Você está na página 1de 8

1

CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA


UNIDADE DE ENSINO SUPERIOR
PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM ENGENHARIA
ELTRICA
DOUGLAS OLIVEIRA DA SILVA

TRABALHO:
IMPLEMENTAO COMPUTACIONAL DO MTODO DO
POTENCIAL CONSTANTE

BELO HORIZONTE
Dezembro de 2017
1

1. O arranjo de aterramento consiste de um eletrodo horizontal de 10 m, raio 1 cm,


enterrado a 0,5 m de profundidade em um solo de = 100 m, conforme
indicado na Fig. 1. Considere a discretizao desse eletrodo de aterramento em
N elementos de mesmo comprimento L. Determine a equao de Rij,
resistncia mtua entre os elementos i e j, considerando um sistema de
coordenadas cartesianas. Para fins de padronizao, considere o sistema de
eixos indicado na Fig. 1.

z
Campo
i'
Eltrico
E
h
r'

#
V=0 h

r
i j
xi xj x

Figura 1-Representao de um eletrodo horizontal de aterramento.

Se considerarmos um eletrodo horizontal enterrado, este pode ser dividido em


elementos fontes i, e elementos de observao j.

Para que se obtenham as condies de contorno do problema, com a interface


equipotencial com potencial igual a zero e o campo eltrico tangente ao solo como
mostrada na Figura 1, basta se adicionar uma carga fonte de mesmo sinal a uma altura
igual a profundidade que o eletrodo foi enterrado.

Considerando que cada elemento I dispersa uma corrente igual a mostrada na


Equao (1), e que cada um desses elementos podem ser considerados uma distribuio
contnua de cargas pontuais que causam um potencial em cada ponto de observao do
elemento j, como mostrado na Equao (2).

(1)
=

2

1 1 1
= (2)
4

Dessa forma, pode-se observar as distncias na Figura 1, e considerando-se


separadmente os efeitos da carga fonte de sua imagem, tem-se que o raio das cargas
fontes so dados pela Equao (3), enquanto o raio para a carga imagem dado pela
Equao (4).

Observa-se que na Equao (3) utiliza-se um artifcio de se somar o raio do


eletrodo para que no se obtenham descontinuidades.

= +
(3)

= + (2)
(4)

Assim, basta substituir os raios e os devidos diferencias na Equao (2) obtendo


a tenso provocada pela fonte na Equao (5) e por sua imagem na Equao (6).

=
(5)

=
( ) (6)

Para obter o valor da resistncia mtua , deve-se somar os efeitos de fonte e


imagem e dividir pela corrente total . Resultando na Equao (7).

= + (7)
( )

2. Implemente um cdigo em MATLAB para montagem da matriz de resistncias R. Na


discretizao do sistema de aterramento, adote o comprimento dos elementos igual a L =
3

20 x raio = 20 cm. Para clculo dos elementos da diagonal principal de R, acoplamentos


prprios, utilize a equao = ln 1 .
Para determinao dos elementos fora da diagonal principal, acoplamentos mtuos, calcule
as integrais resultantes numericamente (implemente algum cdigo prprio ou utilize alguma
funo nativa do MATLAB).

O programa encontra-se no Anexo A, e tambm, foi enviado por email na extenso


nativa do Matlab.

3. Determine a resistncia de aterramento do arranjo.

A resistncia de aterramento foi de 13,46.

4. Considerando Imalha = 1 kA, determine a distribuio de potenciais no nvel do solo ao


longo de uma reta paralela ao eletrodo horizontal que vai de ( 10 m, 0, 0) at (+20 m, 0, 0).
Descreva de forma fisicamente consistente o resultado obtido.

eletrodo imagem

eletrodo real
h

Interface Ar-solo
#
h
eletrodo real

eletrodo real

Figura 2-Configurao do potencial no solo.

A tenso em qualquer ponto por cada um dos elementos no solo, seja provocado
pelo eletrodo real ou imagem, , dado pela Equao (8).

( / ) 1
=
4 (8)
+

Esse o efeito de cada elemento correspondente ao eletrodo aterrado dividido


por uma razo = 20. .

Para se obter o efeito em cada ponto do solo, basta somar os efeitos do eletrodo
real e fonte e ainda, somar os efeitos de todos os elementos nesse ponto. Seguindo esses
passos obtm-se a distribuio de potenciais como mostrado na Figura 3.
4

Essa Figura 3, foi formada pelo programa em Matlab mostrado no Anexo B, e,


tambm enviado por email em extenso nativa do Matlab.

Observa-se o aumento do potencial em pontos paralelos ao eletrodo de


aterramento. Verifica-se nas extremidades do eletrodo uma atenuao desse efeito.

Se considerado a elevao de potencial na haste de aterramento, observa-se um


valor menor na elevao do potencial no nvel do solo. Isto, devido a poro de solo
existente entre o eletrodo de aterramento e o solo que impedem a transferncia direta
desse potencial.

10000

9000

8000

7000

6000

5000

4000

3000

2000

1000
-10 -5 0 5 10 15 20
x(m)

Figura 3-Distribuio dos potencias no nvel do solo.


5

ANEXO A

% clear all
% clc

rho=100;%resistividade do solo (ohms*m)


L=10;%comprimento do eletrodo (m)
raio=1e-2;%raio do eletrodo (m)
h=0.5;%profundidade do eletrodo

delta=20*raio; %comprimento dos ns


% N=L/delta; %nmero de ns

%LEITURA DO ARQUIVO CONTENDO OS DADOS DO ARRANJO DO ATERRAMENTO


arq = fopen('dados2.m','r');
controle = 0;
cont_elementos=1;

if arq>0 %Se o arquivo existir


while feof(arq)~=1

ler=(fgets(arq)); %L linha do arquivo

%Ler dados dos Ns


if ~isempty(strfind(ler,'nos_total'))
n_nos = str2num(ler(strfind(ler,' '):(strfind(ler,';')-
1)));
nos=zeros(n_nos,4);
for k =1:n_nos
aux2 = strtrim(fgets(arq));
nos(k,:)=str2num(aux2);
end;
%CONTROLE DE FLUXO DA LEITURA DE ELEMENTOS PARTICIONADOS
elseif strcmp(strtrim(ler),'$Elementos')
controle =1;
elseif strcmp(strtrim(ler),'$Fim_elementos')
controle=0;
end;
%LEITURA DOS ELEMENTOS
if (controle == 1) & ~strcmp(strtrim(ler),'$Elementos')
elementos(cont_elementos,:) = str2num(strtrim(ler));
cont_elementos=cont_elementos+1;
end;

end;

%ALGORITMO DE CLCULO DE RESISTENCIA BASEADO NO POTENCIAL CONSTANTE


N = length(elementos);
R = zeros(N,N);

for i=1:N
x0_i = nos(find(nos(:,1)==elementos(i,2)),2); %Encontra os valores
do n inicial carregados dos arquivos para o eixo x
xf_i = nos(find(nos(:,1)==elementos(i,3)),2); %Encontra os valores
do n final carregados dos arquivos para o eixo x
6

Li = (nos(elementos(i,3),2:4)-nos(elementos(i,2),2:4)); %calcula
vetor de distancia entre os ns do elemento
Li = sqrt(Li(1)^2+Li(2)^2+Li(3)^2);%Calcula o comprimento Li
for j=1:N

if i == j
R(i,j) = rho/(2*pi*Li)*(log(2*Li/raio)-1);
else
x0_j = nos(find(nos(:,1)==elementos(j,2)),2); %Encontra os
valores do n inicial carregados dos arquivos para o eixo x
xf_j = nos(find(nos(:,1)==elementos(j,3)),2); %Encontra os
valores do n final carregados dos arquivos para o eixo x
Lj = (nos(elementos(j,3),2:4)-nos(elementos(j,2),2:4));
%calcula vetor de distancia entre os ns do elemento
Lj = sqrt(Lj(1)^2+Lj(2)^2+Lj(3)^2); %Calcula o comprimento
Lj

fun_real=@(xi,xj) 1./sqrt((xj-xi).^2+raio.^2);
int_real=integral2(fun_real,x0_j,xf_j,x0_i,xf_i);

fun_imagem=@(xj,xi) 1./sqrt((xj-xi).^2+(2*h).^2);
int_imagem=integral2(fun_imagem,x0_j,xf_j,x0_i,xf_i);

R(i,j)= rho/(4*pi*Li*Lj)*(int_real+int_imagem);
end;
end;
end;
V = ones(N,1);
I = inv(R)*V;
Itotal = sum(I)
Rt = 1/Itotal
7

ANEXO B

clc
clear all

rho = 100;
L=10;
raio = 1e-2;
h=0.5;

It=1e3; %Corrente de malha


j=-10:0.2:20; %Comprimento a ser analizado o potencial do solo
delta=20*raio; %comprimento dos ns

Vp = zeros(length(j),1); %Inicia vetor com os valores dos potenciais a


nivel do solo

m=0:delta:L; % Vetor com o comprimento do eletrodo particionado

for i=1:length(j) %

for k = 1:(length(m)-1)
fun_real=@(x) 1./sqrt((x-j(i)).^2+h.^2); %Potencial no solo em
relao a um elemento de corrente
int_real=integral(fun_real,m(k),m(k+1));
% fun_imagem=@(x) 1./sqrt((x-j(i)).^2+(h).^2);
% int_imagem = integral(fun_imagem,m(k),m(k+1));

Vp(i) = Vp(i)+ 2*int_real; %+int_imagem; %Como o efeito da imagem


igual ao real basta multiplicar por 2 e efetuar o somatorio para todos
os elementos
end;
end;

Vp = rho/(4*pi)*It/L*Vp; %Multiplicao final pelas constantes


plot(j,Vp) %Grfico de sada

grid on
xlabel('x(m)');
ylabel ('Vp(V)');

Você também pode gostar