SBrT 2000 - XVIII Simpsio Brasileiro de Telecomunicaes, 3 a 6 de Setembro, 2000, Gramado-RS

EFEITOS DA ASSIMETRIA DO CPS EM

MODULADORES ELETROPTICOS DE FASE
C. KITANO (1), V.R. ALMEIDA (2), J.E.B. OLIVEIRA (3)
(1)

FEIS - Faculdade Eng. Ilha Solteira/UNESP, kitano@dee.feis.unesp.br

(2)
IEAv - Instituto de Estudos Avanados/CTA, vilson@ieav.cta.br
(3)
ITA - Instituto Tecnolgico de Aeronutica/CTA, edimar@ita.cta.br

RESUMO
Neste trabalho analisa-se o modulador de fase eletroptico a
ondas caminhantes, com campo de modulao de RF/microondas
gerado por um CPS (coplanar strips) blindado e assimtrico,
atravs da tcnica de Abordagem de Domnio Espectral. nfase
especial dedicada as alimentaes e terminaes das linhas
acopladas de forma a obter-se um sinal de modulao monomodo. A modulao eletroptica em substrato de niobato de ltio
modelada atravs da anlise pertubacional do modo ptico.
Valores de tenso de meia-onda e resposta em frequncia para o
modulador de fase so apresentados.

1. INTRODUO
At metade da dcada de 90, a maior parte dos sistemas de
comunicao por fibras pticas empregava a modulao direta da
fonte laser a fim de gerar sinais modulados em amplitude. Este
tipo de modulao limita a taxa de transmisso em algumas
dezenas de Gbits/s. Contudo, nas aplicaes de altssimas taxas
de transmisso, que atuam com vrias dezenas de Gbits/s,
necessrio o uso de transmissores pticos com elevada
linearidade (para reduzir a intermodulao) e portadora muito
bem definida (para reduzir a disperso). A modulao direta em
alta frequncia apresenta o problema de chirp, o qual causa
alargamento do espectro do laser, limitando o comprimento dos
enlaces. Por outro lado, moduladores externos proporcionam
uma forma de reduzir ou eliminar o chirp, uma vez que a fonte
ptica opera em regime CW. Est se tornando regular a utilizao
de moduladores externos baseados em eletro-absoro e efeito
eletroptico [1]. Neste trabalho, dado nfase aos moduladores
por ondas caminhantes em substrato eletroptico (EO) de niobato
de ltio (LiNbO3). Constituem atributos gerais destes dispositivos
a possibilidade de operao com chirp desprezvel,
profundidades de modulao superiores a 20dB, operao com
potncia ptica elevada, excelente estabilidade para flutuaes de
temperatura, tenso de meia-onda reduzida (entre 4V a 10V) e
faixa dinmica superior a 20dB. No caso da modulao digital,
utilizam-se moduladores de amplitude em configurao de MachZehnder, os quais j so disponveis comercialmente at
40Gbits/s [2]. Suas principais aplicaes so em sistemas de
comunicao transocenicos, modernas geraes da SONET e
redes de CATV. Por outro lado, tem-se os moduladores EOs de
fase, que encontram aplicaes em controle de chirp, sensores
pticos e enlaces para comunicao coerente [1]-[2]. No Brasil,
os moduladores de LiNbO3 tm sido utilizados por diversos
grupos de pesquisas. Aplicaes de moduladores EOs para
melhorar as caractersticas de fontes de slitons j foram
realizadas [3]. Moduladores externos esto sendo empregados

para testes de amplificadores a fibra ptica dopada com rbio [4].

Alm dessas aplicaes em telecomunicaes, tais moduladores
tambm tm sido empregados em sensores pticos como, por
exemplo, em giroscpios a fibra ptica, nos quais a linearidade
do fator de escala tem grande importncia [5].
Este trabalho se insere na linha de pesquisa do ITA, em conjunto
com o IEAv/CTA, para obter capacitao para projeto e
fabricao de chips pticos a base de LiNbO3 para aplicaes
aeronuticas. Seu objetivo apresentar as potencialidades da
tcnica de Abordagem de Domnio Espectral (ADE) em projetos
de moduladores EOs de fase, em configurao CPS (coplanar
strips) com blindagem e distribuio assimtrica de eletrodos.
Existem algumas vantagens da estrutura CPW (coplanar
waveguides) sobre o CPS como, por exemplo, a existncia de um
nico modo sem frequncia de corte (isto favorece a operao
monomodo e simplifica a alimentao), maior largura de faixa de
modulao de fase, permissividade efetiva reduzida
e
impedncias caractersticas prximas a 50 [6]. Entretanto, se
for de interesse aumentar a densidade de dispositivos integrados
sobre um mesmo substrato, ser constatado uma limitao na
estrutura CPW, uma vez que seus eletrodos laterais devem
apresentar larguras virtualmente infinitas. Contudo, este no
constitui um problema para o CPS, uma vez que as larguras das
fitas so finitas. Por outro lado, o CPS apresenta dois modos de
propagao ortogonais sem frequncia de corte, e cuidados
adicionais devem ser tomados para garantir a operao monomodo do campo de modulao. Alm disso, justifica-se a
realizao deste trabalho, em vista de no ser encontrado na
literatura um estudo sistemtico de moduladores com CPS que
leve em conta os efeitos da blindagem eletromagntica e da
assimetria de eletrodos, sobre as caractersticas do campo de
modulao. Percebe-se tambm, que do ponto de vista de
modulao eletroptica, este problema ainda no se encontra
completamente formulado na literatura em termos de fontes e
cargas nos eletrodos, e as publicaes se limitam em analisar o
modulador clssico com CPS aberto e simtrico [7], [8].
A Fig.1 enfatiza a regio de interao eletroptica de um
modulador de fase a ptica integrada por ondas caminhantes em
uma estrutura CPS blindada. Esta estrutura constituda por um
substrato de LiNbO3 em corte-Z, com espessura d1, um bufferlayer de SiO2 de espessura d2, e uma camada de ar com espessura
d3. Os eletrodos de modulao possuem comprimento L, com
larguras (w1 e w2) e posies arbitrrias. Considera-se que tais
eletrodos sejam ideais, com condutividade infinita e espessura
nula. O guia ptico tipo canal, difundido no substrato de
LiNbO3, especificado pela posio "p", medido a partir da
origem. O conjunto blindado por um invlucro metlico de

~
~
E z Z zz
~ ~
E x Z xz

largura 2a. Tambm so mostrados, os geradores e as cargas nos

acessos do CPS.

ZL2

ZL1

com
(3) Ar

eletrodos

blindagem
eletromagntica

d2
d1
canal
ptico

Zg1
Vg1

Zg2

+a

~ Vg2

~
Jz ( n )

Figura 1. Vista interna da regio de interao do modulador EO

de LiNbO3 em estrutura CPS assimtrica blindada
Neste tipo de modulador, a portadora ptica que propaga-se no
guia de canal, tem sua fase modificada atravs do campo eltrico
de modulao estabelecido pelo CPS, via efeito EO. Devido a
no homogeneidade transversal, este campo eltrico propaga-se
como modo hbrido, com componentes ao longo dos eixos x, y e
z. Uma forma eficiente de obter o campo eltrico de modulao
consiste na utilizao da tcnica de ADE [9]. A interao EO
modelada atravs da anlise pertubacional do guia ptico [10].

2. MODELO MATEMTICO
No mtodo de ADE, todas as componentes de campo so
representadas por grandezas espectrais, atravs da aplicao da
transformada de Fourier espacial na direo x [9]. A natureza
anisotrpica do LiNbO3 levada em considerao atravs da
permissividade dieltrica relativa que, para corte-Z,
representada da seguinte forma:

0
0

0
//
0

0
0

2n
para n=0,1,2,...
Tx

(3)

(4)

onde Tx representa o perodo espacial fundamental das

~
componentes de campo, Z rs , para r,s=x,z, so as didicas de
Green no domnio espectral. O procedimento utilizado para
obteno das didicas para substratos em corte-Z so
apresentados em [11]. Uma maneira de resolver o sistema de
equaes (2), consiste em empregar o mtodo de Galerkin,
expandindo-se as densidades de corrente em funes de base das
seguintes formas:

-a

(1) LiNbO3

d3

(2)

E x , z ( n , y ) E x , z ( x , y ) j n x
dx
~

.e
J x ,z ( x , y )
J x ,z ( n , y )

(2) SiO2

w2

w1

~
~
Z zx J z
.

~
~
Z xx J x

(1)

onde // e so permissividades relativas nas direes paralela e

perpendicular ao eixo principal do LiNbO3, respectivamente.
Admitindo-se uma dependncia dos campos de modulao, com
z e t, da forma exp[j(mt-mz)], a aplicao da transformada de
Fourier s equaes de Maxwell conduz a uma equao de onda
no domnio espectral, que deve ser resolvida com o auxlio das
condies de contorno nas paredes metlicas e nas interfaces
entre as camadas dieltricas. As densidades lineares de corrente
nas fitas segundo z e x, so representadas por Jz e Jx,
respectivamente. As componentes de campo eltrico
transformado obedecem a seguinte relao, na interface y=d1+d2:

~
Jx ( n )

[a m Jz1m ( n ) b m Jz 2m ( n )]

(5a)

m1

[c m Jx1m ( n ) d m Jx 2m ( n )]

(5b)

m1

onde os ndices 1 e 2 referem-se as fitas 1 e 2 do CPS,

respectivamente, e am, bm, cm e dm so coeficientes a serem
determinados. Neste trabalho, foram consideradas M funes de
base na direo z, em cada linha do CPS ( J z1m ( x ), J z 2m ( x ) ), e
N na direo x ( J z1m ( x ) e J x 2m ( x ) ), expressas em termos de
polinmios de Chebyshev [11]. Seguindo o procedimento
padro, substitui-se (5a) e (5b) em (2), e aplica-se o teorema de
Parseval, obtendo-se o sistema de equaes homogneas [9]:
rs
[ K ijkl
].[c] 0

com

rs
Kijkl

(6)

Zrs (n ). J rik (n ).Jsjl (n )

(7)

e onde os ndices i,j referem-se s fitas, e k,l s funes de base.

A matriz [K] tem ordem (2M+2N)x(2M+2N), e a ordem da
matriz [c] (2M+2N)x1. As solues no-triviais do sistema (6)
ocorrem quando:
det[K( n , m )] 0

(8)

Atravs desta equao determinantal, so calculadas as

constantes de fase me portanto, as permissividades efetivas eff
= (m/k0)2 dos modos normais, onde k 0 m 0 0 .
No caso de CPS simtrico, o procedimento para aplicar as
condies de contorno nas paredes laterais, x=a, consiste em
selecionar adequadamente os valores de n em (4). Os campos dos
modos so pares ou mpares [10]. Contudo, isto no se aplica a
estruturas assimtricas, cujas larguras e posies das fitas so
arbitrrias. Neste trabalho, utiliza-se o mtodo de imagens para
identificar as funes de base adequadas para analisar tal
estrutura. Neste procedimento, as paredes laterais do invlucro

metlico, com largura 2a, so substitudas por uma rede peridica

de estruturas objeto-imagem na direo x, cujo perodo igual a
Tx=4a. As funes de base para densidades de corrente, que
obedecem o mtodo de imagens, foram as componentes de
campo a satisfazerem as condies de contorno nas paredes. A
seleo das funes de base foi discutida em [12].
No caso do CPS blindado existem dois modos de propagao,
com frequncias de corte nulas [13]. Para estruturas simtricas,
estas solues correspondem aos modos par e mpar, enquanto
nas assimtricas, elas so denominadas de modo-c e modo-,
respectivamente. Estes modos, que so ortogonais, propagam-se
como modos quase-TEM em certa faixa de frequncias, porm
com constantes de propagao distintas. Como apenas tais
solues podem admitir representaes circuitais unvocas, em
termos de linhas de transmisso TEM, somente elas so
predominantemente utilizadas em dispositivos prticos. Uma vez
determinadas as constantes de fase de cada modo, calculam-se as
impedncias caractersticas de cada linha do CPS para este modo.
Denotando-se por Zc1,c e Zc2,c as impedncias caractersticas, e
I1,c e I 2 ,c as correntes eltricas da fitas 1 e 2, respectivamente,

ento, para os modos-c e - do CPS, tem-se que [12]:

Zcc1

Pc
2

I1c 1 R c / R

e Zc1

Pc
I1

1 R / R c

(9)

onde Pc a potncia transmitida por cada um dos modos,

determinada atravs do vetor de Poynting [9]. Os termos Rc e
Rdevem obedecer seguinte relao [12]:
R , c

w
1

. 1

(b1 ) , c w 2

respectivamente. As impedncias da linha 2 para os modo- e

modo-c obedecem a seguinte equao [14]:
c

R R

Z cc1,

a) Os coeficientes de reflexo das linhas 1 e 2, nos acessos de

gerador ou carga, devem ser iguais:

g1 g2 g e L1 L2 L
onde

g1,2

Zg1,2 Zc1,2
Zg1,2 Zc1,2

(11)

A anlise apresentada at este estgio, considera apenas ondas

progressivas propagando-se no CPS assimtrico blindado.
Considera-se a seguir, a situao na qual as fontes de alimentao
e as cargas so arbitrrias. Neste caso, podero surgir ondas
estacionrias, bem como a gerao dos modos- e -c
simultaneamente. Na Fig.2 ilustra-se o circuito eltrico
equivalente do CPS, atravs de duas linhas de transmisso
acopladas. Ser mostrado na seo 3 deste trabalho, que para fins
de modulao EO, utiliza-se o modo-, devido a sua reduzida
disperso [15]. Neste caso, o modelo de linha de transmisso
TEM adotado satisfeito. Alm disso, em moduladores,
desejvel operar em regime mono-modo, para obter-se elevada
largura de faixa com baixo consumo de potncia. Entretanto,
para alimentaes e cargas arbitrrias, o CPS pode suportar os
dois modos, devido s reflexes assimtricas nos acessos de

e L1,2

(12)

ZL1,2 Zc1,2

(13)

ZL1,2 Zc1,2

Isto significa que as frentes da onda, sobre as fitas 1 e 2, devem

perceber o mesmo coeficiente de reflexo. Substituindo-se (13)
em (12) e usando a relao (11), mostra-se que
Z g2 R c R Z g1 e Z L2 R c R Z L1

(14)

b) No instante t=0+ as voltagens fornecidas pelos dois geradores,

ao atingirem os pontos e , em z=0+ na Fig.2, devem obedecer
s seguinte relaes [14]:

V1 (z 0 , t 0 )

1
V2 (z 0 , t 0 )
R

(15)

Estas tenses so fornecidas pelas fontes, em t=0+, e tm as

seguintes caractersticas:
V1,2 (z 0 , t 0 )

Zc1,2
Zc1,2 Zg1,2

(16)

Vg1,2

Combinando-se (14) a (16), e com o auxlio de (11), obtm-se

Vg2 R Vg1

(10)

onde o fator normalizado b1/ =b1/a1, determinado resolvendo-se

o sistema homogneo (6). Utilizando-se as propriedades dos
polinmios de Chebyshev, empregados nas funes de base em
(5a) e (5b), mostra-se que as correntes eltricas nas fitas 1 e 2
obedecem as relaes I1,c a1,c .(w1 / 2) e I2,c b1,c .(w 2 / 2) ,

Z cc,2

gerador e/ou carga. Portanto, necessrio identificar os

geradores e as cargas de um CPS para obter operao monomodo. Para isso, duas condies devem ser satisfeitas:

g1
Zg1
Vg1 ~

Vg2 ~

(17)
L1

Zc1

ZL1

Linha de Transmisso

Zg2
g2
z=0

Zc2

L2
L

ZL2

Figura 2. Modelo equivalente de linhas de transmisso para um

CPS assimtrico blindado.
Portanto, o gerador e a carga da linha 1 podem ser selecionados
de forma arbitrria, contudo, Vg2, Zg2 e ZL2 da linha 2 dependem
das terminaes da linha 1, de acordo com (14) e (17). De fato,
pode-se mostrar que possvel utilizar as caractersticas da linha
1 como base para representar os parmetros de propagao das
ondas caminhantes no CPS. Assim, a anlise da propagao do
campo eltrico de modulao na estrutura CPS assimtrica
blindada apresentada atravs dos parmetros da linha 1. Com
isso, o modelo de linha de transmisso desenvolvido na
referncia [8], para analisar a interao EO num CPS simtrico e

aberto, pode ser novamente utilizado. Denota-se por G m (x, y) a

distribuio transversal de campo eltrico de modulao, a qual
est associada a uma onda progressiva no CPS casado, e que
pode ser obtida atravs da tcnica de ADE [12]. Este campo, em

V/m, deve ser calculado para uma tenso de alimentao igual a

1,0V aplicado no ponto da Fig.2. Portanto, no modulador EO,
o campo eltrico estacionrio estabelecido no CPS descasado,
relativo a uma referncia que se desloca com a velocidade do
modo ptico, pode ser descrito como [7]:

(18)
Em (x, y, z, t ) V0 (z).G m (x, y).e jm t
onde V0(z) pode ser interpretado como um fator de forma que
leva em considerao os descasamentos de impedncias nos
acessos, e o descasamento entre as velocidades de fase das ondas
ptica e de modulao. Sua expresso geral dada por [8]:
V0 (z) Vg

onde

Z0 u (z) Le2 m L u (z)

Z0 Zg
1 g Le 2 m L

u (z) exp{[ m j

m
(n e eff )]z}
c

19)

(20)

Nessas equaes, m m jm representa a constante de

propagao da onda de modulao, m o fator de atenuao
[dB/m] , m m eff / c [rad/m] o fator de fase e ne o
ndice de refrao efetivo do modo ptico.
A variao do fator de fase da portadora ptica, , devido a
aplicao do campo eltrico de modulao, pode ser obtida
atravs da anlise pertubacional do guia ptico devido ao efeito
EO linear [10]. Esta uma funo de z, e determinada pela
seguinte equao [8]:
(z, t ) (z).cos(mt )

(21)

3
n er33N V0 (z)
2c

(22)

(z)

onde

E y (x, y). Fy (x, y)

4y 2
w x w 3y

x p

w
e x

3. RESULTADOS NUMRICOS
Os resultados obtidos nesta seo, referem-se a estrutura com
CPS assimtrico blindado ilustrado na Fig.1. O substrato de
LiNbO3 possui //=28 e =43, e o SiO2 possui r2=3,9. A Fig. 3
apresenta o grfico de eff versus fm, obtido resolvendo-se (8),
para modos- e -c, parametrizados na razo w2/w1. As distncias
entre os centros das fitas 1 e 2 e a origem do eixo x so
denotadas por s1 e s2, respectivamente. Neste trabalho, utilizou-se
M=N=8. Foram selecionados w1=16 m, s1=10 m, 2a=11mm,
d3=10mm e d1=1mm. O valor de w2 variou entre 8m e 24m,
com a borda interna do eletrodo 2 a 2m da origem. Alm disso,
considerou-se dois valores para d2: 0,2 m e 1,5 m. Estes
grficos confirmam que em geometrias tpicas de ptica
integrada, os modos- so muito pouco dispersivos. Este fato
valida o modelo de linha de transmisso TEM apresentado na
seo 2, para o clculo da impedncia caracterstica e dos
parmetros do modulador EO. Os modos-c so mais dispersivos,
possuindo caracterstica quase-TEM apenas em frequncias
inferiores a 1GHz aproximadamente.

eff

modos-c

w2/w1=1,5
1,0
0,5

d 2=1,5 um

w2/w1=1,5
1,0
0,5

(24)

12.00

d2 =0,2 um

8.00

d2 =1,5 um

modos-

Na expresso (22), r33 o coeficiente EO efetivo, e o fator de

superposio, calculado conforme (23) para a componente y de
campo eltrico, Ey(x,y), quando a tenso do eletrodo for
ajustada em 1,0V. A conformao de campo ptico, F y(x,y), dada
em (24), leva em conta os desvios padres (mode sizes) wx e wy
do modo ptico quase-TM propagando-se num guia ptico
difundido no substrato de LiNbO3, o qual tem sua posio
especificado pelo parmetro p, mostrado na Fig.1. A variao
da fase ptica, , calculada integrando-se (21) entre 0 e L:
L

(L, t ) (z).dz . cos m t

w2/w1=1,5
1,0
0,5

d2 =0,2 um

16.00

w
e y

(26)

Atravs de (17), calcula-se Vg2=RVg1para o gerador 2. Apesar

de ser possvel determinar m atravs de ADE, com o auxlio de
mtodos pertubacionais, neste trabalho consideram-se estruturas
sem perdas, onde m=0 [6].

(23)

dxdy

2 0 1
.
n 3er33L

24.00

Fy ( x, y)

Vg1

20.00

fase ptica com valor de pico igual a rad, na condio de

casamentos de impedncia e fase, e em baixa frequncia (1 KHz):

(25)

A partir de (25) pode-se calcular a tenso de meia-onda, Vg1,

definida como a tenso de gerador que causa uma variao de

w2/w1=1,5
1,0
0,5

4.00
0.00

4.00

8.00

12.00

16.00

Frequncia (GHz)

Figura 3. Caracterstica de disperso do CPS assimtrico.

Observa-se que o comportamento quase-TEM dos modos- no
se mantm indefinidamente com fm. A tcnica de ADE determina
a faixa de frequncia de validade. Conforme discutido em [6], a
faixa de baixa disperso limitada pela frequncia de transio
modal, envolvendo o modo fundamental sem frequncia de corte
e o primeiro modo superior do CPS. Nas curvas da Fig 3, operase abaixo desta frequncia e, portanto, o comportamento quaseTEM ocorre em toda a faixa de frequncias apresentada.

250.00
w2/w1=1,5
1,0

200.00

0,5

150.00

100.00

d 2 =0,2 um
d2 =1,5 um

modos-

50.00

w2/w1=1,5
1,0
0,5
w2/w1=1,5
1,0
0,5

0.00
0.00

4.00

8.00

12.00

16.00

Frequncia (GHz)
Figura 4. Impedncia caracterstica da linha 1.

Zc2()

d 2=0,2 um
d 2=1,5 um

300.00

1,0
1,5

w2/w1=0,5
1,0
1,5

100.00

w2/w1=0,5
1,0
1,5

modos-

0.00
0.00

4.00

8.00

12.00

16.00

Frequncia (GHz)

As distribuies de campo eltrico transversal dos dois modos

podem ser obtidas atravs da transformada de Fourier inversa [9].
Por exemplo, para a componente Ey(x,y), tem-se:
1
Tx

E y (n , y).exp[ jn x]

100

Modo-
y=999m

Ey

50
0
Ex

-50
-100
-150
-100 -80 -60 -40 -20 0 20
x em [m

40

60

80 100

300
250

Ey

200
150
100

Modo-
y=999m

50
0
-50
-100

Ex

-150
-200
-80

-60

-40

-20

0
20
x em [m]

40

60

80

Figura 7. Campo eltrico transversal no CPS assimtrico.

Figura 5. Impedncia caracterstica da linha 2.

E y ( x , y)

150

Figura 6. Campo eltrico transversal no CPS simtrico.

w2/w1=0,5

modos-c

200.00

200

Campo eltrico transversal em [KV/m]

modos-c

Zc1()

disperso. Na figura, foi calculado o campo a 1m abaixo da

interface entre o substrato e o buffer-layer. Considerou-se nos
clculos que f=1GHz, e que a tenso eltrica do eletrodo 1 fosse
igual a 1,0V. Atravs de ADE, foram calculados os valores de
R=-1 e Rc=+1. Estes valores obedecem a (10). Portanto, para
gerar modo-, as seguintes fontes e cargas devem ser utilizadas:
Vg2=-Vg1, Zg2=Zg1 e ZL2=ZL1. Na Fig.7, mostra-se os campos para
um CPS assimtrico, com os mesmos parmetros geomtricos e
de alimentao da Fig.6, exceto que w2=8m e s2=6m.
Utilizando-se ADE, obtm-se R=-0,9708 e Rc=+1,8446.
Portanto, para operao mono-modo com o modo-, devem ser
selecionados Vg2=-0,9708Vg1, Zg2=1,79.Zg1 e ZL2=1,79.ZL1.
Campo eltrico transversal em [KV/m]

Atravs de (9), (10) e (11), foram calculadas as impedncias

caractersticas das fitas acopladas 1 e 2, para modos- e -c, das
estruturas correspondentes a Fig.3. Os resultados so mostrados
na Fig.4, para a linha 1, e na Fig. 5, para a linha 2. Estes grficos
revelam que as impedncias caractersticas dos modos- variam
muito pouco com a frequncia, ao contrrio dos modos-c. Isto
significa que para modos-, as redes de casamento de impedncia
entre gerador/carga e linha no so to crticas, mesmo para
impedncias caractersticas diferentes de 50.

(27)

Na Fig. 6 foram desenhados os campos Ey(x) e Ex(x), em valores

absolutos, para a estrutura simtrica onde w1=w2=16m,
s1=s2=10m, 2a=11mm, d1=1mm, d2=0,2m e d3=10mm. Optouse por considerar apenas o modo-, em vista da sua baixa

Uma vez obtida a distribuio de campo eltrico transversal,

pode-se determinar a tenso de meia-onda do modulador EO,
atravs de (26). Analisa-se inicialmente o CPS simtrico
referente a Fig.6. No clculo de , em (23), necessrio obter o
campo eltrico Ey(x,y), para valores de y entre 0 e d1 utilizando
ADE. A conformao de campo ptico empregada (quase-TM),
obedece a (24), com wx=wy=2m [8]. O comprimento de onda
ptico considerado foi m e, portanto, para o LiNbO3,
ne=2,2 e r33=31 pm/V. Na Fig.8 ilustra-se o grfico de (Vg1.L)
em funo do parmetro "p", na faixa x20m, definido
conforme a Fig.1. O grfico revela que o valor mnimo de
(Vg1.L) igual a 0,083 V.m, na posio p=5,1m. Isto

Vg1L em [V.m]

significa que, para um modulador com acessos casados e com

comprimento de interao L = 50mm, as tenses mnimas dos
geradores necessrias para variar a fase ptica de rad
so : Vg1=-Vg21,66V. Na Fig.9, analisa-se o modulador EO
com estrutura CPS assimtrica igual a utilizada na Fig.7. O
campo corresponde aquele da Fig.8. O grfico indica que o valor
mnimo de (Vg1.L), 0,045, ocorre para p=+5,6m. Assim, se
L=50 mm, obtm-se Vg1= 0,9 V.
Neste caso, calcula-se
R=-0,9708 e, ento, atravs de (17) tem-se que Vg2=-0,87V.
0.5
0.4
0.3

-20

-10

Parmetro p em [m]

10

20

Vg1L em [V.m]

Figura 8. Tenso de meia-onda versus p para o CPS simtrico.

0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-25

-20 -15

-10 -5

10

15

20

25

Parmetro p em [m]

Resposta em frequncia de modulao em [dB]

Figura 9. Tenso de meia-onda versus p para CPS assimtrico.

10

(2)

(4)

0
(1)

-10
-20
-30
-40

(1) simtrico, descasado

(2) assimtrico, descasado
(3) simtrico, casado
(4) assimtrico, casado

(3)

-50
-60
-70
0.1

Apresentou-se a aplicao da tcnica de ADE para obter as

caractersticas de disperso e de impedncia da estrutura CPS
assimtrica blindada, utilizadas em moduladores EOs de fase.
Foram identificadas formas de alimentao e de terminaes
eltricas do modulador EO, que preservam a natureza do modo
de propagao excitado na estrutura. Apresentou-se um modelo
equivalente do dispositivo, apropriado para a determinao de
valores de tenso de meia-onda e da resposta em frequncia de
um modulador de fase.

5. REFERNCIAS

0.2
0.1
0

4. SUMRIO

Frequncia em [GHz]

10

30

Figura 10. Resposta em frequncia de modulao de fase.

A partir de (25) pode-se determinar a resposta em frequncia do
modulador de fase. Na Fig. 10, ilustram-se os resultados obtidos,
em termos de grficos de 20log10[ / pico ] , onde pico
obtido a partir de (25) na situao de casamentos de impedncias
e de velocidades, com tenso DC. Os moduladores EOs operam
com modos-, nas geometrias das Figs. 6 e 7, segundo situaes
casadas (impedncias de geradores e cargas iguais as das linhas)
e descasadas (cargas e geradores com 50). Conforme a Fig.4, a
estrutura simtrica apresenta Zc122,5, e a estrutura
assimtrica possui Zc1 18,4 para as frequncias onde o
modelo de linha de transmisso vlido. Os clculos aplicam-se
para um comprimento de interao L=50mm.

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