8

______________________________________________________________________


Captulo 1
Reviso Bibliogrfica Para-raios de ZnO

______________________________________________________________________


1.1 Introduo
Os para-raios de xido de zinco (ZnO) so dispositivos essenciais na proteo de
equipamentos dos sistemas eltricos, principalmente contra sobretenses atmosfricas e de
manobra, e descargas de alta intensidade e curta durao. A funo do para-raios limitar as
sobretenses citadas a nveis que possam ser suportados pelos isolamentos eltricos dos
equipamentos que ele est a proteger.
Nos sistemas eltricos os para-raios de ZnO so normalmente instalados entre a linha e
a terra. O para-raios possui caracterstica V-I altamente no linear, de modo que uma pequena
corrente de fuga, na ordem de microampres, circula continuamente pelos seus elementos no
lineares, varistores, quando em regime normal de operao. Devido alta capacidade de
absoro de energia e caracterstica (V-I) no linear, a corrente de fuga que era da ordem de
microampres pode chegar a quiloampres durante a passagem de uma descarga eltrica, e
cessada a descarga o para-raios deve voltar a operar normalmente.
Devido importncia dos para-raios para os sistemas eltricos faz-se necessrio a
pesquisa de modelos de para-raios mais realista, emprego de tcnicas de monitoramento e
diagnstico mais exatos, e busca por matrias mais eficientes quanto maior suportabilidade
de tenso e dissipao de energia.
Existem diversos modelos de para-raios, cada modelo utilizado para um determinado
ponto de operao, desde a regio de baixa corrente da curva caracterstica at a regio de
altas correntes.
Na regio de altas correntes, a frequncia dos surtos tambm influencia no
desempenho dos modelos. Sendo assim, tcnicas de monitoramento on-line com os modelos
existentes no poderiam ser utilizadas, tendo em vista que o ponto de operao do para-raios,
a frequncia e caracterstica dos surtos, so parmetros que no podem ser previstos, visto que
9

as descargas atmosfricas so fenmenos da natureza, e as descargas de manobras muitas
vezes so causadas por fatores externos.
Dessa forma, um modelo dinmico que opere em uma grande faixa de frequncia e
que possa representar o comportamento do para-raios em qualquer ponto de operao da sua
curva caracterstica, contribui de forma singular para o avano das pesquisas relacionadas
para-raios de ZnO.
A motivao para o estudo com para-raios, deve-se dentre outros motivos: a uma
maior confiabilidade para os sistemas eltricos e a reduo da isolao dos equipamentos e
como consequncia direta, uma reduo no custo final do sistema.
Visando o aperfeioamento e manuteno, o estudo de para-raios se d em trs
aspectos diferentes:
Desenvolvimento de modelos para estudo: para-raios geralmente so estudados
atravs de sees de teste ou modelos computacionais, devido inviabilidade
financeira de se realizar testes e ensaios com equipamentos completos;
Desenvolvimento de varistores mais eficientes: buscando desenvolver pastilhas
de xido de zinco com estrutura interna mais uniforme e com maior capacidade
de dissipao de energia;
Tcnicas de monitoramento para equipamentos em uso: permitindo avaliar o
desempenho dos equipamentos j em campo, antecipando possveis falhas e
necessidade de substituio.
1.1.1 Histrico
A evoluo dos para-raios ou supressores de surto tem sido caracterizada pela
melhoria gradual dos componentes dos diferentes para-raios. As quatro principais etapas
dessa evoluo foram: centelhador simples, para-raios tipo vlvula, a introduo de
centelhadores ativos e para-raios sem centelhadores. A introduo de cada para-raios teve um
impacto importante na reduo do nvel de proteo e custo dos equipamentos do sistema de
potncia [1]. Na Figura 1.1 observada a evoluo dos dispositivos supressores de surto.
10


Figura 1.1 Evoluo dos dispositivos supressores de surto [2].

Centelhadores simples formado basicamente por dois eletrodos, colocados um de
frente ao outro separado por uma distncia pr-determinada. So geralmente instalados entre a
fase e a terra nas terminaes de linha e equipamentos importantes, utilizam como meio
dieltrico o prprio ar. Apresentam como vantagens a fcil construo e o baixo custo.
Apresentam como desvantagens [3]:
A forte influncia das condies atmosfricas em suas caractersticas
disruptivas;
A incapacidade de extinguir, na maioria das aplicaes, o arco eltrico de baixa
impedncia formado quando da sua disrupo, ocasionando a passagem da
corrente de curto-circuito do sistema, corrente essa que ser mantida at que a
proteo contra sobrecorrentes atue e a falta seja eliminada pelo sistema de
proteo;
Durante a operao do centelhador, h um corte brusco da tenso disruptiva
(elevado efeito dV/dt), que ocasiona uma solicitao muito severa na isolao
entre espiras dos enrolamentos de transformadores e reatores.
A elevada corrente de arco produz uma rpida eroso dos eletrodos dos
centelhadores, ocasionando uma variao progressiva nos seus nveis de
proteo.
Devido ineficincia do centelhador na extino do arco eltrico, muitas vezes os
centelhadores so associados a resistncias, disjuntores ou fusveis para interromper o arco
eltrico.
Os centelhadores foram muito utilizados entre 1892 a 1908 [4]. Apesar das
desvantagens apontadas, devido ao seu baixo custo, os centelhadores ainda so usados em
baixa tenso. Em sistemas com tenses de 33 kV ou inferiores, no recomendado o uso de
11

centelhadores com gap nico, porque a distncia entre os eletrodos pode ser superada por
pssaros, nesse caso pode ser utilizado centelhadores com gap duplo ou de expulso [1].
Detalhes construtivos dos centelhadores com dieltrico de ar, aplicados em redes de
distribuio, so apresentados na Figura 1.2 [3].

Figura 1.2 Detalhes construtivos dos centelhadores tipo chifre [3].

Na Figura 1.2 (a) apresentado um centelhador convencional, e na Figura 1.2 (b) um
centelhador com haste metlica instalada no ponto central do centelhador com o objetivo de
evitar a interrupo acidental por pssaros. A distncia (d/2) entre a haste central e a
extremidade do centelhador deve ser dimensionada de maneira a garantir a suportabilidade
dieltrica frequncia fundamental [3].
Devido aos problemas encontrados com o uso de centelhadores a ar, surgiram, por
volta de 1920, os primeiros para-raios do tipo expulso. Estes eram constitudos basicamente
por dois centelhadores montados em um tubo isolante e conectados em srie. Uma vez que os
dois centelhadores possuam diferentes espaamentos e eram constitudos por diferentes
materiais dieltricos, no existia uma distribuio uniforme de tenso e o incio da disrupo
era sempre determinado pelo centelhador montado na parte superior do para-raios. Com a
disrupo do centelhador superior, toda a tenso passava a ser aplicada sobre o centelhador
inferior, que iniciava o processo de formao do arco no seu dieltrico, constitudo por um
material fibroso com a propriedade bsica de gerar gases que provocavam a deionizao do
arco, provocando a interrupo da corrente de frequncia fundamental de forma natural
quando da passagem da corrente pelo zero [3].
O princpio de funcionamento do para-raios de expulso o mesmo atualmente
adotado para os elos fusveis de expulso e chaves corta-circuito. A sua principal
12

desvantagem era a pequena vida til, limitada durabilidade do material utilizado para a
deionizao do arco eltrico [3].
Os para-raios do tipo expulso tiveram uma vida muito curta, sendo substitudos pelos
para-raios tipo vlvula, os quais foram desenvolvidos em paralelo com os para-raios tipo
expulso e acabaram por substitu-los totalmente. Estes para-raios eram formados
basicamente por centelhadores montados em srie com resistores no lineares (denominados
nas normas ANSI como elementos vlvula) [3].
Vrios tipos de materiais foram originariamente empregados para a confeco dos
resistores no lineares, tais como Alumnio e Perxido de Chumbo [4].
A descoberta das propriedades no lineares do carboneto de silcio (SiC) em torno de
1930 viabilizou a introduo dos para-raios tipo vlvula na proteo do sistema eltrico de
potncia contra descargas atmosfricas. O esquema tpico de um para-raios convencional
(SiC) consiste em centelhadores tipo disco espaados por anis isolantes em srie com
resistores no lineares de SiC [1].
Neste tipo de para-raios, os centelhadores apresentam duas funes: (a) "isolar" o
para-raios do sistema sob condies de regime permanente, uma vez que sem a presena dos
centelhadores, os elementos de SiC apresentariam, sob condies normais de operao, uma
elevada amplitude de corrente de frequncia fundamental que provocaria perdas apreciveis e
um aquecimento excessivo nos resistores no lineares de SiC, que ocasionaria a sua falha em
poucos ciclos; (b) auxiliar na extino da corrente subsequente (corrente do sistema a
frequncia fundamental) que percorre os elementos no lineares, quando da proximidade do
zero ou da sua passagem pelo zero, dependendo do projeto construtivo do centelhador [3].
Os para-raios tipo vlvula com resistores no lineares a base de carboneto de silcio
(SiC) com centelhadores no ativos foram bastante utilizados entre 1930 a 1954 [4].
At aproximadamente 1954 no circulava corrente continuamente pelo para-raios. S
havia circulao de corrente no momento da disrupo dos centelhadores, isso devido baixa
no linearidade dos elementos no lineares utilizados at o momento no permitir a conexo
sem centelhadores.
Durante a evoluo existiram para-raios de carboneto de silcio com centelhadores
passivos, parcialmente ativos e ativos. Os passivos eram formados somente pelo conjunto
centelhadores e elementos no lineares. Nos parcialmente ativos adicionado um resistor no
linear, denominado resistor equalizador, entre os mdulos de centelhadores, cada mdulo
formado por centelhadores tipo disco espaados por anis isolantes. O objetivo dos resistores
equalizar a distribuio de tenso ao longo do para-raios. [5].
13

Nos centelhadores ativos, alm de possuir os resistores equalizadores, os centelhadores
eram construdos em conjunto com uma bobina que promovia um campo magntico intenso
na regio de formao do arco eltrico. Este campo magntico tinha duas finalidades
principais: alongar o arco e fazer com que ele se movesse sobre a superfcie do eletrodo,
saindo do seu ponto inicial para um ponto de maior afastamento entre os seus terminais,
facilitando dessa forma a sua extino.
Nos para-raios de carboneto de silcio com centelhadores parcialmente ativos e ativos
existe a circulao continua de corrente pelo para-raios de somente poucos miliampres,
limitados pelos resistores no lineares de SiC e pelos resistores de equalizao [2].
Apesar das melhorias sucessivas, a presena dos centelhadores na montagem dos para-
raios tornou-se indesejvel, principalmente devido aos seguintes fatores [2]:
A montagem dos centelhadores se d, via de regra, de forma artesanal
propiciando erros de montagem, detectados somente quando da inspeo
atravs de ensaios de rotina;
Disperses significativas nos valores das tenses disruptivas de frequncia
fundamentais e impulsivas;
A disrupo dos centelhadores representa um transitrio na tenso, transitrio
esse que ao atingir os enrolamentos dos equipamentos protegidos pode causar
uma solicitao entre espiras muito severa;
A disperso dos centelhadores dificulta a aplicao de para-raios em paralelo,
fundamental na proteo de grandes bancos de capacitores srie, de estaes
HVDC (High Voltage Direct Current) e alguns sistemas de Extra Alta Tenso
(345, 440 e 500 kV).
Em 1976 surgiram os varistores de xido de zinco (ZnO), elemento no linear, capaz
de suportar a tenso do sistema sem a necessidade de centelhadores em srie [4].
Os para-raios de ZnO apresentam como principais vantagens em relao ao seu
antecessor [2]:
Simplicidade na construo aumenta a confiabilidade;
O nvel de proteo mais bem definido por causa da ausncia de gaps.
Melhor desempenho sob contaminao;
Maior capacidade de absoro de energia;
Possibilidade de dividir a energia entre os diversos para-raios instalados na
subestao;
14

Entra e sai de conduo suavemente;
1.2 Caracterstica Construtiva do Para-raios de ZnO
Os para-raios a xido de zinco so equipamentos de estrutura simples. Basicamente
so constitudos de uma coluna de varistores envolvida por uma coluna de porcelana ou
material polimrico, havendo ainda alguns outros componentes estruturais. Sua configurao
depende do sistema ao qual ser aplicado, mas no aspecto geral, segue o esquema mostrado na
Figura 1.3.

Figura 1.3 - Estrutura de um para-raios de ZnO com invlucro de porcelana [6].
Os para-raios de maior comprimento geralmente possuem anis equalizadores para
manter a tenso uniforme e aceitvel ao longo do seu comprimento. Nesse caso, para-raios
sem anis equalizadores podem ter a sua vida til comprometida [6].
A base e o topo do para-raios so constitudos de flanges de alumnio, fixados com a
ajuda de cimento do tipo Portland ou a base de enxofre, sendo este ltimo uma melhor
escolha. O cimento a base de enxofre, alm de no causar corroso no alumnio, tem uma
aplicao mais fcil e atinge mais rapidamente o seu estado final de rigidez mecnica [7].
Para um desempenho satisfatrio e prolongao de sua vida til necessrio que o
para-raios esteja hermeticamente fechado. O arranjo de vedao em cada extremidade
constitudo de chapa de ao inoxidvel com um anel de vedao de borracha. A chapa exerce
uma presso continua sobre o anel de vedao contra o invlucro garantindo uma vedao
eficaz. Para fixar a coluna de varistores na direo longitudinal utilizada uma mola [6].
1 Invlucro de porcelana
2 Condutos de sada de gases
3 Mola
4 Recipiente para absorver umidade
5 Chapa de cobre
6 Membranas de vedao
7 Anis de vedao
8 Placas de indicao de falha
9 Blocos ZnO
10 Flange da cobertura
15

O principal elemento de um para-raios o varistor ou bloco de ZnO, que apresenta alta
no linearidade entre a tenso e a corrente. Ele corresponde a uma estrutura cilndrica e seu
dimetro escolhido de acordo com a capacidade de absoro de energia desejada, variando
de 30 mm para sistemas de distribuio at 100 mm ou mais para sistemas de alta ou extra-
alta tenso. A espessura das pastilhas geralmente varia entre 20 mm e 45 mm, dependendo
dos mtodos de produo utilizados e sua espessura geralmente limitada pela
homogeneidade dos gros de ZnO quanto maior as dimenses do varistor mais difcil
conseguir uma boa homogeneidade na distribuio interna do xido de zinco [7]. Na Figura
1.4 observado um conjunto de varistores com diversas dimenses.

Figura 1.4 Varistores com dimetros e espessuras diferentes [7].
O invlucro de porcelana ou material polimrico, evita a penetrao de umidade ou de
algum tipo de poluio. Esta coluna isolante possui aletas (saias) ao longo de todo o seu
comprimento, aumentando assim, a distncia entre os terminais para o caso de uma descarga
superficial, devido presena de sujeira ou umidade na superfcie do para-raios. Para reduzir
o risco de exploso ou minimizar os seus efeitos, os para-raios apresentam um sistema de
alvio de presso.
Em caso de aquecimento interno, com consequente aumento da presso interna, a
vlvula de alvio de presso atua, fazendo com que haja o escape dos gases antes que ocorra o
rompimento da porcelana e provoque danos vida e ao patrimnio. Para indicar que a vlvula
de alvio de presso atuou so colocados placas de identificao de falhas que se rompem no
momento da atuao, facilitando a identificao. Na Figura 1.5 ilustrada a operao do
dispositivo de alvio de presso.
16

Prevendo uma penetrao de umidade, devido principalmente ao envelhecimento da
vedao, em alguns projetos de para-raios so colocados no seu interior, prximo a base, um
recipiente para absorver umidade, desiccant bag.

(a) (b)
Figura 1.5 (a) Operao do dispositivo de alvio de presso. (b) Atuao correta da vlvula de alvio de
presso [8].
1.3 Propriedades Bsicas do Varistor de ZnO
1.3.1 Composio e Efeitos de Aditivos
As propriedades do xido de zinco eram bem conhecidas bem antes de Matsuoka [9].
J havia sido investigada a caracterstica no linear entre a tenso e corrente do ZnO dopado
com xidos de metais alcalino-terrosos. Verificou-se que com quantidades apropriadas
(0,5 %) de aditivos com um raio inico maiores do que a de Zn
+2
(o que no iria dissolver na
rede de ZnO, e assim formaria uma camada na parte limite do gro de ZnO), a cermica exibe
um elevado coeficiente de no linearidade na curva caracterstica V-I. Alm disso,
demonstrou-se que o novo material era extraordinariamente superior em comparao com o
convencionalmente utilizado SiC. O coeficiente de no linearidade, , dos primeiros
varistores ZnO estava na faixa de 25-50. Em contraste com o varistor de SiC que era de 2 -7
[1].
Na Tabela 1.1 exposto o resumo do efeito de vrios aditivos sobre as propriedades
do ZnO relatadas na literatura.



17

Tabela 1.1 Efeito de vrios aditivos sobre as propriedades do ZnO [1].
Aditivos Efeito nas propriedades do ZnO
Bi
2
O
3
+ metais alcalinos:
CaO, CoO, BaO, SrO, MnO
surgimento da no linearidade
alto com BaO
K
2
O inibe o crescimento dos gros
3 mol% MeO mnimo para uma boa no linearidade
Gerao de gros ZnO +
0.5% BaCo
3

gros de tamanho elevado
reduo da tenso de ruptura
reduzido
Ga
2
O
3
incremento de
corrente de fuga elevada
ZrO
2
melhor capacidade de absoro de energia
SiO
2
baixa corrente de fuga
Pr
6
O
11
substitudo por Bi
2
O
3

microestrutura com duas fases (sem espinlio)
caracterstica V-I melhorada
alta capacidade de absoro de energia
melhora no tempo de vida til
baixa tenso residual
Al
2
O
3
baixa tenso residual
auxilia no crescimento do gro
corrente de fuga elevada
alto

Em 1971, Matsuoka [9] divulgou um grande nmero de composies que produziram
varistores de ZnO teis. O coeficiente de no linearidade = 50 foi obtido quando 99,9 % de
ZnO puro foi dopado com 1 mol% de Sb
2
O
3
e 0,5 mol% de Bi
2
O
3
, CoO, MnO e Cr
2
O
3
[9]
.

Composio rica em xido de praseodmio, que no contm qualquer bismuto, foi
utilizada na fabricao de varistores com uma microestrutura de duas fases utilizadas para
18

melhorar as suas propriedades eltricas, tais como capacidade de absoro de energia, tenso
residual e vida til [1].
Postula-se que os xidos de metais de transio esto envolvidos na formao de
camadas interfaciais e lacunas de grande profundidade, os quais contribuem para o aumento
no linear da resistividade. O tamanho do gro, consequentemente a tenso de ruptura em
cada periferia do gro, podem ser controladas com aditivos, tais como TiO
2,
Sb
2
O
3
e BeO,
Al
2
O
3,
K
2
O e SiC. A estabilidade eltrica foi melhorada pela adio de ZrO
2
, ou Cr
2
O
3
ou
Nb
2
O
5
a composio de xidos ricos em bismuto [1].

1.3.2 Processo de Fabricao
Na Figura 1.6 mostrado um diagrama do processo de fabricao. O material base
utilizado no processo de fabricao do varistor de xido de zinco pulverizado em granulao
muito fina de alta pureza (99,9 por cento) de ZnO com partculas cujo tamanho varia de
1-10 m.
Vrios elementos dopantes so especialmente preparados sobre a forma de finos ps
de xido. A concentrao dos componentes individuais varia desde escalas de p.p.m (partes
por milho) a porcentagem, e a composio e proporo de aditivos difere de fabricante para
fabricante. O resultado da mistura dos ps modo e misturado com gua deionizada ou
lcool por 10-24 horas, em seguida obtido uma mistura homognea e aquosa com pequenas
partculas.
A homogeneidade da mistura importante para a qualidade do produto final. A
mistura calcinada a 700C no secador de pulverizao por um tempo que varia de 30
minutos a 2 horas. Gros de forma esfrica de 100 m de dimetro so obtidos, e
compactados na produo do prximo estgio sobre uma presso de 340 a 400 kg/cm
2
. O
material prensado moldado sobre blocos de chapas no formato de disco possuindo um
dimetro de 1-100 mm e uma espessura de 1-30 mm [1].
Os blocos so sinterizados em um forno eltrico a ar ou oxignio por uma ou duas
horas sob temperatura constante entre 1000 1400C. Este tratamento trmico tem o efeito de
aumentar a densidade da compactao do p dentro de um corpo de cermica slido. A
temperatura e durao do processo so muito crticos para as caractersticas dos varistores
ZnO. relatado que nesse processo as partculas adjacentes esto unidas por meio de difuso,
e em sequncia cresce em grandes gros. Na fase seguinte os densos corpos cermicos so
19

esfriados a uma taxa de 50-200C/h. No fim so revestidos por um colar isolante (vidro,
epxi) na superfcie perifrica para proteg-los contra o ambiente e evitar flashover. Eletrodos
metlicos (prata, ouro, cobre e alumnio) so depositados em cada face do bloco na ltima
fase do estgio. Finalmente, antes da montagem, testes de rotina so realizados para verificar
as propriedades eltricas do varistor [1].


Figura 1.6 Diagrama simplificado do processo de fabricao do varistor de ZnO [1].
1.3.3 Microestrutura
O tamanho do gro, consequentemente a tenso de ruptura em cada periferia do gro,
podem ser controladas com aditivos, tais como TiO
2,
Sb
2
O
3
e BeO, Al
2
O
3,
K
2
O e SiC.
cristais ZnO + aditivos selecionados
a mistura molhada e moda
obtm mistura homognea e aquosa
processo de calcinao num secador de pulverizao
mantida a homogeneidade na forma granulada
formao de varistores em formato de disco
processo de sinterizao
corpos cermicos densos
adio de eletrodos e revestimento de proteo
testes de verificao das caractersticas eltricas
montagem dos varistores
20


Figura 1.7 (a) Representao esquemtica da microestrutura do material de ZnO. (b) Estrutura
microscpica tpica do material de ZnO utilizando microscopia eletrnica de varredura (MEV) [1].

O processo de fabricao resulta em um material policristalino composto por gros de
ZnO semicondutores, contornados por uma fina camada de material intergranular (Figura
1.7(a)).
A microestrutura foi examinada por vrias tcnicas pticas, tais como difrao de
raio X, microssonda eletrnica, microscopia eletrnica de varredura (MEV) e microscopia
eletrnica de transmisso (TEM). O resultado da anlise microscpica como produzido na
Figura 1.7(b) mostram que a microestrutura dos varistores ZnO composta por gros ZnO
com tamanho de 5-20 micrometros.
Esses gros so separados entre si por finas camadas de materiais intergranulares de
aproximadamente 0,2 mm de espessura. A natureza e composio dessas camadas dependem
21

dos aditivos utilizados para dopagem. Medies muito sensveis mostraram que as camadas
intergranulares podem ser muito pequenas, podendo medir 2*10
-10
m (2 ngstrm ()) [1].
1.3.4 Mecanismo de Conduo
Os dados experimentais revelam caractersticas e comportamentos inerentes aos
varistores a ZnO e que devem ser contemplados e previstos por um determinado mecanismo
de conduo proposto. Dessa forma, a aceitao de uma determinada teoria de conduo passa
obrigatoriamente pela avaliao da compatibilidade com os experimentos, aps a qual
classificada como vlida ou rejeitada. Dentre as caractersticas mais relevantes dos varistores
de ZnO, Mahan et al. [10] elenca as seguintes:
a) O processo de breakdown substancialmente independente da temperatura, e
na tenso de breakdown

, a uma corrente fixada, apresenta um pequeno

coeficiente negativo de temperatura:

.
b) A tenso de breakdown independente da concentrao de portadores nos
gros de ZnO.
c) O aumento da temperatura bem como o aumento da concentrao de
portadores no gro de ZnO causam, ambos, elevao da corrente de fuga no
varistor.
d) A tenso de breakdown do varistor cerca de 3 a 3,5 V por barreira
intergranular, e bastante insensvel a natureza e a quantidade dos vrios
aditivos e aos passos do processamento adotados na fabricao do dispositivo.
De fato, estudos em varistores de ZnO sem Bi
2
O
3
revelam tenses de
breakdown por volta de 3,5 V por barreira intergranular.
e) A capacitncia do varistor diminui um pouco com a polarizao CC aplicada e
depois aumenta abruptamente medida que o varistor entra na regio de
breakdown.

1.3.4.1 Breve Histrico

As primeiras teorias que propem explicaes para a conduo de corrente em
varistores de xido de zinco, tambm chamadas de mecanismos de conduo em varistores de
ZnO, surgiram em meados da dcada de 70. A partir deste perodo vrias teorias foram
22

propostas, algumas foram rejeitadas e outras foram aprimoradas com a insero de novos
fenmenos fsicos. Ainda que tenham ocorrido diversos progressos, no houve muitos
avanos significativos aps 1990.
Embora os varistores possuam, em sua curva caracterstica, trs regies distintas, duas
delas foram objeto de maior discusso e estudos: Regio de Baixas Correntes ou
prebreakdown e a regio no linear ou breakdown. A regio de altas correntes foi mais
facilmente caracterizada como sendo a regio onde a impedncia do varistor de ZnO
prevalece no processo de conduo.
O primeiro modelo a explicar a conduo em varistores de ZnO foi proposto por
Matsuoka [9] em 1971. Esse modelo intitulado modelo de Correntes Limitadas por Cargas
Espaciais SCLC, pois considera correntes limitadas por cargas espaciais na camada
intergranular de bismuto-rico, que um binrio de xido de bismuto com outros xidos. Um
fato importante a ser salientado que desde os primeiros modelos, a camada intergranular
possui papel fundamental na descrio do processo de conduo.
A maioria dos modelos que se tornaram aceitveis assumem uma descrio comum
para a estrutura de bandas, de valncia e conduo, nas vizinhanas da regio da camada
intergranular. Em geral assumido uma estrutura de bandas, equivalente Dupla Barreira de
Shottky (DSB), que segundo Levinson e Philipp [11] uma estrutura de dupla camada de
depleo.

1.3.4.2 Reviso de Mecanismos de Conduo

Emisso Schottky ou Pole-Frenkel
Levinson e Philipp [11] afirmam que o processo de emisso Schottky ou Pole-Frenkel
dominante na regio de prebreakdown, e corresponde a uma emisso terminica sobre uma
barreira de potencial reduzida por efeito de campo eltrico. Alm disso, dizem que o
comportamento do varistor de ZnO pode ser assemelhado a uma configurao back-to-back
de diodos Zener, que corresponde a dois diodos conectados pelo catodo.

Teoria da Avalanche
Apesar de que em boa parte dos casos o processo de avalanche modele bem as junes
de semicondutores e ainda preveja o coeficiente de no linearidade > 1000, esse mecanismo
exibe um coeficiente de temperatura positivo na tenso de breakdown. Sabe-se que os
23

varistores de ZnO possuem um coeficiente de temperatura negativo na tenso de breakdown,
e por esse motivo tal modelo foi descartado [10].
Correntes Limitadas por Cargas Espaciais (SCLC)
A teoria SCLC, desenvolvida por Matsuoka [9], descreve a conduo dentro de um
material isolante com contatos hmicos. A SCLC descreve a conduo atravs da camada
intergranular entre dois gros adjacentes [10]. Os clculos realizados por Bernasconi [12]
apontam para um valor mximo de alfa de aproximadamente 2, o que claramente descarta
essa teoria.
Ativao Trmica Sobre uma Dupla Barreira de Shottky
Emtage [13] prope um modelo da interface gro-gro representada por uma barreira
de depleo dupla termicamente ativada, com uma camada intergranular de espessura muito
pequena ou zero. O problema desse modelo est nos valores limitados de 25
temperatura ambiente. Mahan et al. [10] aceita que as imperfeies e no-homogeneidades do
varistor podem reduzir um valor de previsto em teoria, contudo, claro que qualquer teoria
que apresente valores de menores que os observados experimentalmente invlida. Tal fato
observado nessa teoria, o que a torna rejeitada.
Tunelamento Simples
O tunelamento um fenmeno quntico que explica a passagem de eltrons atravs de
uma barreira de potencial em condies que a fsica clssica diz ser impossvel. Philipp e
Levinson [14] afirmam que no breakdown o tunelamento se torna fortemente presente, visto
que para valores altos de campo eltrico os eltrons podem ultrapassar a barreira de potencial
mediante o tunelamento. Contudo, segundo [10], as equaes de Fowler-Nordheim propostas
por Simmons [15] para tunelamento atravs de uma fina camada intergranular exibem um
coeficiente de no linearidade mximo de , o que quando comparado com o valor de
previsto na faixa de 50-100, faz esse fenmeno ser descartado como um possvel mecanismo
principal. Bernasconi et al. [12] tambm invalida o tunelamento simples, aps calcular
, para esse modelo. Apesar dessas invalidaes, nota-se que essa teoria apresenta
algumas caractersticas desejadas, tais como: uma insensibilidade do breakdown do varistor
em relao composio e processamento, coeficiente de temperatura negativo na tenso de
breakdown.
24

Dupla Barreira de Schottky (DSB)
O modelo de dupla camada de depleo DSB foi testado por Bernasconi et al. [12] e
forneceu valores mximos de coeficiente de no linearidade , o que est abaixo dos
valores obtidos experimentalmente. Embora, a DSB, isoladamente, no explique a conduo,
ela constitui a base para teorias mais sofisticadas. A seo 1.3.4.3 detalha melhor as
caractersticas da DSB.
Dupla Barreira de Potencial e Tunelamento
Bernasconi et al. [16] props um modelo baseado em dupla barreira de potencial,
considerando um processo de tunelamento a partir de armadilhas profundas. Quando a tenso
maior que a tenso crtica ocorre o incio do tunelamento, dando lugar a altos valores de ,
da ordem de 60, na temperatura ambiente. Apesar das boas qualidades do modelo, Mahan et
al. [10] afirma que uma dificuldade com esse modelo que o mesmo prev variaes na
tenso de breakdown se ocorrerem variaes na densidade de doadores no varistor de ZnO, o
que uma comportamento incompatvel com os experimentos. Hower e Gupta [17] tambm
propuseram um modelo de tunelamento atravs de barreiras de Schottky.
Conduo em Dois Passos e Portadores Minoritrios
Mahan et al.[10] prope para o prebreakdown um modelo de conduo em dois passos,
admitindo que a densidade de cargas na interface varivel no processo de conduo, o que,
em modelos simples de dupla camada de depleo, no considerado. Alm disso, prope
que o breakdown causado pela criao de lacunas, ou portadores minoritrios, que surgem
quando a banda de conduo cai abaixo do topo da banda de valncia, onde ambas as bandas
esto contidas no mesmo lado da juno. A presena das lacunas torna a barreira de potencial
mais fina, o que permite o tunelamento no topo da barreira de potencial. Essa teoria prediz
valores de entre 50 e 100, contudo, mesmo com suas boas qualidades, em [1] so apontados
problemas na modelagem do comportamento capacitivo do varistor de ZnO neste modelo.
DSB e Armadilhas Profundas
Blatter e Greuter [18] propuseram um modelo de DSB levando em conta a presena de
armadilhas profundas, ou seja, defeitos na estrutura atmica que impem a necessidade de
elevadas energias para que seja removido um eltron ou lacuna inserido ou capturado nessas
armadilhas. A incluso dessa nova premissa revelou mudanas nas propriedades estticas e
dinmicas do varistor, quando comparado a um modelo que no leva em considerao as
25

armadilhas profundas. As armadilhas contribuem para o aumento da densidade de cargas na
interface e para uma maior velocidade de decaimento da barreira de potencial. No entanto,
mesmo que a considerao de armadilhas torne o modelo mais realista, a presena delas
diminue o coeficiente de no linearidade, apontando para a necessidade da considerao de
outros fenmenos que imponham maiores valores de .
DSB com Armadilhas Profundas e Portadores Minoritrios
Em [19] Blatter e Greuter aprimoram o modelo de DSB com armadilhas proposto por
[18], adicionando o efeito dos portadores minoritrios. Tal fenmeno se d pela presena de
elevados campos eltricos, da ordem de 1 MV/cm, criados quando o varistor submetido
tenses elevadas, os quais aceleram eltrons e possibilitam a ocorrncia de impactos
ionizantes. Esses impactos ionizantes criam lacunas, ou portadores minoritrios, que migram
para interface intergranular e contribuem para a reduo da altura da barreira de potencial.
Dessa forma, o transporte de corrente cresce exponencialmente, devido s lacunas.
1.3.4.3 Dupla Barreira de Schottky (DSB)

A DSB uma barreira de potencial formada em ambos os lados da camada
intergranular localizada entre dois gros de ZnO do varistor. Essa barreira de potencial
formada devido ao acmulo de cargas negativas na camada intergranular. Tal acmulo deve-
se presena de espaos vazios, defeitos e dopantes presentes na regio intergranular, e que
atuam com aceitadores de eltrons. Essa interface negativamente carregada repele os
portadores majoritrios (eltrons) e modifica o nvel de Fermi nas suas proximidades,
originando uma flexo ou curvatura nas bandas de conduo e de valncia da regio. Dessa
forma, medida que se aproxima da interface intergranular, pela direita ou esquerda, teremos
nveis de energia, de valncia e de conduo crescentes (Figura 1.9).
26


Figura 1.9 - Esboo bsico do diagrama de Bandas da DSB.

Segundo o modelo de DSB proposto por Blatter e Greuter em [20], alm dos defeitos e
espaos aceitadores de eltrons que se localizam precisamente na interface, ainda so
considerados os doadores fracos e as armadilhas profundas de eltrons, que se localizam na
regio das proximidades da pelcula intergranular, onde cada qual possui energia e densidade
especficas (Figura 1.10). Podem existir diferentes tipos de doadores fracos e armadilhas
profundas, e estes so diferenciados e identificados de acordo com a sua energia em e
densidade em

. A altura da barreira DSB est, tambm, relacionada com as armadilhas.

Um aumento da concentrao de armadilhas profundas diminui a altura da barreira, por outro
lado, um aumento da energia das armadilhas produz um acrscimo na altura da barreira.

27


Figura 1.10 - Diagrama de Bandas de Energia, no canto superior. Distribuio de cargas, no canto inferior, para
uma Dupla Barreira Schottky formada na interface. Por simplicidade foi desenhado apenas um nvel de
armadilha profunda. A densidade de estados de interface,

, tambm apresentada [20].

1.3.4.4 Comportamento da DSB

Mahan et al. [10] explica o comportamento da DSB ilustrando a forma do diagrama de
bandas da DSB medida que varia-se a tenso aplicada (Figura 1.11). Quando a tenso
aplicada entre os gros polo positivo no gro esquerdo e negativo no direito de ZnO
cresce, as bandas de valncia e conduo, que se situam no gro esquerdo vo perdendo a
curvatura e se tornam cada vez mais retilneas. J as bandas do gro esquerdo se tornam mais
ngremes medida que a tenso aumenta. Para tenses muito elevadas, da ordem de quatro
vezes a altura da barreira, a DSB chega a um estado extremo onde a altura da barreira vista da
esquerda zero e a altura da barreira vista do lado direito quatro vezes a altura inicial da
barreira, ou seja, possui o mesmo valor da tenso aplicada (Figura 1.11).
28


Figura 1.11 - Efeito da Aplicao de tenso sobre a DSB.

1.3.4.5 Portadores Minoritrios Lacunas ou Buracos

O modelo DSB, isoladamente, no pode explicar satisfatoriamente a conduo. A DSB
prev coeficientes de no linearidade 40, enquanto existem varistores com = 100. O
processo de permuta de uma alta resistividade para uma baixa resistividade mais rpido que
o modelo prev. No entanto quando se leva em considerao processos envolvendo lacunas,
ou seja, portadores minoritrios, obtm-se resultados aprimorados. Quando a tenso aplicada
sobre o varistor chega prxima quela em que o varistor entra na regio de breakdown, tem-se
uma tenso de aproximadamente 3,5 V aplicada sobre a camada intergranular. Nessa situao
surgem nas vizinhanas do contorno do gro campos eltricos muito intensos, da ordem de
. Tais campos promovem a acelerao de eltrons na regio de depleo prxima
camada intergranular, e ganham energia cintica suficiente para promoverem impactos
ionizantes gerando pares eltron-lacuna. Esse efeito ilustrado na Figura 1.12.

29


Figura 1.12 - Diagrama de bandas da barreira intergranular no regime breakdown. Impactos ionizantes causados
por eltrons acelerados criam pares eltron-lacuna. As lacunas movem-se em direo camada intergranular
contribuindo para a diminuio da barreira de potencial [20].
Aps a criao de lacunas por causa de impactos ionizantes, elas movem-se em
direo camada intergranular, negativamente carregada, num tempo de

, e quando
chegam interface diminuem a carga negativa lquida da mesma (Figura 1.12). Dessa forma,
a altura da barreira de potencial diminui e a corrente aumenta exponencialmente. No incio do
breakdown o processo dominante a recombinao de eltron-lacunas, e quando breakdown
entra em regime o fenmeno dominante a r-emisso [21].
1.3.4.6 Mecanismo de Conduo atualmente difundido

Um dos mecanismos de conduo mais bem difundidos uma unio do modelo
proposto por [18] e [19]. Essa unio de teorias apresentada por Blatter e Greuter [20] e tem
como fundamentos a presena de: barreiras de potencial DSB nas interfaces entre os gros de
ZnO, estados de interface, armadilha profundas, e portadores minoritrio. Alm disso,
30

modelos de defeitos na microestrutura do varistor tambm corroboram com uma
representao mais realista e precisa da conduo nos varistores de ZnO. Gupta e Carlson [22]
propem um modelo com defeitos que mostra a dinmica da atuao do zinco intersticial na
altura da barreira de potencial, medida que a tenso sobre o varistor aumenta ou diminui.
A altura da barreira de potencial o parmetro que controla e tem influncia direta na
conduo de corrente. Em uma analogia com sistemas hidrulicos, a corrente seria a vazo do
lquido e a barreira de potencial uma vlvula hidrulica que controlaria diretamente o valor da
vazo. Quanto maior for a altura da barreira de potencial maior ser o empecilho para a
passagem de corrente entre dois gros.
A Figura 1.13 apresenta um resumo dos fenmenos em cada regio da curva
caracterstica dos varistores de ZnO.
31


Figura 1.13 Fenmenos relativos a cada regio da curva caracterstica.
32

1.4 Caractersticas Eltricas do Para-raios de ZnO
A principal caracterstica do para-raios ZnO a sua alta no linearidade entre a
tenso e a corrente (curva V-I). Esta caracterstica representou um avano em relao aos
para-raios convencionais a carboneto de silcio (SiC), pois diferente do que ocorre com o SiC,
essa caracterstica permite sua conexo direta com o sistema eltrico gerando apenas uma
corrente de fuga desprezvel em condies normais de operao. Dispensou-se, ento, o uso
de centelhadores em srie com a coluna de elementos varistores. A Figura 1.8 mostra curvas
caractersticas tpicas de para-raios ZnO e SiC [23].


Figura 1.8 Curva caracterstica tpica de um de um para-raios de ZnO e de SiC [23].

Devido a sua caracterstica V-I altamente no linear, no para-raios ZnO, durante a
passagem de uma descarga eltrica, a corrente de fuga que era da ordem de microampres
pode atingir quiloampres, e cessada a descarga, o para-raios retorna a sua condio normal
de operao.
As terminologias tenso nominal (Ur) e Mxima Tenso de Operao Contnua
(MCOV) utilizadas em para-raios de ZnO causam muita confuso, por terem conceitos
diferentes dos demais equipamentos. De acordo com normas da IEC e IEEE, essas
terminologias so definidas como:
TENSO NOMINAL (Ur). Maior valor da tenso RMS frequncia
industrial admissvel entre os terminais do para-raios, para a qual o para-raios
projetado para funcionar adequadamente em condies de sobretenses
temporrias, tal como definido no teste de ciclo de operao [24].
33

MXIMA TENSO DE OPERAO CONTINUA (MCOV). Valor
mximo de tenso RMS frequncia industrial, que pode ser aplicado
continuamente entre os terminais do para-raios [25].
Diferentemente de outros equipamentos eltricos de potncia, como por exemplo, o
transformador de potncia, a tenso nominal do equipamento para-raios no o valor da
tenso RMS nominal do sistema para o qual o equipamento foi projetado. J a MCOV
similar ao conceito de tenso nominal do transformador, ou seja, mximo valor de tenso
RMS frequncia industrial, que pode ser aplicado continuamente entre os terminais do
equipamento, que o fabricante garante manter a estabilidade trmica do para-raios.
O nvel de proteo atmosfrico e de manobra so valores de tenses de pico
resultante da aplicao de impulso de corrente cuja forma de onda padronizada, 8/20 s e
250/2500 s, respectivamente.
A curva caracterstica V-I do para-raios de ZnO pode ser dividida em trs importantes
regies [26]:

Figura 1.9 Curva V-I tpica de um varistor de ZnO [26].

Regio de baixas correntes de operao ou pr-ruptura, tambm conhecida
como regio de baixas tenses aplicadas (medida sob aplicao de tenses
alternadas e contnuas);
Regio altamente no linear de operao, tambm conhecida como regio
altamente no linear de tenses intermedirias (medida por impulsos de
corrente representando surtos atmosfricos e de manobra);
34

Regio superior de operao, tambm conhecida como regio de Upturn da
tenso (medida por correntes tipo 8/20 s ou 4/10 s).
1.4.1 Regio de Baixas Correntes
A corrente de fuga na regio de baixa corrente pode ser decomposta em uma
componente capacitiva e outra resistiva, sendo predominante a componente capacitiva. Na
Figura 1.10 observada uma medio de corrente de fuga tpica realizada em laboratrio
sobre um nico varistor quando energizado a uma tenso MCOV equivalente para um para-
raios completo [27].

Figura 1.10 Corrente de fuga tpica de um varistor de ZnO sob condies de laboratrio [27].
1.4.1.1 Componente Capacitiva da Corrente de Fuga
A componente capacitiva da corrente de fuga medida no terminal de aterramento do
para-raios deve-se a permissividade dos elementos no lineares, as capacitncias parasitas e
aos capacitores de equalizao, se aplicados. A capacitncia de um varistor de ZnO est entre
60 pF.kV/cm
2
a 150 pF.kV/cm
2
(tenso nominal), resultando em um valor de pico da corrente
capacitiva situado entre 0,2 mA a 3 mA em condies normais de operao [27].
1.4.1.2 Componente Resistiva da Corrente de Fuga
A componente resistiva da corrente de fuga varia significativamente com o valor e tipo
(CC ou CA) da tenso aplicada, e com a temperatura do para-raios conforme pode ser
constatado nos grficos da Figura 1.11.
35

Estas variaes esto relacionadas ao processo de conduo dos varistores de ZnO e
constituem uma dificuldade adicional ao processo de modelagem dos para-raios de ZnO, uma
vez que, no s a tenso aplicada ser uma varivel do problema, tem-se tambm que levar
em considerao a temperatura ambiente e interna do para-raios.
Outra informao importante apresentada na Figura 1.11 o fato de que a componente
capacitiva praticamente satura aps determinado nvel de tenso, sendo que para tenses
elevadas a corrente do para-raios predominantemente resistiva.

Figura 1.11 Curvas caractersticas V-I tpicas de varistores de ZnO [27].

A caracterstica V-I hmica, linear, nesta regio conhecida como regio de baixas
correntes ou regio de pr-ruptura, correspondendo atuao do varistor na ausncia de
sobretenses, estando ento submetido tenso de operao do sistema.
A componente resistiva da corrente de fuga na regio de pr-ruptura representa cerca
5% a 20% da componente capacitiva da corrente de fuga em condies normais de operao
[27].
Dentre os aspectos mais importantes para o entendimento das propriedades dos
varistores nesta regio, podem ser destacados [28]:

Grande dependncia da corrente resistiva com a temperatura: a corrente
resistiva quando da aplicao de tenso contnua ou alternada de frequncia
industrial apresentam grande dependncia com a temperatura, sendo esta
dependncia mais crtica para solicitaes de tenso contnua. A dependncia
36

da corrente em relao temperatura indica que nesta regio, o transporte de
corrente no limite dos gros de ZnO se d pelo processo de ativao trmica.
Um dos primeiros estudos conhecidos apresentando uma anlise da
resistividade eltrica dos varistores com a temperatura foi apresentado por
Matsuoka [9]. Neste estudo foi evidenciada uma reduo na resistividade
eltrica na regio de baixas correntes com o aumento da temperatura.
Complementarmente, foi verificado que o valor do coeficiente de no
linearidade diminui com o aumento da temperatura.
Para baixas tenses aplicadas, a corrente e a potncia aumentam
significativamente com o aumento da frequncia. Para tenses prximas da
tenso nominal do varistor, observa-se um menor aumento destes parmetros
com a frequncia, enquanto que para tenses acima da nominal, observa-se o
processo inverso, ou seja, a corrente e a potncia diminuem com o aumento da
frequncia.
Predominncia da componente capacitiva da corrente de fuga para nveis de
tenso at prximos tenso de referncia dos varistores, com uma pequena
dependncia da temperatura, quando da aplicao de tenso alternada de
frequncia industrial. Esta componente capacitiva da corrente maior em
relao componente resistiva para menores intensidades de campo eltrico e
para menores temperaturas sobre o varistor.

1.4.2 Regio Altamente No linear
A regio de alta no linearidade corresponde essncia da ao do varistor. Nessa
regio o varistor conduz uma corrente elevada, mesmo para pequenas variaes de tenso.
Esta regio define o nvel de proteo dos para-raios, quando correntes de impulso
atmosfrico ou de manobra fluem pelo mesmo. Quanto maior o valor de (coeficiente de no
linearidade) melhores sero as caractersticas de proteo [28].
O comportamento da corrente na regio de alta no linearidade da curva caracterstica
dos varistores a ZnO pode ser obtido atravs de uma equao emprica desenvolvida por
Matsuoka [9]:

(1.1)
37

Nesta equao, C
o

uma constante que depende do material e o coeficiente de no
linearidade. O coeficiente de no linearidade pode ser definido a partir de dois pontos da
curva atravs da expresso:

(1.2)
Um dispositivo desejvel deve ter um alto valor do expoente de no linearidade, uma
aceitvel tenso residual, uma baixa corrente de fuga, uma vida longa, boa uniformidade e
uma grande capacidade de absoro/dissipao de energia [29].
Tenso residual definida como o valor de crista da tenso que aparece entre os
terminais do para-raios, durante a passagem da corrente de descarga.
Os aspectos importantes nessa regio so [26]:
A tenso no varistor permanece praticamente constante para uma grande
variao de corrente;
Um elevado coeficiente de no linearidade verificado na caracterstica V-I
( normalmente est compreendido entre 25 e 50);
A corrente que circula no varistores ZnO tem nessa regio uma caracterstica
predominantemente resistiva;
Dependncia no significativa da corrente com a temperatura.
1.4.3 Regio Superior ou de Alta Corrente
Na regio de alta densidade de corrente, tambm conhecida como regio de Upturn da
tenso, a caracterstica V-I novamente linear, similar aquela da regio de pr-ruptura, mas
com a tenso aumentando mais rapidamente que a corrente. As caractersticas eltricas dessa
regio so controladas pela impedncia dos gros de ZnO da microestrutura do varistor.
Verifica-se que at certa faixa de corrente a variao da tenso com a variao da
corrente se apresenta de forma proporcional. No entanto, este comportamento deixa de ser
observado medida que se aumenta a corrente. Esta variao se deve a uma queda de tenso
no desprezvel atravs dos gros de ZnO, devido circulao de correntes elevadas.
Este fenmeno no uma propriedade do mecanismo de conduo, mas sim associado
queda de tenso atravs da resistncia prpria finita dos gros de ZnO. Nesta condio,
ocorre a predominncia da resistncia dos gros de ZnO sobre a camada intergranular. O
38

comportamento hmico definido pela resistividade intrnseca dos gros de ZnO ( = 1 a 10
.cm) [28].
Nas suas aplicaes, o para-raios ou um nico varistor utiliza todas as regies da sua
curva caracterstica. A regio de baixa corrente define as perdas ativas, consequentemente, a
tenso de operao para aplicaes em regime de uso contnuo. A regio no linear determina
a tenso residual na aplicao de um surto. A regio de alta corrente apresenta a condio
limite para proteo contra surtos de alta corrente [29].
Para caracterizar adequadamente um varistor base de ZnO desejvel a
determinao da curva V-I para as trs regies anteriormente consideradas. Contudo, em
virtude da ampla faixa de corrente eltrica envolvida, no possvel o uso das mesmas
tcnicas de medio para as trs regies. Usualmente as caractersticas V-I abaixo de 100
mA/cm
2
so obtidas em sistemas de corrente continua (CC) ou em sistemas de corrente
alternada com frequncia de 60 Hz. Para as correntes acima de
1 A/cm
2
a caracterstica V-I determinada usando-se as forma de onda de impulsos de
correntes normalizados [30].
1.4.4 Coeficiente de No linearidade
O parmetro mais importante de um varistor o seu coeficiente de no linearidade (),
o qual o recproco da inclinao da curva I-V (ou da J-E), na regio no linear, sendo dado
pela Equao (1.2).
Quanto maior o valor de melhor ser o varistor. Contudo, na Figura 1.12 mostrado
que tambm depende da faixa de corrente eltrica considerada. Deste modo, importante
sua determinao com referncia explcita a uma faixa de corrente, sobre a qual se visa
empregar o varistor.

39


Figura 1.12 Dependncia do coeficiente de no linearidade em relao densidade de corrente eltrica
[26].
1.5 Caractersticas Trmicas do Para-raios de ZnO
Philipp e Levinson [31] definiram uma equao que relaciona a corrente e a
temperatura do para-raios na sua regio de pr-ruptura, ou seja, a primeira parte do grfico
V-I. Esta equao relaciona a dependncia da temperatura com a energia de ativao (energia
necessria para o deslocamento dos eltrons entre as camadas do tomo), e dada por:

) (1.3)

em que, a energia de ativao;

a corrente temperatura de zero Kelvin;

a
constante de Boltzman e T a temperatura em Kelvin. O valor da energia de ativao para
diferentes temperaturas pode ser aproximado atravs da curva caracterstica do para-raios para
cada uma destas temperaturas.
Na Figura 1.13 observada a variao da curva caracterstica em funo da
temperatura. Na mesma figura tambm retratado a variao do coeficiente de no
linearidades para dois valores de temperatura, -196 C e 25C em funo da variao de
corrente.
40


Figura 1.13 Caractersticas da curva corrente-tenso para um varistor GE-MOV a -196 C e para uma
faixa de temperatura prximo de 27. Uma extrapolao simples para a temperatura de 25C indicada
pela linha tracejada. O limite da resistividade do gro traado para = 3,2 cm. O coeficiente de no
linearidade versus I mostrado na figura inserida no grfico [31].

Nota-se que a curva caracterstica na regio de pr-ruptura fortemente influenciada
pela temperatura. No entanto, na regio de no linearidade a temperatura praticamente no
influencia na curva caracterstica.
No momento do surto atmosfrico ou de manobra a intensidade da corrente que
atravessa o para-raios pode chegar a milhares de ampres. Por efeito joule os varistores
aquecem e podem desencadear uma avalanche trmica, que seria o aumento progressivo da
temperatura podendo levar a exploso do para-raios.
Uma das caractersticas mais desejadas de um varistor de ZnO a estabilidade
trmica. Um varistor considerado estvel termicamente quando, aps a ocorrncia de um
surto, ele retorna as suas condies normais, ou seja, aquelas nas quais ele se encontrava antes
da ocorrncia do surto e quando consegue manter estas caractersticas durante o regime de
operao contnua.
O para-raios deve ter capacidade de absorver e dissipar a energia para o ambiente sem
causar excessivo aumento de temperatura durante: a sua operao normal, em meios a surtos
atmosfricos e de manobra e a sobretenses temporrias [32, 33].
Em regime contnuo, uma pequena corrente de fuga atravessa os terminais do para-
raios. Esta corrente provoca um aquecimento nos varistores atravs do efeito Joule, o qual
41

dissipado numa taxa que no permite o aumento excessivo na temperatura das pastilhas. Desta
forma, o para-raios encontra-se em equilbrio trmico.
Na ocorrncia de sobretenses ou surtos, a corrente que percorre os elementos de
xido de zinco sofre um aumento considervel, o que implica no aumento de energia
absorvida pelo para-raios e, consequentemente, aumento de temperatura.
O seu comportamento trmico pode ser analisado atravs das curvas de estabilidade
trmica (Figura 1.14). O para-raios projetado para suportar o aumento de temperatura
durante sobretenses temporrias de curta durao ou a ocorrncia de surtos isolados,
voltando a sua condio de operao normal sem aquecimento acessivo.
Se esta sobretenso perdurar por um tempo mais longo, ou no caso da ocorrncia de
surtos, se vierem a ocorrer surtos subsequentes, as pastilhas tendem a sofrer um aquecimento
maior, chegando ao ponto em que a capacidade de dissipao do para-raios se torna inferior a
taxa de absoro de energia do mesmo. Neste caso, o para-raios entra num processo contnuo
de elevao de temperatura e corrente de fuga, chamado avalanche trmica, o qual pode
causar a sua destruio.

Figura 1.14 Curva de estabilidade trmica do para-raios [32].
1.5.1 Modelos Eletrotrmico
A utilizao de para-raios completos de alta tenso para estudos do seu
comportamento eletrotrmico em condies de operao possibilitaria a anlise das condies
de regime e sua associao com surtos e sobretenses. O estudo experimental do
comportamento trmico dos para-raios completos de alta tenso prejudicado devido falta
de condies de reprodutibilidade das condies de operao no campo. Para superar estas
dificuldades so utilizados os modelos eletrotrmicos.
42

Modelos eletrotrmicos so seces representativas do para-raios ou simulaes por
modelagem matemtica (circuitos eltricos ou representaes computacionais) [29]. O uso de
modelos eletrotrmicos sem dvida a forma mais utilizada para a realizao estudos
envolvendo para-raios. Uma das primeiras modelagens para os para-raios a ZnO foi proposta
por Tominaga et al. [34]. Este era um modelo matemtico simples utilizado para expressar o
balano de energia no para-raios. A energia absorvida nos elementos era representada por
uma funo exponencial e a energia dissipada por uma funo linear.
At h pouco tempo, uma das formas mais comuns de se modelar os para-raios era a
partir de modelos de seo, que nada mais so do que sees representativas do para-raios
completo, envolvendo seus elementos construtivos principais: varistores, invlucro e
terminais. Os primeiros modelos de seo foram construdos por Mizuno et al.[35], na
tentativa de observar o comportamento dos seus elementos, simulando as condies
normalmente impostas a um para-raios completo. Estes modelos se prestaram para ensaios de
surto de manobra e tenso aplicada. Tambm utilizando modelos de seo, Nishiwaki et al.
[36] mediram a caracterstica trmica de um para-raios com invlucro de porcelana de 84 kV
visando estudar o limite de temperatura para a ocorrncia do desencadeamento trmico, em
tenses pr-estabelecidas.
As sees de teste apresentam alguns inconvenientes como a falta de confiabilidade
nos resultados, quando se faz necessria transposio dos resultados obtidos para o modelo
real e a inadequabilidade para alguns tipos de para-raios, como aqueles de maior porte. Dessa
forma, surgem os modelos computacionais como uma ferramenta mais adequada para o
estudo dos para-raios, apresentando mais confiabilidade e custos mais reduzidos. Alm disso,
os modelos computacionais apresentam uma grande versatilidade, pois permitem a simulao
das mais diversas situaes s quais um para-raios pode ser submetido sem a necessidade da
mobilizao de equipamentos de grande porte ou mesmo recursos pessoais.
Lat [37] props um modelo eletrotrmico para a representao dos para-raios a ZnO
utilizando uma analogia entre grandezas eltricas e trmicas: a corrente eltrica era utilizada
para representar o fluxo de calor; a tenso, a temperatura; e os elementos fsicos,
representando as resistncias e capacitncias trmicas do equipamento eram representadas por
resistncias e capacitncias eltricas, conforme circuito da Figura 1.15. Foram calculados
analiticamente os valores das resistncias trmicas para seis configuraes de para-raios de
distribuio, utilizando-se as caractersticas dos materiais envolvidos, a configurao fsica e a
equao do modo de transferncia de calor correspondente.
43

Um modelo computacional para predizer o comportamento da temperatura dos para-
raios base de ZnO em condies normais e anormais de operao e em simulaes de
ensaios foi desenvolvido por Lat [38] baseado no seu modelo eletrotrmico. Neste modelo
computacional, a curva caracterstica do para-raios foi dividida em duas partes, as quais foram
representadas por equaes empricas para a interpolao e clculo de potncia em funo da
tenso e da temperatura.
A validao deste modelo foi realizada atravs de ensaios com para-raios de
distribuio. Suas desvantagens so: a determinao dos parmetros trmicos atravs de
medio de campo para todos os para-raios a serem analisados; a necessidade de construo
dos para-raios para a determinao dos parmetros; a limitao da sua validao para-raios
de distribuio; a considerao dos parmetros resistncias e capacitncias trmicas
concentradas, independente da temperatura e desprezando o fluxo de calor axial, resultando,
teoricamente, em valores de temperaturas maiores que os medidos [29].

Figura 1.15 Modelo desenvolvido por LAT [37].

Petit et al. [39], usando um modelo semelhante ao do Lat [37], desenvolveram um
mtodo experimental para determinar os seus parmetros.
Ensaios experimentais foram realizados para a obteno de pontos da curva
caracterstica, utilizando-se a interpolao numrica para a obteno da curva completa, sendo
a curva caracterstica a entrada principal da modelagem.
Uma descarga de grande intensidade foi utilizada como varivel de entrada e as
temperaturas em diversos pontos do para-raios no tempo foram as variveis de sada dos
ensaios realizados. Uma formulao foi desenvolvida para a obteno da temperatura nos
elementos varistores, a partir da manipulao dos dados de sada e do pulso de entrada.
44

O mtodo foi validado com dados reais de uma seco completa de um para-raios tipo
estao para sistemas de 735 kV. Um estudo individual da sensibilidade mostrou que a tenso,
parmetro mais crtico, deve ser medida com o mximo de exatido.
St-Jean e Petit [40], realizando ensaios com modelos experimentais, propuseram um
mtodo analtico para determinar a temperatura na qual os varistores entram no processo de
avalanche trmica, ou seja, a temperatura limite de operao. Com base nesta temperatura e
utilizando os resultados obtidos com a utilizao do modelo desenvolvido por Petit [39], foi
definida uma margem de segurana para a utilizao do para-raios, sendo a diferena entra a
temperatura obtida atravs das simulaes ou da utilizao de modelos eletrotrmicos, e a
temperatura limite que o varistor suporta.
Huang [41] utilizou o mtodo das Diferenas Finitas (MDF) para simular o
comportamento trmico dos para-raios de ZnO.
Esta tcnica possibilita a obteno da variao da temperatura de modo radial e axial.
Assim, o modelo pode ser usado para determinar a propagao de calor e a estabilidade
trmica do para-raios sob condies de operao diferentes.
O mtodo apresentado mostrou-se relativamente eficiente nos poucos ensaios
realizados com tenso alternada. O mesmo mtodo foi utilizado ainda por Stockum [42] para
realizar o clculo das temperaturas de um para-raios. Desse modo, estudou-se o
comportamento trmico no linear dos para-raios de xido de zinco atravs de simulaes,
como tambm foram feitas comprovaes experimentais simples.
A metodologia desenvolvida mostrou-se adequada para a determinao das
temperaturas em diversos pontos de um para-raios, no entanto, algumas simplificaes feitas
(para-raios sem aletas e a entrada de energia fixa) afastam um pouco o modelo desenvolvido
de casos de aplicao prtica.
Costa [29], tambm utilizando o mtodo das diferenas finitas, desenvolveu modelo
eletrotrmico computacional que possibilita estudar a capacidade de absoro de energia e
dissipao trmica para para-raios de xido de zinco.
O modelo considera as transferncias de calor radial e axial, as variaes do calor
especfico com a temperatura, os parmetros capacitncias e resistncias trmicas distribudas,
induo das aletas, diversidade nos tipos de entrada de energia, entrada simplificada para os
dados e configurao dos para-raios.
Apesar de todas as consideraes o modelo no contempla o efeito da distribuio no
uniforme de potencial nos para-raios de grande porte. A no uniformidade do potencial
45

acarreta a concentrao dos campos eltricos nos varistores, promovendo uma circulao
excessiva de corrente e consequentemente o aquecimento dos varistores.
Novos modelos eletrotrmicos representativos do para-raios tm surgido buscando
superar as limitaes dos modelos existentes.
Uma das reas mais promissoras continua sendo a da simulao digital. Possveis
alternativas em relao ao mtodo das diferenas finitas para o desenvolvimento de modelos
eletrotrmicos so o mtodo dos volumes finitos (MVF) e o mtodo dos elementos finitos
(MEF). Enquanto o MVF sempre foi empregado pelos analistas na rea de escoamentos de
fluidos, o MEF o foi para a rea estrutural.
Os problemas de escoamento so altamente no lineares, enquanto, os da elasticidade
no possuem os termos convectivos, no lineares, e assemelham-se a problemas puramente
difusivos de transferncia de calor [43].
O MEF, assim como o MVF, garante a conservao das propriedades fsicas
envolvidas no volume elementar (massa, entalpia, entre outros). Estas caractersticas tornam a
utilizao de um destes mtodos mais adequada para o estudo eletrotrmico dos para-raios,
representando uma possvel melhoria na anlise da distribuio de calor no interior destes
equipamentos e oferecendo resultados mais precisos que contemplem uma maior diversidade
de fontes e distribuio de calor ao longo dos seus elementos semicondutores e invlucro de
porcelana.
1.6 Defeitos em Para-raios de ZnO
Um dos aspectos que dificulta o processo de modelagem do comportamento dos para-
raios o surgimento de defeitos ou falhas parciais ao longo tempo de uso do equipamento, os
quais provocam modificaes significativas em suas condies operativas nominais. Com
intuito de fornecer subsdios para anlise da viabilidade de incorporar ao modelo, a ser
desenvolvido no projeto, variaes nas condies operativas ao longo tempo, resolveu-se
apresentar os principais defeitos encontrados em para-raios de ZnO, assim como, suas
consequncias.
Os para-raios em servio esto expostos a diferentes tipos de estresse, tais como tenso
normal de operao, sobretenses atmosfricas, de manobra e sustentadas. Estes estresses
separadamente ou em conjunto podem danificar o para-raios, quer a curto ou longo espao de
tempo, dependendo da gravidade e frequncia desses estresses [44].
46

Sobreaquecimento excessivo devido repetio de impulsos de correntes atmosfricas
ou de manobra de alta intensidade pode exceder a capacidade trmica do para-raios levando a
degradao das suas caractersticas [44].
Sobretenses sustentadas fazem com que o para-raios conduza uma excessiva corrente
de fuga, resultando em excesso de calor gerado no interior do para-raios. Essa sobretenso de
durao relativamente longa so geralmente no amortecida ou fracamente amortecida.
Diferentemente de uma descarga atmosfrica ou de manobra que so de curta durao e
altamente amortecida. As sobretenses sustentadas podem surgir de qualquer uma das
seguintes situaes [44]:
Perdas sbitas de carga no final de uma linha longa de transmisso;
Faltas assimtricas;
Chaveamento de uma linha associado com desbalanceamento do
transformador;
Energizao de linhas terminadas em transformador;
Por combinaes de oscilaes eltricas e mecnicas no caso de um conjunto
turbina-gerador alimentando uma grande rede atravs de uma linha longa com
compensao srie.
Devido incapacidade de suportar por um longo perodo de tempo as sobretenses
sustentadas, os para-raios devem ser especificados para no atuarem nesse tipo de
sobretenso.
Heinrich & Hinrichsen [45] mostraram que a curva caracterstica alterada devido a
reaes qumicas (por exemplo, a reduo de oxignio na borda do varistor) totalmente
diferente daquelas causadas por impulsos de corrente. Essa observao baseou-se em um
experimento em que o oxignio em um varistor foi reduzido atravs de tratamento qumico.
Notou-se que a corrente de fuga aps esse tratamento era maior para regio de pr-ruptura e
de alta no linearidade. Este tipo de degradao pode ocorrer devido existncia de uma
camada de oxignio no interior do para-raios, por exemplo, devido a descargas parciais, e tem
sido observado apenas em varistores antigos.
Altos valores de tenso fase-terra podem aparecer nos terminais do para-raios numa
condio de falta quando o para-raios est instalado em um sistema de aterramento altamente
resistivo ou reativo. Isto pode fazer com que o para-raios opere no modo de conduo por um
tempo suficiente para permitir a passagem da corrente do sistema, resultando em um contnuo
aquecimento trmico [44].
47

Quando so disponibilizados alguns equipamentos para anlise aps sua retirada do
sistema, ou quando so realizados ensaios de degradao e envelhecimento, h uma srie de
defeitos cuja ocorrncia observada com mais frequncia. Dentre os defeitos observados, sem
duvida alguma, o mais frequente a perda de estanqueidade.
Lat e Kortschinski [46] realizaram uma pesquisa em um sistema de distribuio com
300.000 unidades de para-raios, ao longo de 3 a 4 meses na estao de inverno e vero no ano
de 1978.
Durante este perodo cerca de 250 unidades falharam e foram analisadas em
laboratrio. Foram obtidos dados sobre a localizao, condies meteorolgicas e as
particularidades do sistema no momento da falha, e todos os outros detalhes disponveis que
poderiam ser pertinentes para anlise.
Cerca de 70% das amostras recebidas estavam intactas, mas 30% foram queimadas,
trincadas ou fragmentadas, de forma que apenas algumas partes internas puderam ser
encontradas no cho prximo ao poste. Para determinar a causa das falhas, estas peas foram
comparadas com amostras de ensaio que foram o resultado de defeitos intencionalmente
gerados em laboratrio. Os resultados essenciais dessa pesquisa esto sumarizados sob uma
forma grfica na Figura 1.16. Como pode ser observada, a entrada de umidade foi de longe a
mais predominante das causas de falhas de para-raios, respondendo por quase 86% de todas as
falhas.

Figura 1.16 Percentual do nmero total de falhas em para-raios atribudo a diferentes causas de falhas
[46].

Tambm se observa defeitos referentes degradao dos varistores, poluio externa,
a presena de umidade interna e o desalinhamento da coluna de varistores. Alm disso, o
aquecimento anormal do para-raios muitas vezes tambm detectado como resultado da
distribuio irregular de tenso ao longo do seu comprimento.
48

Alguns dos defeitos citados podem ainda ser considerados decorrncias de outros
defeitos: por exemplo, perda de estanqueidade pode permitir a entrada de umidade, sendo que
um alto teor de umidade pode causar degradao prematura dos varistores. Dessa forma,
preciso ter um cuidado especial na anlise de cada uma das ocorrncias de falhas em para-
raios a fim de que se possa distinguir com mais preciso qual o principal defeito presente,
bem como as suas causas.
A seguir so apresentados alguns defeitos tpicos que podem ocorrer em para-raios de
ZnO.
1.6.1 Perda de Estanqueidade
A falta de vedao no para-raios provoca alteraes no seu padro de aquecimento
devido ao favorecimento da circulao de gases. Com o aumento de temperatura, h um
aumento da presso interna do para-raios devido ao aquecimento do meio gasoso. Se houver
uma fissura ou falha na vedao, o gs que constitui o meio interno do para-raios estar livre
para circular.
Uma decorrncia desse efeito a diminuio do nvel de segurana na atuao do
equipamento. Isto porque, como h um escape contnuo de gases, o sistema de proteo contra
exploses se torna ineficiente, podendo at mesmo no atuar frente a um aquecimento
excessivo. Do mesmo modo em que a perda de estanqueidade permite a sada de gases, ela
tambm a porta de entrada para outros gases e para umidade.
Dependendo do tipo de gs ou do teor de umidade a penetrar no para-raios, seu
isolamento interno pode ser comprometido com a ocorrncia de descargas superficiais
[47,48].
1.6.2 Umidade Interna
A umidade interna em um para-raios a ZnO pode decorrer de duas causas principais. A
primeira devido a problemas de fabricao, resultado de alguma falha ocorrida durante o
fechamento do para-raios. A segunda causa a perda de estanqueidade ou falha na vedao
do equipamento, como visto anteriormente.
O principal problema causado pela umidade a ocorrncia de descargas parciais, as
quais podem ocorrer de vrias formas. A primeira delas a formao de um caminho mido
ao longo da superfcie da coluna de varistores, favorecendo a falha no isolamento seguida de
ruptura eltrica.
49

Outro problema relacionado entrada de umidade diz respeito a possveis gases
estranhos ou partculas de poluio as quais podem acompanhar a umidade no interior do
equipamento. Dependendo do tipo de gs ou partculas, pode haver uma brusca reduo no
isolamento interno com o favorecimento das descargas superficiais e para o invlucro. Por
fim, a umidade interna pode tambm ser responsvel pela degradao prematura dos
varistores. Os efeitos causados pela degradao sero analisados mais adiante [47,48].
1.6.3 Poluio Superficial
A poluio superficial um problema comum no apenas em para-raios, mas em
grande parte dos equipamentos ou estruturas que necessitam prover um nvel mnimo de
distncia de isolamento entre terminais energizados e terminais aterrados, como o caso de
isoladores e buchas de equipamentos em geral. Dependendo da localizao dos equipamentos,
este um problema que pode se tornar ainda mais acentuado, caso haja uma alta umidade do
ar ou um alto nvel de salinidade [47,48].
Basicamente, a poluio superficial classificada em poluio seca ou poluio
mida, sendo esta a mais prejudicial. Seu principal efeito diminuir a distncia de
escoamento superficial para a corrente eltrica possibilitando a ocorrncia de descargas na
superfcie da porcelana ou polmero que constitui o invlucro do para-raios [47,48].
A poluio superficial pode tambm provocar o surgimento de bandas secas na
superfcie da porcelana. Essas bandas secas geram descargas superficiais na porcelana
alterando o campo eltrico na regio e provocando o aquecimento dos varistores localizados
na altura em que essas bandas secas so formadas. Este aquecimento favorece a estabilizao
dessas bandas secas, de modo que elas podem se manter mesmo em condies de umidade
elevada [49]. Como resultado h o aquecimento excessivo em uma regio limitada do para-
raios, assim como a influncia na distribuio de tenso ao longo da coluna de varistores.
1.6.4 Degradao dos Varistores
A degradao dos varistores pode ser resultado do seu envelhecimento natural, do seu
envelhecimento precoce ou mesmo da sua fratura. Entretanto, em muitos casos, ao se fazer o
diagnstico de um varistor degradado, so encontrados vestgios de vrios fatores que podem
ter causado a degradao. A degradao precoce dos varistores um fator que pode contribuir
para que um para-raios entre em processo de avalanche trmica. H ainda alguns fatores
externos que devem ser considerados ao se avaliar o envelhecimento precoce dos varistores.
50

Entre eles a temperatura ambiente e a entrada de umidade. Sabe-se que esses fatores
favorecem o aumento da corrente de fuga e, como visto anteriormente, como consequncia h
um aumento de temperatura e acelerao no processo de envelhecimento [47,48].
1.6.5 Desalinhamento dos Varistores
O desalinhamento dos varistores ao longo da coluna um defeito pouco comum,
embora seja observado em alguns equipamentos aps sua abertura. Geralmente resultado do
transporte e armazenamento inadequado do equipamento, mas pode tambm ser decorrente de
uma falha durante a montagem do equipamento. Esta ltima possibilidade, no entanto,
apresenta uma probabilidade de ocorrncia muito baixa, j que a maioria dos fabricantes de
para-raios de alta tenso apresenta um alto nvel de controle no processo de montagem
[47,48].
1.6.6 Distribuio Irregular de Tenso
A distribuio irregular de tenso caracterstica de equipamentos eltricos que
apresentam altura mais elevada. Nos para-raios, ela se caracteriza pela ocorrncia de nveis
mais altos de tenso para os varistores prximos ao terminal de alta tenso, enquanto que os
varistores mais prximos do terminal aterrado so submetidos a nveis menores de tenso
[47,48].
A no uniformidade na distribuio de tenso depende da geometria do equipamento e
dos materiais utilizados. Em qualquer caso, a existncia de capacitncias parasitas a
principal responsvel por esta irregularidade.
Sabe-se, atravs de experimentos e clculos, que o crescimento da temperatura,
aquecimento excessivo e os nveis de corrente no varistor apresentam uma relao direta com
o nvel das capacitncias parasitas existentes [49].
Uma soluo relativamente simples para anular, ou pelo menos reduzir os efeitos das
capacitncias parasitas a utilizao de anis equalizadores, permitindo que a tenso seja
distribuda de modo mais regular entre os diversos varistores da coluna do para-raios. Parte da
soluo deste problema indicada pelos prprios fabricantes s empresas de transmisso e
distribuio de energia atravs do fornecimento de especificaes tcnicas e recomendaes
para utilizao dos anis equalizadores ou mesmo fornecendo os equalizadores juntamente
com os para-raios.
51

A presena de poluio ao longo do invlucro do para-raios um fator agravante no
que se refere irregularidade na distribuio de tenso ao longo do equipamento, pois leva a
criao de capacitncias parasitas mais intensas entre a porcelana e os varistores. Essas
capacitncias mais intensas se devem principalmente criao de bandas secas na superfcie
do invlucro, as quais podem se estabilizar e se tornar permanentes [47,48].
1.7 Concluses
Os para-raios de ZnO, apesar de possurem uma caracterstica construtiva bastante
simplificada, composto basicamente por uma coluna de varistores e um invlucro de proteo,
exibem caractersticas eltricas muito particulares, onde pode se observar mudanas
significativas do seu mecanismo de conduo de acordo com a temperatura, ponto de
operao e com a frequncia. Essas caractersticas devem-se ao xido de zinco e aos aditivos
inseridos, bem como ao processo de fabricao.
Os para-raios de ZnO podem operar em trs regies distintas. Na regio de baixa
corrente o para-raios apresenta um comportamento mais capacitivo e a sua principal
caracterstica, alta no linearidade entre a tenso e a corrente, pouco se observa. Na regio
intermediaria, ou de alta no linearidade, a sua caracterstica se torna evidente, de forma que o
para-raios assume o comportamento de um resistor no linear. Na regio de altas correntes, o
comportamento do para-raios predominantemente indutivo associado a uma pequena no
linearidade. Essas caractersticas to distintas fizeram com que os para-raios fossem estudados
de forma diferenciada para cada regio de atuao, dando origem, assim, a modelos
especficos para regio de operao.
Por essa razo os softwares de simulao devem incorporar no mnimo trs modelos,
um para cada regio de atuao. No entanto, isso no observado. Os softwares de simulao
geralmente utilizam o modelo mais simples, um resistor no linear, o que no contempla toda
a curva de atuao do para-raios. Alm disso, mesmo se houvessem os trs modelos
implementados, a escolha do modelo para simulao iria depender muito do conhecimento do
tcnico envolvido.
Dessa forma, um modelo dinmico que opere em uma grande faixa de frequncia e
que possa representar o comportamento do para-raios em qualquer ponto de operao da sua
curva caracterstica, representa um ganho considervel para os estudos envolvendo para-raios,
tais como, monitoramento, coordenao de isolamento, localizao tima, correta
52

especificao e etc. O que se traduz em economia devido reduo dos isolamentos dos
equipamentos da subestao, e a preveno de falhas prematuras nos equipamentos.


Referncias Bibliogrficas
[1] HADDAD, A., WARNE D. Advances in High Voltage Engineering. IET Power and
Energy Series 40, 2007.
[2] PEREIRA, M. P. Equipamentos Eltricos: Especificao e Aplicao em Subestaes
de Alta Tenso. p. 124-145. Rio de Janeiro: Furnas, 1985.
[3] BRITTO, T. M. Metodologia da manuteno centrada em confiabilidade aplicada a
pra-raios de alta tenso. Ps Graduao em Engenharia Eltrica da Universidade
Federal de Santa Catarina, Dissertao de Mestrado, Santa Catarina, 2006.
[4] SAKSHAUG, E. C. A Brief History of AC Surge Arresters. IEEE Power Engineering
Review, August, 1991.
[5] ZANOTTI, M. Contribuio metodologia de avaliao dos para-raios do sistema de
transmisso de energia eltrica. Ps Graduao em Engenharia Eltrica da
Universidade de So Paulo. Dissertao de Mestrado, 2009.
[6] ABB. Surge Arresters Buyers Guide, Edition 8, 2010-12, Ludvika, Sweden, 2009.
[7] HINRICHSEN, V. Metal-Oxide Surge Arresters Fundamentals. Siemens Power
Transmission and Distribution Power Voltage Division, Berlin, 2001.
[8] GONTIJO, G. M.; ROCHA, A. C. O.; FRANCO, E. M. Falha com Pra-raios de ZnO de
500 kV no Sistema CEMIG. XVII SNPTEE - Seminrio Nacional de Produo e
Transmisso de Energia Eltrica. Uberlndia Minas Gerais, 2003.
[9] MATSUOKA, M. Nonohmic properties of zinc oxide ceramics. Jpn. J. Appl. Phys.,
v. 10, n. 6, p. 737746, 1971.
[10] MAHAN, G.D., LEVINSON, L.M., PHILIPP, H.R. Theory of conduction in ZnO
varistors. J. Appl. Phys., v. 50, n. 4, p. 2799-2812, 1979.
[11] LEVINSON, L.M., PHILIPP, H.R. The physics of metal oxide varistors. J. Appl. Phys.
v. 46, n. 3, p. 1332-1341, 1975.
[12] BERNASCONI, J., KLEIN, H.P., KNECHT, B.,STRASSLER, S. Investigation of
Various Models for Metal Oxide Varistors. Journal of Electronic Materials, v.5, n. 5,
p. 473-495, October 1976.
53

[13] EMTAGE, P. R. The physics of zinc oxide varistors. J. Appl. Phys., v. 48, n. 10,
p. 4372-4384, 1977.
[14] PHILIPP, H. R., LEVINSON, L.M. Tunneling of photoexcited carriers in metal oxide
varistors. J. Appl. Phys., v. 46, n. 7, p. 3206-3207, 1975.
[15] SIMMONS, J.G. Generalized Formula for the Electric Tunnel Effect between Similar
Electrodes Separated by a Thin Insulating Film. J. Appl. Phys., v. 34, n. 6, p. 1793-1803,
June 1963.
[16] BERNASCONI, J., STRSSLER, S., KNECHT, B., KLEIN, H.P., NENTH, A. Zinc
Oxide Varistors: A Possible Mechanism. Solid State Communications. v. 21, n. 9,
p. 867-870, March 1977.
[17] HOWER, P. L., GUPTA, T. K. A barrier model for ZnO varistors. J. Appl. Phys., v. 50,
n. 7, p. 4847-4855, 1979.
[18] BLATTER, G., GREUTER, F. Carrier transport through grain boundaries in
semiconductors. Phys. Rev. B, v. 33, n. 6, p. 3952-3966, March 1986.
[19] BLATTER, G., GREUTER, F. Electrical breakdown at semiconductor grain boundaries.
Phys. Rev. B, v. 34, n. 12, p. 8555 - 8572, December 1986.
[20] BLATTER, G., GREUTER, F. Electrical properties of grain boundaries in
polycrystalline compound semiconductors. Semicond. Sci. Technol., v. 5, n. 2, p. 111-
137, 1990.
[21] ELFWING, M. Nanoscale Characterisation of Barriers to Electron Conduction in
ZnO Varistor Materials. Uppsala: Uppsala University (Doctor of Philosophy
dissertation), 2002.
[22] GUPTA, T.K., CARLSON, W.G. A grain-boundary defect model for instability/stability
of a ZnO varistor. Journal of Materials Science, v. 20, n. 10, p. 3487-3500, October
1985.
[23] ABB. Product Guide/High Voltage Surge Arresters.1995.
[24] IEC 60099-4, Second Edition , 2004-05 Surge arresters Part 4: Metal-oxide surge
arresters without gaps for a.c. systems.
[25] IEEE Standard C62.11-2005, Metal-Oxide Surge Arresters for AC Power Circuits
(>1 kV), 2005.
[26] BARBOSA, F. B. Tcnicas de Diagnstico e Correlao com Fenmenos de
Degradao em Varistores ZnO. Ps Graduao em Engenharia Eltrica da
Universidade Federal do Rio de Janeiro. Dissertao de Mestrado, Rio de Janeiro, 2007.
54

[27] IEC 60099-5. (2000-03): Surge arresters Part 5: Selection and application
recommendations. ed. 1.1, 2000.
[28] FRANCO, J.L. Estudo das Propriedades Eltricas dos Varistores de Zno na Regio
de Baixas Tenses Aplicadas. Ps Graduao em Engenharia Eltrica da Universidade
Federal de Campina Grande, Dissertao de Mestrado, Campina Grande, 1993.
[29] COSTA, E. G. Anlise do Desempenho de Pra-Raios de xido de Zinco. Ps
Graduao em Engenharia Eltrica da Universidade Federal da Paraba, Tese de
Doutorado, Campina Grande, 1999.
[30] OLIVEIRA, M. J. Avaliao de efeito geogrfico-termal na capacidade de absoro
de energia em pra-raios de ZnO. Ps Graduao em Engenharia Eltrica da
Universidade Federal do Rio de Janeiro, Dissertao de Mestrado, 2004.
[31] PHILIPP, H. R.; LEVINSON, L. M. Low-Temperature Electrical Studies on Metal-
Oxide Varistors - A Clue to Conduction Mechanisms. Journal Applied Physics, v. 48, n.
4, p. 1621-1627, April 1977.
[32] CARLSON, W. G.; GUPTA, T. K; SWEETANA, A. A Procedure for Estimating the
Lifetime of Gapless Metal Oxide Surge Arresters. Power Systems, IEEE Transactions
on, v. 1, n. 2, p. 67-73, April 1986.
[33] GUPTA, T. K. Application of zinc oxide varistors. J. Am. Ceram. Soc., v. 73, n. 7,
p. 1817-1840, 1990.
[34] TOMINAGA, S.; SHIBUYA, Y.; FUJIWARA, Y.; IMATAKI, M., NITTA, T. Stability
and Long Term Degradation of Metal Oxide Surge Arresters. Power Apparatus and
Systems, IEEE Transactions on, v. 99, n. 4, p. 1548-1556, July/August 1980.
[35] MIZUNO, M., HAYASHI, M., MITANI, K. Thermal stability and life of the gapless
surge arrester. Power Apparatus and Systems, IEEE Transactions on, v. 100, n. 5,
p. 2664-2669, May 1981.
[36] NISHIWAKI, S.; KIMURA, H.; SATOH, T.; MIZOGUSHI, H.; YANABU, S. Study of
Thermal Runaway/Equivalent Prorated Model of a ZnO Surge Arrester. Power
Apparatus and Systems, IEEE Transactions on, v. 103, n. 2, p. 413-421, February
1984.
[37] LAT, M. V. Thermal properties of metal oxide surge arresters. Power Apparatus and
Systems, IEEE Transactions on, v. 102, n. 7, p. 2194-2202, July 1983.
55

[38] LAT, M. V. Analytical method for performance prediction of metal oxide surge arresters.
Power Apparatus and Systems, IEEE Transactions on, v. 104, n 10, p. 2665-2674,
October 1985.
[39] PETIT, A.; DO, X. D.; ST-JEAN, G. An Experimental Method to Determine the Electro-
Thermal Model Parameters of Metal Oxide Surge Arresters. Power Delivery, IEEE
Transactions on, v. 6, n. 2, p. 715-721, April 1991.
[40] ST-JEAN, G.; PETIT, A. Metal-Oxide Surge Arrester Operating Limits Defined by A
Temperature-Margin Concept. Power Delivery, IEEE Transactions on, v. 5, n. 2,
p. 627-633, April 1990.
[41] HUANG, L. Electro-Thermal Simulation of MOSA and Derivation of Thermal
Equivalent Test Sections. Master of Science, Faculty of Electrical and Computer
Engineering, University of Manitoba, Canada, April 1993.
[42] STOCKUM, F. R. Simulation of Nonlinear Thermal of Metal Oxide Surge Arresters
Using A Hybrid Finite Difference and Empirical Model. Power Delivery, IEEE
Transactions on, v. 9, n. 1, p. 306-313, January 1994.
[43] FRANCO, A. T.; LUERSEN, M. Mtodos Numricos para a Engenharia. Introduo
aos Mtodos: Diferenas Finitas, Volumes Finitos e Elementos Finitos. Centro
Federal de Educao Tecnolgica do Paran - Departamento Acadmico de Mecnica,
2000.
[44] AKBAR, M.; AHMAD, M. Failure study of metal-oxide surge arresters, Electric Power
Systems Research 50, p 79 -82, 1999.
[45] Heinrich, C.; Hinrichsen, V. Diagnostics and Monitoring of Metal-Oxide Surge Arresters
in High-Voltage NetworksComparison of Existing and Newly Developed Procedures.
Power Delivery, IEEE Transactions on. v. 16, n. 1, January 2001.
[46] LAT M. V. AND KORTSCHINSKI J. Distribution Arrester Research. Power
Apparatus and Systems, IEEE Transactions on, v. PAS-100, n. 7, p. 3496-3505, July
1981.
[47] WANDERLEY NETO, E. T.; COSTA, E. G; FERREIRA,T. V.; MAIA, M. J. A.
Diagnstico de defeitos em pra-raios a ZnO. Simpsio Brasileiro de Sistemas
Eltricos - SBSE 2006, Campina Grande, Julho 2006.
[48] WANDERLEY NETO, E. T. Monitoramento e Diagnstico de Pra-Raios a ZnO
atravs de Redes Neurais Artificiais. Ps Graduao em Engenharia Eltrica da
Universidade Federal da Campina Grande, Tese de doutorado, 2007.
56

[49] HARASYM, S.; BROSZ, H. Z.; SHUR, S. S.; SHELEPETEN, T.; JANISCHEWSKYJ,
W. Pollution Performance and Voltage Distribution in Surge Arresters Enclosed in
Porcelain Housing Measured and Calculated. 10th International Symposium on High
Voltage Engineering. August, 25 29, 1997. Montreal, Canada.


57



________________________________________________________________


Captulo 2
Reviso Bibliogrfica Modelos Eltricos de
Para-raios de ZnO
________________________________________________________________


2.1 Introduo
Os equipamentos de um sistema eltrico de potncia so vulnerveis a surtos e
sobretenses. Em determinadas condies, estas sobretenses ocasionam a queima de
equipamentos ou a perda de continuidade do servio. Para a proteo do sistema, torna-
se necessrio a instalao de dispositivos de proteo, sendo os para-raios os
equipamentos mais adequados, visto que atuam como limitadores de tenso, impedindo
que valores acima de um determinado nvel pr-estabelecido possam atingir os
equipamentos a serem protegidos.
Dada a importncia do fornecimento ininterrupto de energia e ao grande valor
financeiro associado a queima dos equipamentos presentes no sistema eltrico, torna-se
imprescindvel investir no desenvolvimento de um estudo detalhado do impacto de
surtos em sistemas de energia eltrica, buscando uma perfeita adequao dos nveis
bsicos de isolamento dos equipamentos. Normalmente, um estudo dessa magnitude
envolve intensos clculos matemticos e tem sido realizado com auxlio de programas
computacionais que trabalham no domnio do tempo, como, por exemplo, o ATP
(Alternative Transient Program).
A anlise do desempenho dos sistemas eltricos frente a surtos podem se iniciar
pela modelagem adequada de cada equipamento, considerando os aspectos transitrios
inerentes ao fenmeno. No decorrer dos anos vem sendo propostos vrios modelos
eltricos e eletrotrmicos que buscam descrever o comportamento dos para-raios para
diversos tipos de solicitaes. O uso de modelos , sem dvida, a forma mais utilizada
para a realizao de estudos envolvendo para-raios.
58

2.2 Modelos Eltricos
Dentre os modelos de para-raios, o mais comum o modelo convencional, onde
a caracterstica V-I do para-raios de ZnO representada atravs de um resistor no
linear (Figura 2.1) composto por vrios segmentos, no qual cada segmento pode ser
aproximado por retas ou pela seguinte equao [1]:
onde os parmetros i e v so a corrente e a tenso no para-raios, respectivamente, q o
expoente, p o multiplicador para cada segmento e V
ref
uma tenso de referncia
arbitrria que normaliza a equao e previne problemas de representao numrica
(overow) durante a potenciao. Para tenses substancialmente menores que V
ref
, a
corrente ser extremamente pequena e erros de estouro numricos (underflow) podero
ocorrer. Para evitar este tipo de problema e aumentar a velocidade da simulao, o
primeiro segmento da curva aproximado por uma reta [2]. Os demais segmentos so
formados a partir dos pontos da curva caracterstica do para-raios. Para isto, uma sub-
rotina do EMTP (Electromagnetic Transients Program) ajusta os pontos da curva
caracterstica Equao (2.1).
Estudos mostram que este modelo pode apresentar imprecises por no
representar a caracterstica dinmica do para-raios [3, 4]. Devido a isto, seu uso em
estudos de transitrios rpidos desaconselhvel.

Figura 2.1 - Modelo da resistncia no linear (Modelo Convencional).

Alm do modelo convencional, outros modelos foram propostos ao longo dos
anos. Levinson e Philipp [5] propuseram um circuito composto por uma resistncia em
srie com um circuito RC paralelo (Figura 2.2) para representar o varistor de ZnO. De
acordo com os autores, a resistncia

equivalente resistncia dos gros de zinco na

microestrutura do varistor e, como seu valor bastante pequeno, ela responsvel
apenas pela subida ngreme da curva caracterstica na regio de alta corrente do varistor.
Alm disto, a resistncia no linear

e a capacitncia

foram adicionadas para

reproduzir as caractersticas eltricas associadas a camada intergranular e representar as
componentes resistiva e capacitiva, respectivamente, da corrente total. A resistncia no

(2.1)
59

linear e a capacitncia devem ser determinadas levando-se em considerao a
frequncia da tenso aplicada, a fim de representar os diferentes comportamentos do
varistor para tenses de diversas magnitudes e frequncias.
Cp Rp
Rg

Figura 2.2 - Modelo proposto por Levinson e Philipp [5].

At ento, tal modelo era limitado para representar o comportamento do varistor
em regies de alta corrente, visto que nessa regio o varistor apresenta um
comportamento predominantemente indutivo. Por conta disso, Levinson e Philipp, aps
estudarem o comportamento do varistor de ZnO frente a altas frequncias e altas
correntes, incluram em seu modelo anterior uma indutncia em srie usada para
representar este efeito indutivo.
Em 1979 Tominaga et al. [6] propuseram um modelo baseado no efeito
dinmico do para-raios (Figura 2.3). Eles observaram que o efeito de histerese do para-
raios semelhante ao produzido por uma indutncia equivalente em srie com uma
resistncia no linear e propuseram o modelo da Figura 2.4 para simular o efeito de
histerese do para-raios por meio da adio de uma indutncia L
e
em srie com uma
resistncia no linear. Esta abordagem teve algum mrito, pois a tenso sobre a
indutncia, e, portanto em todo o para-raios, iria aumentar medida que o tempo de
crista da corrente diminusse.
Este tipo de modelo obteve algum sucesso em combinar um resultado de teste
particular. Contudo, observa-se que um L
e
de valor fixo no pode ser usado para todas
as condies de operao [6]. Por exemplo, uma indutncia pode ser escolhida para o
modelo de modo a obter uma boa magnitude de tenso e forma de onda para uma
corrente de descarga de para-raios que atingiu o seu pico entre 8 s. No entanto, quando
a mesma indutncia usada para uma corrente que atingiu seu pico em 1 s, a
magnitude da tenso apresenta um erro significativo. Diferentes parmetros podem ser
escolhidos para o modelo de tal forma que bons resultados podem ser obtidos para a
60

tenso correspondente a uma corrente atingindo o seu pico em 1 s. No entanto, se o
tempo de crista da corrente diferir muito desse valor, a tenso resultante apresenta
novamente um erro [3].
O circuito equivalente proposto por Tominaga et al. [6] pode ser facilmente
utilizado na modelagem de para-raios, embora haja a desvantagem que L
e
deve ser
determinado de antemo pela forma da corrente estimada.

Figura 2.3 - Efeito dinmico do para-raios [6].

Figura 2.4- Modelo da indutncia linear [6].

Conforme explicado por Tominaga et al., os valores da resistncia no linear e
da indutncia equivalente L
e
podem ser determinados a partir do lao de histerese do
para-raios mostrado na Figura 2.3. A resistncia no linear deve ser determinada
aproximando v(i) pelo valor mdio do lao de histerese da Figura 2.3. O valor da
indutncia equivalente L
e
deve ser escolhido de modo que a tenso induzida

expresse a diferena de potencial mxima no lao de histerese da Figura 2.3.

Portanto, tem-se:

(2.2)
61

em que I
p
a corrente de pico e T
F
o tempo de frente de onda. Uma vez que o fenmeno
em torno do pico de tenso de primordial importncia, I
P
e T
F
foram pensados para
serem os principais parmetros na determinao de L
e
.
A Figura 2.5 um diagrama mostrando a normalizao da equao L
e
x (S/H)
como uma funo de I
p
e T
F
para uma mesma caracterstica V-I, onde S rea do
varistor de ZnO e H a altura total da coluna de varistores. A normalizao da indutncia
L
e
x (S/H) foi feita pelos autores baseando-se na equao descrita em (2.2) e pode ser
utilizada para determinar o valor de L
e
em simulaes digitais.

Figura 2.5 - Normalizao da indutncia Le [6].

Em 1988 Horiuchi et al. [7] estudaram a absoro de energia em sistemas de
transmisso em tenso contnua (HVDC), onde varistores de ZnO so utilizados em
diversos equipamentos, conforme mostrado na Figura 2.6.
I
n
d
u
t

n
c
i
a

N
o
r
m
a
l
i
z
a
d
a

L
e

(

c
m
)

0,1
1
10
0,1 1 10
Tempo de frente da onda TF (s)
62


Figura 2.6 Varistor em sistema HVDC [8].
Baseados em algumas medies, tais como a dissipao de potncia em
varistores de ZnO utilizados na sada de um conversor CA-CC, para diferentes ngulos
de gatilho dos tiristores; e a medio de dissipao de potncia e corrente de fuga no
varistor quando submetido a tenses senoidais entre 50 Hz a 20 kHz; os autores
concluram que a dissipao de potncia para tenses no senoidais, ou senoidais com
diferentes frequncias, apresentam comportamento completamente diferente das
aplicaes com tenses senoidais a 50 ou 60 Hz, isto , na primeira regio da curva
caracterstica, a corrente e a potncia aumentam com o aumento da frequncia. A partir
da compreenso de tal comportamento, os autores propuseram um modelo de para-raios
sugerindo a insero da resistncia Rs (Figura 2.7) ao modelo proposto por Levinson e
Philipp [5]. Segundo Horiuchi et al., a resistncia Rp representa as perdas do varistor
quando submetido a tenes CC, enquanto o outro ramo representa as perdas em altas
frequncias. Segundo os autores, a utilizao desses dois ramos deve garantir que o
modelo apresente uma dissipao de potncia diferente para diferentes tenses CC e
CA.
63

Rs
C
Rp
Rg

Figura 2.7 Modelo proposto por Horiuchi et al. [7].

Em 1989 Schmidt et al. [8] propuseram o circuito equivalente de para-raios de
ZnO mostrado na Figura 2.8, onde os elementos R e L so atribudos ao gro ZnO,
enquanto os outros esto relacionados com os limites de gros. A tenso no elemento A
reflete a distribuio de carga dinmica no contorno do gro de ZnO e seu
comportamento dinmico depende da forma de onda da tenso (du/dt, U) e da constante
de tempo para se alcanar o equilbrio de eltrons e lacunas no contorno do gro. Para
o clculo do elemento A, as caractersticas da tenso sobre o mesmo foram avaliados a
partir de medies e sua caracterstica dada em funo da corrente i e da inclinao
atual di/dt para o bloco investigado. Curvas caractersticas para determinar A foram
propostas por Schmidt et al. [8] e so mostradas na Figura 2.9. Para diferentes materiais
ZnO os valores podem mudar um pouco, mas a dependncia bsica permanecer.


Figura 2.8 - Modelo proposto por Schmidt et al. [8].

64


Figura 2.9 - Caracterstica do elemento A em funo de i e di/dt [8].

A resistncia no linear R(i) do modelo consiste no efeito no linear no contorno
de gro e na resistncia linear associada ao gro de ZnO. Ambos resultam do efeito
tpico V-I caracterstico mostrado na Figura 2.10.

Figura 2.10 - Tenso residual relativa em funo da corrente I [8].

A capacitncia C do modelo depende da inclinao do transitrio aplicado e foi
medido como cerca de 0,8 nF para transitrios muito rpidos e cerca de 1,5 nF para
transitorios mais lentos. A alta resistncia hmica R() depende principalmente da
temperatura e s interessante para correntes baixas (< 1 A), podendo ser negligenciado
65

para altas correntes. A indutncia L constitui os campos magnticos internos e externos.
Segundo Bayadi et al. [3], a simulao do circuito equivalente resultou em um excelente
ajuste, contudo necessitou de dados de outros autores para determinar os componentes
do modelo.
Em 1990 Hileman et al. [9] propuseram uma simplificao do modelo de
Schmidt et al. [8], conhecido como modelo do Cigr. No modelo proposto (Figura
2.11), a resistncia R() dependente da temperatura e a capacitncia C foram
desprezadas e as resistncias R(i) e R foram combinadas, formando a resistncia R
I
.
Esta resistncia o nico elemento no linear do modelo e pode ser determinada a partir
das tenses residuais para impulsos de corrente de 8/20 s com vrios valores de pico.
A resistncia A pode ser obtido a partir das curvas da Figura 2.9, propostas por Schimidt
et al. [8], ou a partir de equaes propostas Hileman et al. [9]. L a indutncia
verificada no para-raios e, dependendo do mtodo de clculo utilizado, pode ser
representado por um valor de indutncia ou por uma impedncia caracterstica e um
tempo de trnsito.


Figura 2.11 - Modelo proposto por Hileman et al. [9].

Em 1990 Haddad et al. [10] comentaram que alm de o varistor de ZnO
apresentar uma curva caracterstica e uma dissipao de potncia diferente para
diferentes tenses DC e AC, como observado por [7], algumas pesquisas mostravam
que estas curvas caractersticas se cruzavam em uma tenso prxima tenso nominal
do varistor, conforme mostrado na Figura 2.12.
66


Figura 2.12 Curvas caractersticas do Varistor de ZnO [10].

A partir destas observaes, Hadadd et al. [10] propuseram o modelo da Figura
2.13, onde as resistncias no lineares Rp e Rs e a capacitncia no linear C, devem ser
determinadas levando-se em considerao a frequncia do sinal aplicado, assim como a
resistncia linear Rgs. R, por sua vez, depende somente da tenso aplicada e Rg
representa a resistncia do gro de ZnO, importante para modelar o comportamento do
varistor na regio de alta corrente. Sups-se que a presena de vrios elementos
dependentes da frequncia representaria o comportamento mostrado na Figura 2.12.
Rs(f,V)
R(V)
Rgs(f)
Rg
C(f,V) Rp(f,V)
Contorno
de Gro
Gro de ZnO

Figura 2.13 Modelo proposto por Hadadd et al. [10].
O modelo proposto em 1992 pelo IEEE W. G. 3.4.11 [11] formado em 1971
pelo comit de equipamentos de proteo contra faltas do IEEE pode ser visto na Figura
2.14. Neste modelo, a caracterstica no linear V-I do para-raios obtida pelas duas
resistncias no lineares A
0
e A
1
. O filtro R-L entre as duas resistncias no lineares
composto pela resistncia R
1
e a indutncia L
1
, sendo responsvel por gerar o efeito
dinmico do modelo. Para frentes de onda lentas, o filtro R-L apresenta uma impedncia
67

muito baixa e as resistncias no lineares do modelo so essencialmente em paralelo.
Para frentes de onda rpidas, o filtro R-L apresenta uma alta impedncia. Como
consequncia disto, a corrente forada a fluir mais na resistncia no linear A
0
do que
na resistncia no linear A
1
. Como A
0
tem uma tenso caracterstica maior do que A
1

(como mostrado na Figura 2.15), o resultado que o modelo de para-raios gera uma
tenso maior para transitrios rpidos. Tal caracterstica gera o efeito dinmico do
modelo.

Figura 2.14 - Modelo proposto pelo IEEE W. G. 3.4.11 [10].


Figura 2.15 - Relao V-I dos resistores no lineares do modelo do IEEE [10].

A indutncia L
0
representa a indutncia associada a campos magnticos nas
imediaes do para-raios, a capacitncia C simula o efeito capacitivo do mesmo e a
resistncia R
0
usada para evitar instabilidade numrica durante a simulao do
modelo. A partir das dimenses fsicas do para-raios, algumas frmulas foram propostas
pelo IEEE W. G. 3.4.11 para calcular L
0
, R
0
, C
0
e R
1
. O parmetro de L
1
tem maior
influncia no resultado e uma frmula a partir das dimenses fsicas do para-raios
tambm sugerida. No entanto, esta frmula constitui apenas um valor inicial de L
1
que
deve passar por um ajuste fino para que a tenso residual do modelo para o impulso
padro (8/20 s) coincida com a publicada no datasheet do fabricanteErro! Fonte de
68

referncia no encontrada.. As curvas A
0
e A
1
tambm devem ser deslocadas a fim de
que a tenso residual do modelo devido a operaes de chaveamento coincida com o
valor nominal publicado no datasheet do fabricante.
O modelo do IEEE apresenta bons resultados para transitorios com tempo de
crescimento de 0,5 s a 45 s. O principal problema deste modelo a forma de
identificar seus parmetros, pois em diversos elementos necessrio realizar processos
iterativos at que um comportamento satisfatrio seja obtido. Verifica-se tambm uma
queda de tenso inesperada na cauda da curva de tenso, onde a forma de onda
produzida pelo modelo s vezes bastante discordante da forma de onda de tenso
obtida experimentalmente [3].
Em 1996 KIM et al. [12] propuseram o modelo da indutncia no linear
mostrado na Figura 2.16. Este modelo consiste em uma resistncia no linear em srie
com uma indutncia no linear introduzida para produzir o efeito dinmico do para-
raios. Este modelo foi construdo a partir da caracteristica V-I do impulso de onda 8/20
s e da taxa de aumento de frente de onda da tenso para o impulso padro e apresenta
algumas dificuldades na determinao de seus parmetros, pois, para calcular a
indutncia no linear do modelo, necessrio construir um lao de histerese de dificil
determinao a partir da curva do modelo convencional. Alm disso, esse modelo
precisa de um programa de computador para calcular a indutncia caracterstica no
linear [3].
A indutncia no linear do modelo proposto neste trabalho tem uma boa resposta
caracterstica para impulsos de frente rpida, apresentando erros menores que 1%.
Entretanto, para impulsos de corrente com tempos de frente maiores que 4 s no se
constata os mesmos bons resultados, obtendo erros prximos a 7% para o impulso
padro [12]. Conclui-se, portanto, que esse modelo pode ser til nas simulaes com
impulsos de frente rpida.


Figura 2.16 - Modelo proposto por Kim et al. [12].

Em 1999 Pinceti et al. [13] propuseram uma simplificao do modelo do IEEE,
com pequenas modificaes. Observando o modelo na Figura 2.17, verifica-se que as
resistncias R
1
e R
0
foram substitudas pela resistncia R, a qual tem a finalidade de
evitar problemas numricos, e a capacitncia foi eliminada porque, segundo os
69

autores, ela tem pouco efeito sobre o comportamento do modelo. O modo de
funcionamento desse modelo bastante similar ao proposto pelo IEEE.


Figura 2.17 - Modelo proposto por Pinceti et al. [13].

A principal vantagem do modelo proposto a sua fcil determinao dos
parmetros e a sua simplificao. Os critrios propostos levam em considerao apenas
as caractersticas eltricas do para-raios e no necessrio o uso de processos iterativos
na determinao dos parmetros. Segundo os autores, o modelo apresenta erros
inferiores a 4,5% para transitrios com tempo de crescimento de 1 s a 30 s. Contudo,
verifica-se uma queda de tenso inesperada na cauda da curva de tenso, onde a forma
de onda produzida pelo modelo as vezes bastante discordante da forma de onda de
tenso obtida experimentalmente [3]. Em alguns estudos tambm foram vericadas
oscilaes numricas na forma da tenso fornecida pelo modelo [14, 15].
O modelo proposto por Fernandez & Diaz [16] em 2001 outra simplificao do
modelo do IEEE e pode ser visto na Figura 2.18. Neste modelo, em comparao com o
modelo do IEEE, R
0
e L
0
foram descartados, restando apenas a indutncia L
1
entre as
resistncias no lineares A
0
e A
1
. No modelo, C
0
representa a capacitncia terminal-
terminal do para-raios e a resistncia R em paralelo com A
0
se destina a evitar oscilaes
numricas. Algumas vantagens do modelo so que todos os dados necessrios podem
ser encontrados no catlogo do fabricante ou, alternativamente, nas medies
experimentais, alm de o mecanismo de ajuste dos parmetros no exigir clculos
iterativos. Por outro lado, o clculo dos parmetros do modelo possui muitos passos na
determinao de A
0
, A
1
e, principalmente, L
1
.

Figura 2.18 - Modelo proposto por Fernandez & Diaz [16].
Para correntes de frente rpida com tempos de frente de 8 s 1 s, o modelo
tem um erro mximo de 1,7% na resposta de tenso [16]. No entanto, em algumas
70

simulaes este modelo apresentou picos na tenso residual devido a erros numricos.
Contudo, uma boa escolha do passo de tempo pode eliminar ou minimizar o problema
[3].
Em 2001 outra simplificao do modelo do Schimidt foi proposto, agora por
Popov et al. [17]. No modelo mostrado na Figura 2.19, a resistncia no linear
representa a alta no linearidade do para-raios e determinada a partir da curva
caracterstica do mesmo. A capacitncia C
a
a capacitncia do bloco de ZnO, que
depende da inclinao do transitrio da onda de tenso gerado no bloco pelo impulso de
corrente. Os parmetros R e L representam o comportamento fsico do gro ZnO, mas
quando o para-raios ligado ao transformador, estes parmetros dependem tambm do
lao de indutncia formado pela conexo entre o para-raios e o transformador. A
indutncia estimada a partir da distncia do para-raios com os terminais do
transformador e da ordem de 5-20 H/m. J a capacitncia da ordem de 1,5 nF/kV
quando o para-raios ligado a transformadores de distribuio e 5 nF/kV quando
ligado a transformadores de estao.
Para impulsos de corrente com amplitudes muito maiores que 10 kA e muito
rpidos, a tenso residual calculada ligeiramente superior s indicadas nos datasheets
dos para-raios. Portanto, o modelo apropriado para estudos onde os impulsos no
atingem valores muito elevados, como surtos produzidos por uma reignio do
disjuntor. Alm disso, o modelo de para-raios proposto no leva em considerao a
dependncia da temperatura da resistncia no linear porque tal dependncia
importante apenas para pequenas correntes, que podem ser desprezadas em estudos de
coordenao de isolamento [18].


Figura 2.19 - Modelo proposto por Popov et al. [17].

71

A partir do modelo de Pinceti, em 2004 Magro et al. [19] propuseram um novo
mtodo para determinao dos parmetros dinmicos do modelo da Figura 2.17.
Segundo os autores, o modelo de Pinceti apresenta pouca preciso para diversos para-
raios de mdia tenso. Alm disso, a determinao dos parmetros deste modelo
apresenta a dificuldade de nem sempre os dados necessrios para calcular os parmetros
dinmicos do modelo estarem disponveis nos datasheets dos fabricantes, pois muitas
vezes o fabricante no declara a tenso residual de impulso ngreme (com um tempo de
subida entre 0,5 e 1 s). A fim de contornar este problema, Magro et al. [19]
propuseram um mtodo que no depende da tenso residual de pulso ngreme para
determinar os parmetros L
0
e L
1
, de tal modo que apresente uma boa preciso para
para-raios de alta e mdia tenso.
Para validar o seu mtodo, os autores testaram o modelo de Pinceti em mais de
200 para-raios de seis fabricantes de todo o mundo. A partir dos datasheets de tais
modelos, um novo parmetro com base nas tenses residuais para descargas
atmosfricas e impulsos de frente ngreme foi introduzido. Este parmetro definido
como

, sendo

a tenso residual de impulso ngreme e

a
tenso residual para o impulso padro obtidos nos datasheets, ambos para a corrente de
10 kA. Os autores verificaram que para valores de K abaixo de 1,18, o erro obtido com
o modelo permaneceu baixo. A partir desta observao, os autores proporam utilizar o
valor para

nas esquaes propostas por Pinceti et al. [13] e

demonstraram que tal simplificao apresenta pequenos erros e pode ser utilizada caso a
tenso

no esteja disponvel no datasheet do fabricante, ou para valores de K

maiores que 1,18. Utilizando tal simplificao, os valores de L
1
e L
0
podem ser
definidos conforme a seguir:

L1= 0,03 Vn . (2.3)
L0= 0,01 Vn . (2.4)
em que V
n
a tenso nominal do para-raios.
Em 2009 Karbalaye et al. [20] propuseram um modelo de para-raios a ZnO com
o mesmo circuito proposto por Fernandez & Diaz, diferindo, contudo, no mtodo de
ajuste dos parmetros. Conforme explicado pelos autores, os resistores no lineares A
0
e
A
1
so definidos conforme sugerido pelo IEEE W. G. 3.4.11 e os elementos L
1
e C
1
so
ajustados pelas equaes:
72

(2.5)

(2.6)

onde V
n
a tenso nominal do para-raios,

a tenso residual devido a um surto de
corrente de 10 kA e 8/20 e V
ss
a tenso residual devido a um surto de 500 A e
60/2000 ou 30/70 . Tais equaes assemelham-se bastante com as equaes
propostas por Pinceti et al. [13] para clculo da indutncia L
1
, diferindo pelo termo
exponencial e pelas constantes racionais.
Conforme afirmado pelos autores, esse novo modelo apresentou resultados
bastante satisfatrios para simular surtos de corrente de curta durao. O modelo
proposto apresentou pequenos valores de erro (tomando como base para o clculo os
dados do fabricante do para-raios) e quando comparado com o modelo Convencional,
Pinceti, IEEE, e Popov, o novo modelo apresentou um melhor desempenho geral, isto ,
um erro mais homogneo quando foram analisados surtos de 420 kV com formas de
onda 1/2 , 1/20 , 8/20 e 30/60 . Por outro lado, importante enfatizar que este
modelo ainda carece de validaes de outros autores a fim de verificar as vantagens e
desvantagens do mesmo.
Em 2011 Valsalal et al. [21] props uma modificao no modelo de Magro,
baseado no efeito das capacitncias parasitas presentes no para-raios. Inicialmente os
autores afirmaram que o modelo de Magro no capaz de prever a tenso residual do
para-raios com preciso quando o tempo de frente do impulso de corrente aplicado
inferior a 1 s. Os autores explicaram que h diferenas significativas na resposta obtida
quando o tempo de frente do impulso de corrente aplicado inferior a 1 s. Para surtos
de corrente com o tempo frente maiores que 1 s, a tenso residual do para-raios atinge
o pico antes da corrente. No entanto, para surtos de corrente com o tempo de frente
menores que 1 s, a tenso residual do para-raios atinge o pico aps a corrente. Alm
disso, eles observaram que o atraso na resposta inicial do para-raios aumenta com a
inclinao do pico de corrente. Tal efeito foi atribuido s capacitncias parasitas
presentes no bloco de ZnO e, com base neste estudo, um modelo de para-raios para
transitrios muito rpidos foi proposto, incorporando ao modelo de Magro o efeito
73

destas capacitncias. Na Figura 2.20 pode ser visto o novo modelo proposto, para o caso
analisado pelos autores, de um para-raios tpico de 198 kV composto por trs para-raios
de 66 kV empilhados.

Figura 2.20 - Modelo proposto por Valsalal et al. [21].

Os parmetros do modelo so calculados conforme proposto por Magro et al.
[18] para os elementos A
0
, A
1
, L
0
, L
1
e R
1
, para cada um dos trs para-raios empilhados,
e as capacitncias parasitas so calculadas utilizando o mtodo dos elementos finitos.
Em seguida, os autores validaram o novo modelo verificando que o valor simulado da
tenso residual muito prximo do valor determinado pelo fabricante, que o modelo
representa adequadamente os atrasos devido a descargas com tempo de frente maiores e
menores que 1 s, e que o modelo representa o efeito do uso de anis equalizadores.
74

Alm disso, a curva de histerese dinmica foi construda e verificou-se o atraso relativo
entre a tenso residual e a corrente.
Em 2011 Lin Xin et al. [22] propuseram um modelo para altas frequncias
baseado na microestrutura do varistor de ZnO e na teoria de polarizao dos varistores
de ZnO devido a campos eltricos alternados. Na Figura 2.21 pode ser visto a
representao da microestrutura do varistor, em que 1 so os gros de ZnO, 2 o limite de
gros composto principalmente por xido de bismuto e 3 os espinlios que so
minerais produtos do processo de sinterizao do varistor. Alm disso, a corrente
eltrica nos varistores constituda por trs partes: a corrente instantnea causada pela
polarizao de deslocamento, a corrente de relaxamento provocada pela polarizao de
relaxamento e a corrente de conduo causado pelas caractersticas de resistncia no
linear do varistor.


Figura 2.21 - Microestrutura do varistor de ZnO [22].

A partir destes efeitos, os autores propuseram o modelo mostrado na Figura
2.22, onde uma parte representa o efeito dos contornos dos gros e a outra parte
representa os gros de ZnO. Segundo os autores, o gro equivalente a uma resistncia
fixa R, que determinada pela estrutura do para-raios, e os efeitos nos contornos dos
gros foram representadas da seguitne forma: a corrente de conduo representada no
ramo com a resistncia no linear R(i), a corrente instantnea causada pela polarizao
de deslocamento representada pela capacitncia C, e a corrente de relaxamento
representada pela capacitncia complexa G = iC.
75


Figura 2.22 - Modelo proposto por Lin Xin et al. [22].

Com base no espectro de dieltrico obtido por experimentao, os valores
propostos para a capacitncia complexa foi G=0,03 S e C =12,312 pF, j a capacitncia
C foi estimada em 19 pF. Alm disso, a resistncia fixa deve ser determinada pela
estrutura do para-raios e a resistncia no linear com base na caracterstica V-I do
mesmo.
2.3 Concluso
Os para-raios de xido de zinco (ZnO) so equipamentos imprescindveis na
proteo de sistemas eltricos contra surtos de tenso e corrente. Dado a sua
importncia, a realizao de estudos de coordenao de isolamento, capacidade de
absoro de energia, estimao do tempo de vida til, localizao tima, diagnstico,
seleo correta de para-raios, entre outros, so de extrema importncia em projetos de
subestaes. Diante desta necessidade, o uso de modelos de para-raios tem se mostrado
a opo mais vivel para realizao desses estudos.
Muitos modelos de para-raios foram propostos na literatura ao longo dos anos.
Alguns so baseados nas caractersticas eltricas dos para-raios, outros se baseiam na
composio da micro-estrutura do gro de ZnO e outros so baseados em verificaes
empricas. Em geral, observa-se que os modelos propostos no apresentam formalizao
matemtica e nem sempre os procedimentos existentes para determinao dos
parmetros dos modelos so simples e garantem um ajuste adequado. Alm disso, os
modelos existentes trabalham em uma faixa limitada de tempo de crista do impulso de
corrente, alm da qual no h acurcia nos resultados, e possuem limitaes em
reproduzir todos os efeitos eltricos presentes nos para-raios.
76

Diante do exposto, possvel afirmar que os estudos realizados a partir dos
modelos de para-raios existentes e dos seus procedimentos empricos de ajuste de
parmetros possuem preciso e confiabilidade questionveis, uma vez que no h como
garantir a eficcia dos resultados obtidos. Por tal motivo, existe a necessidade de mais
esforos na modelagem de para-raios a ZnO com o objetivo de obter um modelo exato,
flexvel e seguro na modelagem de para-raios em sistemas de energia eltrica.

77

Referncias Bibliogrficas

[1] LEUVEN EMTP CENTER (LEC). Alternative Transients Program Rule Book,
V.E, Exponential ZnO surge arrester R(i), 1987.
[2] MARTINEZ, J. A.; DURBAK, D. W. Parameter Determination for Modeling
Systems Transients - Part V: Surge Arresters. Power Delivery, IEEE
Transactions on, v. 20, n. 3, p. 2073-2078, July 2005.
[3] BAYADI, N.; HARID, K.; ZEHAR S.; BELKHIAT, Simulation of Metal Oxide
Surge Arrester Dynamic Behavior Under Fast Transients, Proc. International
Conference on Power System Transients IPST, 2003.
[4] LIRA, G. R. S., NOBREGA, L. A. M. M., GOMES, L. V., COSTA, E. G., MAIA,
M. J. A., Avaliao do Desempenho de Modelos de Para-raios a ZnO Frente a
Descargas Atmosfricas. IV Simpsio Brasileiro de Sistemas Eltricos - SBSE.
Goinia Brasil, 2012.
[5] LEVINSON, L.M.; PHILIPP, H.R. The physics of metal oxide varistors. J. Appl.
Phys., v. 46, n. 3, p. 13321341, 1975.
[6] TOMINAGA, S.; AZUMI, K; SHIBUYA, Y.; IMATAKI, M.; FUJIWARA, Y.;
NICHIDA S. Protective Performance of Metal Oxide Surge Arrester Based on The
Dynamic V-I Characteristics. Power Apparatus and Systems, IEEE
Transactions on, v. PAS-98, p. 1860-1871, 1979.
[7] HORIUCHI, S.; ICHIKAWA, F.; MIZUKOSHI, A.; KURITA, K.; SHIRAKAWA,
S. Power dissipation characteristics of zinc-oxide arresters for HVDC systems.
Power Delivery, IEEE Trans., v. 3, n. 4, p. 16661671, 1988.
[8] SCHMIDT W.; MEPPELINK, J.; RICHTER, B.; FESER K.; KEHL, L.; QIU, D.
Behavior of MO- Surge Arrester Blocks to Fast Transients. Power Delivery, IEEE
Transactions on, v. 4, n. 1, p. 292-300, 1989.
[9] HILEMAN, R.; ROGUIN, J.; WECK, K. H. Metal oxide surge arresters in AC
systems - Part V: Protection performance of metal oxide surge arresters. Electra, n.
133, p. 132 144, December, 1990.
[10] HADDAD A.; FUENTES-ROSADO J.; GERMAN D., M.; WATERS R.T.
Characterisation of ZnO Surge Arrester Elements with Direct and Power Frequency
Voltages. IEEE Proceedings, v.137, n. 5, p. 269272, September 1990.
78

[11] IEEE WORKING GROUP ON SURGE ARRESTER MODELING, Modeling of
Metal Oxide Surge Arresters. Power Delivery, IEEE Transactions on, v. 7, n. 1,
p. 302309, January 1992.
[12] KIM, T.; FUNABASHI, H.; SASAKI, T.; HAGIWARA M.; KOBAYASHI, Study
of ZnO Arrester Model for Steep Front Wave. Power Delivery, IEEE
Transactions on, v. 11, n. 2, p. 834-841, April 1996.
[13] PINCETI, P.; GIANNETTONI, M. A Simplified Model for Zinc Oxide Surge
Arresters. Power Delivery, IEEE Transactions on, v. 14, n. 2, p. 393398, April
1999.
[14] LIRA, G. R. S.; COSTA, E. G.; FERNANDES Jr., D.; PEREIRA, F. M. S.; MAIA,
M. J. A, Anlise de Desempenho de Modelos de Pra-Raios a xido de Zinco
Frente a Surtos Rpidos. SNPTEE - SEMINRIO NACIONAL DE
PRODUO E TRANSMISSO DE ENERGIA ELTRICA. Rio de Janeiro -
Brasil, 2007.
[15] LIRA, G. R. S.; FERNANDES Jr., D.; COSTA, E. G.; MAIA, M. J. A. Behavior of
Metal Oxide Surge Arresters for Fast Surges. Cigre A3 Technical Colloquium.
Rio de Janeiro - Brazil, 2007.
[16] FERNANDEZ, F.; DIAZ, R. Metal Oxide Surge Arrester Model for Fast Transient
Simulations. International Conference on Power System Transients - IPST,
paper 144.M, 2001. .
[17] POPOV, M.; VAN DER SLUIS, L.; PAAP, G.C. Investigation of the circuit
breaker reignition overvoltages caused by no-load transformer switching surges.
European Trans. Electric Power (ETEP), v. 11, n. 6, p. 413-422, Nov./Dec.
2001.
[18] POPOV, M.; VAN DER SLUIS, L.; PAAP, G.C. Application of a New Surge
Arrester Model in Protection Studies Concerning Switching Surges. IEEE Power
Engineering Review, v. 22, p. 52-53, Septenber 2002.
[19] MAGRO, M.C.; GIANNETTONI, M.; PINCETI, P. Validation of ZnO arresters
model for overvoltage studies. Power Delivery, IEEE Transactions on, v. 19, n.
4, p. 16921695, 2004.
[20] KARBALAYE, Z.; ABNIKI, H.; SHAYEGANI, A. A. A. The Modeling of Metal-
Oxide Surge Arrester Applied. 2th International Conference on Power
Electronics and Intelligent Transportation System, 2009.
79

[21] VALSALAL, P.; USA, S.; UDAYAKUMAR, K. Modelling of metal oxide arrester
for very fast transients. ET Sci. Meas. Technol., v. 5, Iss. 4, p. 140146, 2011.
[22] XIN, L.; JING, W.; XU, J. L. High Frequency Model of Metal-oxide Surge
Arrester for Researching on VFTO. 1st International Conference on Electric
Power Equipment Switching Technology.