Eletrnica I

TBJ
Transistor
Bipolar de
Juno P12
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR
O transistor de juno um dispositivo que atua como amplificador de corrente
Consiste em duas junes PN colocadas em oposio 3 camadas
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons
participarem do processo do fluxo de corrente

transistor PNP E
EMISSOR P P
COLETOR Simbologia
N B

C
BASE

transistor NPN C

EMISSOR N N
P COLETOR
B Simbologia

E
BASE
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

Podemos representar o transistor como um circuito T

equivalente com diodos, ligados de tal forma a
permitir a identificao da polarizao das junes.

Observa-se que no transistor pnp a

juno dos dois catodos do diodo
forma a base, que negativa, sendo o
emissor e o coletor positivos,
enquanto que no transistor npn a
juno dos dois anodos forma a base
que positiva, sendo o emissor e o
coletor negativos.
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

POLARIZAO:

Para que um transistor funcione necessrio

polarizar corretamente as suas junes, da seguinte
forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada
diretamente

2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada

reversamente

Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer

transistor de juno bipolar, seja ele npn ou pnp.
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

O transistor npn com

polarizao direta entre base
e emissor e polarizao
reversa entre coletor e base.

O transistor pnp com

polarizao direta entre base
e emissor e polarizao
reversa entre coletor e base

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das

baterias.
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

1) OPERAO BSICA:

1.1 - Juno diretamente polarizada:

A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta
entre base e coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.

Observa-se ento uma semelhana

entre a polarizao direta de um
diodo com a polarizao direta entre
base e emissor, onde aparece uma
regio de depleo estreita.

Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios do material

p para o material n.
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

1) OPERAO BSICA:

1.2 - Juno reversamente polarizada:

Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada,

conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de
polarizao direta entre emissor e base.

Observa-se agora, em virtude da

polarizao reversa um aumento da regio
de depleo semelhante ao que acontece
com os diodos de juno, isto ocorre um
fluxo de portadores minoritrios (corrente de
fuga nos diodos), fluxo este que depende
tambm da temperatura. Podemos ento
dizer que uma juno p-n deve ser
diretamente polarizada (base-emissor)
enquanto que a outra juno p-n deve ser
reversamente polarizada (base-coletor).
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3) FLUXO DE CORRENTE:
Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de
corrente em um transistor npn, atravs de uma outra forma de
representao. No entanto, o processo de anlise o mesmo.

Observa-se que os portadores

minoritrios (ICO ou ICBO)
provenientes da base so os
eltrons, que se somaro a
corrente de coletor.
Verifica-se ainda em relao ao
exemplo anterior (transistor
pnp), que a corrente de base
(IB) tem um sentido oposto ,
uma vez que, essa corrente
formada por lacunas. Da
mesma forma as correntes de
emissor (IE) e de coletor (IC)
tambm tem sentidos opostos,
por serem formadas por
eltrons.
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3) FLUXO DE CORRENTE:

Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo

processo de anlise, bastando para isso, inverter a polaridade das
baterias de polarizao e lembrar que:

Cristal N - os portadores majoritrios so

os eltrons e os minoritrios as lacunas;

Cristal P - os portadores majoritrios so

as lacunas e os minoritrios os eltrons.
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4) SENTIDO DAS TENSES E CORRENTE NOS TBJ:

Onde:
a) NPN
E = Emissor
B = Base
C = Coletor
IE
VBE = Tenso Base Emissor
IC VCB = Tenso Coletor - Base
VCE = Tenso Coletor Emissor
IB IB = Corrente de base
IC = Corrente de Coletor
VCB IE = Corrente de Emissor
VBE
IE = IC + IB
VCE VCE = VCB + VBE
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4) SENTIDO DAS TENSES E CORRENTE NOS TBJ:

Onde:
b) PNP
E = Emissor
B = Base
C = Coletor
IE
VEB = Tenso Emissor - Base
IC VBC = Tenso Base - Coletor
VEC = Tenso Emissor - Coletor
IB IB = Corrente de base
IC = Corrente de Coletor
VBC IE = Corrente de Emissor
VEB
IE = IC + IB
VEC VEC = VBC + VEB
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5) EFEITO AMPLIFICAO:

Um aumento na corrente de base IB,

aumenta a recombinao de eltrons e
lacunas entre base e coletor,
aumentando assim IC.
Uma diminuio na corrente de base IB,
diminui a recombinao de eltrons e
lacunas entre base e coletor, diminuindo
assim IC.
Isso significa que a corrente de base
controla a corrente entre emissor e
coletor.
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5) EFEITO AMPLIFICAO:
A especificao do transistor que caracteriza o
seu efeito amplificao de corrente
simbolizada por , sendo a relao entre as
correntes de coletor IC e de base IB.

A corrente de Base, sendo bem menor que a

corrente de coletor, faz com que uma pequena
variao da corrente de Base, provoque uma
grande variao da corrente de Coletor. (30 > <
300).

Dizemos que o transistor um dispositivo ativo,

pelo fato de possibilitar a amplificao de um
sinal (no caso a corrente).
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5) EFEITO AMPLIFICAO:

IC

IB

IB IC

= = IC = * IB

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6) POTNCIA DISSIPADA PELO TRANSISTOR:

A regio de coletor
responsvel pela quase
VCE totalidade da
dissipao de potncia
do transistor.

PC = VCE * IC
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7) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

Os transistores podem ser ligados em 3

configuraes bsicas.
1) Emissor Comum (EC)
2) Base Comum (BC)
3) Coletor Comum (CC)

Essas denominaes (Comuns) relacionam-se aos

pontos onde o sinal injetado e onde retirado, ou
ainda, significa que o terminal comum a entrada e
sada do circuito.
As configuraes emissor comum, base comum e coletor
comum, so tambm denominadas emissor a terra, base a
terra e coletor a terra.
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7) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

7) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

7) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

Cada configurao apresenta caractersticas tpicas de

comportamento para sinais alternados (AC), o que possibilita
diversas aplicaes.

PRINCIPAIS CARACTERSTICAS OU PARAMETROS:

Ganho de corrente (Ai): Refere-se amplificao ou atenuao

da corrente de sada do circuito em relao a entrada.
Ganho de tenso (AV): Refere-se amplificao ou atenuao da
tenso de sada do circuito em relao a entrada.
Resistncia/Impedncia de entrada (ZIN): Refere-se impedncia
equivalente vista por uma fonte de sinal AC ligada na entrada do
circuito.
Resistncia/Impedncia de sada (ZOUT): Refere-se impedncia
equivalente vista por uma carga ligada na sada do circuito.
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7) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

Cada configurao apresenta caractersticas tpicas de

comportamento para sinais alternados (AC), o que possibilita
diversas aplicaes.

Configurao Caracterstica
Ai Av Zi Zo
EC Alto Alto Mdia Alta
BC 1 Alto Baixa Alta
CC Alto 1 Alta Baixa
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8) ESPECIFICAES BSICAS DO TRANSISTOR:

Utilizando o cdigo alfanumrico do transstor podem-se obter as suas

caractersticas tcnicas por consulta de um data book ou de um data sheet do
fabricante.
ICMAX a mxima corrente de colector que o transstor pode suportar. Se
este parmetro for excedido o componente poder queimar.
hFE ou Ganho ou factor de amplificao do transstor.
hFE = IC / IB
Pcmax Potncia mxima de dissipao.
fT Frequncia de transio (frequncia para a qual o ganho do transstor
1 ou seja, o transstor no amplifica mais a corrente).
VCEO Tenso mxima colector emissor com a base aberta.
VCBO Tenso mxima colector base com o emissor aberto.
VEBO Tenso mxima emissor base com o colector aberto.
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9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.1) Principais caractersticas das Configuraes

Para facilitar os clculos das polarizaes dos

transistores, os fabricantes podem fornecer duas
funes na forma grfica.

Uma relacionada com a caracterstica de

entrada.

E uma relacionada com a caracterstica de

sada.

A estas caractersticas dado o nome de

Curva Caracterstica do transistor.
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9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.2) Regies de Operao

Ativa
Operando na faixa de amplificao.

Corte
O amplificador basicamente desligado. Existe tenso, mas
corrente baixa.

Saturao
O amplicador est totalmente ligado. Existe uma pequena
tenso, mas muita corrente.
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9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.3) Limitaes de Operao para cada Regio:
a) IC mxima e VCE mnima (VCE max
= VCEsat = VCEO) na regio de saturao.

b) VCE mximo e IC mnima

(ICmax=ICEO) na regio de corte.

c) O transistor opera na regio ativa entre

saturao e corte.
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9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.4) Dissipao de Potncia:

Base Comum: PCmax VCB * IC

Emissor Comum: PCmax VCE * IC

Coletor Comum: PCmax VCE * IE

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9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.5) Emissor Comum:

No circuito emissor
comum, o sinal
aplicado entre base e
emissor e retirado entre
coletor e emissor.

CARACTERSTICAS:

Ganho de corrente (Ai): elevado

Ganho de tenso (AV) elevado
Resistncia de entrada (ZIN) mdia
Resistncia de sada (ZOUT) alta
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9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.5) Emissor Comum:
9.5.1) Curva Caracterstica de Entrada:
Para se obter um valor constante de sada VCE, variando a tenso
de entrada VBE, obtm-se uma corrente de entrada IB
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9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.5) Emissor Comum:
9.5.2) Curva Caracterstica de Sada:
Para cada valor constante de corrente de entrada IB, variando a
tenso de sada VCE, obtm-se uma corrente de sada Ic.
Ic
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.5) Emissor Comum:
9.5.3) Ganho de corrente:
a relao entre a variao da corrente de sada (Ic) e a variao
da corrente de entrada (IB) , denominado de (Beta) ou hfe.

IC
a) No modo CC: dc
IB

IC
b) No modo CA: ac VCE constante
IB

indica o fator de amplificao do transistor.

TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.5) Emissor Comum:
9.5.3) Ganho de corrente: Relao entre e

IC * IB
1
IC * Ie


1 IE ( 1) * IB
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9) CONFIGURAES BSICAS DO TRANSISTOR:

9.5) Emissor Comum:
9.5.4) Correntes do Amplificador:
IE = IC + IB

IC = IE
IC = IE + ICBO

ICBO = corrente minoritria do coletor. usualmente to pequena que pode ser

ignorada, exceto para transistores de alta potncia em ambientes de altas
temperaturas.
ICBO
ICEO IB 0 A
1

Quando IB = 0A o transistor est em corte, mas existe uma corrente de

minoritrios fluindo chamada de ICEO.
 Determinando beta () a partir de um grfico

(3.2mA 2.2mA) 1mA

ca (paraVCE 7.5) 100
(30 20 ) 10 0

dc
2.7mA
(paraVCE 7.5) 108 Note: ac dc
25A
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10) TESTE DO TRANSISTOR:

Ohmimetro
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10) IDENTIFICAO DO TRANSISTOR:

Identificao dos Terminais do Transistor

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11) Exerccio
Um transistor na configurao EC, tem as seguintes
curvas caractersticas:
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

11) Exerccio
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

11) Exerccio
Um transistor na configurao EC, tem as seguintes
curvas caractersticas:
TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR

11) Exerccio

5,2 4,63 4,6 30 0,994 153

VCB = VCE - VBE IE = IC + IB = IC / IE = IC / IB

VCB = 6,0 0,8 IE = 4,6 + 0,03 = 4,6 / 4,63 = 4,6 / 0,03

VCB = 5,2v IE = 4,63 mA = 0,994 = 153