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ELETRNICA 2

SENAI - PR, 2001

CDIGO DE CATLOGO : 1101B

Trabalho elaborado pela Diretoria de Educao e Tecnologia


do Departamento Regional do SENAI - PR , atravs do
LABTEC - Laboratrio de Tecnologia Educacional.

Coordenao geral
Elaborao tcnica

Marco Antonio Areias Secco


SENAI CIC/CETSAM

Equipe de editorao
Coordenao
Diagramao
Ilustrao
Reviso tcnica
Capa

Lucio Suckow
Jos Maria Gorosito
Jos Maria Gorosito
SENAI CIC/CETSAM
Ricardo Mueller de Oliveira

Referncia Bibliogrfica.
NIT - Ncleo de Informao Tecnolgica
SENAI - DET - DR/PR

S474u SENAI - PR. DET


ELETRNICA 2
Curitiba, 2001, 304 p

CDU - 537

Direitos reservados ao
SENAI Servio Nacional de Aprendizagem Industrial
Departamento Regional do Paran
Avenida Cndido de Abreu, 200 - Centro Cvico
Telefone:
(41) 350-7000
Telefax:
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E-mail:
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CEP 80530-902 Curitiba - PR

SUMRIO

12 Transistores Bipolares
13 Aplicaes Bsicas dos Transistores
14 O Transistor como comparador
15 Fonte Regulada com comparador
16 Multivibrador Biestvel
17 Multivibrador Monoestvel
18 Multivibrador Estvel
19 Transistor de efeito de campo de funo JFET
20 Mosfet
21 Encapsulamento
22 Noes Bsicas sobre circuito integrado
23 Circuitos Monoestveis e Astveis com C.I 555
24 SCR
25 TRIAC
26 Dispositivos de Disparo
27 Componentes e Circuitos Especiais de Disparo
28 TCA
29 Potncia CA
30 Circuito Impresso
31 Identificao de Terminais e Teste de Dispositivos Semicondutores

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TRANSISTORES BIPOLARES

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A vlvula foi apresentada por J. A. Fleming em 1904. Era

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uma vlvula diodo. Em 1906, Lee de Forest acrescentou

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vlvula diodo um terceiro elemento chamado grade, que servia

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para controlar o fluxo de corrente entre o anodo e o catodo.

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Vlvula Triodo Polarizada

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O potencial da grade, sendo negativo em relao ao

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ctodo, dificulta a passagem do fluxo de eltrons, controlando

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a corrente na carga RL.

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Assim, qualquer pequena variao de tenso de grade

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V G provoca uma pequena variao na sua corrente I G,

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causando uma grande variao na corrente de anodo IA,

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sendo que a relao entre essas variaes determina o ganho

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ou a amplificao A do triodo, ou seja:

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A=

IA

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IG

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Este efeito amplificao obtido pelo controle de

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corrente, era tudo o que a eletrnica precisava para desenvolver

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grandes projetos.

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Nos anos seguintes, impulsionadas pelas indstrias de

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rdios e televisores, as vlvulas sofreram um grande avano.

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A produo aumentou explosivamente, havendo muito

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investimento em pesquisas. Com isso, surgiram o tetrodo

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(vlvula com quatro elementos) e o pentodo (vlvula com cinco

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elementos), melhorando o desempenho das mesmas. Dessas

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pesquisas, obtiveram-se tambm outros resultados

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importantes: projetos mais sofisticados, melhores tcnicas de

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fabricao e miniaturizao de dispositivos, aplicaes em alta

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freqncia e alta potncia, etc.

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Curiosidade

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H alguns anos atrs, um avio sovitico (da antiga

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URSS), caiu no Japo. Era um MIG-25, um dos mais

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sofisticados caas de combate da poca. Houve toda uma

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movimentao poltica e diplomtica entre o Japo, os EUA e

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a URSS. O que se diz, que os EUA, com a ajuda do Japo,

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puderam investigar todos os elementos deste avio, inclusive

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sua eletrnica de bordo. Qual no foi a surpresa, quando

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descobriram que uma boa parte dos circuitos eram construdos

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com micro-vlvulas.

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A revoluo 23 de Dezembro de 1947

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Nos laboratrios de pesquisas da indstria Bell

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Telephones, nos EUA, Walter Brattain e John Bardeen

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mostraram ao mundo um novo conceito em eletrnica: o

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transistor bipolar (conduo nos dois sentidos) ou transistor

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de juno.

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No precisava de filamento;

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Mais resistentes;

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Mais eficientes, pois dissipava menos potncia;

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No necessitava de tempo de aquecimento;

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Menores tenses de alimentao.

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Vantagens Evidentes

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Com todas vantagens, os transistores revolucionaram a

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tecnologia eletrnica, permitindo que hoje, com toda a gama

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de tipos e tecnologias de fabricao, possamos ver as

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maravilhas que eles fazem.

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Um microprocessador (corao do computador) pode

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chegar a Ter um milho ou mais de transistores em seus

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circuitos (todos montados numa nica pastilha de silcio de 25

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mm). Imagine um computador montado com vlvulas!

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O Transistor Bipolar

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O princpio do transistor tambm poder controlar a

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corrente. Ele montado numa estrutura de cristais

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semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais

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do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo

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oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras

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duas. Cada uma dessas camadas recebe um nome em rela-

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o sua funo na operao do transistor. As extremidades

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so chamadas de emissor e coletor, e a camada central

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chamada de base. Os aspectos construtivos simplificados e

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os smbolos eltricos dos transistores so mostrados na figu-

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ra a seguir. Observa-se que existem duas possibilidades de

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implementao.

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Aspectos Construtivos e Smbolos dos Transistores

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O transistor da figura (a) chamado de transistor NPN


e o da figura (b) de transistor PNP.

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O transistor hermeticamente fechado em um

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encapsulamento plstico ou metlico. Na tabela abaixo, tem-

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se alguns exemplos de transistores e o cdigo padronizado

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para os encapsulamentos.

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Aspecto Fsico dos Transistores

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Pela figura abaixo, percebe-se que o emissor forte-

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mente dopado, e tem como emitir portadores de carga para

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a base (eltrons no transistor NPN e lacunas no PNP).

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Portadores nos Transistores

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A base tem uma dopagem mdia e muito fina. As-

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sim, a maioria dos portadores lanados do emissor para a

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base, conseguem atravess-la, dirigindo-se ao coletor.

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O coletor levemente dopado e, como seu nome diz,

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coleta (recolhe) os portadores que vm da base. Ele muito

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maior que as outras camadas, pois nele que se dissipa a

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maior parte da potncia gerada pelos circuitos transistores.

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Relembrando que os portadores majoritrios do materi-

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al tipo N so os eltrons livres e do material tipo P so as

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lacunas, pode-se observar o seguinte:

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Barreiras de Potncias nos Transistores

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Da mesma forma que na juno PN dos diodos, nas duas

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junes J 1 e J 2 dos transistores surgem, devido

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recombinao dos portadores, barreiras de potenciais, cujos

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valores, a 25C, so: Vg = 0,7V para semicondutores de silcio

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e Vg = 0,3V para semicondutores de germnio.

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O comportamento bsico dos transistores em circuitos

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eletrnicos fazer o controle da passagem de corrente entre

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o emissor e o coletor atravs da base. Isso conseguido, po-

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larizando-se adequadamente suas duas junes, como ser

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visto a seguir.

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Funcionamento dos transistores NPN e PNP

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Para se entender como funcionam os transistores, cada

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juno ser polarizada separadamente, sendo depois unidas

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para a anlise do comportamento do dispositivo como um todo.

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Obs.: No se esquea de que a corrente convencional

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tem sentido contrrio ao do fluxo de eltrons e mesmo senti-

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do que o do fluxo de lacunas.

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Polarizando-se a juno emissor-base diretamente, com


VBE (NPN) e VEB (PNP), obtm-se o que mostra a figura.

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Polarizao direta da juno emissor-base

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Neste caso, a juno emissor- base funciona como um

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diodo polarizado diretamente, ou seja, circula por ela uma gran-

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de corrente iB g de portadores majoritrios (eltrons livres no

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transistor NPN e lacunas no PNP).

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Observa-se tambm, que existe uma pequena corrente

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em sentido contrrio devido aos portadores minoritrios. Esta

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corrente chamada de corrente de fuga.

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Agora polarizando-se a outra juno base - coletor

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reversamente com VCB > VBE (NPN) e VBC > VEB (PNP), tem-se

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o seguinte fenmeno, mostrado na figura seguinte.

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Polarizao reversa da juno base-coletor

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Neste caso, a barreira de potencial aumenta, diminuindo

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drasticamente o fluxo de corrente dos portadores majoritri-

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os. Porm, os portadores minoritrios atravessam a barreira

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com facilidade no sentido contrrio, fazendo circular uma cor-

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rente reversa, ainda menor e praticamente desprezvel, pois

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tais portadores so em pequeno nmero.

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Reunindo-se as duas polarizaes anteriores, obtm-se

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o que mostra a figura abaixo.

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Polarizao completa

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Observa-se que o fluxo de portadores majoritrios na

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juno emissor-base, que antes se dirigia ao terminal da base,

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agora, devido atrao maior exercida pelo coletor, dirige-se

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quase que totalmente para ele, atravessando a outra juno

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base- coletor sem encontrar dificuldades.

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Para explicar por que a corrente se dirige menos base

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e mais para o coletor, basta lembrar que a base mais estrei-

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ta que o emissor e o coletor a menos dopada que o emissor.

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Assim, os portadores que vm do emissor saturam a base

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rapidamente atravs das recomendaes, fazendo com que

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eles se dividam da seguinte maneira: uma pequena parte sa-

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indo pelo terminal de base e a maior parte saindo pelo terminal

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de coletor, atrados por sua tenso.

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Tenses e correntes nos transistores NPN e PNP

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Pelo que foi exposto at aqui, pode-se montar um es-

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quema geral de tenses e correntes de portadores majoritri-

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os para transistores NPN e PNP (considerando o sentido con-

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vencional de corrente).

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Tenses e correntes nos transistores

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Aplicando-se a Primeira Lei de Kirchhoff para as corren-

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tes e a Segunda Lei de Kirchhoff para tenses em ambos os

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transistores, obtm-se as seguintes equaes:

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NPN ou PNP: iE = iC + iB

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NPN: VCE = VBE + VCB

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PNP: VBC = VEB + VBC

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Observao

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As correntes de portadores minoritrios, por serem mui-

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to menores que as de portadores majoritrios, sero sempre

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desprezadas, salvo observaes em contrrio.

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Efeito amplificao

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Analisando o fenmeno que ocorre com a polarizao

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completa do transistor NPN sob o aspecto da variao das

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correntes, tem-se o seguinte:

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Um aumento na corrente de base iB provoca um n-

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mero maior de recombinaes, aumentando a corren-

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te de coletor iC. Da mesma forma, a diminuio da cor-

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rente de base provoca a diminuio na corrente entre

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emissor e coletor;

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A corrente de base, sendo bem menor que a corrente

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de coletor, faz com que uma pequena variao DiB pro-

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voque uma grande variao DiC. Isto significa que a

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variao de corrente de coletor um reflexo amplifica-

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do da variao da corrente ocorrida na base;

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O fato do transistor possibilitar a ampliao de um sinal faz com que ele seja considerado um dispositivo
ativo;

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Efeito amplificao no transistor NPN

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Este efeito amplificador, denominado ganho de corrente,


pode ser expresso matematicamente pela relao entre a va-

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riao da corrente de coletor DiC c e a variao de corrente de

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base DiB, isto :

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Ganho de corrente: DiC /DiB

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Este efeito amplificador ocorre tambm no transistor PNP,


s que as correntes fluem no sentido contrrio.

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Configuraes bsicas

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Os transistores podem ser utilizados em trs configura-

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es bsicas Base Comum (BC), Emissor Comum (EC) e

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Coletor Comum (CC), onde o termo comum significa que o

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terminal comum entrada e sada do circuito, como mos-

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tra esquematicamente a figura abaixo.

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Configuraes bsicas dos transistores

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Cada uma destas configuraes tem caractersticas


especificas e, portanto, aplicaes diferentes.

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Principais caractersticas das configuraes

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Para facilitar o clculo da polarizao dos transistores,

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os fabricantes podem fornecer duas funes na forma grfi-

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ca. Uma relacionada com a caracterstica de entrada e outra

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com a caracterstica de sada de cada configurao. Em ge-

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ral, os fabricantes fornecem as curvas caractersticas de cada

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configurao. Em geral, os fabricantes fornecem as curvas

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caractersticas da configurao EC, sendo que a partir desta,

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possvel obter os parmetros para as outras configuraes.

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A caracterstica de entrada mostra a relao ente a cor-

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rente e a tenso de entrada para vrios valores constantes de

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tenso de sada, formando um grupo de curvas, uma para

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cada tenso de sada.

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Na caracterstica de sada, tem-se a relao entre a cor-

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rente e a tenso de sada para vrios valores constantes de

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corrente de entrada , formando um grupo de curvas, uma para

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cada corrente de entrada.

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A partir destas curvas, possvel calcular os resistores

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de polarizao mais adequados para uma determinada confi-

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gurao e aplicao, assunto este a ser analisado no prximo

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captulo.

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Observao

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Por uma questo de conveno, as tenses e as cor-

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rentes sero representadas pelas letras maisculas V e I quan-

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do se tratar de valores constantes ou bem determinados, e

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pelas letras minsculas v e i quando se tratar de valores gen-

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ricos ou variveis.

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Configurao base comum (BC)

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Nesta configurao, o emissor o terminal de entrada

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de corrente e o coletor o terminal de sada de corrente do

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circuito, sendo que o terminal de base comum s tenses

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de entrada e sada, como mostra a figura, para transistores

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NPN e PNP.

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Configuraes base comum (BC)

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Observao

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Nesse momento, j ficou claro que todos os fenmenos

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concernentes ao transistor NPN, assemelham-se aos que

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ocorrem no transistor PNP, invertendo-se, porm, todas as

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tenses e correntes. Desta forma, para que as aplicaes no

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se tornem repetitivas e, salvo observao em contrrio, daqui

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para frente ser tomado como referncia o transistor NPN,

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uma vez que na prtica, o mais utilizado.

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Curva caracterstica de entrada BC

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Para cada valor constante d tenso de sada VCB varan-

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do-se a tenso de entrada VBE, obtm-se uma corrente de en-

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trada iE, resultando num grfico em o seguinte aspecto:

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Curva caracterstica de entrada BC

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Observa-se que a caracterstica de entrada, ou caracte-

...............................................

rstica de emissor, semelhante curva caracterstica de um

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diodo, pois a juno emissor - base funciona como um diodo

...............................................

polarizado diretamente. Ou seja, a partir do momento em que

...............................................

a tenso de entrada faz os portadores vencerem a barreira de

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potencial (Vg = 0,7V para o silcio e Vg = 0,3V para o germnio),

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a corrente atravs da juno dispara. Assim, nesta regio da

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curva, pequenas variaes de VBE causam grandes variaes

...............................................

de iE.

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Observa-se que a caracterstica de entrada, ou caracte-

rstica de emissor, semelhante curva caracterstica de um


diodo, pois a juno emissor - base funciona como um diodo
polarizado diretamente. Ou seja, a partir do momento em que
a tenso de entrada faz os portadores vencerem a barreira de
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potencial (Vg = 0,7V para o silcio e Vg = 0,3V para o germnio),

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a corrente atravs da juno dispara. Assim, nesta regio da

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curva, pequenas variaes de VBE causam grandes variaes

...............................................

de iE.

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Curva caracterstica de sada BC

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Para cada valor constante de corrente de entrada I E1,

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, obtm-se uma corrente

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variando-se a tenso de sada V

CB

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sada i C cujo grfico tem o seguinte aspecto:

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Curva caracterstica de sada BC

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A caracterstica de sada, ou de coletor, pode ser dividida

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em trs regies distintas, pois em cada uma delas o transistor

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tem um comportamento especfico.

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As trs regies de trabalho de um transistor NPN

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Na regio de corte, as duas funes esto polarizadas

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reversamente, fazendo com que a corrente de coletor (sada)

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seja praticamente nula (IC =0)stivesse desconectado do circuito.

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Na regio da saturao, as duas junes esto polariza-

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das diretamente, fazendo com que uma pequena variao de

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tenso VCB (sada) resulte numa enorme variao da corrente

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de coletor (sada). Neste caso, o transistor est saturado.

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como seus terminais estivessem em curto-circuito (VCB = 0).

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Na regio ativa, a juno emissor-base est polarizada direta-

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mente e a juno base - coletor reversamente. Esta a regio cen-

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tral do grfico d sada, onde as curvas so lineares. Portanto esta

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regio utilizada na maioria das aplicaes, principalmente na ampli-

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ficao de sinais, para que a distoro seja mnima.

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Por outro lado, trabalhando nas regies de corte e satu-

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rao, o transistor comporta-se como uma chave eletrnica,

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isto , chave aberta quando ele est cortado e chave fechada

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quando ele est saturado.

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Analogia de um transistor com uma chave

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Este comportamento do transistor como uma chave tem


diversas aplicaes prticas, e ser explorado mais adiante.

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Ganho de corrente na configurao base comum

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O ganho de corrente de um circuito qualquer a relao

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entre a variao da corrente de sada e a variao da corrente

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de entrada, para tenso de sada constante. Na configurao

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BC, o ganho de corrente chamado de a (alfa), sendo definido

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matematicamente por:

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iC

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iE

VCB = cte

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Porm, como se pde observar na figura da pgina 17,

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na regio ativa, as curvas de iE so praticamente paralelas ao

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eixo VCB. Assim, pode-se reescrever a relao acima da se-

...............................................

guinte forma:

...............................................
...............................................
...............................................

= iC
iE

...............................................
...............................................

Lembrando que iE = iC + iB, conclu-se que o ganho de

...............................................

corrente a sempre menor que 1. Na maioria dos transisto-

...............................................

res, este valor est entre 0,90 a 0,98, ou seja, prximo de 1.

...............................................

Fisicamente, isto se explica pelo fato de a corrente de base,

...............................................

formada a partir da corrente de emissor, ser muito pequena,

...............................................

como havia sido mostrado na figura da pgina 17 (polarizao

...............................................

completa do transistor) e, graficamente, isto pode ser

...............................................

visualizado pela pouca inclinao das curvas de iE na caracte-

...............................................

rstica de sada.

...............................................
...............................................

Exemplo

...............................................
Dadas as curvas caractersticas de entrada e sada de

...............................................
...............................................

um transistor NPN, determinar:

...............................................
a) A tenso de entrada aproximada, a partir da qual a
corrente de entrada comea a fluir de forma intensa;
b) De qual material semi - condutor feito esse transistor;
c) A corrente de entrada, quando a tenso de entrada

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

vale 1V;
d) A corrente de sada, nas condies do item c;
e) A corrente na base, nas condies do item d;
f) O ganho de corrente, nas condies do item d.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Curvas caractersticas do transistor

...............................................
18
SENAI-PR

a) Pela curva caracterstica de entrada, tem-se que a

...............................................

corrente de entrada iE comea a crescer quando a tenso de

...............................................

entrada VBE = 0,7V.

...............................................
...............................................

b) Pelo valor de VBE de conduo, o transistor de silcio.

...............................................
...............................................

c) Para VBE = 1V, tem-se que iE = 30mA.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

d) A curva caracterstica de entrada foi obtida para ten-

...............................................

so de sada constante VCB = 4V (vide detalhe no grfico). En-

...............................................

trando com esse valor de curva caracterstica de sada, junta-

...............................................

mente com a corrente de entrada iE obtida no item c, tem-se

...............................................

que a corrente de sada iC = 28mA.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

e) Para o clculo de iB, tem-se que:

...............................................
...............................................

iE = iB + iC 30 = iB + 28 iB = 2mA

...............................................
f) Com os valore de iC e iE obtidos nos itens anteriores,
19
SENAI-PR

...............................................

tem-se que o ganho de corrente de transistor, nestas condi-

...............................................

es, vale:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Configurao emissor comum (EC)

...............................................
Esta configurao a mais utilizada em circuitos

...............................................

transistorizados. Po isso, os diversos parmetros dos tran-

...............................................

sistores fornecidos pelos manuais tcnicos tm como refe-

...............................................

rncia a configurao emissor comum.

...............................................
...............................................

Nesta configurao, a base o terminal de entrada de

...............................................

corrente e o e o coletor o terminal de sada de corrente do

...............................................

circuito, sendo que o terminal de emissor comum s ten-

...............................................

ses de entrada e sada, como mostra a figura abaixo, para

...............................................

transistores NPN e PNP.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Configurao emissor comum (EC)

...............................................
...............................................

Curva caracterstica de entrada EC

...............................................
Para cada valor constante de tenso de sada VCE, vari-

...............................................

ando-se a tenso de entrada VBE, obtm-se uma corrente de

...............................................

entrada iB, resultando num grfico com o seguinte aspecto:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Curva caracterstica de entrada EC

...............................................
20
SENAI-PR

A curva caracterstica de entrada, ou caractersticas de

...............................................

base, semelhante da configurao BC, pois tem-se tam-

...............................................

bm a juno polarizada diretamente.

...............................................
...............................................

Observa-se , portanto, que possvel controlar a corrente de base variando-se a tenso entre base e emissor.

...............................................
...............................................
...............................................

Curva caracterstica de sada EC

...............................................
...............................................

Para cada valor constante de corrente de entrada iB, va-

...............................................

riando-se a tenso de sada VCE, obtm-se uma corrente de

...............................................

sada iC, cujo grfico tem o seguinte aspecto:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Curva caracterstica de sada EC

...............................................
A caracterstica de sada, ou de coletor, tambm muito

...............................................

parecida com a de configurao BC. Mas observa-se que a

...............................................

inclinao das curvas de iB constante, na regio ativa, muito

...............................................

maior.

...............................................
...............................................

Nesta curva, distinguem-se tambm as trs regies de


trabalho do transistor:

...............................................
...............................................
...............................................

Corte - IC 0

...............................................

Saturao - VCE 0

...............................................

Ativa - regio entre o corte e a saturao (IB linear)

...............................................
...............................................

Ganho de corrente na configurao emissor comum

...............................................
...............................................

Para esta configurao, a relao entre a corrente de

...............................................

sada e a corrente de entrada, ou seja, a relao de iC e iB,

...............................................

determina o ganho de corrente denominado de (beta) ou hFE

...............................................

(forward current transfer ratio), como segue:

...............................................
21

SENAI-PR

HFE = = iC

...............................................

iB

...............................................
...............................................

Sendo iC muito maior que iB, o ganho de corrente

...............................................

sempre muito maior que 1, ou seja, na configurao emissor

...............................................

comum, o transistor funciona como um amplificador de cor-

...............................................

rente.

...............................................
...............................................
Por outro lado, como a inclinao das curvas varia para

...............................................

cada valor de iB, o ganho corrente no constante. Valores

...............................................

tpicos de so de 50 a 900.

...............................................
...............................................

Ganho de corrente EC x ganho de corrente BC

...............................................
...............................................

A partir do ganho de corrente , da configurao EC,

...............................................

pode-se obter o ganho de corrente , de configurao base-

...............................................

comum, e vice-versa, como ser demonstrado a seguir:

...............................................
...............................................

Num transistor, as correntes se relacionam da seguinte

...............................................
...............................................

forma:

...............................................
iE = iB + iC

...............................................

(I)

...............................................
Pelas equaes dos ganhos de corrente, tem-se:

...............................................
...............................................

iB =

iC

iE = iC

...............................................

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Substituindo-se iB e iE na equao (I):

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Exemplos

...............................................
Dadas as curvas caractersticas de entrada e sada de

...............................................
...............................................

um transistor NPN, determinar:


22
SENAI-PR

a) A corrente na base para VBE = 0,8V;

...............................................

b) O ganho de corrente nas condies do item a;

...............................................

c) O ganho de corrente na configurao BC;

...............................................

d) O novo ganho de corrente, caso iB dobre de valor,

...............................................
...............................................

mantida a tenso VCE;


e) O novo ganho de corrente na configurao BC

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Entrada

Sada

...............................................
...............................................
...............................................

Curvas caractersticas do transistor

...............................................
a) Para VBE = 0,8V, tem-se que iB = 300mA

...............................................
...............................................

b) A curva caracterstica de entrada foi obtida para VCE

...............................................

= 5V. entrando com esse valor na curva caracterstica de sa-

...............................................

da, juntamente com a corrente de entrada iB obtida no item a,

...............................................

tem-se que a corrente de sada iC = 110mA.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
23
SENAI-PR

Com os valores de ic e ib, tem-se que o ganho de corrente do transistor, nestas condies, vale:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

c) Na configurao BC, o ganho de corrente vale:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

d) Se a corrente de base dobrar de valor, tem-se iB =


600mA

...............................................
...............................................

Pela curva caracterstica de sada (mostrada anteriormente), chega-se ao novo valor da corrente do coletor:

...............................................
...............................................
...............................................

iC = 280A

...............................................
...............................................

Assim:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

e) Na configurao BC, o ganho de corrente vale:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Configurao coletor comum (CC)

...............................................
...............................................

Nesta configurao, a base o terminal de entrada de

...............................................

corrente e o emissor o terminal de sada de corrente do

...............................................

circuito, sendo que o terminal de coletor comum s tenses

...............................................

de entrada e sada, como mostra a figura, para transistores

...............................................

NPN e PNP.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Configurao coletor comum (CC)

...............................................
...............................................

Para a configurao coletor comum no necessrio

...............................................

curvas especficas de entrada e sada. Pode-se utilizar as

...............................................

mesmas caractersticas da configurao EC.

...............................................
24

SENAI-PR

Isto se justifica pelo fato de sua caracterstica de entrada

...............................................

relacionar iB, VBE e VCE, e a sua caracterstica de sada relaci-

...............................................

onar iE , VCE e iB, como na configurao EC, sendo iE pratica-

...............................................

mente igual a iC ( 1).

...............................................
...............................................
...............................................

Os limites do transistores

...............................................
Os transistores, como quaisquer outros dispositivos, tm

...............................................

suas limitaes (valores mximos de alguns parmetros), que

...............................................

devem ser respeitadas, para evitar que os mesmos se danifi-

...............................................

quem. Os manuais tcnicos fornecem pelo menos quatro

...............................................

parmetros que possuem valores mximos:

...............................................
...............................................

Tenso mxima do coletor - VCE max.

...............................................

Corrente mxima de coletor - IC max.

...............................................

Potncia mxima de coletor - PC max

...............................................
...............................................

Onde:

...............................................

Configurao EC e CC:

...............................................
...............................................
...............................................

PC max. = VCE max . IC max.

...............................................
...............................................

Configurao BC:

...............................................
...............................................

PC max. = VCB max . IC max.

...............................................
Tenso da ruptura das junes BV (breakdown voltage):

...............................................
...............................................

BVCBO - tenso de ruptura entre coletor e base, com

...............................................
...............................................

emissor aberto.

...............................................
BVCEO - tenso de ruptura entre coletor e emissor, com

...............................................
...............................................

base aberta.

...............................................
BVCES - tenso de ruptura entre coletor e emissor, com

...............................................
...............................................

base e emissor curto-circuitados.

...............................................
As limitaes de tenso, corrente e potncia podem ser

...............................................

vistas na curva caracterstica de sada do transistor, como

...............................................

mostra a figura a seguir.

...............................................
...............................................
25
SENAI-PR

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Limitaes do transistor

...............................................
...............................................

Exemplos:

...............................................
...............................................

Parmetros de alguns transistores:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
26
SENAI-PR

1) Quais as vantagens dos transistores em relao s vlvulas?


....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
2) Quais so as relaes entre as dopagens e as dimenses no emissor, base e
coletor de um transistor bipolar?
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
3) Para o funcionamento de um transistor, como devem estar polarizadas suas
junes?
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
4) Relacione todos os fluxos de cargas (portadores majoritrios e minoritrios)
existentes nos transistores NPN e PNP, quando esto polarizados.
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
5) Quais as relaes entre as correntes e as tenses num transistor NPN e PNP?
....................................................................................................................................
6)

De que forma a corrente de base controla a corrente entre emissor e coletor?

....................................................................................................................................
7)

Explique o efeito amplificao.

....................................................................................................................................
....................................................................................................................................

8) Faa um esboo das curvas caractersticas de sada para os transistores NPN


e PNP na configurao BC.

9) Faa um esboo das curvas caractersticas de entrada para os transistores de


NPN e PNP na configurao BC.

10) Por que o ganho de corrente na configurao BC um pouco menor que 1?


....................................................................................................................................
11) Faa um esboo das curvas caractersticas de sada para os transistores NPN
e PNP na configurao EC.

12) Faa um esboo das curvas caractersticas de sada para os transistores NPN
e PNP na configurao EC.

13) Por que o ganho de corrente na configurao EC muito maior que 1?


....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
14) Relacione as trs regies de trabalho do transistor, identificando de que forma
suas junes esto polarizadas.
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
....................................................................................................................................
15) Um transistor na configurao BC tem as seguintes curvas caractersticas :

Completar a tabela a seguir (com valores aproximados) para cada uma das situaes:

16) Um transistor na configurao EC tem as seguintes curvas caractersticas:

Ponto quiescente

...............................................
...............................................

Polarizar um transistor fix-lo num ponto de operao

...............................................

em corrente contnua, dentro das suas curvas caractersticas.

...............................................

Isto , escolher valores de correntes e tenses adequados

...............................................

para o circuito do qual o transistor faz parte.

...............................................
...............................................

Por isso, a polarizao tambm chamada de polariza-

...............................................

o DC, pois fixa, atravs de resistores externos, valores de

...............................................

correntes e tenses continuas no transistor. Este ponto de tra-

...............................................

balho do transistor , determinado pela polarizao, chama-

...............................................

do de ponto de operao esttica ou ponto quiescente (Q),

...............................................

cujo conceito j foi visto no estudo da polarizao dos diodos.

...............................................
...............................................

A escolha do ponto quiescente feita em funo da apli-

...............................................

cao que se deseja para o transistor, ou seja, ele pode estar

...............................................

localizado nas regies de corte, saturao ou ativa da curva

...............................................

caracterstica de sada.

...............................................
...............................................

Na figura seguinte, tem-se um exemplo de curva carac-

...............................................

terstica de sada de um transistor na configurao EC, na qual

...............................................

esto marcadas as diversas regies do transistor. Nesta figu-

...............................................

ra, tem-se tambm trs pontos quiescentes, QA , QB e QC.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Pontos quiescentes de um transistor

...............................................
...............................................

O ponto QA encontra-se no centro da regio ativa, per-

...............................................

mitindo grandes variaes na corrente de entrada (iB), na cor-

...............................................

rente de sada (iC) e na tenso de sada (VCE).

...............................................
...............................................

O ponto QB encontra-se na regio de saturao, per-

...............................................

mitindo apenas variaes negativas de iB e iC e variaes posi-

...............................................

tivas de VCE.

...............................................
31
SENAI-PR

O ponto QC encontra-se na regio de corte, permitin-

...............................................

do apenas variaes positivas de iB e iC e variaes negativas

...............................................

de VCE.

...............................................
...............................................

Portanto, se numa determinada aplicao deseja-se que

...............................................

o sinal do circuito varie tanto positiva como negativamente em

...............................................

relao ao ponto de operao, o ponto QA o mais indicado.

...............................................
...............................................
...............................................

Reta de carga

...............................................
A reta de carga o lugar geomtrico de todos os pon-

...............................................

tos quiescentes possveis para uma determinada polarizao,

...............................................

como mostra a figura a seguir.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Reta de carga de um transistor

...............................................
Por ser uma reta, ela necessita de apenas dois pontos
de operao conhecidos para sua determinao.

...............................................
...............................................
...............................................

Alm disso, a reta de carga depende da configurao


adotada para o transistor, como ser visto a seguir.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Circuito de polarizao em emissor comum

...............................................
...............................................

Nesta configurao, a juno base - emissor polariza-

...............................................

da diretamente e a juno base coletor reversamente. Para

...............................................

isso, utilizam-se duas baterias e dois resistores para limitar

...............................................

as correntes e fixar o ponto quiescente do circuito.

...............................................
...............................................
...............................................

32
SENAI-PR

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Circuito de polarizao em emissor comum

...............................................
Considerando apenas o transistor NPN, pode-se fazer a

...............................................
...............................................

anlise das malhas de entrada e sada.

...............................................
...............................................

Malha de entrada:

...............................................
...............................................

RB . iG + VBE = VBB

...............................................
...............................................

Portanto, a equao de RB :

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Malha de sada:

...............................................
...............................................

RC. IC + VCE = VCC

...............................................
...............................................

Portanto a equao de RC :

...............................................
...............................................
...............................................
Existem vrias formas de simplificar esse circuito, elimi-

...............................................

nando-se uma das formas de alimentao, como sero vis-

...............................................

tas a seguir.

...............................................
...............................................

Circuito de polarizao EC com corrente

...............................................

de base constante

...............................................
...............................................

Para eliminar a fonte de alimentao da base VBB, pode-

...............................................

se fazer um divisor de tenso entre o resistor de base RB e a

...............................................

juno base - emissor, utilizando apenas a fonte VCC, como

...............................................

mostra a figura a seguir.

...............................................
...............................................
...............................................
33
SENAI-PR

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
Polarizao EC com corrente de base constante

...............................................
...............................................

Para garantir a polarizao direta da juno base - emis-

...............................................

sor, e reversa da juno base coletor, RB deve ser maior que

...............................................

R C.

...............................................
...............................................
Rescrevendo-se as equaes das malhas d entrada e

...............................................
...............................................

sada, tem-se :

...............................................
...............................................
Malha de entrada:

...............................................

RB. IB + VBE = VCC

...............................................
...............................................
...............................................

Portanto, a equao de RB :

...............................................
...............................................
...............................................
Malha de sada:

...............................................

RC . IC + VCE = VCC

...............................................

Portanto, a equao de RC :

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Neste circuito, como VCC e RB so valores constantes e

...............................................

VBE praticamente no varia, a variao da corrente de polari-

...............................................

zao da base desprezvel. Por isso, este circuito chama-

...............................................

do de polarizao EC com corrente de base constante.

...............................................
...............................................

Observao

...............................................

Ao se adotarem valores comerciais para os resistores

...............................................

de polarizao, impe-se um pequeno deslocamento

...............................................

no ponto quiescente. Porm, este erro no relevan-

...............................................

te, dado que todos os parmetros do transistor so,

...............................................

tambm, valores estimados pelos fabricantes, sem

...............................................

contar a tolerncia dos resistores de polarizao.

...............................................

34
SENAI-PR

O circuito de polarizao EC com corrente de base cons-

...............................................

tante tem o inconveniente de ser muito sensvel a variaes

...............................................

de temperatura.

...............................................
...............................................

Influncia da temperatura no comportamento

...............................................

dos transistores

...............................................
...............................................

O cristal semicondutor um material sensvel tempe-

...............................................

ratura , isto , seu aumento pode fornecer energia suficiente

...............................................

aos tomos do cristal, gerando novos portadores.

...............................................
...............................................

Assim sendo, os diodos e transistores sofrem influncia

...............................................

da temperatura. No caso dos transistores, a variao da tem-

...............................................

peratura altera principalmente o parmetro , VBE e corrente

...............................................

de fuga.

...............................................
...............................................

Na figura abaixo, est esboada graficamente a influncia da temperatura para o parmetro e VBE.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Influncia da temperatura no transistor

...............................................
A variao de VBE com a temperatura desprezvel (por

...............................................

exemplo: o aumento de temperatura de 25C para 50C cau-

...............................................

sa uma diminuio aproximada de 0,05V em VBE). Porm, a

...............................................

corrente de fuga e o podem ter variaes acentuadas (no

...............................................

caso de , a mesma variao de temperatura pode dobr-lo).

...............................................

Isto ocasiona uma grande variao na corrente de coletor, sem

...............................................

que haja variao na corrente de base, deixando o circuito ins-

...............................................

tvel.

...............................................
...............................................
Com a determinao do ponto quiescente, o que se de-

...............................................

seja fixar a corrente e a tenso de sada do circuito. No caso

...............................................

do circuito de polarizao na configurao EC, reproduzindo

...............................................

35
SENAI-PR

agora na figura abaixo, o ponto quiescente deve fixar os valo-

...............................................

res de ICQ e VCEQ.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Variao do ponto Q por influncia da temperatura

...............................................
...............................................

Analisando a malha de sada, formado por VCC, RC e VCE,

...............................................

observa-se que o aumento de temperatura faz com que a cor-

...............................................

rente de coletor ICQ aumente (aumento da corrente quiescente),

...............................................

aumentando a tenso VRC. Sendo VCC constante, esse aumen-

...............................................

to de VRC tem que ser compensado pela diminuio de VCEQ

...............................................

(diminuio da tenso quiescente). A diminuio de VCEQ pro-

...............................................

voca novo aumento de ICQ, resultando numa realimentao po-

...............................................

sitiva, ou seja, numa instabilidade do circuito.

...............................................
...............................................

Portanto, uma forma de contornar esse problema, for-

...............................................

ar uma realimentao negativa, sempre que houver a ten-

...............................................

dncia de instabilidade no circuito.

...............................................
...............................................

A soluo para isto colocar em srie com o emissor

...............................................
...............................................

um resistor RE.

...............................................
Circuito de polarizao EC com corrente

...............................................

de emissor constante

...............................................
...............................................

Neste circuito de polarizao, inserido um resistor RE

...............................................

entre o emissor e a fonte de alimentao, como mostra figura

...............................................

a seguir, para resistores NPN e PNP.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Polarizao EC com corrente de emissor constante


36
SENAI-PR

...............................................

Analisando o circuito de polarizao do transistor NPN,

...............................................

percebe-se que, se ocorrer um aumento na corrente de coletor

...............................................

devido ao aumento da temperatura, a corrente de emissor tam-

...............................................

bm aumenta. Conseqentemente aumentariam VRC e VRE.

...............................................

Isto provocaria uma diminuio de VCEQ, dando incio a reali-

...............................................

mentao positiva (instabilidade).

...............................................
...............................................

Porm o aumento de VRE causa uma diminuio de VRB

...............................................

na malha de entrada, j que VBEQ se mantm praticamente

...............................................

constante.

...............................................
...............................................

A diminuio de VRB, por sua vez, provoca a diminuio

...............................................

de IBQ e, conseqentemente, de ICQ, compensando seu aumen-

...............................................

to inicial.

...............................................
...............................................

A resposta dada por RE para o aumento de ICQ, chama-

...............................................

se realimentao negativa, e garante a estabilidade do cir-

...............................................

cuito e do ponto quiescente.

...............................................
...............................................

Como a realimentao negativa faz ICQ voltar ao seu va-

...............................................

lor original, o mesmo acontece com IEQ, que mantm-se, por-

...............................................

tanto, constante. Por isso, esse circuito de polarizao co-

...............................................

nhecido por polarizao EC com corrente de emissor cons-

...............................................

tante.

...............................................
...............................................

Equacionando o circuito de polarizao NPN, tem-se:

...............................................
...............................................

Malha de entrada:

...............................................

RB . iB + VBE + RE . iE = VCC

...............................................
...............................................

Portanto a equao de RB :

...............................................
...............................................
...............................................

Malha de sada:

...............................................

RC . iC + VCE + RE . iE = VCC

...............................................

Portanto, a equao de RC :

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Neste caso, tem-se duas equaes para trs incgnitas: RB, RC e RCE.

...............................................
...............................................

37
SENAI-PR

Na prtica, esse problema resolvido, adotando-se um

...............................................
...............................................

dos seguintes critrios:

...............................................
1) Adota-se um valor par RE compatvel com as ten-

...............................................
...............................................

ses e correntes do circuito, ou:

...............................................
2) Adota-se uma tenso para VRE de valor pequeno em

...............................................

relao VCC, para que o resto da tenso possa ser utilizada

...............................................

para determinar a tenso e a corrente de sada quiescentes,

...............................................

respectivamente, VCEQ e ICQ (esta ltima, atravs de VRC). Nor-

...............................................

malmente, utiliza-se VRE = VCC/10.

...............................................
...............................................

Circuito de polarizao EC com divisor

...............................................

de tenso na base

...............................................
...............................................

Uma outra forma de solucionar o problema de instabili-

...............................................

dade com a temperatura o circuito de polarizao mostrada

...............................................

na figura abaixo, conhecido como polarizao por divisor de

...............................................

tenso na base.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Polarizao EC com divisor de tenso na base

...............................................
A anlise feita a seguir, refere-se ao transistor NPN.

...............................................
...............................................

O circuito de polarizao por divisor de tenso na base

...............................................
...............................................

projetado de forma a fixar o valor VVB2.

...............................................
Da malha de entrada tem-se:

...............................................

VRB2 = VBE + VRE

...............................................
...............................................

Fixado o valor de VRB2 como VBE praticamente cons-

...............................................

tante com a temperatura, VRE tambm permanece constante.

...............................................

Isto garante a estabilizao de IEQ e ICQ, independente da vari-

...............................................

ao de .

...............................................
38
SENAI-PR

O valor RB2 pode ser fixado a partir de sua corrente, ado-

...............................................
...............................................

tando-se o seguinte critrio:

...............................................
IB2 = 10.1B

...............................................
...............................................
...............................................

Equacionando esse circuito, tem-se:

...............................................
Malhas de entrada:

...............................................

RB2 . IB2 = VBE + RE . IE

...............................................

RB1 . IB1 + VBE + RE . iE = VCC

...............................................
...............................................
...............................................

Portanto as equaes de RB2 e RB1:

...............................................
...............................................
...............................................
Malhas de sada:

...............................................

RC . IC + VCE + RE . IE = VCC

...............................................
...............................................
...............................................

Portanto as equaes de Rc :

...............................................
...............................................
...............................................
Para este tipo de polarizao, devido ao nmero de incgnitas, vale tambm o seguinte critrio prtico:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

VRE = VCC /10

...............................................
...............................................

Determinao da reta de carga

...............................................
Ponto de saturao:

...............................................

VCEsat = 0

...............................................
...............................................

Pela equao de malha de sada tem-se:


RC . ICsat + VCEsat + RE . IEsat = VCC RC . ICsat + Re . IEsat = VCC

...............................................
...............................................
...............................................

Mas, iC iE. Portanto:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
39
SENAI-PR

Ponto de corte:

...............................................

ICcorte = IEcorte = 0

...............................................
...............................................

Pela equao da malha de sada, tem-se:

...............................................

RC . ICcorte + VCEcorte + RE. IEcorte = VCC VCEcorte = VCC

...............................................
...............................................

Com esses dois pontos, traa-se a reta de carga sobre

...............................................

a curva caracterstica de sada da configurao EC onde se

...............................................

localizar o ponto quiescente, como mostra a figura.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................

Reta de carga na configurao EC

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................
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...............................................
...............................................

Caracterstica de sada do transistor

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................

Circuito de polarizao
40
SENAI-PR

...............................................

Clculo de RC:

...............................................
...............................................

Adotando-se VRE = VCC /10 = 0,9V:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Valor comercial adotado:

...............................................
...............................................

RC = 180

...............................................
...............................................

Potncia de RC:

...............................................
PRC = RC . ICQ = 180x(20x10- 3) = 72mW (1 /8W)

...............................................
...............................................
...............................................

Clculo de RB1 e RB2:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Da malha inferior de entrada, tem-se:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Valor comercial adotado:

...............................................
...............................................

RB2 = 2K2

...............................................
...............................................

Potncia de RB2:

...............................................
PRB2 = RB2 . IB2 = 2,2x103 x (800x10- 6) = 1,41mW (1 /8W)

...............................................
...............................................

Da malha formada por Vcc, RB1, VBE e VRE, tem-se:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

41
SENAI-PR

...............................................

Valor comercial adotado:

...............................................
...............................................

RB1 = 8K2

...............................................
...............................................

Potncia de RB1:

...............................................
PRB1 = RB1 . IB1 = 8,2x103 x (880x10- 6) = 6,35mW (1 /8W)

...............................................
...............................................
...............................................

Clculo de RE:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Valor comercial adotado:

...............................................
...............................................

RE = 47

...............................................
...............................................

Potncia de RE:

...............................................
PRE = RE . IEQ = 47x(20,08x10- 3) = 19mW (1 /8W)

...............................................
...............................................
...............................................

Determinao da reta de carga:

...............................................
...............................................
...............................................
Para ICcorte = 0 ICEcorte = VCC = 9V

...............................................
...............................................

Portanto, a reta de carga com o respectivo ponto

...............................................
...............................................

quiescente fica como mostrada a seguir:

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
42
SENAI-PR

Uma outra forma de analisar o circuito de polarizao

...............................................

EC com divisor de tenso na base, substituindo-se o divisor

...............................................

de tenso por seu circuito equivalente Thvenin, visto da base

...............................................

do transistor.

...............................................
...............................................

A resistncia equivalente de Thvenin (RTh) obtida cur-

...............................................

to circuitando-se a fonte VCC. Observando a figura da caracte-

...............................................

rstica de saida do transistor da pagina 40, VCC em curto colo-

...............................................

ca os resistores RB1 e RB2 em paralelo, sendo RTh, determina-

...............................................

da por :

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

A tenso equivalente de Thvenin (VTh) a tenso aplicada pelo divisor de tenso base do transistor, isto :

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Portanto, o circuito de polarizao equivalente fica como

...............................................
...............................................

mostra a figura abaixo.

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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Circuito de polarizao equivalente

...............................................
Este circuito, com exceo de RE, anlogo ao primeiro

...............................................

circuito de polarizao EC analisado, com duas fontes de ali-

...............................................

mentao. A diferena que neste, a Segunda fonte VTh

...............................................

apenas um artificio usado para o equacionamento de circuito.

...............................................
...............................................
...............................................

Equacionando-se este circuito tem-se:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
43
SENAI-PR

Malha de entrada:

...............................................

RTh . iB + VBE + RE . iE = VTh

...............................................
...............................................

Malha de sada:

...............................................

RC . iC + VCE + RE . iE = VCC

...............................................
...............................................

Pelas equaes das malhas, observa-se que existem

...............................................
...............................................

mais de duas incgnitas.

...............................................
Este problema resolvido, adotando-se os seguintes

...............................................
...............................................

valores prticos:

...............................................
VRE = VCC /10

...............................................

IB = IB2 /10

...............................................
...............................................

Como se v, dependendo dos dados conhecidos, a de-

...............................................

terminao do ponto quiescente pode ser feita graficamente

...............................................

ou analiticamente, sem grandes erros, principalmente porque

...............................................

os transistores no tm parmetros rgidos que garantam gran-

...............................................

de preciso.

...............................................
...............................................

Completar a tabela a seguir (com valores aproximados),

...............................................
...............................................

para cada uma das situaes:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
44
SENAI-PR

APLICAES BSICAS DOS TRANSISTORES

...............................................
...............................................
...............................................

Transistor como chave

...............................................
...............................................

Um transistor operando na regio de saturao e de


corte funciona como uma chave, ou seja, como um elemento
de controle on-off, conduzindo corrente ou no.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Analogia Transitor - Chave

...............................................
...............................................

O circuito de polarizao utilizado nesta aplicao o


de corrente de base constante com duas fontes de alimentao, sendo que a fonte de polarizao da base , na realidade, o sinal de entrada que controla o transistor, cortando-o (chave aberta) ou saturando-o (chave fechada).

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Transistor operando como chave

...............................................
...............................................

Para que o transistor opere na regio de corte Q1, ne-

...............................................

cessrio que a tenso de entrada VE seja menor que VBE de

...............................................

conduo. Nesta situao, no circula corrente pelo coletor


(ICcorte 0) e a tenso de sada mxima (VS = VCEcorte VCC).

...............................................
...............................................
...............................................

Para que o transistor opere na regio de saturao Q2,

...............................................

necessrio que a tenso de entrada VE seja maior que VBE de

...............................................

conduo. Nesta situao, a corrente de coletor mxima


(ICsat), dentro de um limite imposto pela polarizao, e a tenso de sada mnima.

...............................................
...............................................
...............................................

45
SENAI-PR

Para dimensionar RC e RB, utiliza-se a anlise das ma-

...............................................
...............................................

lhas de entrada e de sada.

...............................................
Malha de entrada:

...............................................

VRB = VE - VBE

...............................................
...............................................

Malha de sada:

...............................................

VRC = VCC - VCE

...............................................
...............................................
...............................................

Assim tem-se :

...............................................
...............................................
...............................................
Como o corte do transistor depende apenas da tenso

...............................................

de entrada VE, o clculo dos resistores de polarizao feito

...............................................

baseando-se apenas nos parmetros de saturao.

...............................................
...............................................

Um transistor comum, quando saturado, apresenta um

...............................................

VCEsat de aproximadamente 0,3V e um determinado valor mni-

...............................................

mo de (entre 10 e 50) para garantir a saturao. A corrente

...............................................

de coletor de saturao ICsat depende da resistncia acoplada

...............................................

ao coletor ou da corrente imposta pelo projeto. Assim, as equa-

...............................................

es ficam:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Malha de entrada:

...............................................
...............................................

VRB = VE - VBEsat

...............................................
...............................................

Calculando RB:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
46
SENAI-PR

...............................................
RB = 6640

...............................................
...............................................

Valor comercial adotado:

...............................................
...............................................

RB = 6K8

...............................................
...............................................

Potncia de RB:

...............................................
...............................................

PRB = RB . IBsat = 6,8x10x(1,25x10- 3) = 10,625mW (1 /8W)

...............................................
...............................................

Quando a chave passa para a posio OFF, a entrada

...............................................

aterrada (VE < VBE), causando o corte de transistor e, conse-

...............................................

qentemente, apagando o LED.

...............................................
...............................................

Um circuito digital (TTL) foi projetado para acionar um

...............................................

motor de 110V/60Hz sob determinadas condies. Para tan-

...............................................

to, necessrio que um transistor como chave atue sobre um

...............................................

rel, j que nem o circuito digital, nem um transistor podem

...............................................

acionar este motor. O circuito utilizado para este fim est mos-

...............................................

trado a seguir:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Neste circuito, em srie com RC coloca-se a bobina do

...............................................

rel. Esta bobina, normalmente, apresenta uma resistncia DC

...............................................

da ordem de algumas dezenas de Ohm. Por ser to baixa, o

...............................................

resitor RC tem a funo de limitar a corrente no transistor, para

...............................................

no danific-lo. O diodo em paralelo com a bobina serve para

...............................................

evitar que o transistor se danifique devido corrente reversa

...............................................

gerada por ela no chaveamento do rel.

...............................................
...............................................
...............................................
47
SENAI-PR

...............................................

Fonte de tenso estabilizada

...............................................
Uma outra aplicao para os transistores na constru-

...............................................

o de fontes de tenso estabilizadas. Uma fonte de tenso

...............................................

estabilizada ideal aquela que mantm a tenso de sada cons-

...............................................

tante, independentemente da corrente solicitada pela carga.

...............................................

Na prtica, isto s acontece dentro de uma faixa de valores de

...............................................

correntes de sada.

...............................................
...............................................

A figura a seguir mostra dois circuitos estabilizadores de

...............................................

tenso, sendo o circuito (a) usado para tenses de sada posi-

...............................................

tiva (com transistor NPN) e o circuito (b) usado para as ten-

...............................................

ses de sada negativa (como transistor PNP).

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Circuito estabilizadores de tenso

...............................................
...............................................
O circuito utilizado para implementar esta fonte basea-

...............................................
...............................................

do na configurao base comum.

...............................................
A tenso de entrada VE pode ser constante (desejando

...............................................

estabiliz-la num valor menor) ou vir de um circuito retificador

...............................................

com filtro, cuja sada apresenta ondulao (ripple).

...............................................
...............................................

O diodo zener garante a estabilidade e o transistor per-

...............................................

mite ampliar a faixa de valores de correntes de sada, sem

...............................................

sobrecarregar o diodo zener. RS um resistor limitador de

...............................................

corrente para o diodo zener.

...............................................
...............................................

Como os dois circuitos so similares, a anlise a seguir

...............................................

ter como referncia o circuito estabilizador de tenso positi-

...............................................

va, considerando que o mesmo est alimentando uma carga

...............................................
...............................................

48
SENAI-PR

...............................................

RL qualquer.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

Anlise do circuito estabilizador de tenso

...............................................
A tenso de sada pode ser determinada pela malha ex-

...............................................
...............................................

terna e pela malha de sada:

...............................................
Malha externa: VS = VE - VCE (I)

...............................................

Malha de sada: VS = VZ - VBE (II)

...............................................
...............................................

Sendo este um circuito estabilizador de tenso, ele deve

...............................................

compensar tanto as variaes de tenso de entrada VE, como

...............................................

as variaes de corrente de sada iS (causadas pelas varia-

...............................................

es na carga RL).

...............................................
...............................................

Pela equao (II), nota-se que a tenso de sada VS

...............................................

constante, pois tanto a tenso zener VZ com a tenso VBE so

...............................................

estveis. Assim, qualquer variao na carga compensada

...............................................

pela variao de iS, mantendo a tenso de sada constante.

...............................................
...............................................
...............................................

No transistor tem-se que:

...............................................
...............................................

VCE = VCB + VBE

...............................................
Desde modo, um aumento na entrada VE, causa um au-

...............................................

mento em VCB. Como VBE constante , VCE aumenta. Portanto

...............................................

pela equao (I), VS permanece constante. O mesmo ocorre

...............................................

para diminuio de VE, ou seja, VCE compensa as variaes

...............................................

de tenso na entrada.

...............................................
...............................................

Como VCB = VRS, as variaes de tenso provocam vari-

...............................................

aes na corrente iRS, que so absorvidas pelo diodo zener

...............................................

com variaes de iZ, sem que sua tenso de sada se altere.

...............................................
...............................................

49
SENAI-PR

Como se v, as variaes na tenso de entrada e na

...............................................

corrente de sada so sempre compensadas pelas variaes

...............................................

de VCE e iZ.

...............................................
...............................................

Por outro lado, existem limites mximos e mnimos tan-

...............................................

to para VCE como para iZ, o que limita os valores mximos e

...............................................

mnimos da tenso de entrada e da corrente de sada, para

...............................................

que haja tanto a estabilizao da tenso como a proteo do

...............................................

transistor e do diodo zener.

...............................................
...............................................
...............................................

Limitaes da tenso de entradas

...............................................
O diodo zener limita a tenso mnima de entrada na

...............................................
...............................................

garantia de regulao (IZm):

...............................................
...............................................
...............................................
O diodo zener limita a tenso mxima de entrada por

...............................................
...............................................

sua corrente mxima de sua conduo (IZM):

...............................................
...............................................
...............................................
O transistor limita a tenso mnima de entrada na sua

...............................................
...............................................

condio de saturao (VCEsat):

...............................................
...............................................
...............................................
O transistor limita a tenso mxima de entrada por sua

...............................................
...............................................

tenso mxima (VCEmax):

...............................................
...............................................
...............................................
Das tenses mnimas VEm , escolhe-se a maior, e das

...............................................
...............................................

tenses mximas VEm, escolhe-se a menor.

...............................................
Limitaes impostas pela corrente de sada

...............................................
...............................................

A corrente mnima de sada zero (circuito sem carga)

...............................................

e, neste caso, IB = 0 e IZ = IRS. Portanto, a corrente de sada

...............................................

zero faz com que toda a corrente passe pelo diodo zener, limi-

...............................................

tando os valores mnimo e mximo de RS.

...............................................
50
SENAI-PR

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
A corrente mxima de sada ISM (carga muito baixa)

...............................................

limitada pela corrente mxima de coletor do transistor (ICmax)

...............................................

que por sua vez, depende da potncia mxima que o transis-

...............................................

tor pode dissipar (PCmax). Considerando IS IC, tem-se:

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................

As equaes anteriores, referentes s limitaes do cir-

...............................................

cuito e dos dispositivos, devem ser utilizadas conforme as

...............................................

especificaes do projeto e em funo dos dispositivos dispo-

...............................................

nveis ou escolhidos.

...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
...............................................
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SENAI-PR

1) Utilizando um transistor BD137, calcule seus resistores de polarizao para que ele
comande o acionamento de um motor DC de 3V/750mW, a partir de um circuito
digital TTL.
Parmetros do BD137:
VBEsat = 0,7V
VCEsat = 0,3V
sat = 40
ICmax = 1,5A
VCEmax = 60V
2) Deseja-se construir um eliminador de bateria de 7,5 V, a partir de um circuito retificador que fornece em sua sada 20V 20%. Este circuito ser utilizado para alimentar
cargas de no mnimo 20. Tem-se disponvel um transistor BD237 e um diodo zener
BZW03-C8V2. Determine um valor de RS que satisfaa essas condies e verifique
se o diodo zener e o transistor so adequados para este fim.
Parmetros do BD237:
VBE = 0,7V
VCEmax = 80V
ICmax = 2A
Parmetros do BZW03-C8V2:
VZ = 8,2V
PZM = 6W
3) Desenhe o circuito de uma fonte de tenso estabilizada com sada simtrica, a partir
de um retificador de onda completa em ponte.

O TRANSISTOR COMO COMPARADOR

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Introduo

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A utilizao do transistor como elemento regulador na

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construo de fontes de alimentao estabilizadas levou a pes-

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quisa de circuitos destinados a melhoria da qualidade dessas

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fontes.

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Um dos circuitos a transistor que possibilitou a melhoria


de qualidade das fontes de alimentao foi o comparador.

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Este fascculo tratar do circuito comparador a transis-

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tor, sua constituio e princpio de funcionamento, visando

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prepar-lo para compreender o funcionamento das fontes re-

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guladas com comparador.

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Transistor como comparador

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Os comparadores so circuitos eletrnicos que recebem

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uma amostra de sinal, comparam esta amostra com um valor

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de referncia e produzem, na sua sada, um sinal proporcional

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diferena entre amostras e referncia.

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Os circuitos comparadores so muito utilizados em fontes de alimentao.

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O circuito comparador

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Um circuito comparador pode ser constitudo por um

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transistor ligado na configurao emissor comum, conforme

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mostra a figura.

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Referncia

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A referncia necessria para o funcionamento correto

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dos circuitos comparadores consiste em uma fonte de ten-

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so ou corrente constante.

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Na figura acima, o diodo zener e o resistor fornecem uma

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tenso constante ao emissor do transistor. A tenso de emis-

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sor a tenso constante de referncia.

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Amostra

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A amostra geralmente fornecida ao circuito comparador

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por um divisor de tenso resistivo.


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SENAI-PR

Pela primeira caracterstica de funcionamento do divisor

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de tenso, a amostra se comporta como uma representao

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exata de tudo o que acontece na entrada do sinal de

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amostragem.

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Funcionamento

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O princpio de funcionamento do circuito baseia-se na


variao de tenso base-emissor do transistor.

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A tenso do emissor tem sempre o valor fixo de refern-

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cia, de forma que o VBE do transistor depende fundamental-

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mente da tenso aplicada base (amostra).

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VBE = VB - VE

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VBE = VAMOSTRA - VZ

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A tenso da base depende do comportamento do sinal


onde retirada a amostra.

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A tenso na sada do circuito comparador depende da


tenso entre base-emissor do transistor.

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Se a tenso do ponto onde feita a tomada de amostra

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sofre um pequeno aumento, tem-se:

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A pequena elevao na tenso amostrada provoca uma

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reduo muito maior na sada do circuito.

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A reduo na tenso de sada proporcional ao aumen-

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to ocorrido na amostra. Se a tenso no ponto onde feita a

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tomada de sinal sofre uma pequena reduo, tem-se:

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Uma pequena reduo na tenso amostrada provoca


uma elevao muito maior na sada do circuito:

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Conclui-se que o circuito comparador, alm de detectar

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variaes no sinal amostrado, fornece na sada uma verso

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amplificada proporcional a esta variao.

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Comparador de atuao INVERSA ou DIRETA

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O circuito comparador atua como amplificador de ten-

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so contnua, fornecendo na sada uma verso ampliada das

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mudanas ocorridas no sinal amostrado.

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Os comparadores podem ser classificados como sen-

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do de atuao direta ou inversa, dependendo de forma como o

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sinal de sada se comporta em relao ao sinal amostrado.

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Comparador de atuao inversa

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Um circuito comparador pode ser classificado como de

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atuao inversa quando o sinal de sada varia de forma oposta

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ao sinal amostrado.

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Os circuitos comparadores compostos por apenas um

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transistor so sempre de atuao inversa.

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Tem-se, por exemplo, o circuito comparador utilizado
para demonstrar o princpio de funcionamento.

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Comparador de atuao direta

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O comparator de atuao direta fornece na sada um

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sinal que varia de forma proporcional e no mesmo sentido que

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a variao no sinal amostrado.

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Os comparadores de atuao direta so constitudos,

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normalmente, por circuitos mais completos. Um dos circuitos

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comparadores mais simples mostrado na figura abaixo.

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Este comparador de atuao direta composto por duas

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partes:

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Um comparador de atuao inversa;

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Um estgio com finalidade de inverter as variaes do

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comparador, entregando na sada um sinal de mes-

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ma fase de entrada.

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A figura a seguir ilustra a forma como o circuito funciona, quando ocorre um aumento na tenso amostrada.

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FONTE REGULADA COM COMPARADOR

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Introduo

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Este fascculo corresponde a um fechamento terico e

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prtico de uma etapa do curso de eletrnica.

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Atravs do circuito da fonte regulada com comparador

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sero reunidos, em uma nica montagem com aplicao pr-

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tica, um circuito retificador, o filtro e o estgio regulador de

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tenso com comparador.

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importante observar como os circuitos so reunidos,

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como peas de um quebra - cabea, formando um conjunto

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nico.

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O objetivo maior deste fascculo justamente desenvol-

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ver uma habilidade em identificar, num circuito completo, os

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pequenos circuitos que o compem. Esta habilidade indis-

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pensvel queles que desejam fazer a manuteno em equi-

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pamentos eletrnicos.

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Fonte regulada com comparador

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um circuito eletrnico destinado a fornecer um valor

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de tenso contnua constante na sada, embora as correntes

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de carga e a tenso de entrada variem dento de um limite pr-

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estabelecido.

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As fontes reguladas com comparador so uma verso

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mais elaborada dos circuitos reguladores convencionais,

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sendo utilizados para alimentao de equipamentos que ne-

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cessitem uma grande estabilidade nas tenses de funciona-

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mento.

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SENAI-PR

Digrama de blocos

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A figura a seguir representa o diagrama em bloco completo de uma fonte regulada com comparador.

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Os trs primeiros blocos representam a transformao


de tenso alternada da rede em tenso contnua filtrada.

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A converso de nvel feita para que se obtenha o valor

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de tenso alternada necessrio na retificao, a partir das ten-

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ses padronizadas das redes eltricas (110V, 220V ou 380V).

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A retificao consiste na transformao da tenso alter-

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nada em contnua pulsante, atravs dos diodos, ligados de for-

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ma a fornecer meia-onda ou onda completa.

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A filtragem tem por objetivo aproximar a forma de tenso


de sada de retificao de uma tenso contnua pura.

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Os blocos restantes, que constituem o circuito regula-

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dor de tenso propriamente dito, so discutidos a seguir, to-

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mando como base a figura seguinte.

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O bloco denominado referncia representa o compo-

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nente ou circuito que tem por finalidade fornecer a tenso de

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referncia necessria para o funcionamento do comparador.

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A amostragem tem por finalidade fornecer uma parcela

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da tenso de sada necessria para o funcionamento do

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comparador.

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O bloco denominado comparao representa o circui-

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to que recebe as tenses de amostra e referncia, comparan-

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do-os e apresentando na sada uma tenso proporcional a di-

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ferena entre as duas entradas. O circuito comparador, em

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geral, atua tambm como amplificador da diferena entre amos-

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tra e referncia.

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O bloco denominado controle representa o transistor


regulador, que recebe na base a tenso de sada da fonte.

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A compreenso da finalidade de cada um dos blocos,

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bem como a identificao de cada um dos seus componentes

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muito importante, na medida em que facilita a manuteno

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e reparo da fonte regulada.

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Circuito de fonte regulada

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As figuras seguintes apresentam o diagrama de blocos

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e o circuito real completo de uma fonte regulada com

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comparador, com os diversos blocos identificados.

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Amostragem

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Em um circuito de fonte de alimentao o sinal de sada a tenso CC fornecida.

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A amostra nas fontes de alimentao um valor de

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tenso, obtido de sada, que se comporta com a tenso de

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sada de sada, ou seja:

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Nas fontes de alimentao utiliza-se um divisor de tenso para obter a tenso de amostra (figura abaixo).

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A tenso fornecida pelo divisor se caracteriza perfeita-

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mente como amostra, sendo uma parcela de tenso de sa-

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da e se comportando como esta.

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Como em muitas ocasies se fazem necessrios ajus-

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tes no valor de tenso das amostras, usualmente os divisores

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de tenso dispem de um potencimetro ou trimpot (figura

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abaixo).

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O trimpot permite que a tenso de sada da fonte seja

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ajustvel dentro de certos limites.

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Referncia

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Nos circuitos de fontes de alimentao a referncia con-

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siste de valor de tenso constante, independente das varia-

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es de carga ou de entrada. Utiliza-se, neste caso, o diodo

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zener como fornecedor da tenso de referncia.

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A figura a seguir mostra duas formas de obteno de

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tenso de referncia.

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Comparao

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Nos circuitos d fontes de alimentao o bloco do circuito
comparador est posicionado conforme mostra a figura.

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A funo da comparao pode ser executada por apenas um transistor ou por circuitos mais elaborados.

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