1°(a)Nos materiais iônicos a corrente é formada a partir do movimento resultante de íons carregados, então se trata

de uma condução iônica.

(b)Nos materiais sólidos a corrente é gerada a partir do fluxo de elétrons, trata-se então da uma condução
eletrônica.

2° Quando um campo elétrico externo atua sobre um material sólido, existe a possibilidade das partículas carregadas
desse material formar um fluxo de cargas devido a ação de uma força proveniente desse campo elétrico externo,
sendo que as partículas positivas fluem na mesma direção do campo elétrico, enquanto as partículas negativas, isto
é, os elétrons livres fluem na direção contraria ao do campo elétrico, e na movimentação dos elétrons livres de uma
banda de valência para preencher bandas de condução existem obstáculos durante o percurso, isto é, o elétron livre
depende de fatores que inviabiliza seu trajeto, como impurezas, influência da temperatura, discordâncias que por
sua vez são responsáveis por aumentar resistividade do material, pois há a dificuldade de passagem da corrente,
esse fato está introduzido no conceito de forças de fricção na movimentação de elétrons, já que, para os elétrons
livres, ocorre o fenômeno chamado de espalhamento dos elétrons, onde quanto maior o espalhamento, menor a
mobilidade do elétron e, consequentemente, menor a corrente elétrica.

3° considerando que nos metais tem condutividade eletrônica, isso implica que seja necessário que haja elétrons
dispostos a obedecer ao fluxo, formando então uma corrente. Para explicar a condução dessa corrente nos
materiais, há a teoria das bandas de energia em que fala que se deve ter elétrons disponíveis para haver fluxo
eletrônico, onde por sua vez, esses elétrons são provenientes de estados eletrônicos propícios para ocorrência do
fluxo, sendo válido salientar que há um parâmetro de energia fixa chamado de energia de fermi (E f), que é a
fronteira entre a banda de valência e a banda de condução. Nos metais , existe uma menor dificuldade da passagem
de elétrons excitados (causa de um campo elétrico externo) da banda de valência ou estados preenchidos para a
banda de condução ou estados vazios, uma vez que os elétrons livres conseguem superar a energia de fermi para
migrar para banda de condução, ultrapassando então o espaçamento que existe entre as duas bandas, espaçamento
esse que nos semicondutores e isolantes é longo e, por isso reduzem a capacidade de conduzir eletricidade ( válido
lembrar que o espaçamento entre as duas bandas para os isolante é maior em comparação aos semicondutores).

4° sendo:

𝜎𝐶𝑢 = 6 𝑥 107 Ω/𝑚

𝐿 = 100 𝑚
𝑖 = 2.5 𝐴
𝑣 = 1.5 𝑉
𝑣 𝜌𝐿 𝐴𝑣 1
𝑅𝑖 =𝑣𝑅 = 𝑖 = 𝐴
 𝜌= 𝐿𝑖
(𝑖) mas: 𝜎= 𝜌
(𝑖𝑖)

substituindo (𝑖) em (𝑖𝑖):

1 𝐿𝑖
𝜎=  𝜎= (𝑖𝑖𝑖)
𝐴𝑣 𝐴𝑣
𝐿𝑖
𝑑 𝑑 𝜋 𝑑2
porém: 𝐴 = 𝜋𝑟 2 e 𝑅 =
2
 𝐴 = 𝜋( 2 )2  𝐴 = 4
(𝑖𝑣)

substituindo (𝑖𝑣) em (𝑖𝑖𝑖):

𝐿𝑖 4𝐿𝑖 4𝐿𝑖 4𝐿𝑖 4 (100 𝑚)(2.5 𝐴)

𝜎= 𝜋 𝑑2 𝑣
= 𝜋 𝑑2 𝑣
 𝑑2 = 𝜋 𝜎 𝑣
 𝑑 = √𝜋 𝜎 𝑣
 𝑑 = √𝜋 (6 𝑥 107 Ω/𝑚)(1.5 𝑉)  𝑑 = 0.00188 𝑚 =
4
1.88 𝑚𝑚
5° Os semicondutores podem ser classificados como intrínsecos ou extrínsecos, sendo a semicondução extrínseca de
dois tipos que vai depender das características elétricas da impureza adicionada na rede, podendo ser de dois tipos
semicondução extrínseca do tipo n e semicondução extrínseca do tipo p.

Se a impureza possui uma valência maior que a valência do elemento da rede, consequentemente havendo uma
grande quantidade de elétrons livres que vão se mover pela rede e o número desses elétrons livres é muito maior
que o número de buracos, proporcionando então a condutividade elétrica, então se trata da semicondução
extrínseca do tipo n. Em contrapartida, se a impureza adicionada possui uma valência menor que o número da
valência da rede, implica que a condutividade elétrica seja proporcionada pela grande quantidade de buracos na
rede, então se trata de um semicondução extrínseca do tipo p.