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Centro de Formao Profissional Aloysio Ribeiro de Almeida

ELETRNICA I

Presidente da FIEMG Robson Braga de Andrade Gestor do SENAI Petrnio Machado Zica Diretor Regional do SENAI e Superintendente de Conhecimento e Tecnologia Alexandre Magno Leo dos Santos Gerente de Educao e Tecnologia Edmar Fernando de Alcntara

Elaborao Vanderlei Batista Flausino Unidade Operacional Centro de Formao Profissional Aloysio Ribeiro de Almeida Varginha - MG 2004.

Sumrio

APRESENTAO ..............................................................................................................................4 TRANSISTOR BIPOLAR....................................................................................................................6 POLARIZAO..................................................................................................................................7 OPERAO BSICA.........................................................................................................................8 CONFIGURAES BSICAS:........................................................................................................13 REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES ......................................................................16 CURVAS CARACTERSTICAS: ......................................................................................................18 CIRCUITOS DE POLARIZAO:....................................................................................................20 RETA DE CARGA ............................................................................................................................31 TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA. ...............................................................................37 TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE. .............................................................................40 REGULADOR SRIE. ......................................................................................................................45 REGULADOR PARALELO ..............................................................................................................50 REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO ...........................................................................54 CONFIGURAO DARLINGTON ...................................................................................................60 PR AMPLIFICADORES .................................................................................................................64 AMPLIFICADOR DE POTNCIA CLASSE A E B.........................................................................76 REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ................................................................................................83

Fundamentos de Eletrnica I ____________________________________________________________

Apresentao

Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do conhecimento. Peter Drucker

O ingresso na sociedade da informao exige mudanas profundas em todos os perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produo, coleta, disseminao e uso da informao. O SENAI, maior rede privada de educao profissional do pas,sabe disso , e ,consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a gide do conceito da competncia: formar o profissional com responsabilidade no processo produtivo, com iniciativa na resoluo de problemas, com conhecimentos tcnicos aprofundados, flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e conscincia da necessidade de educao continuada. Vivemos numa sociedade da informao. O conhecimento , na sua rea tecnolgica, amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualizao se faz necessria. Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliogrfico, da sua infovia, da conexo de suas escolas rede mundial de informaes internet- to importante quanto zelar pela produo de material didtico.

Isto porque, nos embates dirios,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e laboratrios do SENAI, fazem com que as informaes, contidas nos materiais didticos, tomem sentido e se concretizem em mltiplos conhecimentos. O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didticos, aguar a sua curiosidade, responder s suas demandas de informaes e construir links entre os diversos conhecimentos, to importantes para sua formao continuada ! Gerncia de Educao e Tecnologia

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Transistor Bipolar
O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais, formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n". O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de transistor pnp. Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes como: chaves comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso e de potncia, osciladores, etc. O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, eltron ou lacuna, o transistor denominado unipolar (FET).

Estrutura Bsica:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C respectivamente). Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de juno mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.

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Polarizao
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas junes, da seguinte forma: 1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente 2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno bipolar, seja ele npn ou pnp. As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de transistores: Transistor npn com polarizao direta entre base e emissor e polarizao reversa entre coletor e base.

Transistor pnp com polarizao direta entre base e emissor e polarizao reversa entre coletor e base

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.

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Operao Bsica
Juno Diretamente Polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta entre base e emissor. Para estudar o comportamento da juno diretamente polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.

Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com a polarizao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo estreita. Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios do material p para o material n.

Juno Reversamente Polarizada:


Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada, conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarizao direta entre emissor e base.

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Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxo de portadores minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende tambm da temperatura. Podemos ento dizer que uma juno p-n deve ser diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra juno p-n deve ser reversamente polarizada (base-coletor).

Fluxo de Corrente:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente, atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n. Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que: 1. A base a camada mais fina e menos dopada; 2. O emissor a camada mais dopada; 3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o emissor.

Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a base uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor. A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores, ou seja da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo alcanar alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para transistores de potncia, a corrente de base significativamente menor. Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos portadores majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor (C) recebe os portadores majoritrios provenientes do emissor.

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A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados tambm de corrente de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor), formando assim uma corrente minoritria de lacunas. Lembre-se de que os portadores minoritrios em um cristal do tipo n so as lacunas. Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO). Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente , obtemos: IE = IC + IB, onde:

IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS) Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um transistor npn, atravs de uma outra forma de representao. No entanto, o processo de anlise o mesmo.

Na figura acima observa-se que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO) provenientes da base so os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a corrente de base (IB) tem um sentido oposto , uma vez que, essa corrente formada por lacunas. Da mesma forma as correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) tambm tem sentidos opostos, por serem formadas por eltrons. OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de anlise, bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polarizao e lembrar que: Cristal N - os portadores majoritrios so os eltrons e os minoritrios as lacunas; Cristal P - os portadores majoritrios so as lacunas e os minoritrios os eltrons.
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A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.

A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma regio de baixa impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da ordem de 0,55V a 0,7V para transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada pela bateria VEE enquanto que, a juno base-coletor est reversamente polarizada em funo da bateria VCC. Na prtica, VCC assume valores maiores do que VEE. Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores majoritrios provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em duas componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do juno reversamente polarizada coletor-base, denominada ICBO, sendo que esta ltima assume valores extremamente baixos que em muitos casos podem ser desprezados. A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende do tipo de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia de acordo com o tipo de transistor. A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa)1, de forma que, a corrente de coletor representada por IE. Os valores tpicos de variam de 0,9 a 0,999. Isto significa que parte da corrente do emissor no chega ao coletor2. Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se que a corrente de emissor 2mA? Soluo: IC = IE IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA Caso ICBO no seja desprezada, a corrente de coletor dada por: IC = IE + ICBO ( I )

1 2

O smbolo hFB algumas vezes usado na lugar de Isto explicvel, pois menor do que 1.
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Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base forma a corrente de base, assim: IE = IC + IB ( II ) Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base: IB = (1 - ) . IE - ICBO =

1- ICBO . IC

A relao / (1 - ) representada por (beta)3. Podemos ento estabelecer as relaes:

1-
+1

Exemplos: a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ? Soluo: 0,92 0,92 = = = 11,5 1 - 0,92 0,08 b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ? Soluo: 100 = = = 0,99 + 1 101 Podemos ento estabelecer uma relao entre e .4 Temos ento: IC IC = e = IB IE assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da ordem de 30 a 600). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende a aproximar-se de 1. Assim, levando-se em conta que IC = IE, para um valor de 100, podemos considerar para fins prticos: IC = IE

3 4

O smbolo hFE algumas vezes usado no lugar de Alguns autores utilizam a notao CC e CC
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Configuraes Bsicas:
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base comum (BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes relacionam-se aos pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos terminais do transistor referncia para a entrada e sada de sinal.

Base Comum:
No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base e retirado entre coletor e base. Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada e sada do sinal. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base seja efetivamente aterrada para sinais alternados.

CARACTERSTICAS: Ganho de corrente (Gi): < 1 Ganho de tenso (GV): elevado Resistncia de entrada (RIN): baixa Resistncia de sada (ROUT): alta

Emissor Comum
No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do emissor para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.

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CARACTERSTICAS: Ganho de corrente (Gi): elevado Ganho de tenso (GV) elevado Resistncia de entrada (RIN) mdia Resistncia de sada (ROUT) alta

Coletor Comum
A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum. A configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de emissor. Essa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na entrada estar praticamente presente na sada (circuito de emissor). O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de emissor. O capacitor "CC" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja aterrado para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.

CARACTERSTICAS: Ganho de corrente (Gi): elevado Ganho de tenso (GV): 1 Resistncia de entrada (RIN): muito elevada Resistncia de sada (ROUT): muito baixa

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As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra. Essas configuraes tambm podem ser apresentadas conforme ilustram as figuras abaixo:

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Representao de Tenses e Correntes


Para representar tenses e correntes em um circuito com transistores, utiliza-se usualmente o mtodo convencional , atravs de setas. Para as tenses, a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e as correntes so representadas com setas em sentido contrrio as das tenses. Podemos por exemplo representar uma tenso entre coletor e emissor por VCE quando o transistor for npn. Isto significa que o coletor mais positivo do que o emissor. Em outras palavras, a primeira letra aps o V (neste caso o coletor) mais positiva do que a segunda letra (neste caso o emissor). Para um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por VEC, indicando que o emissor mais positivo do que o coletor. A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando essa representao. ( na maioria das literaturas VEC simbolizada por VCE )

Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes; observe que as setas que indicam o sentido da corrente so opostas aquelas que indicam as tenses.

Para as tenses VRC (tenso no resistor de coletor) e VRE ( tenso no resistor de emissor), a ponta da seta indica que a tenso na parte superior desses resistores mais positiva do que na parte inferior.

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Polarizao com uma nica Bateria:


Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias, sendo uma para polarizao da juno base-emissor e outra para a juno basecoletor. Na maioria das vezes, uma nica bateria pode polarizar um circuito transistorizado, visto que o mesmo comporta-se como um circuito fechado. As tenses nas junes do transistor e nos componentes externos, como resistores, capacitores, indutores, etc. podem ser calculadas utilizando-se as leis de Kirchhoff para tenso (LKT). Da mesma forma, as correntes podem ser calculadas aplicando-se LKC. A figura a seguir mostra um transistor com polarizao por divisor de tenso na base, cuja teoria ser vista no captulo referente aos circuitos de polarizao. Observe atentamente as indicaes das tenses e das correntes em funo do sentido das setas.

Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes: 1. 2. 3. 4. 5. 6. VCC - VRC - VCE - VRE = 0 VCE -VBE - VCB = 0 VCC - VRB1 - VRB2 = 0 VRB1 - VRC - VCB = 0 VRB2 - VBE - VRE = 0 VCC - VRC - VCB - VBE - VRE = 0

Aplicando-se LKC no ponto X, temos: 1. IB = I1 - I2 2. I1 = I2 + IB

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Curvas Caractersticas:
As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais como: regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura. De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica, normalmente as regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de transistor operando como amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa. A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem riscos de danos. A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim didtico, no sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.

Curva Caracterstica para Montagem em Emissor Comum:


A regio de corte mostrada na rea sombreada, onde IB = 0. A curva de potncia mxima representa a mxima potncia que pode ser dissipada pelo transistor.

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A figura abaixo mostra a curva caracterstica para emissor comum semelhante a vista anteriormente, no entanto, observe a rea sombreada, a qual denominada de rea til, na qual o transistor opera com total segurana. A regio til delimitada pela curva de potncia mxima5 e conforme dito anteriormente, o transistor trabalha com segurana, no ultrapassando a mxima potncia permitida.

Tambm denominada hiprbole de mxima dissipao.


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Circuitos de Polarizao:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e suas principais caractersticas:

Polarizao por Corrente de Base Constante

Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado quando deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois pontos bem definidos: corte e saturao. Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares, pois muito instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de . Para este tipo de polarizao: IC = IB Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: VCE = 0,5VCC

Polarizao por Corrente de Emissor Constante

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Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do resistor de emissor. Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando tambm a tenso no emissor, fazendo com que haja uma diminuio da tenso de polarizao VBE, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de coletor menor compensando parcialmente o aumento original de . Aplicando LKT: VCC = VRC + VCE + REIE Onde: Logo: VRC = RCIC VCC = RCIC + VCE + REIE

Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal de sada: VRE = 0,1VCC Equaes bsicas: IB =

VCC IC ou ainda: IB = RB + RE

IE = ( + 1)IB

Polarizao por Realimentao Negativa


Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.

Equaes bsicas: VRE = 0,1VCC VRC = VCC - (VCE + VRE) IB =

VCC RB + RC

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Seguidor de Emissor
O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1) Equaes bsicas: VCE = 0,5VCC RE =

0,5VCC IE

IE = IB

Polarizao por Divisor de Tenso na Base

A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos mtodos mais usados em circuitos lineares. A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica (praticamente independente de ). O nome divisor de tenso proveniente do divisor de tenso formado por RB1 e RB2, onde RB2 polariza diretamente a juno base-emissor. Passemos a analisar como opera esse tipo de polarizao. Aplicando Thvenin:Abrindo o terminal da base temos: VTH =

RB2 . VCC RB1 + RB2


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Ainda com o terminal da base aberto e VCC em curto, temos: RTH =

RB1 . RB2 RB1 + RB2

Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:

OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de RBB enquanto que a tenso equivalente de Thvenin recebe o nome de VBB Aplicando LKT: VTH - RTHIB - VBE - REIE = 0 Sendo: IB =

IE VTH - VBE , temos: IE = RTH +1 RE + +1


RTH , podemos simplificar a frmula: +1

Se RE for 10 vezes maior do que

IE =

VTH - VBE RE

Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o que eqivale dizer que: RTH 0,1RE Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um projeto de polarizao por divisor de tenso na base: VE = 0,1VCC VCE = 0,5VCC
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VRC = 0,4VCC RC = 4RE RBB = 0,1RE RB1 =

RBB . VCC VCC ou RB1 = RBB . VBB VBB RB1 . RBB RBB ou RB2 = VBB RB1 - RBB 1VCC

RB2 =

Clculo das correntes de emissor, base e coletor


Em funo de IB =

IE - ICBO ( + 1)

IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO onde: ( + 1)ICBO = ICEO

IC = IB + ( + 1)ICBO

Em funo de : Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila: IC = IE + ICBO Temos: IE = IC + IB Logo: IC = (IC + IB) + ICBO Portanto: IC = IC + IB + ICBO Resolvendo: IC - IC = IB + ICBO Colocando IC em evidncia resulta: IC (1 - ) = IB + ICBO Portanto: IC =

IB ICBO + 1- 1-

Correntes de Fuga no Transistor:


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Existem trs situaes distintas para o transistor: coletor aberto; emissor aberto e base aberta.

IEBO: a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. No normal termos esta situao, uma vez que a juno base-emissor de um transistor sempre polarizada diretamente. ICEO: Esta corrente ao contrrio da anterior, tem um elevado significado. Trata-se da corrente entre coletor e emissor com a base aberta. ICEO = ( + 1)ICBO Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto mais adiante. ICBO: Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que, para cada 10C de aumento de temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre coletor e base, com o emissor aberto.

Exerccios Resolvidos sobre Polarizao:


1- Dado o circuito abaixo, polarizar o transistor na regio ativa, determinando o valor dos resistores e as correntes.

DADOS: = 100 IC = 3mA VBE = 0,7V

Soluo:
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Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos: VE = VRE = 1,2V VCE = 6V VRC = 4,8V Clculo de IB Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB = Clculo de RE RE =

3mA IC = = 30A 100

VRE 1,2V = = 400 IE 3mA

Clculo de RBB RBB = 0,1.400 = 4k Clculo de VBB VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2 VBB = 2,02V Clculo de RC RC =

VRC 4,8V = = 1,6k (equivalente a 4RE) IC 3mA

Clculo de R1 R1 =

RBB . VCC 4.000 . (12) 48.000 = = = 23.762 2,02 2,02 VBB

Clculo de R2 R2 =

R1 . RBB (23.762).(4.000) 95.048 = = = 4.817 R1 - RBB 23.762 - 4.000 19.762

Podemos tambm calcular R2 da seguinte forma: R2 =

4.000 4.000 4.000 RBB = = = = 4.809 4.817 2,02 VBB 1 - 0,1683 0,8317 11VCC 12

2 - Dado o circuito a seguir, calcule: , ICEO, IC, IB, RC e RB.


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DADOS: I = 4mA

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Clculo de 0,92 = = = 11,5 1 - 1 - 0,92 Clculo de ICEO ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6A) = 75A Clculo de IC IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA Clculo de IB IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A Clculo de RC RC =

VRC IC

VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)

VRC = 12 - 5 - 1,2 = 5,8V RC =

5,8V = 1.54k (1.544,6) 3,755mA

Clculo de RE RE =

VRE 1,2 = = 300 IE 4mA

Clculo de RB
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RB =

VRB IB

VRB = VCC - VBE - VRE

VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V

RB =

10,25V = 41,84k (41.836,7) 245A

3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de polarizao, considerando = 40.

Clculo de IB

Clculo de IE IE = ( + 1).IB = (41) 68,75A = 2,82mA Clculo de VCE VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k. 2,82mA) = 15 - 7,61V = 7,3V

4 - Calcule as correntes e as tenses de polarizao no circuito a seguir: Considere = 100.


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Clculo de IB

Clculo de IC IC = IB = 100.(19,32A) = 1,932mA Clculo de VCE VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 1,932mA) = 15 - 9,08 = 5,91V 5 - Calcule IC, IB, RC e RB no circuito abaixo.

Equaes bsicas
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( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0 VRC = RCIC e VRE = REIE, temos: ( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE Clculo de IC IC = , logo: IC = 6A . 200 = 1,2mA IB Clculo de IE IE = IC + IB = 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA Quando > 100, podemos considerar IC = IE Clculo de RC Utilizando a equao ( II ) 15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (RC . 1,2mA) + 8,18 RC = 15 = (RC . 1,2mA) + 8 + 0,18

15 - 8,18 = 5,68k (5.683,3) 1,2mA

Clculo de RB VRB = VCB + VRC RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V Desta forma: RB . (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V RB =

14,216V = 2,37M (2.369.333,33) 6A

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Reta de Carga
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de carga, definindo em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente. Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva caracterstica do transistor, fornecida pelo fabricante. A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos de operao de um transistor. Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para CA ser abordada posteriormente. Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o transistor opera na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da reta de carga, se quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio de saturao. Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q". Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum, onde a curva caracterstica do transistor mostrada ao lado.

Observe as reas sombreadas, que representam as regies de corte e de saturao. Para determinarmos a reta de carga, necessitamos de dois pontos. Atravs da equao VCC = (RE. IE) +(R .IC ) + VCE, obtemos: 1 ponto: para IC = 0, temos VCC = VCE = 25V
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2 ponto: para VCE = 0, temos IC =

VCC 25V = = 20mA RC + RE 1,25k

Procedimento:
Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos. Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto mdio da reta de carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado) coincidiu com a corrente de base equivalente a 30A. A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre coletor e emissor: ICQ = 11,25mA VCEQ = 11V IBQ = 30A Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos resistores:

IC 11,25mA = = 375 IB 30A

Partindo da equao: VCC = VRC + VCE + VRE VRC = (11,25mA).1k = 11,25V VRE = (11,25mA).250 = 2,812V Ento: VCC = 11,25 + 11 + 2,812 = 25,062V 25V
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Se na mesma curva selecionarmos um ponto Quiescente (Q1) mais prximo da regio de saturao, por exemplo IB = 45A, teremos um aumento da corrente de coletor e uma diminuio de VCE; para um ponto Quiescente (Q2) mais prximo da regio de corte, por exemplo IB = 10A, teremos uma diminuio da corrente de coletor e um aumento de VCE, conforme ilustra a figura abaixo:

CONCLUSES: 1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a tenso entre coletor e emissor (VCE) tende a zero, pois aumenta consideravelmente a corrente de coletor. 2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso entre coletor e emissor (VCE) tende a se igualar a VCC, pois a corrente de coletor tende a zero. A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a 250mV. Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q1 e Q2, e constatar a variao de ao longo da reta de carga. Para Q1: IC 18mA = = = 400 IB 45A VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(18mA) + 2,6 + 250.(18mA) VCC = 18 + 2,6 + 4,5 = 25,1V 25V
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Para Q2: IC 2,5mA = = = 250 IB 10A VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(2,5mA) + 22 + 250.(2,5mA) VCC = 2,5 + 22 + 0,625 = 25,125V 25V A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum ou emissor comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de uma reta de carga para uma montagem em base comum. Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de carga.

1 ponto: Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC. Observe que o eixo da tenso est calibrado em VCB. Quando IC = 0, VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0 Portanto, VCB = 25V 2 ponto: Para VCE = 0, temos: IC =

VCC 25V = = 25mA RC 1k

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Neste caso RE o circuito de entrada da configurao base comum, sendo ento desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.

Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no grfico. Como trata-se de uma configurao base-comum, existem duas malhas definidas: uma para o circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito de sada (base-coletor). Veja a figura abaixo:

Onde:

VRC = RCIC = 1k.(12mA) = 12V VRE = REIE = 2k.(12,2mA) = 24,4V VCE = VCB + VBE = 13 + 0,6 = 13,6V 35
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Desta forma:

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Transistor como Chave Eletrnica.


a forma mais simples de operao de um transistor, pois ao longo da reta de carga so definidos apenas dois pontos: corte e saturao e, portanto, podemos dizer que quando um transistor est saturado, comporta-se como uma chave eletrnica fechada e quando est em corte, como uma chave eletrnica aberta.

Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso garantir sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de funcionamento; variao da temperatura, correntes, , etc. Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a corrente de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta de carga, conforme mostra a figura abaixo:

O valor de 20mA foi escolhido na curva caracterstica e portanto, a corrente de base ser 1/20mA = 2mA. OBS: Na elaborao do projeto, deve-se tomar o cuidado de no ultrapassar os valores mximos especificados pelo fabricante, como corrente de coletor, corrente de base, tenso entre coletor e emissor, potncia de dissipao, etc. Estamos considerando o valor de 20mA plenamente compatvel com nosso exemplo de projeto. Podemos ento definir os valores de RC e RB
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RB =

VRB VCC - VBE 12 - 0,7 11,3V = = = = 5,65k 2mA IB IB 2mA

Considerando VCE de saturao = 0, teremos: Rc =

12 Vcc = = 600 0,02 Ic

Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0. Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led. Deveremos ento recalcular o valor de RC.

Supondo que a tenso no led seja de 1,6V (valor tpico), ento: Rc = Vcc Vled 12 1,6 10,4 = = = 520 20mA 0,02 Ic

OBS: importante observar se o led suporta a corrente do projeto. Um outro exemplo de transistor usado como chave mostrado abaixo.

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Um sinal cuja forma de onda quadrada e amplitude que varia de 0 a 5V aplicado na entrada. No instante 1, com 0V na entrada o transistor entra em corte, operando como uma chave aberta e teremos na sada 15V (VCC); no instante 2, com 5V na entrada o transistor entra em saturao, operando como uma chave fechada e portanto, teremos na sada 0V. O prximo passo verificar se os valores adotados para RC e RB garantem a saturao do transistor, ou seja, IB deve ser da ordem de 1/10 de IC.

5V - 0,7V = 0,915mA 4,7 k 15V IC = = 10mA 1,5k


IB = Portanto, a relao vlida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturao

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Transistor como Fonte de Corrente.


Consiste em tornar a tenso de emissor fixa, resultando assim em uma corrente de emissor fixa. Pelo fato da tenso VBE ser fixa (da ordem de 0,7V), VE seguir as variaes da tenso de entrada (VBB), isto , se a tenso de entrada aumentar de 6V para 10V, a tenso VE (nos extremos de RE) variar de 5,3V para 9,3V. Ao contrrio do transistor como chave eletrnica, o ponto de operao situa-se na regio ativa ao longo da reta de carga.

A identificao entre um circuito com transistor operando como chave eletrnica e como fonte de corrente fcil; quando opera como chave eletrnica, o emissor aterrado e existe um resistor na base, ao passo que, como fonte de corrente o emissor aterrado atravs de um resistor, no havendo resistor na base. Quando desejamos acionar um led, o ideal faz-lo atravs de uma fonte de corrente, principalmente quando o valor de VCC baixo, levando-se em conta a queda de tenso no led da ordem de 1,5 a 2,5V. A ilustrao abaixo mostra as diferenas entre uma chave eletrnica e uma fonte de corrente.

Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor operando como fonte de corrente.
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Devemos ento estabelecer um valor ideal de RE para nosso projeto. Vamos supor: VBB (tenso de entrada) = +5V VCC = +12V IC = 5mA (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa) Determinar: As tenses em RC para os valores de 10 e 1000 O valor de VCE nas duas condies

Determinando RE Considerando IC = IE, temos: RE =

VBB - VBE VRE 5V - 0,7V 4,3V = = = = 860 5mA IE IE 5mA

Lembrar que VBB - VBE = VRE = VE A tenso de 4,3V ficar fixa, fixando tambm a corrente do emissor, para uma grande gama de valores de RC, desde que o transistor opere dentro da regio ativa. Calculando VRC Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento, para os dois casos IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC). Para RC = 10 VRC = 10.(5mA) = 0,05V VRC = 1k.(5mA) = 5V Para RC = 1,0k Para satisfazer a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tenso VCE que variar, assim sendo temos: Para RC = 10 VCE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V Para RC = 1k
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VCE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V CONCLUSES: A corrente de coletor manteve-se constante para uma variao muito grande de RC (100 vezes). Mesmo com RC = 0 a corrente de emissor se manter em 5mA. No entanto, se RC assumir valores mais elevados, suponhamos 4k, teramos teoricamente VRC = 20V, o que invalidaria a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, em outras palavras, para satisfazer a dita equao, IC teria que assumir valores menores. Deve-se portanto evitar trabalhar com valores de RC que propiciem uma tenso VCE muito prxima da regio de saturao. O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o transistor por outro de diferente, a corrente de coletor permanecer praticamente igual. Quanto maior for RE (respeitando-se as caractersticas do projeto), mais estvel torna-se a corrente de coletor.

Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o acionamento de leds mais eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores, tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,5V a 2,5V), a corrente ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade. Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de corrente vamos admitir uma situao conforme ilustra a figura abaixo.

Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma
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luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que L-2 uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por necessitar de mais tenso? Soluo: A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade diminuda, pois em comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais. No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal no acontecer, conforme ser mostrado nos clculos a seguir: Fixando a corrente de emissor: Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE. RE =

VBB - VBE 3V - 0,7V = = 153,333 (onde VBB - VBE = VRE) 15mA IE

Adotaremos ento RE = 150 Para o led 1: VCE = 6 - Vled - VRE = 6 - 1,5 - 2,3 = 2,2V Para o led 2: VCE = 6 - Vled - VRE = 6 - 2,5 - 2,3 = 1,2V Desta forma, a luminosidade do led 2 no ser diminuda. A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora as tenses sejam diferentes.

Reta de carga de L-1


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1 ponto: VCC - Vled 6V - 1,5V IC = = = 30mA RE 150 2 ponto: VCE = VCC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V Reta de carga de L-2 1 ponto: VCC - Vled 6V - 2,5V IC = = = 23,3mA RE 150 2 ponto: VCE = VCC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V

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Regulador Srie.
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.

O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est em srie com a carga, da o nome regulador srie.

Funcionamento:
A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT: VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ VCE = VCB + VBE Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar provocando um aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada, mantendo VL constante. VL = VIN - VCE Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera

Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui. Com a diminuio de VIN VCE diminui VL no se altera

Limitaes:
Valores mnimos e mximos de VIN como

VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB


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Ento: VIN = R(IZ + IB) + VZ Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(I Z(MIN) + IB(MAX)) Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas caractersticas de estabilizao. Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(I Z(MAX) + IB(MIN)) Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas caractersticas de estabilizao e ser danificado.

Condies para um Projeto:


Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em condies normais sem danificar seus componentes. Tenso de entrada mxima: VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I ) Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0 VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ Onde: IZ(MAX) =

PZ(MAX) VZ

Tenso de entrada mnima: VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II ) De ( I ) tiramos: IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VZ ( III) R VIN(MIN) - VZ ( IV ) R

De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:

IZ(MAX) VIN(MAX) - VZ = IZ(MIN) + IB(MAX) VIN(MIN) - VZ

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Projeto
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com as seguintes caractersticas: Tenso de sada (VL): 6V Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A Tenso de entrada (VIN): 12V 10%

Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obedecer as seguintes caractersticas:

VCBO > VIN(MAX) no caso 13,2V IC(MAX) 6> IL(MAX) no caso 1,5A 7 PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o manual do fabricante tem as especificaes: VCBO(MAX) = 45V IC(MAX) = 2A PC(MAX) = 25W 40 > < 250 Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor. O transistor escolhido atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No entanto preciso verificar se a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente para este projeto. Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor: PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX) IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX) IE(MAX) = IL(MAX) IB(MAX) = IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX) logo: IC(MAX) = IL(MAX) -

IC(MAX) ( MIN)

IC(MAX) ( MIN)

IC(MAX) =

IL(MAX) 1,5 1,5 1,5 = = = = 1,46A 1 1 + 0,025 1,025 1+ 1 1+ ( MIN ) 40

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W

6 7

IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar PC(MAX) a mxima potncia de dissipao do coletor
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O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar sobreaquecimento do transistor.

Escolha do diodo zener:


Levando-se em conta que VL = VZ - VBE e que VBE 0,7V, se adotarmos um diodo zener com tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no comercial. O valor comercial mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal de 6,8V e PZ(MAX) igual a 500mW com IZ(MIN) = 8mA.

0,5W = 73,53mA 6,8V Teremos ento na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitvel. PZ(MAX) =
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:

VIN(MAX) - VZ IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IB(MAX)) VIN(MIN) - VZ


IB(MAX) =

IC(MAX) 1,46A = = 36,5mA 40 ( MIN)

13,2V - 6,8V IZ(MAX) = . (8mA + 36,5mA ) 10,8V - 6,8V


IZ(MAX) =

6,4V . 44,5mA = 71,2mA 4V

Como PZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.

Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ Na pior condio: RL = VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ IB(MIN) = 0

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R=

VIN(MAX) - VZ 13,2V - 6,8V 6,4V = = = 87,04 IZ( MAX) 73,53mA 73,53mA

Para a mnima tenso de entrada:


VIN(MIN) = 10,8V R=

VIN(MIN) - VZ 10,8V - 6V 4V = = = 89,89 IB(MAX) + IZ(MIN) 36,5mA + 8mA 44,5mA

Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos o valor comercial mais prximo: 91

Potncia dissipada pelo resistor:


E2 R (13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2 (VIN(MAX) - VZ) 2 = = = 0,508W 91 91 R

P=

P=

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W

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Regulador Paralelo
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o zener como elemento de referncia. Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.

A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do regulador srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo zener.

Funcionamento:
VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como VZ fixa, variar VBE variando a corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variandose a tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla a corrente de coletor. Neste caso, VCE tende a permanecer constante desde que IZ no assuma valores menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX). Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: VIN, VL e IL(MAX). Tenso de entrada mxima: Na pior condio RL = IL = 0 VIN(MAX) = R1.(IL(MAX) + IC(MAX)) + VZ + VBE

VIN(MAX) - VZ - VBE = IZ(MAX) + IC(MAX) ( I ) R1


Tenso de entrada mnima: VIN(MIN) = R1.(IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + VZ + VBE
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VIN(MIN) - VZ - VBE = IZ(MIN) R1

+ IC(MIN)

+ IL(MAX) ( II )

Dividindo ( I ) e ( II ), temos:

IZ(MAX) + IC(MAX) VIN(MAX) - VZ - VBE = IZ(MIN) + IC ( MIN) + IL(MAX) VIN(MIN) - VZ - VBE


Isolando IZ(MAX):

VIN(MAX) - VZ - VBE IZ(MAX) = . (IZ(MIN + IC(MIN) + IL(MAX)) - IC(MAX) ( III ) VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia significativa no resultado final. Corrente em R2: IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) =

IC(MIN) ( MIN)

Portanto: IR2 = IZ(MIN) -

IC(MIN) ( IV ) ( MIN)

Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio), um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE praticamente constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento teremos:

IC(MAX) = ( MIN ) . IB(MAX) IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2 ( V ) IB(MAX) = IZ(MAX) - IR2
Substituindo ( V ) em ( III ), temos:

VIN(MAX) - VZ - VBE IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - (MIN).(IZ(MAX) - IR2 VIN(MIN) - VZ - VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE 1 IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 . VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN) + 1

Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros: VCEO 8 > (VZ + VBE) IC(MAX) > IL(MAX)
8

VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta


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PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX) Escolha do diodo zener: Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.

PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas: VL = 15V IC(MAX) = 600mA VIN = 22V 10% Escolha do transistor: O transistor dever ter as seguintes caractersticas: VCEO > (VCE + VVBE) Ic(MAX) > IL(MAX) PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX) Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas: VCEO = 35V IC(MAX) = 3A PC(MAX) = 35W (mnimo = 40; mximo = 120) Escolha do diodo zener: O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas: PZ(MAX) = 1,3W IZ(MIN) = 20mA VZ = 15V IZ(MAX) =

PZ(MAX) 1,3W = = 86,67mA VZ 15V

Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:


VIN(MAX) - VZ - VBE 1 IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 . VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN) + 1

Desprezando IC(MIN)

ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) -

IC(MIN) , IR2 = 20mA ( MIN)

24,2V - 15V - 0,7V 1 IZ(MAX) = . (20mA + 0 + 600mA) + 40.(20mA) . 19,8V - 15V - 0,7V 41 8,5V IZ(MAX) = . (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA 4,1V

IZ(MAX) = 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)


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Calculando IC(MAX): IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2) IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA) IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quando a IC(MAX)) Calculando PC(MAX): PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W PC(MAX) = 31,24W O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar sobreaquecimento do transistor. Calculando R2: VR2 = VBE VR2 = R2.IR2 R2 =

VBE 0,7V = = 35 (adotar 33) 20mA 20mA

PR2 =

(ER2 )2 = (0,7 )2
R2 33

0,49V = 14,85mW 33

Calculando R1: VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V R1 = = = = 6,613 IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) 20mA + 600mA 620mA OBS: IC(MIN) = 0 R1 =

VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V = = = 3,94 IZ(MAX) + IC(MAX) 86,67mA + 2,073A 2,16

R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613 3,94 < R1 < 6,61 R1 adotado = 5,6 (valor comercial) Potncia dissipada por R1: (VR1) 2 = (VIN(MAX) - VZ - VBE ) 2 = (24,2V - 15V - 0,7V ) 2 = (8,5V ) 2 = 12,9W PR1 = R1 5,6 5,6 5,6 (adotar 15W - valor comercial)

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Regulador com Amplificador de Erro


O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s variaes da tenso de entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da introduo de um transistor junto ao elemento de referncia. A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que compem o circuito tem as seguintes funes: Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso; Transistor T1: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de sada a partir de uma tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito comparador; Transistor T2: basicamente um comparador de tenso DC, isto , compara duas tenses, VR2 e VR3, sendo a tenso VR3 fixa (denominada tambm tenso de referncia), cuja finalidade controlar a tenso de polarizao do circuito de controle. Qualquer diferena de tenso entre os dois resistores ir fornecer sada do comparador uma tenso de referncia que ser aplicada ao circuito de controle.

Funcionamento:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma variao da tenso de sada. Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar, aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada por VZ, ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de VBE2, que aumentar IB2 e consequentemente IC2. Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que a tenso do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
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Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1. Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1. Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de base de T1 (IB1). IC2 = IR1 - IB1 IR1 = IC2 + IB1

Formulrio:
Considerando a tenso de entrada mxima VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX) + IB1(MIN)) mas, IZ(MAX) >> IB1(MIN), logo: VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX)) IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) (I) R1

Considerando a tenso de entrada mnima VIN(MIN) = VL + VBE1(MAX) + R1.(IZ(MIN) + IB1(MAX)) IZ(MIN) + IB(MAX) = mas, IB(MAX) =

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) R1
IL(MAX) IC(MAX) temos ento:

IL(MAX) 1( MIN )

IZ(MIN) +

IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) = ( II ) 1( MIN ) R1

dividindo ( I ) e ( II )

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IZ(MAX) = IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IZ(MIN) + 1( MIN )


IZ(MAX) =

IL(MAX) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) ( III ) . IZ(MIN) + 1( MIN ) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)

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Clculo de R1

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IL(MAX) IZ(MIN) + 1( MIN ) A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por: VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))
R1 > R1 < PR1 =

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IZ(MAX)

[(VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2


R1 (adotado)

Clculo de R2 Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2 Quando IC2 = IZ(MIN) Quando IC2 = IZ(MAX)

VL - VZ - VBE2(MAX) 0,1.IZ(MIN) VL - VZ - VBE2(MIN) R2 > 0,1.IZ(MAX)


R2 <

IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) R1 (adotado) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) - IB1(MAX) R1 (adotado)


IB1(MAX) =

IZ(MIN) =

IL(MAX) 1( MIN )

Clculo de potncia dissipada em R2 VR2 = VL - VZ - VBE2(MIN) PR2 =

(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2 R2 (adotado)

Clculo de R3 R3 VR3 = VL . R3 + R2 VR3.R2 + VR3.R3 = VL.R3 VR3.R2 = R3.(VL - VR3) R3 =

VR3.(R3 + R2) = VL.R3 VR3.R2 = VL.R3 - VR3.R3

VR3 . R2 VL - VR3

(R2 adotado no clculo anterior)

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Clculo de potncia em R3 Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX) PR3 =

(VZ + VBE2(MAX) ) 2 R3 (adotado)

PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores e um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas: VIN = 25V 10% IL(MAX) = 800mA Tenso na carga (VL) = 12V Teremos: VIN(MAX) = 25 + 2,5 = 27,5V VIN(MIN) = 25 - 2,5 = 22,5V

Escolha de T1: O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas: IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros: VCEO = 45V IC(MAX) = 2A PC(MAX) = 25W (MIN) = 40 (MAX) = 250 Escolha do diodo zener: Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de referncia para nosso projeto VZ aproximadamente 0,5VL. No entanto, outro valor pode ser escolhido. Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os parmetros: IZ(MIN) = 50mA VZ = 5,1V PZ(MAX) = 1,3W Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto: PZ(MAX) 1,3W IZ(MAX) = = = 255mA VZ 5,1V IZ(MAX) =

IL(MAX) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) . IZ(MIN) + 1( MIN ) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)

Adotando para este projeto VBE1(MIN) = 0,6V e para VBE1(MAX) = 0,7V


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800mA 27,5V - 12V - 0,6V IZ(MAX) = . 50mA + 40 22,5V - 12V - 0,7V 14,9V IZ(MAX) = . 70mA = 106,43mA 9,8V Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
Escolha de T2: O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas: VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX) PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para VBE2(MIN) e VBE2(MAX) respectivamente. O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas: VCEO = 45V IC(MAX) = 1A PC(MAX) = 8W (MIN) = 40

(MAX) = 250

Clculo de R1: VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) R1 > IZ(MAX) R1 <

27,5V - 12V - 0,6V 14,9V = = 58,4 255mA 255mA

22,5V - 12V - 0,7V 9,8V VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) = = = 140 800mA IL(MAX) 70mA 50mA + IZ(MIN) + 40 1( MIN ) 58,4 < R1 < 140 valor adotado: 100

Calculando a potncia desenvolvida em R1: PR1 =

[(VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2


R1 (adotado)

(27,5V - 12,6V) 2 (14,9V) 2 = = 2,22W 100 100

(Adotar 5W) Clculo de R2: R2 >

VL - VZ - VBE2(MIN) 0,1.IZ(MAX)

IZ(MAX) =

VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) R1 (adotado)

IZ(MAX) =

27,5V - 12V - 0,6V = 149mA 100


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R2 >

12V - 5,1V - 0,6V 6,3V = = 422,82 14,9mA 14,9mA VL - VZ - VBE2(MAX) 0,1.IZ(MIN)


IZ(MIN) =

R2 <

VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) - IB1(MAX) R1 (adotado)

IZ(MIN) =

22,5V - 12V - 0,7V 800mA = 98mA - 20mA = 78mA 100 40

R2 <

12V - 5,1V - 0,7V 6,2V = = 794,87 7,8mA 7,8mA


adotar 560

422,82 < R2 < 794,87

Calculando a potncia desenvolvida em R2: (VL - VZ - VBE2(MIN)) 2 PR2 = R2 (adotado) PR2 =

(12V - 5,1V - 0,6V) 2 (6,3V )2 = = 70,88mW 560 560

Clculo de R3: VR3 . R2 5,7V . (560) 3.192 R3 = = = = 506,67 12V - 5,7V 6,3 VL - VR3 Onde: VR3 = VZ + VBE2(MIN) Calculando a potncia desenvolvida em R3: (VZ + VBE2(MAX) ) 2 PR3 = R3 (adotado) PR3 =

adotar 470

(5,1V + 0,7V) 2 (5,8) 2 = = 71,57mW 470 470

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Configurao Darlington

A configurao Darlington consiste na ligao entre dois transistores na configurao seguidor de emissor, ligados em cascata, conforme ilustra a figura ao lado, proporcionando em relao a um nico transistor um ganho de corrente bastante elevado. O ganho total de tenso aproximadamente igual a 1.

Se 1 = 2 = 100, teremos: IC1 = IE1 e IC2 = IE2 O ganho total (T) ser dado por: 1 . 2 = 100.100 = 10.000 Assim, IC2 = T . IB1 A tenso entre base e emissor dada por: VBE = VBE1 + VBE2 Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado de impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em relao a um transistor comum. A configurao Darlington normalmente encontrada em um nico invlucro, como por exemplo os transistores BD262 e BD263, com polaridades pnp e npn respectivamente.

PROJETO DE UM REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR DARLINGTON


Reprojetar o regulador srie da pgina 34, utilizando transistor Darlington; proceder uma anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar concluses. Caractersticas do regulador: Tenso de sada (VL): 6V Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A Tenso de entrada (VIN): 12V 10% Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:
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VCBO = 80V IC(MAX) = 4A PC(MAX) = 36W (MIN) = 500

(MAX) = 1.000

Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V. O valor comercial mais prximo de 7,5V. O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so: VZ = 7,5V PZ(MAX) = 400mW IZ(MIN) = 10mA IZ(MAX) =

0,4W = 53,33mA 7,5V

Verificando a escolha do transistor: PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX) IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX) IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX) IB(MAX) =

IC(MAX) ( MIN)

logo:

IC(MAX) = IL(MAX) -

IC(MAX) ( MIN)

IC(MAX) =

IL(MAX) 1,5 1,5 1,5 = = = = 1,497A 1 1 + 0,002 1,002 1+ 1 1+ ( MIN ) 500

PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,497A = 10,78W O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a utilizao de um dissipador de calor para evitar o sobreaquecimento do transistor. Verificando a escolha do zener:

VIN(MAX) - VZ IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IB(MAX)) VIN(MIN) - VZ


IB(MAX) =

IC(MAX) 1,497A = = 2,994mA ( MIN) 500

13,2V - 7,5V IZ(MAX) = . (10mA + 2,994mA ) 10,8V - 7,5V

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5,7V . 12,994mA = 22,44mA 3,3V Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener escolhido pode ser utilizado.
IZ(MAX) = Clculo de R: Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ Na pior condio: RL = VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ R= IB(MIN) = 0

VIN(MAX) - VZ 13,2V - 7,5V 5,7V = = = 106,88 IZ( MAX ) 53,33mA 53,33mA

Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V R=

VIN(MIN) - VZ 10,8V - 7,5V 3,3V = = = 253,96 IB(MAX) + IZ(MIN) 2,994mA + 10mA 12,994mA

Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96. Adotaremos o valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos dois valores, que neste caso 180. Potncia dissipada pelo resistor: P=

E2 R

P=

(VIN(MAX) - VZ) 2 (13,2V - 7,5V) 2 (5,7V) 2 = = = 180,5mW R 180 180

Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W).

Comparaes:
Parmetros R1 PR1 IC(MAX) PC(MAX) IZ(MAX) terico IZ(MAX) prtico VZ IB(MAX) Projeto com transistor comum 91 508mW 1,46A 10,5W 73,53mA 71,2mA 6,8V 36,5mA Projeto com transistor Darlington 180 180,5mW 1,497A 10,78W 53,33mA 22,44mA 7,5V 2,994mA

Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o ____________________________________________________________ 62
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transistor Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de base bem menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente no transistor Darlington bem maior.

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Pr Amplificadores
Aps o transistor ter sido polarizado com ponto Q prximo da metade da linha de carga podemos acoplar um sinal ca base , isto produz flutuao na corrente de coletor de mesma forma de freqncia . Por exemplo , se for acoplado um sinal ca de 1Khz base , teremos no coletor um sinal de 1Khz com a amplitude da onda aumentada. O amplificador que mantm a forma de onda chamado de linear ou de alta fidelidade .

As setas apontam para os capacitores de acoplamento e desacoplamento ( desvio ) , que so responsveis pela isolao do sinal ca ser amplificado da tenso de polarizao do transistor.

Capacitores de Acoplamento e Desacoplamento


Um capacitor de acoplamento possibilita a passagem do sinal ca para dentro do estagio amplificador . Para que isso acontea a reatncia capacitiva precisa ser muito pequena comparada com a resistncia total do circuito. R = Rth + RL O valor do capacitor de acoplamento depende da freqncia mais baixa que se vai acoplar. A reatncia capacitiva deve ser menor ou igual a um dcimo da resistncia total em srie . XC=0.1R Exemplo ; projetando um estgio amplificador a transistor na faixa de audio , 20Hz 20KHz , com resistncia total em srie de 10K , ento a XC deve ser igual 1k na freqncia mais baixa ou seja 20hz .

1 2fc Tirando o valor de C: XC = c= 1 = 7.96F 2fXc

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Esta capacitncia necessria para um acoplamento quase ideal .Na pratica poderamos usar 10F , o valor padro seguinte mais alto , garantindo um acoplamento estabilizados para todas freqncias acima de 20Hz

Capacitores de Desacoplamento
Um capacitor de desacoplamento semelhante a um de acoplamento , exceto que ele acopla um ponto desaterrado um ponto aterrado . A reatncia apresentada deve ser um dcimo da resistncia total do circuito no considerando o resistncia de carga. O capacitor se comporta como um curto para o sinal ca colocando o emissor em potencial terra , quando se refere ao sinal ca , o capacitor no perturba tenso cc ,pois se apresenta como uma chave aberta. Para se manter a notao cc diferente da notao ca de uso comum empregar letras maisculas para cc e minsculas para ca .
CC IE - IC - IB - para correntes em cc . VE - VC - VB - para tenses cc ao terra . VBE - VCE - VCB - para tenses entre terminais . CA ic - ie - ib - para correntes em ca ve - vc - vb - para tenses ca ao terra. Vbe - vce - vbe - para tenses ca entre terminais .

Tambm comum usar o sinal negativo para indicar dois sinais senoidais que esto defasados de 180 Exemplo: V sada = -V ent.

Resistncia CA do Emissor.

A fig. Acima mostra a curva do diodo relacionando IE e VBE , na ausncia de um sinal ca , o transistor funciona no ponto Q. Quando um sinal ca aciona o transistor entretanto a corrente e a tenso do emissor variam . Se o sinal for pequeno , o ponto de operao oscilar senoidalmente de Q , ou seja um pico positivo no ponto A e um negativo no B e de volta ao Q , assim o ciclo se repete.
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Se o sinal for pequeno os pontos A e B sero prximos de Q , e a operao ser linear , ou seja o arco de A e B praticamente uma linha reta .Por isso as variaes de tenso e corrente so proporcionais .No que se refere a ca , o diodo aparece como se fosse uma resistncia dada por : vbe r' e = IE

Exemplo: se vbe= 10 mv e ie=0.4 mA , ento: r' e = 10 3 = 25 0. 4 3

Neste caso o diodo base emissor substitudo pela resistncia ca do emissor. Como re a razo entre a variao de vbe e de ie , o seu valor depende do ponto Q. quando mais alto na curva estiver o ponto Q menor se torna re , porque a mesma variao na tenso base - emissor produz uma variao maior na corrente do emissor. Torna se vivel usar para vbe em ca uma tenso constante de 25 mv originando que : r' e = 25mV IE

Exemplo : se o ponto Q tiver IE=1 mA , temos : r' e = 0.025 = 25 0.001

Ou para o ponto Q mais alto com IE= 5mA. r' e = 0.025 = 5 0.005

OBS: re uma quantidade ca cujo valor depende de uma quantidade cc ( IE ) , isto quer dizer que o ponto Q determina o valor de re.

Beta CA

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A figura mostra um grfico tpico de IC versus IB . cc razo entre IC e IB . Como o grfico no linear ,cc depende da localizao do ponto Q. O beta ca , uma quantidade de pequeno sinal que depende da localizao do ponto Q. O beta ca definido da seguinte forma:

ic ib

Graficamente , o beta a inclinao da curva no ponto Q . Por esta razo , ele tem valores diferentes em diferentes posies de Q.

Amplificador em Emissor Comum.


A fig. abaixo mostra um amplificador EC . Como o emissor derivado para o terra tambm chamado de amplificador com emissor aterrado, isto significa que o emissor esta ligado ao terra ca , no ao terra cc .A aplicao de pequena onda senoidal base , produz variaes na corrente de base . Por causa do beta a corrente do coletor uma onda senoidal amplificada de mesma freqncia . Esta corrente senoidal do coletor flui atravs da resistncia de coletor e produz uma tenso de sada amplificada.

Devido a flutuao ca na corrente de coletor , a tenso de sada oscila senoidalmente acima e abaixo da tenso quiescente .Durante o semi-ciclo positivo da tenso de entrada , a corrente de base aumenta , fazendo crescer a corrente de coletor . Isto produz uma queda de tenso maior atravs da resistncia de coletor , portanto a tenso de coletor diminui originando o primeiro semi-ciclo negativo na sada .Reciprocamente ,no semi-ciclo negativo da tenso de entrada , flui uma corrente menor no coletor , e a queda tenso no resistor de coletor diminui , por esta razo a tenso do coletor ao terra aumenta , originando o semi-ciclo positivo na sada .Com isso a tenso de sada esta defasada de180 da tenso de entrada.

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Ponto de Vista da Linha de Carga.

O grfico da linha de carga ca o ponto Q . A tenso de entrada produz variaes na corrente de base, resultando em variaes senoidais em torno do ponto Q. Para operaes com pequeno sinais a oscilao de pico a pico na corrente de coletor deve ser menos de dez por cento da corrente quiescente do coletor .( isto mantm a distoro abaixo dos nveis aceitveis ). Para os sinais grandes o ponto de operao oscila mais adiante ao longo da linha de carga . Se o sinal for grande demais o transistor entra em corte e saturao . Isto ceifa os picos negativos e positivos do sinal .Em algumas aplicaes podemos querer o ceifamento , mais com amplificadores lineares o transistor deve funcionar na regio ativa em todos os instantes ou seja nunca atingir a saturao e o corte durante o ciclo.

Ganho de Tenso
O ganho de tenso de um amplificador a razo entre a tenso ca de sada e a tenso ca de entrada
Vsaida Vent Exemplo : se medirmos uma tenso de sada de 250mv e uma tenso de entrada de 2.5mv temos : AV = AV = 250 3 = 100 2,5 3

Ao analisar defeitos , e bom ter idia de que teve ser o ganho de tenso . Aqui esta como deduzir formulas para o ganho de tenso . substitua a circuito pelo seu circuito equivalente ca , isto significa pr em curto a fonte de alimentao , e todos os capacitores .A figura ( a ) abaixo mostra o circuito ca equivalente do ltimo circuito apresentado .A resistncia de coletor esta aterrado porque o ponto de alimentao aparece como um curto em ca .Da mesma forma o resistor R1 agora esta aterrado , de modo que ele aparece em paralelo com o resistor R2 e com o diodo emissor. Por causa do circuito paralelo ao lado da entrada , a tenso de entrada aparece diretamente atravs do diodo emissor . Portanto podemos visualizar o circuito equivalente ca como o mostrado na figura ( b).
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A lei de ohm nos diz que a corrente do emissor :


ie = Vent r' e

Pelo fato de IC ser aproximadamente igual a IE.


ie ic

Esta corrente ca do coletor flui atravs do resistor de coletor produzindo uma tenso de sada de : Vsada = ie.Rc Como ie = Vent / re a equao torna-se :
Vsada = v ent .Rc r' e

Arranjando os termos para obter o ganho de tenso temos:


AV = Vsada Rc = Vent r' e

O ganho de tenso a razo entre a resistncia do coletor e a resistncia ca do emissor. Isto quer dizer que voc pode calcular rapidamente o ganho aproximado de tenso do amplificador de emissor comum . A seguir voc pode medir a tenso de sada e entrada e comparar o resultado real do ganho com ganho terico . Exemplo: se RC = 4.7k e re = 25 , ento o ganho de tenso ser : Av = 4700 / 25 = - 188. Ou seja ,uma tenso na base de 1mv produz uma tenso de sada de 188mv ( as tenses pode ser rms , de pico ou de pico a pico desde que as entradas e sadas sejam consistentes . )
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Impedncia de Entrada
A fonte ca que aciona um amplificador , tem que fornecer a corrente alternada ao amplificador . Geralmente quanto menos corrente o amplificador consome da fonte melhor .A impedncia de entrada de um amplificador determina a quantidade de corrente que ser retirado da fonte ca. Na faixa de freqncia normal de um amplificador onde os capacitores de acoplamento e desacoplamento se comportam como curto em ca e todas outras reatncias so desprezveis , a impedncia ca de entrada definida assim :
Z ent = Vent i ent

Olhando para um amplificador de emissor aterrado , a fonte ca v os resistores de polarizao em paralelo com o diodo emissor .A corrente convencional (i1) passa por R1 , ( i2 ) passa por R2 e Ib pela base . A impedncia que olha diretamente para a base simbolizada por Z ent( base) , e dada por :
Vent ib A lei de ohm nos diz que : Z ent ( base ) =

Vent = i e .r ' e

Como ie = ic e ic= ib , esta equao torna-se :

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Vent = .ib .r ' e Simplificando


Z ent ( base ) = .ib .r ' e = .r ' e ib

Esta impedncia de entrada olha somente para a base do transistor , ela no inclui os efeitos dos resistores de polarizao . Ento a impedncia de entrada que olha para a base de um amplificador com o emissor aterrado igual ao ganho de corrente ca vezes a resistncia ca do emissor . Porque a impedncia de entrada de base no igual a re ? A fonte ca olha para base e tem que fornecer corrente somente para a base Dentro do transistor , a corrente do coletor soma-se com a corrente de base , produzindo a corrente de emissor atravs de re . Pelo fato da corrente de base ser vezes menor que a corrente de emissor , a impedncia de entrada de base vezes maior do que re . A impedncia total de entrada incluindo os resistores de polarizao ser : Z ent = R1// R2 // .r ' e A fonte ca v o circuito paralelo formado por R1,R2 e re .

Impedncia de Sada
Faamos agora uma coisa interessante no lado da sada do amplificador . Vamos theveniza-lo , a tenso thevenim que aparece na sada : Vsada = A.Vent A impedncia thevenim a associao paralela de RC e da impedncia interna da fonte de corrente do coletor , que se pode considerar ideal , portanto ela tem uma impedncia interna infinita . Assim a impedncia thevenim : Z sada = Rc Exemplo: calcule VB,IE,VC, re , Av .Zent(base) ,Zent e Vsada do circuito abaixo

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No circuito acima aparece duas coisas novas , a fonte ca tem uma impedncia de 1k. Portanto parte do sinal da fonte sofre uma queda atravs desta resistncia antes de alcanar a base . Do lado da sada o capacitor acopla o sinal ca uma resistncia de carga de 1.5k. Isto poderia produzir algum efeito na carga , coma resultado , esperamos que o sinal de sada seja mais baixo . Calculando VB. VB = R1 / R1+R2 x Vcc = 2200 / 12200 x 10 = 1.8V. Calculo de IE IE = VE / RE VE : ser igual a tenso de base menos o VBE tpico do transistor assim: VE = VB - VBE = 1.8 - 0.7 = 1.1 V IE = 1.1/1000 = 1.1mA Calculo de VC ( usando a lei de Kirchhoff ) VC = VCC - VRC Onde : VRC = IC RC = 1.1-3 3.6+3 = 3.6V VC = 10 - 3.6 = 6.04V Calculo de re . Usando o sinal de entrada ca e a corrente cc do emissor temos : re = 25-3 / 1.1-3 = 22.7 Calculo do ganho de tenso Av = RC / re = 3600 / 22.7 =-159 Calculo da Zent (base) Zent(base) = re = 150. 22.7 = 3.4k Calculo de Zent. Zent = R1 \\ R2 \\ re = 10+3 \\ 2.2+3 \\ 3.4+3 = 1.18k

Depois de conhecermos a impedncia de entrada o circuito inicial pode ser representado da seguinte forma:

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O calculo da tenso de entrada com resistncia interna da fonte ca . temos dois divisores de tenso .O divisor de tenso de entrada reduz o sinal na base . Vent = Zent / RF +Zent x Ve == 1.18+3 / 2.18+3 x 1-3 =0.541mv Calculo da tenso de sada Vsada = A . Vent = -159 . 0.541 = -86mv Esta a sada sem carga Calculo da tenso de sada com carga . Vsada (carga) =RL / RL+RC x Vsada ( sem carga) Vsada (carga) = 1.5+3 / 5.1+3 x -86-3 =-25mv Ou seja a sada tem uma tenso de pico de 25mv , e o ganho real de tenso de Av = 25-3 / 1-3=25

AMPLIFICADOR LINEARIZADO
A quantidade re idealmente igual a 25mv/IE . Como foi evidenciado anteriormente , o valor real de re depende da temperatura e do tipo da juno . Por isso o re de um transistor pode variar ao longo de uma faixa para diferentes temperaturas e transistores . Qualquer variao no valor de re variar o ganho da tenso no amplificador com emissor comum ,Em algumas aplicaes , aceitvel uma variao no ganho de tenso do amplificador . Por exemplo , num rdio , podemos compensar o ganho ajustando o controle de volume. Mas h muitas aplicaes que precisa de um ganho o mais estvel possvel . Muitos projetistas inseri um resistor rE em srie com o emissor , como mostra a fig. abaixo . Agora o emissor no mais esta no potencial terra ca .Por isso ,a corrente ca do emissor flui atravs do rE e produz uma tenso ca no emissor . Quando rE for muitas vezes maior que re , praticamente todo sinal ca aparecer no emissor , colocando de outra forma quando rE for bem maior que re ,o emissor estar amarrado base tanto em ca quanto em cc.

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Pelo fato d rE estar em srie com re , a resistncia total rE + re .A entrada ca aparece atravs dessa resistncia e produz uma corrente ca no emissor de : ie = Vent / rE + re Linearizar parcialmente o diodo emissor significa fazer rE muito maior do que re . O ganho passa a ser igual : A = RC / rE + re. O resistor rE chamado de resistor de linearizao . Quando colocado reduz o ganho de tenso , mais por razo de ser muitas vezes maior que re , as variaes em re tem menos efeito sobre o ganho de tenso . exemplo : suponha que re aumente de 25 a 50 ao longo de uma faixa de temperatura , RC = 10k e Re = 510 , O ganho mximo de tenso ser : Av = 10000 / 510+25 = -18.7 O ganho mnimo ser : Av = 10000 / 510+50 = -17.9 A diminuio do ganho de tenso menor que 5% mesmo que re aumente 100%. O baixo ganho de tenso o preo da estabilizao , pois o mesmo amplificador sem o resistor de linearizao , apresenta os seguintes ganhos: Ganho mximo de tenso : Av = 10000 / 25 = -400 Ganho mnimo de tenso Av = 10000 / 50 = -200 Ou seja o ganho de tenso varia de proporcional a re. Uma outra vantagem da linearizao do diodo emissor reduo da distoro . a no linearidade do diodo emissor que produz a distoro em amplificadores de grande sinal. Com re = 25-3/IE qualquer variao significativa em IE , produz uma variao perceptvel em re . OBS- Num amplificador linearizado , o emissor esta amarrado base para ca como para cc .Por isso a tenso cc do emissor esta dentro de 0.7v da tenso cc da base , e a tenso ca do emissor aproximadamente igual a tenso ca de base A extremidade inferior do re deve estar no terra ca , um problema comum o capacitor de derivao aberto , isto diminui o ganho de tenso porque Re se soma com re , produzindo um amplificador superlinearizado com um ganho muito pequeno . A impedncia de entrada passa a ser : Zent = R1 \\ R2 \\ rE + re.

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Amplificador de Potncia Classe A e B


Todo amplificador v duas cargas, uma carga CC e outra CA . Por isso Todo amplificador possui duas linhas de carga. O amplificador abaixo fig. A tem seu eqivalente CC na fig. B. Assim podemos deduzir a linha de carga da fig. C . Quando o sinal aciona o transistor os capacitores aparecem como curto e as resistncias da fonte e da carga vista pelo transistor so diferentes rB = RS // R1 // R2 E a resistncia de carga vista pelo coletor : rC= RC // RL A fig. D mostra o circuito equivalente C.A , quando nenhum sinal estiver presente, o transistor funciona no ponto Q . Quando houver presena de sinal , o ponto de funcionamento oscila ao longo da linha de carga C.A e no pela linha de carga CC. Por conveno chama se de ICG a corrente Quiescente do coletor e de VCEQ a tenso Quiescente ao coletor-emissor.

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Saturao e Corte C. A
Os pontos de saturao e de corte na linha de carga C .A so deferentes dos pontos da linha de carga CC , fig. C . Observando a fig.D , podemos somar as tenses C A ao longo da malha de coletor para obter: Assim: v ce + i c .rc = 0

Compliance CA de Sada
A linha de carga CA consiste num recurso visual para melhor compreenso do funcionamento em grandes sinais , durante o semiciclo positivo da tenso da fonte. A tenso de coletor oscila do ponto Q at a saturao . No semiciclo negativo , a tenso de coletor oscila do ponto Q at o corte. Para um sinal CA suficientemente grande , o ceifamento pode ocorrer mun ou nos dois picos do sinal . A compliance CA de sada a tenso CA mxima de pico a pico no ceifada que um amplificador pode produzir.

A compliance CA de sada simbolizada por PP , uma notao que lembra esse valor a tenso mxima no ceifada de pico a pico. Assim

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Operao Classe A
Define-se que o transistor opera na regio ativa em todos os instantes , isto implica que a corrente de coletor flua durante 360 do ciclo CA.
Ganho de Tenso com Carga

Av =

rc r' e

Esta formula alternativa para o ganho de tenso , nos permite calcular os efeitos de RL , sem thevenizar o circuito de sada .Ex: Rc=10k , RL= 30K e re=50. Av = 10k // 30k = 150 50

Ganho de Corrente a razo entre a corrente CA do coletor a a corrente CA de base.

Ai =

ic ib

Entretanto na maioria dos circuitos , voc pode usar seguinte aproximao com erro desprezivel.

Ai

Ganho de Potncia. A potncia CA de entrada :

Pent, = v ent .ib

A potncia de sada :

Psaida = v sada .i c

Assim a razo dessas potncias chamado de ganho de Potncia :

Potncia na Carga.
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A carga em um amplificador pode ser um alto falante , um motor ,ou qualquer outro dispositivo. (Usar esta formula quando as medidas forem feitas com um multmetro) PL =
2 vL RL

( Usar esta formula quando as medidas forem feitas com um osciloscpio)


2 v PP PL = 8R L

Operao Classe B

Determina que a corrente do coletor flui durante 180 do ciclo CA , isto implica que o ponto Q se situe aproximadamente no corte , para as duas linhas de carga. Assim a operao classe B , exige maiores trabalhos e menor dissipao de potncia.

Circuito PUSH-PULL
Quando um transistor opera em classe B , ele corta um semiciclo . para evitar a distoro resultante coloca se dois transistor em um arranjo chamado push-pull. Isto quer dizer que um conduz durante o semiciclo positivo e o outro durante o semiciclo negativo. Observe o circuito:

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Na figura B o projetista determina os resistores de polarizao para situarem o ponto Q no corte . Isto polariza o diodo emissor de cada transistor entre 0.6 e 0.7V. Pelo fato dos resistores de polarizao serem iguais , cada diodo emissor polarizado com a mesma tenso. Resultando que a metade da tenso de alimentao fique sobre cada transistor. Formulas para Analise CA. Linha de carga CA v ceQ = vcc 2
v ceQ r' e

Ic sat = i cQ +

Vce corte = v ceQ + i cQ .r ' e


No circuito push-pull

ic sat =

vcc 2R L vcc 2

Vce corte =

Ganho de tenso com carga.


Av = RL RL + r' e

Impedncia de entrada com carga.

Z ent ( base ) .(R L + r ' e)


Impedncia de sada

Z sada r ' e +

r' e

Ganho de Potncia
A P = A V .A I

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Polarizao de um Amplificador classe B


Situar o ponto que prximo do corte , no tarefa fcil, para isso usa se alguns circuitos de polarizao, sendo o mais usado , a polarizao por diodos. A idia de usar diodos compensadores para fornecer a tenso de polarizao aos diodos emissores. Para que isso funcione, as curvas dos diodos devem se casar com as curvas de VBE dos transistores.

Espelho de Corrente
A corrente de base muito menor do que a corrente atravs do resistor e do diodo. Por esta razo , as correntes dos resistores e dos diodos so aproximadamente iguais .Como a corrente do coletor praticamente igual a corrente do emissor.
IC IR

Este resultado muito importante , quer dizer que podemos estabelecer IC controlando IR . A polarizao por diodo , de um seguidor de emissor push-pull classe B , conta com dois espelhos de corrente. A metade superior um espelho de corrente NPN e a metade inferior um espelho de corrente PNP. O exemplo abaixo representa um circuito completo de amplificador sendo : Amplificador de pequenos sinais ( Q1) Amplificador classe A para grandes sinais ( Q2) Amplificador classe B tipo PUSH-PULL ( Q3 e Q4)
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Referncias Bibliogrficas
FIGINI, Gianfranco ; Eletrnica Industrial ; Circuitos e aplicaes; So Paulo Hemus-1983.
MALLEY , John OMalley ; Analise de Circuitos; So Paulo Makron books - 1993 MALVINO, Albert Paul ; Eletrnica ;So Paulo McGraw- Hill, 1987

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