UFMT - Universidade Federal de Mato Grosso

Departamento Engenharia Elétrica

Disciplina: Eletrônica de Potência
Prof.: Jakson Bonaldo
Discentes: João Victor da Silva; William Carlos da Silva

Laboratório 2
Montagem - Semicondutores Rápidos de Potência

1) Ajuste o sinal de acionamento para obter um sinal quadrado de 0 V a 15 V no ponto P3. Capture a
forma de onda do sinal em P3 e no gate do MOSFET (𝑣 )

Figura 1 – Forma de onda do item 1.

2) Obtenha a forma de onda da tensão de acionamento do MOSFET e a tensão V . Para isso, coloque
a garra jacaré da ponteira do canal 1 em P0 e a ponta em P3. Coloque a ponta da ponteira do canal 2 em
P1.

Figura 2 - Forma de onda do item 2. Vs em amarelo; Vds em azul.

 3) Meça o tempo de atraso para entrada em condução, isto é, entre a subida do pulso de acionamento
(entre P3 e P0) e o declínio da tensão V (entrada em condução) (entre P1 e P0). Capture a forma de
onda.
Resposta: O tempo de atraso para a entrada em condução foi de 104 ns.

Figura 3 - Forma de onda do item 3. Vs em amarelo; Vds em azul.

4) Meça o tempo de atraso para entrada em bloqueio, isto é, entre a descida do pulso de acionamento
(V ) e a subida da tensão V (entrada em bloqueio). Capture a forma de onda.
Resposta: O tempo de atraso para entrada foi de 616 ns.

Figura 4 - Forma de onda do item 4. Vs em amarelo; Vds em azul.

 5) Substitua o resistor R por um resistor de 1 kΩ e meça os atrasos para entrada e saída de condução
(repetir os itens 2 e 3).
5.2)

Figura 5 - Forma de onda do item 5.2. Vs em amarelo; Vds em azul.

5.3)
Resposta: O tempo de atraso para entrada em condução foi de 198 ns.

Figura 6 - Forma de onda do item 5.3. Vs em amarelo; Vds em azul.

6) Comente sobre o efeito de Rg na comutação da chave.

Resposta: O aumento da resistência Rg implica aumento da constante de tempo de
carga/descarga da capacitância CGS, formada entre o gate e o source. Portanto, um maior valor de Rg
causa aumento no tempo de atraso para entrada e saída de condução.
 7) Adicione um capacitor de 100 nF em paralelo com Rg (1 kΩ) e repita os itens 2 e 3.

7.2)

Figura 7 - Forma de onda do item 7.2. Vs em amarelo; Vds em azul.

8) Qual a função do capacitor em paralelo com Rg? Comente sobre seu efeito nos atrasos de acionamento.

Resposta: A função do capacitor é criar um caminho de baixa impedância no momento do

chaveamento. Isso faz com que a constante de tempo da capacitância CGS diminua significativamente,
proporcionando menor atraso no acionamento do MOSFET.

9) Ajuste o sinal de acionamento para obter um sinal quadrado de -10 V a +10 V no ponto P3, isto
permite o acionamento do MOSFET com tensão positiva e negativa. Repita os itens 2 e 3 para as condições
originais do circuito.

9.2)

Figura 8 - Forma de onda do item 9.2. Vs em amarelo; Vds em azul

 9.3)
Reposta: O tempo de atraso para entrada em condução foi de 240 ns.

Figura 9 - Forma de onda do item 9.3. Vs em amarelo; Vds em azul.

10) Explique o que a introdução de uma tensão negativa no gate do MOSFET faz com o tempo de
acionamento do mesmo.
Resposta: Quando aplicada uma tensão negativa no gate, o tempo de atraso para o bloqueio
diminui expressivamente. Isto ocorre devido a presença de cargas negativas no gate, que repelem as
cargas anteriormente depositadas no canal P. Sem a tensão negativa no gate as cargas negativas
presentes no material P demorariam maior tempo para retornarem ao material N+.

11) Obtenha a forma de onda da tensão V e da corrente de coletor. Para isso, coloque a garra jacaré
do canal 1 em P1 e a ponta em P0 (use a função Inverter do canal 1 do osciloscópio). Coloque a ponteira do
canal 2 em P2. Observe (com zoom) a borda de subida e de descida de V .

Figura 10 - Forma de onda do item 11. Vs em amarelo; Corrente de gate em azul.

12) Use a função Matemática do osciloscópio e multiplique o canal 1 pelo canal 2 (potência instantânea).
12.a) Capture as formas de onda para entrada em condução.

Figura 11 - Forma de onda do item 12.a. Potência instantânea em vermelho.

12.b) Capture as formas de onda para entrada em bloqueio.

Figura 12 - Forma de onda do item 12.b. Potência instantânea em vermelho.

 13) Conecte o circuito snubber em paralelo com o MOSFET. (Conecte Py em P2 e conecte Px em
P0). Repita os itens 4 e 5 e comente sobre o funcionamento do snubber.
Resposta: O snubber tem como função diminuir a potência dissipada na entrada em bloqueio.
Quando a tensão VCE começa a aumentar, o capacitor do snubber desvia parte da corrente, fazendo
com que a dissipação de potência no MOSFET seja menor, ou seja, transferindo-a para o circuito
snubber.

13.4)

Reposta: O tempo de atraso para bloqueio foi de 640 ns.

Figura 13 - Forma de onda do item 13.4. Vs em amarelo; Vds em azul.

13.5.2)

Figura 14 - Forma de onda do item 13.5.2. Vs em amarelo; Vds em azul.

13.5.3)

Resposta: O tempo de atraso para entrada em condução foi de 188 ns.

Figura 15 - Forma de onda do item 13.5.3. Vs em amarelo; Vds em azul.