Resumo dos Tópicos 1 e 2 - PROVA 11

I - Fı́sica Básica de Semicondutores

Constantes:

Eg = 1, 12 eV = 1, 792 × 10−19 J
q = 1, 602 × 10−19 C
k = 1, 38 × 10−23 J/K
µn = 1350 cm2 /(V.s)
µp = 480 cm2 /(V.s)
Dn = 34 cm2 /s
Dp = 12 cm2 /s

A. Concentração de Portadores
1. Concentração de Elétrons Livres no Silı́cio:

Eg
ni = 5.2 × 1015 T 3/2 exp(− ) ⇒ ni,Si (T = 300K) = 1, 08 × 1010 cm−3
2kT

2. Semicondutor Intrı́nseco: n2i = np

n2i
3. Semicondutores Tipo-N: n ≈ ND , p ≈
ND

n2i
4. Semicondutores Tipo-P: p ≈ NA , n ≈
NA

B. Transporte de Portadores de Carga

1. Deriva
~ , v~h = µp E
(a) Velocidade de Deriva: v~e = −µn E ~

~
(b) Densidade de corrente de deriva para os elétrons: Jn/Deriva = q · n · µn |E|

~
(c) Densidade de corrente de deriva para as lacunas: Jp/Deriva = q · p · µp |E|

~
(d) Corrente de deriva total: JDeriva = q(µn n + µp p)|E|
µ0 ~
(e) Saturação de Velocidade: |~v | = |E|
~
1 + b|E|

2. Difusão
(a) Lei de Fick: F = −D∇η
(b) Densidade de corrente de difusão para os elétrons: JN/dif = qDn ∇n

(c) Densidade de corrente de difusão para as lacunas: JP/dif = −qDp ∇p

 
dn dp
(d) Corrente total de difusão: Jtot/dif = JN/dif + JP/dif = q Dn − Dp
dx dx
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Elaborado pelo Prof. Dr. André da Fontoura Ponchet, para uso na disciplina Dispositivos Eletrônicos, no
Curso de Engenharia da Informação da Universidade Federal do ABC.

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II - Diodos Semicondutores
A. Junção PN
kT
1. Tensão Térmica: VT = ⇒ VT (T = 300K) ≈ 26 mV
q
 
kT NA ND
2. Potencial interno: V0 = ln
q n2i

Ln NA
3. Comprimentos da região de depleção: =
Lp ND
s  
2εSi 1 1
4. Largura da região de depleção: Wdep = + V0
q NA ND

5. Capacitância de junção por unidade de área em equilı́brio (VR = 0):

r
εsi q NA ND 1
Cj0 =
2 NA + ND V0

Cj0
6. Capacitância de junção por unidade de área: Cj = r
VR
1+
V0
   
VD
7. Corrente total através da junção PN: ID = IS exp −1
VT
 
Dn Dp
8. Corrente de Saturação Reversa: IS = Aqn2i +
NA Ln ND Lp

B. Retificador de Meia Onda

Vp − VD,on IRL
1. Amplitude de Ripple: VR ≈ ≈
RL C1 fent C1 fent
s !
Vp 2VR
2. Corrente de Pico: Ip ≈ RL C1 ωent +1
RL Vp

3. Tensão de pico inversa (PIV): P IV = Vp

C. Retificador de Onda Completa - Ponte Retificadora

1 (Vp − 2Vd,on )
1. Amplitude de Ripple: VR ≈
2 RL C1 fent

2. Tensão de pico inversa (PIV)2 : P IV = Vp − Vd,on

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Equação válida apenas se o transformador não apresentar tap central. Para um ponte retificadora com
transformador com tap central: P IV = 2Vp − Vd,on