Apostila Completa Transistor PDF

Centro de Formao Profissional Aloysio Ribeiro de Almeida
ELETRNICA
I
Presidente da FIEMG
Robson Braga de Andrade
Gestor do SENAI
Petrnio Machado Zica
Diretor Regional do SENAI e

Superintendente de Conhecimento e Tecnologia
Alexandre Magno Leo dos Santos
Gerente de Educao e Tecnologia

Edmar Fernando de Alcntara
Elaborao
Vanderlei Batista Flausino
Unidade Operacional
Centro de Formao Profissional Aloysio Ribeiro de Almeida

Varginha - MG
2004.
Sumrio
APRESENTAO ..............................................................................................................................4
TRANSISTOR BIPOLAR....................................................................................................................6
POLARIZAO..................................................................................................................................7
OPERAO BSICA.........................................................................................................................8
CONFIGURAES BSICAS:........................................................................................................13
REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES ......................................................................16
CURVAS CARACTERSTICAS: ......................................................................................................18
CIRCUITOS DE POLARIZAO:....................................................................................................20
RETA DE CARGA ............................................................................................................................31
TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA. ...............................................................................37
TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE. .............................................................................40
REGULADOR SRIE. ......................................................................................................................45
REGULADOR PARALELO ..............................................................................................................50
REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO ...........................................................................54
CONFIGURAO DARLINGTON ...................................................................................................60
PR AMPLIFICADORES .................................................................................................................64
AMPLIFICADOR DE POTNCIA CLASSE A E B.........................................................................76
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ................................................................................................83

Fundamentos de Eletrnica I
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Apresentao
Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

conhecimento.
Peter Drucker
O ingresso na sociedade da informao exige mudanas profundas em todos os

perfis profissionais, especialmente naqueles diretamente envolvidos na produo,
coleta, disseminao e uso da informao.
O SENAI, maior rede privada de educao profissional do pas,sabe disso , e

,consciente do seu papel formativo , educa o trabalhador sob a gide do conceito
da competncia: formar o profissional com responsabilidade no processo produtivo,
com iniciativa na resoluo de problemas, com conhecimentos tcnicos aprofundados,
flexibilidade e criatividade, empreendedorismo e conscincia da necessidade de
educao continuada.
Vivemos numa sociedade da informao. O conhecimento , na sua rea

tecnolgica, amplia-se e se multiplica a cada dia. Uma constante atualizao se
faz necessria. Para o SENAI, cuidar do seu acervo bibliogrfico, da sua infovia,
da conexo de suas escolas rede mundial de informaes internet- to
importante quanto zelar pela produo de material didtico.
Isto porque, nos embates dirios,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

laboratrios do SENAI, fazem com que as informaes, contidas nos materiais
didticos, tomem sentido e se concretizem em mltiplos conhecimentos.
O SENAI deseja , por meio dos diversos materiais didticos, aguar a sua
curiosidade, responder s suas demandas de informaes e construir links entre
os diversos conhecimentos, to importantes para sua formao continuada !
Gerncia de Educao e Tecnologia
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Curso Tcnico em eletrnica - Mdulo II
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Transistor Bipolar
O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais,
formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e
uma de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de
transistor pnp.
Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um
fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras
aplicaes como: chaves comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso e de
potncia, osciladores, etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem
do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, eltron ou
lacuna, o transistor denominado unipolar (FET).
Estrutura Bsica:
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um
circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao
da polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).
Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a
base, que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no
transistor npn a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o
emissor e o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de
juno mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.
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Polarizao
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas
junes, da seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno
bipolar, seja ele npn ou pnp.
As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de

transistores:
Transistor npn com

polarizao direta entre base e
emissor e polarizao reversa
entre coletor e base.
Transistor pnp com

polarizao direta entre base e
emissor e polarizao reversa
entre coletor e base
Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.
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Operao Bsica
Juno Diretamente Polarizada:

A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta
entre base e emissor. Para estudar o comportamento da juno diretamente
polarizada, foi retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.
Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com a

polarizao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo
estreita.
Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios do

material p para o material n.
Juno Reversamente Polarizada:

Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada,
conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de
polarizao direta entre emissor e base.
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Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de

depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um
fluxo de portadores minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que
depende tambm da temperatura. Podemos ento dizer que uma juno p-n deve
ser diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra juno p-n deve
ser reversamente polarizada (base-coletor).
Fluxo de Corrente:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente,
atravs das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p
ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que
o emissor.
Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a
base uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o
coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo
da ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores,
ou seja da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia,
podendo alcanar alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma,
para transistores de potncia, a corrente de base significativamente menor.
Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos
portadores majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o
coletor (C) recebe os portadores majoritrios provenientes do emissor.
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A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente

de fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os
portadores minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados
tambm de corrente de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao
material do tipo p (coletor), formando assim uma corrente minoritria de lacunas.
Lembre-se de que os portadores minoritrios em um cristal do tipo n so as
lacunas. Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores
majoritrios provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou
(ICBO).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente , obtemos:
IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)
Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um

transistor npn, atravs de uma outra forma de representao. No entanto, o
processo de anlise o mesmo.
Na figura acima observa-se que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO)

provenientes da base so os eltrons, que se somaro a corrente de
coletor.Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a
corrente de base (IB) tem um sentido oposto , uma vez que, essa corrente
formada por lacunas. Da mesma forma as correntes de emissor (IE) e de coletor
(IC) tambm tem sentidos opostos, por serem formadas por eltrons.
OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de

anlise, bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polarizao e
lembrar que:
Cristal N - os portadores majoritrios so os eltrons e os minoritrios as lacunas;
Cristal P - os portadores majoritrios so as lacunas e os minoritrios os eltrons.
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A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.
A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma

regio de baixa impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da
ordem de 0,55V a 0,7V para transistores de silcio), polarizao esta,
caracterizada pela bateria VEE enquanto que, a juno base-coletor est
reversamente polarizada em funo da bateria VCC. Na prtica, VCC assume
valores maiores do que VEE.
Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores

majoritrios provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente
em duas componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente
proveniente do juno reversamente polarizada coletor-base, denominada ICBO,
sendo que esta ltima assume valores extremamente baixos que em muitos
casos podem ser desprezados.
A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende

do tipo de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia de
acordo com o tipo de transistor.
A constante de proporcionalidade dessa corrente definida como (alfa)1, de
forma que, a corrente de coletor representada por IE. Os valores tpicos de
variam de 0,9 a 0,999. Isto significa que parte da corrente do emissor no chega
ao coletor2.
Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se

que a corrente de emissor 2mA?
Soluo:
IC = IE
IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA
Caso ICBO no seja desprezada, a corrente de coletor dada por:
IC = IE + ICBO ( I )
1
O smbolo hFB algumas vezes usado na lugar de
2
Isto explicvel, pois menor do que 1.
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Como dito anteriormente, parte da corrente do emissor que fica retida na base
forma a corrente de base, assim:
IE = IC + IB ( II )
Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base:
1- ICBO
IB = (1 - ) . IE - ICBO = . IC -

A relao / (1 - ) representada por (beta)3.
Podemos ento estabelecer as relaes:

=
1-

=
+1
Exemplos:
a) Um transistor possui um fator = 0,92. Qual o fator ?
Soluo:
0,92 0,92
= = = 11,5
1 - 0,92 0,08
b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?

Soluo:
100
= = = 0,99
+ 1 101
Podemos ento estabelecer uma relao entre e .4

Temos ento:
IC IC
= e =
IB IE
assume valores muito mais elevados em relao a (o valor tpico de da
ordem de 30 a 600). Ento, quanto maior for o valor de , mais o valor de tende
a aproximar-se de 1.
Assim, levando-se em conta que IC = IE, para um valor de 100, podemos
considerar para fins prticos:
IC = IE
3
O smbolo hFE algumas vezes usado no lugar de
4
Alguns autores utilizam a notao CC e CC
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Configuraes Bsicas:
Os transistores podem ser ligados em trs configuraes bsicas: base
comum (BC), emissor comum (EC) e coletor comum (CC). Essas denominaes
relacionam-se aos pontos onde o sinal injetado e retirado, ou ainda, qual dos
terminais do transistor referncia para a entrada e sada de sinal.
Base Comum:
No circuito a seguir, observa-se que o sinal injetado entre emissor e base
e retirado entre coletor e base.
Desta forma, pode-se dizer que a base o terminal comum para a entrada
e sada do sinal. O capacitor "C" ligado da base a terra assegura que a base
seja efetivamente aterrada para sinais alternados.
CARACTERSTICAS:
Ganho de corrente (Gi): < 1

Ganho de tenso (GV): elevado
Resistncia de entrada (RIN): baixa
Resistncia de sada (ROUT): alta
Emissor Comum
No circuito emissor comum, o sinal aplicado entre base e emissor e retirado
entre coletor e emissor. O capacitor no emissor "CE" assegura o aterramento do
emissor para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.
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CARACTERSTICAS:
Ganho de corrente (Gi): elevado

Ganho de tenso (GV) elevado
Resistncia de entrada (RIN) mdia
Resistncia de sada (ROUT) alta
Coletor Comum
A figura a seguir mostra um circuito na configurao coletor comum.
A configurao coletor comum tambm conhecida como seguidor de emissor.
Essa denominao dada devido a tendncia de todo o sinal aplicado na entrada
estar praticamente presente na sada (circuito de emissor).
O sinal de entrada aplicado entre base e coletor e retirado do circuito de
emissor. O capacitor "CC" ligado do coletor a terra assegura que o coletor esteja
aterrado para sinais alternados. CA um capacitor de acoplamento de sinal.
CARACTERSTICAS:
Ganho de corrente (Gi): elevado

Ganho de tenso (GV): 1
Resistncia de entrada (RIN): muito elevada
Resistncia de sada (ROUT): muito baixa
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As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm

denominadas emissor a terra, base a terra e coletor a terra. Essas configuraes
tambm podem ser apresentadas conforme ilustram as figuras abaixo:
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Representao de Tenses e Correntes

Para representar tenses e correntes em um circuito com transistores, utiliza-se
usualmente o mtodo convencional , atravs de setas.
Para as tenses, a ponta da seta aponta sempre para o potencial mais positivo e
as correntes so representadas com setas em sentido contrrio as das tenses.
Podemos por exemplo representar uma tenso entre coletor e emissor por VCE
quando o transistor for npn. Isto significa que o coletor mais positivo do que o
emissor. Em outras palavras, a primeira letra aps o V (neste caso o coletor)
mais positiva do que a segunda letra (neste caso o emissor).
Para um transistor pnp a tenso entre coletor e emissor representada por VEC,
indicando que o emissor mais positivo do que o coletor.
A figura abaixo ilustra dois transistores com polaridades opostas, utilizando essa
representao. ( na maioria das literaturas VEC simbolizada por VCE )
Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes;

observe que as setas que indicam o sentido da corrente so opostas aquelas que
indicam as tenses.
Para as tenses VRC (tenso no resistor de coletor) e VRE ( tenso no resistor de

emissor), a ponta da seta indica que a tenso na parte superior desses resistores
mais positiva do que na parte inferior.
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Polarizao com uma nica Bateria:
Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias,

sendo uma para polarizao da juno base-emissor e outra para a juno base-
coletor.
Na maioria das vezes, uma nica bateria pode polarizar um circuito
transistorizado, visto que o mesmo comporta-se como um circuito fechado.
As tenses nas junes do transistor e nos componentes externos, como
resistores, capacitores, indutores, etc. podem ser calculadas utilizando-se as leis
de Kirchhoff para tenso (LKT).
Da mesma forma, as correntes podem ser calculadas aplicando-se LKC.
A figura a seguir mostra um transistor com polarizao por divisor de tenso na
base, cuja teoria ser vista no captulo referente aos circuitos de polarizao.
Observe atentamente as indicaes das tenses e das correntes em funo do
sentido das setas.
Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes:
1. VCC - VRC - VCE - VRE = 0

2. VCE -VBE - VCB = 0
3. VCC - VRB1 - VRB2 = 0
4. VRB1 - VRC - VCB = 0
5. VRB2 - VBE - VRE = 0
6. VCC - VRC - VCB - VBE - VRE = 0
Aplicando-se LKC no ponto X, temos:
1. IB = I1 - I2
2. I1 = I2 + IB
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Curvas Caractersticas:
As curvas caractersticas definem a regio de operao de um transistor, tais
como: regio de saturao, regio de corte, regio ativa e regio de ruptura.
De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser

escolhidas. Quando necessitamos de um transistor como chave eletrnica,
normalmente as regies de corte e saturao so selecionadas; no caso de
transistor operando como amplificador, via de regra, escolhe-se a regio ativa.
A regio de ruptura indica a mxima tenso que o transistor pode suportar sem
riscos de danos.
A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim

didtico, no sendo obedecido a rigor nenhum tipo de escala.
Curva Caracterstica para Montagem em Emissor Comum:

A regio de corte mostrada na rea sombreada, onde IB = 0.
A curva de potncia mxima representa a mxima potncia que pode ser
dissipada pelo transistor.
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A figura abaixo mostra a curva caracterstica para emissor comum semelhante a

vista anteriormente, no entanto, observe a rea sombreada, a qual denominada
de rea til, na qual o transistor opera com total segurana.
A regio til delimitada pela curva de potncia mxima5 e conforme dito

anteriormente, o transistor trabalha com segurana, no ultrapassando a mxima
potncia permitida.
5
Tambm denominada hiprbole de mxima dissipao.
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Circuitos de Polarizao:
Apresentaremos a seguir alguns circuitos de polarizao muito utilizados e suas
principais caractersticas:
Polarizao por Corrente de Base Constante
Tambm denominado de polarizao fixa, um circuito muito utilizado quando

deseja-se que o transistor opere como chaveamento eletrnico, com dois pontos
bem definidos: corte e saturao.
Por esse motivo esse tipo de polarizao no utilizado em circuitos lineares,

pois muito instvel, pois uma variao da temperatura provoca uma variao de
.
Para este tipo de polarizao: IC = IB
Para evitar o disparo trmico, adota-se geralmente: VCE = 0,5VCC
Polarizao por Corrente de Emissor Constante
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Diferente do caso anterior, procura-se compensar as variaes de atravs do

resistor de emissor.
Assim, quando aumentar, a corrente de coletor aumenta, aumentando tambm

a tenso no emissor, fazendo com que haja uma diminuio da tenso de
polarizao VBE, reduzindo a corrente de base. Isto resulta numa corrente de
coletor menor compensando parcialmente o aumento original de .
Aplicando LKT: VCC = VRC + VCE + REIE
Onde: VRC = RCIC
Logo: VCC = RCIC + VCE + REIE
Adota-se como prtica para garantir a estabilidade trmica sem afetar o sinal de
sada: VRE = 0,1VCC
Equaes bsicas:
VCC IC
IB = ou ainda: IB =
RB + RE
IE = ( + 1)IB
Polarizao por Realimentao Negativa
Este circuito reduz o ganho, mas em compensao aumenta a estabilidade.
Equaes bsicas:
VRE = 0,1VCC
VRC = VCC - (VCE + VRE)
VCC
IB =
RB + RC
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Seguidor de Emissor
O seguidor de emissor tem como caracterstica o ganho de tenso baixo ( 1)
Equaes bsicas:
VCE = 0,5VCC
0,5VCC
RE =
IE
IE = IB
Polarizao por Divisor de Tenso na Base
A polarizao por divisor de tenso na base ou polarizao universal um dos

mtodos mais usados em circuitos lineares.
A grande vantagem desse tipo de polarizao sua estabilidade trmica

(praticamente independente de ). O nome divisor de tenso proveniente do
divisor de tenso formado por RB1 e RB2, onde RB2 polariza diretamente a
juno base-emissor.
Passemos a analisar como opera esse tipo de polarizao.
Aplicando Thvenin:Abrindo o terminal da base temos:

RB2 . VCC
VTH =
RB1 + RB2
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Ainda com o terminal da base aberto e VCC em curto, temos:

RB1 . RB2
RTH =
RB1 + RB2
Isto nos d o circuito equivalente de Thvenin:
OBS: A resistncia equivalente de Thvenin recebe o nome de RBB enquanto que

a tenso equivalente de Thvenin recebe o nome de VBB
Aplicando LKT:
VTH - RTHIB - VBE - REIE = 0
IE VTH - VBE
Sendo: IB = , temos: IE =
+1 RE +
RTH
+1
RTH
Se RE for 10 vezes maior do que , podemos simplificar a frmula:
+1
VTH - VBE
IE =
RE
Para se conseguir uma boa estabilidade no circuito utiliza-se a regra 10:1, o que
eqivale dizer que:
RTH 0,1RE
Apresentamos a seguir algumas regras prticas para a elaborao de um projeto

de polarizao por divisor de tenso na base:
VE = 0,1VCC
VCE = 0,5VCC
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VRC = 0,4VCC
RC = 4RE
RBB = 0,1RE
RBB . VCC VCC

RB1 = ou RB1 = RBB .
VBB VBB
RB1 . RBB RBB

RB2 = ou RB2 =
RB1 - RBB VBB
1-
VCC
Clculo das correntes de emissor, base e coletor
Em funo de
IE
IB = - ICBO IE = ( + 1)IB + ( + 1)ICBO
( + 1)
IC = IB + ( + 1)ICBO onde: ( + 1)ICBO = ICEO
Em funo de :
Partindo da equao ( II ) da pgina 6 desta apostila:
IC = IE + ICBO
Temos: IE = IC + IB
Logo: IC = (IC + IB) + ICBO
Portanto: IC = IC + IB + ICBO
Resolvendo: IC - IC = IB + ICBO
Colocando IC em evidncia resulta:
IC (1 - ) = IB + ICBO
Portanto:
IB ICBO
IC = +
1- 1-
Correntes de Fuga no Transistor:

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____________________________________________________________
Existem trs situaes distintas para o transistor: coletor aberto; emissor aberto e
base aberta.
IEBO: a corrente entre base e emissor com o coletor aberto. No normal

termos esta situao, uma vez que a juno base-emissor de um transistor
sempre polarizada diretamente.
ICEO: Esta corrente ao contrrio da anterior, tem um elevado significado. Trata-se

da corrente entre coletor e emissor com a base aberta.
ICEO = ( + 1)ICBO
Basicamente determina a amplificao de um circuito, conforme ser visto mais

adiante.
ICBO: Varia com a temperatura, sendo de grande importncia, uma vez que, para
cada 10C de aumento de temperatura, essa corrente dobra. a corrente entre
coletor e base, com o emissor aberto.
Exerccios Resolvidos sobre Polarizao:
1- Dado o circuito abaixo, polarizar o transistor na regio ativa, determinando o

valor dos resistores e as correntes.
DADOS:
= 100
IC = 3mA
VBE = 0,7V
Soluo:
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____________________________________________________________
Adotando VE = 0,1VCC, VCE = 0,5VCC e VRC = 0,4VCC, temos:

VE = VRE = 1,2V
VCE = 6V
VRC = 4,8V
Clculo de IB
IC 3mA
Como = 100, podemos fazer IC = IE, logo: IB = = = 30A
100
Clculo de RE
VRE 1,2V
RE = = = 400
IE 3mA
Clculo de RBB
RBB = 0,1.400 = 4k
Clculo de VBB
VBB = RBBIB + VBE + VRE = 4.000.(30.10-6) + 0,7 +1,2 = 0,12 + 0,7 + 1,2
VBB = 2,02V
Clculo de RC
VRC 4,8V
RC = = = 1,6k (equivalente a 4RE)
IC 3mA
Clculo de R1
RBB . VCC 4.000 . (12) 48.000

R1 = = = = 23.762
VBB 2,02 2,02
Clculo de R2
R1 . RBB (23.762).(4.000) 95.048

R2 = = = = 4.817
R1 - RBB 23.762 - 4.000 19.762
Podemos tambm calcular R2 da seguinte forma:
RBB 4.000 4.000 4.000

R2 = = = = = 4.809 4.817
VBB 2,02 1 - 0,1683 0,8317
1- 1-
VCC 12
2 - Dado o circuito a seguir, calcule: , ICEO, IC, IB, RC e RB.

____________________________________________________________ 26
DADOS:
I = 4mA
____________________________________________________________
Clculo de
0,92
= = = 11,5
1 - 1 - 0,92
Clculo de ICEO
ICEO = ( + 1)ICBO = 12,5.(6A) = 75A
Clculo de IC
IC = IE + ICBO = 0,92.(4mA) = 3,68mA + 75A = 3,755mA
Clculo de IB
IB = IE - IC = 4mA - 3,755mA = 245A
Clculo de RC
VRC
RC = VRC = VCC - VCE - VRE (onde VRE = 0,1VCC)
IC
VRC = 12 - 5 - 1,2 = 5,8V
5,8V
RC = = 1.54k (1.544,6)
3,755mA
Clculo de RE
VRE 1,2
RE = = = 300
IE 4mA
Clculo de RB
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____________________________________________________________
VRB
RB = VRB = VCC - VBE - VRE VRB = 12 - 0,55 - 1,2 = 10,25V
IB
10,25V
RB = = 41,84k (41.836,7)
245A
3 - No seguidor de emissor a seguir, calcule todas as tenses e correntes de

polarizao, considerando = 40.
Clculo de IB
Clculo de IE
IE = ( + 1).IB = (41) 68,75A = 2,82mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - REIE = VCC - VRE = 15 - (2,7k. 2,82mA) = 15 - 7,61V = 7,3V
4 - Calcule as correntes e as tenses de polarizao no circuito a seguir:

Considere = 100.
____________________________________________________________ 28
____________________________________________________________
Clculo de IB
Clculo de IC
IC = IB = 100.(19,32A) = 1,932mA
Clculo de VCE
VCE = VCC - RCIC = 15 - (4k7 . 1,932mA) = 15 - 9,08 = 5,91V
5 - Calcule IC, IB, RC e RB no circuito abaixo.
Equaes bsicas
____________________________________________________________ 29
____________________________________________________________
( I ) VCC - VRC - VCE - VRE = 0

VRC = RCIC e VRE = REIE, temos:
( II ) VCC = RCIC + VCE + REIE
Clculo de IC
IC
= , logo: IC = 6A . 200 = 1,2mA
IB
Clculo de IE
IE = IC + IB = 1,2mA + 6A = 1,206mA 1,2mA
Quando > 100, podemos considerar IC = IE
Clculo de RC
Utilizando a equao ( II )
15 = (RC . 1,2mA) + 8 + (150 . 1,2mA) 15 = (RC . 1,2mA) + 8 + 0,18
15 = (RC . 1,2mA) + 8,18
15 - 8,18
RC = = 5,68k (5.683,3)
1,2mA
Clculo de RB
VRB = VCB + VRC

RBIB = VCB + RCIC como: VCE = VCB + VBE, ento: VCB = 8 - 0,6 = 7,4V
Desta forma: RB . (6A) = 7,4 + (5,68k . 1,2mA) = 7,4 + 6,816 = 14,216V
14,216V
RB = = 2,37M (2.369.333,33)
6A
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____________________________________________________________
Reta de Carga
Podemos determinar o ponto de operao de um transistor atravs da reta de
carga, definindo em um projeto ou aplicao os parmetros de tenso e corrente.
Esse mtodo grfico somente pode ser aplicado se tivermos disponvel a curva
caracterstica do transistor, fornecida pelo fabricante.
A vantagem da utilizao do mtodo grfico a rapidez na anlise dos pontos de

operao de um transistor.
Neste captulo abordaremos apenas reta de carga para CC; reta de carga para
CA ser abordada posteriormente.
Entende-se como ponto de operao, um determinado ponto em que o transistor

opera na ausncia de sinal, podendo esse ponto ser escolhido ao longo da reta
de carga, se quisermos que ele opere na regio linear, regio de corte ou regio
de saturao.
Este ponto denominado "ponto quiescente" ou simplesmente "Q".

Tomemos como exemplo o circuito a seguir na montagem em emissor comum,
onde a curva caracterstica do transistor mostrada ao lado.
Observe as reas sombreadas, que representam as regies de corte e de

saturao.
Para determinarmos a reta de carga, necessitamos de dois pontos. Atravs da
equao VCC = (RE. IE) +(R .IC ) + VCE, obtemos:
1 ponto: para IC = 0, temos VCC = VCE = 25V

____________________________________________________________ 31
____________________________________________________________
VCC 25V
2 ponto: para VCE = 0, temos IC = = = 20mA
RC + RE 1,25k
Procedimento:
Traa-se ento a reta de carga unindo os dois pontos.
Para que o transistor opere na regio linear, o ponto Q dever ser o ponto mdio
da reta de carga. No nosso exemplo o ponto mdio (bem aproximado) coincidiu
com a corrente de base equivalente a 30A.
A partir da ento podemos determinar a corrente de coletor e a tenso entre

coletor e emissor:
ICQ = 11,25mA
VCEQ = 11V
IBQ = 30A
Podemos ento calcular o e aplicar LKT para determinar a tenso nos

resistores:
IC 11,25mA
= = = 375
IB 30A
Partindo da equao: VCC = VRC + VCE + VRE
VRC = (11,25mA).1k = 11,25V

VRE = (11,25mA).250 = 2,812V
Ento: VCC = 11,25 + 11 + 2,812 = 25,062V 25V
____________________________________________________________ 32
____________________________________________________________
Se na mesma curva selecionarmos um ponto Quiescente (Q1) mais prximo da

regio de saturao, por exemplo IB = 45A, teremos um aumento da corrente de
coletor e uma diminuio de VCE; para um ponto Quiescente (Q2) mais prximo da
regio de corte, por exemplo IB = 10A, teremos uma diminuio da corrente de
coletor e um aumento de VCE, conforme ilustra a figura abaixo:
CONCLUSES:
1. Quando um transistor opera na regio de saturao ou bem prxima dela, a
tenso entre coletor e emissor (VCE) tende a zero, pois aumenta
consideravelmente a corrente de coletor.
2. Quando um transistor opera na regio de corte ou bem prxima dela, a tenso
entre coletor e emissor (VCE) tende a se igualar a VCC, pois a corrente de
coletor tende a zero.
A tenso de saturao tpica para um transistor de silcio da ordem de 150 a

250mV.
Podemos ento aplicar LKT referente aos pontos Q1 e Q2, e constatar a variao
de ao longo da reta de carga.
Para Q1:
IC 18mA
= = = 400
IB 45A
VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(18mA) + 2,6 + 250.(18mA)

VCC = 18 + 2,6 + 4,5 = 25,1V 25V
____________________________________________________________ 33
____________________________________________________________
Para Q2:
IC 2,5mA
= = = 250
IB 10A
VCC = VRC + VCE + VRE = 1k.(2,5mA) + 22 + 250.(2,5mA)

VCC = 2,5 + 22 + 0,625 = 25,125V 25V
A reta de carga pode ser tambm obtida para uma configurao base comum ou
emissor comum, seguindo o mesmo processo. Apresentaremos um exemplo de
uma reta de carga para uma montagem em base comum.
Como no caso anterior, devemos determinar dois pontos para traar a reta de
carga.
1 ponto:
Quando IC = 0, temos VCB = VCE = VCC.
Observe que o eixo da tenso est calibrado em VCB.
Quando IC = 0, VBE = 0, como VCB = VCE - VBE, logo VCB = VCE - 0

Portanto, VCB = 25V
2 ponto:
VCC 25V
Para VCE = 0, temos: IC = = = 25mA
RC 1k
____________________________________________________________ 34
____________________________________________________________
Neste caso RE o circuito de entrada da configurao base comum, sendo ento

desconsiderado para calcular um dos pontos da reta de carga.
Podemos ento aplicar LKT no circuito em funo dos dados obtidos no grfico.
Como trata-se de uma configurao base-comum, existem duas malhas definidas:
uma para o circuito de entrada (base-emissor) e outra para o circuito de sada
(base-coletor). Veja a figura abaixo:
Onde: VRC = RCIC = 1k.(12mA) = 12V

VRE = REIE = 2k.(12,2mA) = 24,4V
Desta forma: VCE = VCB + VBE = 13 + 0,6 = 13,6V

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____________________________________________________________
____________________________________________________________ 36
____________________________________________________________
Transistor como Chave Eletrnica.

a forma mais simples de operao de um transistor, pois ao longo da reta de
carga so definidos apenas dois pontos: corte e saturao e, portanto, podemos
dizer que quando um transistor est saturado, comporta-se como uma chave
eletrnica fechada e quando est em corte, como uma chave eletrnica aberta.
Para que efetivamente o transistor opere como uma chave eletrnica, preciso
garantir sua saturao para qualquer tipo de transistor, sob todas as condies de
funcionamento; variao da temperatura, correntes, , etc.
Na prtica, ao projetar uma chave eletrnica com transistor, utiliza-se a corrente
de base da ordem de 1/10 da corrente de coletor no extremo superior da reta de
carga, conforme mostra a figura abaixo:
O valor de 20mA foi escolhido na curva caracterstica e portanto, a corrente de

base ser 1/20mA = 2mA.
OBS: Na elaborao do projeto, deve-se tomar o cuidado de no ultrapassar os
valores mximos especificados pelo fabricante, como corrente de coletor, corrente
de base, tenso entre coletor e emissor, potncia de dissipao, etc.
Estamos considerando o valor de 20mA plenamente compatvel com nosso
exemplo de projeto.
Podemos ento definir os valores de RC e RB
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____________________________________________________________
VRB VCC - VBE 12 - 0,7 11,3V

RB = = = = = 5,65k
IB IB 2mA 2mA
Considerando VCE de saturao = 0, teremos:
Vcc 12
Rc = = = 600
Ic 0,02
Para levar o transistor ao corte, basta abrir Sw, pois com isso, IB = 0.
Admitamos que queiramos no mesmo circuito controlar um led.
Deveremos ento recalcular o valor de RC.
Supondo que a tenso no led seja de 1,6V (valor tpico), ento:
Vcc Vled 12 1,6 10,4

Rc = = = = 520
Ic 20mA 0,02
OBS: importante observar se o led suporta a corrente do projeto.

Um outro exemplo de transistor usado como chave mostrado abaixo.
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Um sinal cuja forma de onda quadrada e amplitude que varia de 0 a 5V

aplicado na entrada.
No instante 1, com 0V na entrada o transistor entra em corte, operando como uma

chave aberta e teremos na sada 15V (VCC); no instante 2, com 5V na entrada o
transistor entra em saturao, operando como uma chave fechada e portanto,
teremos na sada 0V.
O prximo passo verificar se os valores adotados para RC e RB garantem a

saturao do transistor, ou seja, IB deve ser da ordem de 1/10 de IC.
5V - 0,7V
IB = = 0,915mA
4,7 k
15V
IC = = 10mA
1,5k
Portanto, a relao vlida (10/0,915 = 10,9), garantindo a saturao
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____________________________________________________________
Transistor como Fonte de Corrente.

Consiste em tornar a tenso de emissor fixa, resultando assim em uma corrente
de emissor fixa.
Pelo fato da tenso VBE ser fixa (da ordem de 0,7V), VE seguir as variaes da
tenso de entrada (VBB), isto , se a tenso de entrada aumentar de 6V para 10V,
a tenso VE (nos extremos de RE) variar de 5,3V para 9,3V.
Ao contrrio do transistor como chave eletrnica, o ponto de operao situa-se na
regio ativa ao longo da reta de carga.
A identificao entre um circuito com transistor operando como chave eletrnica e

como fonte de corrente fcil; quando opera como chave eletrnica, o emissor
aterrado e existe um resistor na base, ao passo que, como fonte de corrente o
emissor aterrado atravs de um resistor, no havendo resistor na base.
Quando desejamos acionar um led, o ideal faz-lo atravs de uma fonte de

corrente, principalmente quando o valor de VCC baixo, levando-se em conta a
queda de tenso no led da ordem de 1,5 a 2,5V.
A ilustrao abaixo mostra as diferenas entre uma chave eletrnica e uma fonte
de corrente.
Para entender melhor o que foi acima exposto, vamos considerar um transistor
operando como fonte de corrente.
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Devemos ento estabelecer um valor ideal de RE para nosso projeto.

Vamos supor:
VBB (tenso de entrada) = +5V
VCC = +12V
IC = 5mA (um ponto mdio da reta de carga dentro da regio ativa)
Determinar:
As tenses em RC para os valores de 10 e 1000
O valor de VCE nas duas condies
Determinando RE
Considerando IC = IE, temos:
VBB - VBE VRE 5V - 0,7V 4,3V

RE = = = = = 860
IE IE 5mA 5mA
Lembrar que VBB - VBE = VRE = VE

A tenso de 4,3V ficar fixa, fixando tambm a corrente do emissor, para uma
grande gama de valores de RC, desde que o transistor opere dentro da regio
ativa.
Calculando VRC
Levando-se em conta que a tenso do emissor est amarrada em 4,3V ento,
para os dois casos IC = 5mA (estamos admitindo IE = IC).
Para RC = 10 VRC = 10.(5mA) = 0,05V

Para RC = 1,0k VRC = 1k.(5mA) = 5V
Para satisfazer a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, a tenso VCE que variar,
assim sendo temos:
Para RC = 10
VCE = 12 - 0,05 - 4,3 = 7,65V
Para RC = 1k
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____________________________________________________________
VCE = 12 - 5 - 4,3 = 2,7V
CONCLUSES:
A corrente de coletor manteve-se constante para uma variao muito grande de

RC (100 vezes).
Mesmo com RC = 0 a corrente de emissor se manter em 5mA. No entanto, se RC

assumir valores mais elevados, suponhamos 4k, teramos teoricamente VRC =
20V, o que invalidaria a equao VCC - VRC - VCE - VRE = 0, em outras palavras,
para satisfazer a dita equao, IC teria que assumir valores menores. Deve-se
portanto evitar trabalhar com valores de RC que propiciem uma tenso VCE muito
prxima da regio de saturao.
O valor da corrente de coletor no depende do valor de , isto , ao substituir o

transistor por outro de diferente, a corrente de coletor permanecer
praticamente igual.
Quanto maior for RE (respeitando-se as caractersticas do projeto), mais estvel

torna-se a corrente de coletor.
Quando o valor de VCC for relativamente baixo (por exemplo 5V) o acionamento
de leds mais eficaz com uma fonte de corrente, pois para leds de cores,
tamanhos e fabricantes diferentes (a tenso pode variar de 1,5V a 2,5V), a
corrente ser praticamente constante no prejudicando a luminosidade.
Para fixar melhor o conceito referente ao transistor operando como fonte de

corrente vamos admitir uma situao conforme ilustra a figura abaixo.
Os leds L-1 e L-2 necessitam de uma corrente de 15mA para obter uma
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____________________________________________________________
luminosidade ideal. No entanto L-1 proporciona uma queda de 1,5V enquanto que
L-2 uma queda de 2,5V. Poder o led 2 ter sua luminosidade diminuda por
necessitar de mais tenso?
Soluo:
A primeira impresso de que realmente o led 2 ter sua luminosidade diminuda,

pois em comparao ao led 1 necessita de mais tenso em seus terminais.
No entanto como os leds esto sendo acionados por uma fonte de corrente tal
no acontecer, conforme ser mostrado nos clculos a seguir:
Fixando a corrente de emissor:
Se ambos os leds necessitam de 15mA para o brilho ideal ento basta fixar a
corrente de emissor em 15mA, dimensionando o valor de RE.
VBB - VBE 3V - 0,7V

RE = = = 153,333 (onde VBB - VBE = VRE)
IE 15mA
Adotaremos ento RE = 150
Para o led 1: VCE = 6 - Vled - VRE = 6 - 1,5 - 2,3 = 2,2V

Para o led 2: VCE = 6 - Vled - VRE = 6 - 2,5 - 2,3 = 1,2V
Desta forma, a luminosidade do led 2 no ser diminuda.
A figura a seguir mostra que a corrente nos leds permanece constante, embora as
tenses sejam diferentes.
Reta de carga de L-1

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1 ponto:
VCC - Vled 6V - 1,5V
IC = = = 30mA
RE 150
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 1,5 = 4,5V
Reta de carga de L-2

1 ponto:
VCC - Vled 6V - 2,5V
IC = = = 23,3mA
RE 150
2 ponto:
VCE = VCC - Vled = 6 - 2,5 = 3,5V
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____________________________________________________________
Regulador Srie.
O regulador srie na realidade uma fonte de alimentao regulada mais
sofisticada em relao aos reguladores que utilizam apenas diodo zener.
O diodo zener atua apenas como elemento de referncia enquanto que o

transistor o elemento regulador ou de controle. Observa-se que o transistor est
em srie com a carga, da o nome regulador srie.
Funcionamento:
A tenso de sada estar disponvel na carga (VL), ento: VL = VZ - VBE

Como VZ >> VBE podemos aproximar: VL = VZ
Sendo VZ constante, a tenso no ponto "x" ser constante
Caso VIN aumente podemos analisar o que acontece aplicando LKT:
VIN = VR + VZ, mas VR = VCB, logo: VIN = VCB + VZ
VCE = VCB + VBE
Portanto, quando VIN aumenta, como VZ constante, VCB tambm aumentar

provocando um aumento de VCE, de modo a suprir a variao na entrada,
mantendo VL constante.
VL = VIN - VCE
Ento: se VIN aumenta VCE aumenta VL no se altera
Caso VIN diminua podemos analisar o que acontece aplicando LKT, obedecendo
os mesmos princpios adotados anteriormente. Neste caso VCB diminui.
Com a diminuio de VIN VCE diminui VL no se altera
Limitaes:
Valores mnimos e mximos de VIN como
VIN = VR + VZ e VR = R.IR mas IR = IZ + IB
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____________________________________________________________
Ento:
VIN = R(IZ + IB) + VZ
Para VIN mnima temos: VIN(MIN) = R(I Z(MIN) + IB(MAX))
Portanto, abaixo do valor mnimo de entrada o diodo zener perder suas

caractersticas de estabilizao.
Para VIN mxima temos: VIN(MAX) = R(I Z(MAX) + IB(MIN))
Acima do valor mximo de entrada o diodo zener perder tambm suas

caractersticas de estabilizao e ser danificado.
Condies para um Projeto:
Alguns parmetros devem ser observados para que o circuito opere em condies
normais sem danificar seus componentes.
Tenso de entrada mxima:
VIN(MAX) = (IB(MIN) + IZ(MAX)).R + VZ ( I )
Na pior condio RL = (carga aberta), logo IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = R.(IZ(MAX)) + VZ
PZ(MAX)
Onde: IZ(MAX) =
VZ
Tenso de entrada mnima:
VIN(MIN) = (IB(MAX) + IZ(MIN)).R + VZ ( II )
VIN(MAX) - VZ
De ( I ) tiramos: IZ(MAX) = ( III)
R
VIN(MIN) - VZ
De ( II ) tiramos: IZ(MIN) + IB(MAX) = ( IV )
R
Dividindo ( III ) e ( IV ) temos:
IZ(MAX) VIN(MAX) - VZ
=
IZ(MIN) + IB(MAX) VIN(MIN) - VZ
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Projeto
Projetar uma fonte de alimentao estabilizada com diodo zener e transistor com
as seguintes caractersticas:
Tenso de sada (VL): 6V
Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Escolha do transistor
O transistor a ser utilizado dever obedecer as seguintes caractersticas:
VCBO > VIN(MAX) no caso 13,2V

IC(MAX) 6> IL(MAX) no caso 1,5A
PC(MAX) 7> (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
Supondo que o transistor escolhido seja o BD235, que de acordo com o manual
do fabricante tem as especificaes:
VCBO(MAX) = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
40 > < 250
Neste caso, o valor mnimo de beta 40 e o mximo 250. Para que o projeto
funcione sem problemas adota-se o beta de menor valor. O transistor escolhido
atende as exigncias quanto a VCBO(MAX) e IC(MAX). No entanto preciso verificar se
a potncia que ser dissipada pelo coletor ser suficiente para este projeto.
Verificando a potncia que ser dissipada pelo coletor:
PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = logo: IC(MAX) = IL(MAX) -
( MIN) ( MIN)
IL(MAX) 1,5 1,5 1,5

IC(MAX) = = = = = 1,46A
1+ 1 1 1 + 0,025 1,025
( MIN ) 1+
40
PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,46A = 10,5W
6
IC(MAX) a mxima corrente que o coletor pode suportar
7
PC(MAX) a mxima potncia de dissipao do coletor
____________________________________________________________ 47
____________________________________________________________
O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a

dissipao de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada
pelo fabricante. Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador
adequado para evitar sobreaquecimento do transistor.
Escolha do diodo zener:
Levando-se em conta que VL = VZ - VBE e que VBE 0,7V, se adotarmos um diodo

zener com tenso nominal de 6V, ento na carga teremos 5,3V. O ideal ento
adotar um diodo zener com 6,7V, porm este valor no comercial. O valor
comercial mais prximo encontrado o BYXC6V8, que tem uma tenso nominal
de 6,8V e PZ(MAX) igual a 500mW com IZ(MIN) = 8mA.
0,5W
PZ(MAX) = = 73,53mA
6,8V
Teremos ento na carga 6,1V, valor este, perfeitamente aceitvel.
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IB(MAX))
VIN(MIN) - VZ
IC(MAX) 1,46A
IB(MAX) = = = 36,5mA
( MIN) 40
13,2V - 6,8V
IZ(MAX) = . (8mA + 36,5mA )
10,8V - 6,8V
6,4V
IZ(MAX) = . 44,5mA = 71,2mA
4V
Como PZ(MAX) terico = 73,53mA e IZ(MAX) = 71,2mA o diodo zener escolhido pode
ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada:
VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
____________________________________________________________ 48
____________________________________________________________
VIN(MAX) - VZ 13,2V - 6,8V 6,4V

R= = = = 87,04
IZ( MAX) 73,53mA 73,53mA
Para a mnima tenso de entrada:
VIN(MIN) = 10,8V
VIN(MIN) - VZ 10,8V - 6V 4V
R= = = = 89,89
IB(MAX) + IZ(MIN) 36,5mA + 8mA 44,5mA
Portanto R dever ser maior do que 87,04 e menor do que 89,89. Adotaremos
o valor comercial mais prximo: 91
Potncia dissipada pelo resistor:
E2 (VIN(MAX) - VZ) 2 (13,2V - 6V) 2 (6,8V) 2

P= P= = = = 0,508W
R R 91 91
Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 1W
____________________________________________________________ 49
____________________________________________________________
Regulador Paralelo
A exemplo do regulador srie, o transistor atua como elemento de controle e o
zener como elemento de referncia.
Como a carga fica em paralelo com o transistor, da a denominao regulador
paralelo, cujo circuito mostrado abaixo.
A anlise do seu funcionamento segue basicamente os mesmos princpios do

regulador srie, no que diz respeito aos parmetros do transistor e do diodo
zener.
Funcionamento:
VZ = VCB como VZ constante, VCB ser constante
VCE = VCB + VBE, mas VCB >> VBE
logo: VCE = VCB, onde VCE = VZ
Ao variar a tenso de entrada dentro de certos limites, como VZ fixa, variar

VBE variando a corrente IB e consequentemente IC. Em outras palavras, variando-
se a tenso de entrada ocorrer uma atuao na corrente de base a qual controla
a corrente de coletor.
Neste caso, VCE tende a permanecer constante desde que IZ no assuma valores
menores que IZ(MIN) e maiores que IZ(MAX).
Os parmetros para o projeto de em regulador paralelo so essencialmente: VIN,
VL e IL(MAX).
Tenso de entrada mxima:

Na pior condio RL = IL = 0
VIN(MAX) = R1.(IL(MAX) + IC(MAX)) + VZ + VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE
= IZ(MAX) + IC(MAX) ( I )
R1
Tenso de entrada mnima:

VIN(MIN) = R1.(IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + VZ + VBE
____________________________________________________________ 50
____________________________________________________________
VIN(MIN) - VZ - VBE
= IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) ( II )
R1
Dividindo ( I ) e ( II ), temos:
IZ(MAX) + IC(MAX) VIN(MAX) - VZ - VBE

=
IZ(MIN) + IC ( MIN) + IL(MAX) VIN(MIN) - VZ - VBE
Isolando IZ(MAX):
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (IZ(MIN + IC(MIN) + IL(MAX)) - IC(MAX) ( III )
VIN(MIN) - VZ - VBE
OBS: IC(MIN) a corrente de coletor para uma tenso de entrada mnima. Em

muitos projetos a mesma pode ser desprezada por no ter influncia
significativa no resultado final.
Corrente em R2:
IC(MIN)
IR2 = IZ(MIN) - IB(MIN), onde IB(MIN) =
( MIN)
IC(MIN)
Portanto: IR2 = IZ(MIN) - ( IV )
( MIN)
Quando a tenso de entrada for mxima e a carga estiver aberta (pior condio),
um acrscimo de corrente circular pelo diodo zener. Como VBE praticamente
constante, essa corrente circular pela base do transistor, da ento teremos:
IC(MAX) = ( MIN ) . IB(MAX)

IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2 ( V )
IB(MAX) = IZ(MAX) - IR2
Substituindo ( V ) em ( III ), temos:
VIN(MAX) - VZ - VBE
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) - (MIN).(IZ(MAX) - IR2
VIN(MIN) - VZ - VBE
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN) + 1
Escolha do transistor:
Devero ser observados os parmetros:
VCEO 8 > (VZ + VBE)
IC(MAX) > IL(MAX)
8
VCEO a tenso entre coletor e emissor com a base aberta
____________________________________________________________ 51
____________________________________________________________
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)

Os parmetros so idnticos aos adotados no regulador srie.
PROJETO
Projetar um regulador paralelo , com as seguintes caractersticas:
VL = 15V
IC(MAX) = 600mA
VIN = 22V 10%
Escolha do transistor:
O transistor dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO > (VCE + VVBE)
Ic(MAX) > IL(MAX)
PC(MAX) > (VZ + VBE) . IC(MAX)
Adotaremos o transistor 2N3534, que tem as caractersticas:

VCEO = 35V
IC(MAX) = 3A
PC(MAX) = 35W
(mnimo = 40; mximo = 120)

O diodo zener escolhido foi o BZXC1C15, que tem as caractersticas:
PZ(MAX) = 1,3W
IZ(MIN) = 20mA
VZ = 15V
PZ(MAX) 1,3W
IZ(MAX) = = = 86,67mA
VZ 15V
Verificando se o diodo zener escolhido pode ser utilizado:
VIN(MAX) - VZ - VBE 1
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX)) + ( MIN ) . IR2 .
VIN(MIN) - VZ - VBE ( MIN) + 1
IC(MIN)
Desprezando IC(MIN) ICMIN) = 0, ento como IR2 = IZ(MIN) - , IR2 = 20mA
( MIN)
24,2V - 15V - 0,7V 1

IZ(MAX) = . (20mA + 0 + 600mA) + 40.(20mA) .
19,8V - 15V - 0,7V 41
8,5V
IZ(MAX) = . (620mA + 800mA) . 0,0244 = (2,073 . 1,42).0,0244 = 71,83mA
4,1V
IZ(MAX) = 71,83mA (o zener pode escolhido compatvel)

____________________________________________________________ 52
____________________________________________________________
Calculando IC(MAX):
IC(MAX) = (MIN) . (IZ(MAX) - IR2)
IC(MAX) = 40 . (71,83mA - 20mA)
IC(MAX) = 40 . 51,83mA = 2,073A
IC(MAX) = 2,073A (o transistor compatvel quando a IC(MAX))
Calculando PC(MAX):
PC(MAX) = (VZ + VBE) . IC(MAX) = 15,07 . 2,073 = 31,24W
PC(MAX) = 31,24W
O transistor escolhido atender as necessidades do projeto quanto a dissipao

de potncia, por estar abaixo da potncia mxima especificada pelo fabricante.
Torna-se necessrio entretanto o uso de um dissipador adequado para evitar
sobreaquecimento do transistor.
Calculando R2:
VR2 = R2.IR2 VR2 = VBE
VBE 0,7V
R2 = = = 35 (adotar 33)
20mA 20mA
PR2 =
(ER2 )2 = (0,7 )2 =
0,49V
= 14,85mW
R2 33 33
Calculando R1:
VIN(MIN) - VZ - VBE 19,8V - 15V - 0,7V 4,1V
R1 = = = = 6,613
IZ(MIN) + IC(MIN) + IL(MAX) 20mA + 600mA 620mA
OBS: IC(MIN) = 0
VIN(MAX) - VZ - VBE 24,2V - 15V - 0,7V 8,5V

R1 = = = = 3,94
IZ(MAX) + IC(MAX) 86,67mA + 2,073A 2,16
R1 dever ser maior do que 3,94 e menor do que 6,613

3,94 < R1 < 6,61
R1 adotado = 5,6 (valor comercial)
Potncia dissipada por R1:
PR1 =
(VR1) 2 (VIN(MAX) - VZ - VBE ) 2 (24,2V - 15V - 0,7V ) 2 (8,5V ) 2
= = = = 12,9W
R1 5,6 5,6 5,6
(adotar 15W - valor comercial)
____________________________________________________________ 53
____________________________________________________________
Regulador com Amplificador de Erro

O regulador com amplificador de erro torna o circuito mais sensvel s variaes
da tenso de entrada, ou variaes da corrente de carga, atravs da introduo
de um transistor junto ao elemento de referncia.
A figura a seguir ilustra esse tipo de regulador, onde os elementos que compem
o circuito tem as seguintes funes:
Diodo Zener: utilizado como elemento de referncia de tenso;
Transistor T1: o elemento de controle, que ir controlar a tenso de sada a

partir de uma tenso de correo a ele enviada atravs de um circuito
comparador;
Transistor T2: basicamente um comparador de tenso DC, isto , compara

duas tenses, VR2 e VR3, sendo a tenso VR3 fixa (denominada tambm tenso
de referncia), cuja finalidade controlar a tenso de polarizao do circuito
de controle. Qualquer diferena de tenso entre os dois resistores ir fornecer
sada do comparador uma tenso de referncia que ser aplicada ao circuito
de controle.
Funcionamento:
Quando houver uma variao da tenso de entrada, a tendncia ocorrer uma
variao da tenso de sada.
Supondo que VIN aumente, a tenso nos extremos de RL tender a aumentar,

aumentando a tenso VR2 e VR3, mas, como a tenso no emissor de T2 fixada
por VZ, ento um aumento de tenso no ponto "x" provocar um aumento de VBE2,
que aumentar IB2 e consequentemente IC2.
Quando IC2 aumenta, haver um aumento da tenso em R1 (VR1), uma vez que a
tenso do emissor de T2 fixada pela tenso de zener (VZ).
____________________________________________________________ 54
____________________________________________________________
Como VBE1 fixa, ento um aumento de VR1 provocar um aumento de VCE1.
Lembrar que VR1 = VCB1 e que VCB1 + VBE1 = VCE1.
Um aumento de IC2 provocar tambm um discreto aumento na corrente de base

de T1 (IB1).
IC2 = IR1 - IB1
IR1 = IC2 + IB1
Formulrio:
Considerando a tenso de entrada mxima
VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX) + IB1(MIN))
mas, IZ(MAX) >> IB1(MIN), logo:
VIN(MAX) = VL + VBE1(MIN) + R1.(IZ(MAX))
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) = (I)
R1
Considerando a tenso de entrada mnima
VIN(MIN) = VL + VBE1(MAX) + R1.(IZ(MIN) + IB1(MAX))
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) + IB(MAX) =
R1
IL(MAX)
mas, IB(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) temos ento:
1( MIN )
IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)

IZ(MIN) + = ( II )
1( MIN ) R1
dividindo ( I ) e ( II )
IZ(MAX) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)

=
IL(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)
IZ(MIN) +
1( MIN )
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IL(MAX)

IZ(MAX) = . IZ(MIN) + ( III )
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) 1( MIN )
____________________________________________________________ 55
____________________________________________________________
Clculo de R1
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)

R1 > R1 <
IZ(MAX) IL(MAX)
IZ(MIN) +
1( MIN )
A potncia desenvolvida em R1 no pior caso dada por:
VR1 = VIN(MAX) - (VL + VBE1(MIN))
PR1 =
[(VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2
R1 (adotado)
Clculo de R2
Adota-se uma regra prtica, onde: IR2 = 0,1.IC2
VL - VZ - VBE2(MAX)
Quando IC2 = IZ(MIN) R2 <
0,1.IZ(MIN)
VL - VZ - VBE2(MIN)
Quando IC2 = IZ(MAX) R2 >
0,1.IZ(MAX)
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)
IZ(MAX) =
R1 (adotado)
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) IL(MAX)

IZ(MIN) = - IB1(MAX) IB1(MAX) =
R1 (adotado) 1( MIN )
Clculo de potncia dissipada em R2
VR2 = VL - VZ - VBE2(MIN)
(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
PR2 =
R2 (adotado)
Clculo de R3
R3
VR3 = VL . VR3.(R3 + R2) = VL.R3
R3 + R2
VR3.R2 + VR3.R3 = VL.R3 VR3.R2 = VL.R3 - VR3.R3

VR3.R2 = R3.(VL - VR3)
VR3 . R2
R3 = (R2 adotado no clculo anterior)
VL - VR3
____________________________________________________________ 56
____________________________________________________________
Clculo de potncia em R3
Em R3 temos: VR3 = VZ + VBE2(MAX)
(VZ + VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)
PROJETO
Projetar uma fonte regulada com amplificador de erro, usando dois transistores e
um diodo zener de referncia, que obedea as caractersticas:
VIN = 25V 10%

IL(MAX) = 800mA
Tenso na carga (VL) = 12V
Teremos: VIN(MAX) = 25 + 2,5 = 27,5V VIN(MIN) = 25 - 2,5 = 22,5V
Escolha de T1:
O transistor T1 dever ter as seguintes caractersticas:
IC(MAX) > IL(MAX) = 0,8A
VCEO > VIN(MAX) - VL = 27,5 - 12 = 15,5V
PC(MAX) > (VIN(MAX) - VL).IL(MAX) = (27,5V - 12V).800mA = 12,4W
O transistor escolhido foi o BD233 que tem os seguintes parmetros:

VCEO = 45V
IC(MAX) = 2A
PC(MAX) = 25W
(MIN) = 40 (MAX) = 250

Podemos escolher uma tenso de referncia. Adotamos como tenso de
referncia para nosso projeto VZ aproximadamente 0,5VL. No entanto, outro valor
pode ser escolhido.
Para este projeto, optou-se pelo diodo zener BZX87-C5V1, que tem os
parmetros:
IZ(MIN) = 50mA
VZ = 5,1V
PZ(MAX) = 1,3W
Devemos verificar se o zener escolhido adequado ao projeto:

PZ(MAX) 1,3W
IZ(MAX) = = = 255mA
VZ 5,1V
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) IL(MAX)

IZ(MAX) = . IZ(MIN) +
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) 1( MIN )
Adotando para este projeto VBE1(MIN) = 0,6V e para VBE1(MAX) = 0,7V

____________________________________________________________ 57
____________________________________________________________
27,5V - 12V - 0,6V 800mA

IZ(MAX) = . 50mA +
22,5V - 12V - 0,7V 40
14,9V
IZ(MAX) = . 70mA = 106,43mA
9,8V
Portanto, o diodo escolhido poder ser usado.
Escolha de T2:
O transistor T2 dever ter as seguintes caractersticas:
VCEO > (VL + VBE2(MIN) - VZ) = (12V + 0,6V) - 5,1V = 12,6V - 5,1V = 7,5V
IC(MAX) > IZ(MAX) = 255mA
PC(MAX) > [(VL + VBE1(MIN)) - VZ] . IZ(MAX)
PC(MAX) > [(12V + 0,6V) - 5,1V] . 255mA = 1,912W
Para o transistor T2 tambm foram adotados os valores de 0,6V e 0,7V para

VBE2(MIN) e VBE2(MAX) respectivamente.
O transistor escolhido foi o BD135 que tem as seguintes caractersticas:
VCEO = 45V
IC(MAX) = 1A
PC(MAX) = 8W
(MIN) = 40 (MAX) = 250
Clculo de R1:
VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN) 27,5V - 12V - 0,6V 14,9V
R1 > = = = 58,4
IZ(MAX) 255mA 255mA
VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX) 22,5V - 12V - 0,7V 9,8V

R1 < = = = 140
IL(MAX) 800mA 70mA
IZ(MIN) + 50mA +
1( MIN ) 40
58,4 < R1 < 140 valor adotado: 100
Calculando a potncia desenvolvida em R1:
PR1 =
[(VIN(MAX) - (VL + VBE(MIN) )] 2 =
(27,5V - 12,6V) 2 (14,9V) 2
= = 2,22W
R1 (adotado) 100 100
(Adotar 5W)
Clculo de R2:
VL - VZ - VBE2(MIN) VIN(MAX) - VL - VBE1(MIN)

R2 > IZ(MAX) =
0,1.IZ(MAX) R1 (adotado)
27,5V - 12V - 0,6V

IZ(MAX) = = 149mA
100
____________________________________________________________ 58
____________________________________________________________
12V - 5,1V - 0,6V 6,3V

R2 > = = 422,82
14,9mA 14,9mA
VL - VZ - VBE2(MAX) VIN(MIN) - VL - VBE1(MAX)

R2 < IZ(MIN) = - IB1(MAX)
0,1.IZ(MIN) R1 (adotado)
22,5V - 12V - 0,7V 800mA

IZ(MIN) = - = 98mA - 20mA = 78mA
100 40
12V - 5,1V - 0,7V 6,2V

R2 < = = 794,87
7,8mA 7,8mA
422,82 < R2 < 794,87 adotar 560

(VL - VZ - VBE2(MIN)) 2
PR2 =
R2 (adotado)
(12V - 5,1V - 0,6V) 2 (6,3V )2

PR2 = = = 70,88mW
560 560
Clculo de R3:
VR3 . R2 5,7V . (560) 3.192
R3 = = = = 506,67 adotar 470
VL - VR3 12V - 5,7V 6,3
Onde: VR3 = VZ + VBE2(MIN)

(VZ + VBE2(MAX) ) 2
PR3 =
R3 (adotado)
(5,1V + 0,7V) 2 (5,8) 2

PR3 = = = 71,57mW
470 470
____________________________________________________________ 59
____________________________________________________________
Configurao Darlington
A configurao Darlington
consiste na ligao entre dois
transistores na configurao
seguidor de emissor, ligados em
cascata, conforme ilustra a
figura ao lado, proporcionando
em relao a um nico transistor
um ganho de corrente bastante
elevado.
O ganho total de tenso
aproximadamente igual a 1.
Se 1 = 2 = 100, teremos: IC1 = IE1 e IC2 = IE2
O ganho total (T) ser dado por: 1 . 2 = 100.100 = 10.000
Assim, IC2 = T . IB1
A tenso entre base e emissor dada por: VBE = VBE1 + VBE2

Por se tratar da configurao emissor comum, assume valor bastante elevado de
impedncia de entrada e valor bastante baixo de impedncia de sada, em
relao a um transistor comum. A configurao Darlington normalmente
encontrada em um nico invlucro, como por exemplo os transistores BD262 e
BD263, com polaridades pnp e npn respectivamente.
PROJETO DE UM REGULADOR SRIE COM TRANSISTOR

DARLINGTON
Reprojetar o regulador srie da pgina 34, utilizando transistor Darlington;

proceder uma anlise do projeto comparando-o ao projeto anterior e apresentar
concluses.
Caractersticas do regulador:
Tenso de sada (VL): 6V

Corrente de sada mxima (IL(MAX)): 1,5A
Tenso de entrada (VIN): 12V 10%
Para este projeto foi escolhido o transistor BD263, cujas caractersticas so:
____________________________________________________________ 60
____________________________________________________________
VCBO = 80V
IC(MAX) = 4A
PC(MAX) = 36W
(MIN) = 500 (MAX) = 1.000
Neste caso, VBE maior. Vamos considerar para este projeto, VBE = 1,4V
Desta forma, o diodo zener dever ter uma tenso: 6V + 1,4V = 7,4V.
O valor comercial mais prximo de 7,5V.
O diodo zener escolhido foi oBZX75C7V5, cujas caractersticas so:
VZ = 7,5V
PZ(MAX) = 400mW
IZ(MIN) = 10mA
0,4W
IZ(MAX) = = 53,33mA
7,5V
Verificando a escolha do transistor:

PC(MAX) = (VIN(MAX) - VL) . IC(MAX)
IC(MAX) = IE(MAX) - IB(MAX)
IE(MAX) = IL(MAX) IC(MAX) = IL(MAX) - IB(MAX)
IC(MAX) IC(MAX)
IB(MAX) = logo: IC(MAX) = IL(MAX) -
( MIN) ( MIN)
IL(MAX) 1,5 1,5 1,5

IC(MAX) = = = = = 1,497A
1+ 1 1 1 + 0,002 1,002
( MIN ) 1+
500
PC(MAX) = (13,2V - 6V) . 1,497A = 10,78W
O transistor escolhido poder ser utilizado, no entanto, aconselhvel a utilizao

de um dissipador de calor para evitar o sobreaquecimento do transistor.
Verificando a escolha do zener:
VIN(MAX) - VZ
IZ(MAX) = . (IZ(MIN) + IB(MAX))
VIN(MIN) - VZ
IC(MAX) 1,497A
IB(MAX) = = = 2,994mA
( MIN) 500
13,2V - 7,5V
IZ(MAX) = . (10mA + 2,994mA )
10,8V - 7,5V
____________________________________________________________ 61
____________________________________________________________
5,7V
IZ(MAX) = . 12,994mA = 22,44mA
3,3V
Como PZ(MAX) terico = 53,33mA e IZ(MAX) = 22,44mA o diodo zener escolhido pode
ser utilizado.
Clculo de R:
Para a mxima de tenso de entrada: VIN(MAX) = 13,2V
VIN(MAX) = R.(IB(MIN) + IZ(MAX)) + VZ
Na pior condio: RL = IB(MIN) = 0
VIN(MAX) = (R . IZ(MAX)) + VZ
VIN(MAX) - VZ 13,2V - 7,5V 5,7V

R= = = = 106,88
IZ( MAX ) 53,33mA 53,33mA
Para a mnima tenso de entrada: VIN(MIN) = 10,8V
VIN(MIN) - VZ 10,8V - 7,5V 3,3V

R= = = = 253,96
IB(MAX) + IZ(MIN) 2,994mA + 10mA 12,994mA
Portanto R dever ser maior do que 106,88 e menor do que 253,96.

Adotaremos o valor comercial mais prximo a partir de uma mdia aritmtica dos
dois valores, que neste caso 180.
Potncia dissipada pelo resistor:
E2 (VIN(MAX) - VZ) 2 (13,2V - 7,5V) 2 (5,7V) 2

P= P= = = = 180,5mW
R R 180 180
Podemos adotar um valor comercial mais prximo: 250mW (1/4W).
Comparaes:
Parmetros Projeto com transistor comum Projeto com transistor

Darlington
R1 91 180
PR1 508mW 180,5mW
IC(MAX) 1,46A 1,497A
PC(MAX) 10,5W 10,78W
IZ(MAX) terico 73,53mA 53,33mA
IZ(MAX) prtico 71,2mA 22,44mA
VZ 6,8V 7,5V
IB(MAX) 36,5mA 2,994mA
Dos parmetros acima apresentados, a concluso mais importante que com o

____________________________________________________________ 62
____________________________________________________________
transistor Darlington controla-se uma corrente de carga com uma corrente de

base bem menor. Isto se explica pelo fato de que o ganho de corrente no
transistor Darlington bem maior.
____________________________________________________________ 63
____________________________________________________________
Pr Amplificadores
Aps o transistor ter sido polarizado com ponto Q prximo da metade da linha de
carga podemos acoplar um sinal ca base , isto produz flutuao na corrente de
coletor de mesma forma de freqncia .
Por exemplo , se for acoplado um sinal ca de 1Khz base , teremos no coletor

um sinal de 1Khz com a amplitude da onda aumentada.
O amplificador que mantm a forma de onda chamado de linear ou de alta -
fidelidade .
As setas apontam para os capacitores de acoplamento e desacoplamento (

desvio ) , que so responsveis pela isolao do sinal ca ser amplificado da
tenso de polarizao do transistor.
Capacitores de Acoplamento e Desacoplamento

Um capacitor de acoplamento possibilita a passagem do sinal ca para dentro do
estagio amplificador . Para que isso acontea a reatncia capacitiva precisa ser
muito pequena comparada com a resistncia total do circuito.
R = Rth + RL
O valor do capacitor de acoplamento depende da freqncia mais baixa que se

vai acoplar. A reatncia capacitiva deve ser menor ou igual a um dcimo da
resistncia total em srie .
XC=0.1R
Exemplo ; projetando um estgio amplificador a transistor na faixa de audio ,

20Hz 20KHz , com resistncia total em srie de 10K , ento a XC deve ser
igual 1k na freqncia mais baixa ou seja 20hz .
1
XC =
2fc
Tirando o valor de C:
1
c= = 7.96F
2fXc
____________________________________________________________ 64
____________________________________________________________
Esta capacitncia necessria para um acoplamento quase ideal .Na pratica

poderamos usar 10F , o valor padro seguinte mais alto , garantindo um
acoplamento estabilizados para todas freqncias acima de 20Hz
Capacitores de Desacoplamento
Um capacitor de desacoplamento semelhante a um de acoplamento , exceto

que ele acopla um ponto desaterrado um ponto aterrado . A reatncia
apresentada deve ser um dcimo da resistncia total do circuito no considerando
o resistncia de carga.
O capacitor se comporta como um curto para o sinal ca colocando o emissor em
potencial terra , quando se refere ao sinal ca , o capacitor no perturba tenso
cc ,pois se apresenta como uma chave aberta.
Para se manter a notao cc diferente da notao ca de uso comum empregar
letras maisculas para cc e minsculas para ca .
CC
IE - IC - IB - para correntes em cc .
VE - VC - VB - para tenses cc ao terra .
VBE - VCE - VCB - para tenses entre terminais .
CA
ic - ie - ib - para correntes em ca
ve - vc - vb - para tenses ca ao terra.
Vbe - vce - vbe - para tenses ca entre terminais .
Tambm comum usar o sinal negativo para indicar dois sinais senoidais que
esto defasados de 180
Exemplo:
V sada = -V ent.
Resistncia CA do Emissor.
A fig. Acima mostra a curva do diodo relacionando IE e VBE , na ausncia de um

sinal ca , o transistor funciona no ponto Q. Quando um sinal ca aciona o transistor
entretanto a corrente e a tenso do emissor variam . Se o sinal for pequeno , o
ponto de operao oscilar senoidalmente de Q , ou seja um pico positivo no
ponto A e um negativo no B e de volta ao Q , assim o ciclo se repete.
____________________________________________________________ 65
____________________________________________________________
Se o sinal for pequeno os pontos A e B sero prximos de Q , e a operao ser

linear , ou seja o arco de A e B praticamente uma linha reta .Por isso as
variaes de tenso e corrente so proporcionais .No que se refere a ca , o diodo
aparece como se fosse uma resistncia dada por :
vbe
r' e =
IE
Exemplo: se vbe= 10 mv e ie=0.4 mA , ento:
10 3
r' e = = 25
0. 4 3
Neste caso o diodo base emissor substitudo pela resistncia ca do emissor.

Como re a razo entre a variao de vbe e de ie , o seu valor depende do
ponto Q. quando mais alto na curva estiver o ponto Q menor se torna re , porque
a mesma variao na tenso base - emissor produz uma variao maior na
corrente do emissor. Torna se vivel usar para vbe em ca uma tenso constante
de 25 mv originando que :
25mV
r' e =
IE
Exemplo : se o ponto Q tiver IE=1 mA , temos :
0.025
r' e = = 25
0.001
Ou para o ponto Q mais alto com IE= 5mA.
0.025
r' e = = 5
0.005
OBS: re uma quantidade ca cujo valor depende de uma quantidade cc ( IE ) ,

isto quer dizer que o ponto Q determina o valor de re.
Beta CA
____________________________________________________________ 66
____________________________________________________________
A figura mostra um grfico tpico de IC versus IB . cc razo entre IC e IB . Como

o grfico no linear ,cc depende da localizao do ponto Q.
O beta ca , uma quantidade de pequeno sinal que depende da localizao do
ponto Q. O beta ca definido da seguinte forma:
ic
=
ib
Graficamente , o beta a inclinao da curva no ponto Q . Por esta razo , ele

tem valores diferentes em diferentes posies de Q.
Amplificador em Emissor Comum.

A fig. abaixo mostra um amplificador EC . Como o emissor derivado para o terra
tambm chamado de amplificador com emissor aterrado, isto significa que o
emissor esta ligado ao terra ca , no ao terra cc .A aplicao de pequena onda
senoidal base , produz variaes na corrente de base . Por causa do beta a
corrente do coletor uma onda senoidal amplificada de mesma freqncia . Esta
corrente senoidal do coletor flui atravs da resistncia de coletor e produz uma
tenso de sada amplificada.
Devido a flutuao ca na corrente de coletor , a tenso de sada oscila

senoidalmente acima e abaixo da tenso quiescente .Durante o semi-ciclo
positivo da tenso de entrada , a corrente de base aumenta , fazendo crescer a
corrente de coletor . Isto produz uma queda de tenso maior atravs da
resistncia de coletor , portanto a tenso de coletor diminui originando o primeiro
semi-ciclo negativo na sada .Reciprocamente ,no semi-ciclo negativo da tenso
de entrada , flui uma corrente menor no coletor , e a queda tenso no resistor de
coletor diminui , por esta razo a tenso do coletor ao terra aumenta , originando
o semi-ciclo positivo na sada .Com isso a tenso de sada esta defasada de180
da tenso de entrada.
____________________________________________________________ 67
____________________________________________________________
Ponto de Vista da Linha de Carga.
O grfico da linha de carga ca o ponto Q . A tenso de entrada produz variaes

na corrente de base, resultando em variaes senoidais em torno do ponto Q.
Para operaes com pequeno sinais a oscilao de pico a pico na corrente de
coletor deve ser menos de dez por cento da corrente quiescente do coletor .( isto
mantm a distoro abaixo dos nveis aceitveis ).
Para os sinais grandes o ponto de operao oscila mais adiante ao longo da linha
de carga . Se o sinal for grande demais o transistor entra em corte e saturao .
Isto ceifa os picos negativos e positivos do sinal .Em algumas aplicaes
podemos querer o ceifamento , mais com amplificadores lineares o transistor
deve funcionar na regio ativa em todos os instantes ou seja nunca atingir a
saturao e o corte durante o ciclo.
Ganho de Tenso
O ganho de tenso de um amplificador a razo entre a tenso ca de sada e a
tenso ca de entrada
Vsaida
AV =
Vent
Exemplo : se medirmos uma tenso de sada de 250mv e uma tenso de entrada
de 2.5mv temos :
250 3
AV = = 100
2,5 3
Ao analisar defeitos , e bom ter idia de que teve ser o ganho de tenso . Aqui
esta como deduzir formulas para o ganho de tenso . substitua a circuito pelo seu
circuito equivalente ca , isto significa pr em curto a fonte de alimentao , e todos
os capacitores .A figura ( a ) abaixo mostra o circuito ca equivalente do ltimo
circuito apresentado .A resistncia de coletor esta aterrado porque o ponto de
alimentao aparece como um curto em ca .Da mesma forma o resistor R1 agora
esta aterrado , de modo que ele aparece em paralelo com o resistor R2 e com o
diodo emissor. Por causa do circuito paralelo ao lado da entrada , a tenso de
entrada aparece diretamente atravs do diodo emissor . Portanto podemos
visualizar o circuito equivalente ca como o mostrado na figura ( b).
____________________________________________________________ 68
____________________________________________________________
A lei de ohm nos diz que a corrente do emissor :
Vent
ie =
r' e
Pelo fato de IC ser aproximadamente igual a IE.

ie ic
Esta corrente ca do coletor flui atravs do resistor de coletor produzindo uma

tenso de sada de :
Vsada = ie.Rc
Como ie = Vent / re a equao torna-se :
v ent .Rc
Vsada =
r' e
Arranjando os termos para obter o ganho de tenso temos:
Vsada Rc
AV = =
Vent r' e
O ganho de tenso a razo entre a resistncia do coletor e a resistncia ca do

emissor. Isto quer dizer que voc pode calcular rapidamente o ganho aproximado
de tenso do amplificador de emissor comum .
A seguir voc pode medir a tenso de sada e entrada e comparar o resultado real
do ganho com ganho terico .
Exemplo: se RC = 4.7k e re = 25 , ento o ganho de tenso ser :
Av = 4700 / 25 = - 188.
Ou seja ,uma tenso na base de 1mv produz uma tenso de sada de 188mv ( as
tenses pode ser rms , de pico ou de pico a pico desde que as entradas e sadas
sejam consistentes . )
____________________________________________________________ 69
____________________________________________________________
Impedncia de Entrada
A fonte ca que aciona um amplificador , tem que fornecer a corrente alternada ao
amplificador . Geralmente quanto menos corrente o amplificador consome da
fonte melhor .A impedncia de entrada de um amplificador determina a
quantidade de corrente que ser retirado da fonte ca. Na faixa de freqncia
normal de um amplificador onde os capacitores de acoplamento e
desacoplamento se comportam como curto em ca e todas outras reatncias so
desprezveis , a impedncia ca de entrada definida assim :
Vent
Z ent =
i ent
Olhando para um amplificador de emissor aterrado , a fonte ca v os resistores de

polarizao em paralelo com o diodo emissor .A corrente convencional (i1) passa
por R1 , ( i2 ) passa por R2 e Ib pela base . A impedncia que olha diretamente
para a base simbolizada por Z ent( base) , e dada por :
Vent
Z ent ( base ) =
ib
A lei de ohm nos diz que :
Vent = i e .r ' e
Como ie = ic e ic= ib , esta equao torna-se :
____________________________________________________________ 70
____________________________________________________________
Vent = .ib .r ' e
Simplificando
.ib .r ' e
Z ent ( base ) = = .r ' e
ib
Esta impedncia de entrada olha somente para a base do transistor , ela no

inclui os efeitos dos resistores de polarizao . Ento a impedncia de entrada
que olha para a base de um amplificador com o emissor aterrado igual ao ganho
de corrente ca vezes a resistncia ca do emissor .
Porque a impedncia de entrada de base no igual a re ?
A fonte ca olha para base e tem que fornecer corrente somente para a base
Dentro do transistor , a corrente do coletor soma-se com a corrente de base ,
produzindo a corrente de emissor atravs de re . Pelo fato da corrente de base
ser vezes menor que a corrente de emissor , a impedncia de entrada de base
vezes maior do que re .
A impedncia total de entrada incluindo os resistores de polarizao ser :
Z ent = R1// R2 // .r ' e
A fonte ca v o circuito paralelo formado por R1,R2 e re .
Impedncia de Sada
Faamos agora uma coisa interessante no lado da sada do amplificador . Vamos
theveniza-lo , a tenso thevenim que aparece na sada :
Vsada = A.Vent
A impedncia thevenim a associao paralela de RC e da impedncia interna

da fonte de corrente do coletor , que se pode considerar ideal , portanto ela tem
uma impedncia interna infinita . Assim a impedncia thevenim :
Z sada = Rc
Exemplo: calcule VB,IE,VC, re , Av .Zent(base) ,Zent e Vsada do circuito abaixo
____________________________________________________________ 71
____________________________________________________________
No circuito acima aparece duas coisas novas , a fonte ca tem uma impedncia de
1k. Portanto parte do sinal da fonte sofre uma queda atravs desta resistncia
antes de alcanar a base . Do lado da sada o capacitor acopla o sinal ca uma
resistncia de carga de 1.5k. Isto poderia produzir algum efeito na carga , coma
resultado , esperamos que o sinal de sada seja mais baixo .
Calculando VB.
VB = R1 / R1+R2 x Vcc = 2200 / 12200 x 10 = 1.8V.
Calculo de IE
IE = VE / RE
VE : ser igual a tenso de base menos o VBE tpico do transistor assim:
VE = VB - VBE = 1.8 - 0.7 = 1.1 V
IE = 1.1/1000 = 1.1mA
Calculo de VC ( usando a lei de Kirchhoff )

VC = VCC - VRC
Onde : VRC = IC RC = 1.1-3 3.6+3 = 3.6V
VC = 10 - 3.6 = 6.04V
Calculo de re .
Usando o sinal de entrada ca e a corrente cc do emissor temos :
re = 25-3 / 1.1-3 = 22.7
Calculo do ganho de tenso

Av = RC / re = 3600 / 22.7 =-159
Calculo da Zent (base)

Zent(base) = re = 150. 22.7 = 3.4k
Calculo de Zent.
Zent = R1 \\ R2 \\ re = 10+3 \\ 2.2+3 \\ 3.4+3 = 1.18k
Depois de conhecermos a impedncia de entrada o circuito inicial pode ser

representado da seguinte forma:
____________________________________________________________ 72
____________________________________________________________
O calculo da tenso de entrada com resistncia interna da fonte ca . temos dois

divisores de tenso .O divisor de tenso de entrada reduz o sinal na base .
Vent = Zent / RF +Zent x Ve == 1.18+3 / 2.18+3 x 1-3 =0.541mv
Calculo da tenso de sada

Vsada = A . Vent = -159 . 0.541 = -86mv
Esta a sada sem carga
Calculo da tenso de sada com carga .

Vsada (carga) =RL / RL+RC x Vsada ( sem carga)
Vsada (carga) = 1.5+3 / 5.1+3 x -86-3 =-25mv

Ou seja a sada tem uma tenso de pico de 25mv , e o ganho real de tenso de
Av = 25-3 / 1-3=25
AMPLIFICADOR LINEARIZADO
A quantidade re idealmente igual a 25mv/IE . Como foi evidenciado

anteriormente , o valor real de re depende da temperatura e do tipo da juno .
Por isso o re de um transistor pode variar ao longo de uma faixa para diferentes
temperaturas e transistores . Qualquer variao no valor de re variar o ganho
da tenso no amplificador com emissor comum ,Em algumas aplicaes ,
aceitvel uma variao no ganho de tenso do amplificador . Por exemplo , num
rdio , podemos compensar o ganho ajustando o controle de volume. Mas h
muitas aplicaes que precisa de um ganho o mais estvel possvel .
Muitos projetistas inseri um resistor rE em srie com o emissor , como mostra a

fig. abaixo . Agora o emissor no mais esta no potencial terra ca .Por isso ,a
corrente ca do emissor flui atravs do rE e produz uma tenso ca no emissor .
Quando rE for muitas vezes maior que re , praticamente todo sinal ca aparecer
no emissor , colocando de outra forma quando rE for bem maior que re ,o
emissor estar amarrado base tanto em ca quanto em cc.
____________________________________________________________ 73
____________________________________________________________
Pelo fato d rE estar em srie com re , a resistncia total rE + re .A entrada ca

aparece atravs dessa resistncia e produz uma corrente ca no emissor de :
ie = Vent / rE + re
Linearizar parcialmente o diodo emissor significa fazer rE muito maior do que re .
O ganho passa a ser igual :

A = RC / rE + re.
O resistor rE chamado de resistor de linearizao . Quando colocado reduz o

ganho de tenso , mais por razo de ser muitas vezes maior que re , as
variaes em re tem menos efeito sobre o ganho de tenso .
exemplo : suponha que re aumente de 25 a 50 ao longo de uma faixa de
temperatura , RC = 10k e Re = 510 ,
O ganho mximo de tenso ser :

Av = 10000 / 510+25 = -18.7
O ganho mnimo ser :

Av = 10000 / 510+50 = -17.9
A diminuio do ganho de tenso menor que 5% mesmo que re aumente

100%. O baixo ganho de tenso o preo da estabilizao , pois o mesmo
amplificador sem o resistor de linearizao , apresenta os seguintes ganhos:
Ganho mximo de tenso :

Av = 10000 / 25 = -400
Ganho mnimo de tenso

Av = 10000 / 50 = -200
Ou seja o ganho de tenso varia de proporcional a re.

Uma outra vantagem da linearizao do diodo emissor reduo da distoro .
a no linearidade do diodo emissor que produz a distoro em amplificadores de
grande sinal. Com re = 25-3/IE qualquer variao significativa em IE , produz uma
variao perceptvel em re .
OBS- Num amplificador linearizado , o emissor esta amarrado base para ca

como para cc .Por isso a tenso cc do emissor esta dentro de 0.7v da tenso cc
da base , e a tenso ca do emissor aproximadamente igual a tenso ca de base
A extremidade inferior do re deve estar no terra ca , um problema comum o
capacitor de derivao aberto , isto diminui o ganho de tenso porque Re se soma
com re , produzindo um amplificador superlinearizado com um ganho muito
pequeno .
A impedncia de entrada passa a ser :

Zent = R1 \\ R2 \\ rE + re.
____________________________________________________________ 74
____________________________________________________________
____________________________________________________________ 75
____________________________________________________________
Amplificador de Potncia Classe A e B

Todo amplificador v duas cargas, uma carga CC e outra CA . Por isso
Todo amplificador possui duas linhas de carga. O amplificador abaixo fig. A tem
seu eqivalente CC na fig. B. Assim podemos deduzir a linha de carga da fig. C .
Quando o sinal aciona o transistor os capacitores aparecem como curto e as
resistncias da fonte e da carga vista pelo transistor so diferentes
rB = RS // R1 // R2
E a resistncia de carga vista pelo coletor :
rC= RC // RL
A fig. D mostra o circuito equivalente C.A , quando nenhum sinal estiver presente,
o transistor funciona no ponto Q . Quando houver presena de sinal , o ponto de
funcionamento oscila ao longo da linha de carga C.A e no pela linha de carga
CC.
Por conveno chama se de ICG a corrente Quiescente do coletor e de VCEQ a
tenso Quiescente ao coletor-emissor.
____________________________________________________________ 76
____________________________________________________________
Saturao e Corte C. A
Os pontos de saturao e de corte na linha de carga C .A so deferentes dos

pontos da linha de carga CC , fig. C . Observando a fig.D , podemos somar as
tenses C A ao longo da malha de coletor para obter:
Assim:
v ce + i c .rc = 0
Compliance CA de Sada
A linha de carga CA consiste num recurso visual para melhor compreenso do
funcionamento em grandes sinais , durante o semiciclo positivo da tenso da
fonte. A tenso de coletor oscila do ponto Q at a saturao .
No semiciclo negativo , a tenso de coletor oscila do ponto Q at o corte.
Para um sinal CA suficientemente grande , o ceifamento pode ocorrer mun ou nos
dois picos do sinal .
A compliance CA de sada a tenso CA mxima de pico a pico no ceifada que
um amplificador pode produzir.
A compliance CA de sada simbolizada por PP , uma notao que lembra esse

valor a tenso mxima no ceifada de pico a pico. Assim
____________________________________________________________ 77
____________________________________________________________
Operao Classe A
Define-se que o transistor opera na regio ativa em todos os instantes , isto
implica que a corrente de coletor flua durante 360 do ciclo CA.
Ganho de Tenso com Carga
rc
Av =
r' e
Esta formula alternativa para o ganho de tenso , nos permite calcular os efeitos
de RL , sem thevenizar o circuito de sada .Ex:
Rc=10k , RL= 30K e re=50.
10k // 30k
Av = = 150
50
Ganho de Corrente
a razo entre a corrente CA do coletor a a corrente CA de base.
ic
Ai =
ib
Entretanto na maioria dos circuitos , voc pode usar seguinte aproximao com
erro desprezivel.
Ai
Ganho de Potncia.
A potncia CA de entrada :
Pent, = v ent .ib
A potncia de sada :
Psaida = v sada .i c
Assim a razo dessas potncias chamado de ganho de Potncia :
Potncia na Carga.
____________________________________________________________ 78
____________________________________________________________
A carga em um amplificador pode ser um alto falante , um motor ,ou qualquer

outro dispositivo.
(Usar esta formula quando as medidas forem feitas com um multmetro)
v L2
PL =
RL
( Usar esta formula quando as medidas forem feitas com um osciloscpio)
2
v PP
PL =
8R L
Operao Classe B
Determina que a corrente do coletor flui durante 180 do ciclo CA , isto implica que
o ponto Q se situe aproximadamente no corte , para as duas linhas de carga.
Assim a operao classe B , exige maiores trabalhos e menor dissipao de
potncia.
Circuito PUSH-PULL
Quando um transistor opera em classe B , ele corta um semiciclo . para evitar a
distoro resultante coloca se dois transistor em um arranjo chamado push-pull.
Isto quer dizer que um conduz durante o semiciclo positivo e o outro durante o
semiciclo negativo. Observe o circuito:
____________________________________________________________ 79
____________________________________________________________
Na figura B o projetista determina os resistores de polarizao para situarem o

ponto Q no corte . Isto polariza o diodo emissor de cada transistor entre 0.6 e
0.7V. Pelo fato dos resistores de polarizao serem iguais , cada diodo emissor
polarizado com a mesma tenso. Resultando que a metade da tenso de
alimentao fique sobre cada transistor.
Formulas para Analise CA.
Linha de carga CA
vcc
v ceQ =
2
v ceQ
Ic sat = i cQ +
r' e
Vce corte = v ceQ + i cQ .r ' e
No circuito push-pull
vcc
ic sat =
2R L
vcc
Vce corte =
2
Ganho de tenso com carga.

RL
Av =
RL + r' e
Impedncia de entrada com carga.
Z ent ( base ) .(R L + r ' e)
Impedncia de sada
r' e
Z sada r ' e +

Ganho de Potncia
A P = A V .A I
____________________________________________________________ 80
____________________________________________________________
Polarizao de um Amplificador classe B
Situar o ponto que prximo do corte , no tarefa fcil, para isso usa se alguns
circuitos de polarizao, sendo o mais usado , a polarizao por diodos.
A idia de usar diodos compensadores para fornecer a tenso de polarizao
aos diodos emissores.
Para que isso funcione, as curvas dos diodos devem se casar com as curvas de
VBE dos transistores.
Espelho de Corrente
A corrente de base muito menor do que a corrente atravs do resistor e do
diodo. Por esta razo , as correntes dos resistores e dos diodos so
aproximadamente iguais .Como a corrente do coletor praticamente igual a
corrente do emissor.
IC IR
Este resultado muito importante , quer dizer que podemos estabelecer IC

controlando IR .
A polarizao por diodo , de um seguidor de emissor push-pull classe B , conta
com dois espelhos de corrente. A metade superior um espelho de corrente NPN
e a metade inferior um espelho de corrente PNP.
O exemplo abaixo representa um circuito completo de amplificador sendo :
Amplificador de pequenos sinais ( Q1)
Amplificador classe A para grandes sinais ( Q2)
Amplificador classe B tipo PUSH-PULL ( Q3 e Q4)
____________________________________________________________ 81
____________________________________________________________
____________________________________________________________ 82
____________________________________________________________
Referncias Bibliogrficas
FIGINI, Gianfranco ; Eletrnica Industrial ; Circuitos e aplicaes; So Paulo
Hemus-1983.
MALLEY , John OMalley ; Analise de Circuitos; So Paulo

Makron books - 1993
MALVINO, Albert Paul ; Eletrnica ;So Paulo

McGraw- Hill, 1987
____________________________________________________________ 83

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Centro de Formao Profissional Aloysio Ribeiro de Almeida

Diretor Regional do SENAI e

Gerente de Educao e Tecnologia

Centro de Formao Profissional Aloysio Ribeiro de Almeida

REPRESENTAO DE TENSES E CORRENTES ......................................................................16

CURVAS CARACTERSTICAS: ......................................................................................................18

RETA DE CARGA ............................................................................................................................31

TRANSISTOR COMO CHAVE ELETRNICA. ...............................................................................37

TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE. .............................................................................40

REGULADOR SRIE. ......................................................................................................................45

REGULADOR PARALELO ..............................................................................................................50

REGULADOR COM AMPLIFICADOR DE ERRO ...........................................................................54

CONFIGURAO DARLINGTON ...................................................................................................60

AMPLIFICADOR DE POTNCIA CLASSE A E B.........................................................................76

REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS ................................................................................................83

Muda a forma de trabalhar, agir, sentir, pensar na chamada sociedade do

O ingresso na sociedade da informao exige mudanas profundas em todos os

O SENAI, maior rede privada de educao profissional do pas,sabe disso , e

Vivemos numa sociedade da informao. O conhecimento , na sua rea

Isto porque, nos embates dirios,instrutores e alunos , nas diversas oficinas e

Gerncia de Educao e Tecnologia

As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de

Transistor npn com

Transistor pnp com

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.

Juno Diretamente Polarizada:

Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com a

Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios do

Juno Reversamente Polarizada:

Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de

A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente

IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES MINORITRIOS)

Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um

Na figura acima observa-se que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO)

OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de

A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.

A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma

Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores

A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende

Exemplo: Qual a corrente de coletor de um transistor com = 0,95, sabendo-se

IC = 0,95 . 2mA = 1,9mA

Caso ICBO no seja desprezada, a corrente de coletor dada por:

Substituindo ( I ) em ( II ), podemos calcular a corrente de base:

A relao / (1 - ) representada por (beta)3.

Podemos ento estabelecer as relaes:

b) Um transistor possui um fator = 100. Qual o fator ?

Podemos ento estabelecer uma relao entre e .4

Ganho de corrente (Gi): < 1

Ganho de corrente (Gi): elevado

Ganho de corrente (Gi): elevado

As configuraes emissor comum, base comum e coletor comum, so tambm

Representao de Tenses e Correntes

Na figura abaixo temos um outro exemplo utilizando essas representaes;

Para as tenses VRC (tenso no resistor de coletor) e VRE ( tenso no resistor de

Polarizao com uma nica Bateria:

Temos visto at agora a polarizao de transistores utilizando duas baterias,

Aplicando-se LKT, podemos obter vrias equaes:

1. VCC - VRC - VCE - VRE = 0

Aplicando-se LKC no ponto X, temos:

De acordo com as necessidades do projeto essas regies de operao devem ser

A seguir so mostradas algumas curvas caractersticas, apenas como fim

Curva Caracterstica para Montagem em Emissor Comum:

A figura abaixo mostra a curva caracterstica para emissor comum semelhante a