Fotodetectores

- Características desejáveis -

• Elevada sensibilidade para os comprimentos de onda de interesse, i.e os

utilizados pelo laser;
• Largura de banda e tempos de resposta adequados aos ritmos binários usados;
• Introdução de pouco ruído;
• Fraca sensibilidade a variações de temperatura;
• Acoplamento fácil à fibra;
• Tempos de vida médio longos;
• Custo.

Fotodíodos
Fotodíodosdedesemicondutor:
semicondutor: Díodos com
••PIN
PIN(Positive-Intrinsic-Negative)
(Positive-Intrinsic-Negative) polarização inversa
••APD
APD(Avalanche
(AvalanchePhoto-Diodes)
Photo-Diodes)

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 O processo de fotodetecção e os materiais utilizados

• No processo de fotodetecção os fotões absorvidos pelo material semicondutor fazem

transitar electrões da banda de valência para a de condução desde que o comprimento
de onda seja inferior a um valor crítico.

hc
λ < λc = - Banda de condução
Eg
Eg
( h = 6,63 × 10 − 34
J ⋅ s) +
Banda de valência

• Os valores críticos de alguns materiais são os seguintes:

Material Si Ge GaAs Gax In1-x As Gax In1-x As 1-x P1-y

E g (eV) 1,1 0,72 1,43 1,43-0,36 1,35-0,36
λ c (µ m) 1,1 1,7 0,87 0,87-3,44 0,92-3,44

1ª janela

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 Estrutura dos fotodetectores

• Fotodíodos PIN
– são baseados numa junção pn com material intrínseco i colocado entre os dois
tipos de semicondutor. A junção é polarizada inversamente.

Campo eléctrico
p
Região de deplecção i O campo eléctrico é intenso em
quase toda a região de absorção.
n

• Fotodíodos de avalanche ou APD

Campo eléctrico Região de avalanche
n+
p O campo eléctrico na região de
Região de deplecção i
avalanche é suficientemente intenso
de modo que os electrões gerados
p+ adquirem energia para libertarem
mais electrões da banda de valência
para a banda de condução.
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 Caracterização dos fotodetectores
• Num fotodíodo ideal por cada fotão incidente na região de absorção seria originado um
par electrão-lacuna na região de deplecção.
– Num fotodetector PIN real a eficiência da conversão η (designada por eficiência
quântica) é inferior a 1.
Potência óptica PIN Fotocorrente, Ip
incidente, Po η, Rλ
ritmo de geração de pares electrão - lacuna Ip q
η= =
ritmo dos fotões incidentes Pópt hν

Vantagem em trabalhar na 2ª e na 3ª janela (λ Ipηq λ[µm ]

superior)! (Mas isto só é valido até um limite Respostividade (A W ) Rλ = = =η
em que a energiado fotáo já não é suficiente) Pópt hν 1,24
– Num fotodetector APD o processo de multiplicação por avalanche é caracterizado
por um ganho m(t) aleatório com valor médio M.
Ionização por
Corrente média no APD : Fotão impacto Efeito de
incidente + - multiplicação
I M = MI p = Rλ MPópt + - em avalanche
+ -
Par electrão-lacuna
M é um ganho médio pois o fenómeno
de avalanche é aleatório!
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 Ruído associado ao processo de fotodetecção
- Ruído quântico -
• A um feixe de luz com potência Pópt corresponde a um fluxo médio de Pópt/hv
fotões por segundo. Porém o número de fotões incidentes num fotodetector
num determinado intervalo de tempo é uma grandeza aleatória.
fotocorrente
fotões
PIN Ip = <Ip>
η, Rλ
tempo tempo

O nº de fotões incidentes num determinado intervalo

de tempo T segue uma estatística de Poisson.

• A fotocorrente gerada aos terminais do fotodetector apresenta uma

componente média Ip à qual aparece sobreposta uma componente aleatória
iq(t), designada por ruído quântico (shot noise):
Ruído próprio dos
PIN : i (t ) = I p + iq (t ) = Rλ Pópt + iq (t ) sistemas de
comunicação óptica

APD : i (t ) = MI p + iq (t ) = Rλ MPópt + iq (t )

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 Ruído associado ao processo de fotodetecção (cont.)

Pela definição de factor de ruído Variância (= potência) da foto-corrente primária:

2 σ q2, p = 2qRλ Pópt Be , n
si i p

ni σ 2
q, p
F(M) = = σ q2 = F ( M ) M 2σ q2, p = 2qRλ Pópt F ( M ) M 2 Be ,n
so M 2i 2 p

no σ q2
Assim, a densidade espectral de potência unilateral do ruído quântico é dada por
OOruído
ruídodepende
dependedada
d < iq2 >
PIN : = 2 qI p = 2 qR λ Popt potência
potênciaóptica
ópticado
do
df sinal
sinalrecebido!
recebido!
d < iq2 >
APD : = 2 qM 2 F (M )I p = 2 qM 2 F (M )Rλ Pópt
df

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 Receptores ópticos
Parâmetros importantes:
Largura de banda; Sensibilidade; Gama dinâmica; Custo.

Factor de ruído num APD : f (M ) ≈ M x x = 0.3 - 0.5 (Si)

x = 0.5 - 0.8 (InGaAs)
(Válido para para o PIN fazendo M=1) x = 1 (Ge)

• Diagrama de blocos de um receptor óptico para um sistema de transmissão digital

com detecção directa:
Específico dos receptores Semelhante ao utilizado em sistemas
ópticos (front-end) metálicos de transmissão digital (eléctricos)

Fotodetector Pré-amplificador Igualador Amplificador

(opcional) principal e CAG
Sinal óptico de
Regenerador
entrada
digital

CAG
PIN ou APD Introdução
Introduçãodo
domínimo
mínimoruído
ruído

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 Ruído associado ao circuito eléctrico do receptor
- Ruído de circuito -
Esquema Tensão de polarização Corrente de ruído Corrente de ruído
quântico de circuito
simplificado
do front-end:
Fotodetector
in (t ) = iq (t ) + ic (t )

Pré-amplificador i (t ) = I p + in (t ) = Rλ Pópt + in (t )
Resistência de
polarização, Rb

4 K BT
• Valor quadrático médio do ruído de circuito na resistência Rb: < ic2 >= B
Rb

• Densidade espectral de potência de ruído de circuito: d < ic > = 4 K BT [A 2 / Hz ]

2

df Rb

• Raíz da densidade espectral de • T: temperatura em K

potência do ruído da corrente de circuito: df

[
d < ic2 >
A / Hz ] • KB: constante de Boltzman
(1.38x10-23 J/K)
• B: largura de banda do receptor
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 PIN versus APD
Vantagens do APD vs PIN:
Existência de uma ganho elevado na conversão óptico-eléctrica.

Desvantagens do APD vs PIN:

A limitação do desempenho pode dar-se pelo ruído quântico. (No PIN este é
desprezável sendo a limitação geralmente imposta pelo ruído de circuito.)
Estrutura mais complexa (necessita da estrutura onde ocorre a multiplicação em
avalanche). → Mais caro
O desempenho fica limitado pelo ruído de circuito e não pelo ruído quântico.
Sensibilidade elevada das suas propriedades (como o ganho) à temperatura
Menor fiabilidade
Requer tensões de polarização muito superiores (para garantir a multiplicação
em avalanche)
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 Tipos de pré-amplificadores
A. Baixa-impedância (Resistência de polarização, Esquema (simplificado)
Rb, de baixo valor: ≈50 Ω): para A ou B:
TJB ou MESFET (para
– largura de banda elevada;
aplicações com maior
– ruído elevado; largura de banda)
– utilização para distâncias curtas.
Ip

B. Alta-impedância (Rb elevada: ordem do kΩ): Pré-amplificador

– largura de banda baixa; Rb
– ruído reduzido;
– necessidade de igualação para sinais de
elevada largura de banda. Esquema (simplificado) de C:

C. Transimpedância: RF

– resolve o problema da reduzida largura de

banda do pré-amplificador de alta- Ip
impedância;
Pré-amplificador
– instabilidade para algumas frequências.
Rb

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 Tipos de pré-amplificadores (cont.)

O circuito equivalente do conjunto fotodetector + pré-amplificador de baixa/alta-impedância

(front-end) é o seguinte:
RT RT
H(f )= =
1 + j 2π f RT CT 1 + j 2πf B

ip(t) A
Cd Ca
Rb Ra CT = Cd + Ca
RT = Ra // Rb
Fotodíodo Resistência de
Amplificador
polarização

1
• A largura de banda eléctrica a -3 dB do front-end é dada por: B=
2πRT CT
1+ A
• Nos pré-amplificadores de transimpedância a largura de banda vem aproximada por: B =
2πRF CT

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 As componentes do ruído de circuito

• As fontes de ruído de circuito são:

– o ruído térmico (já visto atrás) dos elementos resistivos (Rb) e fontes adicionais de
ruído devidas aos elementos activos.
Tensão de ruído do
Ruído térmico ea(t) amplificador

A
ip(t) it(t) ia(t)
Cd Ca
Rb Ra
Corrente de ruído
do amplificador
Admitância
do receptor
• A corrente de ruído de circuito (total) resulta das diferentes contribuições:
ic (t ) = it (t ) + ia (t ) + ya (t ) ∗ ea (t )
1
ya (t ) = TF −1 (Ya ( f )) Ya ( f ) =
+ j 2π fC T
RT
• A densidade espectral de potência da corrente de ruído (note-se que é colorido) é dada por:

d < ic2 > < a >

2

df
= S0 + f 2 S2 S0 =
d < it2 > d < ia2 > 1 d < ea2 >
df
+
df
+ 2
RT df
(
S 2 = 2πCT2
d e
df
)
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 Princípios da transmissão digital óptica
• Sistema de transmissão digital óptico:
Ruído quântico
Ruído de escuridão Ruído de circuito
Laser Fotodíodo Pré-amplificador
Ruído de intensidade
Ruído de fase

Fibra óptica ip(t) v(t)

Filtro
Póptica H( f )

Atenuação e P(t) hr(t)

dispersão
I(t)
Transimpedância Z0

• Razão de extinção: r = Ps(0)/Ps(1)

• O filtro do receptor deverá minimizar a interferência inter-simbólica (IIS).

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 Caracterização do sinal recebido

• Admitindo que o fotodíodo é um PIN a corrente na sua saída tem a

contribuição do sinal e do ruído quântico. Essa corrente é dada para o nível
lógico 1, i1(t), e para o nível 0, i0(t), por:

i1 (t ) = Rλ Pr (1) + iq1 (t ) i0 (t ) = Rλ Pr (0 ) + iq 0 (t )
• A tensão na saída do filtro receptor relaciona-se com a corrente na saída do
fotodíodo através da transimpedância. O receptor introduz o ruído de circuito,
logo a tensão na saída do filtro é dada por:

v1 (t ) = V1 + n1 (t ) v0 (t ) = V0 + n0 (t )
tensão Instante de decisão
Valor médio da Tensão de V1 Valor médio da Tensão de ruído
D Limiar de decisão
tensão para o ruído para o tensão para o para o nível 0
nível 1 nível 1 V0 nível 0
t0 tempo

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 Estatística do sinal amostrado

• O sinal v(t) é aplicado à entrada de um regenerador

(amostragem + circuito de decisão + recuperação de
relógio):
– v(t0) > D símbolo 1;
– v(t0) < D símbolo 0.

• Admite-se que a amostra v(t0) tem uma distribuição

Gaussiana com média V1 e variância σ12 = < n 12 > para o
nível lógico 1 e média V0 e variância σ02 = < n 02 > para o
nível lógico 0.

• rb - ritmo binário;
σ 12 = nq2 |1 + nc2 σ 02 = nq2 |0 + nc2
• I2 e I3 - integrais de Personick;
• Z0 - transimpedância do receptor.

< nq2 >|1 = 2 Z 02 qRλ Pr (1)I 2 rb < nq2 >|0 = 2 Z 02 qRλ Pr (0 )I 2 rb [

< nc2 >= 2 Z 02 S 0 I 2 rb + S 2 I 3 rb3 ]
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 Avaliação do desempenho

• A probabilidade média de erro é dada por:

Pε = P(1) Pe (0 | 1) + P(0) Pe (1 | 0)

• Admitindo a equiprobabilidade dos símbolos, obtém-se para a

probabilidade média de erro (BER) a seguinte expressão:
∞
∆ 2
1 D − V0 1 V −D erfc(x) = e − λ dλ
2

Pe = erfc + erfc 1 π
4 σ0 2 4 σ1 2
x

= 2Q ( 2 x )

• O limiar de decisão óptimo (Dopt) que minimiza a BER,

Só aqui se refere à função Q(x)!
corresponde a fazer Pe(0|1) = Pe(1|0):

Dopt − V0 V1 − Dopt σ 0V1 + σ 1V0 V1 − V0 1 Q

= =Q Dopt = Q= Pε = erfc
σ0 σ1 σ 0 + σ1 σ 0 + σ1 2 2

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 Ver [J.P
ires , Sec. 6.
Sensibilidade 3.4]
(mín )
• A sensibilidade do receptor, Pópt , é definida como a potência óptica mínima
necessária para obter um valor de BER especificado, normalmente 10-12 (Q ≈ 7)

• Para um receptor baseado num fotodíodo PIN o ruído de circuito é dominante. A

sensibilidade do receptor é dada por (para uma razão de extinção r = 0)
1 Q < ic2 >
P ( mín )
ópt = Pópt (1) = Ruído do circuito branco ( mín )
Pópt ∝ Rb
2 Rλ

• A sensibilidade dum receptor baseado num fotodíodo APD (r = 0) é dada por

Q < ic2 > Ganho óptimo:
Note-se como a expressão Pópt( mín ) = + qQF (M )I 2 Rb Existe um valor de M que
com PIN é um caso Rλ M
particular desta. maximiza a sensibilidade.

• Num receptor com um PIN e um amplificador ideal (limitado pelo ruído quântico) a
sensibilidade diminui com o aumento do ritmo binário. NOTAS:
•Para o limite quântico deve
2
qQ I 2 Rb utilizar-se a estatística de Poisson.
Note-se como a expressão Pópt( mín ) = Caso de ruído de circuito •Rb é o ritmo binário! Não
é um caso particular da Rλ desprezável e M = 1 (PIN) confundir com a resistência no
anterior.
circuito do receptor! Usa-se a
mesma notação pois são separáveis
Sistemas de Telecomunicações Guiados - ISCTE no contexto.
 Sensibilidade (cont.)

• Sensibilidade de receptores que operam a 1550 nm (@ BER = 10-12);

ritmo binário tipo sensibilidade (dBm) sobrecarga (dBm)
155 Mbit/s PIN -36 -7
622 Mbit/s PIN -32 -7
2,5 Gbit/s APD -34 -8
10 Gbit/s PIN -20 0

– a sobrecarga é o valor máximo da potência óptica de entrada;

– a gama dinâmica é a diferença entre a sobrecarga e a sensibilidade.

-20
Sensibilidade (dBm)

PIN
Atenção à definição de sensibilidade!
-30 APD
A sensibilidade diminui com
-40
o aumento do ritmo binário.
-50
1 10 Ritmo binário (Gbit/s)

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