ESTRUTURAS CRISTALINAS

CONCEITOS FUNDAMENTAIS

Material cristalino: aquele no qual os tomos esto situados em um arranjo que se

repete ou que peridico ao longo de grandes distncias atmicas; isto , existe
ordem de longo alcance, de tal modo que quando ocorre a solidificao os tomos se
posicionaro em um padro tridimensional repetitivo, no qual cada tomo est ligado
aos seus tomos vizinhos mais prximos.

Material no-cristalino ou amorfo: no cristalizam, esta ordem atmica de longo

alcance est ausente.

Estrutura cristalina: maneira a qual os tomos, ons ou molculas esto arranjados

espacialmente.

Modelo da esfera rgida atmica: ao descrever estruturas cristalinas, os tomos so

considerados como se fossem esferas slidas que possuem dimetros bem definidos
e estas tocam umas as outras.

CLULAS UNITRIAS

Clula unitria: a subdiviso da estrutura cristalina em pequenas entidades que se

repetem. Para a maioria das estruturas cristalinas, essas clulas so paraleleppedos
ou prismas que possuem trs conjuntos de faces paralelas. Elas so escolhidas para
representar a simetria da estrutura cristalina, onde todas as posies dos tomos no
cristal podem ser geradas mediante translaes proporcionais s distncias inteiras da
clula unitria ao longo de cada una das suas arestas. Consiste na unidade estrutural
bsica ou bloco de construo bsico da estrutura cristalina e define a estrutura
cristalina em virtude da sua geometria e das posies dos tomos no seu interior. Mais
de uma clula unitria pode ser escolhida para uma estrutura cristalina especfica;
contudo, geralmente usamos a clula unitria que possui o maior grau de simetria
geomtrica.

ESTRUTURAS CRISTALINAS DE METAIS

A ligao atmica neste grupo metlica, de tal modo que sua natureza no
direcional. Logo, no existem restries em relao ao nmero e posio dos
tomos vizinhos mais prximos; isto leva a nmeros grandes de vizinhos mais
prximos, bem como empacotamentos densos dos tomos para a maioria das
estruturas cristalinas dos metais. Cada esfera na representao da estrutura cristalina
representa um ncleo inico.
CFC - CBICA DE FACE CENTRADA

Clula unitria com geometria cbica, com tomos localizados em cada um dos
vrtices e nos centros de todas as faces do cubo.

= 22

Para a estrutura cristalina CFC, cada tomo em um vrtice compartilhado por oito
clulas unitrias, enquanto um tomo centrado em uma face pertence a apenas duas.
Ento um oitavo de tomo em cada vrtice e metade em cada face, totalizando um
total de quatro tomos inteiros para uma clula unitria.

Nmero de Coordenao: nmero de vizinhos mais prximos ou de tomos em

contato. Para a CFC 12. O tomo da face frontal possui 4 vizinhos nos vrtices, 4
das faces de superior-inferior-esquerda-direita e 4 nas faces superior-inferior-
esquerda-direita da celula a sua frente.

FEA - Fator de Empacotamento Atmico: representa a frao do volume de uma clula

unitria que corresponde a esferas slidas, assumindo o modelo da esfera atmica
rgida. Para a CFC o FEA 0,74. Tipicamente, os metais possuem fatores
relativamente elevados, a fim de maximizar a proteo dada pela nuvem de eltrons
livres.

CCC - CBICA DE CORPO CENTRADO

Clula unitria cbica, com tomos localizados em todos os oito vrtices e um nico
tomo localizado no centro do cubo.

4
=
3

Dois tomos totalizam em uma estrutura CCC. Um oitavo em cada vrtice e um nico
central que esta totalmente contido na clula.

Nmero de Coordenao: para a CCC 8. Cada tomo central possui como vizinhos
os oito tomos dos vrtices do cubo.

FEA - Fator de Empacotamento Atmico: para a CCC 0,68.

HC - Hexagonal Compacta

Clula unitria com formato hexagonal. As faces superior e inferior da clula so

compostas por seis tomos que formam hexgonos regulares e que se encontram em
torno de um nico tomo no centro. Um outro plano fornece trs tomos adicionais
para a clula que est localizado entre as faces superior e inferior. Est contido um
sexto de cada tomo nos vrtices, metade de cada tomo central nas faces e os trs
no plano central so totalmente contidos na clula unitria. Totalizando assim 6
tomos inteiros em uma estrutura HC.

= 2

Sendo "a" e "c", respectivamente, as dimenses menor e maior da clula unitria,

ento c/a = 1,633.

Nmero de Coordenao: para a HC 12.

FEA - Fator de Empacotamento Atmico: para a HC 0,74.

CLCULOS DE DENSIDADE

=

n = nmero de tomos associados a cada clula unitria

A = peso atmico
VC = volume da clula unitria
NA = nmero de Avogadro (6,023 x 1023 tomos/mol)

POLIMORFISMO E ALOTROPIA

Polimorfismo: fenmeno em que alguns metais ou no-metais possuem mais que uma
estrutura cristalina.

Alotropia: o polimorfismo em slidos elementares.

A estrutura que permanece depende tanto da temperatura como da presso externa.

SISTEMAS CRISTALINOS

Diviso em grupos de acordo com as configuraes das clulas unitrias e/ou arranjos
atmicos. Um desses esquema est baseado na geometria da clula. Ela definida
em termos de seis parmetros: os comprimentos das arestas, a, b e c, e os trs
ngulos entre os eixos, , e . Estes parmetros sao chamados de parmetros de
rede.
So encontrados sete cristais com base nesses princpios e cada um possui um
sistema cristalino. O sistema cbico possui maior simetria e o sistema triclnico menor
simetria.

DIREES E PLANOS CRISTALOGRFICOS

DIREES CRISTALOGRFICAS

definida como uma linha entre dois pontos, ou um vetor [u v w]. Esses trs nmeros
so multiplicados ou divididospor um fator comum, a fim de reduzi-los aos menores
valores inteiros. No so separados por virgulas, e correspondem aos eixos x, y e z
respectivamente. Os ndices negativos possuem uma barra em cima da corrdenada
negativa.

Para cristais cbicos, as direoes com mesmos ndices dentro dos colchetes so
equivalentes, ou seja, o espaamento entre os tomos ao longo de cada direo o
mesmo. representado com <u v w>.

PLANOS CRISTALOGRFICOS

So especificados por trs ndices de Miller conforme (h k l). Quaisquer dois planos
que sejam paralelos entre sim so equivalentes e possuem ndices identicos.

Se o plano passa atravs da origem selecionada, uma nova origem deve ser
estabelecida. Um pano que intercepta essa origem paralela a mesma, tendo uma
interseo no infinito ou seja, indice igual a 0. O resto feito como nas direes
cristalogrficas invertendo os valores do parenteses no final.

Uma caracterstica para os cristais cbicos o fato de que os planos e direes que
possuem os mesmos ndices so perpendiculares uns aos outros (o plano e a direo
entre si).

ARRANJOS ATMICOS

O arranjo depende da estrutura cristalina. Uma famlia de planos contm todos

aqueles planos que so cristalograficamente equivalentes, ou seja, que possuem o
mesmo empacotamento atmico; e uma famlia designada por ndices que so
colocados entre chaves {h k l}. Somente no sistema cbico os planos que possuem os
mesmos ndices, independente da ordem ou do sinal, so equivalentes.

DENSIDADES ATMICAS LINEAR E PLANAR

A equivalncia direcional est relacionada densidade atmica linear, no sentido de

que direes equivalentes possuem densidades lineares idnticas. O vetor direo
passa atravs dos centros dos tomos, e a frao do comprimento da linha que
interceptada por estes tomos igual densidade linear.

Os planos cristalogrficos que so equivalentes possuem a mesma densidade atmica

planar. O plano de interesse passa atravs dos centros dos tomos. E a densidade
planar simplesmente a frao da rea total que esta ocupada pelos tomos.

Essas densidades se relacionam com o processo de deslizamento, isto , o

mecanismo segundo o qual os metais se deformam pasticamente. O deslizamento
ocorre nos planos mais densamente empacotados e, naqueles planos, ao longo das
direes que possuem o maior empacotamento atmico.

ESTRUTURAS CRISTALINAS COMPACTAS

Alm das representaes das clulas unitrias, essas duas estruturas cristalinas
podem ser descritas em termos de planos compactos de tomos ( planos que
possuem uma densidade mxima de empacotameto de tomos ou esferas). As
estruturas HC e CFC se diferenciam nesses planos compactos na ordem de
empilhamento.

O plano compacto comea com atoos de centro A. Isso gera espaos triangulares
onde a ponta para cima so espaos B e a ponta para baixo espaos C. Na estrutura
HC segue-se a ordem de sobreposio de planos ABABAB.. ou ACACAC.. do tipo
(0001). Na estrutura CFC as sobreosies so ABCABCABC.. do tipo (111).

MATERIAIS CRISTALINOS E NO CRISTALINOS

MONOCRISTAIS

Monocristal: quando o arranjo peridico e repetido de tomos perfeito e se estende

ao longo da totalidade da amostra, sem interrupo. Todas as clulas unitrias se
ligam da mesma maneira e possuem a mesma orientao.

Quando se deixa crescer as extremidades de um monocristal sem qualquer restrio

externa, o cristal ir assumir uma forma geomtrica regular, possuindo faces planas.

MATERIAIS POLICRISTALINOS

Gros: cristais muito pequenos que compem os materiais slidos cristalinos ou

policristalinos.
Contorno de Gro: rea dentro da regio onde dois gros se encontram com m
combinao atmica.

ANISOTROPIA

Anisotropia: dependncia de direcionalidade cristalogrfica para assumir certas

propiedades fsicas. Esta associada a diferena do espaamento atmico ou inico em
funo da direo cristalogrfica. O grau de anisotropia aumenta em funo da
diminuio da simetria estrutural.

Isotropia: substncias nas quais suas propiedades so independentes da direo

cristalogrfica.

Os gros de materiais policristalinos, as vezes, possuem uma orientao

cristalogrfica preferencial, dizendo neste caso q o material possui textura.

DIFRAO DE RAIOS X

O FENMENO DA DIFRAO

A difrao ocorre quando uma onda encontra uma srie de obstculos regularmente
separados que so capazes de dispersar a onda e possuem espaamentos
comparveis em magnitude ao comprimento da onda.

DIFRAO DE RAIOS X E A LEI DE BRAGG

Os raios X so uma forma de radiao eletromagntica que possuem elevadas

energias e curtos comprimentos de onda, na ordem de magnitude dos espaamentos
amicos nos slidos.

Lei de Bragg:

= 2 sin

Se a lei de Bragg no for satisfeita, ento a interferncia ser de natureza no-

construtiva, de modo que ir produzir um feixe de difrao com intensidade muito
baixa.

A magnitude da distncia entre dois planos adjacentes e paralelos de tomos

(espaamento interplanar dhkl) uma funo dos ndices de Miller (h, k, l), bem como
dos parmetros de rede. Para estruturas com simetria cbica temos:

=
2 + 2 + 2

A lei de Bragg uma condio necessria, porm no suficiente, para a difrao por
cristais reais. Ela especifica quando a difrao ir ocorrer para clulas unitrias que
possuem tomos situados em outros locais, como acontece nas estruturas CFC e
CCC, atuam como centros de disperso adicionais, que podem produzir uma
disperso fora de fase em certos ngulos de Bragg. O resultado lquido a ausncia
de alguns feixes difratados que, de acordo com a lei de Bragg, deveriam estar
presentes. Por exemplo, para a estrutura cristalina CCC, a soma h + k+ l dever ser
um nmero par para que a difrao ocorra, enquanto que para estruturas CFC, os
valores de h, k e l devem ser todos nmeros pares ou impares.

TCNICAS DE DIFRAO

Uma tcnica usual de difrao emprega uma amostra pulverizada ou policristalina que
consiste em muitas partculas finas e aleatoriamente orientadas, expostas a uma
radiao X monocromtica.

Cada partcula do p (ou gro) um cristal, e a existncia de um grande nmero

destes, com orientaes aleatrias, assegura que pelo menos algumas partculas
estejam orientadas da forma apropriada, de tal modo que todos os possveis conjuntos
cristalogrficos estaro disponveis para difrao. O difratmetro um aparelho usado
para determinar os ngulos nos quais ocorre a difrao em amostras pulverizadas. O
resultado obtido chamado de difratograma de raios X.

Um dos principais usos da DRX est na determinao da estrutura cristalina.

O tamanho e a geometria da clula unitria podem ser resolvidos a partir das posies
angulares dos picos de difrao, enquanto o arranjo dos tomos dentro da clula
unitria est associado com as intensidades relativas dessespicos.

SLIDOS NO-CRISTALINOS

Slidos no-cristalinos so carentes de um arranjo atmico regular e sistemtico ao

longo de distncias atmicas relativamente grandes.

Amorfos: sem forma; sinnimo de no-cristalino.

Lquidos super-resfriados: sinnimo de no-cristalino; suas estruturas atmicas

lembram as de um lquido.

Esses materiais so caracterizados por estruturas atmicas ou moleculares

relativamente complexas e que se tornam ordenadas apenas com alguma dificuldade.
Alm disso, o resfriamento rpido, at temperaturas inferiores temperatura de
congelamento, favorece a formao de um slido no-cristalino, uma vez que pouco
tempo fica disonvel para o processo de ordenao.
DEFEITOS PONTUAIS

LACUNAS E AUTO-INTERTICIAIS

o mais simples dos defeitos pontuais. Tambm chamado de vazios ou stios vagos
da rede cristalina. Envolve a falta de um tomo dentro de um metal. Resultam de
empacotamento imperfeito durante a cristalizao ou das vibraes trmicas dos
tomos em temperaturas elevadas. Facilitam a difuso atmica.

Todos os slidos cristalinos contm lacunas. A necessidade da existncia de lacunas

que a sua existncia aumenta a entropia (aleatoridade) do cristal.

=

= nmero de lacunas em equilbrio

N = total de stios atmicos
T = temperatura em K
Qv = energia para formao de uma lacuna
k = 8,62 x 10-5 eV/tomo-K ou 1,38 x 10-23 J/tomo-K

DEFEITOS DE SCHOTTKY

Esto intimamente relacionados com vazios, mas so encontrados em compostos que

devem manter um balano de carga. Envolvem vazios de par de ons de cargas
opostas. Facilitam a difuso atmica.

DEFEITOS DE FRENKEL

Quando um tomo deslocado de sua posio no reticulado para um interstcio. As

estruturas de empacotamento fechado tm menor nmero de defeitos intersticiais e
defeitos de Frenkel do que de vazios e defeitos de Shocttky, porque necessria uma
energia adicional a fim de forar os tomos para novas posies.

DEFEITOS INTERSTICIAIS

Ou auto-intersticial, um tomo do cristal extra que se encontra comprimido no interior

de um stio intersticial, um pequeno espao vazio sob circunstncias ordinrias no
ocupado, particularmente quando o fator de empacotamento atmico for baixo.
IMPUREZAS EM SLIDOS

Os metais mais familiares no so altamente puros; ao contrrio, eles so ligas, nas

quais os tomos de impureza foram adicionados intencionalmente para conferir
caractersticas especficas ao material.

Solvente: representa o elemento do composto que se encontra em maior quantidade;

os tomos do solvente tambm podem ser chamados de tomos hospedeiros.

Soluto: indica o elemento ou composto que est presente em menor concentrao.

Soluo slida: a mistura completa de tomos de dois ou mais metais, que ocorre
durante a fase lquida, e que continua quando eles passam para o estado slido,
mantendo a estrutura cristalina anterior.

Soluo slida substitucional: Quando dois metais se misturam para formar uma
soluo slida, os tomos do soluto podem substituir uma frao dos tomos da
matriz.

Existem vrias caractersticas dos tomos do soluto e do solvente que determinam o

grau no qual o primeiro se dissolve no segundo. So estas:

Fator do tamanho atmico: Quantidades apreciveis de um soluto podem ser

acomodadas neste tipo de soluo slida somente quando a diferena entre os raios
atmicos dos dois tipos de tomos menor do que aproximadamente 15%. De outra
forma, os tomos iro criar distores substanciais na rede cristalina e uma nova fase
ir se formar;

Estrutura cristalina: Para que a solubilidade dos slidos seja aprecivel, as estruturas
cristalinas para os metais de ambos os tipos de tomos devem ser as mesmas;

Eletronegatividade: Quanto mais eletropositivo for um elemento e mais eletronegativo

for o outro, maior a tendncia de que eles venham a formar um composto
intermetlico em lugar de uma soluo slida substitucional;

Valncias: Sendo iguais todos os demais fatores, um metal ter uma maior tendncia
de dissolver um outro metal de maior valncia do que um de menor valncia.

Soluo slida intersticial: Quando dois metais se misturam para formar uma soluo
slida, os tomos do soluto podem se alojar nos espaos existentes (vazios) do
solvente ou matriz.
Para materiais metlicos que possuem fatores de empacotamento atmico
relativamente elevados, essas posies intersticiais so relativamente pequenas.

Conseqentemente, o dimetro atmico de uma impureza intersticial deve ser

substancialmente menor do que o dimetro dos tomos hospedeiros. Normalmente, a
concentrao mxima permissvel para os tomos de impureza intersticial baixa
(inferior a 10%). Mesmo os tomos de impurezas muito pequenos so geralmente
maiores do que os stios intersticiais, e como conseqncia eles introduzem alguma
deformao na rede cristalina sobre os tomos hospedeiros adjacentes.

ESPECIFICAO DA COMPOSIO

1 1
% 1 = 100 % 2 = 100
1 + 2 1 + 2

1 1 1 2
1 = 100 1 = 100
1 1 + 2 2 1 2 + 2 1

2 2 2 1
1 = 100 2 = 100
1 1 + 2 2 1 2 + 2 1

1 2
"1 = 1000 "2 = 1000
1 2 1 2
+ +
1 2 1 2

100 1 1 + 2 2
= =
1 2 1 1 2 2
1 + 2 1 + 2

100 1 1 + 2 2
= =
1 2 100
1 + 2

IMPERFEIES DE LINHA

O tipo mais comum de defeito de linha no interior de um cristal uma discordncia

(dislocation).
Discordncias em cunha (aresta): So descritas como a aresta de um plano atmico
extra na estrutura cristalina. Linha ao longo da extremidade do semiplano adicional,
tambm conhecido como linha de discordncia.

Zonas de compresso e de trao acompanham uma discordncia em cunha, de

forma que h um aumento de energia ao longo da discordncia.

A distncia de deslocamento dos tomos em torno da discordncia denominada

vetor de burgers, e perpendicular linha da discordncia em cunha e paralelo a
discordncia em espiral.

Discordncias helicoidais (espirais): tem seu deslocamento (vetor de burgers) paralelo

ao defeito de linha. Tenses de cisalhamento esto associadas aos tomos
adjacentes. Assim como nas discordncias em cunha, tambm temos um aumento de
energia.

Discordncias mistas: so aquelas que exibem componentes caractersticos das

discordncias em cunha e helicoidais. A maioria das discordncias encontradas em
materiais cristalinos do tipo mista.

DEFEITOS INTERFACIAIS

So contornos que possuem duas dimenses e normalmente separam as regies dos

materiais que possuem diferentes estruturas cristalinas e/ou orientaes
cristalogrficas.

SUPERFCIES EXTERNAS

Acontece ao longo da qual termina a estrutura do cristal. Os tomos da superfcie no

esto ligados ao nmero mximo de vizinhos mais prximos, e esto, portanto, em um
estado de maior energia do que os tomos nas posies inferiores. As ligaes desses
tomos da superfcie que no esto completadas do origem a uma energia por
unidade de rea (J/m2). Para reduzir esta energia, os materiais tendem a minimizar, se
isto for de todo possvel, a rea total da superfcie.

CONTORNOS DE GROS

o contorno que separa dois pequenos gros ou cristais que possuem diferentes
orientaes cristalogrficas em materiais policristalinos.

CONTORNOS DE MACLA
 um tipo especial de contorno de gro atravs do qual existe uma simetria espelhada
especfica da rede cristalina; ou seja, os tomos em um dos lados do contorno esto
localizados em posies de imagem em espelho em relao aos tomos no outro lado
do contorno. A regio de material entre esses contornos chamada apropriadamente
de macla.

DEFEITOS VOLUMTRICOS OU DE MASSA

Existem outros defeitos presentes em todos os materiais slidos que so muito

maiores do que todos aqueles que foram discutidos at agora. Estes defeitos so os
poros, trincas, incluses exgenas e outras fases. So normalmente introduzidos
durante as etapas de processamento e fabricao.

VIBRAES ATMICAS

Todos os tomos presentes em um material slido esto vibrando muito rapidamente

em torno da sua posio reticular dentro do cristal. Por um lado, essas vibraes
podem ser consideradas como imperfeies ou defeitos. Muitas propriedades e
processos em slidos so manifestaes deste movimento de vibrao apresentado
pelos tomos.

EXAME MICROSCPICO

Para examinar os elementos estruturais e os defeitos que influenciam as propriedades

dos materiais.

Esses exames so realizados objetivando: Assegurar que as associaes entre as

propriedades e a estrutura (e os defeitos) sejam compreendidas da forma apropriada;
Para prever as propriedades dos materiais, uma vez que se estabeleceram as
relaes.

Os exames podem ser divididos em dois tipos:

Macrogrfico: o exame do aspecto de uma pea ou amostra metlica, segundo uma

seo plana devidamente polida e, em geral, atacada por um reativo apropriado. O
aspecto, assim obtido, chama-se macroestrutura. O exame feito vista desarmada
ou com auxlio de uma lupa. A ampliao mxima de 10 vezes o tamanho natural;

Microgrfico: quando se deseja analisar a estrutura do material, observao da

superfcie da amostra e anlise de falhas. Utiliza-se para isso equipamentos, tais como
microscpios ticos e eletrnicos. Aumento mnimo de 10 vezes o tamanho natural da
amostra. A fotografia na qual a imagem registrada chamada fotomicrografia.

Microscopia tica:

Utiliza-se um microscpio tico para estudar a microestrutura. Para materiais opacos

luz visvel (todos os metais e muitos materiais cermicos e polimricos), apenas a
superfcie est sujeita observao, e o microscpio tico deve ser usado em uma
modalidade de reflexo.

As investigaes desse tipo so chamadas de metalogrficas porque os metais foram

os primeiros materiais examinados por essa tcnica. Tem a limitao de ampliao
possvel de aproximadamente 2000 dimetros, que no permite observao de
elementos estruturais muito finos ou pequenos.

Microscopia eletrnica de transmisso (MET): A imagem vista com um microscpio

eletrnico de transmisso formada por um feixe de eltrons que passa atravs da
amostra. Os detalhes das caractersticas da microestrutura interna tornam-se
acessveis observao. Os contrastes na imagem so produzidos entre os vrios
elementos da microestrutura ou defeitos.

Uma vez que os materiais slidos so altamente absorventes para feixes de eltrons,
para uma amostra poder ser examinada ela deve ser preparada na forma de uma
pelcula muito fina. Isso assegura a transmisso de pelo menos uma frao aprecivel
do feixe incidente atravs da amostra. O feixe transmitido projetado sobre uma tela
fluorescente ou sobre um filme fotogrfico, de modo que a imagem possa ser vista.
Ampliaes que se aproximam de 1.000.000X so possveis mediante o uso da MET,
usada com frequncia no estudo de discordncias.

Microscopia eletrnica de varredura (MEV): Na MEV, a superfcie de uma amostra a

ser examinada rastreada com um feixe de eltrons, e o feixe de eltrons refletido (ou
retro espalhado) coletado e ento mostrado mesma taxa de varredura sobre um
tubo de raios catdicos. A imagem na tela, que pode ser fotografada, representa as
caractersticas da superfcie da amostra. A amostra pode ou no estar polida e ter sido
submetida a ataque qumico, porm ela deve, necessariamente, ser condutora de
eletricidade. Para materiais no condutores, deve-se aplicar um revestimento
metlicos muito fino sobre a superfcie. muito comum utilizar ouro para recobrir as
amostras. So possveis ampliaes entre 10 e mais de 50.000 dimetros, da mesma
forma que tambm so possveis profundidades de campo muito grandes.
Equipamentos e acessrios permitem as anlises qualitativa e semiquantitativa da
composio elementar em reas muito localizadas da superfcie.

O exame da microestrutura tambm usado para determinar a modalidade de uma

fratura mecnica, para prever as propriedades mecnicas de ligas, para verificar se
uma liga foi submetida a um tratamento trmico da maneira adequada, e tambm para
projetar ligas com novas combinaes de propriedades.

DETERMINAO DO TAMANHO DE GRO

O tamanho de gro uma caracterstica determinada com frequncia quando as

propriedades de um material policristalino esto sendo consideradas. Vrios mtodos
so utilizados, porm o mais comum o desenvolvido pela ASTM (Sociedade
Americana para Testes e Materiais). Para isso, a ASTM preparou vrios quadros
comparativos padronizados, todos contendo diferentes tamanhos mdios de gros.
Estes so numerados de 1 a 10, e que conhecido por nmero do tamanho de gro.
Quanto maior o nmero, menor o tamanho dos gros em uma amostra. Uma amostra
deve ser preparada da maneira apropriada para revelar a estrutura do gro, sendo
fotografada com um aumento de 100X. O tamanho do gro expresso em termos do
nmero do tamanho de gro no quadro cujos gros mais se assemelham queles na
micrografia. Dessa forma, possvel uma determinao visual relativamente simples e
conveniente do nmero do tamanho de gro. O nmero do tamanho de gro usado
amplamente na especificao de aos. O raciocnio por trs da atribuio do nmero
do tamanho de gro a esses diferentes quadros o seguinte: Se n representa o
nmero do tamanho de gro e N representa o nmero mdio dos gros por polegada
quadrada a uma ampliao de 100X, esses dois parmetros esto relacionados
atravs da expresso:

N = 2N-1