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III- Princpios Bsicos dos Mtodos de Caracterizao


Neste captulo ser comentado sobre os princpios fsicos dos
experimentos utilizados para caracterizar o material em estudo, assim como um estudo
das teorias ou modelos que auxiliam na interpretao dos resultados obtidos por estas
prticas experimentais. Entre as tcnicas, destacam-se medidas de emisso, excitao e
absoro ptica para a caracterizao ptica, difrao de raios X (DRX) e reflexo
especular de raios X (RERX) como caracterizao estrutural e medidas de corrente e
resistncia sob influncia da temperatura para a caracterizao eltrica.

III.1 Comentrios Sobre a Caracterizao ptica

Antes de falar sobre as tcnicas de caracterizao ptica utilizadas,


sero tratados alguns conceitos referentes a transies entre nveis de energia e
luminescncia. Na parte A ser comentado sobre regras de seleo abordando as
transies permitidas e proibidas, e na parte B aspectos relacionados luminescncia.

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A- Regras de Seleo

Conforme j dito, os ons terras-raras trivalentes sofrem uma


blindagem eletrnica, de forma que o campo ligante ao qual estes ons esto submetidos
fraco comparado interao de Coulomb entre os eltrons. Assim, os nveis
eletrnicos dos ons terras-raras quando introduzidos em um slido possuem energias
prximas daquelas dos ons livres[ 26].
So as regras de seleo que determinam as transies de ons
entre nveis de energia dentro de um slido, as quais so influenciadas pela simetria do
campo cristalino[60]. Este campo influi na ocorrncia de transies, como por exemplo
uma determinada transio pode ocorrer no cristal, mesmo violando as regras de seleo
para o on livre. Isto ocorre devido a uma perturbao gerada pelos ons vizinhos.
Tomando como exemplo o on Er3+, em que as transies intraconfiguracionais 4f so
proibidas devido as regras de seleo de paridade, tal regra pode ser quebrada pela ao
do campo cristalino sobre o on Er3+, permitindo a transio[25,61].
Considerando as transies dipolares eltricas, temos as seguintes
regras de seleo.

S = 0,

L = 0, 1 e J = 0, 1

sendo proibidas as transies de J = 0 J = 0. O operador dipolo eltrico mpar,


assim transies entre estados de mesma paridade so proibidas[60,62].

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Quanto transies por meio de dipolos magnticos, temos as


seguintes regras:

S = 0,

L = 0 e J = 0, 1

no sendo permitidas as transies de J = 0 J = 0. J o operador momento de dipolo


magntico par, assim transies entre estados com mesma paridade so
permitidas[27,62].
A simetria local do campo cristalino determina as regras de
seleo. Componentes diferentes do campo do cristal, que esto presentes quando ons
terras-raras ocupam um stio cristalogrfico sem simetria de inverso, misturam uma
pequena quantidade de funes de onda de paridade oposta (como 5d) nas funes de
onda 4f. Desta maneira, transies 4f obtm ao menos alguma intensidade. Alguns
espectroscopistas dizem que as transies proibidas 4f-4f adquirem alguma intensidade
das permitidas 4f-5d[25].
Se existir centro de inverso, as transies dipolares eltricas so
proibidas, pois possuem a mesma paridade, ao passo que se no existir tais centros, as
transies so determinadas pela simetria. De forma anloga, transies dipolares
magnticas so proibidas quando existe centro de inverso entre transies de estados de
paridades diferentes, enquanto que se a simetria no tem centro de inverso, as regras de
seleo so determinadas pelo grupo de simetria local do on no cristal[60].

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B- Luminescncia

Um material luminescente aquele que converte a energia de


transio eletrnica

em radiao eletromagntica[25].

A radiao eletromagntica

emitida por um material luminescente geralmente na regio do visvel, mas pode


ocorrer em outros intervalos do espectro tambm. O processo de luminescncia segue o
seguinte: a radiao de excitao absorvida por um ativador, indo para um estado
excitado. Do estado excitado ela retorna para o nvel fundamental pela emisso de
radiao. Isto sugere que todo on e todo material possui este comportamento
luminescente. Entretanto, no isto o que acontece, pois pode ocorrer um retorno no
radiativo, de modo que para ocorrer a emisso de luz deve-se suprimir o processo noradiativo. Este dois processos sempre competem no material, sendo interessante que no
material luminescente, o processo radiativo tenha uma probabilidade muito maior que o
processo no-radiativo. A figura 9 mostra um esquema simples do processo de
luminescncia.

Figura 9 Esquema de um nvel de energia de um on luminescente A. O asterisco (*) indica


o estado excitado, R representa o retorno radiativo e NR o retorno no-radiativo. Adaptado da
Ref. 25

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Em muitos materiais o processo no to simples quanto o


mostrado na figura 9. Tomando o caso em que a radiao no absorvida por um on
ativador, e sim em qualquer outro lugar, como por exemplo, considerando a presena de
um outro on na rede. Este on pode absorver a radiao de excitao e
subseqentemente transferir ao ativador. Neste caso o on absorvedor chamado
sintetizador. As notaes S e A significam sintetizador e ativador respectivamente.
encontrado tambm a notao D e A (doador e aceitador). A equao 11 descreve o
processo de transferncia de energia de um centro excitado S* para outro centro A[26].

S* + A S + A*

(11)

A figura 10 mostra este processo de transferncia de energia.


Vamos considerar dois centros diferentes S e A, separados em um slido por uma
distncia R. Mesmo que o processo de transferncia de energia ocorra, o decaimento
pode ocorrer de forma no-radiativa e/ou com emisso de luz, como mostrado na figura
10, onde esto sendo consideradas estas duas possibilidades, com emisso entre os
nveis A2* e A, e ausncia de emisso de A1* para A2*.

Figura 10 Esquema mostrando a transferncia de energia (TE) de S para A. Excitao ou


absoro de SAi*, emisso de A2*A. O nvel A1* , povoado pela transferncia de energia,
decai no radiativamente para o nvel abaixo A2*. Adaptado da Ref. 25.

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Muitas possibilidades podem ocorrer durante o processo de


transferncia de energia, podendo ser decaimento radiativo e no radiativo[25,27]. Uma
interao entre os ons participantes do processo de transferncia de energia necessria,
sendo importante a sobreposio das funes de onda do ativador e do sintetizador. Esta
transferncia pode ser ressonante (quando os nveis de energia do S* e A* so iguais),
ou seja, a diferena de energia entre os estados excitados e nveis fundamentais de S e A
so iguais. Tambm pode ser de maneira no-ressonante, via fnons[27].
Em ons terras-raras, existe uma pequena variao dos nveis de
um on para outro, sendo necessria a presena de fnons. Neste caso o doador de
energia perde parte de sua energia em forma de vibrao, transferindo o restante da
energia para os ons aceitadores[27].
Para a investigao das propriedades luminescentes neste trabalho,
utilizou-se experimentos conhecidos como espectros de emisso e excitao, o qual ser
descrito na prxima seo.

III.1.1 Caracterizao por Espectros de Emisso e Excitao

Espectro de emisso, de maneira simples, uma medida da intensidade


de luminescncia emitida em funo do comprimento de onda ou freqncia para uma
dada intensidade de excitao[63]. J no espectro de excitao, observa-se a variao na
intensidade de radiao (razo do nmero de ftons emitidos pelo nmero de ftons
incidentes), enquanto o comprimento de onda de excitao variado[63].

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O aparato experimental utilizado para a realizao de espectros de


emisso e excitao pode ser visto pelo esquema da figura 11. Nele, a luz proveniente de
uma fonte, depois de passar

pelo monocromador de excitao e por

lentes

convergentes, atinge a amostra. Da amostra ela passa por uma lente convergente at
atingir o monocromador usado para emisso. Depois de coletado por um detector de
Germnio, o sinal enviado ao computador.
Em espectros de emisso, o monocromador de excitao fica fixo
em um nico comprimento de onda, de forma que a luz que incide na amostra
monocromatizada. O monocromador de emisso varre o intervalo desejado. J em
espectros de excitao, o monocromador de excitao faz com que a luz que atinge a
amostra, tenha seu comprimento de onda variado de acordo com o intervalo desejado, e
o monocromador de emisso fica fixo em um nico comprimento de onda. Assim podese conhecer quais os comprimentos de onda que excitam a amostra para se ter emisso
em uma determinada energia.

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Monocromador
de emisso
Amostra
Lente

Computador
Detector

Lente

Monocromador
de excitao
Fonte de Luz

Figura 11 - Ilustrao do aparato experimental usado em medidas de espectro de emisso e


de excitao. A luz produzida pela fonte, ao passar pelo monocromador de excitao e com
auxlio de uma lente convergente, atinge a amostra. Da amostra chega ao monocromador de
emisso, sendo coletado por um detector de Germnio. Com auxlio de um software, os dados
so armazenados em um microcomputador

Para a realizao destes experimentos foi usado uma lmpada de


Xennio de 450W, um fluormetro SPEX F212I e detector de Germnio North Coast
Scient. Corporation modelo EO-8171. Tal medida foi feita com a colaborao do
departamento de Qumica Inorgnica do Instituto de Qumica da UNESP de Araraquara.

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III.1.2 Absoro ptica


Vrios fenmenos pticos ocorrem quando a luz interage com
eltrons ou com a estrutura cristalina de um material. Dentre eles, destaca-se a absoro
ptica.Uma parte da radiao pode ser transmitida( It) atravs do meio material, outra
pode ser absorvida (Ia), e ainda pode ser refletida(Ir) na interface entre os dois meios.
Nesta passagem de um meio material para outro, os ftons tem suas velocidades
alteradas, ocorrendo a refrao[64]. A figura 12 mostra estes trs tipos de fenmenos que
podem ocorrer. A notaes Ir, Ia e It significam respectivamente, intensidades do feixe
refletido, do feixe absorvido e do feixe transmitido.

Figura 12 Interao da luz com um material hipottico. Um fton com intensidade Io interage
com o material, onde uma parte de sua intensidade refletida (Ir), a outra absorvida (Ia) e

transmitida (It). Adaptado da Ref. 64

A intensidade do feixe incidente (I0) pode ser escrito da seguinte


forma:

Io = Ir + Ia + It

(12)

42

A absoro ptica uma das tcnicas experimentais mais usadas


com a finalidade de se estudar propriedades pticas da matria. Da equao 12 visto
claramente que a intensidade do feixe que no refletido pelo material ou absorvido
ou transmitido. Entende-se por absoro ptica como o decaimento da intensidade do
feixe incidente ao atravessar um meio material.
A frao do feixe que absorvida relacionada espessura do
material[64] (equao 13) e a forma com que ocorre a interao, como j dito
anteriormente. Pela figura 13, pode ser visto a interao de um feixe com intensidade Io
em um material de espessura L. Ao entrar no material, a intensidade do feixe diminui
para Ix, quando entra na fatia infinitesimal dx, sua intensidade dIx, e ao sair
denotada por I [65]. Assim [64]:

I = Ioe- L
onde:

L= a espessura do material
Io = intensidade do feixe incidente
= coeficiente linear de absoro

(13)

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Figura 13 Esquema do fenmeno de absoro em um material. O decrscimo da intensidade


do feixe incidente de Io para Ix ao entrar no material. Ao passar pela fatia infinitesimal dx um
quantidade dIx absorvida, e ao sair do meio possui intensidade I.

O coeficiente de absoro pode ser ainda escrito como sendo[65]

= (2,3026* D.O)/L

(14)

onde D.O a densidade ptica ou absorbncia (A) que pode ser escrita como:

A = log (Io/I)

(15)

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Conhecendo, portanto, a densidade ptica e a espessura do filme,


o coeficiente de absoro pode ser determinado, e com o auxlio da equao 16 (abaixo),
uma estimativa da energia do gap pode ser feita, j que no processo de absoro, a
ao de um fton de energia conhecida no material pode excitar um eltron da banda de
valncia (BV) para a banda de conduo (BC). Assim[66]:

(h)2/y = C(h - Eg)

(16)

onde:
C = constante de proporcionalidade
Eg = energia do gap (regio proibida)
y = nmero inteiro que tem valores especficos para transies diretas (y=1) e indiretas
(y = 4)

Portanto, excitaes de eltrons entre bandas atravs da absoro


de ftons, permite um estudo da estrutura de bandas de materiais por meio da tcnica de
absoro ptica.
Medidas de absoro ptica foram utilizadas para a caracterizao
de filmes finos e das suspenses coloidais. Foi utilizado um espectofotmetro Cary 300
num intervalo desde 200 at 900nm pertencente aos laboratrios do Grupo de Defeitos
em Semicondutores e Dieltricos, em Bauru; e um outro espectofotmetro Cary
pertencente ao Instituto de Qumica de Araraquara com redes de difrao que permitem
monocromotizar a luz desde o ultravioleta at o infravermelho distante.

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III.2 Propriedades Estruturais


Algumas das propriedades estruturais foram estudadas atravs das
tcnicas de difrao de raios X e reflexo especular de raios X, as quais so descritas nas
sees III.2.1 e III.2.2 abaixo.

III.2.1 Difrao de Raios X

Os raios X foram descobertos por um fsico alemo, Roentgem em


1895[67]. Foi assim chamado devido a sua natureza desconhecida. So radiaes
eletromagnticas com comprimento de onda menor que aproximadamente 1.
Atravs da tcnica de difrao de raios X (DRX), informaes
sobre a estrutura cristalina do material podem ser obtidas. A difrao de raios X
essencialmente uma relao de fases entre duas ou mais ondas, um fenmeno de
espalhamento. Quando um feixe de raios X de um nico comprimento de onda incide
num material, os raios X so espalhados em todas as direes. A maioria da radiao
espalhada por um tomo anula a radiao espalhada pelos outros tomos. Entretanto,
raios X que incidem em certos planos cristalogrficos, em ngulos especficos, so
reforados ao invs de anulados. Em outras palavras, h uma interferncia construtiva de
ondas espalhadas pelo arranjo peridico dos tomos no cristal.
Considerando-se dois feixes colimados de raios X, paralelos entre
si, incidentes em dois planos paralelos, separados por uma distncia dhkl, a diferena
entre os caminhos percorridos pelos raios dado por 2dhklsen. Por outro lado, a

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interferncia construtiva dever ocorrer quando a diferena de caminho for um mltiplo


inteiro do comprimento de onda da radiao, isto , n. Este fenmeno conhecido
como difrao de raios X, e descrito pela lei de Bragg, como mostra a seguinte
relao[67]:

n = 2dhkl sen

(17)

onde:
n = 1,2,3...
= ngulo de Bragg. a metade do ngulo entre o feixe difratado e o feixe original.
= comprimento de onda dos raios X.
dhkl = espaamento interplanar entre os planos que causam interferncia construtiva; hkl
so os ndices de Miller.

Assim, conhecendo o comprimento de onda dos raios X,


possvel determinar os espaamentos interplanares e eventualmente identificar os planos
que causam difrao. Alm disto, por DRX possvel determinar o tamanho mdio dos
cristais em um material. Quando estes cristais so menores que aproximadamente
0,1m, a expresso tamanho das partculas usada. Desta forma, o tamanho mdio das
partculas (t) determinada pela equao de Scherrer[67]:

t =
onde:

K
B cos

(18)

47

B = alargamento da linha de difrao medida a meia altura de sua intensidade mxima.


medida em radianos.
K = constante de proporcionalidade

A constante de proporcionalidade[68] K uma funo da forma


geomtrica da partcula. Para medidas da largura do pico a meia altura, K atinge valores
entre 0,84 e 0,89 dependendo da geometria. No caso de no se conhecer a geometria dos
cristalitos, admite-se uma geometria esfrica com valor de 0,9.
Este mtodo normalmente utilizado para calcular tamanho de
partculas entre 20 e 500. Partculas maiores que 500 apresentam picos de difrao
muito estreitos e de difcil avaliao, ao passo que, menores que 20 apresentam seus
picos de difrao muito achatados, sendo difcil reconhec-los como picos de difrao.
O principal problema em calcular o tamanho da partcula por este
mtodo conseguir com preciso o valor do parmetro B. Ele composto de dois
fatores: alargamento devido ao tamanho do cristais (BM) e devido ao alargamento
instrumental (BS)
calibrao

com

[67]

. O alargamento instrumental pode ser calculado atravs de uma

materiais

que

contenham

dimenses entre 1000 e 10000,

sendo utilizado quartzo geralmente.


Admitindo picos de difrao que podem ser representados na
forma de curvas de Gauss, vale a seguinte relao:

B2 = BM2 - BS2

(19)

48

Por meio destas equaes (18 e 19), o tamanho das partculas pode
ser calculado nas direes hkl desejadas. Considerando que o parmetro BS muito
menor que BM, neste trabalho foi feito uma aproximao em que B = BM para o clculo
do tamanho mdio das partculas.
Para a obteno das curvas de DRX, foi utilizado um
difratmetro Rigaku equipado com uma fonte de Cu, de 40KV de potencial e 20mA de
corrente. A velocidade do detector foi de 3 graus por minuto com um passo de 0,02
graus.

III.2.2 Reflexo Especular de Raios X


A tcnica de reflexo especular de raios X permite a investigao
das caractersticas estruturais de camadas delgadas de um determinado material. Atravs
dessa ferramenta, pode-se obter propriedades das superfcies e filmes, tais como
espessura, rugosidade e densidade atravs da simulao de dados experimentais[69].
Assim como em outras tcnicas de raios X, a RERX consiste no controle da intensidade
do feixe refletido pela superfcie em relao ao feixe incidente. Embora os princpios
desta tcnica so conhecidos h bastante tempo atravs de um trabalho de Nvot e
Croce[70], a utilizao desta prtica foi retardada devido a clculos complexos, mas hoje
em dia com o desenvolvimento de programas (software), estes clculos so resolvidos
com maior facilidade e esta tcnica pode ser usada com maior freqncia. O software
normalmente empregado, desenvolvido pela Siemens, baseia-se num formalismo

49

desenvolvido por Nvot e Croce[70] que descreve adequadamente as curvas de


reflectividade atravs de um intervalo angular.
As caractersticas estruturais, obtidas na direo normal a
superfcie, so determinadas pelo vetor de espalhamento k, onde k refletido igual a k
incidente. Os ngulos de incidncia e reflexo so iguais e k pode ser expresso como[71]:

k=

. sen()

(20)
So as equaes de Fresnel que governam a reflexo especular que

ocorre na superfcie. A reflexo de Fresnel (Rf) dada por:

c
Rf =
2

(21)

onde c o ngulo crtico e pode ser escrito como:

c = 4 [(d2 d1) . ]1/ 2

(22)

onde:
d1 = densidade eletrnica do ar
d2 = densidade eletrnica do filme fino

Abaixo deste ngulo crtico, reflexo externa total ocorre[69], para


> c, a reflectividade diminui exponencialmente de acordo com a equao .

d
R () = Rf e i 4 ( / ) Z dz
Z

( 23)

50

Acima do ngulo crtico, as curvas de reflexo apresentam franjas


devido a interferncia construtiva entre os feixes refletidos pela superfcie do filme e
pela interface com o substrato. A equao 24 (abaixo) d a expresso da reflectividade,
cujo fenmeno pode ser observado na figura 14.

R=Rf

2
[4 ( / . 1 2 ] d 2
i
( d 3 d 2)
[4 ( / ). 2 ]
L
. exp
+ d 3 exp
. exp
2
d3
2

4 ( / )

(24)

onde:
L = espessura do filme fino

1 e 2 = rugosidade da interface do filme com o substrato e da interface do ar com o


filme respectivamente

Ar

d1

Camada Delgada

d2

Substrato

d3

Figura 14 - Ilustrao da reflexo especular de raios X em um filme fino depositado sobre


um substrato de vidro. mostrada a interao do feixe com o filme fino e com o substrato. d1, d2
e d3 so as densidades eletrnicas do ar, da camada delgada e do substrato, respectivamente.
Adaptado da Ref. 16

51

Com a separao entre mximos e mnimos das


interferncia,

franjas de

atravs do ajuste de curvas experimentais e tericas usando o

software Refsimul (denominao dada pelo prprio fabricante), possvel determinar


os valores da espessura, da densidade e da rugosidade de filmes finos.
Experimentos de RERX foram feitos com uma cmara de
reflexo especular acoplada ao difratmetro de p Siemens D5000 com uma fonte de
CuK = 1,5418. Foi usado uma fenda primria de 2mm e uma fenda de 0,6mm para o
feixe refletido.

III.3 Comentrios Sobre Caracterizao Eltrica

Neste tpico sero abordados modelos de conduo intergranular


em filmes finos de SnO2 dopados com rbio na concentrao de 2% em mol. Alm
disso, sero mostradas as tcnicas de caracterizao utilizadas para estudar as
propriedades de conduo destes filmes, como por exemplo medidas de corrente(I) em
funo da Voltagem(V) e Temperatura (T), resistividade em funo da temperatura e
decaimento da conduo eltrica atravs de excitao em 266nm com o 4o harmnico do
laser Nd:YAG acoplado com dois cristais dobradores .

III.3.1 Modelos de Conduo Intergranular

Neste trabalho foram utilizados como contatos (eletrodos),


camadas de ndio, obtidos atravs de evaporao resistiva, conforme ser mostrado no

52

captulo IV.

Quando utilizado este tipo de eletrodo, nos valores de resistncia

obtidos esto includos a resistncia dos contornos de gros, a resistncia interna dos
gros e a resistncia da interface entre o contato e o filme fino de SnO2 no caso.
Aspectos no lineares em curvas de corrente em funo da tenso
podem ocorrer devido a presena de barreiras de potencial entre gros adjacentes no
material, dificultando o fluxo de eltrons entre gros. Desta forma, a partir de medidas
de corrente em funo da tenso e temperatura, acima da ambiente, possvel fazer uma
estimativa da altura () e largura da barreira (w) de potencial formadas entre os gros e
estudar a conduo volumtrica (bulk)[72].
Neste trabalho ser analisado a atuao de dois modelos que se
caracterizam por um abaixamento de barreiras de potencial mediante aplicao de um
campo eltrico uniforme. Trata-se do modelo de emisso termoinica de Schottky e de
emisso de Poole-Frenkel.
A emisso Schottky considerada um mecanismo de conduo
limitada e ocorre em baixas voltagens[73]. No caso de barreiras entre gros, os eltrons
passam por cima da barreira para chegar ao gro vizinho. Segundo este modelo, a
densidade de corrente expressa de acordo com a equao 25[72].

e S E1 / 2
j = A * T exp

KT

onde:

(25)

53

j = densidade de corrente
A* = constante de Richardson
= altura da barreira
S = coeficiente de campo para emisso Schottky
K = constante de Boltzmann
E = campo eltrico
e = carga do eltron
T = temperatura absoluta
Conforme dito, a medida que se aplica um campo eltrico na
amostra, ocorre a diminuio da barreira de potencial na interface entre gros, a qual
dada por:

S = SE1/2

(26)

onde:
S = abaixamento da barreira de potencial Schottky

Referindo-se agora ao modelo de conduo de Poole-Frenkel,


tambm caracterizado pelo abaixamento da barreira de potencial de ionizao quando
ela interage com um campo aplicado, predominante quando altos campos eltricos so
aplicados[73]. A equao 27 d a densidade de corrente segundo o modelo de PooleFrenkel.

54

e E 1 / 2
j = j0 exp PF

2 KT

(27)

onde:
jo = 0E, densidade de corrente de baixo campo
PF = coeficiente de campo para a emisso de Poole-Frenkel

Este

modelo,

primeiramente

aplicado

por

Frenkel,

em

semicondutores e isolantes volumtricos (bulk), sugere que a energia potencial de


ionizao diminuda na presena de um campo uniforme. A equao 28 mostra a
relao entre o abaixamento da barreira em funo do campo aplicado.

PF = PFE1/2

(28)

onde:
PF = abaixamento da barreira de potencial Poole-Frenkel

Os parmetros S e PF descritos nas equaes 25 e 27 podem ser


escritos da seguinte forma[74]:

2 S = PF

e3
=
4 0 r

1/ 2

1
nw

onde:
n = nmero de gros por unidade de comprimento
0 = constante dieltrica do vcuo

(29)

55

r = constante dieltrica do gro SnO2

Portanto, atravs destes dois modelos de conduo, um


predominante em regies onde um campo eltrico baixo aplicado e outro com atuao
em altos campos, nos propomos a estudar estes mecanismos em nossos filmes de
SnO2:Er a temperatura acima da ambiente e relacionar a ao do dopante com as
propriedades eltricas.

III.3.2 Caracterizao Eltrica

Para verificao dos modelos de conduo eltrica, medidas de


corrente-voltagem em funo da temperatura, entre 30 e 200C foram feitas, usando
uma mufla na qual a amostra foi inserida. Fios eltricos foram conectados nas camadas
de ndio permitindo as medidas atravs de um eletrmetro da Keithley modelo 617.
Para a realizao de medidas eltricas em temperatura abaixo da
ambiente, foi utilizada a montagem experimental da figura 15, que foi empregada em
medidas de resistncia em funo da temperatura, alm de excitao e decaimento da
condutividade fotoexcitada.

56

Bomba de
Vcuo
Criostato
Compressor
de He

Laser Nd:YAG
Amostra
Controlador de
Temperatura

Eletrmetro
Computador

Figura 15 - Ilustrao dos equipamentos utilizados em medidas de resistividade em funo da


temperatura e decaimento da condutividade. No caso de RxT, o laser no utilizado e a
temperatura abaixada, sendo que os valores de resistncia so lidos manualmente. J em
medidas de decaimento da condutividade fotoexcitada, o sinal lido no eletrmetro mandado ao
microcomputador que o armazena. (
representa conexes de vcuo e de gs He,
representa sinal eltrico e
corresponde a luz do laser).

Experimentos de resistncia em funo da temperatura

foram feitos

usando um criostato da APD Cryogenics com circuito fechado de gs He que permite


atingir uma temperatura de 10K e um controlador de temperatura da Lake Shore
Cryotronics com preciso de 0,1 grau. Um eletrmetro Keithley modelo 617 faz a
leitura do sinal eltrico. Alm de medidas de resistncia em funo da temperatura, o
aparato experimental, mostrado na figura 15, permite a realizao do experimento de
decaimento da condutividade.

Observamos em amostras de SnO2 no dopadas a

existncia de uma fotocondutividade persistente, ou seja, uma vez iluminada com o 4


harmnico do laser de Nd:YAG (266nm) a baixa temperatura, a condutividade aumenta

57

vrias ordens de magnitude e permanece em valor alto, a menos que a temperatura seja
aumentada. J em filmes dopados com Er, ocorre um decaimento desta condutividade,
cujo sinal armazenado num computador.
Atravs destes tipos de experimentos, buscamos compreender as
propriedades eltricas de filmes finos de SnO2:Er. Entender o papel do Er na
condutividade dos filmes foi se tornando cada vez mais necessrio no decorrer deste
trabalho, uma vez que algumas modificaes nas propriedades eltricas foram
observadas quando comparadas a filmes no dopados.