Secagem PDF

VILMAR MENEGON BRISTOT
CONTROLE DE TEMPERATURA DE SECADORES

DE REVESTIMENTOS CERMICOS
ALIMENTADOS COM GS NATURAL

FLORIANPOLIS
2002
UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA

PROGRAMA DE PS-GRADUAO
EM ENGENHARIA ELTRICA


Dissertao submetida
Universidade Federal de Santa Catarina
como parte dos requisitos para a
obteno do grau de Mestre em Engenharia Eltrica

VILMAR MENEGON BRISTOT

Florianpolis, Julho de 2002

ii

Vilmar Menegon Bristot

Esta Dissertao foi julgada adequada para obteno do Ttulo de Mestre
em Engenharia Eltrica, rea de Concentrao em Controle, Automao e Informtica
Industrial, e aprovada em sua forma final pelo Programa de Ps-Graduao em Engenharia
Eltrica da Universidade Federal de Santa Catarina.

Prof. Julio Normey Rico, Dr.
Orientador

Prof. Edson Roberto De Pieri, Dr.
Coordenador do Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica

Banca Examinadora:

Augusto Humberto Bruciapaglia, Dr. Ing. Eugnio de Bona Castelan Neto, Dr.

Nestor Roqueiro, D. Sc. Daniel Juan Pagano, Dr.
iii

famlia e aos amigos...

iv

AGRADECIMENTOS

A Deus.
A toda minha famlia, que de uma forma ou outra contribuiu para a realizao de um
sonho, em especial aos meus pais Valdemar e Ada e ao meu irmo Vilson pelo apoio e
incentivo no seguimento de minha carreira como engenheiro.
A minha noiva Simone , pela pacincia, incentivo, carinho e compreenso nos
momentos difceis.
Aos meus amigos e colegas de empresa, Adriano C. S. T. Lima, Leandro Rosa Medeiros,
Celito H. Cardoso, Cludio O. Modesto, Jos Celso Barbosa Jnior, Gilson Bez Fontana
Menegali, Sandra T. Mondardo, Adir Joo Gastaldon, Werther Serralheiro e principalmente a
Ndia Joaquina Goulart.
Aos colegas e amigos do curso de mestrado em Engenharia Eltrica, pela amizade e
companheirismo to importantes.
E por fim aos professores do Departamento de Automao e Sistemas, particularmente
aos professores Alexandre Trofino, Antnio Augusto Rodrigues Coelho e Eugnio de Bona
Castelan, pelo ensinamento e oportunidade oferecida e aos professores Julio Elias Normey
Rico e Daniel Juan Pagano, pelo apoio, dedicao, determinao e orientao, fatores
importantes e motivadores no desenvolvimento deste trabalho.

v
Resumo da Dissertao apresentada UFSC como parte dos requisitos necessrios
para a obteno do grau de Mestre em Engenharia Eltrica.



Julho/2002

Orientador : Julio Elias Normey Rico, Dr.
rea de Concentrao : Controle, Automao e Informtica Industrial
Palavras-chave : Controle de processos, controle robusto, controle PID e controle preditivo
Nmero de Pginas : 93

Esta dissertao, que tem um carter terico-prtico, apresenta um estudo do processo de secagem de
peas cermicas e analisa o projeto e ajuste do sistema de controle de temperatura de um secador
vertical de ciclo contnuo. O estudo do comportamento do processo realizado a partir de um modelo
matemtico obtido com dados experimentais do secador instalado na linha de produo de monoporosa
da Eliane Revestimentos Cermicos Unidade V, em Cricima - SC. A partir do modelo obtido
projetam-se diversas estratgias de controle clssico, controle PI, PID e uma tcnica de controle
preditivo, o Controle Preditivo Generalizado (GPC) baseado no preditor de Smith. A aplicao destas
tcnicas ao modelo simulado do secador, permite compara-las tanto do ponto de vista do
comportamento dinmico como da complexidade de implementao. As concluses desta anlise
servem para indicar as modificaes a serem implantadas no sistema de controle analgico existente no
processo real. Finalmente, apresentam-se resultados experimentais com a utilizao do controlador PI
analgico instalado no processo que mostram as melhorias introduzidas no desempenho do sistema
com o ajuste proposto para o controlador. Desta forma o trabalho contribui para a melhoria imediata do
comportamento do secador e aponta para futuras modificaes do sistema de medio e controle que
permitiriam otimizar o seu desempenho.
vi
Abstract of Dissertation presented to UFSC as a partial fulfillment of the
Requirements for the degree of Master in Electrical Engineering

CONTROL OF TEMPERATURE OF CERAMIC
TILES COATING DRIERS WITH
NATURAL GAS


July/2002

Advisor : Julio Elias Normey Rico, Dr
Area of Concentration : Control, Automation and Information Industrial
Keywords : Process Control, Control PID, robust control and predictive control
Number of Pages : 93

This dissertation, that has a theoretical-practical character, presents a study of the ceramic tiles drying
process and analyzes the design and tuning of the temperatures control system of a continuous cycle
vertical drier. The study of the process behavior is carried out from a mathematical model with
experimental data in the drier installed in the monoporous line production at Eliane Ceramic Tiles
Plant V, in Cricima - SC. Several classic control strategies are designed using the obtained model: PI,
PID and a Generalized Predictive Controller (GPC) based on the Smiths predictor. Some comparative
results taking into account the dynamic behavior of the system, as well as the implementation
complexity of the controllers are presented using the simulated model. The conclusions of this analysis
are used to indicate the modifications to be performed in the existing analogical control system in the
real process. Finally, experimental results are presented using the analogical PI controller that shows
the improvements introduced in the systems performance with the proposed tuning procedure.
Therefore, the study contributes to the immediate improvement of the driers behavior and also
suggests future modifications of the measurement and control structure in order to improve its
performance.
vii
SUMRIO

1 - Introduo 01
1.2 Estrutura da Dissertao 02

2 - O Processo Cermico e o Processo de Secagem 04
2.1 Introduo 04
2.2 O Processo Cermico 05
2.3 Secadores 13
2.3.1 Especificao dos Elementos que Compem o Secador Vertical 17
2.3.2 Caractersticas Tcnicas do Secador Vertical 19
2.4 Especificao dos Elementos do Sistema de Aquisio de Dados 20
2.5 Especificao dos Elementos do Sistema de Controle em Malha Fechada do
Secador Vertical
22
2.6 Concluso 23

3 Modelagem e Identificao do Processo de Secagem de Peas
Cermicas
24
3.1 Introduo 24
3.2 Modelo Matemtico a partir da Aquisio de Dados do Secador Vertical 25
3.2.1 Ensaios realizados 25
3.2.2 Clculo do Modelo Matemtico do Processo a partir de Dados de
Identificao
26
3.3 Concluso 36

4 Ajustes dos Controladores Industriais 37
4.1 Introduo 37
4.2 Objetivos do Controle 39
4.3 O Controlador PID 39
4.4 Configuraes do PID 40
viii
4.4.1 Tipos de Controladores PID 41
4.4.2 Distribuio das Aes do PID 43
4.5 Mtodos de Ajuste do PID 45
4.5.1 Mtodo de Cohen-Coon 46
4.5.2 Mtodo IMC 47
4.5.3 Mtodo de Haalman 48
4.5.4 Mtodo de Ziegler-Nichols 49
4.5.5 Mtodo de ITAE 49
4.5.6 Mtodo de strom e Hagglund 50
4.6 PID de Dois Graus de Liberdade 53
4.7 Controle Preditivo Generalizado Baseado no Preditor de Smith (SPGPC) 54
4.7.1 O Algoritmo SPGPC 55
4.7.2 Ajuste Robusto dos Parmetros do SPGPC 57
4.8 Concluso 61

5 Avaliao dos Ajustes dos Controladores 62
5.1 - Introduo 62
5.2 Ajustes do Controlador PI 63
5.3 Ajustes para o Controlador PID 67
5.4 Estudo da Robustez das Solues 72
5.5 Controlador Preditivo Generalizado baseado no Preditor Smith (SPGPC) 82
5.6 Resultados Experimentais 84
5.7 - Concluso 86

6 Concluses e Perspectivas 87

7 Referncias Bibliogrficas 90

xiii
LISTA DE TABELAS

2.1 Caractersticas tcnicas do secador vertical 19
3.1 Valores estimados dos parmetros das funes de transferncia de primeira ordem 29
3.2 Valores estimados dos parmetros das funes de transferncia de segunda ordem 29
4.1 Parmetros do Mtodo de Cohen-Coon 47
4.2 Parmetros do Mtodo IMC 48
4.3 Parmetros para o Mtodo de Haalman 48
4.4 Parmetros do Mtodo de Ziegler-Nichols 49
4.5 Parmetros do Mtodo ITAE para referncia (set points) 50
4.6 Parmetros do Mtodo ITAE para perturbao 50
4.7 Parmetros para o caso estvel do Mtodo de Astrom e Hagglund 52
5.1 Valores dos parmetros K
c
e T
i
do controlador PI para o caso P(s)
T
63
c
e T
i
A
63
c
e T
i
B
63
xiv
c
, T
i
e T
d
do controlador PID para o caso P(s)
T
67
c
, T
i
e T
d
A
68
c
, T
i
e T
d
B
68
5.7 Valores dos parmetros analticos e os aplicados (K
c
e T
i
) nos diversos casos 84

ix
LISTA DE FIGURAS

2.1 Fluxograma do processo cermico (monoporosa) 06
2.2 Moinhos de bolas descontnuos 06
2.3 Atomizador (Spray drier) 07
2.4 Prensa hidrulica e Secador vertical 08
2.5 Linha de esmaltao 09
2.6 Aplicao de esmalte vu campana 10
2.7 Serigrfica rotativa 11
2.8 Fornos a rolo monoestrado 12
2.9 Zona de classificao, embalamento, paletizao e expedio 13
2.10 Secador vertical 14
2.11 Sistema de carga de peas cermicas em um secador vertical 14
2.12 Injeo de ar quente nas peas cermicas 15
2.13 Circulao de ar e movimento de peas no secador 15
2.14 Sistema de recirculao de ar e de combusto do secador (Vista superior) 16
2.15 Servo motor com as vlvulas de ar e gs 17
2.16

Elementos componentes dos sistemas de aquisio de dados e de controle de
temperatura do secador vertical
20
3.1 Modelagem a partir de uma mudana na entrada 26
3.2 Estrutura genrica do processo de secagem de peas cermicas 27
3.3 Resposta em Malha Fechada do Processo e dos Modelos Identificados Pp(s)
1
e Ps(s)
1
30
2
e Ps(s)
2
30
x
3
e Ps(s)
3
31
4
e Ps(s)
4
31
5
e Ps(s)
5
32
6
e Ps(s)
6
32
7
e Ps(s)
7
33
8
e Ps(s)
8
33
9
e Ps(s)
9
34
10
e Ps(s)
10
34
4.1 Diagrama de Blocos do PID Acadmico 40
4.2 Estrutura Acadmica de um PID 41
4.3 Estrutura em Srie de um PID 42
4.4 Estrutura em Paralelo de um PID 42
4.5 Representao de um PD + PID 44
4.6 Controle por realimentao C
p
(s) e C
r
(s) 44
4.7 Incluso de um filtro na referncia 45
4.8 Medida de M
s
52
4.9 Estrutura com a incluso de um filtro no sinal de referncia 53
4.10 Estrutura do SPGPC 58
4.11 I
r
para variaes de 59
4.12 I
r
para variaes de 59
4.13 Erro de modelagem P 60
5.1 Desempenho dos controladores PI em relao ao processo P(s)
T
64
xi
5.2 Esforo de controlador PI para o processo P(s)
T
64
A
65
A
65
B
66
B
66
5.7 Desempenho dos controladores PID em relao ao processo P(s)
T
69
5.8 Esforo de controlador PID para o processo P(s)
T
69
A
70
A
70
B
71
B
71
5.13 Robustez dos controladores PI e PID para o processo P(s)
T
74
A
74
B
75
5.16 Ajuste da robustez dos controladores PI e PID para o processo P(s)
T
75
A
76
B
76
5.19 Respostas dos Controladores Ajustados para o Modelo Nominal do Caso T 77
5.20 Esforo de Controle para o Modelo Nominal do Caso T 77
5.21 Respostas dos Controladores Ajustados para o Modelo Nominal do Caso A 78
5.22 Esforo de Controle para o Modelo Nominal do Caso A 78
5.23 Respostas dos Controladores Ajustados para o Modelo Nominal do Caso B 79
xii
5.24 Esforo de Controle para o Modelo Nominal do Caso B 79
5.25 Respostas dos Modelos de Primeira Ordem para o Caso A 80
5.26 Esforo de Controle dos Modelos de Primeira Ordem para o Caso A 80
5.27 Respostas dos Modelos de Primeira Ordem para o Caso B 81
5.28 Esforo de Controle dos Modelos de Primeira Ordem para o Caso B 81
5.29 Resposta do Sistema para Diversos Valores de Lambda 82
5.30 Esforo do Controle para Diversos Valores de Lambda 82
5.31 Resposta para Diversos Modelos do Processo Caso A 83
5.32 Esforo de Controle para Diversos Modelos do Processo Caso A 83
5.33 Respostas do Caso T para os Controladores PI Analgico 84
5.34 Respostas do Caso A para os Controladores PI Analgico 85
5.35 Respostas do Caso B para os Controladores PI Analgico 85

1. INTRODUO

O processo de secagem uma etapa de fundamental importncia dentro de uma linha
de produo de peas cermicas. Neste processo, que executado aps a prensagem das
peas, retira-se o excesso de umidade das mesmas de forma tal a uniformiz-las antes da
entrada ao forno. Esta secagem, feita normalmente por secadores onde circula-se ar quente
entre as peas a uma determinada temperatura e velocidade, uma das principais
responsveis pelas dimenses finais do produto e pela presena de defeitos estticos, tais
como, covinha
1
, furo
2
e Ra
3
, quando esta temperatura no est no padro.
Assim, um correto funcionamento do secador assegura peas mais uniformes, menor
desperdcio e maior qualidade. Para conseguir este objetivo, deve-se controlar a
temperatura no interior do secador em valores pr-determinados pelo ceramista,
independentemente das variaes de carga e das eventuais paradas da linha de produo.
O processo de secagem, utilizado pela maioria das indstrias cermicas, tem sempre os
mesmos objetivos porm as caratersticas dinmicas do sistema dependem fortemente do
tipo de secador, do fabricante e da instrumentao instalada.
Atualmente, no secador do tipo vertical, localizado na Unidade V da Eliane
Revestimentos Cermicos em Cricima SC, processo que ser objeto de estudo deste
trabalho, o controle de temperatura realizado por dois algoritmos do tipo PI analgico. O
sistema de medio de temperatura baseado em termopares e o controlador atua sobre
uma servo vlvula que regula a dosagem ar-gs natural do queimador. Os ventiladores que
realizam a recirculao do ar, no possuem controle de velocidade. O sistema de controle
possui dois pontos de operao. O primeiro, a 160
o
C, utilizado quando a linha de
produo trabalha em velocidade normal. O segundo, a 100
o
C, utiliza-se nos momentos
que a linha de produo pra e um conjunto de peas permanecem no secador por mais
tempo do que o especificado.

1
Covinha = pequena depresso que ocorre na superfcie da pea
2
Furo = semelhante furo de ponta de agulha em grande quantidade ocorrendo em toda a superfcie da pea
3
Ra = trinca que aparece nos cantos ou no centro da pea
CAPTULO 1: INTRODUO 2
O ajuste dos controladores PI deve garantir o seguimento as referncias de 160 e 100
o
C com erros menores que 1% e a transio entre os dois pontos de operao com uma
dinmica rpida e sem oscilaes.
Por outro lado, a manuteno de uma estrutura de controle simples importante
para minimizar o investimento e permitir uma rpida adaptao dos operadores. Assim, os
objetivos do trabalho podem ser divididos em dois. O primeiro objetivo consiste no estudo
do comportamento do sistema e na otimizao do ajuste dos parmetros do controlador PI
instalado no processo. Este objetivo pode ser atingido a curto prazo como mostra-se neste
documento. J o segundo objetivo, de mdio ou longo prazo, consiste em apontar solues
mais avanadas, que mediante a modificao do hardware instalado no processo, permitam
melhorar o comportamento do sistema visando respostas adequadas e minimizando o
consumo de gs natural.
Com estes objetivos e dadas as caratersticas dinmicas do processo, propem-se
neste trabalho o ajuste de controladores PID e um controlador preditivo simplificado,
analisando em todos os casos a facilidade de sintonizao, a robustez e a forma em que
podem ser implementados.
Finalmente, deve-se destacar que as solues analisadas neste trabalho podem ser
estendidas para outras etapas do processo de fabricao de revestimentos cermicos
(atomizador, fornos, etc.), assim como para outros tipos de processos, diminuindo desta
forma a distncia entre a teoria e a prtica.

1.2 - ESTRUTURA DA DISSERTAO

Este documento est organizado da seguinte forma. No captulo 2, apresenta-se a
descrio do processo cermico, dando maior nfase ao setor de secagem de peas
cermicas. Neste captulo detalha-se o princpio de funcionamento de um secador vertical,
citando suas partes, componentes e caractersticas tcnicas. Tambm, descrevem-se os
elementos utilizados no sistema de controle de temperatura e de aquisio de dados do
processo.
CAPTULO 1: INTRODUO 3
O captulo 3 dedica-se anlise da planta, a seu modelamento matemtico e a
validao dos modelos, utilizando dados experimentais.
No captulo 4, estudam-se algumas tcnicas para o controle de temperatura do
secador atravs de simulaes com o modelo obtido, apontando vantagens e desvantagens
dos algoritmos. J no captulo 5, apresentam-se os resultados experimentais com o controle
PI reajustado e tambm resultados de simulao utilizando os controladores PID e o
controlador preditivo simplificado propostos no captulo 4.
Finalizando o trabalho, o captulo 6 apresenta as concluses e perspectivas.

2. O PROCESSO CERMICO E O PROCESSO DE
SECAGEM

2.1 - INTRODUO

A arte da cermica se perde nos tempos. Com a inveno do torno no Antigo Egito,
a fabricao da cermica tem andado em passos considerveis. Na atualidade estamos
maravilhados pela beleza e a perfeio das peas tanto artsticas como utilitrias que foram
fabricadas pelas distintas civilizaes da antigidade. Desde a Idade Mdia at nossos dias,
a cermica tem-se condicionado pelos distintos aspectos da vida cotidiana.
A palavra cermica vem do grego Keramos, que referia-se especificamente ao
vasilhame em terracota. Atualmente este termo empregado a tudo que se fabrica com
matria-prima argilosa (KINGERY, 1998).
O processo de fabricao de revestimentos cermicos composto de vrias etapas,
que vo sendo executadas seqencialmente at obter o produto final. Uma dessas etapas a
secagem de peas cermicas
O termo secagem aplicado para produtos cermicos entendido como sendo a
remoo de gua de um material slido. A secagem de muitos materiais, dos quais a pea
cermica um bom exemplo, acompanhada por uma contrao no volume, devido a
remoo da gua (BRISTOT, 1996). Esta contrao que depende fortemente da
temperatura de secagem pode causar diferenas no tamanho da pea.
Alm desse problema, podemos relacionar outros que afetam o processo cermico
devido a uma instabilidade na temperatura de secagem, a qual cita-se como j mencionado
no captulo anterior, os defeitos estticos como o de covinha, furo e Ra e tambm o da
variao da resistncia mecnica a seco das peas cermicas.
CAPTULO 2: O PROCESSO CERMICO E O PROCESSO DE SECAGEM 5
Portanto, o controle de temperatura de fundamental importncia para o processo
como um todo. Assim, este trabalho prope o estudo do controle trmico do processo de
secagem de peas cermicas.
Dos mtodos de secagem existentes pode-se citar a secagem por absoro, secagem
por separao mecnica e a secagem por evaporao. Este ltimo ocorre quando promove-
se a evaporao da gua pelo uso (ao) do calor (KINGERY, 1998). o mtodo universal
de secagem de slidos, lquidos no volteis e principalmente de corpos cermicos .
Neste captulo, apresenta-se o processo cermico e o funcionamento do sistema de
secagem de peas cermicas atravs da utilizao de secadores verticais, citando suas
partes, componentes e caractersticas tcnicas, alm de descrever os elementos presentes
para o controle trmico e a aquisio de dados deste processo.

2.2 - O PROCESSO CERMICO

O processo de fabricao de produtos cermicos tradicionais, entre os quais esto
includos os pavimentos e revestimentos cermicos, se desenvolve normalmente em trs
fases sucessivas:
a) preparao das matrias primas,
b) conformao da pea,
c) tratamentos adicionais para conferir ao produto as propriedades finais desejadas, como
submet-lo secagem e queima uma ou mais vezes.

A seguir, apresenta-se um fluxograma que mostra o processo de fabricao de
revestimentos cermicos por monoporosa (azulejo), onde foram realizados os experimentos
prticos de identificao e controle desta dissertao (figura 2.1)

P R E P A R A O D A M A S S A
V I A S E C A V I A M I D A
C O N F O R M A O
S E C A G E M
E S M A L T A O
Q U E I M A
C L A S S I F I C A O

Figura 2.1 Fluxograma do processo cermico (monoporosa)

O processo cermico comea com a seleo das matrias-primas que devem formar
parte da composio de partida. Nos produtos cermicos denominados tradicionais, as
matrias-primas utilizadas so fundamentalmente : argilas, caulins, feldspatos, quartzos e
carbonatos.
Na indstria cermica tradicional, as matrias primas podem ser utilizadas tal como
so extradas da jazida, ou depois de submet-las a um tratamento mnimo. Sua procedncia
natural exige, na maioria dos casos, uma homogeneizao prvia que assegure a
continuidade de suas caractersticas.
Uma vez realizada a primeira mistura dos distintos componentes da massa cermica,
esta ser submetida a um processo de moagem, que pode ser via seca (moinhos de
martelos ou pendulares) ou via mida (moinhos de bolas contnuos ou descontnuos -
figura 2.2).

Figura 2.2 Moinhos de bolas descontnuos
O material resultante da moagem apresenta algumas caractersticas distintas se for
efetuado por via seca ou via mida. No primeiro caso produz-se uma fragmentao,
mantendo-se tanto os agregados como os aglomerados de partculas, sendo o tamanho de
partculas resultante (existem partculas maiores de 300 micrometros) superior ao obtido
por via mida (todas as partculas so menores de 200 micrometros).
O procedimento que se tem imposto na fabricao de pavimentos e revestimentos
cermicos por monoqueima, como conseqncia das importantes melhoras tcnicas que
apresenta, o de via mida e posterior secagem da suspenso resultante por atomizao.
No procedimento por via mida, as matrias-primas podem ser introduzidas total ou
parcialmente no moinho de bolas (tipo Alsing), que o habitual, ou dissolver diretamente.
Da suspenso resultante ser eliminada uma parte da gua, at alcanar o contedo
de umidade necessrio para cada processo. O mtodo mais utilizado na fabricao de
pavimentos e revestimentos cermicos a secagem por atomizao (figura 2.3).

Figura 2.3 Atomizador (Spray drier)

Depois da etapa de moagem e secagem, existem possibilidades distintas de preparar
o material, que depende do mtodo de conformao da pea que se vai utilizar. O
procedimento de conformao de peas mais habitual neste tipo de produto por
prensagem a semi seco (5 - 8% de umidade), mediante o uso de prensas hidrulicas.
A pea cermica uma vez conformada, ser submetida a uma etapa de secagem, com
o fim de eliminar a gua contida, procurando que no sejam produzidos defeitos (figura
2.4).

Figura 2.4 Prensa hidrulica e Secador vertical

Normalmente nos secadores industriais, o calor necessrio para efetuar a secagem
das peas introduzido predominantemente por conveco, sendo que esses gases quentes
podem ser gerados numa fornalha e/ou do ar de recuperao do forno.
Nos produtos no esmaltados, logo aps a etapa de secagem realiza-se a queima.
Nos produtos esmaltados fabricados por monoqueima, a etapa seguinte a secagem a de
esmaltao.
A esmaltao consiste na aplicao, por distintos mtodos, de uma ou vrias
camadas de vidrado com uma espessura compreendida entre 75 a 500 micrometros no total,
que cobrir a superfcie da pea. Este tratamento ser realizado para conferir ao produto
queimado uma srie de propriedades tcnicas e estticas, tais como:
- impermeabilidade;
- facilidade de limpeza;
- brilho;
Prensa hidrulica
Secador vertical
- cor;
- textura;
- resistncia qumica e mecnica.

A natureza da camada resultante essencialmente vtrea, mas em muitas ocasies,
inclui-se elementos cristalinos em sua estrutura.
O vidrado composto por uma srie de matrias primas inorgnicas e slica como
componente fundamental (formador de vidro).
Dependendo do tipo de produto, de sua temperatura de queima, dos efeitos e
propriedades a conseguir no produto acabado, formula-se uma ampla variedade de esmaltes.
Em outros processos cermicos (porcelana artstica, sanitrios), utilizam-se na formulao
de vidrados nica e exclusivamente matrias primas cristalinas, naturais ou de snteses, que
introduzem os xidos necessrios. Em contrapartida, nos processos de pavimentos e
revestimento cermicos tem-se usado matrias primas de natureza vtrea (fritas), preparadas
a partir dos mesmos materiais cristalinos submetidos previamente a um tratamento trmico
de alta temperatura.
A esmaltao das peas cermicas realiza-se via um processo contnuo (figura 2.5).

Figura 2.5 Linha de esmaltao

Os mtodos de aplicao mais usados na fabricao destes produtos cermicos
( KINGERY, 1998), so:

a)Pulverizao : um dos procedimentos mais generalizados para qualquer tipo de produto.
Exige uma grande uniformidade nas caractersticas da barbotina de esmalte utilizada, para
assegurar a uniformidade de produo. Existem equipamentos manuais, automticos e
robotizados. As principais caractersticas que devem ser levadas em conta, so: reologia
(densidade, viscosidade, tixotropia), presso do ar e da barbotina, alimentao da barbotina,
desenho, nmero e distribuio das boquilhas, granulometria do esmalte, capacidade de
absoro do suporte e temperatura. A aplicao do esmalte mediante um disco que gira a
uma velocidade elevada uma das tcnicas mais empregadas na fabricao de pisos. Por
este procedimento resultam gotas um pouco maiores do que quando a pulverizao se
efetua mediante boquilhas a presso.

b) Em cascata ou cortina: a pea recobre-se de esmalte ao passar por debaixo de uma
cortina de barbotina. Os dispositivos mais correntemente utilizados para este tipo de
aplicao so os denominados de campana e de fileira. As caractersticas reolgicas do
material so muito importantes, neste caso, para assegurar a uniformidade na aplicao. As
peas devem ser necessariamente planas, aplicando-se o esmalte unicamente na parte
superior (figura 2.6).

Figura 2.6 Aplicao de esmalte vu campana

c) A seco: tem-se desenvolvido uma srie de aplicaes baseadas na utilizao do esmalte
modo a seco ou bem granulado. Este tipo de esmalte permite conseguir efeitos estticos
denominados mrmore, granito, etc..

d) Decoraes: entre as tcnicas decorativas aplicveis s peas cermicas, destacam-se a
serigrafia, as calcomanias e a estamparia por tampo. A serigrafia a tcnica mais utilizada
na fabricao de pavimentos e revestimentos, devido a sua facilidade de aplicao nas linhas
de esmaltao. Esta tcnica utiliza-se tanto em monoqueima como em biqueima e terceira
queima, e consiste na seqncia de um determinado desenho que se reproduz por aplicao
de uma ou vrias telas sobrepostas (telas tensionadas de uma luz de malha determinada).
Estas telas apresentam a tonalidade de sua superfcie fechada por um produto endurecedor,
deixando livre de passagem unicamente o decalque que se ir reproduzir. Ao passar sobre a
tela, um elemento que exerce presso (esptula), obriga a pasta serigrfica a atravess-la,
caindo a impresso sobre a pea (figura 2.7)

Figura 2.7 Serigrfica rotativa

Depois da etapa de esmaltao, realiza-se a queima do esmalte no processo de
biqueima, ou a queima do esmalte e do suporte conjuntamente nos processos de
monoqueima. A queima dos produtos cermicos uma das etapas mais importantes do
processo de fabricao, j que dela dependem grande parte das caractersticas do produto
cermico: resistncia mecnica, estabilidade dimensional, resistncia aos agentes qumicos,
facilidade de limpeza, resistncia ao fogo, etc..

As variveis fundamentais a considerar na etapa de queima so : o ciclo trmico
(temperatura x tempo) e a atmosfera do forno, que devem adaptar-se a cada composio e
tecnologia de fabricao, dependendo do produto cermico que se deseja obter.
A queima rpida de pavimentos e revestimentos cermicos realiza-se, atualmente,
em fornos monoestrados de rolos, que tm permitido reduzir de forma significatia a durao
dos ciclos de queima at tempos inferiores aos 40 minutos, devido melhora dos
coeficientes de transmisso de calor das peas e uniformidade e flexibilidade dos mesmos
(figura 2.8).

Figura 2.8 Fornos a rolo monoestrado

Aps a queima acontece a classificao dos defeitos estticos (borrado, falha de vu,
furo de esmalte, etc) e fsicos (tamanho, empeno, etc) dos revestimentos cermicos. Esta
classificao realizada em mquinas classificadeiras automticas. Em seguida realizado o
embalamento e a paletizao, e as caixas vo para o setor de expedio (figura 2.9).


Figura 2.9 Zona de classificao, embalamento, paletizao e expedio

2.3 - SECADORES

So equipamentos nos quais, por meio de calor (normalmente), efetuada a
secagem de materiais. Podem ser classificados de diversas maneiras e entre elas prefere-se a
seguinte (BRISTOT, 1996):
a) baseado no sistema de alimentao do material a secar:
- funcionamento esttico ou intermitente;
- funcionamento contnuo;

b) baseado no sistema de aquecimento:
- Aquecimento por conveco;
- Aquecimento por conduo;
- Aquecimento por irradiao;
- Aquecimento misto.

Dentre os vrios tipos de secadores utilizados para secagem de peas cermicas,
estudou-se o secador contnuo vertical (figura 2.10).

Figura 2.10 Secador vertical

Nestes secadores as peas so transportadas atravs de cestones (espcie de caixas
com planos a rolos), onde sobre os planos destes so carregados e descarregados os
revestimentos cermicos. Ele possui a carga e descarga do material contnua e
automtica (figura 2.11).

Figura 2.11 Sistema de carga de revestimentos cermicos em um secador vertical

Planos dos cestones Revestimentos
Cermicos
A parada e o acionamento dos cestones determinada atravs de um sensor que
envia um sinal para o sistema motriz para acertar o posicionamento dos mesmos.
Nestes secadores, um fluxo de ar circula em contra corrente ao fluxo do material a
secar. Devido a este princpio as peas cermicas ao entrarem no secador, so cobertas por
ar moderadamente quente e esto bastante midas; durante o processo as zonas so cada
vez mais quentes e menos midas.
O ar quente proveniente do gerador de calor mistura-se com o ar de recirculao e
juntos so injetados na cmara central do secador. A seguir este ar quente passa atravs de
aberturas denominadas de serrandas, que podem ser reguladas manualmente na parte
externa do secador, e entra em contato com os revestimentos cermicos (figura 2.12).

Figura 2.12 Injeo de ar quente nas peas cermicas

A seguir mostram-se o sistema de circulao e recirculao de ar quente, a exausto
do ar saturado e a movimentao de peas cermicas dentro do secador vertical (figura
2.13).
Figura 2.13 Circulao de ar e movimentao de peas no secador
Ar quente
Revestimentos
Cermicos
Plano do
cestone
Serrandas
EM
Vc
G
V
V1
Legenda da figura 2.13:

EM = Entrada de material (peas cermicas)
G = Gerador de calor
V = Ventilador de recirculao
V1 = Boca de aspirao
Vc = Ventilador de tiragem de ar saturado (mido)

O sistema de recirculao de ar composto de um ventilador que puxa o ar que est
no interior do secador e o injeta no queimador (figura 2.14). Por sua vez este queimador
constitudo de um servo motor, uma vlvula de ar e uma vlvula de gs (SACMI, 1989).

Figura 2.14 Sistema de recirculao de ar e de combusto do secador
(Vista superior)

O sistema de controle de temperatura do secador est composto de um termopar
que mede a temperatura de aquecimento do secador e envia um sinal para um dos
Ar quente do gerador Ar mido
Ar frio
Ventilador de
recirculao

SECADOR
VERTICAL
Termopar
Servo motor
Vlvula de ar
Vlvula de gs
Controladores PI
A e B
Entrada de ar quente
controladores do tipo PI (proporcional e integral). Este processo possui dois controladores
pois, quando a linha de produo est em funcionamento um dos controladores acionado
e quando a linha de produo pra, o outro por sua vez entra em funcionamento. Estes
controladores enviam um sinal para o servo motor que atravs de braos mecnicos
regulados manualmente e que esto ligados nas vlvulas, so responsveis pela relao ar x
gs do sistema (figura 2.15).

Figura 2.15 Servo motor com as vlvulas de ar e gs

2.3.1 ESPECIFICAO DOS ELEMENTOS QUE COMPEM O SECADOR VERTICAL

ESTRUTURA EXTERNA

A estrutura externa construda em ao de grande espessura, fixada rigidamente
sobre uma fundao em concreto. O elemento motriz est localizado na parte superior da
estrutura .

CANALIZAES INTERNAS

Servem para a introduo de ar quente na zona de aquecimento e de ar frio na zona
de resfriamento, atravs de uma srie de serrandas regulveis manualmente.

CORRENTES
Constitudo de duas correntes a rolo em ao de alta resistncia com chapas
estampadas para sustentar os cestones, onde ficam armazenadas as peas cermicas.
Vlvula de gs
Vlvula de ar
Servo Motor
Braos mecnicos
GRUPO DE MOVIMENTAO DAS CORRENTES

responsvel pela movimentao dos cestones. constitudo de um moto redutor e
por um acoplamento/junta a frico, sendo que o motor auto frenante e o redutor
composto internamente por engrenagens cilndricas.

ISOLAMENTO TRMICO

Todo o isolamento trmico composto por l de rocha. Esta l fixada na parte
interna do secador permitindo assim um melhor sistema de inspeo e manuteno.

SERRANDAS

So elementos que tm como funo fazer a distribuio e regular a quantidade de
ar quente e frio que est se injetando nas peas cermicas.

CESTONES

So construdos em ao trefilado, montado de forma que se possa bascular em
relao as correntes para evitar que as peas cermicas deslizem e caiam do cestone. Esses
cestones possuem vrios planos fixos por onde so carregados e descarregados os
revestimentos cermicos.

GERADOR DE CALOR

do tipo veia de ar dotado de todas as seguranas previstas nas normas
internacionais sobre combusto e o combustvel utilizado nestes geradores o gs natural.

VENTILADOR DE RECIRCULAO

Possui um motor eltrico que faz o acionamento de um rotor atravs de correias e
polias. Este rotor puxa o ar da parte interna do secador atravs de uma tubulao e envia
para o gerador de calor, e este ar retorna novamente para o processo com a temperatura
ideal para a secagem das peas cermicas. A tubulao isolada trmicamente com l de
rocha para evitar desperdcio de calor.

VENTILADOR DE TIRAGEM

Est situado sobre a plataforma de servio e tem a funo de retirar o ar saturado da
zona inferior do secador atravs de uma tubulao e enviar para o meio externo.

LUBRIFICAO DAS CORRENTES

O leo resistente a altas temperaturas injetado automaticamente nas correntes de
transporte dos cestones atravs uma bomba acionada pneumaticamente.

SISTEMA DE CONTROLE DA TEMPERATURA

Composto por dois controladores do tipo PI, um termopar tipo J, um servo motor,
uma vlvula que regula a quantidade de gs e uma outra de ar de combusto.

2.3.2 - CARACTERSTICAS TCNICAS DO SECADOR VERTICAL

Potncia eltrica instalada [kw] 23
Potncia trmica instalada [kcal/h] 600000
Temperatura mxima de secagem [
o
C] 200
Presso da linha de combustvel [kgf/cm
2
] 0,5 8
Presso da rede de ar comprimido [bar] 5 6
Combustvel Gs natural
Umidade mxima de entrada das peas cermicas [%] 8
Umidade de sada das peas cermicas [%] 0,5
Nmero total de cestones 34
Nmero de planos por cestones 13

Tabela 2.1 Caractersticas tcnicas do secador vertical
2.4 - ESPECIFICAO DOS ELEMENTOS DO SISTEMA DE AQUISIO DE DADOS

A tomada de decises e resoluo de problemas so dependentes do acesso a
informao adequada sobre o problema a ser resolvido. Freqentemente a informao
avaliada est originalmente na forma de dados ou observaes que requerem interpretao
antes da anlise e tomada de decises (COELHO, 1999).
Para determinar um modelo de comportamento dinmico do secador foram
realizados diversos experimentos de identificao. Dado que o secador no podia ser parado
nem colocado para funcionar fora da faixa de temperatura de operao normal, estes
experimentos foram realizados colocando o sistema de aquisio em paralelo com o sistema
de controle de temperatura (em malha fechada) do secador (figura 2.14). Desta forma,
pode-se capturar e manipular de forma segura e confivel, os dados do processo (figura
2.16).

Figura 2.16 Elementos componentes dos sistemas de aquisio de dados e de controle de
temperatura do secador vertical
+
_

+
Fonte 24 V
Transdutor
Termopar B
Conversor
Corrente x Tenso
Placa de
Aquisio
de Dados
Computador
+
_

_

_
+

+

SECADOR
VERTICAL
Termopar A
Controladores PI
A e B
A seguir, descrevem-se os componentes utilizados no experimento prtico para a
aquisio de dados de um processo de secagem de peas cermicas.

Termopar B

Termopar tipo J, composio ferro, cobre e nquel, faixa de utilizao = - 40 a 750
o
C.

Transmissor de temperatura

Modelo TT-02, marca Equipe, entrada do termopar tipo J, sada a 2 fios, 4 a 20 mA,
alimentao12 a 30 vdc, faixa fixa -40 a 750
o
C.

Conversor corrente-tenso

Marca Yokogawa, modelo 2371 A F13 / AHE / AE, entrada 4 a 20 mA,
resistncia de entrada 7, sada 0 5 V CC / 10 k, preciso 0,25 %, alimentao 220
V / 60 Hz.

Placa de aquisio de dados

Marca Iotech
, modelo DaqBook/100, nmero de canais = 16, resoluo = 12 bits,

ranges = Unipolar 0 a +10 V, 0 a +5 V, 0 a +2,5 V e 0 a +1,25 V, Bipolar 0 a 5 V, 0 a
2,5 V, 0 a 1,25 V e 0 a 0,625 V

Software WinSDCA

Este software uma ferramenta de apoio para engenheiros de controle destinada
identificao de processos e ajuste de controladores industriais desenvolvida no DAS-
UFSC. Atravs do uso de equipamentos auxiliares (como placas de aquisio de dados), o
software atua como gerenciador e permite obter modelos matemticos do processo, assim
como, ajustar os parmetros do algoritmo de controle.

2.5 - ESPECIFICAO DOS ELEMENTOS DO SISTEMA DE CONTROLE EM MALHA
FECHADA DO SECADOR VERTICAL

Os elementos pertencentes ao sistema de controle em malha fechada do secador
vertical so os seguintes:

Termopar A

Termopar tipo J, composio ferro, cobre e nquel, faixa de utilizao = - 40 a 750
o
C.

Servo Motor

Marca Sibec, 220 V, 60 Hz, tempo de trabalho a 90
o
= 15 a 120 s, ngulo de
rotao = 90
o
a 160
o
, temperatura de operao = - 20
o
C at 60
o
C.

Controladores A e B

Marca Ascon, tipo analgico, faixa de operao de 0

a 200
o
C, implementado com a
estrutura acadmica, modelo VTC 1 I N F2

2.6 - CONCLUSO

Este captulo apresentou o processo para produo de revestimentos cermicos
dando uma maior nfase ao setor de secagem. Mostrou-se o funcionamento, os
componentes e as caractersticas tcnicas de um secador vertical.
Tambm foi estudada uma srie de elementos e conceitos presentes neste secador e,
em paralelo, o sistema de controle em malha fechada para a aquisio de dados. O objetivo
foi reconhecer os elementos para poder capturar e manipular, de forma segura e confivel
os dados do processo, sendo isto decisivo para a tomada de decises no projeto.
O captulo 3 ser dedicado anlise da planta. Ser feito o modelamento matemtico
do processo e analisado detalhadamente seu comportamento atravs de simulaes em
malha fechada, visando obter o modelo que melhor represente o processo trmico de
secagem.

3. MODELAGEM E IDENTIFICAO DO PROCESSO
DE SECAGEM DE PEAS CERMICAS

3.1 - INTRODUO

A modelagem do comportamento dinmico de um processo uma etapa
fundamental do procedimento de definio e ajuste de um sistema de controle. A obteno
de um modelo matemtico que represente o funcionamento de um processo industrial deve
cumprir geralmente dois requisitos bsicos. Primeiramente, o modelo deve ser
suficientemente completo para representar fielmente a dinmica dominante do sistema. Por
outro lado, o modelo deve ser suficientemente simples para permitir a definio e o ajuste
de um sistema de controle de baixa complexidade e fcil utilizao pelos operadores. Este
equilbrio entre simplicidade e exatido (ou preciso) do modelo, pode ser obtido muitas
vezes estudando os resultados experimentais obtidos em campo.
Neste captulo, esta metodologia aplicada ao sistema trmico para secagem de
peas cermicas. Para alcanar o objetivo mencionado, analisam-se na seo 3.2, os
resultados experimentais de ensaios do tipo step-test realizados com o sistema real
funcionando em diversas situaes. Os resultados obtidos so validados comparando o
comportamento do modelo identificado com os dados experimentais em diversas situaes
de operao. O modelo assim obtido utilizado no prximo captulo para escolher a melhor
estratgia de controle para o processo.
Por fim, na seo 3.3 sero apresentadas as principais concluses obtidas neste
captulo.

CAPTULO 3: MODELAGEM E IDENTIFICAO DO PROCESSO DE SECAGEM DE PEAS CERMICAS 25
3.2 - MODELO MATEMTICO A PARTIR DA AQUISIO DE DADOS DO SECADOR
VERTICAL

A dinmica de muitos sistemas, sejam eles mecnicos, eltricos, trmicos, etc., pode
ser descrita em termos de equaes diferenciais, que podem ser obtidas utilizando-se as leis
que os governam. Mas o modelo completo depende do conhecimento de vrios parmetros
que so difceis de medir no processo. Assim, pode-se atravs de dados experimentais
encontrar as expresses finais da funo de transferncia do sistema.
O principal objetivo na utilizao de aquisio de dados no a gerao de histricos
de variveis de processo, mas sim ser um elemento bsico para a execuo de anlises e
avaliaes off-line (neste caso), alm de possibilitar a utilizao de tcnicas no
desenvolvimento de novas aplicaes para a planta (COELHO, 1999).
Para a aquisio de dados do sistema foi adotada a metodologia de anlise de
comportamento em malha fechada, dado que o secador no poder ser parado para ensaios
de malha aberta sem prejuzo de produo. Sendo assim, procedeu-se a realizao de
ensaios e levantamento de dados em operao normal.
Estas limitaes impostas pela operao do sistema, dificultaram a obteno de dados,
j que em muitas ocasies havia a interrupo da identificao pela parada da linha ou
outros problemas externos.

3.2.1 Ensaios Realizados

Foram realizadas aquisies no secador vertical nmero 1 da Eliane Revestimentos
Cermicos Unidade V.
Com este levantamento obteve-se as curvas com o comportamento da situao atual da
variao de temperatura nos seguintes casos:
a) Caso T = transio da temperatura de aproximadamente 100
o
C para
aproximadamente 160
o
C e transio da temperatura de aproximadamente160
o
C para
aproximadamente 100
o
C ;
b) Caso A = variaes da temperatura de aproximadamente 10
o
C nas vizinhanas do
ponto de operao de 160
o
C;
c) Caso B = variaes da temperatura de aproximadamente 10
o
C nas vizinhanas do
ponto de operao de 100
o
C ;

Estas aquisies foram coletadas mediante os equipamentos citados no captulo
anterior.

3.2.2 Clculo do Modelo Matemtico do Processo a partir de Dados de
Identificao

Segundo (Leal, 1996) a modelagem matemtica de um processo dinmico pode ser
definida como a determinao de um conjunto de equaes que o representam sob
determinadas condies.
Vale ressaltar que um sistema pode ser representado por vrias maneiras diferentes
e, portanto, podem haver muitos modelos matemticos que representem o comportamento
deste. Por isso, optou-se por uma descrio simplificada , tendo em mente o compromisso
entre simplicidade do modelo e sua fidelidade na representao.
Para o processo em questo, o modelo foi obtido a partir das medidas associadas ao
processo e coletadas a partir de uma realizao experimental.
Neste trabalho foi utilizada a identificao pelo teste de resposta ao degrau em malha
fechada (mudana da entrada e armazenamento das medidas em um registrador), conforme
mostra a figura 3.1:

Figura 3.1 Modelagem a partir de uma mudana na entrada

Processo
em malha
fechada
registrador
sada
Mudana de set
point pelo
operador
entrada
O modelo final uma forma do conhecimento da relao existente entre sinal de
entrada do processo e a sada, caracterizada pela funo de transferncia do processo.
A figura 3.2 mostra a estrutura de controle implementada no processo em questo.

Figura 3.2 Estrutura genrica do processo de secagem de peas cermicas

Com base nesta estrutura obtm-se:

) ( ). ( 1
) ( ). (
) (
s P s C
s P s C
s G
+
= (3.9)
onde:

) s ( C Controlador
) (s P Processo de secagem

Na literatura existe uma variedade de mtodos baseados na resposta do processo ao
degrau para identificao do melhor modelo para cada caso (ZIEGLER & NICHOLS,
1942, SUNDARESAN, 1977, SMITH, 1985, HGGLUND, 1991). Neste trabalho optou-
se pela identificao baseada no mtodo de Mollenkamp (COELHO, 1999) e pela
representao do secador por um modelo de primeira/segunda ordem com atraso.
Sensor
Secador
Atuador
Sinal de
referncia
-

Controlador
+
C(s)
)
P(s)
Assim, utilizaram-se dois modelos para representar a dinmica do secador: um
modelo de primeira ordem com atraso Pp(s) e um modelo de segunda ordem com atraso
Ps(s):

Ls
e
) Ts (
K
) s ( Pp

+
=
1
(3.10)

onde:

K = ganho esttico
T = constante de tempo
L = atraso de transporte

e

Ls
e
) s T ).( s T (
K
) s ( Ps

+ +
=
1 1
2 1
(3.11)
onde:

K = ganho esttico
1
T e
2
T = constantes de tempo

A seguir apresentam-se os resultados obtidos com a identificao:

Temperaturas [
o
C]

Modelo K T L
93,8 para 162,6 1 0,123 71,5 16,13
Caso T
161,4 para 93,5 2 0,119 71,34 14,53
156,6 para 166 3 0,424 71,42 18
165,4 para 156 4 0,415 50 12
156,6 para 146,2 5 0,415 50 12
Caso A
148,8 para 156,6 6 0,425 100 18
100,2 para 108,2 7 0,62 111,1 17,5
108,8 para 102,2 8 0,46 100 20,5
102 para 92 9 0,5 125 22.5
Caso B
91,6 para 102,4 10 0,62 101,1 16,5

Tabela 3.1 Valores estimados dos parmetros das funes de transferncia de
primeira ordem Pp(s)

Temperaturas [
o
C]

Modelo K
1
T
2
T
L
93,8 para 162,6 1 0,123 8,9 72,04 12,007
Caso T
161,4 para 93,5 2 0,119 7,98 72,04 11,98
156,6 para 166 3 0,424 15,42 72,05 10,9
165,4 para 156 4 0,415 16,06 72,03 12,5
156,6 para 146,2 5 0,415 16,5 73,2 11
Caso A
148,8 para 156,6 6 0,425 26,54 72,46 12
100,2 para 108,2 7 0,62 35,34 72,15 9
108,8 para 102,2 8 0,46 36,66 72,99 11
102 para 92 9 0,5 42,23 73,54 11
Caso B
91,6 para 102,4 10 0,62 35,46 72,06 11

Tabela 3.2 Valores dos parmetros das funes de transferncia do processo de
segunda ordem Ps(s)
Para validar o resultado da identificao, comparam-se a seguir, para cada
experimento, a resposta em malha fechada do processo real e dos modelos identificados de
primeira ordem com atraso (Pp(s)) e de segunda ordem com atraso (Ps(s)), sendo que os
controladores instalados no processo foram ajustados com o ganho proporcional (Kc) igual
a 10 % e ganho integral (Ti) igual a 72 s :

a) Transio da temperatura de 93,8
o
C para 162,8
o
C

Figura 3.3 Resposta em Malha Fechada do Processo e dos Modelos Identificados
Pp(s)
1
e Ps(s)
1

b) transio da temperatura de 161,4
o
C para 93,5
o
C

Figura 3.4 - Resposta em Malha Fechada do Processo e dos Modelos Identificados
Pp(s)
2
e Ps(s)
2

c) variaes de 156,6
o
C para 166
o
C

Pp(s)
3
e Ps(s)
3

d) variaes de 165,4
o
C para 156
o
C

Pp(s)
4
e Ps(s)
4

e) variaes de 156,6
o
C para 146,2
o
C

Pp(s)
5
e Ps(s)
5

f) variaes de 148,8
o
C para 156,6
o
C

Pp(s)
6
e Ps(s)
6

g) variaes de 100,2
o
C para 108,2
o
C

Pp(s)
7
e Ps(s)
7

h) variaes de 108,8
o
C para 102,2
o
C

Pp(s)
8
e Ps(s)
8

i) variaes de 102
o
C para 92
o
C

Pp(s)
9
e Ps(s)
9

j) variaes de 91,6
o
C para 102,4
o
C

Pp(s)
10
e Ps(s)
10


Para o ajuste dos controladores necessrio definir um modelo nominal para cada
situao de operao. Assim, calcularam-se os modelos nominais atravs dos valores
mdios das tabelas 3.1 e 3.2, tanto para os casos de primeira ordem como de segunda
ordem, conforme mostra-se a seguir:

a) Caso T : quando a linha de produo pra por um grande perodo de tempo, ocorrendo a
transio da temperatura do set point do controlador A para o set point do controlador B
ou quando o secador volta a trabalhar ocorrendo a transio da temperatura do set point do
controlador B para o set point do controlador A. Neste caso obtm-se:

s ,
T
e
) s , (
,
) s ( Pp
33 15
1 42 71
121 0

+
= e
s ,
T
e
) s , ).( s , (
,
) s ( Ps
99 11
1 44 8 1 22 72
121 0

+ +
= (3.11)

a) Caso A : quando a linha de produo pra por um pequeno perodo de tempo ou o
sistema perturbado, ocorrendo oscilaes da temperatura em relao ao set point do
controlador A. Os modelos obtidos so:

s
A
e
) s , (
,
) s ( Pp
15
1 6 66
4 0

+
= e
s ,
A
e
) s , ).( s , (
,
) s ( Ps
6 11
1 63 18 1 43 72
4 0

+ +
= (3.12)

c) Caso B : para a temperatura de funcionamento do secador quando a linha de produo
pra por um longo perodo de tempo ou o sistema perturbado, ocorrendo oscilaes da
temperatura em relao ao set point do controlador B. Os modelo para este caso so:

s ,
B
e
) s , (
,
) s ( Pp
25 19
1 3 109
55 0

+
= e
s .
B
e
) s , ).( s , (
,
) s ( Ps
5 10
1 42 37 1 68 72
55 0

+ +
= (3.13)

3.3 - CONCLUSO

Os modelos matemticos do secador foram obtidos atravs de ensaios do tipo step-
test em vrias condies de trabalho. Estes permitem identificar algumas caractersticas do
processo que tm interesse do ponto de vista do operador, tais como: o valor do ganho,
da(s) constante(s) de tempo e do atraso, os quais so fundamentais para ajustar os
controladores que se apresentam no prximo captulo.
Como caractersticas mais importantes dos modelos identificados de primeira
ordem, observou-se uma constncia em todos os valores estimados dos parmetros para o
caso T e uma variao destes parmetros para o caso A e B. Em relao aos modelos de
segunda ordem, pode-se destacar um atraso de transporte praticamente constante em todas
as situaes estudadas e uma constante de tempo e um ganho esttico varivel dependendo
da situao (caso T ou operao nas vizinhanas dos casos A e B). Observou-se, tambm,
atravs dos grficos que tanto os modelos de primeira ordem, quanto os modelos de
segunda ordem podem representar bem a dinmica do processo real. Estes modelos
identificados e validados sero utilizados no prximo captulo onde sero aplicadas algumas
estratgias de controle escolhidas para o referido processo.

4. AJUSTE DOS CONTROLADORES INDUSTRIAIS

4.1 - INTRODUO

Os processos existentes em indstrias qumicas, petroqumicas, de papel e celulose e
cermicas, entre muitas outras, constituem um campo vasto para aplicaes de tcnicas de
controle automtico. Anteriormente, antes aos anos 40 (LUYBEN, 1990), a maioria das
plantas industriais eram operadas essencialmente em modo manual, o que exigia a utilizao
de muitos operadores. Nos dias de hoje, em razo da extenso, da complexidade e da
interao entre os processos, passando tambm pelas exigncias de qualidade dos produtos
e de reduo do custo de produo, essencial a utilizao de controle automtico na
operao dos processos.
O controlador PID o tipo de controlador de estrutura fixa mais utilizado nas
aplicaes industriais, tanto no Brasil como no mundo. Esses controladores tornaram-se
disponveis comercialmente na dcada de 30, e j nos anos 40 estavam sendo utilizados na
indstria com grande aceitao (SEBORG & MELLICHAMP,1989).
Trabalhos de pesquisa recentes (TAKATSU & ARAKI, 1998) mostram que ainda
hoje mais de 95% das malhas de controle de processos industriais so do tipo PID e que as
estruturas de controle distribudo mais complexas tm o PID como elemento bsico.
Esta predominncia deve-se basicamente a: (i) uma grande quantidade de processos
industriais, principalmente os de origem trmica e qumica, possuem uma dinmica que pode
ser bem modelada por uma funo de transferncia de primeira ou segunda ordem, o que
permite que um controlador de poucos parmetros consiga obter uma performance
adequada; (ii) a ao integrativa do PID garante que o sistema em malha fechada possa
trabalhar sem erro em regime permanente, para referncias ou perturbaes constantes;
CAPTULO 4:AJUSTE DOS CONTROLADORES INDUSTRIAIS 38
(iii) a ao derivativa do PID tem caractersticas preditivas, importantes para corrigir as
dinmicas transitrias.
Em geral, pode-se dizer que para processos com dinmicas bem comportadas e
especificaes no muito exigentes, o controlador PID uma soluo que oferece um bom
compromisso entre simplicidade e bom comportamento em malha fechada.
Apesar da importncia prtica do PID e da grande quantidade de pesquisas sobre
este controlador no meio acadmico (BRUCIAPAGLIA, 1992, POSSER, 1998), normal
encontrar no meio industrial controladores PID mal ajustados e/ou mal utilizados
(NORMEY-RICO, 2001). O fato que a realizao do ajuste de controladores na base da
tentativa e erro, uma tarefa entediante e muitas vezes demorada, o que a torna custosa.
Alm do mais, esse tipo de ajuste depende muito da experincia do tcnico que o realizar.
Um outro problema, que surge quando da partida de plantas novas, o acmulo de malhas
que devem ser ajustadas, o que acaba levando o pessoal responsvel por essa tarefa a
colocar valores padres, obtidos em outras malhas semelhantes, at porque o tempo
torna-se escasso nessas ocasies, em virtude do grande nmero de problemas que surgem.
Nos captulos anteriores foi realizada uma anlise completa do processo a ser
controlado. Estudou-se seu princpio de funcionamento e fez-se a modelagem matemtica.
Neste captulo, estudam-se algumas estratgias de controle utilizadas para resolver os
problemas comumente encontrados em ambientes industriais, verificando-se as solues que
so mais apropriadas para o processo em questo.
Basicamente sero apresentadas e comparadas algumas metodologias de ajuste de
controle PI e PID, tradicionalmente usadas na indstria e outras de cunho mais acadmico.
Tambm, apresenta-se neste captulo, o ajuste de um controle preditivo generalizado (GPC)
baseado no preditor de Smith (SP) que permite considerar alm das especificaes da
resposta de temperatura, o consumo de gs do sistema, fator econmico muito importante
na indstria cermica.

4.2 - OBJETIVOS DO CONTROLE

O objetivo principal deste trabalho o de estudar alguns mtodos para ajustar os
ganhos do controlador PI que hoje faz parte do processo de secagem de peas cermicas,
de forma a melhorar o comportamento do sistema sem realizar investimentos nas reas de
hardware e nem software.
O segundo objetivo deste trabalho o de propor um novo tipo de controlador,
visando obter um melhor desempenho em relao ao j existente, utilizando algumas
propostas de projeto de controle moderno, especificamente o Controle Preditivo
Generalizado baseado no Preditor Smith (SPGPC), que tem se mostrado muito eficiente
para o controle de processos com caractersticas similares ao aqui estudado (NORMEY-
RICO & CAMACHO, 1999).
Assim, definiu-se alguns objetivos de controle a serem alcanados para os dois
casos:
a) simplicidade do controlador e ajuste dos seus parmetros,
b) seguimento assinttico de referncias constantes, com erro zero (especificao que
pode ser liberada para um erro em regime menor que 1 %),
c) rejeio de perturbaes de carga com dinmica pouco oscilatria e mais rpida que
em malha aberta,
d) transio entre os dois pontos de operao com uma dinmica mais rpida que em
malha aberta e sem oscilaes,
e) estabilidade robusta da soluo.

Para o SPGPC, tambm considera-se como especificao, a minimizao do consumo
de gs atravs da ponderao do esforo de controle.

4.3 - O CONTROLADOR PID

O controlador PID composto pela soma de trs aes : uma proporcional (P), uma
integral (I) e uma derivativa (D). A forma mais simples de implementar este tipo de
controlador mostra-se na figura 4.1, onde todas as aes encontram-se na malha direta.
Como as trs aes atuam em paralelo, obtm-se a tpica lei de controle PID:

+ +
t
d
i
c
)
dt
) t ( de
T dt ) t ( e
T
( K ) t ( u
0
1
1 (4.1)

onde :

K
c
= ganho proporcional
T
i
= tempo integral
T
d
= tempo derivativo
e(t) = erro entre a referncia r e o sinal que deseja-se controlar y:

) ( ) ( ) ( t y t r t e (4.2)

Figura 4.1 Diagrama de Blocos do PID Acadmico

4.4 - CONFIGURAES DO PID

As estruturas de implementao do PID podem ser classificadas de duas formas: (i)
pelo tipo de interao entre as aes P, I e D e (ii) pela distribuio das aes P e D dentro
da malha de controle.

4.4.1 Tipos de Controladores PID

O PID pode ser implementado com a estrutura srie ou acadmica (tambm
chamadas de interativa e no interativa) e tambm a forma paralela. Na figura 4.2, 4.3 e 4.4,
mostram-se estas trs alternativas para representar o PID. Considerando PID ideais (isto ,
sem o filtro da parte derivativa), as funes de transferncia das trs configuraes so
dadas por:

PID acadmico: ) s T
s T
( K
) s ( E
) s ( U
d
i
c
+ +
1
1 (4.3)

PID srie: ) s T ).(
s T
( K
) s ( E
) s ( U
D
I
c
+ + 1
1
1 (4.4)

PID paralelo: s K
s
K
K
) s ( E
) s ( U
d
i
c
+ + (4.5)

Figura 4.2 Estrutura Acadmica de um PID


Figura 4.3 Estrutura em Srie de um PID

Figura 4.4 Estrutura em Paralelo de um PID

Observa-se que os parmetros dos controladores so diferentes e que as funes de
transferncia dos controladores no so sempre equivalentes. Na estrutura srie, os zeros do
controlador somente podem ser reais enquanto na paralela e na acadmica podem ser reais
ou complexos conjugados. Esta ltima caracterstica til quando o sistema a controlar tem
plos complexos conjugados. A estrutura srie chamada de interativa, pois o ajuste da
ao I afeta a ao D e vice-versa.
Neste trabalho, utilizaremos a estrutura do tipo acadmica, dado que esta se
corresponde com a do sistema instalado no secador.

4.4.2 Distribuio das Aes do PID

Tanto a ao proporcional como a derivativa do PID podem gerar,
instantaneamente, grandes valores finais do sinal de controle u quando o erro e(t) varia
bruscamente, o que normalmente acontece quando h saltos no sinal de referncia do
sistema r. Para evitar este efeito geralmente prejudicial, pois leva a saturar o controle ou a
produzir respostas com pico elevado quando se muda a referncia, alguns controladores
industriais possuem dois parmetros extras de ajuste que permitem ponderar o erro de
seguimento que entra nas aes P e D do controlador. Com estas ponderaes, o
controlador passa a comportar-se como um controlador em dois graus de liberdade ou
como a soma de uma ao na realimentao mais uma pr-alimentao.
Esta diviso das aes pode ser aplicada para quaisquer das estruturas analisadas no
item anterior, porm neste trabalho utilizaremos aqui a configurao acadmica ideal do
PID.
Ao dividir as aes P e D do controlador entre o sinal de sada e o sinal de erro, a
equao que define o sinal de controle u(t) dada por:

1
]
1

+ +
dt
)) t ( y ) t ( cr ( d
T ) t ( d ). t ( e
T
) t ( y ) t ( br K ) t ( u
d
i
c
1
(4.6)

onde b ( 1 0 b ) o fator de ponderao da ao P e c ( 1 0 c ) o fator de
ponderao da ao D. Desta forma se b = 1 e c = 1 temos o PID tradicional, se b = 0 e c =
0, as aes P e D esto somente na realimentao. Como se analisam a continuao,
escolhendo valores de b e c no intervalo (0,1) o controlador pode ter a sua performance
otimizada. Na prtica muito comum encontrar a parte derivativa totalmente na
realimentao (c = 0), porm esta nem sempre a melhor soluo. No caso geral (b e c
entre 0 e 1), o controle pode ser considerado como um PD + PID ou como um controle de
realimentao mais um de pr-alimentao ou, ainda, como um controle PID mais um filtro
de referncia F
r
o que permite um ajuste que utiliza o conceito de dois graus de liberdade.
Em um primeiro momento, o controle da realimentao ajustado para obter uma boa
resposta do sistema s perturbaes de carga e, na segunda etapa do projeto do controle,
ajusta-se a pr-alimentao para uma resposta adequada s mudanas de referncia.
As funes de transferncia dos controladores PD e PID
1
da figura 4.5 calculam-se
como:
s T ) c ( K ) b ( K ) s ( PD
d c c
+ 1 1 (4.7)
e
) s cT
s T
b ( K ) s ( PID
d
i
c
+ +
1
1
(4.8)

Figura 4.5 Representao de um PD + PID

e as de C
r
e C
p
da figura 4.6 como:

) s ( PID ) s ( C
p 1
(4.9)
e
) s T
s T
( K ) s ( C
d
i
c r
+ +
1
1 (4.10)

Figura 4.6 Controle na realimentao C
p
(s) e C
r
(s)
na
e finalmente F
r
e PID
2
da figura 4.7 calculam-se como:

) s ( C ) s ( PID
r
2
(4.11)
e
) s ( C
) s ( C
F
r
p
r
(4.12)

Figura 4.7 Incluso de um filtro na referncia

O ajuste do controlador pode ser realizado com quaisquer dos esquemas utilizando
tcnicas clssicas ou empricas.

4.5 - MTODOS DE AJUSTE DO PI E PID

O ajuste de controladores tem sido tratado por muitos pesquisadores em artigos
publicados nos ltimos 60 anos. Praticamente, desde 1942, com a publicao das regras de
ajuste de Ziegler e Nichols (ZIEGLER & NICHOLS, 1942), uma grande quantidade de
pesquisadores tem investido no desenvolvimento de metodologias de ajuste destes
controladores (NORMEY-RICO, 2000, STRM & HGGLUND, 1995).
Embora existam muitas propostas de ajuste de controladores, apenas algumas delas
visam o controle de algum tipo de processo especfico. Neste item ser apresentado um
estudo comparativo onde alguns mtodos de ajuste sero aplicados especificamente para o
processo de secagem de peas cermicas.

Os modelos do processo, utilizados pelos diferentes mtodos so o modelo de
primeira ordem com atraso (4.13) e o modelo de segunda ordem com atraso (4.14), ambos
estveis em malha aberta:

Ls
e
) Ts (
K
) s ( P

+
1
(4.13)

e
Ls
e
) s T ).( s T (
K
) s ( P

+ +
1 1
2 1
(4.14)
onde:

K = ganho esttico
T ,
1
T e
2
T = constantes de tempo

A seguir so apresentadas as frmulas de clculo dos parmetros do PI e PID por
alguns mtodos propostos na literatura. Para cada um deles so apontadas as principais
caractersticas.

4.5.1 - Mtodo de Cohen-Coon

O mtodo de Cohen-Coon (COHEN-COON, 1953) baseado no modelo de
primeira ordem com atraso (4.13) e utiliza como objetivo de projeto a reduo do pico da
resposta a perturbaes de carga minimizando a integral do erro (IE). Usando a alocao de
plos dominantes do sistema o mtodo consegue que a relao entre o primeiro e segundo
pico da resposta a um degrau de perturbao seja de . A tabela 4.1 mostra as regras de
ajuste propostas para o PI e PID implementado com estrutura acadmica :

Ganhos/Controladore
s
PI PID

c
K
,
_
1
1
1
1
]
1
,
_
+
L
T
.
K
T
L
. ,
12
1
9 0

,
_
1
1
1
1
]
1
,
_
+
L
T
.
K
T
L
.
4
1
3
4

i
T
( ) L .
T
L
.
T
L
.
1
1
1
1
]
1
,
_
,
_
+
20 9
3 30
( ) L .
T
L
.
T
L
.
1
1
1
1
]
1
,
_
,
_
+
8 13
6 32

d
T

_
( ) L .
T
L
.
1
1
1
1
]
1
,
_
+ 2 11
4

Tabela 4.1 Parmetros do Mtodo de Cohen-Coon

4.5.2 - Mtodo IMC

O mtodo do IMC (RIVERA, 1986, MORARI & ZAFIRIOU, 1989) baseado no
conceito de modelo interno e utiliza o modelo de primeira ordem com atraso (4.13).
O objetivo deste controle otimizar a resposta a degraus na referncia apesar de ser
possvel o projeto de um controle de dois graus de liberdade. Usando uma aproximao de
Pade para o atraso de transporte e cancelamento dos plos do modelo do processo, o
mtodo consegue uma boa resposta ao degrau de referncia, porm, prejudicando a rejeio
de perturbaes. O algoritmo inclui tambm a constante de tempo de um filtro de primeira
ordem ( ), utilizado como um parmetro de ajuste para estabelecer um compromisso entre
robustez e desempenho. Quanto menor for mais rpida ser a resposta, porm o sistema
ser mais sensvel a incertezas. A tabela 4.2 apresenta o ajuste dos parmetros dos
controladores por este mtodo, implementado com a estrutura srie :


Ganhos/Controladore
s
PI PID
c
K
K . .
L T .
2
2 +

) L .( K .
L T .
+
+
2
2

i
T
2
L
T +
2
L
T +
d
T
_
L T .
L . T
+ 2

Tabela 4.2 Parmetros do Mtodo IMC

4.5.3 - Mtodo de Haalman

O mtodo de Haalman (HAALMAN, 1995) utiliza um modelo de segunda ordem
(4.14). O objetivo do projeto definir um modelo em malha fechada, que gere uma resposta
desejada para um degrau de referncia. Usando modelos simples e cancelamento dos plos
dos sistema, o mtodo consegue uma boa resposta ao degrau de referncia. Devido ao uso
do cancelamento, tem-se a mesma desvantagem que o mtodo IMC. O controlador
implementado com a estrutura acadmica e os parmetros de ajuste esto na tabela 4.3 a
seguir:

Ganhos/Controladores PID
K
c

L .
) T T .(
3
2
2 1
+

T
i

2 1
T T +
T
d

2 1
2 1
T T
T . T
+

Tabela 4.3 Parmetros para o Mtodo de Haalman

4.5.4 - Mtodo de Ziegler-Nichols

No seu artigo clssico ZIEGLER & NICHOLS (1942), propuseram regras de ajuste
objetivando alcanar no projeto que a relao entre o primeiro e segundo pico da resposta
a um degrau de perturbao seja de em malha fechada para sistemas, que em malha
aberta, possam ser representados por um modelo de primeira ordem com tempo morto. Os
parmetros de ajuste foram obtidos por experimentos empricos com modelos de processos
que verificam a relao 0,1 < L/T < 1. Neste mtodo os controladores foram implementados
com a estrutura acadmica. A tabela 4.4 sumariza as regras de ajuste por eles proposta.

Ganhos/Controladore
s
PI PID
c
K
,
_
L
T
.
K
,9 0

,
_
L
T
.
K
,2 1

i
T L . ,33 3
L . 2
d
T _ L . ,5 0

Tabela 4.4 Parmetros do Mtodo de Ziegler-Nichols

4.5.5 - Mtodo de ITAE (Integrated Time-Weighted Absolute Error)

A integral do erro absoluto ponderado no tempo o critrio de desempenho que
melhor concilia propriedades de desempenho e robustez. SMITH et al.(1994) determinaram
os parmetros de controladores PI e PID que minimizam o critrio ITAE para diferentes
valores de L/T. A forma da funo erro depende tanto do tipo de perturbao quanto da
localizao onde ela ocorre na malha de controle. Tambm desenvolveram expresses tanto
para o degrau na referncia (set point) quanto no distrbio na carga conforme tabelas 4.5 e
4.6 a seguir, observando que neste mtodo os controladores foram implementados com a
estrutura acadmica.

Ganhos/Controladore
s
PI PID
c
K

916 0
586 0
,
L
T
.
K
,
,
_

855 0
965 0
,
L
T
.
K
,
,
_

i
T
1
]
1
,
_
T
L
. , ,
T
165 0 03 1

1
]
1
,
_
T
L
. , ,
T
147 0 769 0

d
T

_
929 0
308 0
,
T
L
. T . ,
,
_

Tabela 4.5 Parmetros do Mtodo ITAE para referncia (set points)

Ganhos/Controladore
s
PI PID
c
K

977 0
859 0
,
L
T
.
K
,
,
_

947 0
357 1
,
L
T
.
K
,
,
_

i
T
680 0
674 0
,
T
L
.
,
T
,
_

738 0
842 0
,
T
L
.
,
T
,
_

d
T
_
995 0
381 0
,
T
L
. T . ,
,
_

Tabela 4.6 Parmetros do Mtodo ITAE para perturbao

4.5.6 - Mtodo de Astrom e Hagglund

Astrom e Hagglund (ASTRON & HAGGLUND, 1995) desenvolveram um mtodo
emprico, baseado na resposta ao degrau, que mais completo que os anteriores pois
considera um conjunto maior de especificaes, solues separadas para processos estveis
e integradores e considera simultaneamente as respostas as mudanas de set point e
perturbaes.
O mtodo considera a descrio do processo com T , a e , para plantas estveis,
sendo que estes se determinam das relaes:

T
L . K
a (4.15)
e

T L
L
+
(4.16)

Os parmetros do controlador tambm so normalizados e incluem a ponderao do
ganho proporcional b. O ganho normalizado a.K, o tempo integral normalizado L / T
i
e
o tempo derivativo L / T
d
. O mtodo emprico utiliza um conjunto de modelos para
simular o comportamento do processo real e calcula o PID pela tcnica de alocao de
plos dominantes. Finalmente os valores encontrados para estes parmetros so descritos
por funes de com coeficientes tabelados. O mtodo considera ainda a sensibilidade
mxima M
s
como parmetro de ajuste, o que permite optar por um PID mais robusto ou
mais rpido.
M
s
pondera a distncia entre o ponto 1 no diagrama de Nyquist e a curva
G(jw)C
r
(jw) onde C
r
o controle por realimentao (neste caso o PID) e G o modelo do
processo. Esta sensibilidade calcula-se como:

) jw ( C ). jw ( G
max M
r
s
+
1
1
[ ) , w 0 (4.17)

de forma que 1/M
s
a menor distncia do diagrama G(jw)C
r
(jw) ao ponto 1.Valores
maiores de M
s
implicam em menor robustez j que menores erros entre o modelo e o
processo real podem levar ao diagrama a circundar o ponto 1. A figura 4.8 ilustra este
conceito.

Figura 4.8 Medida de M
s

As funes de aproximao foram escolhidas como:

2
2 1
0

a a
e a ) ( f
+
(4.18)

e os valores de M
s
como M
s
= 2,0 para o PID rpidoe M
s
= 1,4 para o PID robusto.

A tabela 4.7 fornece os parmetros para processos estveis, que o caso do secador:

M
s
= 1,4 M
s
= 2,0
a
0
a
1
a
2
a
0
a
1
a
2

a.K
c
3,8 - 8,4 7,3 8,4 - 9,6 9,8
L / T
i
5,2 - 2,5 - 1,4 3,2 - 1,5 - 0,93
L / T
d
0,89 - 0,37 - 4,1 0,86 - 1,9 - 0,44
B 0,4 0,18 2,8 0,22 0,65 0,051

Tabela 4.7 Parmetros para o caso estvel do Mtodo de strom e Hagglund

4.6 PID de Dois Graus de Liberdade

Quando deseja-se ajustar de forma independente a resposta do sistema de controle
para mudanas de referncia e rejeio de perturbaes necessrio utilizar um controlador
de dois graus de liberdade.
Como explicado na seo 4.4.2, nos caso do PID, isto pode ser obtido utilizando a
diviso das aes P e D. Porm desta forma o controlador passa a ter cinco parmetros de
ajuste, o que dificulta a utilizao na indstria. Uma forma simples de contornar este
problema utilizar um filtro passa baixas no sinal de referncia (figura 4.9), conjuntamente
com um mtodo de ajuste que otimize a resposta do PID para perturbaes de carga. Neste
trabalho propem-se usar como controlador PID 2 DOF o PID com o ajuste ITAE
perturbao e o filtro de referncia de primeira ordem
sTf
) s ( F
+
1
1
, onde este controle
ser denominado ITAE 2 DOF. Como mostrado em (NORMEY-RICO, 2000), esta
metodologia permite obter bons resultados e bastante simples de ajustar na prtica.

Figura 4.9 Estrutura com a incluso de um filtro no sinal de referncia

F(s)
C(s) P(s)
_
+
ITAE 2 DOF

4.7 - CONTROLE PREDITIVO GENERALIZADO BASEADO NO PREDITOR DE SMITH
(SPGPC)

O Controle Preditivo Generalizado (GPC), (CLARKE et al., 1987), tem sido
implementado com xito em muitas aplicaes industriais, mostrando um bom
comportamento e um certo grau de robustez. Pode resolver muitos problemas de controle
para uma ampla gama de plantas com um nmero razovel de variveis de projeto que so
especificadas pelo operador dependendo do conhecimento prvio do processo e dos
objetivos do controle.
Uma das vantagens do GPC a possibilidade de ponderar simultaneamente o erro
de seguimento e a ao de controle, permitindo assim escolher um comportamento que
atenda as especificaes do usurio no que se refere ao compromisso comportamento-
consumo de energia. Outras vantagens so: o GPC trata as restries nas variveis de
controle e sada da planta, pode ser aplicado a processos de fase no mnima e
especialmente interessante se o processo tem atraso. Esta ltima caraterstica muito
importante devido a que os processos com atraso so muito comuns na indstria, como o
caso do sistema de controle de temperatura do secador.
Por outro lado, como toda estratgia de controle baseada em modelo o GPC
fortemente dependente da eleio do modelo do processo e das perturbaes utilizados para
calcular as predies. Assim a estrutura do preditor tem importncia fundamental no
comportamento e robustez do sistema em malha fechada, e como foi mostrado em
(NORMEY-RICO et al., 2000), a correta eleio do preditor pode levar a melhorar
consideravelmente a robustez do sistema. Finalmente, uma vez definida a estrutura de
predio e a tcnica de otimizao (que caracteriza a eleio de um controlador preditivo
especfico) ainda devem ser definidas regras de ajuste dos parmetros que possam ser
facilmente interpretadas pelos operadores, e consequentemente utilizadas em ambientes
industriais.
Levando em conta todas estas caratersticas do problema, foi proposto recentemente
um novo algoritmo de controle preditivo (o controle preditivo generalizado (GPC) baseado
no preditor de Smith (SP), SPGPC) que se baseia nas idias de otimizao quadrtica do
algoritmo GPC proposto em (CLARKE, et al., 1987) e nas caratersticas de predio do SP
proposto por (SMITH, 1958) e posteriormente modificado em (NORMEY-RICO et al.,
1997). Os resultados relacionados com a proposta do SPGPC para o caso SISO podem ser
encontradas em (NORMEY-RICO et al., 1998), sendo que em (NORMEY-RICO et al.,
2000) apresenta-se, ainda para o caso SISO, um estudo da robustez do controlador e do
ajuste de parmetros, inclusive comparando o SPGPC com outros controladores preditivos.
Nestes trabalhos, mostra-se como o SPGPC tem um procedimento de ajuste
bastante simples para ser utilizado em aplicaes reais de processos com atraso onde
existem grandes erros de modelagem, como o caso do processo aqui analisado.
Usando um modelo para predizer o comportamento da planta num dado horizonte,
o controle calculado a partir da minimizao de um critrio que considera o erro entre a
mencionada predio e a referncia, assim como uma ponderao do esforo de controle.
Desta forma, o sistema de controle obtido possui duas partes principais. Na primeira parte
ou etapa, calculam-se as predies da sada da planta, usando-se para isto um preditor
timo que permite encontrar o valor esperado da sada na presena de perturbaes
estocsticas e, na segunda etapa, o horizonte e as ponderaes do erro e do esforo de
controle devem ser definidas para a minimizao do critrio.
No caso particular do processo de secagem, a utilizao do SPGPC resulta
interessante pois permite considerar o consumo de gs natural atravs da ponderao do
esforo de controle e da escolha adequada do horizonte.

4.7.1 O Algoritmo SPGPC

O algoritmo de controle preditivo generalizado baseado no preditor de Smith
(NORMEY-RICO et al., 1998; NORMEY-RICO & CAMACHO, 1999) possue um
conjunto de propriedades que o tornam mais atrativo que o GPC tradicional para ser
utilizado em controle de processos industriais estveis.
O algoritmo SPGPC utiliza, como o GPC, uma seqncia de controles que
minimizam uma funo de custo:

[ ] [ ]
2
1
2
1
2
1

+ + + +
N
j
N
N j
) j t ( u ) j ( ) j t ( w ) t j t ( y ) j ( J (4.19)

onde N o horizonte de controle, N
1
e N
2
so os horizontes de predio, ) j ( e ) j (
so as seqncias de ponderao (que neste trabalho se escolhem ) j ( ; ) j ( 1 ),
w(t+j) a referncia futura e ) t j t ( y + a predio tima da sada do sistema em t + j
calculada em um tempo t usando um modelo incremental da planta:

A(z
-1
)y(t)=z
-d
B(z
-1
) u(t-1), (4.20)

e considerando conhecidas as predies da sada at t+d (d representa o atraso do sistema).
Nesta equao =1- z
-1
e

A(z
-1
)=1+a
1
z
-1
+a
2
z
-2
+ ... + a
na
z
-na

B(z
-1
)=b
0
+b
1
z
-1
+b
2
z
-2
+ ... + b
nb
z
-nb
(4.21)

Usando este procedimento e na ausncia de restries, a lei de controle tima se
resume na seguinte equao (NORMEY-RICO, 1998):

+
+ + + + + +
nb
i
N
i
i i
na
i
i
) i d t ( w f ) t ( u lu ) t i d t ( y ly ) t ( u
1 1
1
1
1 1 (4.22)

onde ly
i
, lu
i
e f
i
so os coeficientes calculados a partir de a
i
, b
i
e do ajuste das ponderaes
e horizontes. As predies da sada da planta se calculam usando o mesmo procedimento
que no preditor de Smith (SMITH, 1958):

se calcula a predi o ) t i d t ( y +
0
para i = 0,1,...,na usando o modelo de malha aberta
da planta ) t ( u ) z ( B z ) t ( y ) z ( A
d
1
1 1

;

se corrige cada predi o de malha aberta somando a diferena entre a sada do modelo e
a do processo, isto , para i = 0,1,...,na, se calcula:

) i t ( y ) i t ( y ) t i d t ( y ) t i d t ( y + + +
0 0
(4.23)

Para melhorar a robustez do sistema, possvel incluir um filtro passa-baixa F no
controlador o qual utilizado para filtrar o erro entre o modelo e o processo
) i t ( y ) i t ( y ) i ( e
0
antes de somar ao valor da predio em malha aberta
(NORMEY-RICO & CAMACHO, 1999). O filtro F pode ser usado para aumentar o valor
do ndice de robustez do sistema de controle na faixa de freqncias desejadas sem alterar o
comportamento nominal as trocas de referncias, porm se modifica a rejeio de
perturbaes, como sucede tambm em GPC (YOON & CLARKE, 1995).

4.7.2 Ajuste Robusto dos Parmetros do SPGPC

Como j foi mencionado, o ajuste do controlador preditivo depende
fundamentalmente dos horizontes de controle (N), das ponderaes () e dos filtros do
preditor (F).
Neste trabalho a anlise do ajuste destes parmetros considera que a dinmica do
processo pode ser aproximada por um sistema de primeira ordem com atraso:

Ls
n
e
Ts
K
) s ( P

+
1
(4.24)

O modelo discreto, para perodo de amostragem T
s,
do processo e segurador de ordem zero
dado por:

d
n
z
a z
b
) z ( P

(4.25)

Assim tendo em conta o tipo de processo em estudo, os horizontes do SPGPC se
elegem como N
1
= d+1, N
2
= d+N , de tal forma que se considera as predies somente
depois de transcorrido o tempo morto e se simplifica o ajuste a um nico horizonte. O valor
de N se elege ento considerando uma janela de tempo que captura a dinmica transitria do
sistema (normalmente um valor entre 10 e 15).
Com estes parmetros j fixados, o ajuste final do controle se tem elegendo
adequadamente e o filtro de robustez F. Supondo que o mdulo do erro de modelagem,
relativo ao modelo do processo, pode ser limitado superiormente no domnio da freqncia
por uma funo ) w ( P (MORARI & ZAFIRIOU, 1989):

) e ( F ) e ( G ) e ( C
) e ( G ) e ( C
) w ( I ) w ( P
jw jw
n
jw
jw
n
jw
r
+
<
1
; ] T / , [ w 0 (4.26)

onde G
n
o modelo do processo sem atraso e C o controle primrio equivalente do
controlador SPGPC como mostrado na figura 4.10:

Figura 4.10 Estrutura do SPGPC

Fr
P
F
C
G
n
z
-d
Controle primrio
Controle sada
Referncia
+
_
+
+
_
+
Neste esquema, C depende apenas do modelo sem atraso e de (NORMEY-RICO
& CAMACHO, 1999). O efeito de na robustez do sistema se estuda analisando a forma
de I
r
(w) para diferentes valores de com F = 1 conforme figura 4.11:

Figura 4.11 I
r
para variaes de

e para =1 e diferentes filtros do tipo
z
z ) (
F
1
(ver figura 4.12).

n
d
i
c
e

d
e

R
o
b
u
s
t
e
z

s
e
m

F
i
l
t
r
o

Freqncia Normalizada
n
d
i
c
e

d
e

R
o
b
u
s
t
e
z

c
o
m

F
i
l
t
r
o

1 em todos os casos

Figura 4.12 I
r
para variaes de

Na figura 4.13 se mostra os valores de P para diferentes valores de L, um ganho
fixo e erros na estimao de atraso de 20 %.

Figura 4.13 Erro de modelagem P

Como se observa nas figuras, o ajuste de no permite uma suficiente melhora na
robustez do controlador na faixa de freqncia de interesse, onde o erro de modelagem
mais importante (entre 0,1 e 1). Por outro lado, o ajuste do filtro de robustez permite
modificar consideravelmente o I
r
na mesma faixa. A outra vantagem de utilizar um filtro
para este propsito que o comportamento nominal do sistema ao seguimento de referncia
no se modifica.
Assim, se prope utilizar o ajuste de apenas para ponderar o esforo de controle e
o ajuste de para conseguir a condio de robustez desejada. Desta forma o controlador
resultante tem apenas dois parmetros de ajuste que tem um significado fsico para o
operador ( e ). No prximo captulo, mostra-se como ajustar o SPGPC e compara-se o
comportamento obtido com o dos PIDs.
M
d
u
l
o

d
o

E
r
r
o

R
e
l
a
t
i
v
o

L = 10
L = 6
L = 2


4.8 - CONCLUSO

Os mtodos de ajuste de controladores PID mais conhecidos e utilizados no meio
industrial tm como grande vantagem a simplicidade, porm no permitem utilizar
especificaes de controle diferentes e mais apropriadas para uma dada aplicao. Por este
motivo, eles so geralmente usados como ponto de partida para ajustes empricos baseados
no conhecimento do processo por parte do operador. J os mtodos mais modernos, e
tambm menos conhecidos e utilizados, tm uma srie de vantagens sobre os mtodos
anteriores por permitirem maior liberdade no ajuste e a obteno de um conjunto maior de
especificaes.
Por outro lado, os algoritmos mais modernos, como o SPGPC, permitem ajustes
bastantes simples para processos de primeira ordem com atraso, considerando
simultaneamente o erro de modelagem e a ponderao simultnea do erro de seguimento e
da ao de controle, obtendo assim um compromisso entre comportamento, robustez e
reduo no consumo de combustvel (gs natural).
No prximo captulo, avalia-se o desempenho desses mtodos de controle e aponta-
se a soluo mais adequada para o processo, levando em considerao os objetivos traados
anteriormente.

5. AVALIAO DOS AJUSTES DOS CONTROLADORES

5.1 - INTRODUO

No captulo anterior, apresentaram-se alguns mtodos para o ajuste de
controladores PI e PID bastante usados em ambientes industriais. Para verificar se estas
propostas realmente esto de acordo com as especificaes de desempenho exigidas no
processo de secagem de peas cermicas, necessrio que as mesmas sejam testadas e
avaliadas. Para realizar estas avaliaes, foram executados testes simulados e experimentais.
Apresentam-se neste captulo os resultados da anlise comparativa .
Este captulo est organizado da seguinte forma. Na seo 5.2 sero comparados os
resultados encontrados para os diferentes ajustes do controlador PI e na seo 5.3 os
correspondentes ao controlador PID. A comparao entre os controladores projetados
considera o seguimento de referncias, a rejeio de perturbaes e o esforo de controle.
Como resultado deste estudo escolhem-se os mtodos de ajuste dos controladores PI e PID
que apresentam melhor desempenho.
Utilizando o mtodo escolhido, estuda-se, na seo 5.4, a robustez da soluo para
cada caso, fazendo os ajustes necessrios para obter um compromisso entre a performance e
a robustez dos controladores.
Na seo 5.5 apresenta-se o projeto do controlador preditivo generalizado baseado
no preditor de Smith, comparando-o com o controlador PID ajustado. Assim procura-se
mostrar as vantagens que este tipo de controlador tem em relao aos demais controladores
aqui estudados, principalmente no que se refere a economia de combustvel.
Na seo 5.6 apresentam-se os resultados experimentais com a utilizao do
controlador PI analgico instalado no processo, mostrando o desempenho do sistema nas
condies anteriores e posteriores aos ajustes propostos para este controlador. Por fim, a
seo 5.7 apresenta as concluses do captulo.
CAPTULO 5:AVALIAO DOS AJUSTES DOS CONTROLADORES
63
5.2 - AJUSTE DO CONTROLADOR PI

Utilizando os mtodos de ajuste vistos no captulo anterior, mostram-se nas tabelas
5.1, 5.2 e 5.3 os valores calculados dos parmetros dos controladores para cada caso:

Mtodos/Parmetros K
c
T
i
Ziegler/Nichols 34,652 51,048
Cohen-Coon 35,341 35,339
ITAE Referncia 19,826 71,808
ITAE 2 DOF 31,923 37,216
IMC ( = 26,061) 25,079 79,085

Tabela 5.1 Valores dos parmetros K
c
e T
i
T

Mtodos/Parmetros K
c
T
i
Cohen-Coon 10,198 34,072
ITAE 2 DOF 9,213 35,858
IMC ( = 25,5) 7,29 74,1

c
e T
i
A

Mtodos/Parmetros K
c
T
i
Cohen-Coon 9,44 46,92
ITAE 2 DOF 8,52 49,78
IMC ( = 32,72) 6,6 118,92

c
e T
i
B
64
Para avaliar o comportamento dos diferentes controladores realizaram-se diversas
simulaes. A seguir apresentam-se graficamente somente os melhores resultados dos
mtodos estudados, no que se refere ao comportamento em malha fechada do sistema de
secagem de peas cermicas para seguimento de referncia, rejeio a perturbaes e o
esforo de controle nos casos P(s)
T
, P(s)
A
e P(s)
B
. Em todos estes casos aplicou-se para a
simulao, um degrau unitrio na entrada e uma perturbao unitria no tempo de 500.
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tempo
S
a
d
a
IMC
ITAE referncia
ITAE 2 DOF

Figura 5.1 Desempenho dos controladores PI em relao ao processo P(s)
T

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0
5
10
15
20
25
30
Tempo
C
o
n
t
r
o
l
e
IMC
ITAE refernci a
ITAE 2 DOF

T
65

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tempo
S
a
d
a
I MC
ITAE refernci a
I TAE 2 DOF

Figura 5.3 Desempenho dos controladores PI em relao ao Caso P(s)
A

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
Tempo
C
o
n
t
r
o
l
e
IMC
ITAE referncia
ITAE 2 DOF

A

66

0 500 1000 1500
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tempo
S
a
d
a
IMC
ITAE referncia
I TAE 2 DOF

Figura 5.5 Desempenho dos controladores PI em relao ao processo P(s)
B

0 500 1000 1500
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Tempo
C
o
n
t
r
o
l
e
IMC
ITAE refercia
ITAE 2 DOF

B

67
A partir dos resultados obtidos, observa-se que o mtodo ITAE-2DOF o que
apresenta o melhor desempenho em relao perturbao. Isto um fator importante no
processo de secagem de peas cermicas, pois freqentemente ocorre este tipo de situao.
Esta soluo de dois graus de liberdade permite tambm ajustar satisfatoriamente as
respostas para seguimento de referncias e esforo de controle. Nas simulaes o filtro
usado na referncia foi:

1 25
1
) (
+
=
s
s F (5.1)

5.3 - AJUSTES PARA O CONTROLADOR PID

Da mesma forma que na seo anterior mostram-se nas tabelas 5.4, 5.5 e 5.6 os
valores calculados dos parmetros dos controladores PID para cada caso:

Mtodos/Parmetros K
c
T
i
T
d
Ziegler/Nichols 46,203 30,66 7,66
Cohen-Coon 53,403 34,674 5,365
Haalman 3,508 80,669 7,558
ITAE Referncia 29,724 96,847 5,266
ITAE 2 DOF 48,156 27,247 5,885
IMC ( 832 3, = ) 34,108 79,085 6,922
Astrom e Hagglund Ms = 1,4
( b = 0,45 )
41,939 49,161 11,25
( b = 0,247 )
81,102 36,6 9,308

c
, T
i
e T
d
T

68
Mtodos/Parmetros K
c
T
i
T
d
Ziegler/Nichols 13,32 30 7,5
Cohen-Coon 15,425 33,797 5,239
Haalman 5,233 91,06 14,81
ITAE Referncia 8,629 90,502 5,135
ITAE 2 DOF 13,918 26,326 5,757
IMC ( 75 3, = ) 9,88 74,1 6,74
( b = 0,454 )
11,59 47,102 10,875
( b = 0,248 )
22,366 35,359 8,978

c
, T
i
e T
d
A

Mtodos/Parmetros K
c
T
i
T
d
Ziegler/Nichols 13,57 34 8,5
Cohen-Coon 15,323 40,399 6,087
Haalman 6,99 110,1 24,701
ITAE Referncia 7,635 264,373 6,237
ITAE 2 DOF 13,47 38,514 6,55
IMC ( 25 4, = ) 9,434 208,5 8,153
( b = 0,412 )
23,444 72,121 14,337
( b = 0,231 )
47,917 48,12 12,572

c
, T
i
e T
d
B

Os mesmos testes de simulao realizados com os controladores PI foram repetidos
com os controladores PID. Os resultados mostram-se a continuao.
69
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Tempo [ s]
S
a
d
a
IMC
ITAE referncia
I TAE 2 DOF

Mt odos

Figura 5.7 Desempenho dos controladores PID em relao ao processo P(s)
T
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
Tempo

C
o
n
t
r
o
l
e
IMC
ITAE referncia
ITAE 2 DOF

Mtodos

5.8 Esforo do controlador PID para o processo P(s)
T
70
0 200 400 600 800 1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tempo [s]
S
a
d
a
IMC
ITAE referncia
ITAE 2 DOF

Mt odos

A

0 2 0 0 4 0 0 6 0 0 8 0 0 1 0 0 0
- 2
0
2
4
6
8
1 0
1 2
Tem p o
C
o
n
t
r
o
l
e
IM C
I TA E r ef er nc i a
I TA E 2 D O F

M t o d o s

A
71
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Tempo [s]
S
a
d
a
IMC
ITAE referncia
ITAE 2 DOF

Mt odos

B

0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12
Tempo

C
o
n
t
r
o
l
e
IMC
ITAE refernci a
ITAE 2 DOF

Mt odos

B
72
Observa-se tambm que para o controlador PID o mtodo ITAE-2DOF o que
apresenta o melhor desempenho em relao perturbao. Da mesma forma que no caso do
controlador PI, esta soluo de dois graus de liberdade permite ajustar satisfatoriamente as
respostas para seguimento de referncias e esforo de controle.

5.4 - ESTUDO DA ROBUSTEZ DAS SOLUES

Nesta seo ser apresentado um estudo da robustez dos controladores PI e PID
para as melhores solues da seo anterior em cada caso.
Para o estudo da robustez das solues supe-se que a planta pode ser representada
por uma famlia de funes de transferncia. No caso particular do secador considera-se que
cada funo de transferncia (F.T.) identificada Gi(s) um elemento da famlia e que a F.T.
escolhida para o ajuste dos controladores o modelo nominal G(s). Desta forma pode-se
escrever que:

Gi(s)=G(s) + DG(s) = G(s) (1+ dG(s)) (5.2)

o qual permite definir um erro de modelagem entre o processo real e o modelo que , na sua
forma multiplicativa, representado por dG(s). Utilizando um diagrama de Nyquist do
sistema controlado pelo PI ou PID (que denomina-se aqui C(s)) possvel definir um ndice
de robustez para o controlador como:

) jw ( C ). jw ( G
) jw ( C ). jw ( G
Ir
+
=
1
[ ) , w 0 (5.3)

de forma tal que para que o controlador mantenha a robustez de malha fechada para
quaisquer planta da famlia necessrio que se verifique:

) jw ( dG max Ir > [ ) , w 0 (5.4)
73
Em geral quando deseja-se que o sistema de controle mantenha uma resposta pouco
oscilatria e no apenas estvel, define-se uma distncia mnima entre o ndice de robustez e
o erro de modelagem:
0 e ) jw ( dG max Ir + > [ ) , w 0 (5.5)

Assim, denominando de erro mximo funo da freqncia obtida como:

0 e ) jw ( dG max max _ erro + = [ ) , w 0 (5.6)

para um dado e0, possvel analisar a robustez do controlador e ajusta-lo adequadamente
utilizando grficos no domnio da freqncia com os valores de Ir e erro_max.
Alm disso deve observar-se que o ndice de robustez do controlador a inversa do
mdulo da F.T. de malha fechada do sistema pelo que o prprio ndice pode ser usado
como uma medida de comportamento em malha fechada. Nota-se que sempre existe um
compromisso entre robustez e comportamento pois uma maior freqncia de corte do
sistema em malha fechada implica em menores valores do Ir e consequentemente em menor
robustez.
A seguir, o ndice de robustez dos controladores PI e PID juntamente com o erro de
modelagem e o erro mximo ( para 5 0
0
, e = ) so mostrados para diferentes situaes.

74

10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Robustez Caso T
Freqncia
M
d
u
l
o
ndice de robustez PI
ndice de robustez PID
erro mximo
PI : Kc = 31.9 e Ti = 37.2
PID : Kc = 48.1, Ti = 27.2 e Td = 5.8

T

10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Robustez - Caso A
Freqncia
M
d
u
l
o
PI : Kc = 9.2 e Ti = 35.8
PID : Kc = 13.9, Ti = 26.3 e Td = 5.7
erro mximo
erro de modelagem

A
75
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Freqncia
M
d
u
l
o
PI : Kc = 8,5, Ti = 49,7
PID : Kc = 13,4 , Ti = 38,5 , Td = 6,5
ndice de robustez do PI
ndice de robustez do PID
erro mxi mo
erro de model agem

B

Observa-se que com os ajustes analisados nas sees anteriores os controladores
no atendem a especificao de robustez, e em algumas situaes levariam ao sistema
instabilidade. Para obter uma soluo robusta do problema os controladores foram
reajustados e os resultados se apresentam nos grficos a seguir:

10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Aj uste da Robustez dos Control adores PI e PID para o Processo T
Freqncia
M
d
u
l
o
erro mxi mo
PI : Kc = 20, Ti = 40
PID : Kc = 35, Ti = 40, Td = 6
erro de model agem

T
76
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Freqnci a
M
d
u
l
o
Aj ust e da Robust ez dos Cont rol adores PI e PI D para o Processo A
ndi ce de robustez PI
ndi ce de robustez PID
erro mxi mo
PI : Kc = 5, 5 , Ti = 40
PI D : Kc = 7, Ti = 40, Td = 5
erro de model agem

A

10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
Aj ust e da Robust ez dos Cont r ol ador es PI e PI D par a o Pr ocesso P( s) B
Freqnci a
M
d
u
l
o
er r o mxi mo
ndi ce de robust ez PI
ndi ce de robust ez PI D
PI : Kc = 8, Ti = 65
PI D : Kc = 10, Ti = 60, Td = 5

B

77
Das figuras observa-se que sempre possvel acelerar a resposta do sistema com o
uso da ao derivativa do PID. Deve ser ressaltado que o ajuste destes controladores no
timo e que poderia ser melhorado utilizando ferramentas mais complexas de clculo para o
coeficientes dos controladores. Porm, neste trabalho optou-se por uma metodologia
simples e baseada em conceitos clssicos.
As respostas em malha fechada do secador com os novos ajustes mostram-se nas
prximas figuras (5.19 a 5.24) para o modelo nominal nos casos A, B e T.
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tempo
S
a
d
a
PI
PID
Caso T

Figura 5.19 Respostas dos Controladores Ajustados para o Modelo Nominal do Caso T

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
5
10
15
20
25
Tempo
C
o
n
t
r
o
l
e
PI
PID

Figura 5.20 Esforo de Controle para o Modelo Nominal do Caso T
78

0 100 200 300 400 500
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tempo
S
a
d
a
PI
PID
Caso A

Figura 5.21 Respostas dos Controladores Ajustados para o Modelo Nominal do Caso A

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
1
2
3
4
5
6
Tempo
C
o
n
t
r
o
l
e
PI
PI D

Figura 5.22 Esforo de Controle para o Modelo Nominal do Caso A

79

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
0. 2
0. 4
0. 6
0. 8
1
1. 2
1. 4
Tempo
S
a
d
a
PI
PID
Caso B

Figura 5.23 Respostas dos Controladores Ajustados para o Modelo Nominal do Caso B

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
Tempo
E
s
f
o
r
o

d
e

C
o
n
t
r
o
l
e

Figura 5.24 Esforo de Controle para o Modelo Nominal do Caso B

80
Para comprovar o ajuste robusto mostram-se nas figuras 5.25 a 5.28 as respostas
obtidas para diferentes modelos da famlia ( os identificados no captulo 3 e apresentados na
tabela 3.1).
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tempo
S
a
d
a
Modelo nominal
Modelo 1
Modelo 2 e 3
Modelo 4
Caso A

Figura 5.25 Respostas dos Modelos de Primeira Ordem para o Caso A

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
1
2
3
4
5
6
7
Tempo
C
o
n
t
r
o
l
e
Modelo nominal
Modelo 1
Modelo 2 e 3
Modelo 4

Figura 5.26 Esforo de Controle dos Modelos de Primeira Ordem para o Caso A

81

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
Tempo
S
a
d
a
Modelo nominal
Modelo 7
Modelo 8
Modelo 9
Modelo 10
Caso B

Figura 5.27 Respostas dos Modelos de Primeira Ordem para o Caso B

0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
-2
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
Tempo
C
o
n
t
r
o
l
e
Modelo Nominal
Modelo 7
Modelo 8
Modelo 9
Modelo 10

Figura 5.28 Esforo de Controle dos Modelos de Primeira Ordem para o Caso B

Nota-se como j esperado, que as respostas dos controladores PID ajustados
tiveram melhor desempenho em comparao com os controladores PI.

82
5.5 - CONTROLADOR PREDITIVO GENERALIZADO BASEADO NO PREDITOR DE
SMITH (SPGPC)

O ajuste do SPGPC foi realizado como especificado no captulo 4 para o modelo
nominal do caso A do secador. Utilizando N = 10 e = 0,7 mostra-se na figura 5.29 a
resposta do sistema para diversos valores de , tanto para o seguimento de referncias
como para a rejeio de perturbaes (observa-se que a seqncia de sinais de entrada e
perturbao a mesma que a utilizada para o teste dos controladores PID).

0 100 200 300 400 500
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
tempo
s
a
d
a
l ambda=0.1
l ambda=0.5
l ambda=0.02

Figura 5.29 Resposta do Sistema para Diversos Valores de Lambda

Assim possvel ajustar o esforo de controle e consequentemente o consumo de
gs natural. Observa-se que para maiores o consumo diminui.
0 100 200 300 400 500
0
1
2
3
4
5
6
7
8
t empo
c
o
n
t
r
o
l
e
l ambda=0. 1
l ambda=0. 02
l ambda=0. 5

Figura 5.30 Esforo do Controle para Diversos Valores de Lambda
83
Na prtica deve ser utilizado um valor de que apresente um bom compromisso
entre a resposta dinmica e o consumo.
Usando = 0,1 analisa-se a robustez do sistema simulando o controlador com
vrios modelos do processo.
0 1 0 0 2 0 0 3 0 0 4 0 0 5 0 0
0
0 . 2
0 . 4
0 . 6
0 . 8
1
1 . 2
1 . 4
T e mp o
S
a
d
a
a j u s t e c o m l am b d a = 0 . 1

5.31 Resposta para Diversos Modelos do Processo Caso A

0 100 200 300 400 500
-1
0
1
2
3
4
5
6
7
Tempo
C
o
n
t
r
o
l
e
aj ust e com l ambda=0. 1

5.32 Esforo de Controle para Diversos Modelos do Processo Caso A

84
O comportamento pode ser comparado ao do PID a partir dos resultados
apresentados nas figuras 5.31/5.32 e 5.25/5.26. Assim observa-se:
o controle mais suave
uma menor variao da resposta (melhor robustez)
um melhor desempenho, principalmente na rejeio de perturbaes, onde o GPC
permite obter uma resposta de 20 a 30% mais rpida.

Utilizando os mesmos procedimentos citados anteriormente, pode-se projetar e
ajustar este tipo de controlador para os modelos dos casos B e T. Mas como o objetivo
proposto para este trabalho apontar as vantagens do SPGCP em relao a outros
controladores, estes casos no so apresentados.

5.6 - RESULTADOS EXPERIMENTAIS

Nesta seo apresentam-se os resultados experimentais com as modificaes dos
parmetros dos controladores PI analgicos instalados no processo. Estes ajustes usaram
como ponto de partida os valores de T
i
e K
c
calculados na seo 5.4. Como em toda
aplicao real foi necessrio realizar um reajuste de T
i
e K
c
de forma emprica. A tabela
mostra os resultados destes ajustes:

Parmetros Analticos Parmetros Aplicados
K
c
(%) T
i
(s) K
c
(%) T
i
(s)
Caso A 5,5 40 4 45
Caso B 8 65 5 70
Caso T 20 40 19 45

Tabela 5.7 Valores dos parmetros analticos e os aplicados (K
c
e T
i
) nos diversos casos

85
Os grficos a seguir, demonstram o desempenho do controlador antes e depois dos
ajustes efetuados.

Figura 5.33 Respostas do Caso T para os Controladores PI Analgico

Figura 5.34 Respostas do Caso A para os Controladores PI Analgico
Kc = 19 %
Ti = 45 s
Kc = 10 %
Ti = 72 s
Kc = 10 %
Ti = 72 s
Kc = 4 %
Ti = 45 s
86

Figura 5.35 Respostas do Caso B para os Controladores PI Analgico

Observam-se nestes grficos que as respostas ao seguimento de referncia e a
perturbaes para todos os casos foram melhores do que as anteriores. Com esse melhor
desempenho obteve-se no processo uma melhora significativa em termos de qualidade e
produtividade.

5.7 - CONCLUSO

Os resultados deste captulo mostraram que o mtodo ITAE 2 DOF ajustado de
forma robusta pode ser usado como uma alternativa ao mesmo tempo simples e eficiente
para a soluo do problema de controle de temperatura do secador permitindo uma boa
resposta do sistema para mudanas de referncia e rejeies de perturbaes.
Mostrou-se tambm que esta tcnica permite resultados tambm satisfatrios
quando dispe-se unicamente de controladores do tipo PI, como o caso real e atual do
secador estudado.
Kc = 5 %
Ti = 70 s
Kc = 10 %
Ti = 72 s
87
O estudo da robustez dos controladores analisados mostrou que, em algumas
situaes, o sistema tornava-se instvel, o que comprova que os mtodos mais simples de
ajuste de PID no podem ser utilizados de forma direta e que necessrio o re-ajuste dos
parmetros para garantir um funcionamento seguro.
Notou-se como j esperado que as respostas dos controladores PID ajustados
tiveram melhor desempenho em comparao aos controladores PI.
Por fim, apresentou-se o ajuste do controlador SPGPC, que permite ponderar
simultaneamente o erro de seguimento e a ao de controle, visando obter um compromisso
entre comportamento em malha fechada e economia de combustvel (gs natural). Mostrou-
se como mantendo constantes o horizonte N e o filtro de robustez possvel ajustar o valor
de para encontrar o melhor compromisso entre as caractersticas citadas anteriormente.

6. CONCLUSES E PERSPECTIVAS

O presente trabalho apresentou um estudo sobre o controle trmico de um secador
vertical de ciclo contnuo para revestimentos cermicos, onde foram estudadas algumas
particularidades do processo e do sistema de controle.
Primeiramente, realizou-se o estudo para determinao de um modelo matemtico a
partir da aquisio de dados do secador que representasse as caractersticas do processo de
secagem. O comportamento do modelo obtido, foi representado por um modelo de primeira
ou segunda ordem com atraso. Com estes modelos, foram apresentadas e testadas vrias
tcnicas de ajuste de controladores PI e PID industriais. Dentre os mtodos analisados o
denominado ITAE 2 DOF apresentou melhores resultados. Este mtodo de ajuste foi
derivado do conhecido mtodo que minimiza o ITAE para as perturbaes de carga com a
incluso de um filtro passa baixas no sinal de referncia. Para determinar o ajuste final do
controlador realizou-se um anlise de estabilidade e comportamento robusto, que
considerou as diferentes situaes de trabalho identificadas no sistema real.
Para validar os resultados do projeto foram realizados diversos testes de simulao.
Nestes testes verificou-se o comportamento do sistema, tanto nas vizinhanas do ponto de
funcionamento escolhido (caso A e B), quanto nas transies (caso T) . Os resultados
obtidos mostraram o bom desempenho do controle proposto e permitiram comparar os
controladores PI e PID ajustados, levando em considerao o comportamento dinmico no
que se refere a seguimento de referncias, rejeio a perturbaes e a robustez.
Apresentou-se tambm, atravs de simulao, o projeto de um controle preditivo
generalizado baseado no preditor de Smith (SPGPC), que tem como principal objetivo obter
um melhor compromisso entre a resposta dinmica e o consumo de gs, utilizando ao
mesmo tempo uma metodologia de ajuste simplificada. Os resultados de simulao obtidos
com esta estratgia foram bastante satisfatrios tanto na simplicidade do ajuste como no
CAPTULO 6: CONCLUSES E PERSPECTIVAS 88
desempenho e robustez. De forma geral, este controlador permite obter uma melhor relao
performance robustez que o PID, que deve-se fundamentalmente possibilidade de
compensar o atraso de transporte do sistema.
Por fim, realizaram-se os ensaios experimentais no secador com os valores dos
ajustes propostos para o controlador PI analgico (nico disponvel no processo real), onde
foram obtidos bons resultados. Aps a mudana nos ajustes dos controladores foi realizado
um acompanhamento do funcionamento do secador durante alguns meses. Neste processo
estimaram-se algumas variveis do tipo econmico-industrial que avaliam a importncia das
modificaes introduzidas. Estas foram:

um aumento de 2 % na qualidade final do processo devido a diminuio dos
defeitos do tipo covinha, Ra e furo, defeitos estes oriundos de uma m secagem;

aumento na produo, de 1 %, isto porque, quando acontece a variao de
temperatura nas peas cermicas, as mesmas possuem uma conseqente variao na
resistncia mecnica, ocasionando a quebra das mesmas;

uma economia de gs natural importante, porm no mensurvel de forma exata
porque o equipamento ainda no possui um medidor de vazo instalado.

Assim, os resultados deste trabalho podem ser considerados como muito positivos j
que tem contribudo, de forma significativa, para melhorar o comportamento do sistema de
controle do secador e como conseqncia do processo cermico.

Como trabalhos futuros, e com o objetivo de melhorar o comportamento do sistema
de controle de secagem, pretende-se substituir o controlador analgico instalado por um
controlador PID ou por um controle digital que permita o uso da tcnica de controle
preditivo SPGPC.
Por outro lado, a metodologia aplicada nesta dissertao poder vir a ser usada
trabalhos futuros na indstria cermica de revestimentos, como por exemplo nos demais
CAPTULO 6: CONCLUSES E PERSPECTIVAS 89
tipos de secadores, nos atomizadores e principalmente nos fornos, que so parte
fundamental do processo cermico.

7. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS

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CAPTULO 6: REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 91

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