Departamento de Engenharia Eltrica

Eletrnica I ELE30028

AULA 02 MSc. Ciro J. Egoavil Montero

Captulo

Teoria de Diodo

Tpicos Covertos no Captulo 3

!! Idias Bsicas !! O diodo ideal !! A segunda aproximao !! A terceira aproximao !! Anlise de defeito - Troubleshooting !! Anlise de circuito Up-down

Tpicos Covertos no Captulo 3 (Continuao

!! Leitura do data sheet !! Como calcular resistncia equivalente !! A resistncia CC de um diodo !! Linhas de carga !! Diodos de montagem de superfcie

Diodo !! Um dispositivo no linear !! O grfico da corrente vs. tenso no uma linha reta !! A tenso do diodo deve exceder a tenso de barreira para conduzir

! Smbolo do parece a uma setaque aponta desde o lado p para o lado n. nodo

R VS

=
Catode

p n

A seta aponta a direo do fluxo da corrente convencional. O diodo est polarizaado diretamente por VS.

Linearidade
!! A curva caracterstica tenso-corrente para um resistor uma linha reta (linear). !! Um diodo tem uma curva caracterstica nn-linear. !! A barreira de potencial produz um joelho na cruva do diodo. !! A tenso de joelho aprox, 0.7 V para um diodo de silcio.

200

Corrente direta em mA

175 150 125 100 75 50 25 0 0 0.5

joelho
1.0 1.5

Tenso de polarizao Direta Curva caracterstica tenso-corrente do diodo de Silcio

ruptura
600

Polarizao Reversa em Volts 400 200 0 20 40 60 80 100 120 140 Corrente Reversa em mA

Curva caracterstica da polarizao reversa do diodo de Silcio

Resistncia de corpo - Bulk

!! A resistncia ohmica de um material p e n chamada de resistncia de corpo-bulk. !! A resistncia de corpo frequentemente menor que 1 !. !! Com polarizao direta,a corrente de diode aumenta rapidamente alm da tenso de joelho. !! Pequenos aumentos na tenso causam grandes incrementos na corrente.

Parmetros do Diodo
!! Especificado pelos fabricantes nos data sheets. !! O mximo parmetro de polarizao reversa no deve ser sobrepassado. !! O mximo parmetro de corrente no deve ser sobrepassado. !! O parmetro de potncia de um diodo determinado pela seu mximo valor de corrente e queda de tenso direta na conduo de corrente.

Diodo primeira aproximao

"! Esta representa o diodo como sendo ideal. "! A primeira aproximao ignora a corrente de fuga, a barreira de potencial e resitncia de corpo. "! Quando um diodo ideal polarizado diretamente, o modelo um interruptor fechado. "! Quando um diodo ideal polarizado reversamente biased, o modelo um interruptor aberto.

Primeira (ideal) aproximao

Diodo segunda aproximao

!! Este modelo assume que no h fluxo de corrente at que a polarizao direta atravs do diodo atingir 0.7 V. !! Este modelo ignora a forma exata do joelho !! Este modelo ignora a resistncia de corpo do diodo.

Segunda aproximao

Terceira aproximao do Diodo ! O modelo assume que nenhuma corrente flui no diodo at a tenso de polarizao direta atravs do diodos alcance 0,7 V. ! O modelo ignora a forma exata do joelho. ! O modelo nao considera a resistncia de corpo do diodo. Embora, a resistncia de corpo menor que 1 ! " Pode ser ignorada.

Terceira aproximao

0.7 V

RB

Polarizao Reversa
0.7 V RB

Polarizao Direta

Aproximao Apropriada

! A primeira aproximao adequada para a maioria das situaes de troubleshooting. ! A segunda aproximao frequentemente usada se valores mais exatos para corrrente e tenso de carga so requeridos. ! A terceira aproximao melhora a exatido quando a resistncia de corpo do diodo maior que 1/100 da resistnncia de Thevenin que enfrenta o diodo.

Teste do diodo de Silcio usando um ohmmetro

! Baixa resistncia em ambas direes: o diodo est em curto. ! Alta resistncia em ambas direes: o diodo est aberto ! Resistncia Relativamente Baixa na direo reversa: o diodo est com fuga - leaky. ! Se a razo da resistncia reversa para a direta > 1000: o diode est bom.

Teste do diodo de Silcio usando um DMM

! Configurar o DMM para a funo de teste de diodo ! Um diodo conetado na polarizao-direta mostrar no display que a tenso de juno direta pn (~0.5V to 0.7V) ! Quando um diodo esta polarizado-reversamente pelas ponteiras de teste, o medidor mostrar over-range atravs da indicao de OL ou 1

Teste do diodo de Silcio usando um DMM - (continued)

! Um diodo em curto apresentar uma tenso menor que 0.5V em ambas direes ! Um diodo aberto estaria indicando no diaplay um overrange em ambas direes ! Uma fuga no diodo mostrar uma tenso menor 2.0V em ambas direes

Data sheets
! til para projetista de circuitos ! til para tcnicos de manuteno ! Dados Tpicos incluem: !!Tenso de Ruptura - Breakdown !!Mxima corrente Direta - Maximum forward current !!Queda de Tenso em Direto - Forward voltage drop

Clculo da resistncia de Corpo Bulk resistance 200

Corrrente direta em mA
175 150 125 100 75 50 25 0 0 0.5 1.0 1.5

RB =

0.875 V - 0.75 V 175 mA - 75 mA

= 1.25 !

Polarizao direta em volts

200

Resistncia CC

Corrrente direta em mA

175 150 125 100 75 50 25 0 0 0.5

. .
1.0 1.5

RF =

0.875 V 175 mA

= 5!

RF =

0.75 V 75 mA

= 10 !

Polarizao direta em volts

A resistncia em direta decresce assim que a corrente aumenta

Valores da resistncia do diodo de Silcio

! A resistncia em reversa bem alta: tpicamente dezenas ou centenas de M!. ! A resistncia em direta no a mesma da resistncia de corpo. ! A resistncia em direta sempre maior que a resistncia de corpo. ! A resistncia em direta igual a resistncia de corpo mais o efeito da barreira de potencial.

RS = 10 ! VS = 1.5 V

O circuito pode ser resolvido de diferentes maneiras: 1. 2. 3. 4. 5. Uso da primeira aproximao (ideal). Uso da segunda aproximao Uso da terceira aproximao Uso de um circuito simulador. Uso da curva caracterstica do diodo.

RS = 10 ! VS = 1.5 V

Usando a curva caracterstica uma soluo grfica: 1. Encontrar a corrente de saturao usando a lei de Ohm. 2. A tenso de corte-cutoff igual a tenso da fonte. 3. Localize estes dois pontos na curva do diodo. 4. Conetar os pontos a reta de carga. 5. A interseo uma soluo grfica.

200

Soluo Grfica
10 ! 1.5 V

Corrrente direta em mA

175 150 125 100 75 50 25 0 0 0.5 1.0 1.5

Q
ISAT = 1.5 V 10 ! = 150 mA

VCUTOFF = 1.5 V

Tenso da fonte em volts Q o ponto de operao - QUIESCENTE

PARA A REA DE INSTRUMENTAO

n =1 para Ge n =2 para Si

Regio de polarizao direta

http://www.allaboutcircuits.com/vol_3/chpt_3/7.html

Variao da curva I-V com a temperatura

Exerccio
Considere um diodo de silcio com n=1,5. Determine a variao na tenso se a corrente varia de 0,1 mA a 10mA. Resposta: 0,17 volts

A regio de polarizao inversa!

Modelos matemticos para a curva I-V do diodo

Equaes: 1. 2.
ID = ISe
VD nVT

ID =

VDD ! VD R

Exemplo

Calcule ID e VD para VDD=5V e R=1K!. Assuma VT =25mV e IS=10-15.

Soluo utilizando mtodo iterativo

Mtodo linear: Bateria com resistncia

24/04/2012

Modelo equivalente

Figure 3.13 Piecewise-linear model of the diode forward characteristic and its equivalent circuit representation.

Exemplo

Calcule ID e VD para VDD=5V e R=1K !.. Assuma VT =25mV e IS=10-15. Utilize o modelo de bateria com resistncia usando os seguintes parmetros VD0=0,65 e rD=20!.

Um modelo ainda mais simples: Modelo de queda de tenso constante

Figure 3.15 Development of the constant-voltage-drop model of the diode forward characteristics. A vertical straight line (B) is used to approximate the fast-rising exponential. Observe that this simple model predicts VD to within 0.1 V over the current range of 0.1 mA to 10 mA.

Modelo de queda de tenso constante

Figure 3.16 The constant-voltage-drop model of the diode forward characteristics and its equivalent-circuit representation.

Desenhe vout versus vin para o circuito abaixo assumindo o modelo de tenso constante.

Exemplo usando o modelo ideal

No exemplo anterior

! Utilizado em aplicaes envolvendo tenses muito maiores que a

queda de tenso no diodo (0.6 0.8 V).

Resumo dos modelos

Modelam a equao exponencial: !Modelo de bateria com resistncia !Modelo de queda de tenso constante !Modelo do diodo ideal

Exerccios

Para o circuito abaixo, calcule ID e VD para o caso em que VDD=5 V e R=10k!. Suponha que o diodo tenha uma tenso de 0.7V e uma corrente de 1mA e que a variao de tenso seja de 0.1V/dcada de variao da corrente. Use: a) o mtodo iterativo; b) o modelo de segmentos lineares com VD0=0.65 V e rD=20 ! ; c) o modelo de queda de tenso constante com VD=0.7V.

Projete o circuito da figura abaixo para proporcionar uma tenso de sada de 2,4V. Suponha que os diodos disponveis tenham 0,7 V de queda com uma corrente de 1mA e que "V=0.1 V/dcada de variao na corrente.

Modelo para Pequenos Sinais

Modelo para Pequenos Sinais Equacionamento

Modelo do diodo para pequenas variaes prximas do ponto de polarizao Q

Formas de Anlise

Considere um diodo com n=2, polarizado com 1 mA. Encontre a variao na corrente como resultado da variao da tenso de a) 20 mV b) 10 mV c) 5 mV d) 5 mV e) 10mV f) 20 mV. Para cada caso, faa o clculo usando a)! o modelo para pequenos sinais b)! modelo exponencial.

Modelo do diodo para Altas Frequncias

Cd - capacitncia de Difuso ou acumulao, quando polarizado em forma direta CJ - Capacitncia de transio, ou juno ou depleo, quando polarizado em forma reversa #T - tempo de transio

#T ou tt - tempo de transio ts - tempo de armazenamento trr - dos nanosegundos at 1 #s. Para diodos de chavemento $ centenas de pico segundos.

Modelos
Exponencial bateria com r tenso const.

Modelos
Ideal Pequenos Sinais