Desordem Atômica Aula 1 PDF

D
Imperfeições Estruturais
S
O
R
D
E
M
UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE

A
T
CENTRO DE CIÊNCIAS E TECNOLOGIA
Ô
M
Prof. Ricardo Cabral de Vasconcelos
I
C
A
Ricardo Cabral de Vasconcelos 1
UFCG/CCT/UAEM
Imperfeições
Estruturais
D
E
Na formação de
S um cristal perfeito
minimizamos a
O
R
D
energia potencial
total dos átomos
E
M
nessa estrutura
particular (poço
A
T
Ô
M
potencial).
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
 Regularidade dos arranjos atômicos:
S
 um mero – estrutura do polímero inteiro;
O
R
 uma célula unitária – estrutura de todo o cristal;
D
E  certas relações entre dimensões favorecem
M
determinados números de coordenação.
A
T
Essas regularidades simplificam as
Ô análises de materiais porque podemos
generalizar a partir da unidade
M
I
C individual.
A
UFCG/CCT/UAEM
D O que acontece quando a temperatura é aumentada?
E
 Agitação Térmica  vibração atômica num cristal real
S
O
  Energia Térmica (temperatura)   probabilidade do átomo
R deixar sua posição (lacuna,
D
vazio)
E
M O que acontece quando introduzimos impurezas no sólido?
 A presença de impurezas promove a formação de defeitos pontuais
A
 Que tipos de defeitos surgem em sólidos?
T
Ô  Podem o número e tipo de defeitos ser variado e controlado?
M
 Como os defeitos afetam as propriedades dos materiais?
I
C  Defeitos são indesejáveis?
A
UFCG/CCT/UAEM
Defeitos Pontuais: Impurezas em
Sólidos
D  Metal puro:
E  É impossível obter um metal puro constituído por apenas um tipo de
S átomo. Impurezas ou átomos estranhos estarão presentes nos materiais
de uma forma geral, mesmo em um metal considerado puro.
O
 Exemplo: Prata de lei composta por 92,5% Ag + 7,5% Cu.
R
 Prata “pura”  alta resistência à corrosão e muito macia
D
E  Prata de lei  aumenta resistência mecânica diminui pouco a
resistência à corrosão
M
99,9999 %
A
T
Ô
M
I 1022 a 1023 [átomos de impurezas/m3]
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
Não existem cristais perfeitos: temos
S que compreender os tipos de defeitos
O cristalinos que podem existir.
R
D  Uma pequena fração, muitas vezes inferior a
E um por cento, não é perfeita. Estas
M
imperfeições em materiais têm,
A
frequentemente, uma influência primordial
T
nas suas propriedades. Muitas vezes as
Ô propriedades mecânicas e elétricas dos
M sólidos são controladas pelos defeitos.
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
Cristais imperfeitos são resultantes
S de:
O
R
 Variação na composição;
D
E
M
 Imperfeições no reticulado;
A
 Movimento dos átomos no interior do
T material.
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D  Fases Impuras.
E
S  Alguns metais, usados comercialmente em aplicações de
engenharia, são puros. Ex.: cobre em condutores
O
elétricos, camada de zinco em aços galvanizados.
R
D  Em muitos casos algumas impurezas (chamadas
E elementos de liga) são adicionadas intencionalmente a
um material com a finalidade de aumentar a resistência
M
mecânica; aumentar a resistência à corrosão; aumentar a
condutividade elétrica; ou seja: para dar características
A especiais ao material, em outras palavras, melhorar suas
T propriedades. Ex: Latão  Cu + Zn.
Ô
 A adição de átomos de impureza em um metal resultará
M na formação de uma solução sólida (se tal adição passa a
I fazer parte integral da fase sólida) e/ou uma segunda fase.
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
LIGAS
O
R
D
E
METÁLICAS
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
LIGAS METÁLICAS
D  No limite, um número pequeno de impurezas: considere
E como defeitos de ponto.
S
 Quando há uma quantidade grande: considere como
O solução.
R
D  Muitos materiais familiares são altamente impuros (por
E
exemplo liga metálica).
M
 
A
Cu  raio atômico 1,278 A
T Latão  

 Zn  raio atômico 1,332 A
Ô
M
I
C  ambos apresentam, quando isolados, número de Coordenação 12.
A
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Solução sólida
D
E  Distribuição homogênea de impurezas
S
(semelhante a soluções líquidas) com a
estrutura cristalina do material de base
O
R
D mantida. Nenhuma estrutura nova é formada.
E
M
 Solução sólida também é composicionalmente
homogênea.
A
T  Os átomos de impureza são aleatoriamente e
Ô uniformemente dispersados dentro do sólido.
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
A ADIÇÃO DE IMPUREZAS
PODE FORMAR
D
E Soluções sólidas % elemento < limite
S
de solubilidade
O
R
Segunda fase % elemento > limite
D de solubilidade
E
M
 Isto vai depender da:
A  Temperatura
T  Tipo de impureza
Ô
M
 Concentração da impureza
I Impureza soluto (< quantidade)
C Hospedeiro ou matriz solvente (>quantidade)
A
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D
E Nas soluções sólidas as impurezas ou
S elementos de liga podem ser do tipo:
O
R
D  Ordenada
E Substitucional 
M
Solução sólida  Ao acaso
Interstici al
A 
T
Ô
 Figuras seguintes.
M
 Exemplos.
I
C  Soluções sólidas em compostos iônicos.
A
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UFCG/CCT/UAEM
SOLUÇÕES SÓLIDAS
SUBSTITUCIONAIS
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D Zinco
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A Cobre
T
Ô
M Solução sólida substitucional desordenada ou ao acaso
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Zinco
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Cobre
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D
Intersticiais:
E
S Carbono em Ferro CFC
O
R
D
E
M
Ferro
A
T
Ô
Carbono
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
FATORES QUE INFLUEM NA FORMAÇÃO DE
SOLUÇÕES SÓLIDAS SUBSTITUCIONAIS
D  Regras de Hume-Rothery - Para garantir a “miscibilidade”
E entre dois metais, deve-se satisfazer as seguintes
S condições:
O
R  Raio atômico Os dois metais devem ter tamanhos
semelhantes, os raios metálicos não devem diferir mais do que
D
15%, caso contrário pode promover distorções na rede e, assim,
E formação de nova fase;
M
 Estrutura cristalina Para solubilidade apreciável o
anfitrião e átomos de impureza deveriam ter a mesma estrutura
A
cristalina;
T
Ô  Eletronegatividade próximas; Diferença de
eletronegatividade muito grande conduzirá a compostos
M
intermetálicos em lugar de soluções.
I
C  Valência Tenham o mesmo número de elétrons de
A valência (ou valência maior que a do hospedeiro).
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UFCG/CCT/UAEM
SOLUÇÕES SÓLIDAS INTERSTICIAIS
D
 Presença de Interstícios na rede cristalina 
E
possibilidade de alojar átomos diferentes
S
O  Os átomos de impurezas ou os elementos ocupam os
R espaços vazios (interstícios) existentes entre os átomos
D do solvente.
E
M
 Como os materiais metálicos tem geralmente fator de
empacotamento alto as posições intersticiais são
relativamente pequenas. Deste modo, o diâmetro atômico
A
da impureza intersticial deve ser menor do que o diâmetro
T
dos átomos hospedeiros!
Ô
M  Geralmente, a concentração máxima permissível para os
I átomos de impurezas intersticial é baixa (< 10%).
C
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SOLUÇÕES SÓLIDAS INTERSTICIAIS
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I
C
Solução sólida intersticial de estrutura CFC com soluto de
A tamanho: (a) pequeno e (b) elevado.
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DEFEITOS
O
R
D
CRISTALINOS
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C
A
UFCG/CCT/UAEM
IMPERFEIÇÕES ESTRUTURAIS
D  Apenas uma pequena fração dos sítios (ou posições)
E atômicos são imperfeitos
S
O
R Menos de 1 em 1 milhão
D
E
M  Mesmo sendo poucos eles influenciam muito nas
propriedades dos materiais e nem sempre de forma negativa
A
 Saber o tipo de imperfeição e como eles afetam o
T comportamento de materiais. Através da introdução de
Ô defeitos, controlando o número e o arranjo destes, é possível
M desenvolver (criar) novos materiais com as características
I
desejadas (combinação desejada de propriedades).
C
A
UFCG/CCT/UAEM
- IMPORTÂNCIA-
D  Exemplos:
E
 Propriedades mecânicas:
S
O  Aumento da resistência por encruamento (aumento da dureza devido a
deformação plástica);
R
D
 Wiskers de ferro (sem discordâncias) apresentam resistência maior que
10.000.000 psi, enquanto o ferro comum falha a aproximadamente 40.000
E psi.
M  Prata esterlina (92,5% Ag, 7,5% Cu) é muito mais forte que prata pura.
A
 Propriedades elétricas:
T  Os circuitos integrados funcionam por causa da concentrações altamente
controladas de impurezas específicas.
Ô
M  Dopagem em semicondutores. Controle de condutividade e mobilidades de
portador de carga.
I
C  Contorno de grão podem causar espalhamento do portador de carga.
A
UFCG/CCT/UAEM
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S
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UFCG/CCT/UAEM
O QUE É UM DEFEITO?
D
 É uma imperfeição ou um "erro" no arranjo
periódico regular dos átomos em um cristal que
E
S
O
tem uma ou mais de uma dimensão
R
D
 Podem envolver uma irregularidade
E  na posição dos átomos
M
 no tipo de átomos
A
T  O tipo e o número de defeitos dependem do
Ô material, do meio ambiente, e das circunstâncias
M sob as quais o cristal é processado (da “história”
I de processamento do material).
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Os defeitos ou imperfeições são classificados de
D
E
acordo com sua geometria ou dimensões em:
S
O  Defeitos Pontuais associados a 1 ou 2 posições
R atômicas; Vacâncias (Lacunas); Impurezas Intersticiais e
Substitucionais
D
E  Defeitos lineares associados a uma dimensão
M (discordâncias);
 Defeitos planares ou interfaciais associados a duas

A dimensões (fronteiras): Superfícies externas, Interfaces,
T Fronteiras de grão, Contornos de macla (tipo especial de
Ô contorno de grão)
M
 Defeitos volumétricos associados a três dimensões.
I Vazios; Fraturas; Inclusões e Outras Fases (precipitados)
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
Defeitos Pontuais
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O Vazios, vacâncias ou lacunas
R 
Schottky
D
Defeitos pontuais 
E
Interstici ais
M 
A

Frenkell
T
Ô
Figura 4.8.
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R Vacância: ausência de átomo
D
E
M Impureza Intersticial: átomo diferente ocupando um interstício
A
T
Impureza Substituciomal: átomo diferente ocupando uma
Ô vacância
M
I Auto Intersticial: átomo da própria rede ocupando um
C interstício
A
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S
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A
T
Ô
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I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Impurezas
D
E Impureza intersticial: o átomo de
S
impureza se situa em um lugar
O
intersticial, num vazio entre os
R
átomos hospedeiros:
Ex.: C em Fe-CCC. Em geral, são
D
menores que os átomos do solvente.
E
M
Em geral, as impurezas têm

A
diferentes valências e tamanhos
T
que os átomos do cristal. A rede é
Ô
deformada arredor dos
M
defeitos pontuais.
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
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S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Defeitos pontuais em ligas
D  Dois resultados de impureza (B) foi adicionada
E ao metal de base (A):
S
O  Solução sólida de B em A (isto é, distribuição ao
R
acaso de defeitos pontuais)
D
E
M ou
A
T
Ô
M
I Liga substitucional Liga intersticial
C (por exemplo, Cu em Ni) (por exemplo, C em Fe)
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
Solução sólida de B em A mais partículas
S de uma nova fase (usualmente para uma
O grande quantidade de B)
R
D
Partícula de segunda
E
fase
M
-- composição diferente
-- frequentemente
A estrutura diferente.
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Defeitos Pontuais: Comentários
D
 Vazios e Schottky favorecem a difusão
E
atômica.
S
O  Estruturas cristalinas de empacotamento
R “fechado” tem um menor número de
D defeitos Intersticiais e de Frenkel do que de
E Vacâncias e defeitos de Schottky.
M
A
T
Ô  “Porque é necessária uma energia adicional
M para forçar os átomos para novas
I posições”.
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
Defeitos Lineares
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
Cunha, Aresta ou Linha

S
O
R 
D Defeitos de linha Helicoidal , Espiral ou Hélice
E
Mista
M 
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
DEFEITOS LINEARES:
DISCORDÂNCIAS
D
 Discordância é um defeito linear
(unidimensional), em torno do qual alguns
E
S
O
átomos estão desalinhados, separando a região
R perfeita da região deformada do material.
D
E
 As discordâncias estão associadas com a
M cristalização do material e a sua deformação
(maior ocorrência).
A
T  Origem: térmica, mecânica e supersaturação de
Ô defeitos pontuais
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
DEFEITOS LINEARES:
DISCORDÂNCIAS
D
E  A presença deste defeito é a responsável pela
S deformação (os metais são cerca de 10 vezes
O
mais “moles” do que deveriam), falha e
rompimento dos materiais.
R
D
E
M
 A quantidade e o movimento das discordâncias

A
podem ser controlados pelo grau de
deformação (conformação mecânica) e/ou por
T
Ô
M
tratamentos térmicos.
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O vetor de “Burgers” (b):
O
 Expressa a “magnitude” e a “direção” da
distorção da rede cristalina, associada a
R
D
E
uma discordância.
M
 Corresponde à distância de deslocamento
A
dos átomos ao redor da discordância.
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D Defeito de linha: quando um plano atômico termina
E no cristal em lugar de passar por todo o cristal. Os
S planos vizinhos deste plano “curto” estão deslocados
O
com respeito aos planos abaixo da linha: deslocação
de aresta (Τ).
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D A discordância em
E Cunha, tem como
S características:
O
R
 Envolver um plano extra
de átomos
D
E  O vetor de Burger é
M perpendicular à direção
da linha de discordância
A  Envolve zonas de tração
T e compressão
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Os átomos arredor da discordância tem sido
D
E
deslocados das suas posições de equilíbrio no
S cristal perfeito: mais juntos acima da linha de
O discordância e mais separados abaixo da linha
R
D
E
M Há um campo de
deformações devido ao
A esticamento e compressão
das ligações
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
DISCORDANCIA EM CUNHA OU
ARESTA
D
E
 As discordâncias NÃO são defeitos de equilíbrio.
S
Aparecem quando o cristal é deformado por uma
O tensão ou quando está se formando.
R
D
E  A energia necessária para criar uma deslocação é
M
~100 eV
A  A energia para formar um defeito pontual: uns

T poucos eV.
Ô
M
I  É energeticamente mais favorável formar uns
C
defeitos pontuais de que uma discordância.
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
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UFCG/CCT/UAEM
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E
S
O
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T
Ô
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I
C
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UFCG/CCT/UAEM
D Vetor de
E Burgers Deslocamento
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
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A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Discordância em Hélice ou
Espiral
D
 Produz distorção na rede.
E
S  O vetor de burgers é
O paralelo à direção da linha
R de discordância.
D
E
M
A
T
As deslocações de aresta e helicoidais
Ô são geralmente criadas por tensões
M resultado do processamento térmico ou
I mecânico.
C
A
UFCG/CCT/UAEM
DISCORDANCIA EM HÉLICE
D
As discordâncias helicoidais
E
ocorrem, frequentemente, no
S
crescimento dos cristais que
O
envolve empilhamento
R
atômico em sua superfície.
D
E Estas deslocações ajudam o
M
crescimento oferecendo uma
nova “aresta” para ligar novos
átomos (mais ligações! Pode
A
minimizar a sua energia mais
T
que em outro lugar da
Ô
superfície).
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Deslocamento em hélice
D
 O crescimento acontece então em espiral
arredor da deslocação horizontal e a superfície
E
S
O
cristalina reflete esta geometria.
R
D
 A distorção atômica associada com uma
E
deslocação em hélice é também linear e ao
M longo de uma linha de deslocação,
A
 A deslocação em hélice deriva seu nome do
T caminho espiral ou helicoidal ou rampa que são
Ô localizadas ao redor da linha de deslocação em
M planos atômicos de átomos.
I
C
A
Prof. Ricardo
Ricardo Cabral
Cabral dede Vasconcelos
Vasconcelos 61
UFCG/CCT/UAEM
UFCG/CCT/UAEM
Deslocamento em hélice
D
E
S
O
 Vetor de Burgers: magnitude e direção da
R distorção do reticulado associado a uma
D deslocação
E
M
 Linha de deslocamento versus vetor de Burgers:
discordância em cunha – perpendicular; discordância
em hélice – paralelo
A
T  Material metálico: Vetor de Burgers = espaçamento
Ô interatomico
M
I
C
A
Prof. Ricardo
Ricardo Cabral
Cabral dede Vasconcelos
Vasconcelos 62
UFCG/CCT/UAEM
UFCG/CCT/UAEM
D
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S
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UFCG/CCT/UAEM
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UFCG/CCT/UAEM
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A
T
Ô
M
I
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A
UFCG/CCT/UAEM
DISCORDANCIA MISTA
D
E Um defeito de linha pode ser
S uma mistura de uma
O deslocação de aresta e uma
R helicoidal.
D
E
M
A A discordância mista é produzida

T
durante a solidificação do material ou
quando se aplica uma tensão
Ô
cisalhante sobre o mesmo, e é
M constituída por uma discordância em
I cunha associada a uma discordância
C em hélice.
A
UFCG/CCT/UAEM
D
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S
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D
E
M
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Ô
M
I
C
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UFCG/CCT/UAEM
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UFCG/CCT/UAEM
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UFCG/CCT/UAEM
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UFCG/CCT/UAEM
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S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Conclusão
D  Temperatura influência direta na velocidade de
E deslocamento das discordâncias. Com o aumento da
S temperatura há um aumento na velocidade de
O deslocamento das discordâncias favorecendo o
aniquilamento mútuo das mesmas e formação de
R
discordâncias únicas.
D
E  Impurezas tendem a difundir-se e concentrar-se em
M torno das discordâncias formando uma “atmosfera” de
impurezas.
A
 Deformação Plástica As discordância contribuem
T para a deformação plástica. Aumenta a tensão e diminui a
Ô ductilidade.
M
I
 As discordâncias geram vacâncias.
C  As discordâncias influem nos processos de difusão.
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
Defeitos Planares
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O Superfície

R
Imperfeiçõ es de Fronteira Contorno de grão
D
Contorno de pequeno ângulo
E

M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
DEFEITOS PLANARES OU
INTERFACIAIS
D
“Defeitos Interfaciais” envolvem fronteiras, são
E contornos que possuem duas dimensões e,
S normalmente, separam regiões dos materiais que têm
O diferentes estruturas cristalinas e/ou orientações
R cristalográficas
D
E
M Essas imperfeições incluem:
 Superfície externa;
A
T  Contorno de grão;
Ô
 Contorno de Macla ou Twins;
M
I  Defeitos de empilhamento;
C  Fronteiras entre fases.
A
UFCG/CCT/UAEM
Superfície Externa
D  É a mais óbvia das

E fronteiras: superfície
S externa, ao longo do
O qual termina a
R estrutura do cristal.
D
 Na superfície os
E
átomos não estão
M
unidos ao número
máximo de vizinhos
A mais próximos, isto
T implica num estado
Ô energético (dos
M átomos na superfície)
I maior que no interior
C
do cristal.
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Monocristal e Policristal
D
E
Definições:
S
• Monocristal: Material com arranjo
O
periódico de átomos perfeito e com
apenas uma orientação cristalina, ou seja,
R
D
E
que contém apenas um grão (estende-se
M pelo cristal inteiro).
A
• Policristal: Material com mais de uma
T orientação cristalina, ou seja, que contém
Ô vários grãos. Em outras palavras, são
M formados por monocristais com diferentes
I orientações.
C
A
UFCG/CCT/UAEM
LINGOTE POLICRISTALINO
Metal Ingot
D
E
~ 8cm
S
O
R
D
E
M
A heat
T flow
Ô
Um lingote de chumbo policristalino
M Lingote de alumínio de elevada pureza, onde os grãos
I individuais podem ser identificados.
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Esquema de policristal
D
E
S
Contornos
O de grão
R
D Grão
E
M Orientação da célula
Grão A
unitária no grão A
A Grão B
T
Ô
M
Orientação da célula
I unitária no grão B
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Contornos de grão
Defeitos superficiais que separam pequenos grãos
D (cristais que possuem orientações cristalográficas
E diferentes em materiais policristalinos).
S
O
R
D
E Alinhamento perfeito. Nenhum
M Mesmas faces contorno de grão é formado
A
T
Ô
Desalinhamento leva
M Faces diferentes a contorno de grão
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Características
D  Há um empacotamento atômico
menos eficiente
E
S  Há uma energia mais elevada
O  Favorece a nucleação de novas
fases (segregação)
R
D  Átomos difundem-se mais facilmente
nos contornos
E
M  No interior de cada grão todos os
átomos estão arranjados segundo
um único modelo e única orientação,
caracterizada pela célula unitária.
A Através dele existe uma mudança na
orientação cristalina.
T
Ô  O contorno de grão ancora o
movimento das discordância pois
M constitui um obstáculo para a
passagem da mesma, logo, quanto
I menor o tamanho de grão maior a
C resistência do material
A
UFCG/CCT/UAEM
Contorno de grão - Características
D  é produzido pelo processo de solidificação, por exemplo.
E  tem energia interfacial ou de contorno de grão semelhante à energia
S de superfície.
O  Contornos de grão são quimicamente mais reativo que o próprio
R grão como consequência desta sua energia de contorno. (impurezas
D
segregam frequentemente fora, no contorno de grão debilitando-os –
são bons locais para a ocorrência da fratura ).
E
M
 Átomos estão menos regularmente unidos ao longo de um contorno
de grão. Desordem de átomos na transição da orientação cristalina
 Energia é função do grau de desordem, sendo maior para contornos
A de grão de alto-ângulo.
T
 Bons lugares para dispersar elétrons ou inibir seu movimento
Ô
M
 Energia total: menor em material de grão grande, que num material
de grão fino.
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Defeitos Planares: Contorno de
Grão
Apesar deste arranjo desordenado de átomos e falta habitual de
D união ao longo do contorno de grão, um material policristalino
E ainda é muito forte: forças aderentes dentro e através do contorno
estão presentes.
S
O Materiais podem fluir. Significa que até mesmo metais a altas
R temperaturas pode fluir como líquidos por difusão, frequentemente
D
através do contorno de grão.
E
M A fronteira entre os monocristais é uma “parede”, que
corresponde a um defeito bidimensional.
A
Este defeito refere-se ao contorno que separa dois pequenos
T
grãos (ou cristais), com diferentes orientações cristalográficas,
Ô
M presentes num material poli-cristalino.
I
A passagem de uma discordância através do contorno de grão
C
requer energia
A
UFCG/CCT/UAEM
FORMAÇÃO DOS GRÃOS
D A: Formação de pequenos
E
núcleos de cristalização
S
(cristalitos)
O
R
B: Crescimento dos
D
cristalitos A B
E (A) (B)
M
C: Formação de Grãos, com
formatos irregulares, após
A
completada a solidificação.
T
Ô
M
D: Vista, num microscópio, da C D
I estrutura de Grãos (as linhas
(C) (D)
C escuras são os contornos dos
A Grãos)
UFCG/CCT/UAEM
GRÃO
D
E A forma do grão é controlada:
S
O  pela presença dos grãos
circunvizinhos
R
D
O tamanho de grão é controlado

E
M
A  Composição química
T
Ô  Taxa (velocidade) de cristalização ou
M solidificação
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
CONTORNO DE GRÃO
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M Em geral, por questões termodinâmicas
I (energia) os grãos maiores crescem em
C detrimento dos menores
A
UFCG/CCT/UAEM
Contorno de Grão de “Baixo
Ângulo” ou “Pequeno Ângulo”
D
E
S Contorno de grão de
O pequeno ângulo como este
R
contorno inclinado pode
ser considerado como uma
D
ordem de deslocações em
E
cunha.
M
Ângulo de desorientação é
A paralelo (ou 0o) ao
T contorno, tem-se como
resultado um contorno
Ô torcido, que pode ser
M descrito por meio de um
I arranjo de discordâncias
em espiral.
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Contorno de Grão de “Baixo Ângulo”
ou “Pequeno Ângulo”
Fronteira onde ocorre apenas uma rotação em relação a um eixo
D contido no plano da interface.
E
Ocorre quando a desorientação dos cristais é pequena (ângulo de
S rotação < 15o)
O
Pode ser representado por uma seqüência de discordâncias em linha.
R
D Ângulo de desalinhamento
E
M
Contorno de grão de alto ângulo
A
Contorno de grão de baixo ângulo
T
Ô Dependendo de quais planos são
M reunidos, o ângulo de alinhamento
I variará.
C Ângulo de desalinhamento
A
UFCG/CCT/UAEM
Contorno de Grão:
Comentários
D  Os átomos estão ligados de maneira menos regular ao longo de
E
um contorno de grão (Ex.: ângulos de ligação mais longos)
S
O Existe uma “Energia Interfacial” que é função
R do grau de desorientação.
D
E
M
 Contornos de grão são quimicamente mais reativos do que os
grãos.
A
T
A energia interfacial total é menor nos materiais com grãos
Ô maiores ou mais grosseiros do que nos materiais com grãos mais
M
finos, uma vez que a área de contorno total é menor naqueles
materiais com grãos maiores. Os grãos crescem a temperaturas
I elevadas para reduzir a energia total dos contornos.
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
TAMANHO DE GRÃO
D
E
O tamanho de grão influi nas
S propriedades dos materiais
O
R
D
Para a determinação do tamanho de
E grão utiliza-se “cartas padrões”.
M
 ASTM - American Society for Testing
A
and Materials (ou ABNT)
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
DETERMINAÇÃO DO TAMANHO DE
GRÃO
D  Número do tamanho de grão: 1 -10
E
 Aumento: 100 X
S
O  O número ASTM de tamanho de grão, n, é dado por:
R
D
E
M N
N=2= 2
n-1 n-1 Quanto maior o número menor o
tamanho de grão da amostra
A
T
Ô  N = número médio de grãos observados por polegada
M quadrada, quando o metal e observado com um
I
aumento linear de 100X. (Tabela 6.1) Ex.: 6.1 e 6.2.
C  n = tamanho de grão
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Defeitos Planares: Contorno de Macla,
Twins ou Cristais Gêmeos
D A macla ocorre num plano definido e numa direção
E específica, chamada de direção de maclação, dependendo
S da estrutura cristalina
O
R
D
E Plano de macla
(twin plane) Formadas pela
M
aplicação de tensão
mecânica ou em
A tratamentos térmicos
T
de recozimento
(annealing)
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
 Este tipo de contorno, também denominado de
E
“Twins” (cristais gêmeos), é um tipo especial de
S
contorno de grão, onde existe uma simetria
O
específica em “espelho” da rede cristalina.
R
D  Tal defeito ocorre quando parte da rede cristalina é
E
deformada, de modo que a mesma forme uma
M
imagem especular da parte não deformada. Os
átomos de um lado do contorno são “imagens
A
especulares” (imagem de espelho) dos átomos do
T
outro lado do contorno.
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Contorno de macla:
D
E
S
O plano cristalográfico de simetria
O entre as regiões deformadas e não
R deformada é chamado de plano de
D maclação.
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Origens das MACLAS
D
 O aparecimento do contorno de Maclas
está, geralmente, associado com:
E
S
O
 Tensões Mecânicas (Maclas de deformação):
R
ocorrência de deslocamentos atômicos
D
produzidos por cisalhamento. Observadas em
E
metais com estruturas CCC e HC
M
 Tratamento Térmico de Recozimento (Maclas

A de Recozimento): encontradas geralmente em
T metais com estrutura cristalina CFC
Ô
M  Alteração da Estequiometria
I
C
 Presença de Impurezas
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Falhas no empilhamento
D Algumas vezes a sequência de empilhamento atômico produz a
E diferença, um erro no empilhando de átomos pode mudar as
S propriedades do material
O
ABCABABABACBACBAC
R
D Exemplo: falhas de
empilhamento podem Falhas de empilhamento
E
converter estruturas assemelham-se quase
M CFC em HC. Materiais precisamente como
destas duas estruturas maclas no microscópio
contêm
A eletrônico.
frequentemente tais
T falhas e muitos têm
Ô como resultado
M
alteração de
propriedades.
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
Defeitos
R
D
E
Volumétricos
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
MPERFEIÇÕES VOLUMÉTRICAS
D  Defeitos introduzidos durante o processamento do
E material e/ou na fabricação do componente
S
O
 Tipos de defeitos Volumétricos:
R  Inclusões presença de Impurezas estranhas;
D
 Precipitados são aglomerados de partículas cuja
E composição difere da matriz;
M
 Porosidade origina-se devido a presença ou formação de
gases durante o processamento do material;
A
 Fases devido à presença de impurezas ou elementos de
T
liga (ocorre quando o limite de solubilidade é ultrapassado);
Ô
M
 Estrias segregacionais ocorre principalmente em materiais
semicondutores dopados.
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Inclusões
D  Exemplo 1: Inclusões de óxido de
E cobre (Cu2O) em cobre de alta
S pureza (99,26%), laminado a frio e
O recozido a 800 oC.
R
D
E
M
A
T
Ô
M  Exemplo 2: sulfetos de manganês (MnS) em
I
aço rápido.
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Porosidade
D  A figura ”a” abaixo apresenta a superfície de ferro puro
E durante o seu processamento por metalurgia do pó. Nota-se
S que, embora a sinterização tenha diminuído a quantidade de
O poros bem como melhorado sua forma (os poros estão mais
R arredondados), ainda permanece uma porosidade residual.
D
E
M
A
T
Ô
M
a) Compactado de pó de ferro, Compactado de pó de ferro após
I
compactação uniaxial em matriz sinterização a 1150oC, por 120min
C
de duplo efeito, a 550 MPa em atmosfera de hidrogênio.
A
UFCG/CCT/UAEM
Partículas de Segunda Fase
D Micro-estrutura composta por
E veios de grafita sobre uma
S matriz perlítica.
O
R
D
E
M
A
T
Ô Grão de perlita: é constituído por
M lamelas alternadas de duas fases:
I ferrita (ou ferro-) e cementita (ou
C carboneto de ferro).
A
UFCG/CCT/UAEM
EFEITO DAS DISCORDÂNCIAS
D  Os fenômenos de deformação plástica ou
E permanente em metais depende totalmente da
S presença e movimento das discordâncias.
O
R  Nos metais as discordâncias aumentam a
D
resistividade do material, aumentam o ruído em
E
aparelhos semicondutores, etc.
M
 As discordâncias podem ser controladas e
praticamente eliminadas em cristais
A semicondutores:
T
Ô  linhas de interconexão metálicas num chip: 104-105
linhas de deslocação por mm2 do cristal;
M
I  Cristal de Si “wafer”: 1 linha de deslocação por mm2 de
C cristal.
A
UFCG/CCT/UAEM
CONSIDERAÇÕES GERAIS
D
Com o aumento da temperatura há um
E
aumento na velocidade de
deslocamento das discordâncias
S
favorecendo o aniquilamento mútuo

O
R
D das mesmas e formação de
E discordâncias únicas
M
Impurezas tendem a difundir-se e
A concentrar-se em torno das
T discordâncias formando uma
Ô
atmosfera de impurezas
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
CONSIDERAÇÕES GERAIS
D  A quantidade e o movimento das discordâncias podem ser
E controlados pelo grau de deformação (conformação
S mecânica) e/ou por tratamentos térmicos
O
R  A densidade das discordâncias depende da orientação
D cristalográfica pois o cisalhamento se dá mais facilmente
E nos planos de maior densidade atômica
M
 As discordâncias geram vacâncias
A  As discordâncias influem nos processos de difusão
T
Ô  A formação de discordâncias contribuem para a
M
deformação plástica
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D
E
S
O
Movimentos
R
D
E
Atômicos
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM
Movimentos Atômicos
D  Os átomos, em um cristal, somente ficam
E estatísticos no zero absoluto (- 2730C). - Posição
S correspondente ao mínimo de energia. Elevação
O da temperatura; vibrações térmicas; dispersão
R ao acaso dos átomos em torno da posição de
D menor energia.
E
 Deslocamentos atômicos podem também
M
ocorrer sob ação de campos elétricos ou
magnéticos, se as cargas dos átomos interagem
A com o campo.
T
Ô  Movimentos atômicos para novas posições
M
serão observados, se a temperatura ou campo
aplicado for suficiente para fornecer a energia
necessária para retirar o átomo de sua posição
I
C
original no reticulado.
A
UFCG/CCT/UAEM
D  Muitos dos
E movimentos
S atômicos envolvem
O defeitos pontuais. O
R mecanismo de
D vazios requer pouca
E energia e move um
M átomo de uma
posição para um
A
vazio adjacente. O
T
mecanismo
Ô
intersticial move
átomos entre os
M
átomos vizinhos.
I
Figura 4.20.
C
A
UFCG/CCT/UAEM
D  Podem ocorrer movimentos em cristais sem defeitos pontuais. –
Difusão em anel. Figura 4.21.
E
S  Um átomo qualquer tem iguais probabilidades de se mover em cada
O
uma das três direções do espaço. Só ocorre difusão quando há um
gradiente de concentração, potencial ou pressão.
R
D
E
M
A
T
Ô
M
I
C
A
UFCG/CCT/UAEM

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D

UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE

 Defeitos planares ou interfaciais associados a duas

Em geral, as impurezas têm

Cunha, Aresta ou Linha

 A quantidade e o movimento das discordâncias

A  A energia para formar um defeito pontual: uns

A A discordância mista é produzida

D  É a mais óbvia das

O tamanho de grão é controlado

 Tratamento Térmico de Recozimento (Maclas

favorecendo o aniquilamento mútuo

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