MEMÓRIAS II

1 J. Tomaz
 Introdução

As memórias semicondutoras são

dispositivos que têm a capacidade de
armazenar informação binária.

Essa informação poderá ser referente a
números, letras, símbolos, endereços,
comando de operações ou dados referentes
a uma qualquer aplicação.

São aplicadas em muitos sistemas digitais
programáveis, sintetizadores de voz, e em
computadores.
2 J. Tomaz
Conceitos

Célula de memória
É a menor subdivisão de uma memória capaz
de armazenar e recuperar um dado unitário.

Capacidade de armazenamento
É uma forma de especificar quantos bits podem
ser armazenados.
Ex: Uma memória que possa armazenar 1 KBytes,
representa uma capacidade de 1024x8 bits = 8.192 bits

3 J. Tomaz
Conceitos (cont.)

Endereço binário
É um número binário que identifica a posição
de um determinado conteúdo na memória.

Cada conteúdo binário armazenado em

qualquer dispositivo ou sistema de memória
possui um único endereço.

4 J. Tomaz
Conceitos (cont.)

Operação de leitura
É a operação em que a palavra armazenada num
endereço é identificada e transmitida para os pinos de
saída da memória para que possa ser lida por outro
dispositivo (através do DATA BUS).

Operação de escrita
Operação onde uma palavra binária é escrita dentro da
memória num endereço especificado no início da
operação. Esta operação apaga o conteúdo anterior da
posição onde a escrita foi realizada.
Esta operação não está disponível nas ROMs.

5 J. Tomaz
Conceitos (cont.)

Tempo de acesso
É o intervalo de tempo que decorre entre a
aplicação do endereço e a apresentação do
dado deste endereço na saída.

Memória volátil
Qualquer tipo de memória que necessita de
energia eléctrica para reter a informação
armazenada. Se a energia for retirada, todas as
informações armazenadas se perdem.
Ex: RAMs

6 J. Tomaz
Conceitos (cont.)

Memória não-volátil
A informação mantém-se, mesmo sem energia
eléctrica.

Ex: ROMs.

7 J. Tomaz
ROM (Read Only Memory)

A ROM é uma memória não-volátil e

apenas de leitura.

Uma vez estabelecido o conteúdo

dessa memória durante a sua
fabricação, não há possibilidade de
alterá-lo.

8 J. Tomaz
 ROM (Read Only Memory)

Memórias apenas de leitura

ROM PROM EPROM E2PROM

ROM – Read Only Memory

PROM – Programmable ROM
EPROM – Erasable PROM
E2PROM ou EEPROM – Electrically EPROM J. Tomaz
9
ROM com matriz de díodos

Uma memória ROM discreta é formada por um

descodificador, um “Buffer-driver” e uma matriz
de díodos. (Na prática, este circuito é encapsu-
lado num circuito integrado (C.I.)).

Cada endereçamento dessa ROM pode ser
programado com a informação desejada,
posicionando adequadamente os díodos na
matriz.

Os conteúdos de cada endereço podem ser
lidos a qualquer momento.

10 J. Tomaz
 ROM de 4x8 bits
+5V
8x10KΩ
16
+5V 3

10KΩ

13 14
A1
Descodificador
BCD/ DECIMAL

13
ADDRESS BUS

4028

+5V 2

10KΩ

A0 10 15

8 11 12 2 4 6 8 17 15 13 11

20
+5V
74244
(Buffer Driver) 10
CS

18 16 14 12 3 5 7 9

11 J. Tomaz
D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
DATA BUS
ROM de 4x8 bits

A presença do díodo na matriz representa o

nível lógico “1” e a ausência nível lógico “0”.

A1 e A0 são as linhas de endereço (ADDRESS
BUS).

Os díodos devem ser posicionados de acordo
com a informação desejada.

Fornecendo o endereço desejado, e para cada
endereço, o dado armazenado será transferido
para a saída através do circuito “Buffer Driver”
(composto por portas Tri-State),se CS (Chip
Select) estiver a nível lógico “0”.
12 J. Tomaz
 ROM de 4x8 bits

Tabela-Verdade da ROM anterior:

Endereço Dados
A1 A0 D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
0 0 1 0 1 1 0 0 1 0
0 1 1 1 0 0 1 0 0 1
1 0 1 0 1 0 1 0 1 0
1 1 1 0 0 1 0 0 1 1

Analisando a Tabela-Verdade, verifica-se que a existência dos

díodos determinam o valor da saída de dados.
Cada díodo num ponto de cruzamento da grelha produz o valor
“1” na linha de saída de dados.
A inexistência do díodo produz um “0” na linha de dados.
13 J. Tomaz
 PROM (Programmable ROM)

Nas PROMs mais vulgares, em série com o díodo
existe um fusível que pode ser fundido por uma
determinada intensidade de corrente eléctrica.

Nestes casos, a matriz vem completa de fábrica,
com díodos em todos os cruzamentos de linhas
horizontais com verticais.

Quando o utilizador programa a PROM, por efeito
dessa tal corrente intensa, os díodos que se
encontram posicionados onde se quer armazenar o
bit “0” são eliminados.

14 J. Tomaz
 EPROM (Erasable PROM)

Nas EPROMs, em vez de díodos utilizam-se
transistores MOSFET.

A existência dum tensão na “gate” do MOSFET faz
com que ele fique em condução.

Quando o transistor MOSFET que se encontra num
determinado cruzamento de linhas está em condução
faz que essa posição de memória esteja no estado
lógico “1”.

Para limpar a memória (colocar todas as posições a
“0”), aplica-se durante um determinado tempo uma
luz ultra-violeta (UV) através duma janela
transparente, que identifica as EPROMs.

15 J. Tomaz