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Objetivos
Introduo Terica
Circuitos RLC so constitudos de indutores, capacitores e resistores, que podem estar ligados
em srie ou em paralelo. As tenso e correntes em um circuito RLC so descritas com uma equao
diferencial de segunda ordem, por isso esses circuitos tambm so chamados de circuitos de segunda
ordem.
Figura 01
Para o resistor:
v R (t ) R i(t ) ,
indutor:
v L (t ) L
di ( t )
dt
, capacitor: v C ( t )
1
C
i ( )d .
di ( t )
dt
1
C
i ( )d
v (t )
d i(t )
dt
R di ( t )
L
dt
1
LC
i(t )
1 dv ( t )
L
dt
Considerando o
, a freqncia de ressonncia e
2L
LC
1 dv ( t )
L
dt
Caso v(t) seja constante temos uma EDO de segunda ordem homognea e sua soluo chamada
de soluo natural.
i 2 i o i 0
2
Para resolvermos essa EDO precisamos das condies iniciais i(0) e i(0).
Analisando o circuito percebe-se que i(0) = iL(0)
Assim,
4 o
2
s
2L
R
2
o
4L
RC
1
LC
LC
4L
R
A soluo ser:
v (t ) K 1e
s1t
K 2e
s1
s 2
s2t
2) Sub-amortecido:
Para esse caso, < 0, isto , 2 o 0 . Utilizando o raciocnio anterior possvel
2
inferir que
RC
4L
s2 i o
t
K sen
1
o
2
K cos
2
o
2
3) Criticamente amortecido:
Para esse caso, = 0, isto , 2 o 0 . Utilizando o mesmo raciocnio anterior
2
obtemos que
RC
4L
A resoluo da equao caracterstica para esse caso nos fornece apenas uma raiz dupla:
.
A soluo ser da seguinte forma: v ( t ) e t K 1 K 2 t
No caso em que a EDO de segunda ordem abaixo no possui v(t) constante, temos a chamada
soluo forada.
i 2 i o i
2
i ( t ) in ( t ) i f ( t )
, sendo
in ( t )
1 dv ( t )
L
dt
i f (t)
Soluo forada
i f (t)
k (constante)
k cos(wt) ou k sen(wt)
B1cos(wt)+B2(sen(wt)
ke^(-at)
B e^(-at)
kt
B1+B2t
Kt
B1+B2t+B3t
4L
C
4L
4 470
0 , 033
238 , 68
R 238 , 68
4L
4 470
0 , 033
238 , 68
R 238 , 68
3) Criticamente amortecido:
R
4L
4 470
0 , 033
238 , 68
R 238 , 68
01 gerador de funo
01 osciloscpio
Dcada resistiva
01 capacitor de 0,033 F
01 indutor de 470 H
Procedimentos
O circuito da figura 1 foi montado, configurando-se vg(t) como uma onda quadrada com
amplitude 5 V e freqncia 2 kHz, L= 470 H e C = 0,033 F, valores fixos. Variamos o valor do
resistor para analisarmos os trs casos: sub-amortecido, sobre-amortecido e criticamente
amortecido, observando a forma de onda de tenso no capacitor para trs casos.
Resultados
As formas de onda da tenso no capacitor so as seguintes para cada caso:
Simulaes
Com o intuito de analisar e comparar os resultados obtidos no laboratrio com os estudos
tericos foram feitas simulaes no software EWB 5 (Eletronics Workbench).
Alm dos componentes presentes no roteiro foram consideradas as resistncias internas do
gerador de funes (50 em srie com o resistor) e do osciloscpio (1 M em paralelo com o
capacitor). O gerador de funes foi ajustado para a forma de onda quadrada, amplitude de 5V e
frequncia de 2kHz.
Dessa forma, obtivemos os seguintes resultados:
1) Caso sub-amortecido: L e C possuem valores fixos, L=470H e C=0, 033F
respectivamente. A resistncia utilizada foi R = 100, que satisfaz a relao:
R 238 , 68 .
238 , 68
Discusses
Os resultados experimentais foram muito semelhantes aos resultados tericos e as simulaes (as
resistncias internas do gerador de funes e do osciloscpio foram acrescentadas visando maior
fidelidade ao ambiente real), comprovando que o experimento foi bem-sucedido.
O roteiro do experimento faz um questionamento a respeito de como seria o projeto do circuito caso
no fossem tolerados valores maiores que 5V na sada. Dessa forma foram feitas as seguintes
consideraes referentes a cada um dos trs regimes possveis:
1) Regime sobre-amortecido: A soluo da EDO para esse regime feita a partir da soma de duas
exponenciais, impedindo o sistema de apresentar oscilaes em torno de um valor estacionrio. Outro
aspecto relevante o fato de uma exponencial decair mais lentamente em relao outra. possvel,
analisando o sinal no osciloscpio, perceber que as oscilaes no ultrapassam a amplitude de 5V.
2) Regime sub-amortecido: A soluo para esse regime dada por uma senide amortecida
exponencialmente que tende a um valor estacionrio, apresentando amplitudes que decrescem com o
tempo. Ao observar o sinal atravs do osciloscpio percebemos que as oscilaes ultrapassam uma
amplitude de 5V. possvel inferir, ento que quanto menor for o valor da resistncia maior ser a
oscilao em torno do valor de entrada.
3) Regime criticamente amortecido: A soluo para esse regime a soma de duas exponenciais,
porm uma delas multiplicada pelo tempo (t). Atravs da figura 03 possvel perceber que a soluo
cai de maneira rpida a partir de seu ponto de mximo, valor muito prximo do seu valor de entrada
(5V). Atravs do osciloscpio possvel ver que as oscilaes no ultrapassam uma amplitude de 5V.
A partir da anlise dos trs regimes acima e considerando que o novo projeto no tolera valores
maiores que 5V na sada conclumos esse circuito deveria ser projeto apenas com valores da resistncia
que obedecessem a relao: R 238 , 68 . Deste modo o regime sub-amortecido no faria parte dos
regimes possveis para o sistema e ento os valores de sada nunca ultrapassariam 5V.
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Concluses
Atravs deste experimento foi possvel explorar as propriedades do circuito RLC composto por um
capacitor, um indutor e uma resistncia em srie. A anlise terica determina que o circuito possa ser
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modelado de acordo com uma Equao Diferencial Ordinria (EDO) de segunda ordem. A partir da
resoluo desta EDO possvel analisar o comportamento da tenso e da corrente nos componentes do
circuito.
Entretanto, tivemos que analisar trs possveis casos para as solues da EDO, que nos forneciam
os trs regimes estudados: criticamente amortecido, sub-amortecido e sobre-amortecido. Para tais,
foram fixados os valores da capacitncia C e do indutor L, variando apenas a resistncia de acordo
com o objeto de estudo.
As simulaes feitas no software EWB foram de suma importncia, visto que proporcionaram a
comparao entre os resultados experimentais e tericos, colocando em pauta os possveis
contratempos encontrados em laboratrios e mostrando o comportamento dos circuitos em situaes
no ideais, levando-se em considerao a impreciso, interferncia e qualidade dos equipamentos
utilizados.
De maneira geral os resultados obtidos no experimento foram satisfatrios, estando de acordo com
os estudos e clculos tericos realizados anteriormente e muito prximos das simulaes feitas em
ambiente ideal, mostrando que o grupo obteve excelncia na manipulao dos equipamentos presentes
no laboratrio, atingindo os objetivos propostos pela disciplina.
10 Referncias Bibliogrficas