8.

Semicondutores
8.1 - Desenvolvimentos histricos e propriedades bsicas
8.2 - xcitons
8.3 Estatstica de portadores em semicondutores intrnsecos
8.4 Doadores e aceitadores
8.5 Junes p-n e outros dispositivos
8.6 Crescimento epitaxial, heteroestruturas, engenharia de gap

Ningum deve trabalhar em semicondutores, so

uma baguna. Ningum sabe realmente se
semicondutores existem ou no!
(Wolfgang Pauli, 1931)
Fsica Fundamental
(exemplo: metrologia)
1

Fsica Aplicada
(exemplo: chip)

hc
137.035 988 0.000 02
e2

Efeito Hall Quntico:

Prmio Nobel (1985)

Prmio Nobel (2000)

Desenvolvimentos Histricos
-1731 Stephen Gray: Conduo de eletricidade em slidos e lquidos
Pilha de Volta

Volta (1745-1827)

-1782 Alessandro Volta: Materiais de

natureza semicondutora

-1821 Humphry Davy: Poder de conduo dos metais

diminui com o aumento da temperatura
-1833 Michael Faraday: Comportamento oposto ao
de metais em diversos compostos
Davy (1778-1829)

-1851 J. W. Hittorf:
Medida de vs. T em Cu2S
e Ag2S
Faraday (1791-1867)

Condutividade

0e c / T
1000/T

-1879 Edwin Hall: Efeito Hall. Quem so os portadores?

Campo
Fora
magntico
magntica em
portadores
positivos
Fora eltrica
devido ao
acmulo de
cargas

Sentido da corrente
convencional

Efeito Hall para

portadores de carga
positivos

-1897 J. J. Thomson: Descoberta

do eltron

Thomson (1856-1940)

B para
dentro, I para
cima

Fm qv B
Fora de Lorentz

-1899-1900 Riecke e Drude: Modelo de conduo

eletrnica por metais
2
ne

Modelo de Drude
D
m

Drude (1863-1906)

-1906 Koenigsberger: Teoria de dissociao.

Eltrons se dissociariam dos ons para participar na
conduo

n n0eQ / T

-1924 Gudden: Comportamento no

reprodutvel seria devido presena no
controlada de impurezas

Exemplo: Cu2O

1000/T

-1926 Mecnica quntica: Equao de Schrdinger

h 2 2

2m V (r) (r) E (r)

Schrdinger (1887-1961)

-1928 Felix Bloch: Equao de Schrdinger em um potencial peridico

Teorema de Bloch:

nk (r) eikrunk (r)

-1930 Alan Wilson: Teoria de bandas para semicondutores intrnsecos

e extrnsecos. Impurezas doadoras e aceitadoras
- Dcada de 40: Estudo em silcio e germnio, melhores amostras

- 23/12/1947 Bardeen, Shockley e Brattain:

Descoberta do transistor
Deu no New York Times: A device called a transistor,
which has several applications in radio where a vacuum tube
ordinarily is employed, was demonstrated for the first time
yesterday at Bell Telephone Laboratories, 463 West Street, where
it was invented.

Prmio Nobel em 1956

O primeiro transistor

Bardeen (1908-1991)
Shockley (1910-1989)
Brattain (1902-1987)

- 1954 Bell Labs Inveno

da clula solar de silcio

- 1958 Noyce e Kilby Inveno do circuito integrado

Prmio Nobel em 2000

- 1965 Lei de
Moore:
miniaturizao

- 1958 Leo Esaki Aplicao do tunelamento quntico:

inveno do diodo-tnel

Prmio Nobel em 1973

- 1963 Alferov e Kroemer Proposta do laser de
heteroestruturas semicondutoras, construdo em 1969 por
Alferov

Prmio Nobel em 2000

Esaki (1925- )

- Dcada de 70 Crescimento epitaxial e engenharia de gap

Laser azul de InGaN (1998)

- 1980 Klaus von Klitzing Efeito Hall Quntico

Prmio Nobel em 1985

- 1982-83 Strmer, Tsui e
Laughlin Efeito Hall Quntico
fracionrio

Prmio Nobel em 1998

- 1981 Binnig e Rohrer
Inveno do STM (scanning
tunneling microscope)

Prmio Nobel em 1986

h2
RH 2
ie

Propriedades Bsicas
Estrutura Cristalina
Desde Sc. XVIII, regularidade e
perfeio geomtrica sugeriam arranjo
peridico
Sc. XX: difrao de raios-X (Bragg,
Bragg e von Laue)
Exemplo:

Rede de Bravais
R n1a1 n2a 2 n3a3

R = 2a1 + 2a2

a2

a1

ni inteiros, ai vetores primitivos (no coplanares)

Exemplo: Rede quadrada

Clula de Wigner-Seitz

Regio do espao mais prxima de um dado

ponto da rede de Bravais do que de qualquer
outro. Gera o espao todo por translaes
dos vetores R
A, B, C, D, E: clulas unitrias
A, B, C: clulas primitivas
C: clula de Wigner-Seitz

Estrutura cristalina
Definida por uma rede de Bravais + base (posies e tipos dos tomos)

Estruturas do diamante e zincblende:

Rede fcc + base de 2 tomos
Cristal
C
Si
Ge

a()
3,57
5,43
5,66

Cristal
GaP
GaAs
InP
InAs
SiC

a()
5,45
5,65
5,87
6,04
4,35

Coeso Cristalina
Hibridizao sp3 e ligaes covalentes
Semicondutores heteropolares:
ligaes parcialmente inicas e
parcialmente covalentes

Exemplo: SiC

http://www.sst.nrel.gov/research/cdn.html

Cristal
Si
SiC
GaAs
NaCl

Ionicidade
0,00
0,18
0,31
0,94

Bandas de energia
1a Zona de Brillouin da rede fcc
Clculos de estrutura de bandas

Gap

Gap

109

Semicondutores

1022

Isolantes

Resistividade a T ambiente(.cm)

10-6 10-3

Metais

Propriedades eltricas
Ge, com diferentes
concentraes de impurezas

2
ne

Modelo de Drude
D
m

n: densidade eletrnica
: tempo de relaxao

e-

Eltron sofre colises

m: massa do eltron
Qual a densidade eletrnica?
Sdio tem 11 eltrons por tomo, mas apenas 1 parece participar da
conduo: apenas eltrons de valncia contribuem?
Silcio tem 4 eltrons de valncia, mas condutividade menor que a do sdio

Bandas totalmente ocupadas no

contribuem para a conduo

Semicondutores intrnsecos (puros)

E g 2 k BT

Para Eg ~ 1 eV, T = Eg/2kB ~ 6000 K

n(T ) e

Distribuio de
Fermi-Dirac
Eg (eV)

Si

1,17

Ge

0,744

GaAs

1,52

Cristal

eltrons

f()

buracos

Qual a massa do eltron?

Modelo de Drude assume eltron livre, ignora potencial cristalino
Em Mecnica Quntica, um eltron livre (onda plana) teria energia

h2 k 2
2m

Eltrons no fundo da banda de conduo e buracos no topo da banda de

valncia tm relao de disperso aproximadamente parablica

Semicondutores intrnsecos (puros)

E g 2 k BT

Para Eg ~ 1 eV, T = Eg/2kB ~ 6000 K

n(T ) e

Distribuio de
Fermi-Dirac
Eg (eV)

Si

1,17

Ge

0.744

GaAs

1,52

Cristal

eltrons

f()

buracos

Qual a massa do eltron?

Modelo de Drude assume eltron livre, ignora potencial cristalino
Em Mecnica Quntica, um eltron livre (onda plana) teria energia

h2 k 2
2m

Eltrons no fundo da banda de conduo e buracos no topo da banda de

valncia tm relao de disperso aproximadamente parablica

h2 k 2
2m

m* => massa efetiva

Efeito do potencial efetivo alterar a massa do eltron: eltron

responderia aos campos externos como se tivesse uma massa m*
(aproximao de massa efetiva)
m*/m
Cristal
(eltron)
InSb

0,015

GaAs

0,066

InP

0,073

Propriedades ticas
Semicondutores podem ter gap direto ou indireto
E

BC

BC
Gap direto

BV

Ex.: GaAs, InAs, InP

BV

Absoro de luz
Se h < Eg: no h

absoro (transparncia!)
h

Eg

Se h > Eg: h absoro

(criao de par e-b)

Gap indireto
Ex.: Si, Ge, AlAs

GaAs

 Conservao do momento cristalino: kfton = keltron

Tipicamente, h = 1 eV => kfton = 106 m-1

Dimenses da 1a ZB ~ 1/a => kZB ~ 1010 m-1

Gap indireto

Transio indireta pode se dar (com

menor probabilidade) atravs da
absoro ou emisso de um fnon
EMISSO DE LUZ GAP DIRETO

emisso

E0

absoro

Transio
vertical

Eg

Eg

E0

8.2 - xcitons
O que so estes picos no
coeficiente de absoro???

XCITONS
Eg energia para formar
eltron e buraco distantes
Par e-b pode se ligar por
atrao eletrosttica: XCITON

Eexc

Energia de ligao
do xciton

Como calcular?

Modelo de Mott-Wannier (xcitons estendidos)

Eltron e buraco interagem atravs de potencial coulombiano

e2
U (r )
r

constante dieltrica do material

Lembrando do tomo de hidrognio

me4
13,6
En
2 eV
2
2hn
n

Para o xciton: m (massa reduzida); e2 e2 /

exc
n

13,6
2 2 eV
m
n

1
1

me mb

Valores tpicos:

~ 10, /m ~ 0,1-1,0

Eexc ~ 0,01-0,1 eV

8.3 Estatstica de portadores em

semicondutores intrnsecos
(Clculo da densidade de eltrons e buracos como funo da
temperatura, no quadro negro)
m k T
n(T ) 2 e B2
2

3/ 2

m k T
p(T ) 2 b B2
2

3/ 2

Ec

exp
k BT
Ev

exp
k BT

Eg
k BT
me mb exp
np 4
2
2
k BT
3

Ec

Ev

Lei de Ao das Massas

Para semicondutores intrnsecos:

n p np

1/ 2

1
2

m m k T
2 e b 2B
2

3
4

3/ 2

Eg

exp
2k BT

mb

me

(T ) Ev Eg kBT ln

8.4 Doadores e aceitadores

Para semicondutores puros, n ~ exp (-Eg/2kBT)

Se Eg ~ 1 eV, a T ambiente temos exp (-Eg/2kBT) ~ e-20 ~

10-9: semicondutores intrnsecos tm condutividade
muito baixa a T ambiente
Pode-se aumentar drasticamente por impurezas
(dopagem)

Exemplo: 1 B para 105 Si aumenta por um fator de

1000!

Ge dopado com Sb

Impurezas doadoras e aceitadoras

Doadores: por exemplo,
tomo do grupo V em um
cristal do grupo IV => 1
eltron a mais

Aceitadores: por exemplo,

tomo do grupo III em um
cristal do grupo IV => 1
eltron a menos (1 buraco
a mais)

eSi

Si

Si

Si
Si

b+

Si

As

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si
Si

Si

Si

Si
Si

Si

Si

Energia de ligao: modelo hidrogenide

me4
Novamente, tomo de hidrognio: E 2 13,6 eV
2

m m* ; e2 e2/

Elig

m*
(13,6 eV)
2
m

BC
ED

Energia de ligao (meV)

(doadores)
P

As

Sb

Teoria

Si

45

49

39

30

Ge

12,0

12,7

9,6

9,1

BV

EA

Torna-se muito mais fcil ionizar

termicamente as impurezas e
preencher com eltrons a BC ou
com buracos a BV

Impurezas doadoras: material tipo-n, condutividade devido aos eltrons

Impurezas aceitadoras: material tipo-p, condutividade devido aos buracos

Raio de Bohr do estado de impureza

Hidrognio:

2
a0 2 0,53 angstrons
me

Novamente, m m* ; e2 e2/

Impureza doadora em GaAs:

clculo tight-binding com 106
tomos

m
a*
50 100 angstrons
m*

 Outros tipos de impurezas: nveis profundos

Estados mais localizados, com energia de ligao
maior
Podem ser nocivos s propriedades eltricas

Oxignio e hidrognio em Si: clculos

ab initio

8.5 Junes p-n e outros dispositivos

Juno pn

Polarizao
direta

Polarizao
reversa
V
V0

V
V+
z

barreira menor,
corrente alta

V
Vz
z

camada de depleo
(10-1000 nm)

barreira maior,
corrente baixa

(clculo detalhado de I(V) no quadro-negro)

Curva I-V
Juno pn
pode ser
usada como
diodo
(retificador
de corrente)

Fabricao da juno pn

1100 oC

LED (light-emitting diode)

Diodo formado por materiais de gap direto, operando
em polarizao direta

+
luz
Cor da luz depende da energia do gap: GaP, GaAsP, GaN, etc

Infravermelho (telecomunicaes em 1,55 m): InGaAsP

Laser de Semicondutor
Laser de homojuno

Laser de heteroestruturas

Estrutura bsica do
diodo, com maior
dopagem e cavidade
tica

Clulas solares
Transformao de luz em corrente eltrica pela criao
de par eltron-buraco na camada de depleo => gera
corrente reversa
I

luz

Silcio, silcio amorfo, GaAs, CdS,

polmeros

MOSFET

(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)

Fonte

Porta

canal
p

contatos
metlicos

Dreno

xido
n

IFD
Curva I-V

VP
VFD

Lei de Moore

8.6 Crescimento epitaxial, heteroestruturas,

engenharia de gap
Combinando materiais: ligas

5. Crescimento Epitaxial,
Heteroestruturas e Engenharia
de Gap

Crescimento epitaxial
MBE (molecular beam epitaxy)

MOCVD (metalorganic
chemical vapor
deposition)

Heteroestruturas: poos qunticos e super-redes

Confinamento quntico em duas dimenses

BC
Poo quntico

Eg (GaAs)

Eg (AlAs)

BV

GaAs/InGaAs/GaAs

AlAs

GaAs

AlAs

direo do crescimento

Super-rede:
periodicidade
artificial

BC
BV

Heteroestruturas: pontos qunticos

Confinamento quntico em 0 dimenses
Alguns pontos qunticos so auto-formados (InAs
em GaAs)
InAs
GaAs