Comportamento Mecânico dos Materiais

DEFORMAÇÃO PLÁSTICA

Micromecanismos
 Resistência Teórica de um Cristal Perfeito

Memorial de cálculo baseia-se na hipótese de

variação sinusoidal da Energia para mudança de
posição atômica ao longo da rede cristalina.

G
τmáx =
2π
Resistência Teórica de um Cristal Perfeito X
Resistência Experimental
Material G/2π [GPa] σY experimental [MPa]
Ag 4,6 0,37
Cu 7,2 0,49
Cd 3,8 0,57
Al 4,2 0,78
Fe 13,2 27,5
Nb 5,8 33,3
Mo 19,0 71,6
 Resistência Teórica de um Cristal Perfeito
x
Resistência Experimental

Os valores experimentais são ordens de grandeza < os

valores teóricos previstos. Logo, existe um mecanismo
facilitador da movimentação atômica.

A quebra das ligações atômicas ao longo do plano de

escorregamento deve ocorrer de forma sucessiva e não de
forma simultânea, como num cristal perfeito.
 Micromecanismos de Deformação Plástica

Escorregamento de discordâncias
Maclação
Mecanismos em altas T ( > 0,3 Tm): FLUÊNCIA
Tensão Necessária para o escorregamento

Qual combinação
entre ângulos produz
o maior valor para τC?

F
τC = cos φ cos λ = σ Y → fator de Schmid
A
 Sistemas de Escorregamento
• À medida que a tensão aplicada aumenta, a tensão do sistema
de escorregamento aumenta até atingir um valor crítico.
• O cristal inicia o escorregamento para este sistema em
específico, que pode ser considerado como sistema ordinário de
escorregamento.
• A tensão necessária para operar este escorregamento é a
tensão de escoamento. A continuidade do esforço faz com que
este processo se estenda posteriormente a outros sistemas, que
irão escorregar simultaneamente.
• A partir da Lei de Schmid, o sistema ordinário de
escorregamento é aquele com o maior valor do Fator de Schmid.

• Deslizamento = movimento paralelo de um plano cristalino

relativo á outro plano adjacente.
 Sistemas de Escorregamento

SISTEMA = DIREÇÃO + PLANO

Tipo de Sistemas de
estrutura escorregamento
CCC 48
CFC 12
HC 3
 Sistemas de Escorregamento
CFC: Fe, Cu, Al, Ni, Pb, Au, Ag CCC: Fe, W, Mo

HC: Cd, Zn, Mg, Ti, Be

 Bandas de Escorregamento

As linhas de escorregamento são retas em HC e CFC. Em CCC

são onduladas e provavelmente são resultantes do
escorregamento em múltiplos planos.
 Sistemas de Escorregamento
Os planos e direções de escorregamento ordinários
correspondem aos planos e direções de maior fator de
empacotamento atômico
(Volume dos átomos/volume do espaço ocupado).

Um alto FEA significa a ocupação do menor volume possível

(assumindo que os átomos são esferas incompressíveis).

Quando um sistema é impedido por restrições (contornos de

grão; partículas de 2a fase; ....) planos menos compactos
podem iniciar a sua atividade.
Curvas tensão-deformação monocristais

Estágio 1

A densidade de
discordâncias aumenta sem
que haja aumento nos
processos de interseção,
com baixa velocidade de
endurecimento e pouco
sensível á temperatura
Curvas tensão-deformação monocristais

Estágio 2

Ocorre a múltiplicação de
discordâncias em vários
sistemas de deslizamento
em um plano ativo
Curvas tensão-deformação monocristais

Estágio 3

Ocorrencia de deslizamento
cruzado e grande movimento
de discordâncias helicoidais e
em cunha, o que alivia as
tensões internas.
Ocorre aniquilação de
discordancias com mudanças
de planos de deslizamento e
movimentação de vazios
Elevação de temperatura
Há alternativa para deformar plasticamente?
MACLAÇÃO

Escorregamento
de
Maclação
discordâncias
 Diferenças entre maclas e o deslizamento.
(twin) (slip)

Escorregamento

Maclação
MACLAÇÃO
 MACLAÇÃO
¾ Um cristal está com maclas quando uma região de sua
rede cristalina é uma imagem especular em relação á um
plano de outra.

¾A macla pode se formar:

ƒDurante o crescimento do cristal
ƒAção mecânica
ƒApós tratamentos térmicos

¾A tensão necessária à nucleação da macla é ~ 5X > a

necessária para seu crescimento, a maclação é controlada
pela nucleação.
 Diferenças entre maclas e o deslizamento.
(twin) (slip)

¾ A po
Deformação plástica de POLICRISTAIS
 Deformação plástica de policristais

¾ Cada grão pode ser tratado como um cristal e

possui um fator de Schimd definido (cosφ cosλ).

¾ O valor médio de (cosφ cosλ) considerando a

amostra como um todo pode ser calculado,
assumindo que os grãos estão aleatoriamente
orientados.

¾ O resultado é conhecido como Fator de

Taylor, aproximadamente igual a 1/3. Isto resulta
numa relação entre σy ≈ 3τc.
 Deformação plástica de policristais
¾ Alguns grãos podem estar orientados
desfavoravelmente em relação à tensão aplicada
(i.e. baixo cosφ cosλ).

¾ Mesmo grãos com alto cosφ cosλ podem estar

limitados a deformarem por causa de grãos
adjacentes que não deformam facilmente.

¾ As discordâncias não podem cruzar contornos

facilmente por causa das mudanças de direção e
correspondente desordem nos contornos.
Deformação plástica de policristais

Conclusão: refino de grão é um

mecanismo de endurecimento!

Conhecido como efeito Hall-Petch

Mecanismos de Endurecimento
Endurecimento por Interfaces