno (BJT) tambm j foram estudados e
aplicados em diversos circuitos ao longo do curso de eletrnica. Assim, aqui sero considerados
alguns aspectos importantes para eletrnica de potencia, como as perdas, relao da corrente de
base com a corrente de coletor, etc. Por sua vez, transistores de efeito de campo (FET) e em
especial os transistores de efeito de campo de metal-xido (MOSFET) sero revisados e
apresentados em detalhes aqui. Assim tambm, os transistores bipolares de porta isolada (IGBT)
sero introduzidos e estudados neste captulo.
A Figura 1 mostra um quadro comparativo de tecnologias de semicondutores em funo
da frequncia de operao e de sua potncia. Pode-se observar que os MOSFETs operam com altas
frequncias, mas potncias menores que os IGBTs. J os BJTs operam com potncias menores que
os MOSFETs e IGBTs e tambm em frequncias menores, o que os coloca em posio de
desvantagem em relao aos outros dois. Em alguns casos os BJTs so preferidos pelo baixo custo
ou facilidade de obteno no mercado.
Figura 1 Semicondutores para eletrnica de potncia.
Fonte: http://www.iue.tuwien.ac.at. Acesso em: 14/08/2013.
Assim, neste captulo se pretende fazer uma reviso dos transistores bipolares de juno,
seguindo com o estudo dos transistores de efeito de campo de metal-xido e por fim apresentando
os transistores bipolares de porta isolada.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
3
2 Transistores Bipolares de Juno
O emprego de transistores bipolares de juno (BJTs) em circuitos eletrnicos muito
frequente, o que tambm ocorre com circuitos de eletrnica de potncia. Especialmente em
circuitos eletrnicos de baixo custo, operando em baixas frequncias, usual a utilizao de
transistores bipolares de juno, alm das aplicaes em circuitos de controle e comando, proteo,
superviso, dentre outros.
Este captulo sobre transistores bipolares de juno est organizado de forma a conduzir o
aluno por uma reviso do funcionamento deste componente, seguindo com a insero de novos
contedos e caractersticas importantes para a eletrnica de potncia. So apresentadas informaes
sobre componentes comerciais, alm dos testes para verificar se o transistor est em bom estado.
Ainda, apresentam-se um roteiro de laboratrio, exerccios resolvidos e propostos e simulaes de
circuitos com semicondutores.
2.1 Consideraes Iniciais
Os transistores bipolares de juno podem ser divididos, quanto a sua construo e
portanto funcionamento, em transistores npn ou pnp. Nas Figura 2 e Figura 3 mostram-se os dois
modelos e as variveis principais nestes componentes.
Figura 2 - Transistor npn.
Fonte: (Boylestad, 2004).
Figura 3 - Transistor pnp.
Fonte: (Boylestad, 2004).
As principais relaes bsicas no transistor so:
Tenso base-emissor (V
BE
);
Tenso coletor-emissor (V
CE
);
Corrente de emissor (I
E
);
Corrente de coletor (I
C
);
Ganho (!).
Algumas consideraes so importantes para a anlise dos circuitos de polarizao, que
ser realizada adiante. Estas consideraes so apresentadas abaixo, correspondendo a tenso base-
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
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emissor, caracterstica da queda de tenso de uma juno pn; a corrente de base muito pequena
em relao a corrente de coletor, podendo-se aproximar I
E
= I
C
; a corrente de base a corrente de
coletor dividida pelo ganho do transistor.
V
BE
= 0,7V ;
I
E
= ! +1
( )
" I
B
# I
C
;
I
C
= ! " I
B
.
A partir dos valores destas variveis pode-se determinar se o transistor est operando em
uma de suas trs regies de polarizao, quais sejam:
Regio de corte o transistor no estar conduzindo;
Regio ativa - o transistor estar operando na regio de amplificao linear;
Regio de saturao o transistor estar conduzindo em sua capacidade plena.
Na Figura 4 so apresentadas, em destaque, as trs regies de operao dos transistores
bipolares de juno.
Figura 4 - Regies de polarizao de um transistor bipolar.
Fonte: (Boylestad, 2004).
Em eletrnica de potncia emprega-se o transistor operando na regio de corte e
saturao, visto que na regio ativa as perdas so elevadas. Em outras palavras, aqui utiliza-se o
transistor como chave, conduzindo ou no-conduzindo.
2.2 Polarizao com Tenso Fixa
Um dos circuitos mais simples para polarizao de transistores bipolares de juno a
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
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configurao emissor-comum com polarizao fixa.
O circuito apresentado na Figura 5 apresenta um circuito simples de polarizao de
transistores bipolares de juno. A seguir, a ttulo de reviso, ser realizada a anlise deste circuito
de polarizao.
Figura 5 - Circuito de polarizao em CC.
Fonte: (Boylestad, 2004).
Fazendo-se a anlise da malha de base-emissor, pode-se desenhar o circuito da Figura 6,
obtendo-se:
+V
CC
! I
B
" R
B
!V
BE
= 0 ;
I
B
=
V
CC
!V
BE
R
B
.
Figura 6 - Malha base-emissor.
Fonte: (Boylestad, 2004).
Figura 7 - Malha coletor-emissor.
Fonte: (Boylestad, 2004).
Do mesmo modo, analisando a malha coletor-emissor, tem-se:
I
C
= ! " I
B
;
V
CE
+ I
C
! R
C
"V
CC
= 0 ;
V
CE
=V
CC
! I
C
" R
C
.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
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2.3 Operao nas Regies de Saturao
Se o transistor estiver operando na regio de saturao, conforme mostrado na Figura 4,
ento pode-se considerar que a tenso coletor-emissor tenda a zero, como apresentado na Figura 8.
A corrente de saturao pode ser determinada por:
I
Csat
=
V
CC
R
C
.
Figura 8 - Transistor operando na saturao.
Fonte: (Boylestad, 2004).
Lembre que, em oposio operao na saturao, tem-se a operao na regio de corte,
onde pode-se considerar:
I
C
= 0;
V
CE
=V
CC
.
Utilizando estes limites de operao (I
Csat
e V
CE
= V
CC
) tem-se a reta de carga do circuito,
como est mostrado na Figura 9.
FIGURE 4-12 Fixed-bias load line.
Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky
Electronic Devices and Circuit Theory, 8e
Copyright 2002 by Pearson Education, Inc.
Upper Saddle River, New Jersey 07458
All rights reserved.
Figura 9 - Reta de carga para polarizao fixa.
Fonte: (Boylestad, 2004).
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
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2.4 Acionamento do BJT
Um transistor bipolar de juno entra em conduo quando for aplicada corrente na base
do mesmo e se vencida a tenso queda de tenso direta entre base e emissor (V
BE
= 0,7 V).
Lembre-se que existe uma relao direta entre a corrente de coletor e a corrente de base, dada pelo
ganho do transistor (! ou h
FE
).
Assim, na Figura 10 mostra-se um circuito para realizar o acionamento do transistor, isto,
fazer com que o mesmo entre em conduo e bloqueie quando desejado. Ao pressionar a chave S
1
,
ir circular corrente na base do transistor T
1
, provocando sua conduo, e consequentemente a
circulao de corrente pelo seu resistor de carga (resistor de coletor). O resistor R
1
deve ser
calculado para que a corrente de base seja suficiente para que o transistor T
1
opere na saturao.
Ao abrir a chave S
1
, a base ser levada ao referencial zero, por meio do resistor R
2
. Este
resistor funciona como pull-down, de modo idntico a circuitos digitais. Este resistor deve ter valor
escolhido para que garanta a no-conduo do transistor com a chave S
1
aberta, ou seja, deve ter
um valor baixo a ponto de garantir referencial zero na base do transistor. Por outro lado, no pode
ser muito baixo, pois seno ir drenar uma alta corrente ao se fechar a chave S
1
. Valores comuns
para R
2
so da ordem de alguns quilo ohms.
R
1
R
C
T
1
V
cc
+
-
R
2
S
1
C
E
B
Figura 10 Circuito para acionamento do BJT.
2.5 Comutao do BJT
A comutao do transistor bipolar de juno ocorre toda vez que o mesmo for comandado
a conduzir ou a bloquear. Para apresentar as principais formas de onda do transistor durante a
comutao ser utilizado o circuito da Figura 11. Neste circuito, R
L
o resistor de carga (load), R
B
o resistor de base, onde se tem a conexo de uma fonte de tenso pulsada, ou seja, que aplica uma
forma de onda de tenso retangular para acionamento do transistor.
Observando a Figura 12, nota-se que a partir do momento que a corrente de base comea
a aumentar, a corrente de coletor ir aumentar logo em seguida, com a diferena de um pequeno
tempo, denominado de t
on
, ou seja, tempo de entrada em conduo, ou tempo de ligamento.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
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Por outro lado, no momento que a corrente de base diminui at zero, mesmo se tornando
negativa para garantir o bloqueio do transistor, a corrente de coletor leva um longo tempo para
iniciar sua queda, representado por t
s
, fazendo com que o tempo para bloquear (t
off
) seja alto.
+
-
V
B
E
C
L
R
B
R
B
I
CE
+VCC
C
I
Figura 11 Circuito para estudo da comutao do BJT.
Fonte: (Barbi, 2006).
Figura 12 Formas de onda da comutao do BJT com carga resistiva.
Fonte: (Barbi, 2006).
Conforme (Barbi, 2006), valores tpicos para transistores de potncia, para I
B1
= 2,5 A e
I
B2
= 3,0 A so:
t
d
= 0,2 s;
t
r
= 0,7 s;
t
s
= 3,0 s;
t
f
= 0,7 s;
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
9
Note que o tempo t
on
a soma de t
d
+ tr, resultando em 0,9 "s. J o tempo t
off
resulta de t
s
+ t
f
= 3,7 "s. Tempos com estes valores limitam a frequncia de operao dos transistores a alguns
quilo Hertz, o que representa uma desvantagem destes componentes em relao a outras
tecnologias, como por exemplo os MOSFETs.
2.6 Perdas no BJT
Em um transistor, assim como nos diodos semicondutores, se tem dois tipos de perdas:
Perdas por conduo ocorrem quando o transistor est conduzindo;
Perdas por comutao aparecem na entrada em conduo e no bloqueio do
transistor.
As perdas por conduo podem ser determinadas pela expresso a seguir, considerando
que o transistor est sendo utilizado em um circuito chaveado, ou seja, sendo ligado e desligado
periodicamente, ficando ligado por um tempo t
on
e chaveando com frequncia de comutao
(chaveamento) f.
P
cond
= i
C
!V
CEsat
+ i
B
!V
BEsat
( )
! t
on
! f .
Onde:
i
C
corrente de coletor;
V
CEsat
tenso de coletor-emissor de saturao;
i
B
corrente de base;
V
BEsat
tenso base-emissor que leva o transistor saturao;
t
on
tempo pelo qual o transistor permanece ligado;
f frequncia de operao.
J as perdas por comutao podem ser determinadas por:
P
com
=
1
2
t
r
+ t
f
( )
! I ! E ! f .
Onde:
t
r
tempo de subida da corrente de coletor;
t
f
tempo de descida da corrente de coletor;
I corrente de coletor ao final da comutao;
E tenso entre coletor e emissor ao final da comutao;
f frequncia de comutao.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
10
importante destacar que as perdas no transistor bipolar de juno dependem
linearmente da corrente (
V
CE
! I
C
), o que uma caracterstica interessante em circuitos de alta
potncia, isto , que operam com altas correntes.
2.7 Caractersticas Importantes de BJTs
As principais caractersticas de um BJT, para fins de projeto e escolha de modelo, so:
Tenso coletor-emissor de saturao V
CE(sat)
;
Tenso mxima entre coletor e emissor V
CEO
;
Corrente de coletor I
C
;
Corrente de coletor de pico (pulsada) I
CP
;
Tenso mxima entre base e emissor V
BEO
;
Tenso base-emissor de saturao V
BE(sat)
;
Ganho de corrente contnua h
FE
;
Tempo de subida da corrente de coletor t
r
;
Tempo de descida da corrente de coletor t
f
.
Como exemplo, estas caractersticas para um transistor modelo TIP50, sero:
Tenso coletor-emissor de saturao V
CE(sat)
= 1 V;
Tenso mxima entre coletor e emissor V
CEO
= 500 V;
Corrente de coletor I
C
= 1 A;
Corrente de coletor de pico (pulsada) I
CP
= 2 A;
Tenso mxima entre base e emissor V
BEO
= 5 V;
Tenso base-emissor de saturao V
BE(sat)
= 1,5 V;
Ganho de corrente contnua h
FE
= 10 a 150.
Um detalhe importante para transistores bipolares de juno a diminuio do ganho com
o aumento da corrente. O transistor TIP50, para corrente de 1 A, tem ganho que varia de 10 a 150.
J um transistor 2N3055, para corrente de 15 A, tem ganho que varia de 5 a 70. Isso pode levar a
altas correntes de base, quando se deseja altas correntes de coletor, o que uma desvantagem dos
transistores bipolares de juno em relao aos transistores de efeito de campo.
Nas Figura 13 e Figura 14 mostram-se as informaes da folha de dados do transistor
TIP50. Note que o fabricante no especifica os tempos de subida e descida da corrente de coletor.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
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T
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P
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8
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N
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I
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c
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n
T
r
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r
2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com
TP47/TP48/TP49/TP50 Rev. 1.0.0 1
November 2008
TIP47/TIP48/TIP49/TIP50
NPN SiIicon Transistor
High Voltage and Switching Applications
High Sustaining Voltage : V
CEO
(sus) = 250 - 400V
1A Rated Collector Current
AbsoIute Maximum Ratings* T
a
= 25C unIess otherwise noted
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
SymboI Parameter Ratings Units
V
CBO
Collector-Base Voltage : TP47
: TP48
: TP49
: TP50
350
400
450
500
V
V
V
V
V
CEO
Collector-Emitter Voltage : TP47
: TP48
: TP49
: TP50
250
300
350
400
V
V
V
V
V
EBO
Emitter-Base Voltage 5 V
C
Collector Current (DC) 1 A
CP
Collector Current (Pulse) 2 A
B
Base Current 0.6 A
P
C
Collector Dissipation (T
C
=25C) 40 W
Collector Dissipation (T
a
=25C) 2 W
T
J
Junction Temperature 150 C
T
STG
Storage Temperature - 65 ~ 150 C
1.Base 2.Collector 3.Emitter
1
TO-220
Figura 13 Caractersticas eltricas do transistor TIP50.
Fonte: http://www.fairchildsemi.com/ds/TI/TIP50.pdf. Acesso em: 23/08/2013.
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2007 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com
TP47/TP48/TP49/TP50 Rev. 1.0.0 2
EIectricaI Characteristics* T
a
=25C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width300s, Duty Cycle2%
SymboI Parameter Test Condition Min. Typ. Max. Units
V
CEX
(sus)
Collector-Emitter Sustaining Voltage
: TP47
: TP48
: TP49
: TP50
C
= 30mA,
B
= 0 250
300
350
400
V
V
V
V
CEO
Collector Cut-off Current : TP47
: TP48
: TP49
: TP50
V
CE
= 150V,
B
= 0
V
CE
= 200V,
B
= 0
V
CE
= 250V,
B
= 0
V
CE
= 300V,
B
= 0
1
1
1
1
mA
mA
mA
mA
CEX
Collector Cut-off Current : TP47
: TP48
: TP49
: TP50
V
CE
= 350V, V
BE
= 0
V
CE
= 400V, V
BE
= 0
V
CE
= 450V, V
BE
= 0
V
CE
= 500V, V
BE
= 0
1
1
1
1
mA
mA
mA
mA
EBO
Emitter Cut-off Current V
EB
= 5V,
C
= 0 1 mA
h
FE
* DC Current Gain V
CE
= 10V,
C
= 0.3A
V
CE
= 10V,
C
= 1A
30
10
150
V
CE
(sat) * Collector-Emitter Saturation Voltage
C
= 1A,
B
= 0.2A 1 V
V
BE
(sat) * Base-Emitter Saturation Voltage V
CE
= 10V,
C
= 1A 1.5 V
f
T
Current Gain Bandwidth Product V
CE
=10V,
C
= 0.2A, f =
1MHz
10 MHz
Figura 14 Caractersticas eltricas do transistor TIP50 - Continuao.
Fonte: http://www.fairchildsemi.com/ds/TI/TIP50.pdf. Acesso em: 23/08/2013.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
12
As folhas de dados dos transistores trazem uma informao muito importante sobre a
operao segura do componente, denominada de rea de operao segura (SOA, do ingls safe
operating area). Na Figura 15 mostra-se a curva com a regio de operao segura do transistor
TIP50. Note que para uma corrente de coletor de 1 A e tenso entre coletor e emissor de at
aproximadamente 40 V, o transistor estar operando na regio segura. Acima disso deve-se
verificar ponto a ponto sua corrente e tenso, para garantir que a regio segura no seja
extrapolada. Note tambm que se o transistor estiver sendo usado no modo chave, com pulsos da
ordem de 100 "s, sua rea de operao segura aumenta consideravelmente.
Figura 15 Curva I x V mostrando a rea segura de operao (SOA).
Fonte: http://www.fairchildsemi.com/ds/TI/TIP50.pdf. Acesso em: 23/08/2013.
2.8 Testes de BJTs
Os transistores bipolares de juno so testados de modo idntico aos diodos, usando um
multmetro na escala adequada. Do mesmo modo, podem estar em bom estado, abertos ou em
curto-circuito.
A Figura 16 mostra imagens do teste de um transistor com o multmetro na escala
apropriada, resumindo o que foi acima exposto. Deve-se lembrar que o teste com o multmetro
apenas um indicativo do estado do componente, pois em condies reais de operao, o
componente poder apresentar comportamento diferente, inclusive provocando o mau
funcionamento do circuito onde estar sendo empregado.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
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Figura 16 Multmetro digital para teste de transistores.
Fonte: https://burgoseletronica.net. Acesso em: 23/08/2013.
3 Transistores de Efeito de Campo de Metal-xido
Anteriormente, neste captulo, foram revisados e apresentados aspectos novos
relacionados aos transistores bipolares de juno. Estes componentes so amplamente utilizados em
circuitos eletrnicos, dos mais diversos, desde aplicaes de baixas potncias, at centenas de
Watts. Atualmente, pelas suas caractersticas mais interessantes em termos de velocidades de
chaveamento e de facilidade de acionamento, tem ocorrido grande preferncia pelos transistores de
de efeito de campo, em especfico os transistores de efeito de campo de metal-xido (MOSFET).
Assim, neste captulo ser apresentada uma introduo a este componente, seguindo pelo
estudo de suas principais caratersticas, circuito de acionamento, estudo da comutao e perdas,
alm das caractersticas principais destes componentes.
3.1 Consideraes Iniciais
A famlia de transistores de efeito de campo basicamente constituda pelos transistores
de efeito de campo com gatilho (JFET) e os transistores de efeito de campo de metal-xido
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
14
(MOSFET). Mas estes podem ser de enriquecimento e depleo.
Assim como existem transistores bipolares de juno NPN e PNP, existem transistores de
efeito de campo de canal N e de canal P. Na Figura 17 mostra-se o smbolo de cada FET.
A Figura 18 mostra a constituio de um JFET (no lado esquerdo) e de um MOSFET (no
lado direito), onde nota-se uma diferena substancial em relao aos BJTs.
Note que os terminais destes transistores so:
Gatilho (gate) terminal de controle do componente;
Dreno terminal que drena a corrente (no sentido real) fornecida pela fonte
(source). No sentido convencional de circulao de corrente o terminal por
onde entra a corrente;
Fonte (source) terminal que fornece eltrons, no sentido real, e por sai a corrente
no sentido convencional.
Figura 17 Smbolos de FETs.
Fonte: http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET. Acesso em: 23/08/2013.
(JFET) (MOSFET)
Figura 18 Constituio de transistores de efeito de campo.
Fonte: (Boylestad, 2004).
O transistor de efeito de campo controlado pelo terminal de gatilho, fazendo com que a
largura do canal aumente ou diminua medida que se aplica ou retira tenso entre este terminal e a
fonte. Por isso este transistor denominado de efeito de campo, pois a corrente de dreno
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
15
controlada pela tenso (campo eltrico) entre o gatilho e a fonte. Assim, pode-se escrever:
I
D
= k !V
GS
.
O ganho do transistor foi denominado simplesmente de k. Note a diferena para o BJT:
I
C
= ! " I
B
.
A curva tpica de um MOSFET canal N mostrada na Figura 19, onde notam-se trs
regies de operao:
Regio de corte no identificada na figura, a regio com V
GS
baixo, fazendo
com que a corrente de dreno (I
D
) seja praticamente nula;
Regio de saturao quando V
GS
tem valor acima de aproximadamente 4 V a
corrente de dreno constante, mesmo variando a tenso de dreno-fonte (V
DS
);
Regio linear ou hmica nesta regio ocorre uma variao linear entre a corrente
de dreno (I
D
) e a tenso entre dreno e fonte (V
DS
).
A tenso V
TH
denominada de tenso de limiar (threshold) e representa o valor de tenso
a partir do qual o transistor entra em conduo. Tipicamente da ordem de 4 V. A curva vermelha
na Figura 19 representa a transio entre a regio linear e a regio de saturao.
Figura 19 Curvas I
D
x V
GS
de MOSFETs.
Fonte: http://en.wikipedia.org/wiki/MOSFET. Acesso em: 23/08/2013.
Os MOSFET utilizados em eletrnica de potncia tem smbolo e curvas conforme
mostrado na Figura 20. No smbolo nota-se a presena de um diodo, que intrnseco ao
componente ou seja, aparece na sua fabricao e que j pode ser utilizado como diodo de roda-livre
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
16
em algumas aplicaes. Na folha de dados, o fabricante fornece as informaes referentes ao diodo
intrnseco. Observando as formas de onda de I
D
x V
DS
, nota-se que a partir de 4 V o transistor
comea a conduzir. Tipicamente o limite mximo de tenso para V
GS
da ordem de 20 V.
I
D
i
D
DS
V
+
-
G
S
GS
V
D
+
-
Figura 20 MOSFET de potncia e suas curvas tpicas.
Fonte: (Barbi, 2006).
3.2 Acionamento do MOSFET
O transistor MOSFET entra em conduo quando for aplicada uma tenso entre o gatilho
e o terminal fonte (source) maior que a tenso de limiar. De outro modo, pode-se considerar a
capacitncia entre o gatilho e o terminal fonte (source), e para que o MOSFET conduza este
pequeno capacitor deve ser carregado. Por outro lado, para bloquear o MOSFET deve-se
descarregar esta capacitncia, que da ordem de alguns pico Farads. Na Figura 21 mostra-se o
circuito para estudo do acionamento do MOSFET.
R
1
R
D
M
1
V
cc
+
-
R
2
S
1
D
S
G
Figura 21 Circuito para acionamento do MOSFET.
A chave S
1
responsvel por conectar o terminal do gatilho na fonte de energia (
VCC
) por
meio do resistor R
1
. Assim, ao fechar a chave S
1
, o transistor MOSFET ser levado conduo,
considerando que V
CC
seja maior do que a tenso de limiar (V
T
). Ao abrir S
1
, o MOSFET ir
bloquear devido a presena do resistor R
2
, que faz o papel de resistor de pull-down.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
17
O tempo de entrada em conduo (t
on
) depender do valor da tenso V
CC
, do resistor R
1
e
da capacitncia de entrada do MOSFET, C
iss
. Do mesmo modo, o tempo de bloqueio (t
off
)
depender desta capacitncia (C
iss
) e do resistor R
2
. Note-se que para fazer o MOSFET conduzir ou
bloquear, deve-se carregar e descarregar C
iss
.
Assim, a forma de onda da tenso entre gatilho e fonte (source) e da corrente de gatilho
ter o aspecto mostrado na Figura 23. Percebe-se que a corrente atinge um pico (I
pk
), dado por
V
cc
/R
1
, visto que inicialmente o capacitor C
iss
est descarregada. Este pico da ordem de 500 mA
at 1 A na prtica. Note que quanto menor o resistor R
1
, menor ser o tempo de entrada em
conduo (t
on
) e maior ser o pico da corrente (I
pk
). O valor mdio da corrente no resistor R
1
pequeno, pois os tempos envolvidos so da ordem de nano segundos.
R
1
V
cc
+
-
R
2
S
1
S
G
C
iss
i
G
v
G
+
-
Figura 22 Circuito equivalente de acionamento do MOSFET.
t
v
G
t
i
G
t
on
t
off
V
cc
I
pk
Figura 23 Corrente e tenso no gatilho durante sua comutao.
A tenso no gatilho inicia em zero e sobe at a tenso da fonte (V
CC
). O tempo t
on
diferente do tempo t
off
. Isso devido a escolha dos valores de R
1
e R
2
, que pode ser diferente. Por
conseguinte, a velocidade de entrada em conduo e de bloqueio do MOSFET pode ser controlada
pelos resistores R
1
e R
2
.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
18
3.3 Comutao do MOSFET
A comutao dos transistores MOSFET ocorre de modo similar ao BJT, mas com
particularidades importantes. O circuito para anlise da comutao mostrado na Figura 24. A
tenso do estgio de potncia V
DD
, a carga R
L
. J no circuito de acionamento se tem dois
resistores, um em srie com o gerador de sinais e outro do gatilho para o terminal fonte (source)
para garantir o bloqueio do MOSFET.
importante notar nas formas de onda da Figura 25 que os tempos de entrada em
conduo (t
on
) e de bloqueio (t
off
) so muito parecidos, o que contrasta com os tempos do BJT, onde
t
off
bem maior do que t
on
. Verifique que a subida e descida da corrente de dreno, assim como da
tenso entre dreno e fonte, linear e bem comportada, ou seja, sem picos ou variaes no-lineares.
L
R
V
DD
S
50
G
V
D
V
Figura 24 Circuito para estudo da comutao do MOSFET.
Fonte: (Barbi, 2006).
90%
V
50%
10%
50%
GS
T
1
90%
10%
90%
10%
(V )
DD
V
DS
I
D
t
r
t
on
t
D(on)
t
D(off) t
f
(V )
DD
Figura 25 Formas de onda da comutao do MOSFET com carga resistiva.
Fonte: (Barbi, 2006).
Os tempos de subida e descida da corrente e tenso no MOSFET depende de suas
capacitncias internas. Estes tempos so da ordem de nanosegundos. Pode-se considerar ainda:
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
19
t
on
= t
r
;
t
off
= t
f
.
Ressalte-se que tanto para o transistor BJT como para o MOSFET, a comutao com
cargas diferentes da resistiva, por exemplo indutiva, apresentar formas de onda diferentes,
especficas para cada caso.
3.4 Perdas no MOSFET
De modo similar aos transistores bipolares de juno, nos transistores de efeito de campo
se tem as perdas por conduo e por comutao.
As perdas por conduo podem ser determinadas pela expresso a seguir, considerando
que o transistor est sendo utilizado em um circuito chaveado, ou seja, sendo ligado e desligado
periodicamente, ficando ligado por um tempo t
on
e chaveando com frequncia de comutao
(chaveamento) f = 1/T.
P
cond
=
t
on
T
! r
ds(on)
! i
d(on)
2
.
Onde:
i
d(on)
corrente de dreno quando ligado;
r
ds(on)
resistncia entre dreno e source quando ligado;
T perodo de chaveamento;
t
on
tempo pelo qual o transistor permanece ligado.
J as perdas por comutao podem ser determinadas por:
P
com
=
f
2
t
r
+ t
f
( )
! i
d(on)
! v
ds(off )
.
Onde:
t
r
tempo de subida da corrente de dreno;
t
f
tempo de descida da corrente de dreno;
i
d(on)
corrente de dreno quando ligado;
v
ds(off)
tenso entre dreno e source ao final da comutao;
f frequncia de comutao.
Considera-se, em geral, que:
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
20
t
on
= t
r
;
t
r
= t
on
;
t
f
= t
off
.
Com relao s perdas no MOSFET importante notar que as perdas por conduo
dependem do quadrado da corrente de dreno, o que em altas potncias ruim, pois para altas
correntes as perdas sero elevadas. Aqui se tem uma desvantagem dos transistores MOSFET em
relao aos BJTs.
3.5 Caractersticas Importantes de MOSFETs
As principais caractersticas de um MOSFET, para fins de projeto e escolha de modelo,
so:
Tenso mxima entre dreno e source V
DSS
;
Corrente de dreno I
D
;
Corrente de dreno de pico (pulsada) I
DM
;
Resistncia entre dreno e source quando ligado R
DS(on)
;
Tenso mxima entre gatilho e source V
GS
;
Tenso de limiar entre gatilho e source V
GS(th)
;
Tempo para ligar t
d(on)
;
Tempo de subida da corrente de dreno t
r
;
Tempo para desligar t
d(off)
;
Tempo de descida da corrente de dreno t
f
;
Capacitncia de entrada C
iss
;
Corrente do diodo intrnseco I
s
;
Corrente de pico no diodo intrnseco I
SM
;
Queda de tenso direta do diodo intrnseco V
SD
;
Tempo de recuperao reversa do diodo intrnseco t
rr
.
Como exemplo, estas caractersticas para um transistor modelo IRF540, sero:
Tenso mxima entre dreno e source V
DSS
= 100 V;
Corrente de dreno I
D
= 33 A @ T
j
= 25
o
C;
Corrente de dreno de pico (pulsada) I
DM
= 110 A;
Resistncia entre dreno e source quando ligado R
DS(on)
= 44 m#;
Tenso mxima entre gatilho e source V
GS
= 20 V;
Tenso de limiar entre gatilho e source V
GS(th)
= 4 V;
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
21
Tempo para ligar t
d(on)
= 11 ns;
Tempo de subida da corrente de dreno t
r
= 35 ns;
Tempo para desligar t
d(off)
= 39 ns;
Tempo de descida da corrente de dreno t
f
= 35 ns;
Capacitncia de entrada C
iss
= 1960 pF;
Corrente do diodo intrnseco I
s
= 33 A;
Corrente de pico no diodo intrnseco I
SM
= 110 A;
Queda de tenso direta do diodo intrnseco V
SD
= 1,2 V;
Tempo de recuperao reversa do diodo intrnseco t
rr
= 170 ns.
IRF540N
HEXFET
Power MOSFET
03/13/01
Parameter Typ. Max. Units
R!JC Junction-to-Case 1.15
R!CS Case-to-Sink, Flat, Greased Surface 0.50 C/W
R!JA Junction-to-Ambient 62
Thermal Resistance
www.irf.com 1
V
DSS
= 100V
R
DS(on)
= 44m"
I
D
= 33A
S
D
G
TO-220AB
Advanced HEXFET
,
C
o
l
l
e
c
t
o
r
-
t
o
-
E
m
i
t
t
e
r
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
CE
C
V = 15V
20s PULSE WDTH
GE
T = 25 C
J
T = 150 C
J
1
10
100
5 6 7 9 10 11
V , Gate-to-Emitter Voltage (V)
,
C
o
l
l
e
c
t
o
r
-
t
o
-
E
m
i
t
t
e
r
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
GE
C
V = 50V
5s PULSE WDTH
CC
T = 25 C
J
T = 150 C
J
0
5
10
15
20
25
0.1 1 10 100 1000
f, Frequency (kHz)
A
60% of rated
voltage
deal diodes
Square wave:
For both:
Duty cycle: 50%
T = 125C
T = 90C
Gate drive as specified
sink
J
Triangular wave:
Clamp voltage:
80% of rated
Power Dissipation = 13W
L
o
a
d
C
u
r
r
e
n
t
(
A
)
Figura 44 Folha de dados do IGBT IRG4BC20W.
Fonte: http://www.irf.com. Acesso em: 24/08/2013.
EP 15) Cite 3 encapsulamentos tpicos de transistores de potncia.
EP 16) Comente sobre os tempos de entrada em conduo e de bloqueio dos transistores: BJT,
MOSFET e IGBT.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
41
9 Laboratrio
9.1 Introduo
Esta atividade de laboratrio tem por objetivo exercitar o contedo estudado nesta aula
(captulo), especificamente sobre semicondutores de potncia (BJT, MOSFET e IGBT).
Em sntese, objetiva-se:
Testar semicondutores de potncia;
Implementar circuitos com transistores de potncia;
Entender o funcionamento de transistores de potncia;
Analisar os resultados obtidos e concluir a respeito.
9.2 MOSFETs de Potncia
Obtenha na internet a folha de dados do MOSFET IRF 540.
A seguir, verifique se o MOSFET est em boas condies, utilizando o multmetro.
Em continuao, implemente o circuito mostrado na Figura 45, objetivando verificar o
disparo e bloqueio do MOSFET.
Os elementos do circuito da Figura 45 so:
V
i
= 15 V;
R
1
= 680 ";
R
2
= 1 k";
R
3
= 33 ";
D
1
= LED comum;
M
1
= IRF 540.
V
i
+
-
R
2
R
3
R
1
D
1
G
D
S
M
1
Figura 45 Circuito para teste do MOSFET.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
42
Ajustando o resistor R
2
, verifique a operao do MOSFET na regio de corte, hmica e
saturao.
Levante a curva da corrente de dreno (I
D
) em funo da tenso entre gatilho e fonte (V
GS
)
do MOSFET, anotando os valores na Tabela 2.
Trace a curva da corrente de dreno em funo da tenso entre gatilho e fonte conforme a
Figura 46.
Tabela 2 Valores da corrente de dreno e tenso entre gatilho e fonte.
V
GS
[V] V
DS
[V] Corrente de dreno [mA]
Resistncia calculada entre
dreno e fonte ["]
0,0
2,5
2,6
2,7
2,8
2,9
3,0
5,0
10,0
15,0
Qual a tenso de limiar do MOSFET?
O que pode ser concludo com relao resistncia do MOSFET entre dreno e fonte?
Determine a perda de conduo do MOSFET.
Determine o atraso para entrada em conduo do MOSFET.
Determine o atraso de bloqueio do MOSFET.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
43
v
GS
i
D
Figura 46 Curva caracterstica do MOSFET de potncia.
9.3 Recuperao Reversa de Diodos de Potncia
Este circuito ser demonstrado pelo professor, no necessria sua montagem em aula.
Implemente o circuito mostrado na Figura 47, que tem a finalidade de mostrar a
recuperao reversa em diodos de potncia. Verifique com o professor a demonstrao do circuito.
V
i
+
-
R
1
R
3
G
D
S
M
1
R
4
D
1
L
1
PWM
I
D1
100 !
10 k!
20 !
5 mH
1N 4007
IRF 540
Arduino
15 V
R
2
33 !
T
1
2N2222
Figura 47 Circuito para verificar a recuperao reversa de diodos.
Captulo 3 Semicondutores de potncia: BJT, MOSFET e IGBT
Eletrnica de Potncia
44
10 Referncias
[1] BARBI, I. Eletrnica de potncia. Florianpolis: Edio do Autor, 2005.
[2] AHMED, A. Eletrnica de potncia. So Paulo: Prentice Hall, 2000.
[3] MELLO, J. L. A. Projetos de fontes chaveadas. So Paulo: rica, 1987.
[4] MOHAN, N. Power Electronic Converters, Application and Design. New York: IE-Wilwy,
2003.
[5] PRESSMAN, A. I. Switching Power Supply Design. New York: McGraw Hill, 1998.
[6] BARBI, Ivo. Projeto de Fontes Chaveadas. 2 Edio Revisada, Florianpolis, 2006.
[7] ERICKSON, Robert W. Fundamentals of Power Electronics. New York, EUA Chapman &
Hall, 1997.
[8] POMILIO, J. A. Notas de aula de Eletrnica de Potncia Graduao. So Paulo, SP
UNICAMP, 2013.
[9] BOYLESTAD, R. L. e NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. 8
a
ed.
Rio de Janeiro: Prentice Hall do Brasil, 2004.