Você está na página 1de 107

Universidade Federal de Minas Gerais

Escola de Engenharia

Programa de Ps-Graduao em Engenharia Eltrica

Interface do Amplificador Classe D com Alto-falante: Estudo


e modelagem. Forma de interao destas unidades para
integrao em caixas ativas

Cludio Alexandre Pinto Tavares

Dissertao submetida banca examinadora


designada pelo Colegiado do Programa de Ps
Graduao

em

Engenharia

Eltrica

da

Universidade Federal de Minas Gerais, como


parte dos requisitos necessrios obteno do
grau de Mestre em Engenharia Eltrica.

Orientador: Prof. Pedro Francisco Donoso Garcia, Dr.

Belo Horizonte, 09 de fevereiro de 2010

AGRADECIMENTOS

minha esposa Luciana, pelo amor incondicional, companheirismo e pacincia


infindvel.
Ao meu filho ou filha, que esta por chegar. Abenoado seja.
Aos meus pais pela vida e pela determinao,
Ao amigo e professor Elice pelo exemplo,
Ao Pedro Donoso, por ser professor no mais correto e profundo sentido desta profisso
A Deus ofereo minha f

Aos livros e discos, companheiros inseparveis...

RESUMO
A maioria dos equipamentos de sonorizao existentes atualmente tem por base os
amplificadores lineares transistorizados (classes A, B e AB), uma tecnologia estabelecida que,
entretanto, possui como desvantagens caractersticas a baixa eficincia na converso da
potncia, tamanho fsico e custos elevados.
Os atuais amplificadores chaveados ou classe D, que permitem o aumento da densidade
de potncia e eficincia, sem necessidade de volumosos dissipadores de calor e com sensvel
reduo do custo aproximam-se em qualidade sonora dos amplificadores lineares e os
superam em termos de eficincia energtica.
Os amplificadores classe D so ainda pouco aproveitados no campo das mdias
potncias (tipicamente 25W a 250W). Nestes nveis podemos empregar o conceito de altofalante ativo, cujo amplificador de potncia colocado dentro da caixa acstica.
Especificamente, o uso em sistemas multicanais para Home Theater, som automotivo de alta
qualidade, aplicaes para sonorizao de ambientes como estdios (monitores de referncia),
ou pequenos auditrios e salas de aula, onde fatores como eficincia energtica, reduo do
volume, peso e custos se tornam prioridade, sem prejuzo da qualidade sonora.
Por outro lado, o desenvolvimento dos alto-falantes para reproduo de udio,
permanece condicionado a pequenas melhorias nos conceitos elementares desenvolvidos no
comeo do sculo passado.
O filtro passa-baixas tipicamente LC, utilizado na sada dos amplificadores para
eliminar a onda portadora do sinal de udio, que geralmente um sinal PWM (Modulao por
Largura de Pulso), compromete diretamente o tamanho do amplificador, o seu custo e sua
qualidade sonora.
Este trabalho tem o objetivo especifico de estudar a interface amplificador/alto-falante,
para verificar em que condies possvel a retirada do filtro LC nesta escala de potncias.
descrito o princpio de funcionamento do amplificador classe D, em seguida
modelamos o alto falante como uma carga complexa para este amplificador. Realizamos
testes com uma topologia comercial, atravs da construo de um prottipo de amplificador e
a utilizao de diversos alto falantes comerciais para o estudo da interface alto
falante/amplificador. So comparados os resultados tericos e prticos para a conexo do
amplificador ao alto-falante com o filtro LC e sem este, para os diversos alto falantes com
caractersticas distintas
ii

ABSTRACT
Most of the sound equipments existent today has for base the transistorized linear
amplifiers (class A, B and AB), an established technology that, however, it possesses as
characteristic disadvantages the low efficiency in the conversion of the energy, physical size
and high costs.
The switched amplifiers or class D, that allow the increase of the power density, with
great increase in the efficiency, without need of heat transfers and with sensitive reduction of
the cost. They approach in sound quality of the linear amplifiers and they overcome them in
terms of energy efficiency.
The class D amplifiers are still little taken advantage of in the field of the averages
power (typically 25W to 250W). In these levels we can use the concept of active loudspeaker,
whose power amplifier is placed inside of the acoustic box. Specifically, the use in
multichannel systems for Home Theater, car sound, applications for Public Adress, in studios
(reference monitors), or small auditoriums and class rooms, where you factor as energy
efficiency, reduction of the volume, weight and costs become priority, without damage of the
sound quality.
On the other hand, the development of the loudspeakers for audio reproduction, stays
conditioned to small improvements in the elementary concepts developed at the beginning of
last century.
The low-pass filter, typically LC, used in the amplifiers to eliminate the carrier of the
audio signal, that is usually a PWM (Pulse Width Modulation), it commits the size of the
amplifier, your cost and your sound quality directly.
This work presents a study of the interface amplifier/loudspeaker, to verify in that
conditions are possible the retreat of the filter LC in this scale of power.
The operation of the amplifier class D is described, after that we modeled the speaker as
a complex load for this amplifier. We accomplished tests with a commercial topology,
through the construction of an amplifier prototype and the high several commercial
loudsspeakers' use for the study of the interface amplifier/loudspeaker. Being compared the
theoretical and practical results for the connection of the amplifier to the loudspeaker with the
filter LC and without this, for the several loudspeakers with different characteristics.

iii

Sumrio
Resumo...............................................................................................................................

ii

Abstract..............................................................................................................................

iii

Lista de Figuras................................................................................................................

vii

Lista de Tabelas...............................................................................................................

Lista de smbolos.........................................................................................

xi

1. Introduo.....................................................................................................................

1.1 - Apresentao e contexto..........................................................................................

1.2 - Motivao: Objetivo Especfico..............................................................................

1.3 - Metodologia: Objetivos Gerais................................................................................

i - Caracterizao do amplificador classe D, baseado na descrio de um


amplificador comercial para estudos e experincias............................................................

ii - Estudo do alto falante (carga ativa)......................................................................

iii Simulaes e testes.............................................................................................

iv- Concluso final e Proposta de continuidade.........................................................

2. O Amplificador Classe D..........................................................................................

2.1 - Introduo..............................................................................................................

2.2 - O amplificador Classe D bsico.............................................................................

10

2.2.1- Tipos de modulao.......................................................................................

10

2.2.1.1 - PWM..................................................................................................

10

2.2.1.2 - Sigma Delta........................................................................................

12

2.2.2 - Etapa de Sada...............................................................................................

14

2.2.3 - Filtro Passa Baixas........................................................................................

18

2.3 - Mdulo de desenvolvimento classe D com potncia escalonada.........................

19

2.3.1 Modulo de desenvolvimento........................................................................

20

iv

2.3.2 Driver..........................................................................................................

21

2.3.3 MOSFETs...................................................................................................

23

2.3.4 Filtro............................................................................................................

25

2.4 - concluso..............................................................................................................

26

3. Transdutor Eletro Acstico: Alto-falante..........................................................

27

3.1 - Introduo.............................................................................................................

27

3.2 - Princpio de funcionamento do alto-falante..........................................................

28

3.3 - Caixas acsticas....................................................................................................

30

3.3.1 - Baffles..........................................................................................................

30

3.3.2 - Gabinete de fundo aberto.............................................................................

31

3.3.3 - Gabinete fechado.........................................................................................

31

3.3.4 - Caixa ventilada............................................................................................

31

3.3.5 - Labirinto acstico........................................................................................

32

3.4 - Mtodo de Thiele-Small......................................................................................

32

3.4.1 - Analogias Eletromecnicas..........................................................................

34

3.4.2 - Baffle Infinito..............................................................................................

39

3.4.3 - Fator de Qualidade.......................................................................................

45

3.4.4 No Linearidades do Alto-falante...............................................................

47

3.5 - Concluso............................................................................................................

50

4.Simulaes e testes.....................................................................................

51

4.1 Introduo...........................................................................................................

51

4.2 Parmetros Determinados....................................................................................

52

4.2.1 - Potncia RMS..............................................................................................

52

4.2.2 - BW Resposta em freqncia.....................................................................

53

4.2.3 Rendimento.................................................................................................

53

4.2.4 Sensibilidade...............................................................................................

53

4.3 Especificaes da Plataforma de Ensaios...........................................................

54

4.3.1 Dados do amplificador................................................................................

54

4.3.2 Baffle...........................................................................................................

54

4.3.3 Equipamentos utilizados nos ensaios..........................................................

56

4.3.4 Fonte de alimentao...................................................................................

57

4.3.5 Medio da temperatura..............................................................................

58

4.3.6 Filtro para medio......................................................................................

61

4.4 Simulaes..........................................................................................................

62

4.4.1 Simulao do alto-falante 10CV4...............................................................

64

4.4.2 Simulao do alto-falante 10PW3...............................................................

65

4.5 Parmetros...........................................................................................................

66

4.5.1 Resposta em freqncia...............................................................................

66

4.5.2 - Corrente Quiescente.....................................................................................

67

4.5.3 Verificao do Chaveamento PWM............................................................

67

4.6 Ensaios de rendimento........................................................................................

68

4.6.1 - Ensaio de Rendimento vs Potncia para carga resistiva 4 com filtro LC

69

4.6.2 - Ensaio de Rendimento vs Potncia para carga resistiva 4 sem filtro LC

71

4.6.3 - Ensaio de Rendimento vs Potncia para carga resistiva 8 com filtro LC

73

4.6.4 - Ensaio de Rendimento vs Potncia para carga resistiva 8 sem filtro LC

75

4.6.5 - Ensaio de Rendimento vs Potncia para carga alto-falante 10CV4 com


filtro LC................................................................................................................................

77

4.6.6 - Ensaio de Rendimento vs Potncia para carga alto-falante 10CV4 sem


filtro LC................................................................................................................................

78

4.7 Analise da potncia no amplificador na freqncia de chaveamento.................

81

4.8 Concluso............................................................................................................

82

5, Concluso final e Proposta de continuidade................................................

83

5.1 Concluso final...................................................................................................

83

5.2 Proposta de continuidade....................................................................................

85

Referncias Bibliogrficas.........................................................................

86

Anexo 1................................................................................................................................

89

Anexo 2................................................................................................................................

90

vi

Lista de Figuras
Figura 1.1 Anncio do amplificador Sinclair X10 [1]......................................................

Figura 1.2 Grfico do rendimento tpico de amplificadores Classe A, B e D[4]..............

Figura 2.1 Amplificador classe AB bi-amplificado (60+70Watts)...................................

Figura 2.2 Amplificador classe D bi-amplificado (250+250Watts)..................................

Figura 2.3 - Amplificador PWM Bsico..............................................................................

10

Figura 2.4 - Formas de onda tpicas do PWM: na sada do comparador(A) e na entrada


do filtro (B)..........................................................................................................................

11

Figura 2.5 - Diagrama de blocos do modulador delta analgico.........................................

12

Figura 2.6 - Diagrama de blocos do modulador sigma delta analgico...............................

13

Figura 2.7 Formas de onda presentes no modulador sigma delta analgico.....................

13

Figura 2.8 Modulador sigma delta utilizado em um amplificador classe D.....................

14

Figura 2.9 - Comparao entre conversor Buck e amplificador Classe D...........................

15

Figura 2.10 - Filtro Passa Baixas 2 Ordem.........................................................................

18

Figura 2.11 - Amplificador digilite 6.4 (Empresa HotSound).............................................

20

Figura 2.12 Funes Principais: amplificador de erro, comparador PWM, gate driver e
circuitos de proteo [6].......................................................................................................

22

Figura 2.13 Programao do Tempo Morto......................................................................

23

Figura 2.14 Esquema simplificado de um canal do mdulo amplificador........................

24

Figura 2.15 Filtro de sada do mdulo amplificador

25

Figura 3.1 Componentes de um Alto-falante....................................................................

29

Figura 3.2 Curvas de impedncia e fase tpicas de um alto-falante montado no Baffle


infinito (exemplo).................................................................................................................

29

Figura 3.3 Plano de irradiao do alto-falante ao ar livre (corte).....................................

30

Figura 3.4 Baffle...............................................................................................................

30

Figura 3.5 Gabinete aberto................................................................................................

31

Figura 3.6 Gabinete fechado.............................................................................................

31

Figura 3.7 Gabinete ventilado...........................................................................................

32

Figura 3.8 Labirinto acstico............................................................................................

32

vii

Figura 3.9 Analogia entre massa (M) e indutncia (L).....................................................

35

Figura 3.10 Fora X Deslocamento..................................................................................

35

Figura 3.11 Analogia entre Complincia mecnica (CM) e capacitncia (C)....................

36

Figura 3.12 Transformador acoplando lado acstico ao mecnico...................................

38

Figura 3.13 Circuito equivalente ao modelo eletro-mecano-acstico do alto-falante.......

39

Figura 3.14 - Circuito equivalente ao modelo eletro-mecnico do alto-falante...................

40

Figura 3.15 - Circuito equivalente ao modelo do alto-falante em Baffle Infinito................

44

Figura 3.16 - Circuito equivalente na primeira ressonncia.................................................

45

Figura 3.17 Impedncia eltrica (RE) refletida no lado mecnico....................................

46

Figura 3.18 Modelo completo do alto-falante em baffle infinito......................................

49

Figura 4.1 Curvas de impedncia e fase tpicas de um alto-falante montado no Baffle


infinito (exemplo).................................................................................................................

52

Figura 4.2 - Confeco do Baffle.........................................................................................

55

Figura 4.3 setup de testes..................................................................................................

57

Figura 4.4 Esquema da fonte utilizada nos testes..............................................................

58

Figura 4.5 Tipos de alto-falantes: aberto (a) fechado (b)..................................................

58

Figura 4.6 Posio de insero dos termopares: aberto (a) fechado (b)............................

59

Figura 4.7 (a) insero do termopar na cmara (b) insero do termopar no conjunto
magntico (c) conjunto montado para a medio de temperatura........................................

60

Figura 4.8 Circuito do filtro para medio........................................................................

61

Figura 4.9 Curvas de magnitude e fase vs. freqncia do filtro de testes.........................

62

Figura 4.10 Circuito equivalente ao alto-falante 10CV4..................................................

64

Figura 4.11 Curvas de magnitude e fase vs. freqncia do alto-falante 10CV4...............

64

Figura 4.12 Circuito equivalente ao alto-falante 10CV4..................................................

65

Figura 4.13 Curvas de magnitude e fase vs. freqncia do alto-falante 10PW3...............

66

Figura 4.14 Resposta em freqncia do Amplificador......................................................

66

Figura 4.15 - PWM antes do filtro, amplificador conectado carga resistiva.....................

67

Figura 4.16 - Forma de onda de tenso (50V/div) amostras do pwm oscilando a 1kHz ...

68

Figura 4.17 Dados do ensaio para carga resistiva 4 com filtro LC................................

69

Figura 4.18 Curva Rendimento vs.Potncia para o ensaio de 4 resistivo com filtroLC

70

Figura 4.19 Dados de rendimento fornecidos pelo fabricante [13,14]..............................

70

Figura 4.20 Dados do ensaio para carga resistiva 4, sem filtro LC...............................

71

viii

Figura 4.21 Curva Rendimento Potncia para o ensaio de 4 resistivo sem filtro LC....

72

Figura 4.22 Comparao Rendimento vs. Potncia para o ensaio de 4 resistivo com e
sem o filtro LC.....................................................................................................................

72

Figura 4.23 Dados do ensaio para carga resistiva 8, com filtro LC...............................

73

Figura 4.24 Curva Rendimento vs.Potncia para o ensaio de 8 resistivo com filtroLC

74

Figura 4.25 Dados do ensaio para carga resistiva 8, sem filtro LC...............................

75

Figura 4.26 Curva Rendimento vs. Potncia para o ensaio de 8 resistivo sem filtroLC

76

Figura 4.27 Comparao Rendimento X Potncia para o ensaio de 8 resistivo com e


sem o filtro LC.....................................................................................................................

76

Figura 4.28 Dados do ensaio para carga alto-falante 10CV4 com filtro LC (a-h)............

77

Figura 4.29 Curva Rendimento vs. Potncia para o ensaio com o alto falante 10CV4
com o filtro LC.....................................................................................................................

78

Figura 4.30 Dados do ensaio com sada de 20W para carga alto-falante 10CV4 sem
filtro LC.................................................................................................................................. 78
Figura 4.31 Curva Rendimento vs. Potncia para o ensaio alto-falante 10CV4 sem
filtro LC...............................................................................................................................

80

Figura 4.32 Comparao Rendimento vs. Potncia para o ensaio alto-falante 10CV4
com e sem o filtro LC...........................................................................................................

80

Figura 4.33 Etapa de filtragem do amplificador conectada ao alto-falante 10CV4..........

81

Figura 4.34 Anlise da potncia fornecida pelo amplificador de 20Hz a 600kHz com o
filtro de sada........................................................................................................................

81

Figura 4.35 Anlise da potncia fornecida pelo amplificador de 20Hz a 600kHz sem o
filtro de sada........................................................................................................................

ix

82

Lista de Tabelas
Tabela 2.1 Resistores recomendados para programao do Tempo Morto......................

22

Tabela 2.2 MOSFETs para udio digital...........................................................................

23

Tabela 2.3 Relaciona potncia, tenso de alimentao e carga com os MOSFETs para
udio digital..........................................................................................................................

24

Tabela 4.1 Corrente quiescente do amplificador...............................................................

67

Tabela 4.2 Dados do ensaio para carga resistiva 4 com filtro LC..................................

69

Tabela 4.3 Dados do ensaio para carga resistiva 4 sem filtro LC..................................

71

Tabela 4.4 Dados do ensaio para carga resistiva 8 com filtro LC..................................

73

Tabela 4.5 Dados do ensaio para carga resistiva 8 sem filtro LC..................................

75

Tabela 4.6 Dados do ensaio para alto-falante 10CV4 com filtro LC................................

77

Tabela 4.7 Dados do ensaio para alto-falante 10CV4 sem filtro LC................................

79

Lista de Simbolos
A.F

- Alto-falante

BVDSS

- Mxima tenso Dreno-Fonte

- Densidade de fluxo na bobina do alto-falante

- Fator de fora

CM

- Complincia mecnica

Cms

- Complincia mecnica do speaker

Coss

- Capacitncia de sada do MOSFET

ct

- Coeficiente de temperatura do fio

Eg

- Fora eletromotriz que representa o amplificador

Erm

- Constante adimensional

Esw

- Energia de chaveamento

Exm

- Constante adimensional

fsw

- Freqncia de chaveamento

- Rendimento

- Rendimento percentual

I(D RMS)

-Mxima corrente de Dreno

ILPP

- Ripple de corrente devido saturao do ncleo do indutor

I(s)

- Corrente eltrica

- Fator devido temperatura da juno do MOSFET

Krm

- Constante expressa em ohm

Kxm

- Constante expressa em Henrys

- Comprimento da bobina dentro do campo magntico

Led

- Comportamento no linear da indutncia da bobina

- Comprimento de onda

Mms

- Massa mecnica do speaker

Pchaveamento

- Perdas por chaveamento

Pconduo

- Perdas por conduo

Pgate

- Perdas no gate

xi

Qg

- carga do gate

Qrr

- Carga de recuperao reversa do diodo intrnseco

QTS

- Fator de qualidade total do alto-falante

RDS(on)

- Resistncia entre dreno e fonte

RE

- Resistncia DC da bobina

Re

- Resistncia total da bobina (parte real + reativa)

Red

- Resistncia da bobina que depende da freqncia (reativa)

Rg

- Resistncia interna do amplificador

Rm

- Resistncia mecnica

Rms

- Resistncia mecnica do speaker

Rp

- Resistncia equivalente paralela

Sd

- rea do diafragma do alto-falante

Sd:1

- Transformador que acopla o lado acstico ao lado mecnico

TA

- Temperatura ambiente

TB

- Temperatura da bobina

tr e tf

- Tempos de subida e de queda do MOSFET

U(s)

- Presso sonora

Vbus

- Tenso do barramento de alimentao do amplificador

Vdriver

- Tenso no driver de gate

V(s)

- Velocidade

Xc

- Reatncia capacitiva

XL

- Reatncia indutiva

XP

- Reatncia equivalente paralela

ZA

- Impedncia acstica

ZEM(s)

- Impedncia eltrica que veio do lado mecnico

Zm

- Impedncia mecnica

Zvc(s)

- Impedncia da bobina vista pelo amplificador

xii

CAPITULO 1
INTRODUO

1.1 APRESENTAO E CONTEXTO


Os equipamentos de udio destinados aos consumidores residenciais devem apresentar
como caracterstica bsica a fidelidade na reproduo sonora para qualquer tipo de programa.
Hoje, sistemas de udio que pretendem envolver o ouvinte ou o espectador, com o efeito
psicolgico de transport-lo para o ambiente onde a gravao foi realizada, esto presentes
nos equipamentos de udio destinados a uso residencial, em ambientes de espetculos ou em
veculos automotivos. Estes equipamentos utilizam 5, 6, 7 ou mais canais de udio,
consequentemente com um nmero semelhante de amplificadores e de caixas acsticas. Estes
equipamentos devem ser capazes de reproduo do som de mdias, tanto para filmes quanto
para msica com o maior realismo possvel.
A maioria dos equipamentos de sonorizao existentes venda no mercado atual tem
por base os amplificadores lineares transistorizados, desenvolvidos a partir de meados do
sculo passado, contrastando com o surpreendente desenvolvimento, nas ltimas dcadas, das
fontes de sinal, tais como o CD, DVD e SACD (super udio CD) e recentemente o Blu-Ray.
O desempenho dos amplificadores lineares atingiu a mais alta qualidade h apenas algumas
poucas geraes de equipamentos, porm as desvantagens caractersticas desse tipo de
amplificador, como a baixa eficincia na converso da potncia, tamanho fsico e custos
elevados, permanecem inalteradas.
As melhorias nos amplificadores de udio, por muito tempo estiveram focadas em
amplificadores lineares, mas utilizando os mesmos estgios de potncia baseados em
transistores, da metade do ltimo sculo (classes A, B, AB), estas melhorias ocorreram
principalmente a partir da integrao de dispositivos eletrnicos.

Captulo 1 Introduo_______________________________________________________
O conceito de amplificadores chaveados surgiu na dcada dos anos sessenta. A primeira
unidade comercial deste tipo de amplificador foi produzida em dezembro de 1964
denominada de Sinclair X10 e consistia em uma unidade do tipo faa voc mesmo,
fabricada pela Sinclair Radionics de Cambridge. Este amplificador produzia apenas 2,5Watts
e era instvel, devido s inconsistncias e as limitaes dos transistores de Germnio,
disponveis naquela poca. Este amplificador no teve grande influncia sobre o mercado
tecnolgico de amplificadores. A Figura 1.1 mostra o anuncio deste amplificador [1].

Figura 1.1 Anncio do amplificador Sinclair X10 [1]


Algumas possibilidades foram exploradas durante os anos 70 e a partir da dcada de
1980, com o desenvolvimento dos FETs e MOSFETs com tempo de chaveamento rpido,
que os amplificadores Classe D, se tornaram novamente uma proposio prtica. [2]
Com a tecnologia atual de componentes eletrnicos e transistores, utilizados na
implementao de amplificadores chaveados, onde esta includa a Classe D, cujo principio de
operao semelhante a um inversor sncrono tipo Buck com modulao PWM [5], os
sistemas de udio se beneficiaram significativamente. Com isto, os amplificadores tiveram
aumento da densidade de potncia, com grande aumento na eficincia, sem necessidade de
volumosos dissipadores de calor e com sensvel reduo do custo. Estes amplificadores
2

Captulo 1 Introduo_______________________________________________________
aproximam-se em qualidade sonora dos amplificadores lineares e os superam em termos de
eficincia energtica, pois os amplificadores chaveados tm eficincia superior a 90%
enquanto os lineares por volta dos 70% [4], conforme mostra a figura 1.2.

Figura 1.2 Grfico do rendimento tpico de amplificadores Classe A, B e D[4]


Por outro lado, o desenvolvimento dos alto-falantes para reproduo de udio,
permanece condicionado a pequenas melhorias nos conceitos elementares, lembrando que
estes alto-falantes eletrodinmicos foram desenvolvidos no comeo do sculo passado.
Existem outros tipos de transdutores eletroacsticos presentes no mercado, especialmente os
eletrostticos, que so uma verso dual aos altofalantes eletrodinmicos. Estes dispositivos
eletrostticos possuem uma forte posio no mercado de alta fidelidade residencial [3,6].
J uma realidade, no seguimento de udio residencial a mudana de 2 canais da
reproduo em estreo, que caracterizou o mercado at a dcada dos anos noventa, para os
sistemas multicanais com 6, 7 e at mesmo 9 canais. A necessidade de mais canais de udio
favorece a comercializao dos sistemas de alto falantes ativos. Em um sistema deste tipo, o
amplificador de potncia colocado dentro da caixa acstica, associado a filtros ativos
reduzindo o espao necessrio, adequando-o assim s necessidades do consumidor.
Alto-falantes ativos (com amplificador dedicado) associados crossovers ativos
apresentam vantagens quando comparados com os amplificadores separados dos alto-falantes
(sistemas convencionais). Estas vantagens podem ser listadas:
a) O crossover pode ser implementado eletronicamente, atuando somente em nveis de
sinal. Esta caracterstica aumenta a liberdade de alcanar as funes de
aproximao dos filtros e equalizao;
3

Captulo 1 Introduo_______________________________________________________
b) O fator de amortecimento (damping) deixa de existir, pois no h cabo de
alimentao das caixas de som ou dos alto-falantes, conseqentemente eliminando
tambm as perdas de nvel de sinal no cabo;
c) Os amplificadores que alimentam estes alto-falantes podem ser de menor tamanho e
de menor potncia (pela eliminao do fator de damping ou perdas no cabo);
d) Possibilidade de melhor distribuio dos amplificadores/alto-falantes pelo
ambiente, devido ao menor tamanho e peso, permitindo a integrao correta com a
acstica do espao fsico;
e) A eliminao do cabeamento entre a fonte de sinal e o amplificador, possibilitando
o envio do sinal a estes por meio de dispositivos Wireless.
Pode-se utilizar este tipo de sistema em som automotivo, reduzindo o tamanho, o peso,
o cabeamento e aumentando-se desta forma a eficincia do sistema de sonorizao. Com a
implantao de crossovers precisos, ou pelo processamento de sinais atravs de um DSP,
podem-se implementar sistemas de sonorizao mais eficientes, de forma a obter maior
inteligibilidade, seja de um programa musical ou de fala. Topologias com 5 ou 6 canais, com
pequenos alto- falantes ativos alocados em pontos estratgicos determinados pela acstica da
carroceria dos veculos, podero dar contribuies na sonorizao automotiva. Alm disto,
pode-se eliminar custo e peso do automvel devido aos fios ou cabos de cobre e do prprio
amplificador.

1.2 MOTIVAO: OBJETIVO ESPECIFICO


O amplificador Classe D tem atualmente, sua aplicao dividida em dois campos:
a) Baixa potncia alguns miliwatts at aproximadamente 5W, que so dispositivos
utilizados em produtos portteis tais como celulares, players de mdia pessoal, PDA
(Personal Digital Assistant) e notebooks;
b) Alta potncia Amplificadores de P.A. (Public Adress) para sonorizao de grandes
ambientes, subwoofers de maior porte e ainda, aplicaes em udio automotivo,
onde minimizar o consumo de energia importante.

Captulo 1 Introduo_______________________________________________________
Estes dois campos possuem justificativas distintas para o emprego desta topologia de
amplificadores. No primeiro, o consumo de energia e o tamanho so importantes, no segundo,
o problema do tamanho e peso menos considerado (mas ainda importante).
Os amplificadores classe D podem ainda, ser mais aproveitados em um terceiro campo
onde ainda pouco explorado, que o das mdias potncias (tipicamente 25W a 250W), onde
podemos empregar o conceito de alto-falante ativo. Especificamente, o uso em sistemas de
Home Theater, som automotivo de alta qualidade, aplicaes para sonorizao de estdios
(monitores de referncia), ou pequenos auditrios e salas de aula.
Neste caso, as quatro variveis apresentadas anteriormente tornam-se prioridade:
eficincia energtica, reduo do volume, peso e custos. Temos ainda uma varivel que deve
ser considerada em separado, por fazer parte de todo sistema de reproduo do udio, que a
qualidade do sinal de udio entregue ao alto-falante.
O filtro passa-baixas tipicamente LC, utilizado na sada dos amplificadores para
eliminar a onda portadora do sinal de udio, que geralmente um sinal PWM (Modulao por
Largura de Pulso), compromete trs destas variveis, que so: o volume do amplificador, o
seu custo e sua qualidade sonora. Entretanto, mostra-se que o uso apropriado de um filtro de
sada em um amplificador classe D traz algumas vantagens, tais como: a limitao da corrente
no alto-falante, reduo significativa da interferncia eletromagntica (EMI) e proteo do
alto-falante da ao das ondas quadradas do chaveamento [7].
Portanto, deve-se buscar uma soluo que possa promover o equilbrio entre as
caractersticas positivas e negativas, relacionadas com o uso do filtro no amplificador.
Existe um trabalho relevante neste sentido realizado na Dinamarca por um grupo de
pesquisas denominado ACT Active Transducers research Project na rsted-DTU,
Technical University of Denmark [4], que consiste em construir amplificador e alto-falante
totalmente dedicados entre si, pela modificao total dos parmetros da bobina, a partir de fio
de seo quadrada e utilizando o conjunto magntico do alto-falante como dissipador de calor.
Pelo exposto anteriormente, esta dissertao tem o objetivo especifico de estudar a
interface amplificador/alto-falante, para verificar em que condies possvel a retirada do
filtro LC, bem como, os requisitos para que isto seja implementado nesta escala de potncias,
onde um primeiro critrio de anlise relativo ao rendimento do amplificador, como ele se
comporta neste contexto, sem que tenhamos que modificar o alto-falante, permitindo o uso de
componentes comerciais. Na continuidade deste trabalho pretende-se determinar atravs das
5

Captulo 1 Introduo_______________________________________________________
caractersticas fsicas e da curva da impedncia do alto-falante, quais seriam os parmetros
necessrios para que ele pudesse lidar com o contedo de alta freqncia sem ser danificado.

1.3 METODOLOGIA: OBJETIVOS GERAIS


A seguir apresentada a sequncia de procedimentos adotados para o desenvolvimento
desta dissertao:
i. Caracterizao do amplificador classe D, baseado na descrio de um amplificador
comercial para estudos e experincias.
Nesta etapa ser descrito o princpio de funcionamento do amplificador Classe D, algumas
topologias e suas vantagens e desvantagens. Ser definido o modelo de amplificador, o tipo de
realimentao, o tipo de filtro LC, a freqncia de chaveamento, os circuitos de proteo e
verifica-se todos os dados necessrios para referenciar nossos testes. O uso de um
amplificador j desenvolvido comercialmente justificado pelo objetivo de integrar
amplificador e alto-falante com um mnimo de modificaes, e permitir um levantamento das
caractersticas que devem ser observadas para a escolha dos dois dispositivos, de modo que
eles possam interagir sem prejuzo da eficincia e da qualidade sonora. Este primeiro item
ser apresentado no Capitulo 2.

ii. Estudo do alto falante (carga ativa).


As especificaes de grande parte dos amplificadores de udio disponveis no mercado
consideram a cargas como sendo resistivas em seus testes, sendo os valores das resistncias
de 8, 4 ou 2. Esta situao confortvel para o amplificador, pois neste caso, ele
simplesmente fornece energia para a carga e seu desempenho funo apenas dele prprio,
com pouca importncia dada carga.
Entretanto, os alto-falantes so cargas complexas, com baixa eficincia (cerca de 2%),
convertendo praticamente toda a energia eltrica dos amplificadores em calor. Os alto-falantes
podem se danificar facilmente se seus limites no forem respeitados. A impedncia do altofalante varia muito, sendo extremamente reativa, variando de capacitiva a indutiva
dependendo da freqncia em que esta operando, alm de sofrerem influncia da temperatura
ambiente, presso atmosfrica e umidade do ar.

Captulo 1 Introduo_______________________________________________________
Neste estudo ser definido o modelo eltrico do alto-falante que ser usado nas
simulaes e nos testes prticos. Este modelo tem por base a teoria de Thiele-Small [8,9],
atravs desta teoria definimos as equaes que utilizaremos nas simulaes.
abordado apenas o modelo para o alto falante ao ar livre e aquele montado em caixas
acsticas do tipo fechadas, pois o diagrama fasorial destas caixas semelhante ao do falante
ao ar livre.
Esta dissertao pretende estabelecer bases para este tipo de anlise, fundamentando o
conhecimento para desenvolvimentos futuros, onde uma proposta de continuidade ser a de
utilizar outros modelos de caixas acsticas que apresentam diagramas fasoriais diversos. Este
estudo ser apresentado no Captulo 3.

iii. Simulaes e testes.


Uma vez definidos os parmetros do amplificador e do alto-falante, a interface entre os
dois dispositivos ser abordada. realizado um conjunto de simulaes utilizando a funo
paramtrica do software Spice

, que permitem uma anlise com insero de variveis nas

TM

equaes que descrevem o circuito. Estas anlises ocorrem com varredura de toda a faixa de
freqncia audvel. Deste modo podemos avaliar comportamento do amplificador conectado
carga complexa, e como o comportamento da impedncia e fase do sinal nesta condio,
com ou sem o filtro de sada LC.
Nesta etapa ser apresentada a montagem do hardware para testes que envolveram tanto
o amplificador Classe D escolhido, quanto os alto-falantes segundo as prescries da NBR
5308 [10]. Sero apresentados os testes com cargas resistivas e com os alto-falantes
comerciais, cujos parmetros foram utilizados nas simulaes. Em seguida so realizados
ensaios com as modificaes propostas na simulao e o levantamento dos dados pertinentes.
O Captulo 4 desta dissertao apresentar os resultados da simulao dos alto-falantes e os
ensaios realizados.

iv. Avaliao dos resultados e concluses.


Nesta ltima etapa da pesquisa foram abordadas as tcnicas de avaliao e apresentados
os resultados obtidos, os quais formam o Captulo 5. Tambm sero apresentadas as
concluses e proposta de continuidade desta pesquisa.

CAPITULO 2
O AMPLIFICADOR CLASSE D

2.1 INTRODUO
Como o prprio nome indica, o amplificador linear opera seus transistores de potncia
na regio ativa ou linear de funcionamento. Este fato caracteriza um amplificador com
eficincia por volta de 60%. Para o caso dos amplificadores chaveados, os transistores
continuamente esto operando como uma chave, ou seja, na regio de corte ou saturao. Isto
melhora a eficincia, elevando-a para cerca de 90% [4].
Outras vantagens so obtidas com este tipo de amplificador e, com o avano nas
tecnologias de controle do chaveamento e de construo das chaves, podemos destacar a
diminuio do peso e custo, que possibilitam a utilizao de mais canais por espao. Isto
favorece a aplicaes diversas tais como os equipamentos de udio destinados aos
consumidores residenciais, que devem apresentar como caracterstica bsica a fidelidade na
reproduo sonora para qualquer tipo de programa. Hoje, sistemas de udio que pretendem
envolver o ouvinte ou o espectador, com o efeito psicolgico de transport-lo para o ambiente
onde a gravao foi realizada, esto presentes nos equipamentos de udio destinados a uso
residencial, em ambientes de espetculos ou em veculos automotivos. Estes equipamentos
utilizam 5, 6, 7 ou mais canais de udio, com um nmero semelhante de amplificadores e de
caixas acsticas. Estes equipamentos devem ser capazes de reproduo do som de mdias,
tanto para filmes quanto para msica com o maior realismo possvel.
Para comparao entre o amplificador linear e o Classe D, a figura 2.1, mostra um
monitor de referncia ativo para estdios bi-amplificado classe AB da marca M-Audio com
um canal de 60Watts para os altas freqncias e outro de 70Watts para as baixas freqncias.
O dissipador de calor comum aos dois amplificadores tem as dimenses 12cm de largura x
11cm de altura e 2,5cm de espessura, ou seja as dimenses do dissipador so maiores do que
as da placa principal, mais que dobrando a rea til necessria para acondicionar o
equipamento.

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________

Figura 2.1 Amplificador classe AB bi-amplificado (60+70Watts)


A figura 2.2 mostra o mdulo classe D utilizado neste trabalho, um amplificador
estreo que pode atingir 250W em 2 canais ou 500W operando como um canal nico em
configurao ponte, que poderia ser utilizado para a mesma finalidade, o dissipador mede
apenas 3cm de altura x 10cm de comprimento e 1,5cm de largura.

Figura 2.2 Amplificador classe D bi-amplificado (250+250Watts)


A densidade de potncia aumentou cerca de 5 vezes; na foto pode-se perceber a regio
onde est localizado o filtro de sada corresponde a cerca de 40% do tamanho da placa deste

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


amplificador classe D, portanto, um estudo sobre a viabilidade de reduo ou mesmo
supresso deste filtro, que o escopo deste trabalho plenamente justificado.
Como existem diversas tcnicas para a obteno da classe D, seja do ponto de vista do
tipo de modulao, topologia do conversor, filtro de sada, realizou-se uma anlise da
literatura existente sobre cada bloco que compe esta classe de amplificadores para
decidirmos qual seria a configurao escolhida para ser utilizada no estudo da interface
amplificador/alto-falante, com o objetivo de reduzir ou eliminar o filtro de sada.

2.2 O AMPLIFICADOR CLASSE D BSICO

2.2.1 Tipos de Modulao


A modulao definida como o processo pelo qual alguma caracterstica da onda
portadora variada de acordo com o sinal contendo a informao [17], o amplificador Classe
D utiliza este processo para introduzir o sinal de udio ao comando de suas chaves.
Neste tipo de amplificador, o sinal de udio somado largura de pulso de uma onda
quadrada. Duas tcnicas possveis para se obter esta soma so o PWM (Modulao por
Largura de Pulso) e SDM (Modulao Sigma-Delta), ambas foram estudadas e a modulao
PWM a que escolhemos para compor o amplificador classe D utilizado neste trabalho, em
funo do exposto a seguir.

2.2.1.1 - PWM
O sinal PWM nos amplificadores Classe D gerado por um comparador que,
simplesmente compara o sinal de udio com um sinal de referncia que tipicamente uma
onda triangular. A figura 2.3 mostra a estrutura bsica de um amplificador classe D com
modulao PWM

Figura 2.3 - Amplificador PWM Bsico


10

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


Quando a amplitude do sinal de udio maior do que a amplitude do sinal de referncia,
o duty cycle do sinal PWM maior.
Para obtermos um sinal PWM apropriado visando representar uma entrada analgica, a
amplitude do sinal de referncia deve ser maior do que a amplitude mxima da entrada. Outro
fator importante a freqncia do sinal de referncia, que deve ser maior do que a do sinal de
entrada para que a sada possa reproduzir fielmente este sinal, a figura 2.4 ilustra os diversos
sinais que compem a modulao PWM bsica.

(A)

(B)

Figura 2.4 - Formas de onda tpicas do PWM: na sada do comparador (A) e na


entrada do filtro (B)
Apesar da simplicidade, o circuito que gera a onda triangular, possui algumas
limitaes. Normalmente dois amplificadores operacionais so utilizados: um produz uma
onda quadrada e outra faz a integrao desta para obter a forma de onda triangular.
Como a freqncia de chaveamento superior a 300kHz, necessitamos de AMP-OPs
rpidos (mais caros e difceis de se encontrar) ou realiza-semos a montagem do oscilador
utilizando transistores. Em ambos os casos deve-se garantir a estabilidade da freqncia e da
amplitude, pois quaisquer variaes iro afetar o espectro do sinal de sada do amplificador,
com duas conseqncias diretas: um aumento do nvel de interferncia eletromagntica (EMI)
e a possibilidade de surgimento do sinal de chaveamento dentro da banda passante do filtro
LC de sada do amplificador, aumentando a distoro Harmnica (THD) [11].
Uma medida que se tornou possvel com o desenvolvimento dos dispositivos de estado
slido a utilizao dos moduladores PWM auto-oscilantes. Estes moduladores criam as
oscilaes internamente, utilizando o estgio de potncia como referncia, so usualmente
caracterizados com alto PSRR (Power Supply Rejection Ratio), limitando a possibilidade de
erros e garantindo boa estabilidade, desde que se mantenha o ndice de modulao inferior
unidade (tipicamente MMAX = 0,8), por exemplo, aumentando a tenso de alimentao em

11

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


relao mxima tenso na carga [12]. Em virtude do exposto, consideramos como premissa
a utilizao de um amplificador que seja auto-oscilante, em nosso mdulo de testes.

2.2.1.2 Sigma Delta


A modulao Sigma-Delta uma derivao da modulao Delta (MD) muito utilizada
em transmisso digital de sinais pulsados. Na MD, um sinal de mensagem de entrada
superamostrado (ou seja, a uma taxa muito superior ao critrio de Nyquist) para aumentar
propositalmente, a correlao entre amostras adjacentes do sinal. O aumento da correlao
feito de forma a permitir a utilizao de uma estratgia de quantizao simples para a
construo do sinal codificado, desta forma a modulao delta fornece uma aproximao em
degrau para a verso superamostrada do sinal amostrado (udio no caso), o diagrama de
blocos bsico deste tipo de modulador mostrado na figura 2.5.
A diferena entre o sinal de entrada e sua aproximao quantizada em apenas dois
nveis, representados por e correspondendo s diferenas positiva e negativa. Portanto, se
a aproximao est abaixo do sinal de entrada em qualquer instante amostrado, ela
aumentada por , e se est acima do sinal, ela diminuda por . Desde que o sinal de
entrada no varie muito rapidamente de uma amostra para outra (da a necessidade de
superamostragem), a aproximao em degrau permanece dentro de do sinal de entrada
[17].

Figura 2.5 - Diagrama de blocos do modulador delta analgico


Na modulao Sigma-Delta, a integrao incorporada entrada do sinal, o que
promove uma pr-enfase e melhora a correlao entre amostras adjacentes da entrada do
modulador delta, o que tende a aumentar a performance total do sistema [17]. O sinal de udio
est contido em um nmero de ciclos de clock. Basicamente, para determinar qual o valor
do sinal de entrada em um dado instante, devemos determinar o valor mdio da forma de onda
SDM em um especfico nmero de ciclos de clock, onde cada valor mdio aproxima-se mais
do valor real do sinal de entrada.

12

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________

Figura 2.6 - Diagrama de blocos do modulador sigma delta analgico


A sada do circuito sample & hold, uma onda quadrada bitstream, ou seja, um sinal
serial de 1 bit com uma taxa de amostras muito maior do que o dado amostrado, sua
propriedade principal que seu nvel mdio representa o nvel mdio do sinal de entrada. Um
nvel alto ou baixo, que representam o maior ou menor valor possvel, no caso do modulador
analgico, um conversor DA de um bit converte a informao alta ou baixa em dois
nveis precisos de tenso, por exemplo -1V e +1V e depois entrega ao somador.
A entrada do integrador recebe uma forma de onda senoidal recortada por uma onda
quadrada de alta freqncia. Aps o integrador, resulta em uma onda senoidal com uma onda
triangular de alta freqncia somada a ela, a polaridade deste sinal utilizada para gerar uma
onda quadrada que amostrada e retorna a entrada, fechando o lao de controle. As figuras
2.6 e 2.7 ilustram as diversas etapas do processo.

Figura 2.7 Formas de onda presentes no modulador sigma delta analgico

13

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________

Figura 2.8 Modulador sigma delta utilizado em um amplificador classe D


Quando utilizamos esta modulao em um amplificador classe D, podemos retirar o
conversor DA, pois ao invs de realimentarmos o bitstream via conversor, utilizamos
diretamente a sada do sinal resultante do chaveamento dos transistores. Deste modo,
asseguramos a independncia do modulador s variaes de tenso da fonte. O valor da
tenso na entrada do filtro LC exatamente proporcional ao sinal analgico da entrada o que
importante para o correto funcionamento sigma delta [16].
Esta tcnica de modulao possui algumas vantagens sobre o PWM, principalmente no
que diz respeito substituio do oscilador para criao da forma de onda triangular, por um
circuito de amostragem e reteno que pode utilizar um flip-flop tipo D para produzir uma
onda quadrada, obtida utilizando um cristal oscilador [11].
Entretanto, possui a desvantagem de necessitar de um filtro de sada de alta ordem e
tambm as altas freqncias de clock, que aumentam as perdas de chaveamento nos
transistores de sada [12].
Esta desvantagem da modulao SDM necessitar de um filtro de sada de ordem
superior foi decisiva para a nossa escolha em focar este trabalho em uma modulao PWM,
pois assim evitamos o aumento do volume e peso do amplificador.

2.2.2 Etapa de sada


Aps a modulao, o sinal de onda quadrada resultante utilizado para comandar os
transistores de sada. Quando um destes transistores esta desligado, a corrente e
consequentemente a potncia dissipada zero. Quando ligado, a tenso sobre ele zero,
fazendo a perda de potncia tambm zero. Deste modo, teoricamente, a eficincia aproximase de 100% .

14

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


Um amplificador Classe D anlogo a um conversor Buck sncrono conforme mostra a
Figura 2.9:

Figura 2.9 - Comparao entre conversor Buck e amplificador Classe D


De fato, trata-se de uma aplicao diferente para um mesmo circuito, onde o sinal de
referncia para o conversor Buck uma tenso com pequena taxa de variao, proveniente do
circuito de realimentao e, no caso do amplificador Classe D, o sinal de referncia o sinal
de udio, que muda constantemente. Isto significa que o Duty Cicle relativamente fixo no
conversor Buck e esta constantemente mudando no amplificador Classe D, com valor mdio
de 50%. Outra diferena que os transistores MOSFET utilizados no conversor Buck podem
possuir caractersticas diferentes para os lados de cima e de baixo da ponte, com baixa
resistncia entre dreno e fonte (RDS(on)) para ciclos maiores e baixa carga de gate (Qg) para
ciclos curtos, enquanto o amplificador Classe D deve possuir os dois MOSFETs semelhantes,
com mesmo RDS(on) para os dois transistores de sada [5].
O MOSFET utilizado no amplificador inicialmente determinado pela Mxima Tenso
Dreno-Fonte (BVDSS), em funo da potncia desejada (Psada), da impedncia nominal da
carga, topologia da ponte (ponte completa ou meia ponte) e fator de modulao (M) [18].
Ponte Completa:

(2.1)

Meia Ponte:
2

O fator de segurana normalmente utilizado varia entre 10% e 50%.

15

(2.2)

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


Deve-se escolher o menor valor possvel para BVDSS porque este parmetro est
diretamente relacionado com o RDS(on), ou seja, alto BVDSS significa alta RDS(on) e, portanto
aumenta as perdas de potncia.
A eficincia do amplificador classe D esta relacionada com as perdas totais nos
MOSFETs, que so as perdas por conduo, chaveamento e carga no gate. A temperatura da
juno e o tamanho do dissipador dependem destas perdas.
As perdas por conduo esto diretamente relacionadas RDS(on), que dependente da
temperatura e o clculo destas perdas deve ser realizado utilizando-se as condies mximas
de operao do amplificador, com a resistncia dreno-fonte, mxima temperatura da juno e
a mxima corrente de dreno I(D RMS):
(2.3)

A carga do gate (Qg) a carga necessria para o gate comutar a ton no MOSFET.
independente da temperatura est diretamente relacionado velocidade do dispositivo, ou
seja, baixa Qg favorece a velocidades maiores de chaveamento e baixas perdas no gate (Pgate),
diminuindo as perdas de chaveamento levando a maior eficincia.
2

(2.4)

Onde Vdriver a tenso de driver do gate


As perdas por chaveamento no MOSFET so resultado do tempo que o dispositivo leva
para comutar (ton) e (toff), podem ser determinadas pela relao entre a energia de
chaveamento (Esw) e a freqncia de chaveamento (fsw):
(2.5)
Onde:

(2.6)
Sendo t = perodo do pulso de chaveamento
As perdas totais no chaveamento ficam:
(2.7)
16

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


As perdas do chaveamento podem ser estimadas utilizando as especificaes desejadas
para o amplificador e pelos parmetros dos MOSFETs fornecidos em datasheets [18]:
0,5

0,5

0,5

(2.8)

Onde:
Vbus= Tenso do barramento de alimentao do amplificador;
tr e tf = Tempos de subida e de queda do MOSFET;
Coss = Capacitncia de sada do MOSFET;
Qrr = Carga de recuperao reversa do diodo intrnseco
K = fator devido temperatura da juno do MOSFET.
O fluxo de energia em um amplificador classe D de ponte completa, semelhante ao de
um amplificador linear, ou seja, sempre direcionado carga, entretanto, em um amplificador
com a topologia meia-ponte, o fluxo de energia pode ser bidirecional, levando a variaes na
tenso de alimentao, devido carga dos capacitores da fonte pela energia que retorna. Este
fato ocorre principalmente quando reproduzindo freqncias inferiores a 100Hz e chamado
de bus pumping [5].
Este fenmeno uma das principais causas da degradao da qualidade do udio no
amplificador Classe D. Nestes amplificadores, o ganho proporcional tenso de
alimentao e comum que estes amplificadores utilizem a realimentao para compensar as
variaes nesta tenso; entretanto as fortes variaes podem criar distoro. A maior parte da
energia que retorna para a fonte devida a energia armazenada no indutor do filtro de sada.
Geralmente a fonte no tem como absorver a energia que retorna da carga e
conseqentemente, aparecem flutuaes de tenso. Que so mais freqentes em quatro
situaes:
1. Reproduo de baixas freqncias (< 100Hz);
2. Baixa impedncia na carga (< 4);
3. Pouca filtragem na fonte;
4. Aumentam com Duty Cicles = 25% e 75%.
O fenmeno no ocorre em topologias de ponte completa porque a energia que retorna
por uma lado da ponte consumida pelo outro lado devido ao chaveamento.

17

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


Alm disto, o amplificador Classe D possui outras causas de imperfeies que so
listadas a seguir [5]:
1. No linearidades no sinal PWM do modulador entregue ao estagio de
chaveamento devido resoluo baixa e/ou Jitter (variao aleatria dos
instantes de amostragem);
2. Erros de tempo adicionados pelos drivers de gate dos transistores, como tempo
morto, ton/toff e tempo de subida e queda (tr/tf);
3. Limitaes nas caractersticas das chaves, como resistncia (RDS(on)), limites na
velocidade de chaveamento ou caractersticas do diodo intrnseco na chave;
4. Componentes parasitas que podem introduzir rudos ou falhas no chaveamento;
5. No linearidades no filtro PB da sada.
Neste trabalho, estudaremos principalmente as no linearidades no filtro PB da sada,
com conseqentes ramificaes aos outros pontos de imperfeies.
Pelo exposto, importante observar que o amplificador Classe D escolhido, precisa
possuir facilidade de controle do tempo morto no driver e devemos garantir que os parmetros
como velocidade de chaveamento, RDS(on), Qrr e Qg sejam compatveis com o exigido para o
processamento de um sinal de udio.

2.2.3 Filtro Passa Baixas


Esta forma de onda modulada, seja PWM ou Sigma Delta, demodulada por um filtro
passa baixas na sada do amplificador, um exemplo tpico mostrado na figura 2.10.

Figura 2.10 - Filtro Passa Baixas 2 Ordem


O filtro pode ser de 2, 3 ou 4 ordem, normalmente Butterworth, o indutor e o
capacitor devem possuir caractersticas especficas. O indutor deve possuir baixa resistncia
CC, sem vazamento de fluxo, com pequeno tamanho, pouca saturao. O capacitor deve ser
pequeno, com pouca dissipao, pequeno tamanho, baixa resistncia intrinseca (ESR) e com
tenso compatvel, com o barramento de alimentao.

18

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


A qualidade do indutor no filtro de sada importante tanto para a boa reproduo do
udio quanto para a eficincia do amplificador, devemos observar que a indutncia muda com
a corrente na carga, o que causa distoro, bem como a saturao do ncleo do indutor
aumenta o ripple de corrente significativamente, que dado por:

(2.9)

O filtro deve ser calculado de acordo com a largura de banda requerida e


preferencialmente devemos projetar o filtro LC com Q=0,7 para a impedncia nominal da
carga, objetivando a resposta de freqncia plana [5]. Deve-se atentar para o fato de que
quanto maior a freqncia de corte, mais contedo da onda de chaveamento presente na carga
e que, quanto menor a freqncia de corte, maior o tamanho do indutor. Neste trabalho,
procuraremos utilizar uma topologia que utiliza 2 ordem, em funo do tamanho e
simplicidade.
Como o ouvido humano atua como um filtro passa-faixa que deixa passar as freqncias
compreendidas entre 20Hz e 20kHz aproximadamente [20], e a freqncia de chaveamento
muitas vezes maior que 20kHz o nico sinal que se ouve o do udio amplificado, mesmo
com as imperfeies do filtro.

2.3 - MDULO DE DESENVOLVIMENTO CLASSE D COM POTNCIA


ESCALONADA
Os diversos equipamentos de udio citados anteriormente (receptores AV, MP3 players,
som automotivo) e outros aparelhos portteis de alto desempenho, so diretamente
beneficiados ao utilizarem amplificadores classe D quando considerarmos as vantagens
inerentes ao uso desta tecnologia descritas no captulo anterior.
Entretanto, s suas necessidades de potncia podem variar bastante, desde alguns Watts
como os amplificadores para fone de ouvido, at amplificadores profissionais existentes no
mercado com vrios kW, como os da empresa HotSound srie Digilite (que na verdade so
hbridos B-D)

19

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________

Figura 2.11 - Amplificador digilite 6.4 (Empresa HotSound)


O Desenvolvimento de um amplificador de udio classe D de alta performance
exclusivo para cada um destes equipamentos (produtos) consome tempo e pode apresentar um
alto custo.
Sendo assim, uma plataforma simples de projeto que apresente a possibilidade de
modificarmos a potncia de sada do amplificador entre 25W e 500W e avaliarmos diversos
parmetros importantes se mostra interessante para auxiliar em nosso estudo.

2.3.1 Modulo de desenvolvimento


Aps a anlise dos parmetros que um amplificador classe D deveria possuir para
permitir que o objetivo desta dissertao fosse alcanado, levando-se em considerao as
caractersticas analisadas em 2.2, a escolha recaiu sobre os mdulos de desenvolvimento da
International Rectifier.
Este fabricante desenvolveu uma plataforma de projeto de referncia p/ amplificador de
potncia de udio classe D de dois canais com a potncia de sada escalonada [13]. Alm de
possibilitar que um projetista modifique a etapa de potncia de sada desde 25W por canal at
250W por canal, a plataforma oferece tambm a possibilidade de empregarmos topologias de
meia ponte (estreo) ou de ponte completa (canais conectados em ponte) [15].
Em nosso estudo utilizamos somente a verso em estreo. Assim podemos alterar um
canal e comparar com o outro que permanece inalterado, possibilitando uma boa referncia
para observao dos efeitos das modificaes introduzidas nos filtros de sada de um dos
canais do mdulo para a avaliao da interface amplificador/ alto falante.

20

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


Este amplificador utiliza o circuito integrado IRS2092, que um driver de udio classe
D de alta tenso (200V), indicado para aplicaes nas potncias citadas. Possui caractersticas
e funes que facilitam o projeto e montagem de amplificadores de udio classe D para alta
potncia em placa de circuito impresso de face simples. Esse driver combinado com
MOSFETs de potncia com parmetros como velocidade de chaveamento, RDS(on), Qrr e Qg
compatveis com o exigido para o processamento de um sinal de udio [19].
Deve ser montado em uma placa de circuito impresso de face simples, apresentando um
layout de PCI destinado aos circuitos perifricos com tamanho compacto e dimensionado para
esta aplicao com freqncias altas [15]. O mdulo requer um dissipador de calor para
operao normal (com 1/8 da potncia contnua especificada). Todas as subdivises da tenso
fornecida pela fonte de alimentao externa e os circuitos de proteo necessrios tambm
esto includos neste mdulo de desenvolvimento.

2.3.2 - Driver
O circuito integrado do driver de udio mostrado na figura 2.12, integra quatro funes
essenciais que so requeridas para o desenvolvimento de um amplificador de udio classe D
de alta performance, que so:

Amplificador de erro;

Comparador PWM;

Gate driver (com funo para tempo morto);

Circuitos de proteo robustos.

Os circuitos de proteo includos realizam a tarefa importante de proteo contra


sobrecargas, usando controle com reset automtico e circuito contra travamento por subtenso
(UVL0). Essencialmente, as caractersticas de proteo mltipla so:

Proteo contra sobrecorrente (OCP), a proteo contra sobretenso no


MOSFET (OVP);

Proteo CC do MOSFET lado alto e lado baixo, e a proteo contra


sobretemperatura (OTP).

A proteo contra sobrecorrente (OCP) ao detectar um curto circuito, imediatamente


desliga o PWM, aps aproximadamente um segundo feita uma tentativa, religando o PWM
e novamente desligando se a sobrecorrente persistir, este procedimento repetido at que o
problema seja eliminado.

21

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________

Figura 2.12 Funes Principais: amplificador de erro, comparador PWM, gate driver
e circuitos de proteo [15]
Pode-se programar o tempo morto (DT) para a obteno de uma distoro harmnica
total (THD) melhorada. De fato, o DT pode ser selecionado para um melhor desempenho, de
acordo com o modelo do MOSFET, minimizando-se assim sua durao e evitando danos ao
componente, portanto, no exige nenhum ajuste externo de temporizao no gate do transistor
[15].
A seleo do tempo morto realizada com base na tenso aplicada no pino DT do chip,
atravs de apenas dois resistores externos ligados a esse pino, conforme mostra a Figura 2.13.

Tabela 2.1 Resistores recomendados para programao do Tempo Morto

22

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________

Figura 2.13 Programao do Tempo Morto

2.3.3 - MOSFETs
Para que se tenha possibilidade de escolha da potncia de sada, aliada a uma resposta
correta na banda passante do udio, este mdulo utiliza os MOSFETs de udio digital
desenvolvidos pela IR que oferecem parmetros e encapsulamentos projetados para
aplicaes em amplificadores classe D. Na realidade, cada transistor deste tipo consiste de
duas chaves MOSFET de potncia ligadas em uma configurao de meia ponte para
obteno de baixo Ron [19].
Alm disso, a sua carga de gate (Qg), a carga de recuperao reversa do diodo (Qrr) e a
resistncia interna de gate (RG (int.)), bem como o encapsulamento, so todos produzidos
para melhorar a performance do amplificador de udio classe D nas caractersticas de
rendimento, THD e EMI.
O mdulo possibilita selecionar o MOSFET mais adequado para a potncia de sada
desejada. A Tabela 1 apresenta quatro diferentes MOSFETs de udio digital com diversos
conjuntos de combinaes desses parmetros (Qg, Qrr, RG int., RDS (on), encapsulamento)
alm da BVDSS para diferentes valores de potncia de sada. A tabela 2.2 mostra os
componentes que podem ser utilizados neste mdulo [19]:

MOSFET

BVDSS

RDS(ON@10Vm()

Qg (nC)

Qrr (nC)

RG(int)()

Encapsul.

IFRI4024H-117P

55

48

8,9

11

2,3

TO-22OFP

IFRI4212H-117P

100

58

12

56

3,4

TO-22OFP

IFRI4019H-117P

150

80

13

140

2,5

TO-22OFP

IFRI4020H-117P

200

80

19

230

3,0

TO-22OFP

Tabela 2.2 MOSFETs para udio digital

23

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


Empregando-se esses MOSFETs de potncia, a sada escalonada de 25 W por canal at
250 W por canal pode ser configurada conforme ilustra a Tabela 2.3.
Tabela 2.3 Relaciona potncia, tenso de alimentao e carga com os MOSFETs
para udio digital
CONFIGURAES
IR POWER
MOSFET
MEIA PONTE

PONTE
COMPLETA
TENSO DE
ALIMENTAO
NOMINAL
TENSO DE
ALIMENTAO
MAX./MIN.
GANHO DE
TENSO

DISPOSITIVO

FET

IRFI4024H-117P

IRFI4212H-117P

IRFI4019H-117P

IRFI4020H-117P

25W x 2

60W x 2

125W x 2

250W x 2

50W x 2

120W x 2

250W x 2

100W x 1

240W x 1

500W X 1

+B, -B

25V

35V

50V

NO
SUPORTADO
NO
SUPORTADO
70V

+B, -B

20V~28V

28~45V

45~60V

60V~70V

Gv

20

30

36

40

O esquema simplificado do circuito utilizando topologia em meia ponte para esse


projeto de referncia exibido na Figura 2.14.

Figura 2.14 Esquema simplificado de um canal do mdulo amplificador [13]


Como observamos na tabela 2.3, as sadas dos MOSFETs podem ser configuradas tanto
em topologia de meia ponte como de ponte completa, e que, na configurao de meia ponte, o
projeto permite o controle de alto-falantes de 8 ou 4 de impedncia. A ponte completa foi

24

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


projetada para controlar somente cargas de 8. No utilizaremos em nossas anlises esta
configurao em ponte de onda completa.
Por exemplo, o IRFI4019-117P com capacidade p/ suportar 100V de BVDSS, fornece
125W por canal com Alto-falantes de 8 ou 250W por canal com carga de 4 em ponte de
onda. Ou ento, usando-se MOSFETs do tipo IRFI4024H-117P com BVDSS = 55V em ponte
de onda, o amplificador oferece 25W por canal com Alto-falantes de 8, ou 50W por canal
com carga de 4.

2.3.4 - Filtro
Na sada da etapa de potncia que compreende os MOSFETs de udio digital, temos
uma onda PWM amplificada. O sinal de udio recuperado da sua forma de onda PWM pelo
filtro passa-baixas (LC) na sada, conforme mostra a figura 2.15.

Figura 2.15 Filtro de sada do mdulo amplificador


Este circuito filtra a frequncia da portadora de chaveamento e entrega o sinal de udio
para o Alto-falante. O sinal de entrada do amplificador deve ser um sinal analgico com
freqncia compreendida entre 20Hz e 20kHz com at 3VRMS de amplitude, com impedncia
da fonte de 600 no mximo. Um sinal de entrada com freqncias entre 30kHz a 60kHz
pode causar ressonncia no filtro LC de sada, ocasionando um pico de corrente que flui
atravs do estgio de chaveamento, especialmente com cargas maiores que 8. Esta
ressonncia no filtro LC pode ativar a proteo OCP. Outro aspecto que pode acionar a
proteo a saturao do ncleo do indutor, que aumenta significativamente o ripple de
corrente.
Porm, para eliminar quaisquer ressonncias LC e melhorar a resposta de freqncia
com baixas impedncias de carga, um filtro RC (R30 e C13) chamado circuito Zobel
sucede o filtro passa-baixas. Tambm utilizado um filtro RC (R2 e C2) na entrada de sinal
que trabalha como um filtro RF de entrada para prevenir interferncias de RF (RFI), estes
componentes podem ser observados no esquema completo do amplificador (anexo 1).

25

Captulo 2 O Amplificador Classe D_________________________________________


Quando utilizamos somente um canal e altas potncias, pode aparecer em baixas
freqncias o efeito de bus pumping, caracterstico das topologias classe D de meia-ponte.
Como o fluxo de energia no estgio de chaveamento bidirecional, existe um perodo onde o
amplificador entrega energia para a fonte; como a fonte no pode absorver esta energia que
retorna da carga, teremos como conseqncia o aumento da tenso de alimentao, ou seja,
flutuaes na tenso de alimentao do amplificador. A maior parte desta energia provm do
armazenamento da energia no indutor do filtro de sada.
Algumas condies podem piorar este efeito, como baixas freqncias na sada, altas
potncias na tenso de sada e/ou baixa impedncia na carga (maior energia transferida entre
as fontes), baixa capacitncia no barramento de alimentao.
A proteo OVP protege o amplificador de variaes excessivas no barramento de
alimentao, monitorando somente a fonte +B, assumindo que as variaes de tenso so
simtricas em ambas as fontes (+B e B).

2.4 CONCLUSO:
Aps anlise dos tipos de amplificadores classe D existentes no mercado, conclu-se que
a utilizao da plataforma de desenvolvimento da International Rectifier atende s diversas
premissas que identificamos durante a pesquisa bibliogrfica [5], [7], [11], [13], [14], [15],
[16], [18], [19].
A montagem do amplificador simples, com a utilizao de componentes de
encapsulamento DIP, o que possibilita a remoo/substituio dos componentes quando da
realizao dos testes. Possui diversos sistemas de proteo, utiliza modulao PWM autooscilante a uma freqncia elevada (400kHz), utilizando um filtro LC de 2 ordem.
Os transistores MOSFETs so dedicados para udio, o que favorece sua robustez e o
atendimento das principais caractersticas exigidas para este tipo de aplicao, fornecidos em
encapsulamentos que j integram meia ponte.
A escalabilidade entre potncias tambm foi um fator decisivo, por permitir a anlise
utilizando-se diversas tenses de alimentao e ainda, a possibilidade de variar parmetros
importantes como o tempo morto e a freqncia de oscilao com substituio de poucos
componentes.

26

CAPTULO 3
TRANSDUTOR ELETRO ACSTICO:
ALTO-FALANTE

3.1 INTRODUO
Para o estudo sobre a interface amplificador/alto-falante, necessrio o conhecimento
do alto-falante para obter um modelo apropriado, que permitir realizar simulaes com
maior preciso e eventualmente possamos determinar os parmetros que podero ser
modificados de forma a obter um alto-falante comercial, o qual permita melhorar a eficincia
do amplificador classe D.
A histria deste transdutor comea com a patente de 1876 registrada por Alexander
Grahan Bell [21], que consistia em um meio de registrar a fala graficamente para o ensino de
surdos-mudos. Ao desenvolver um transdutor para este uso ele acabou por criar o telefone. O
receptor de telefone criado tinha o seguinte princpio: O sinal de entrada era aplicado a um
solenide para produzir um campo magntico com a forma de onda do udio, este campo
atraa um leve e fino diafragma metlico.
A massa relativa diafragma metlico era uma fonte de ressonncias e os receptores de
rdio, com este principio de funcionamento foram abandonados devido baixa fidelidade,
entretanto incontveis dispositivos semelhantes foram produzidos para a telefonia. O termo
em ingls loudspeaker, utilizado at hoje, teve origem nesta poca em funo do alto nvel
de sinal produzido (apesar da baixa qualidade).
As freqncias envolvidas neste transdutor de udio eram consideravelmente altas para
os padres da engenharia mecnica da poca. razovel supor que muito mais fcil mover
componentes a altas freqncias quando eles so pequenos e leves, desta forma o
desenvolvimento subseqente do alto-falante seguiu este caminho. O sistema motor utilizado

27

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


no alto-falante foi patenteado por Sir Oliver Lodge em 1898 [22], mas, pela ausncia de
sistemas amplificadores ele no foi utilizado.
Com o surgimento da vlvula termoinica, com o conseqente desenvolvimento do
rdio, surge ento, um grande mercado consumidor e o termo loudspeaker foi adotado
definitivamente para o transdutor eletroacstico. O princpio de funcionamento deste
dispositivo encontra-se no trabalho de Rice e Kellog na dcada de 20, que descreveu
essencialmente o alto-falante como o conhecemos at hoje. Eles construram um produto
conhecido como Radiola 104, com um amplificador classe A de 10Watts. O alto-falante
utilizado neste equipamento utilizava para gerar um campo magntico fixo um indutor. Este
primeiro alto-falante tinha como conseqncia o aumento do consumo de energia e riscos
com a alta tenso para alimentar este campo magntico.
O desenvolvimento da tecnologia dos materiais magnticos tornou possvel a
substituio do indutor de campo por um im permanente. No final da dcada de 1930 este
novo alto-falante foi adotado e aconteceram pouqussimas mudanas no conceito desde ento
[23].
Os alto-falantes so dispositivos de baixo rendimento. Para que seja feita a
transformao da energia eltrica enviada pelo amplificador, em energia mecnica, e
posteriormente em energia acstica, ele dissipa em forma de calor aproximadamente 98% da
energia fornecida pelo amplificador (e isso considerando alto-falantes de alta qualidade), isso
quer dizer que de cada 100W rms aplicados nos bornes de um alto-falante, teremos apenas
2W de potncia acstica efetiva [3,6].

3.2 PRINCPIOS DE FUNCIONAMENTO DO ALTO-FALANTE


Os transdutores eletro-acsticos de freqncias graves, mdias e agudas, encontrados na
maioria das caixas acsticas, baseiam-se todos em um mesmo conceito: um diafragma em
movimento, devido a um campo eletromagntico modulado em amplitude, atuando em
conjunto com um im permanente. Este mecanismo anlogo a um motor eltrico, sendo o
rotor substitudo pela bobina mvel.
A Figura 1 ilustra um corte de um alto falante (A.F.) eletro-acstico. Quando se aplica
corrente bobina mvel, um campo eletromagntico produzido perpendicularmente ao
fluxo da corrente e ao campo do im permanente. A fora mecnica resultante obriga o

28

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


diafragma (cone) a se deslocar em um movimento perpendicular ao campo magntico no
entreferro, movimentando o ar em ambos os lados [3].

Figura 3.1 Componentes de um Alto-falante


Existem trs sistemas distintos, interligados que operam simultaneamente em um A.F:
1. O sistema motor: composto pelo im, pea polar, entreferro e bobina mvel;
2. O Diafragma: cone que pode ser de diferentes materiais;
3. A Suspenso: constituda pela aranha ou centragem e o anel de suspenso.
As especificaes tcnicas mais comumente conhecidas do falante so:

Impedncia Nominal;

Sensibilidade;

Resposta de Freqncia;

Potncia;

Os fabricantes fornecem estes parmetros em seus catlogos, como aqueles constantes


no anexo 2.

Figura 3.2 Curvas de impedncia e fase tpicas de um alto-falante montado no Baffle


infinito (exemplo)

29

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


3.3 - CAIXAS ACSTICAS
Um alto-falante ao ar livre possui um plano de irradiao ilustrado na Figura 3. Na linha
do plano do cone (ou seja, ouvindo o alto-falante pelo seu lado) no existe reproduo de
som, como as freqncias maiores do que a rea efetiva do cone podem ultrapassar a linha
divisria entre a frente e a parte de traz dele (e assim so canceladas, em funo da fase
invertida), no vai haver reproduo de som de baixa freqncia.

Figura 3.3 Plano de irradiao do alto-falante ao ar livre (corte)


Existem diversos modelos de caixas acsticas, e cada uma dela interfere de forma
caracterstica no desempenho do sistema [6].

3.3.1 - Baffles:
O Baffle consiste de um anteparo que separa a parte frontal da parte traseira do altofalante conforme mostra a figura 3.4, aumentando a distncia que as ondas devem percorrer
para se encontrar. Este recurso aumenta a capacidade de reproduzir baixas freqncias, sendo
que o seu tamanho um fator limitante. Idealmente o baffle deveria ter o tamanho infinito,
evitando assim qualquer cancelamento, mas como na prtica isto no ocorre, as ondas frontais
se encontram com certo atraso com as ondas traseiras, causando cancelamento em alguns
comprimentos de onda e somatrio em outros. Para evitar que isto acontea, interessante
que seu formato seja irregular, ou que o diafragma seja montado fora do centro do baffle,
conforme indica a Norma 5308/1982 [3, 24, 10].

Figura 3.4 Baffle

30

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


3.3.2 Gabinete de fundo aberto
Estes gabinetes so bastante utilizados, tipicamente em alguns modelos de caixas
acsticas amplificadas para uso com instrumentos. Ele conhecido por produzir um grande
pico na resposta causado pela ressonncia acstica, em uma freqncia que funo do altofalante e prioritariamente do gabinete. Esta configurao no tem boa fidelidade, mas para
melhorar sua resposta o gabinete deve ser o mais raso possvel, com o mnimo de obstruo
acstica, especialmente na parte traseira.

Figura 3.5 Gabinete aberto

3.3.3 Gabinete Fechado


Neste tipo de gabinete no existe interferncia entre as ondas frontais e traseiras, alm
de diminuir um pouco a excurso do cone (devido presso interna. Entretanto, na freqncia
de ressonncia, ocorre um pico na resposta. Em altas freqncias, a ressonncia acstica
interna cria irregularidades na resposta, que pode ser reduzida revestindo-se internamente a
caixa com um material para absoro acstica.

Figura 3.6 Gabinete fechado

3.3.4 Caixa Ventilada


Tambm chamada de bass-reflex ou irradiador passivo, apresenta uma abertura frontal
na parte inferior, permitindo que a onda traseira produzida pelo diafragma contribua para o

31

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


sistema, em uma estreita faixa de freqncias. Conseqentemente, este tipo de caixa fornece
uma melhor resposta de graves. Pode ter um dimensionamento difcil, em funo da sintonia
do duto.

Figura 3.7 Gabinete ventilado

3.3.5 Labirinto Acstico


A estrutura contm um longo tnel de passagem de ar, forrado com material absorvente.
A influncia do labirinto pode ser comparada a uma linha de transmisso longa e com muitas
perdas, onde grande parte da energia dissipada e uma pequena parcela refletida. Com este
artifcio, possvel reduzir a freqncia de ressonncia dos sons graves, aumentando a faixa
de resposta do alto-falante.
O dimensionamento correto do comprimento do tnel, faz com que a onda sonora que
deixa a abertura fique em fase com a onda frontal, proporcionando a soma destas e,
melhorando o rendimento. Este processo semelhante ao da caixa ventilada, com o aumento
gradual da seo transversal do tnel, o labirinto se comporta como uma corneta de baixa
freqncia.

Figura 3.8 Labirinto acstico

3.4 - MTODO DE THIELE-SMALL


O modelo de Thiele-Small um conjunto padronizado de parmetros que definem o
comportamento de um alto-falante, muito usados para o projeto de caixas acsticas. Foi
32

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


desenvolvido por A. Nevile Thiele da Australian Broadcasting Commission em 1960. Ele
observou que o circuito equivalente de um alto-falante ou caixa acstica correspondia ao de
um filtro passa-altas, sendo assim ele passou a aplicar a metodologia de filtros eltricos
caixa acstica e o alto-falante.
Esta teoria ficou esquecida entre 1960 e 1971, quando Richard H. Small da
Universidade de Sydney (Austrlia) a colocou novamente em voga em um congresso da AES,
a teoria ficou conhecida como parmetros de Thiele-Small (TS) [8,9].
Foi introduzida no Brasil em 1980, por Paulo Fernando Cunha Albuquerque da
Unicamp atravs de 12 artigos publicados na revista Antenna [26]. Com este conhecimento,
se tornou possvel medir os parmetros do A.F. pelos terminais da bobina, j que o
acoplamento entre o lado acstico e o eltrico relativamente pequeno. Qualquer pessoa com
um gerador de udio e um multmetro poderia levantar os parmetros TS, ou seja, os
parmetros publicados pelo fabricante poderiam ser conferidos facilmente pelo consumidor
final [25].
O mtodo TS uma aproximao, porm se revelou uma ferramenta poderosa para um
problema complexo, pois o AF um dispositivo que parte eltrico, parte mecnico e cuja
sada uma interface com o lado acstico.
Com o modelo TS, ao medirmos um mnimo de trs parmetros, j podemos afirmar que
a resposta deste alto-falante subamortecida ou superamortecida, se ele favorece o uso em
caixas bass-reflex ou cornetas, por exemplo.
Exemplificando:
O fator de qualidade mecnico de um material determina como a energia cedida ao
material armazenada e dissipada. No alto-falante, isto est relacionado ao timbre e
chamado de parmetro QTS (fator de qualidade total):
QTS Alto Resposta subamortecida (grave retumbante)
QTS Baixo Resposta superamortecida
Quanto maior o campo magntico menor o QTS
Os parmetros Thiele-Small so intrinsecamente para pequenos sinais, visto que eles
assumem que a resposta permanece plana por todo o espectro de udio, o que no acontece na
prtica com o alto-falante.

33

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


Algumas no linearidades do Alto falante foram descritas atualmente. Na poca de sua
concepo Thiele e Small no consideraram estes fatores.
Para medir os parmetros TS (freqncia de ressonncia, fatores de qualidade)
necessrio conhecer apenas o pico da 1 ressonncia. Para modelar este pico, no necessrio
conhecer o comportamento no linear indutncia da bobina e da resistncia.
Entretanto, se quisermos representar toda a curva da impedncia, devemos considerar
estas no-linearidades, caso contrrio para freqncias acima de 2 KHz poderemos ter um
erro considervel.
No lado Acstico, com o alto falante montado em um painel de grande tamanho (Baffle
infinito) [10] teremos a situao ideal para uma simulao matemtica. A teoria que
fundamenta os parmetros, divide o Alto-falante em trs partes: o lado eltrico, o mecnico e
o acstico.

3.4.1 Analogias Eletromecnicas


Para o entendimento dos parmetros de Thiele-Small, necessrio realizar algumas
analogias entre fenmenos fsicos e eltricos:
f =M
e = L

dv
dt

(3.1)

di
dt

(3.2)

Onde:
Fora (f) = massa X acelerao
Tenso (e) = indutncia X variao da corrente no tempo
Fora e tenso so variveis dependentes, massa e indutncia so constantes e
velocidade e corrente so variveis independentes, sendo assim estas duas equaes so
idnticas e podemos estabelecer uma correspondncia (analogia) entre elas.
Existe, portanto, uma analogia entre fora e tenso eltrica, entre Massa e indutncia e
entre velocidade e corrente, isto :

f e
M L

(3.3)

vi

34

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


Sendo assim, podemos trocar uma massa por uma indutncia (por exemplo, se
analisarmos a suspenso de um automvel, podemos substituir uma massa de uma tonelada
por um indutor de mil Henryes, ao invs de aplicar uma fora de 1N, podemos aplicar uma
tenso de 1V e verificamos como esta suspenso se comporta em funo da velocidade
simplesmente analisando o comportamento da corrente.

Figura 3.9 Analogia entre massa (M) e indutncia (L)


Deste modo trouxemos uma anlise no domnio da mecnica para o domnio da
eletricidade.
A lei de Hooke da mecnica nos diz que a relao entre a fora e o deslocamento (x)
numa mola dada pela seguinte equao:
f = Kx

(3.4)

Fora diretamente proporcional ao deslocamento

Figura 3.10 Fora X Deslocamento


K=

N
f
= = elastncia
x m

(3.5)

Em alto falantes trabalhamos com o inverso desta constante que 1/K = complincia =
m/N
e=

1
idt
C

Tenso no capacitor (e)

(3.6)

35

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


Analogamente:

(deslocamento sobre C)

(3.7)

Trabalhando com a complincia:

Cm = x

(3.8)

Ento, C o inverso da elastncia = complincia mecnica (Cm) que o anlogo do


capacitor, assim da mesma maneira que iremos representar a massa por uma indutncia,
representaremos a complincia mecnica por uma capacitncia.

Figura 3.11 Analogia entre Complincia mecnica (CM) e capacitncia (C)


Deste modo conseguimos equacionar o lado mecnico do alto-falante em um circuito
equivalente eltrico.

Analisando as resistncias
Re =

Rm =

e
= Resistncia eltrica
i

(3.9)

N
f
N s
=
=
= Resistncia mecnica
m
v
m
s

(3.10)

onde f = fora e v = velocidade


N = fora = massa acelerao = kg

m
s2

(3.11)

substituin do :
kg m s

m
s2

Temos que

36

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

Rm =

N s kg
=
m
s

(3.12)

No caso dos alto falantes chamamos resistncia mecnica de Rms significando


resistncia mecnica do speaker.
O que vale para resistncia em termos de unidades vale para a impedncia.
Vamos entender agora a impedncia acstica (Za):

fora
N m2
P
=
Z a = = area
V
m 3 ar
m3 s
s
OndeV = Vazo
consequentemente :

(3.13)

s
N
3
2
m
m
Za = N s 5
m
Za =

Vamos introduzir um novo conceito que relaciona a impedncia mecnica com a


impedncia acstica:
A impedncia mecnica, a exemplo da resistncia mecnica, tem por unidades
Zm =

N s kg
=
m
s

(3.14)

E a impedncia acstica como vimos, tem por unidades:

Za =

N s
m5

(3.15)

Fazendo:
Z m N s m5
=

= m4
Za
m
N s

(3.16)

m4 = quadrado da rea (uma interpretao possvel);


37

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

A interpretao mais interessante para este conceito a rea do diafragma ao


quadrado que chamamos de Sd2.
Em acstica tudo que produz som esta se movendo, consiste em uma superfcie em
movimento, esta superfcie a que estamos chamando de diafragma, no alto falante consiste no
cone somado suspenso (rea efetiva).
Z m = Z a Sd 2

(3.17)

Podemos relacionar esta equao ao transformador:

Figura 3.12 Transformador acoplando lado acstico ao mecnico

Ao colocarmos uma impedncia de carga no secundrio, esta se reflete ao primrio do


trafo, se dissermos que o primrio o lado mecnico e o secundrio o lado acstico, e ainda,
dissermos que a relao de espiras Sd:1 teremos que, a impedncia refletida no lado
mecnico ser a impedncia do lado acstico vezes o quadrado da relao de espiras:
Z m = Z a Sd 2

(3.18)

Ento podemos utilizar um trafo para fazer o acoplamento do lado acstico para o lado
mecnico, sendo que a impedncia acstica muda quando montamos o alto falante num
Baffle, e mais ainda quando o AF montado numa caixa acstica.

38

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


3.4.2 Baffle Infinito

Vamos agora definir o circuito que ser visto pelo amplificador, com o alto falante
montado em um Baffle Infinito:

Figura 3.13 Circuito equivalente ao modelo eletro-mecano-acstico do altofalante

Onde:
I(s) = corrente eltrica
V(s) = velocidade
U(s) = Presso sonora
O conjunto Rms (resistncia mecnica), Mms (massa) e Cms (complincia) formam o
conjunto da suspenso (aranha+anel+perdas) que formam a complincia total do alto falante,
onde Rms representa as perdas por atrito das fibras do cone e suspenso;
As fontes de tenso so:

= densidade de fluxo na bobina;


L = comprimento da bobina dentro do campo magntico;
Ento L = fator de fora

(3.19)

L I (s ) = um gerador de fora (lado mecnico), a dimenso N e esta fora agindo


em impedncias mecnicas produz uma velocidade V(s).
Podemos observar que este gerador de fora depende completamente da corrente que
circula na bobina (lado eltrico).
No lado eltrico o gerador assinalado com L V( s ) devido ao fato de que, como o
cone est solidrio a uma bobina, que se desloca dentro do campo do im permanente, se

39

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

provocamos uma velocidade no cone, teremos uma tenso induzida que diretamente
proporcional velocidade (gerador de tenso).
Le = indutncia da bobina, que varia sempre com a freqncia (diminui com o aumento
da freqncia);
Re = resistncia da bobina, que dividida em duas partes: uma depende da freqncia
(Red) e outra RE, que independente (medida com o ohmimetro).
At o momento, vamos considerar apenas a RE e a indutncia como sendo fixa (linear),
posteriormente, ainda neste capitulo, trataremos das no linearidades.
Rg = resistncia interna do amplificador, que no tem nada a ver com a questo de 4,8
ou 16 popularmente conhecida (que so, na verdade, impedncias de carga recomendveis)
seu valor tipicamente 0,002.
Eg = fora eletromotriz que representa o amplificador.
Sd:1 = transformador que acopla o lado acstico ao lado mecnico;
ZA = impedncia acstica que se reflete no lado mecnico segundo as relaes do
transformador, j explicitadas anteriormente.
Uma maneira muito simples de se medir os parmetros do alto falante a partir da curva
de impedncia, que o quociente entre a tenso aplicada no circuito do alto falante e a
corrente que circula para dentro dos terminais da bobina.
Refletindo ZA para o lado mecnico, obteremos o circuito mostrado na Figura 3.14.

Figura 3.14 - Circuito equivalente ao modelo eletro-mecnico do alto-falante

Note que Sd2 ZA uma impedncia acstica, que fisicamente no existe no lado
mecnico. importante perceber que o circuito dinmico, uma alterao no lado acstico
repercute no lado eltrico modificando a corrente que percorre a bobina, bem como alteraes
no lado eltrico vo influenciar o lado acstico.

40

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

Uma forma de comprovarmos esta interao consiste em ligarmos um osciloscpio e um


gerador de sinais nos terminais do alto-falante de modo a visualizarmos as figuras de
Lissajous. Ao variarmos a freqncia do gerador de sinais at encontrarmos a ressonncia
obteremos uma reta de Lissajous. Ao aproximarmos a mo do cone, perceberemos que esta
reta ir se modificar para uma elipse, comprovando a interao entre o lado acstico e o lado
eltrico.
Fazendo outras analogias devemos lembrar que, se o alto falante esta ao ar livre, ou em
um baffle infinito, a impedncia ZA descrita por uma resistncia em srie com uma
indutncia (resistncia acstica do ar, caso mais simples), se estiver montado em uma caixa
acstica, o volume desta caixa esta representado por uma capacitncia, se a caixa tiver um
duto, este uma indutncia em paralelo com aquela capacitncia e ainda teremos a resistncia
acstica do ar que a resistncia em serie com a indutncia.
Voltando ao modelo, aplicaremos a lei de Kirchooff nas duas malhas para explicitar as
equaes que o descrevem:

E g = (R g + Re ) + s Le I (s ) + L V(s )

(3.20)

s em regime permanente equivalendo a j

L I ( s ) = V( s ) Rms + s Mms +

1
+ Sd 2 Z A( s )
s Cms

(3.21)

Ressaltamos o fato que devemos ter o cuidado de lembrar que a malha que representa a
parte mecnica (no um circuito eltrico e sim, o anlogo eltrico de um circuito mecnico)
do A.F esta trabalhando com fora I e velocidade V, entretanto o raciocnio fundamentado na
eletricidade permanece correto.
Definindo a impedncia mecnica como:
Z M ( s ) = Rms + s Mms +

1
+ Sd 2 Z A( s )
s Cms

Substituindo (3.22) em (3.21), obteremos (3.23):

41

(3.22)

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

L I ( s ) = V ( s ) Z M ( s ) V (s ) =

L I (s )
Z M (s )

(3.23)

Substituindo V(s) na primeira equao (3.20):

Eg = [(Rg + Re ) + s Le] I ( s ) +

( L )2 I
Z M (s )

(s )

(3.24)

( L )
Eg
= Zvc( s ) = Rg + Re+ s Le +
I (s )
Z M (s )

(3.25)

Onde Zvc(s)= impedncia da bobina vista pelo amplificador


Neste ponto, podemos dividir esta impedncia em dois grupos que so Rg + Re + s Le
(resistncias prprias da bobina), e

( L ) 2
Z M (s)

que a reflexo da impedncia do lado mecnico

do alto falante, ou seja, qualquer impedncia que existe no lado mecnico aparece invertida e
multiplicada por (L)2.
Assim,

Z EM ( s )

(
L )2
=
Z M (s)

( L )2

Rms + s Mms +

1
+ Sd 2 Z A( s )
s Cms

(3.26)

Onde:
ZEM(s) a impedncia eltrica que veio do lado mecnico;
Rms a resistncia mecnica do speaker;
Mms a massa mvel do speaker;
Cms a complincia mecnica do speaker;

Sd 2 Z A( s ) a impedncia acstica refletida para o lado mecnico


Vale ressaltar que o denominador da equao 3.26 representa o ramo serie do lado
mecnico do alto-falante.
Dividindo numerador e denominar de 3.26 por (L)2:

42

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

Z EM ( s ) =

( L ) 2
Z M (s)

=
Rms

(L )2

s Mms

( L ) 2

s (L ) Cms
2

Sd 2 Z A( s )

(L )2

(3.27)

Dividindo os termos no denominador por seus respectivos elementos para colocarmos a


equao na forma dos inversos da soma dos inversos:

Z EM ( s ) =

(L )2
Z M (s)

1
1
1
1
1
+
+
+
2
2
2
(L ) (L ) s (L ) Cms
(L )2
Sd 2 Z A( s )
Rms s Mms

(3.28)

Com a equao colocada na forma acima, fica evidente que a impedncia refletida do
lado mecnico para o lado eltrico fica igual ao inverso da soma dos inversos, ou seja, os
componentes que estavam em srie, no lado mecnico, se associaram em paralelo no lado
eltrico.
Note que, apesar de no lado mecnico a complincia ser anloga a um capacitor, no lado
eltrico devido ao giro na impedncia (que aparece invertida) a reatncia capacitiva se
transforma numa reatncia indutiva; portanto (L)2Cms um indutor, o mesmo acontece com
a reatncia indutiva que muda para uma reatncia capacitiva que fica

Mms

( L )2

sendo um

capacitor.
Na notao de Thiele-Small fica:

(
L )2
Re s =
Rms

Cmes =

(3.29)

Mms
(L )2

(3.30)

Lces = ( L ) Cms
2

(3.31)

Onde mes significa massa do lado eltrico do speaker;


ces significa complincia do lado eltrico do speaker

43

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

Figura 3.15 - Circuito equivalente ao modelo do alto-falante em Baffle Infinito

Este modelo perfeitamente vivel para estudos na regio da primeira ressonncia, onde
percebemos o seguinte:

Le torna-se inteiramente desprezvel;

No leva em considerao a variao da resistncia Re com a freqncia


(tambm aceitvel nesta regio);

A impedncia acstica tambm desprezada, entretanto, quando fazemos a


medio dos parmetros (freqncia de ressonncia, por exemplo), a impedncia
acstica j esta implcita no lado mecnico pois os parmetros esto em srie, ou
seja, ao medir ela j esta somada ao parmetro Mms.

Infelizmente a reatncia indutiva do ar varia com a freqncia, entretanto esta


componente considervel em baixas freqncias, porm para o conjunto ela ainda
desprezvel, ento podemos prosseguir com esta simplificao.
Este modelo sem as no linearidades funciona bem at a regio onde o alto falante
trabalha como um pisto, ou seja, at o momento em que o permetro dele se iguala ao
comprimento de onda do sinal, na verdade podemos trabalhar at o dobro da freqncia sem
maiores problemas, para um A.F. de 18 esta freqncia corresponde a aproximadamente
300Hz, alm disto aparecem problemas com modos de vibrao do cone.
A segunda ressonncia do A.F. dada pela indutncia da bobina e pela reflexo da
massa Cmes e usada como o melhor indicador da impedncia nominal do transdutor.
Na primeira ressonncia, o circuito srie existente no lado mecnico (ressonncia srie)
implica que as reatncias Mms e Cms se anulam, sobrando apenas Rms que a impedncia
44

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

mnima nesta situao, o L e grande para freqncias altas, sendo assim, devido relao
Re s =

( L ) 2
Rms

. Temos ento no lado eltrico uma alta impedncia, e o circuito fica reduzido a:

Figura 3.16 - Circuito equivalente na primeira ressonncia

3.4.3 Fator de Qualidade

O fator de qualidade mecnico de um material determina como a energia cedida ao


material armazenada e dissipada. No alto-falante, isto est relacionado ao timbre e
chamado de parmetro QTS (fator de qualidade total), conceito que demonstrado a seguir.
Por definio o fator de qualidade [27]:

Q=

energiaarmazenada
que uma grandeza adimensional.
energiadissipada

(3.32)

XL I2 XL
Q=
=
R
RI2

(3.33)

Na ressonncia o mdulo de XL= mdulo de Xc X L = X c

X L = s Mms

(3.34)

1
s Cms

(3.35)

Xc =

Igualando as duas equaes temos: s 2 =

1
= s =
Mms Cms

45

1
Mms Cms

(3.36)

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


Qms =

Qms =

s Mms
Rms

= equao do fator de qualidade mecnico

1
s Cms Rms

(3.37)

(3.38)

Onde: s = 2Fs

Fs = freqncia de ressonncia mecnica

Fs =

1
Mms Cms 2

(3.39)

Para sabermos o Q eltrico, refletimos a impedncia eltrica para o lado mecnico:

Figura 3.17 Impedncia eltrica (RE) refletida no lado mecnico

Qes =

s Mms
( L )2
RE

(na ressonncia)

(3.40)

O fator de qualidade total do alto falante ser:

QTS =

s Mms
( L )2
RE

(3.41)

+ Rms

(neste caso computamos a resistncia refletida pelo lado eltrico, somado ao lado
mecnico)
Vale relembrar que na regio da 1 ressonncia, todos os componentes que variam com
a freqncia podem efetivamente ser desprezados.

46

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

( L )2
QTS =

RE + Rms
s Mms s Mms

(3.42)

1
1
+
Qes Qms

Qts anlogo associao de duas resistncias em paralelo


Como Qms>>Qes

Equivale dizer que o QTS aproximadamente Qes e, portanto o som que ouvimos do
alto-falante predominantemente definido pelo lado eltrico.
O valor do Qts importante para a deciso sobre qual tipo de caixa acstica ele deve ser
utilizado, um valor alto neste parmetro indica um grave mais profundo ou persistente no
tempo. Valores muito baixos podem resultar em uma resposta pobre de graves, ou seja, um
alto valor de do Qts ou um valor muito baixo podem no ser recomendveis.
Os parmetros levantados atravs do modelo TS utilizando apenas os componentes no
lineares da bobina representam perfeitamente o alto falante em termos de impedncia, em
termos de resposta precisamos levar em conta a impedncia de radiao do ar.

3.4.4 No Linearidades do Alto-falante

O modelo de Thiele-Small no leva em considerao as variaes da indutncia e da


resistncia em uma situao dinmica de trabalho do alto-falante.
Observamos que a indutncia do alto-falante varia mesmo em pequenos sinais,
demonstrando sua no linearidade. A prpria resistncia do transdutor varia com pequenos
sinais, o que acrescenta ainda um fator ambiental ao modelo. Em uma utilizao com altos
nveis sonoros, com as caixas pintadas de preto e expostas ao sol direto, j foram identificados
Alto-falantes trabalhando em temperaturas superiores a 250C na bobina, nesta temperatura o
transdutor praticamente se desmancha, pois as colas se desfazem.
A temperatura causa o risco de dano e uma grande alterao nos valores dos parmetros
TS. O QTS inversamente proporcional resistncia da bobina, esta resistncia pode at
dobrar em funo da temperatura, assim o fator de qualidade total e o fator de qualidade
eltrico crescem muito, afetando o timbre e a eficincia do falante, outro fator interessante o
deslocamento do cone. Portanto, um dado que limita a potncia do alto-falante a
temperatura da bobina [28, 29, 30]
A seguinte equao descreve o comportamento da temperatura [28]:
47

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


1

25

(3.43)

(3.44)

Onde:
TA = Temperatura ambiente
TB = Temperatura da bobina
Re = Resistncia DC do alto-falante
RB = Resistncia da bobina do alto-falante corrigida pela temperatura
ct = coeficiente de temperatura do fio
Re, ct, so dados fornecidos em catlogo, onde tambm informada a temperatura
ambiente em que foi realizada a medio na fbrica.
A diminuio da eficincia do alto falante produz o efeito chamado compresso de
potncia, onde um aumento de 10dB por exemplo, na potncia eltrica entregue ao alto
falante, produzir menos do que 10dB de aumento na potncia acstica.
Na medio dos parmetros TS, aplicamos sinais que deslocaro muito pouco o cone do
AF, assim a bobina atua apenas em regies bem lineares do ponto de vista do campo
magntico o que no ocasiona distoro. Situao diferente da prtica, onde grandes sinais
so aplicados e um deslocamento forte do cone ocorre. Nestes casos, quando o cone (com a
bobina acoplada) penetra muito no campo magntico dentro do conjunto magntico (arruela
inferior, anel de ferrite, arruela superior e pino central) ela encontra uma condio mais linear
e mais intensa deste campo, entretanto, quando o cone se desloca para fora a bobina saindo
parcialmente do gap e comea a encontrar o ar livre, o campo magntico cai violentamente.
Podemos perceber que a densidade de fluxo , que na teoria de TS uma constante, na prtica
se torna varivel, dependendo da posio do cone do alto falante.
Ao aplicarmos uma senoide de alto nvel, a bobina (juntamente com o cone) vai se
deslocar bastante, a bobina atravessar regies que so muito no-lineares, um microfone
captando o udio emitido por este Alto-falante mostrar uma senoide distorcida, que
apresentar um nvel mdio diferente de zero devido distoro. Este nvel mdio chamado
componente DC.
O deslocamento do cone muda todos os parmetros, at mesmo a complincia. Se
aplicssemos uma componente contnua para deslocar o cone para frente, e medssemos a
48

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________

freqncia de ressonncia, notaramos que esta ficou maior. A complincia diminui toda vez
que o deslocamento aumenta, porque as fibras da suspenso so esticadas. Um alto-falante
medido na horizontal e na vertical apresentaria variaes na freqncia de ressonncia pela
atuao da fora da gravidade (alteraes na complincia) [25].
A resistncia da bobina que varia com a frequncia (no linear), e dada pela expresso:
Re d = Krm( Erm ) onde:

(3.43)

Krm uma constante expressa em ohms e Erm uma constante adimensional, no


expoente.
O comportamento no linear da indutncia da bobina expresso por:
Led = Kxm ( Exm 1) onde:

(3.44)

Kxm uma constante expressa em Henrys e Exm uma constante adimensional, no


expoente.
Os valores de Krm, Erm e Exm podem ser obtidos a partir da curva de impedncia [25].
O modelo incluindo os parmetros no lineares fica:

Figura 3.18 Modelo completo do alto-falante em baffle infinito

49

Captulo 3 O Transdutor eletroacstico: Alto-Falante___________________________


3.5 CONCLUSO

O mtodo de Thiele-Small uma teoria elegante, que descreve razoavelmente bem, um


dispositivo que de baixa eficincia, sofre muitas influncias externas e influencia
diretamente na qualidade da reproduo sonora e no comportamento do amplificador. Este
projetado e testado, na maioria das vezes, considerando-se as cargas como resistivas.
Entretanto, pode-se perceber pelos modelos apresentados que, os transdutores so cargas
complexas, mudando o seu comportamento em funo da freqncia, condies do ambiente
de reproduo, caractersticas mecnicas e temperatura.
Neste captulo foi determinado o modelo do alto-falante (carga reativa) que ser
utilizado nas simulaes. Sob tais condies, os amplificadores so muito mais exigidos em
seus esforos. Portanto, estes modelos servem para, atravs das simulaes, determinar os
parmetros para as anlises de rendimento do amplificador nas duas situaes (filtro LC
presente ou ausente), permitindo ainda uma anlise comparativa entre o funcionamento com
carga resistiva e com a carga complexa.
Na prxima etapa de nosso estudo, ser feita a simulao para os modelos apresentados,
utilizando dados de fabricantes e as equaes descritas. Estas simulaes utilizaro a funo
.param do PSPICE, assim todos os parmetros que mudam com a freqncia e temperatura,
sero avaliados atravs da entrada dos valores das variveis conhecidas nas equaes.

50

CAPTULO 4
SIMULAES E TESTES

4.1 INTRODUO
Ser analisado o amplificador pelo ponto de vista do rendimento. Este um critrio
muito utilizado para justificar o emprego da Classe D, entretanto, a literatura consultada
apresenta estes dados em funo de cargas puramente resistivas. A proposta deste trabalho, ao
analisar a interface entre o amplificador e o alto-falante, considera as caractersticas reativas
desta carga, conforme a anlise feita no capitulo 3.
Para implementar os testes com preciso, necessita-se saber como se comporta a
impedncia a cada freqncia medida. Considerando que se trata de uma carga complexa vista
pelo amplificador, as informaes referentes ao mdulo e fase da impedncia so
fundamentais para a validade deste trabalho, a figura 4.1 mostra curvas de impedncia tpicas
de um alto falante montado no baffle infinito.
Se a carga capacitiva (tenso atrasada da corrente), o alto-falante pode ter uma
situao em que a corrente muito alta, mas a tenso nula, causando um forte impacto na
sada do amplificador.
A carga que a caixa acstica representa para o amplificador pode ser determinada a
partir da freqncia onde a reatncia capacitiva mxima, ou seja, o maior ngulo de fase
capacitivo. Porm, cargas com fase acima de 40, em baixas freqncias, ou no intervalo de 1
a 2kHz, so um indicador de carga difcil de ser manejada pelo amplificador.
O ponto de mnima impedncia tambm importante, valores abaixo de 3, quando a
curva cruza o eixo horizontal em freqncias muito baixas ou muito altas, podem caracterizar
uma carga problemtica [3].

51

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

Figura 4.1 Curvas de impedncia e fase tpicas de um alto-falante montado no


Baffle infinito (exemplo)
O foco principal deste trabalho a interface amplificador/alto-falante onde analisamos o
comportamento para diferentes cargas (alto-falantes diversos e cargas resistivas), com e sem o
filtro LC. Este trabalho no se deteve nos conceitos especficos da qualidade sonora (exceo
de algumas observaes pontuais), que sero propostos como continuidade deste trabalho.
Realiza-se trs anlises primordiais do rendimento do amplificador em cada situao,
com filtro LC presente na sada e sem este, para as cargas resistivas (4 e 8) e alto-falante
de impedncia nominal igual a 8.
Todos os ensaios so realizados com a potncia mxima de 100WRMS entregues carga,
pois o alto-falante de teste trabalha com esta potncia no mximo, excees sero apontadas
no momento em que ocorrerem.
Os ensaios so feitos com os dados da simulao com correo para a temperatura
ambiente.
4.2 PARMETROS DETERMINADOS
Alm das anlises mencionadas so realizadas as seguintes medies:
4.2.1 - Potncia RMS:
(4.1)

Onde:
P = Potncia RMS
VRMS = Tenso RMS na carga
RL = Resistncia real na carga (vista pelo amplificador em funo da impedncia
complexa)
52

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.2.2 - BW Resposta em freqncia


Um amplificador de udio deve possuir uma resposta em freqncia plana em magnitude,
em toda sua faixa de operao, com freqncias de corte inferior a 20Hz e superior a 20KHz,
e uma resposta de fase com defasamento de zero graus, ao longo da faixa. Essas condies
so necessrias para se reproduzir um som de forma bastante fiel, sem reforar nenhuma
freqncia especfica, e sem introduzir distoro por deslocamento de fase. Esse parmetro
traado atravs da anlise de ganho e fase do sinal de sada em relao ao de entrada de um
amplificador, durante uma varredura de freqncia.
4.2.3 Rendimento
O rendimento () dado por:

(4.2)

% = x 100

(4.3)

Este o principal fator que leva ao uso do amplificador classe D, seu alto rendimento
que tem difundido o seu uso principalmente em aplicaes portteis, conforme mencionado
nos captulos 1 e 2.
4.2.4 Sensibilidade
A sensibilidade de um amplificador fornece o nvel do sinal de entrada que leva o
amplificador sua potncia nominal. Exemplificando, um amplificador que atinge a potncia
nominal a uma entrada de 0.8 Vrms mais sensvel do que aquele em que tal situao ocorre
a 1Vrms.
Normalmente a sensibilidade de uma amplificador expressa em dBV ou dBu.
A impedncia de entrada esta relacionada com a sensibilidade de um amplificador. Para se
obter na entrada do circuito praticamente toda a tenso fornecida pela fonte de sinal, esta
impedncia projetada para ser elevada. Embora, a princpio, possa parecer que uma
impedncia alta causaria uma maior suceptividade a rudos, na prtica observa-se que isso no
ocorre de maneira to prejudicial e no existe uma norma que defina exatamente este valor
[32].

53

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.3 ESPECIFICAES DA PLATAFORMA DE ENSAIOS


4.3.1 Dados do amplificador
O manual do amplificador especifica algumas condies [13,14]:

Tenso de alimentao 50V, podendo variar entre (45V~60V) a tenso


escolhida para o teste foi de 53V, aproximadamente 90% da tenso mxima.

4 de impedncia de carga

Freqncia PWM de 400kHz

Ganho de tenso de 36x (Max.)

Corrente quiescente +50mA/-80mA

90% eficincia@120W, um canal

Amortecimento = 2000 antes do filtro/170 aps o filtro

O circuito completo do amplificador encontra-se no anexo (1)


A corrente mxima permitida na entrada foi estabelecida em 5A, que suficiente para
os testes.
O gerador do sinal de entrada no deve ultrapassar 3VRMS com uma impedncia de sada
600 (dados do fabricante), na prtica observamos que nveis de entrada superiores a
2VRMS fazem a proteo atuar, pois desestabilizam o PWM.
4.3.2 - Baffle
Os ensaios foram realizados com os alto-falantes ao ar livre, montado em um Baffle.
Um alto-falante funcionando sem nenhum tipo de isolamento entre sua parte frontal e a
traseira apresenta um forte cancelamento para freqncias iguais ou menores ao dimetro til
do cone, pois o ar comprimido frente do cone rapidamente absorvido pela rarefao do ar
em sua parte anterior.
A forma terica de solucionar este problema do curto-circuito acstico montar o
alto-falante em um painel de grandes dimenses, conhecido por Baffle Infinito. Para
reproduo de graves sem cancelamento, as dimenses deste painel devem ser tais que o
comprimento de onda da freqncia seja de metade do caminho do ar entre a frente e a
traseira do alto-falante. Abaixo desta freqncia, haver uma queda da presso sonora de 6dB
por oitava[26].

54

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

Entretanto, esta queda de 6dB do Baffle Infinito acaba por ser uma vantagem deste tipo
de montagem sobre as caixas acsticas, pois estas apresentam tipicamente quedas de 12dB e
24dB por oitava. Isto significa que mesmo um alto-falante montado em um Baffle de
dimenses proporcionalmente reduzidas permite a reproduo sonora de graves em
freqncias mais baixas devido queda lenta do nvel sonoro.
O Baffle padro para ensaios, recomendado pela NBR [10] possui as dimenses de
1,65m de altura X 1,35m de largura, o alto-falante deve ser montado fora do eixo das medidas
para evitar quaisquer ressonncias. Na prtica a menor freqncia que pode ser reproduzida
utilizando-se este baffle de 382Hz, determinados utilizando a equao:
/

(4.4)

Onde = comprimento de onda e f = frequncia


O painel de madeira de que dispnhamos era de tamanho reduzido inferior ao
recomendado para a norma, 1,30m X 0,92m e o Baffle ento apresenta uma freqncia de
corte 772 Hz. Como os testes realizados no so de performance acstica, um Baffle nas
dimenses aproximadas s da NBR proporcionaria o isolamento necessrio para no provocar
interaes significativas entre o lado acstico e mecnico do alto-falante que pudessem
comprometer a sua curva de impedncia, desde que mantido a pelo menos 1m das paredes da
sala [10].

Figura 4.2 - Confeco do Baffle


55

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

Devido ao contedo de EMI gerado pelo amplificador classe D, principalmente com a


ausncia do filtro de sada, todo o conjunto para testes foi montado em plataformas instaladas
no Baffle, para manter os cabos de interligao com pequeno comprimento.
O setup final de testes fica montado deste modo:

Figura 4.3 setup de testes


4.3.3 Equipamentos utilizados nos ensaios

01 Osciloscpio de 250 MHz

01 Gerador de funes 20MHz

01 Gerador de udio

01 Analisador de espectro 1GHz

01 fonte regulada dupla 30V x 5

01 Notebook Core 2 Duo 4Gb RAM

09 Multmetros Digitais

02 Multmetros analgicos

01 Ponte LCR

01 Capacmetro

56

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

01 Carga resistiva de 8 x 250W

01 Carga resistiva de 4 x 500W

01 Alto falante Selenium modelo 10CV4

01 Alto-falante Selenium modelo 10PW3

01 Alto-falante Selenium modelo 8PW3

03 Termopares tipo K (-20C a +250C)

Os testes foram realizados utilizando aparelhos comerciais, entretanto sem a aferio


prvia pelo IMMETRO.
4.3.4 Fonte de alimentao
Como exposto no captulo 2, existe a possibilidade de bus punping na fonte de
energia. No faz parte do escopo deste trabalho a construo de uma fonte estabilizada, e
optamos por construir um fonte linear comum, com os componentes disponveis no
laboratrio e a associarmos com uma fonte regulvel de 30V x 5A, para obtermos a
possibilidade de ajuste da tenso, mantendo-a sempre no mesmo valor escolhido para todos os
testes (53V). O esquema final da fonte mostrado na figura 4.4.

Figura 4.4 Esquema da fonte utilizada nos testes


O transformador um toroidal de 33+33V x 9A e os capacitores so de 10.000F x 70V

57

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.3.5 Medio da temperatura


Durante o processo de montagem de um alto-falante, no momento da colagem da
bobina ao cone, o espao entre ela e o entreferro preenchido por um calo provisrio para a
obteno de um alinhamento preciso. Este procedimento deixa a regio do conjunto bobina/
pea polar exposto a partculas estranhas que, se por ventura penetrarem neste espao
causaro grandes inconvenientes.
Para evitar este problema, o conjunto coberto por um domo, que resolve esta situao
mas causa outros inconvenientes. So utilizados normalmente dois tipos de domos: slidos e
porosos. O domo slido no permite a passagem de ar atravs dele, criando uma cmara
acstica que tem presso varivel de acordo com o movimento do cone. Como a rea entre a
bobina e a pea polar insuficiente para aliviar a presso causada pelo deslocamento, pode
ocorrer uma dificuldade extra na movimentao do cone. Duas solues so empregadas
pelos fabricantes para este problema, a primeira delas consiste em ventilar a pea polar,
perfurando um orifcio atravs dela, para permitir que o ar possa passar por uma abertura na
pea traseira como mostrado na figura 4.5 (a). A outra soluo realizar perfuraes no cone
na parte compreendida entre a aranha e o domo, bem prximas da bobina, aliviando assim a
presso, como mostrado na figura 4.5 (b) [3].

(a)

(b)

Figura 4.5 Tipos de alto-falantes: aberto (a) fechado (b)

58

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

Estas formas de montagem afetam a temperatura final da bobina de modo diferente,


portanto, utiliza-se neste trabalho posicionamentos distintos para os sensores, conforme
mostra a figura 4.7.
As implicaes relacionadas com o tipo de domo tambm seguem na direo de
problemas com a eficincia acstica, resposta em freqncia, complincia do alto-falante,
alteraes nos fatores de qualidade e outros. Para este trabalho, somente as observaes sobre
a temperatura so consideradas.
Nos testes foram inseridos 2 sensores de temperatura (termopar tipo K) nos alto falantes
como mostra a figura 4.6 (a) e (b) e a figura 4.7:

(a)

(b)

Figura 4.6 Posio de insero dos termopares: aberto (a) fechado (b)

59

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

(a)

(b)

(c)
Figura 4.7 (a) insero do termopar na cmara (b) insero do termopar no
conjunto magntico (c) conjunto montado para a medio de temperatura
No caso de se utilizar um sinal senoidal para a medio da temperatura, sua freqncia
dever estar acima da primeira ressonncia, nas proximidades do ponto de impedncia
mnima (circula mais corrente na bobina pior situao), este ponto determinado pela curva
da impedncia temperatura ambiente, determinada por nosso modelo. Normalmente,
recomenda-se tenso entre 10 e 20 Volts RMS no alto-falante [3].

60

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.3.6 Filtro para medio


O sinal PWM presente na sada quando no utilizamos o filtro LC do amplificador
classe D, torna impossvel a medio dos sinais de udio.
Para efetuar estas medies, foi implementado um filtro de 3 ordem sugerido em [5]
para ser colocado em srie com as pontas de prova do osciloscpio.
O filtro construdo para esta aplicao deve ser passivo, pois um filtro ativo
permaneceria com as mesmas limitaes de um aparelho de medio, principalmente com
relao ao Slew Rate dos amplificadores operacionais, que influenciariam nas medidas [33].
O filtro foi construdo conforme o esquema eltrico mostrado na fig 4.8, que inclui o
circuito de entrada do osciloscpio composto pelas capacitncias e impedncias da ponta de
prova com atenuao 10X e do osciloscpio.

Figura 4.8 Circuito do filtro para medio


Na prtica este filtro no se comporta como um filtro de 3 ordem terico, apesar de
contar com 3 elementos de armazenamento de energia, sua primeira queda de 20dB ocorre em
163,6kHz e os 40dB ocorrem depois da freqncia de oscilao do amplificador classe D.
Entretanto, ele pode ser utilizado porque as freqncias que utilizaremos nos testes no
superam os 8kHz devido limitao da resposta de freqncia dos alto-falantes do ensaio.
Apesar disto, detectou-se um erro percental na tenso RMS medida pelo osciloscpio que
deve-se a um rudo residual que ainda permanece aps o filtro, como ele um erro
sistemtico e surge de modo igual em todas as medies, fizemos as correes das tenses
medidas multiplicando-as por um fator de correo de 0,9538. A figura 4.9 mostra a resposta
em freqncia do filtro, simulada no software Tina.

61

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

Figura 4.9 Curvas de magnitude e fase vs. freqncia do filtro de testes


4.4 SIMULAES
O programa LTspice, que uma verso do software SPICE dedicada para circuitos de
chaveamento, com menores exigncias computacionais e com interface totalmente compatvel
com o programa original, podendo inclusive importar e exportar modelos para este foi o
utilizado neste trabalho.
Para a comparao dos parmetros do amplificador, alimenta-se o modelo com os dados
dos alto-falantes, marca Selenium que so fornecidos em catlogo anexo (2). Acrescenta-se
tambm a temperatura ambiente e a temperatura da bobina que sero medidas durante os
testes e serviro como referncia para manter a validade dos dados obtidos na simulao,
extrados da curva de impedncia do alto-falante.
As equaes foram inseridas na simulao utilizando a funo .PARAM e permitem
que, atravs da insero dos dados de catlogo, pode-se obter todos os dados relacionados
com a curva de impedncia do alto-falante, uma dificuldade encontrada foi que o programa
exibe os ngulos de fase determinados provavelmente em funo da tangente da curva, no
conseguimos encontrar nenhuma funo que o fizesse exibir os valores dentro do primeiro e
segundo quadrantes, entretanto os valores verificados permanecem coerentes, pois
considerando que:

62

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

(4.5)
e

= Tan 1

X
R

(4.6)

Onde R = parte real da impedncia


X = parte imaginria
XL = reatncia indutiva
Xc = reatncia capacitiva
Ou seja, se a tangente negativa a impedncia predominantemente capacitiva e se a
tangente positiva, a impedncia indutiva.
O modelo da impedncia resultante na simulao uma impedncia srie, ou seja, uma
parte real (R) em srie com uma parte imaginria (X), fazendo:

Z = R2 + X 2

(4.7)

Como a tenso medida no osciloscpio conectado em paralelo com a carga total que
uma impedncia srie, temos que calcular a impedncia paralela equivalente, para que a
tenso medida seja aquela que aplicada sobre a parte real R, que posteriormente ser
utilizada nos clculos de potncia, atravs da transformao srie-paralelo, que resulta em um
R paralelo (Rp) e um X paralelo (XP), definido por:

Rp =

R2 + X 2
R

(4.8)

e
Xp =

R2 + X 2
X

(4.9)

Que nos fornece o R real que deve ser utilizado na equao 4.1

63

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.4.1 Simulao do alto-falante 10CV4


O catlogo que forneceu os dados para a simulao deste alto-falante se encontra no
anexo (2), a figura 4.10, mostra o circuito equivalente:

Figura 4.10 Circuito equivalente ao alto-falante 10CV4


E a figura 4.11 mostra a curva da impedncia, com os mdulos e fases, em destaque as
oitavas de freqncias utilizadas em nossos testes

Figura 4.11 Curvas de magnitude e fase vs. freqncia do alto-falante 10CV4

64

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

Foram destacadas somente as oitavas que esto includas na resposta de freqncia


deste alto-falante, que de 70Hz a 8kHz, exceo feita freqncia de 16kHz que foi includa
como uma referncia de freqncia fora da resposta, para fins de comparao.
Com base nestas informaes, fizemos os clculos e determinamos a resistncia que
seria utilizada para o clculo da potncia e consequentemente do rendimento em todas as
anlises.
4.4.2 Simulao do alto-falante 10PW3
O catlogo que forneceu os dados para a simulao deste alto-falante se encontra no
anexo 2, a figura 4.12, mostra o circuito equivalente:

Figura 4.12 Circuito equivalente ao alto-falante 10PW3


A figura 4.13 mostra a curva da impedncia, com os mdulos e fases, em destaque as
oitavas de freqncias sero utilizadas em testes com este alto-falante. Pode-se fazer uma
comparao, por observao direta das diferenas entre um dispositivo e outro, fabricados
com o mesmo dimetro de 10, e com a mesma impedncia nominal, mas com finalidades
distintas, sendo que o modelo 3PW10 direcionado para uma melhor resposta de graves,
como podemos observar na curva, no s do ponto de vista da resposta em freqncia mas da
forma do pico de ressonncia, que mais largo, ou seja, com uma cada de nvel mais suave.

65

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

Figura 4.13 Curvas de magnitude e fase vs. freqncia do alto-falante 10PW3


4.5 PARMETROS
4.5.1 Resposta em freqncia
A resposta em freqncia do amplificador foi determinada nas condies de teste com
carga resistiva de 8, o ganho mdio de tenso medido ficou em 35 (sinal de entrada x sinal
de sada), a curva encontrada mostrada na figura 4.14:

Figura 4.14 Resposta em freqncia do Amplificador

66

Captulo 4 Simulaes e testes

_
__________
__________
_________

4.5.2 - Coorrente Quiiescente:


A Medio realizada com o ampplificador original, conntando aindaa com os filltros LC dee
amboos os canaiss, tenso dee alimentao de 53V,, com cargaa resistiva dde 4 e enttrada curto-circuuitada esta na
n tabela 4.1 (a), e a medio
m
da corrente quuiescente reaalizada aps a retiradaa
do filtro LC estaa na tabela 4.1
4 (b):
Tab
bela 4.1 Corrente
C
qu
uiescente do
d amplificaador
AMPLIFIICADOR CO
OM FILTRO LC

AMP
PLIFICADOR
R SEM FILT
TRO LC

C
Corrente
Quieescente com PWM
P
desligaado

Corrente Quiescente
Q
coom PWM dessligado

+B
B

29,6mA
A

+B

29,6mA

-B
B

37,8mA
A

-B

37,8mA

C
Corrente
Quieescente com PWM
P
ligado

Corrente Quiescente
Q
coom PWM liga
ado

+B
B

48,1mA
A

+B

109,4mA

-B
B

95mA

-B

162,9mA

POTNCIA CONSUMIDA
C
A = 4,553W

POTNCIIA CONSUM
MIDA = 14,4319W

(a)

(b)

As tabelass mostram um
u aumentto considervel na corrrente quiesccente do am
mplificador,,
quanndo o filtro LC
L retiraddo, implicanndo em um aumento daa potncia cconsumida da
d fonte em
m
3,17 vezes a pottncia iniciaal, o que afeeta o rendim
mento.
d Chaveam
mento PWM
M:
4.5.3 Veerificao do
A forma de
d onda do chaveamennto, verificaada na sada do CI driiver IRS209
92 antes doo
filtroo de sada coom PWM oscilando
o
sem
m sinal na entrada
e
mostrada
m
na ffigura 4.15:

Figura 4.15 Forma dee onda de teenso (50V


V/div) PWM
M antes do ffiltro, amplificador
conecctado carrga resistivaa

67

Captulo 4 Simulaes e testes

_
__________
__________
_________

A figura 4.16
4
mostraa diversos momento do
d chaveam
mento com um sinal de 1kHz naa
entraada, pode-see observar a variao da
d freqncia e do dutyy-cicle.

Fiigura 4.16 - Forma dee onda de teenso (50V


V/div) com amostras
a
do pwm oscilando a
1kHzz

4.6 ENSAIOS
S DE REND
DIMENTO
O
Os ensaioos de rendim
mento so reealizados tip
picamente a uma freqncia de 1K
KHz ou em
m
uma freqncia especifica,, para efeitoo de compaarao [33],, todos os eensaios de alto falantee
foram
m realizadoos com as condiees de temperatura especificadas nas sim
mulaes, e
contrroladas atraavs da meddio contnnua, em caso de variao, o conjuunto resfriiado e novaa
mediio realizadda.
Os clcullos foram efetuados utilizando-se a tenso medida sobre o alto-falante,
a
,
(impedncia parralelo equivvalente, connforme desccrito em 4.4) para clcuulo da potn
ncia efetivaa
de saada, em segguida calculla-se a potnncia absorvida da fontee e obtem-see o rendimeento.

68

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.6.1- Ensaio de Rendimento X Potncia para carga resistiva de 4 com filtro LC


A figura 4.17 mostra o sinal em carga resistiva de 4, capturadas pelo osciloscpio
durante o ensaio com potncia de 20W (a) e a mxima potncia conseguida do amplificador
antes da saturao.

Figura 4.17 Dados do ensaio para carga resistiva 4 com filtro LC


A tabela 4.2 mostra os resultados das medies nestas condies, para diversas
potncias nominais:
Tabela 4.2 Dados do ensaio para carga resistiva 4 com filtro LC
(%)

POTNCIA

TENSO

POTNCIA

CORRENTE

CORRENTE

POTNCIA

POTNCIA

NOMINAL

DE SADA

DE SADA

+B

DE ENTRADA

DE ENTRADA

(W)

(V)

(W)

(A)

(A)

+B (W)

B (W)

10W

6,322

9,91

0,17

0,22

9,01

11,66

48,34

20W

8,935

19,96

0,28

0,33

14,84

17,49

61,73

30W

10,940

29,92

0,40

0,44

21,20

23,32

67,21

40W

12,660

40,07

0,50

0,55

26,50

29,15

72,00

50W

14,150

50,05

0,61

0,66

32,33

34,98

74,37

60W

15,520

60,22

0,72

0,76

38,16

40,28

76,77

80W

17,890

80,01

0,92

0,97

48,76

51,41

79,88

100W

20,050

100,50

1,14

1,18

60,42

62,54

81,73

150W

24,470

149,69

1,66

1,70

87,98

90,10

84,06

229,67W

30,310

229,67

2,45

2,50

129,85

132,50

87,54

A figura 4.18 mostra a curva do Rendimento vs. Potncia obtida, foram mantidas as
premissas iniciais de tenso de alimentao de 53 V e temperatura controlada, os dados so
compatveis com o informado no catlogo do fabricante da plataforma de desenvolvimento
[13,14], analisados em condies semelhantes (50 V e 4 resistiva), mostrados na figura
4.19, comprovando a correo do setup de testes.

69

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

Figura 4.18 Curva Rendimento X Potncia para o ensaio de 4 resistivo com


filtro LC

Figura 4.19 Dados de rendimento fornecidos pelo fabricante [13,14]

70

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.6.2- Ensaio de Rendimento vs. Potncia para carga resistiva de 4 sem filtro LC
A figura 4.20 mostra o sinal em carga resistiva de 4, capturadas pelo osciloscpio
durante o ensaio.

Figura 4.20 Dados do ensaio para carga resistiva 4, sem filtro LC


A tabela 4.3 mostra os resultados das medies nestas condies, para diversas
potncias nominais:
Tabela 4.3 Dados do ensaio para carga resistiva 4 sem filtro LC
CORRENTE

POTNCIA

POTNCIA

+B

DE ENTRADA

DE ENTRADA

(A)

(A)

+B (W)

B (W)

CORRENTE

(%)

POTNCIA

TENSO

POTNCIA

NOMINAL

DE SADA

DE SADA

(W)

(V)

(W)

10W

6,339

9,91

0,17

0,22

9,01

11,66

48,34

20W

8,943

17,62

0,28

0,33

14,84

17,49

54,50

30W

10,90

29,92

0,40

0,44

21,20

23,32

67,21

40W

12,65

40,07

0,50

0,55

26,50

29,15

72,00

50W

14,18

50,05

0,61

0,66

32,33

34,98

74,37

60W

15,51

60,22

0,72

0,76

38,16

40,28

76,77

80W

17,84

80,01

0,92

0,97

48,76

51,41

79,88

100W

20,06

100,50

1,14

1,18

60,42

62,54

81,73

150W

24,46

149,57

1,70

1,71

90,10

90,63

82,76

71

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

A figura 4.21 mostra a curva de rendimento obtida com o ensaio nestas condies:

Figura 4.21 Curva Rendimento vs. Potncia para o ensaio de 4 resistivo sem
filtro LC
A figura 4.22 mostra um comparativo entre as curvas obtidas nas duas situaes, com e
sem o filtro LC:

Figura 4.22 Comparao Rendimento vs. Potncia para o ensaio de 4 resistivo


com e sem o filtro LC

72

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.6.3 - Ensaio de Rendimento vs. Potncia para carga resistiva de 8 com filtro
LC
A figura 4.23 mostra o sinal em carga resistiva de 8, capturadas pelo osciloscpio
durante o ensaio.

Figura 4.23 Dados do ensaio para carga resistiva 8, com filtro LC


A tabela 4.4 mostra os resultados das medies nestas condies, para diversas
potncias nominais:
Tabela 4.4 Dados do ensaio para carga resistiva 8 com filtro LC
POTNCIA

TENSO

POTNCIA

CORRENTE

CORRENTE

POTNCIA

POTNCIA

NOMINAL

DE SADA

DE SADA

+B

DE ENTRADA

DE ENTRADA

(%)

(W)

(V)

(W)

(A)

(A)

+B (W)

B (W)

10W

8,935

9,98

0,16

0,20

8,48

10,60

52,30

20W

12,67

20,07

0,26

0,30

13,78

15,90

67,61

30W

15,52

30,10

0,35

0,39

18,55

20,67

76,78

40W

17,83

39,74

0,44

0,49

23,32

25,97

80,62

50W

20,03

50,15

0,55

0,60

29,15

31,80

82,28

60W

21,90

59,95

0,64

0,69

33,92

36,57

85,05

80W

25,33

80,20

0,83

0,87

43,99

46,11

89,01

100W

28,30

100,11

1,03

1,07

54,59

56,71

89,94

150W

34,70

150,51

1,50

1,54

79,50

81,62

93,41

73

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

A figura 4.24 mostra a curva de rendimento obtida com o ensaio nestas condies:

Figura 4.24 Curva Rendimento vs. Potncia para o ensaio de 8 resistivo com o
filtro LC
Observa-se um aumento do rendimento, que ocorre devido ao fato de que o
amplificador foi projetado para trabalhar com esta impedncia nominal quando utilizado na
configurao estreo, somado ao fato de que o fabricante utiliza uma carga resistiva
semelhante para o projeto.

74

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.6.4 - Ensaio de Rendimento vs. Potncia para carga resistiva de 8 sem filtro LC
A figura 4.25 mostra o sinal em carga resistiva de 8, capturadas pelo osciloscpio
durante o ensaio.

Figura 4.25 Dados do ensaio para carga resistiva 8, sem filtro LC


A tabela 4.5 mostra os resultados das medies nestas condies, para diversas
potncias nominais:
Tabela 4.5 Dados do ensaio para carga resistiva 8 sem filtro LC
(%)

POTNCIA

TENSO

POTNCIA

CORRENTE

CORRENTE

POTNCIA

POTNCIA

NOMINAL

DE SADA

DE SADA

+B

DE ENTRADA

DE ENTRADA

(W)

(V)

(W)

(A)

(A)

+B (W)

B (W)

10W

8,935

9,98

0,21

0,25

11,13

13,25

41,02

20W

12,61

19,88

0,32

0,35

16,96

18,55

56,30

30W

15,49

29,99

0,41

0,45

21,73

23,85

65,82

40W

17,88

39,96

0,52

0,55

27,56

29,15

70,53

50W

20,00

50,00

0,62

0,65

32,86

34,45

74,28

60W

21,91

60,01

0,72

0,76

38,16

40,28

76,49

80W

25,30

80,01

0,93

0,95

49,29

50,35

80,29

100W

28,28

99,97

1,10

1,13

58,30

59,89

84,60

150W

34,64

149,99

1,60

1,62

84,80

85,86

87,89

75

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

A figura 4.26 mostra a curva de rendimento obtida:

Figura 4.26 Curva Rendimento vs. Potncia para o ensaio de 8 resistivo sem
filtro LC
A figura 4.27 mostra um comparativo entre as curvas obtidas nas duas situaes, com e
sem o filtro LC:

Figura 4.27 Comparao Rendimento vs. Potncia para o ensaio de 8 resistivo


com e sem o filtro LC

76

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.6.5 - Ensaio de Rendimento vs. Potncia para carga alto-falante 10CV4 com filtro
LC
A figura 4.28 mostra as formas de onda da entrada e sada do amplificador e uma foto
do instante de uma das medies (10W), com o controle de temperatura a 30C e a corrente
consumida de cada ramo da fonte de alimentao naquele momento.

Figura 4.28 Dados do ensaio com sada de 10W para carga alto-falante 10CV4
com filtro LC
A tabela 4.6 a seguir mostra os resultados das medies nestas condies, para diversas
potncias nominais, a tenso de sada inclui o fator de correo exposto em 4.3.6, a resistncia
paralelo equivalente do alto falante em 1kHz de 11,44. Este valor corresponde ao
encontrado na simulao do modelo que representa este alto falante nas condies do ensaio,
utilizando-se a equao 4.8, observa-se que, nos ensaios com alto falantes foi considerada
como potncia mxima para testes o valor de 100W, para preservar os limites de operao
indicados pelo fabricante:
Tabela 4.6 Dados do ensaio para alto-falante 10CV4 com filtro LC
POTNCIA

TENSO

POTNCIA

CORRENTE

CORRENTE

POTNCIA

POTNCIA

NOMINAL

DE SADA

DE SADA

+B

DE ENTRADA

DE ENTRADA

(%)

(W)

(V)

(W)

(A)

(A)

+B (W)

B (W)

10W

10,65

9,91

0,16

0,21

8,48

11,13

50,53

20W

15,21

20,22

0,26

0,31

13,78

16,43

67,00

30W

18,58

30,19

0,37

0,41

19,61

21,73

73,02

40W

21,45

40,21

0,47

0,51

24,91

27,03

77,42

50W

24,02

50,43

0,54

0,58

28,62

30,74

84,96

60W

26,13

59,66

0,63

0,67

33,39

35,31

86,60

80W

30,38

80,68

0,85

0,89

45,05

47,17

87,49

100W

33,91

100,56

1,00

1,20

53,00

63,60

93,93

77

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

A figura 4.29 mostra a curva de rendimento obtida com o ensaio nestas condies:

Figura 4.29 Curva Rendimento vs. Potncia para o ensaio com o alto falante
10CV4 com o filtro LC
4.6.6 - Ensaio de Rendimento vs. Potncia para carga alto-falante 10CV4 sem filtro
LC
A figura 4.30 mostra as formas de onda da entrada e sada do amplificador e uma foto
do instante de uma das medies (20W), com o controle de temperatura a 30C.

Figura 4.30 Dados do ensaio com sada de 20W para carga alto-falante 10CV4
sem filtro LC

78

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

A tabela 4.7 a seguir mostra os resultados das medies nestas condies, para diversas
potncias nominais, a tenso de sada inclui o fator de correo exposto em 4.3.6, a resistncia
paralelo equivalente do alto falante em 1kHz de 11,44. Este valor corresponde ao
encontrado na simulao do modelo que representa este alto falante nas condies do ensaio,
utilizando-se a equao 4.8, observa-se que, nos ensaios com alto falantes foi considerada
como potncia mxima para testes o valor de 100W, para preservar os limites de operao
indicados pelo fabricante:
Tabela 4.7 Dados do ensaio para alto-falante 10CV4 sem filtro LC
CORRENTE

POTNCIA

POTNCIA

+B

DE ENTRADA

DE ENTRADA

(A)

(A)

+B (W)

B (W)

CORRENTE

(%)

POTNCIA

TENSO

POTNCIA

NOMINAL

DE SADA

DE SADA

(W)

(V)

(W)

10W

10,65

9,91

0,21

0,28

11,13

14,84

38,16

20W

15,15

20,07

0,31

0,37

16,43

19,61

55,69

30W

18,51

29,97

0,40

0,47

21,20

24,91

65,00

40W

21,40

40,04

0,48

0,55

25,44

29,15

73,34

50W

23,92

50,02

0,58

0,65

30,74

34,45

76,73

60W

26,18

59,93

0,65

0,72

34,45

38,16

82,53

80W

30,38

80,68

0,83

0,91

43,99

48,23

87,49

100W

33,92

100,56

1,06

1,09

56,18

57,77

88,64

79

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

A figura 4.31 mostra a curva de rendimento obtida com o ensaio nestas condies:

Figura 4.31 Curva Rendimento vs. Potncia para o ensaio alto-falante 10CV4
sem filtro LC
A figura 4.32 mostra um comparativo entre as curvas obtidas nas duas situaes, com e
sem o filtro LC:

Figura 4.32 Comparao Rendimento vs. Potncia para o ensaio alto-falante


10CV4 com e sem o filtro LC

80

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

4.7ANLISE DA POTNCIA NO AMPLIFICADOR NA FREQUNCIA DE


CHAVEAMENTO
A figura 4.33 mostra o circuito para simulao dos filtros de sada do amplificador
conectados ao alto-falante 10CV4.
Foi realizada a simulao para determinar a potncia entregue ao conjunto filtros/altofalante, com o objetivo de verificar a queda do rendimento do amplificador quando retirado o
filtro LC. A freqncia de chaveamento do amplificador de 450kHz , portanto a simulao
extende-se dos 20Hz at 600kHz.

Figura 4.33 Etapa de filtragem do amplificador conectada ao alto-falante 10CV4


A figura 4.34 mostra a curva da potncia destaca-se a baixa potncia fornecida pelo
amplificador na freqncia de chaveamento. Pode-se verificar um forte pico na regio de
50kHz, devido ressonncia do indutor do filtro LC.

Figura 4.34 Anlise da potncia fornecida pelo amplificador de 20Hz a 600kHz


com o filtro de sada
A figura 4.35 semelhante anterior e mostra a mesma anlise, sem o filtro de sada do
amplificador.
81

Captulo 4 Simulaes e testes

___________________________

Figura 4.35 Anlise da potncia fornecida pelo amplificador de 20Hz a 600kHz


sem o filtro de sada
Pode-se perceber que o pico de potncia na regio de 50kHz foi eliminado, entretanto a
potncia na regio acima de 100kHz aumenta.
4.8CONCLUSO
Neste captulo utiliza-se o modelo do alto-falante descrito no captulo 3 para determinar
qual a parte real da impedncia que o alto falante apresenta nas diversas freqncias
envolvidas, e utilizamos este dado para fazermos a anlise da potncia na carga pela medio
da tenso.
Os resultados das medies foram comparados com a curva de rendimento para a
situao de conexo do amplificador ligado a uma carga resistiva de 4 e obteve resultados
semelhantes.
Observa-se uma queda do rendimento do amplificador quando utilizado sem o filtro LC
tanto em cargas resistivas quanto com alto-falantes. Foi simulado o comportamento de um
amplificador com a presena ou no do filtro e conectado ao modelo do alto-falante 10CV4
onde se observa um aumento da potncia envolvida quando da ausncia do filtro,
comprovando a queda do rendimento.

82

CAPTULO 5
CONCLUSO FINAL E PROPOSTA DE
CONTINUIDADE
5.1 CONCLUSO FINAL
Os objetivos deste trabalho de dissertao foram os de estabelecer critrios e metas para
verificar a possvel retirada do filtro de sada LC do amplificador chaveado Classe D. A
motivao desta pesquisa e mercadolgica devido a que filtro LS tem custos e ocupa uma
rea considervel de circuito impresso.
Uma constatao importante retirada da pesquisa bibliogrfica o fato de que todos os
ensaios do amplificador so realizados com cargas resistivas, onde atribuda uma margem
de segurana para o teste do circuito. Isto constatado para ensaios de qualquer classe do
amplificador. A carga natural de um amplificador de udio um alto-falante que tem
caractersticas eltricas bem definidas.Desta forma, no h qualquer garantia de que a etapa
de potncia seja bem dimensionada, o que pode inviabilizar o projeto tcnica e
comercialmente.
A pesquisa foi realizada com a inteno de se encontrar, de uma maneira prtica, dados reais
sobre a carga (alto-falante) conectada ao amplificador em testes, o que se revelou uma
ferramenta til para avaliaes no somente com a classe D de amplificadores, mas tambm
com as outras classes de amplificadores. Ao utilizar um programa para simulao com a
possibilidade de acessarmos de forma objetiva as equaes que regem o funcionamento do
alto-falante, utilizando o mtodo de Thiele-Small, simplifica-se o estudo, pois para qualquer
freqncia escolhida para o teste. Pode-se determinar a real carga ligada ao amplificador, so
fornecidos ao programa dados como a temperatura do alto-falante. Existe a dependncia da
variao da resistncia da bobina em funo da temperatura ou a variao da densidade
magntica do im do alto-falante, os quais influenciam muito o comportamento da carga.

83

Captulo 5 Concluso final e Proposta de continuidade___________________________


A anlise de desempenho do amplificador tambm avaliada atravs do parmetro do
rendimento, pois este um critrio muito utilizado para justificar o emprego de
amplificadores Classe D.
Desta forma, com a retirada do filtro LC do amplificador, sem outras medidas de
compensao o rendimento no pode sofrer uma queda aprecivel. Entretanto, observa-se que,
a corrente quiescente do amplificador sofre um aumento de mais de 3 vezes,
conseqentemente aumentando o consumo de potncia da fonte que passa de 4,55 W com o
filtro LC, para 14, 44W com a retirada do mesmo.
Os ensaios realizados no conjunto amplificador classe D carga, mostram que o rendimento
tem pouca variao quando em carga de 4 resistiva, o que era esperado, pois o amplificador
foi projetado para trabalhar com este tipo de carga. Fato que foi confirmado pela comparao
com a curva do rendimento fornecida pelo fabricante do amplificador. Quando retiramos o
filtro LC, o rendimento tem maior queda em baixas potncias e medida que as potncias vo
ficando maiores esta queda do rendimento (sempre comparando com a situao onde o filtro
esta presente) diminui.
Ao realizar os ensaios para carga de 8 resistiva, percebe-se a mesma tendncia, com maior
queda no rendimento em todas as potncias.
No caso de utilizar alto-falante como carga, os resultados se aproximam da situao
apresentada nos ensaio spara carga resistiva de 8 , pois esta a impedncia nominal do altofalante, porm como era de se esperar, devido ao fato de utilizarmos uma carga complexa, a
curva do rendimento oscila um pouco ( como mostrado nos ensaios de rendimento -4.6).
Pode-se concluir que esta variao devida s no linearidades do alto-falante.
No teste de audio (testes subjetivos) no foi encontrada diferena aprecivel na reproduo
do contedo sonoro. Conclui-se que a eliminao do filtro LC pode ser realizada, para uso em
potncias especficas e no em larga escala, pois o rendimento apresenta uma queda maior em
potncias menores. A energia do chaveamento presente na carga intensa, o que pode
danificar o alto-falante de baixa potncia ou dispositivos direcionados para reproduo de
freqncias mais altas, como drivers de mdios e os Tweeters. Deve-se considerar a questo
da EMI, que aumenta fortemente com a retirada do filtro de sada do amplificador; conforme
84

Captulo 5 Concluso final e Proposta de continuidade___________________________


ficou demonstrado em diversas situaes durante a coleta de informaes, o que levou
adoo de medidas para minimizar sua influncia nos testes. O trabalho apontou a direo a
ser seguida, conforme a proposta inicial, e base para outras pesquisas, que so objeto da
proposta de continuidade.

5.2 PROPOSTA DE CONTINUIDADE


A necessidade de expanso dos testes para alm das medidas de rendimento se tornou clara.
Uma comparao do desempenho do amplificador com outros alto-falantes um caminho a
ser seguido.
A obteno de dados sobre o amplificador alimentando diferentes modelos de alto-falantes e
necessrio. Desta forma possvel de obter conhecimento de quais parmetros do alto-falante
so desejados para a melhoria efetiva da interface amplificador/auto-falante.
Realizar medies para vrias freqncias de udio, verificar a distoro harmnica da sada
do amplificador assim como outros fatores de mrito dos amplificadores de udio, so
necessrias para o conhecimento do conjunto e determinar a eliminao do filtro de sada LC.
Realizar testes do amplificador alimentando caixas acsticas, que so cargas ainda mais
complexas que um nico alto-falante.

85

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS
[1] Duncan, Ben, High Performance Audio Power Amplifiers, 1st edition, Newnes,
1997.
[2] Self, D, Audio Power Amplifier Design Handbook, 4th edition, Newnes, 2006.
[3] Dickason, Vance; Caixas acsticas & Alto-falantes, H. Sheldon Servios de
Marketing, Sexta edio, 2006.
[4] Poulsen, Sren; Ph.D. Thesis Towards Active Transducers, Technical University of
Denmark, 2004.
[5] Honda, Jun & Adams, Jonathan; Class D Audio Amplifier Basics, Application Note
AN-1071, International Rectifier, 2005
[6] Silva, Homero Sette & Silva, Carlos C; Alto-Falantes e caixas acsticas,
caractersticas e utilizao SEMEA, 2002.
[7] Score, Michael D., Application Report, Reducing and Eliminating the Class-D
Output Filter, Application Report SLOA023, Texas Instruments, 1999
[8] Small,R. H., Vented-Box Loudspeaker Systems, Parts I-IV , J. Audio Eng. Soc.,
vol. 21, pg. 363372 (1973 Junho); pg. 438444 (1974 Julho/Agosto); pg. 549554
(1973 Setembro); pg. 635639 (1973 Outubro).
[9] Thiele, A. Neville, Loudspeakers in Vented Boxes Parts I-II J. Audio Eng. Soc;
vol 19, pg. 382-392 (1971 Maio); pg. 471-483 (1971 junho).
[10] NBR 5308; Alto-falantes Medio de Caractersticas Mtodo de ensaio, 1982.
[11] Bloechl, M., Bataineh, M., Harrel, D; Class D Switching Power Amplifiers: Theory,
Design, and Performance SoutheastCon, Proceedings, IEEE, 2004, pp. 123-146.
[12] Ljusev, P., Andersen, M; Self-oscillating Modulators for Direct Energy Conversion
Audio Power Amplifiers AES 27 International Conference, Copenhagen, Denmark,
2005.
[13] Honda, Jun, Rodriguez, M. High Voltage Class D Audio Driver realizes 500W on a
Single Layer Board, International Rectifier, 2007.
86

Referncias Bibliogrficas_____________________________________________________
[14] Honda, Jun; Rodriguez, M. Liu W., 25W-500W Scalable Output Power Class D
Audio Power Amplifier Reference Design Using the IRS2092 Protected Digital
Audio Driver Reference Design International Rectifier, 2007.
[15] Honda, Ju; Cheng X. Liu W., IRS2092(S) Functional Description, Application
Note AN-1138, International Rectifier, 2007.
[16] Park, S., Principles of Sigma Delta Modulation for Analog-To-Digital Converters,
Motorola Inc, 1991.
[17] Haykin, Simon; Moher, M., Introduo aos sistemas de comunicao 2 edio,
Bookman, 2008.
[18] Cerezo, J., Class D Audio Amplifier Performance Relationship to MOSFET
Parameters, Application Note AN-1071, International Rectifier, 2006.
[19] INTERNATIONAL

RECTIFIER,

Digital

Audio

MOSFET

IRFI4019H-

117P,IRFI4020H-117P, IRFI4024H-117P, IRFI4212H-117P, www.irf.com, 2007


[20] Mirol, V. A., Fisiologia da Audio: Reviso e Consideraes, I Seminrio de
Engenharia de udio SEMEA 2002, Belo Horizonte, MG, Junho 2002.
[21] Bell, A. G, US Patent 174,465 (1876).
[22] Rice, C W & Kellog, E W, Notes on the development of a new type of hornless
loudspeaker JAIEE, 12, 461 480 (1925).
[23] I. Borwick, John, Loudspeaker and Headphone Handbook, Focal Press, Oxford,
third edition, 2001.
[24] Bissochi Junior, Carlos A; Proposta de uma nova famlia de conversores
denominados EIE: Aplicaes em udio, anlise genrica e resultados experimentais
T. Doutorado,UFU, maio 2003.
[25] Silva, Homero Sette, Fundamentao na modelagem matemtica de Alto-falantes e
caixas acsticas SEMEA minicurso, 2002.
[26] Albuquerque, P. F. C- Autor de diversos artigos sobre a Teoria T-S, publicados em
Revista ANTENNA, junho de 1980 a fevereiro de 1981.
[27] Wright, J. R. An Empirical Model for Loudspeaker Motor Impedance J. Audio
Eng. Soc., Vol. 38, N10, pg. 749-754, Outubro 1990.
[28] Silva, Homero Sette, variao da resistncia da bobina mvel em funo da
temperatura, 4 Congresso AES-Brasil, Junho2000.

87

Referncias Bibliogrficas_____________________________________________________
[29] Monteiro, Ruy R. B. Interface amplificador falante em regime de alta potncia, 4
Congresso AES-Brasil, Junho2000.
[30] Silva, Homero Sette O Alto-Falante em regime de grandes sinais, 1 Congresso
AES-Brasil, Outubro 1996.
[31] Bortoni, Rosalfonso, Anlise, Dimensionamento e Avaliao de Estgios de
Potncia de Amplificadores de udio Classes A, B, AB, G, H., Dissertao de
Mestrado, UFSC, Abril 1999.
[32] Bortoni, Rosalfonso, Amplificadores de udio Fundamentos Caractersticas e
Aplicaes, H. Sheldon Servios de Marketing, 2002.
[33] Hofer, Bruce Measuring switch mode Power amplifiers, White Paper, Audio
Precision Inc, 2003.

88

ANEXO 1
ESQUEMA ELTRICO DO MDULO AMPLIFICADOR
UTILIZADO NOS TESTES

89

ANEXO 2
CATLOGOS DOS ALTO FALANTES UTILIZADOS

90

91

92
9
2


93