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Índice
Introdução ....................................................................................................................................... 1
Objectivos do trabalho: ................................................................................................................... 2
Geral ............................................................................................................................................ 2
Especificos .................................................................................................................................. 2
Metodologia de Trabalho ............................................................................................................ 2
Transístor efeito de campo .............................................................................................................. 3
Tipologia ......................................................................................................................................... 3
Transistor efeito de campo de junção (FET) ............................................................................... 3
Símbolo.................................................................................................................................... 4
Funcionamento ........................................................................................................................ 4
Característica de saída ............................................................................................................. 5
Aplicação ................................................................................................................................. 6
MOSFET ..................................................................................................................................... 7
MOSFET DE MODO DEPLEÇÃO ............................................................................................ 7
Símbolo Esquemático .............................................................................................................. 8
Funcionamento ........................................................................................................................ 8
Característica de saída ............................................................................................................. 9
Aplicação ............................................................................................................................... 10
MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAÇÃO ......................................... 10
Símbolo Esquemático ............................................................................................................ 11
Funcionamento ...................................................................................................................... 11
Característica de saída ........................................................................................................... 12
Conclusão...................................................................................................................................... 14
Referências Bibliográficas ............................................................................................................ 15
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Introdução
Para falar do transistor de efeito de campo é importante recordar de alguns aspectos em relação ao
transistor bipolar, pois estes possuem mais semelhanças do que diferenças. No entanto o transistor
bipolar baseia-se em dois tipos de cargas respectivamente, electrões e lacunas por isso é chamado
de bipolar, ao passo que o transistor de efeito de campo depende apenas de um tipo de carga, de
electrões ou lacunas, por isso ele é chamado de transistor unipolar. No presente trabalho me
debruçarei acerca dos tipos de transistor de efeito de campo, seu funcionamento, carcterísticas de
saida e aplicação.
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Objectivos do trabalho:

Geral
 Estudar o príncipio de funcionamento do transístor efeito de campo

Especificos
 Diferenciar o transístor efeito de campo FET do MOSFET;
 Descrever o príncipio de funcionamento dos transístores FET e MOSFET;
 Ilustrar a característica de saída do transistor efeito de campo.

Metodologia de Trabalho
A metodologia usada para a elaboração deste trabalho, foi a revisão bibliográfica. A bibliografia
usada centrou-se nos seguintes temas: Transístor de efeito de campo, tipologia dos transístores
efeito de campo, aplicação dos transístores e característica de saída.
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Conceito:

Transístor efeito de campo

Transistor efeito de campo (FET, field effect transistor) é um dispositivo que controla o fluxo de
corrente por meio da tensão aplicada em um de seus terminais, diferentemente do transistor bipolar
(BJT, bipolar junction transistor), em que o fluxo de corrente depende da corrente aplicada em
seus terminais. O principio de funcionamento desse dispositivo esta baseado na modulação
aplicada em seus elementos (portas), que vai controlar a corrente que circulará em uma região
denominada canal.

Tipologia
Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo: MOSFET (metal- oxide-
semiconductor FET), também chamado de IGMOS (insulated gate MOS) ou transistor MOS, e
JFET (junction FET). Os MOSFETs são mais usados, principalmente em circuitos integrados e
como dispositivos de potência. Esses transistores podem ser encontrados com polaridades de canal
N e canal P.

Transistor efeito de campo de junção (FET)

Existem dois tipos de transistor efeito de campo de junção, denominados de JFET canal N e JFET
canal P.
Como o transistor bipolar, o JFET também três terminais chamados Porta (Gate), Fonte (Source)
e Dreno (Drain).

Figura 1. À esquerda temos JFET canal N e à direita JFET canal P.

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Símbolo
Na figura abaixo temos representado os tipos dos transistores efeito de campo de junção JFET.

Figura 2. À esquerda temos JFET canal N e à direita JFET canal P.

Funcionamento
como já sabemos, o transistor NPN necessita de uma polarização directa no colector (+Vcc) e uma
tensão entre a base e o emissor (VBE) para o seu funcionamento corrrecto. Isto também acontece
com o JFET que também necessita de uma tensão de dreno (+Vdd) e tensão porta (gate) – fonte
(source) VGS.
A tensão (+Vdd)é conectada entre o dreno e a fonte para o JFET canal n, causando desta forma a
circulação de corrente através do canal N. A corrente que sai da fonte para o dreno é chamada de
corrente de dreno (Id) do JFET. A corrente de dreno depende de dois elementos:
 O valor da (+Vdd) aplicada entre o dreno e a fonte e o valor de (VGS) aplicada entre a
porta e a fonte.

Figura 3. Ilustração da polarização do transistor efeito de campo de junção JFET.

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Característica de saída
Como no transistor bipolar TBJ, o JFET responde à certas variações e para observar melhor usam-
se gráficos.
No gráfico abaixo observa-se que a curva característica do dreno é muito similar à curva
característica do colector do transistor bipolar.
Apartir do gráfico conseguimos notar que um aumento da tensão de dreno (+Vdd) causa um
aumento na tensão dreno-fonte (VDS) que resulta no aumento da corrente de dreno (Id). No
exemplo 5V é a tensão de estrangulamento (Vp), se VDS aumentar até um certo valor com o
aumento de (+Vdd), o JFET irá eventualmente alcançar a tensão breakdown (Vbr).
A figura 4.(a) ilustra o que acontece com Id com o aumento de Vds quando a tensão VGS=0V. A
figura 4.(b) ilustra o que acontece com JFET canal N, quando a junção porta – fonte é inversamente
polarizada com tensões negativas. Como VGS é mais negativo a porta irá ficar inversamente
polarizada e a corrente de dreno Id correspondente irá diminuir. Quando VGS é igual a 0V, uma
máxima corrente de dreno irá circular através do JFET.

Figura 4. (a) – gráfico da corrente de dreno (Id) Versus tensão dreno – fonte (Vds) quando
VGS=0V. (b) - gráfico da corrente de dreno (Id) Versus tensão dreno – fonte (Vds) com tensões
negativas.
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O máximo valor da corrente de dreno é chamado de drain-to-source current with shorted gate
(Idss), ou seja, corrente de dreno-fonte com a porta curto circuitada.
Quando a corrente de dreno é muito negativa, a zona de depleção entre as regiões do JFET tende
a se fechar até que eventualmente se fecha e deste modo cortando a circulação da corrente de
dreno. Esta tensão negativa de VGS que faz com que Id se aproxime de zero é chamada de gate-
to-source cutoff voltage ou VGS(off).
No gráfico temos que:
Quando VGS = 0V ; Id = Idss = 10mA;
Vp = 5V; VBR = 30V; VGS (off) = -5V;
Região de corrente constante = Vp para VBR = 5V para 30V.

Figura 5. Caracteríticas do JFET

Aplicação
Um JFET típico tem uma resistência de entrada de centenas de megaohms, por isso os JFETs
predominam em aplicações nas quais uma alta impedância de entrada é necessária. Uma das
aplicações mais importantes do JFET é o seguidor de fonte, mas também ele é usado para
ampificadores de tensão e sinais de radio frequência.
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MOSFET
O FET de óxido de semicondutor e metal, ou MOSFET, tem uma fonte, uma porta e um dreno.
Contudo, ao contrário de um JFET,a porta está eletricamente isolada do canal.
Por isso, a corrente de porta é extremamente pequena, mesmo que a porta seja positiva ou negativa.
O MOSFET é algumas vezes chamado IGFET, que quer dizer FET de porta isolada, isto é, ele tem
uma porta de metal que é isolada do canal semicondutor pela camada de dioxido de silicio.
A principal diferença entre JFET e MOSFET é que a tensão de entrada na junção gate-source do
JFET sempre deve ser zero ou negativa. Ao passo que a tensão de entrada do MOSFET pode ser
tanto positiva como negativa desde que a corrente da porta seja sempre zero porque a porta é
isolada do canal. Analisando as duas possibilidades de tensão de entrada teremos o seguinte:
 Se a tensão de entrada for negativa, o campo eléctrico resultante diminui o canal, reduzindo
seu tamanho. Deste modo diz-se que o MOSFET opera no modo depleção;
 Se a tensão de entrada for positiva, o campo eléctrico resultante melhora ou aumenta o
canal, aumentando seu tamanho. Deste modo diz-se que o MOSFET opera no modo
melhoramento/crescimento.

MOSFET DE MODO DEPLEÇÃO

A Figura 5. mostra um MOSFET de modo depleção canal n. Ele é uma parte de material tipo n
com uma região p à direita e uma porta isolada à esquerda. Os elétrons livres podem fluir da fonte
para o dreno através do material n. A região p é chamada substrato (ou corpo).Os elétrons que
fluem da fonte para o dreno têm de passar através do estreito canal entre a porta e a região p. A
fina camada de dióxido de silício (SP2) é depositada no lado esquerdo do canal. Dióxido de silício
é o mesmo que vidro, que é um isolante. Em um MOSFET, a porta é metálica. Como a porta
metálica está isolada do canal, um valor insignificante de corrente de porta flui mesmo quando a
tensão da porta é positiva.

Figura 5. MOSFET de modo depleção.

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Símbolo Esquemático
A Figura 6. mostra o símbolo esquemático para um MOSFET de modo depleção.
Exatamente à direita da porta está uma linha fina vertical representando o canal. O terminal do
dreno sai na extremidade superior do canal e o terminal da fonte é conectado na extremidade
inferior. A seta no substrato p aponta para o material n. Em algumas aplicações, uma tensão pode
ser aplicada ao substrato para ajudar no controle da corrente de dreno. Por isso, alguns MOSFETs
de modo depleção têm quatro terminais externos. Mas na maioria das aplicações, o substrato é
conectado à fonte. Geralmente, o fabricante conecta internamente o substrato à fonte. Isso resulta
em um dispositivo de três terminais cujo símbolo esquemático é mostrado na Figura 6 (b).

Figura 6. Símbolos esquemáticos.

Funcionamento
A Figura 7.a mostra o MOSFET de modo depleção com uma tensão de porta negativa. A tensão
de alimentação VDD força os elétrons livres a fluir da fonte para o dreno. Esses elétrons fluem
através do estreito canal à esquerda do substrato. Como em um JFET,a tensão da porta controla a
largura do canal. Quanto mais negativa a tensão da porta, menor a corrente de dreno. Quando a
tensão da porta é suficientemente negativa, a corrente de dreno é cortada. Portanto, o
funcionamento de um MOSFET é similar ao de um JFET quando VGS é negativa.
Como a porta do MOSFET está eletricamente isolada do canal, podemos aplicar uma tensão
positiva na porta, como mostrado na Figura 7.b. A tensão positiva na porta aumenta o número de
elétrons livres que fluem através do canal. Quanto maior a tensão positiva na porta, maior a
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condução da fonte para o dreno. A possibilidade do uso de uma tensão positiva na porta é o que
distingue o MOSFET de modo depleção do JFET.

Figura 7. (a) Tensão de porta negativa; (b) tensão de porta positiva.

Característica de saída

Figura 8. (a) Curvas de dreno; (b) curva de transcondutância.

A Figura 8.a mostra curvas de dreno típicas para um MOSFET de canal n. Observe que as curvas
de cima têm um VGS positivo e as curvas de baixot êm um VGS negativo.
A curva de dreno mais abaixo é dada por VGS =VGS(off). Ao longo dessa curva de corte, a corrente
de dreno é aproximadamente zero. Quando VGS está entre VGS(off) e zero, temos a operação no
modo de depleção. E VGS maior do que zero nos dá a operação no modo de intensificação.
Novamente, essas curvas de dreno apresentam uma região ôhmica, uma região de fonte de corrente
e uma região de corte. Semelhante ao JFET, o MOSFET no modo depleção tem duas grandes
aplicações: uma fonte de corrente ou uma resistência.
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A Figura 8.b mostra a curva de transcondutância de um MOSFETde modo depleção, e IDss é a

corrente de dreno com a porta curto-circuitada. Como a curva se estende à direita da origem, IDSS
não é mais a corrente de dreno máxima possível.
Matematicamente, essa curva ainda é parte de uma parábola, e existe a mesma relação quadrática
que ocorre em um JFET. Realmente, o MOSFET de modo depleção tem uma corrente de dreno
dada pela mesma equação de transcondutância anterior, Equação abaixo. Além disso, ele tem o
mesmo circuito equivalente do JFET. Por isso, a análise de circuitos com MOSFET de modo
depleção é quase idêntica àquela de circuitos com JFET. A única diferença é a análise para a tensão
de porta positiva, porém ainda assim as mesmas fórmulas básicas são usadas para determinar a
corrente de dreno, a tensão porta-fonte etc.

Figura 9. Equação de transcondutância.

Aplicação
MOSFET no modo depleção tem duas grandes aplicações: uma que é usada como fonte de corrente
e outra como uma resistência.

MOSFET DE MODO CRESCIMENTO OU INTENSIFICAÇÃO

A Figura 10 mostra um MOSFET de canal n do tipo crescimento ou intensificação.
O substrato estende-se por todo o caminho até o dióxido de silício. Como vê-se, não há mais um
canal n entre a fonte e o dreno.

Figura 10. MOSFET de canal n do tipo crescimento ou intensificação.

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Símbolo Esquemático
Quando VGS = 0V, o MOSFET de modo intensificação é desligado porque não há canal
de condução entre a fonte e o dreno.
O símbolo esquemático da Figura 11.a tem a linha do canal partida para indicar essa condição de
normalmente desligado. Como sabemos, uma tensão de porta maior do que a tensão de limiar cria
uma camada de inversão tipo n que conecta a fonte ao dreno. A seta aponta para essa camada de
inversão, que funciona como um canal n quando o dispositivo está em condução.
Existe também um MOSFETde modo intensificação de canal p. O símbolo esquemático é similar,
exceto que a seta aponta para fora, como mostrado na Figura 11b.

Figura 11. Símbolos esquemáticos: (a) canal n; (b) canal p.

Funcionamento
A Figura 12 mostra a polarização normal. Quando a tensão da porta é zero, a alimentação Vdd
tenta forçar a ida dos elétrons livres da fonte para o dreno, mas o substrato p tem apenas uns poucos
elétrons livres produzidos termicamente. Pondo de lado esses portadores minoritários e alguma
fuga de superfície, a corrente entre a fonte e o dreno é zero. Por isso, um MOSFET de modo
crescimento ou intensificação está normalmente no estado desligado (off) quando a tensão da porta
é zero. Isso é completamente diferente dos dispositivos de modo depleção como o JFET ou o
MOSFET de modo depleção. Quando a porta é suficientemente positiva, ela atrai elétrons livres
na região p. Os elétrons livres recombinam-se com as lacunas na região próxima ao dióxido de
silício. Quando a tensão da porta é suficientemente positiva, todas as lacunas encostadas ao dióxido
de silício são preenchidas e elétrons livres começam a fluir da fonte para o dreno. O efeito é o
mesmo que a criação de uma fina camada de material tipo n próxima ao dióxido de silício. Essa
camada condutora é chamada camada de inversão tipo n. Quando ela existe o dispositivo,
normalmente aberto, de repente conduz e os elétrons livres fluem facilmente da fonte para o dreno.
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o VGSmínimo que cria a camada de inversão tipo n é chamado tensão de limiar, simbolizado por
VGS(th), Quando VGS é menor do que VGS(th) a corrente de dreno é zero.
Mas quando VGS é maior do que VGS(th) uma camada de inversão tipo n conecta a fonte ao dreno
e a corrente de dreno é grande. Dependendo do dispositivo em particular que está sendo usado,
VGS(th) pode variar de menos de 1 V até mais de 5 V.
Quando VGS = 0V, o MOSFET de modo intensificação é desligado porque não há canal
de condução entre a fonte e o dreno

Figura 12. Polarização normal MOSFET de modo crescimento.

Característica de saída
A Figura 13.a mostra um conjunto de curvas para um MOSFET de modo intensificação e uma reta
de carga típica. A curva mais baixa é a curva para VGS(th). Quando VGS é menor do que VGS(th)
a corrente de dreno é de aproximadamente zero. Quando VGS é maior do que VGS(th) o dispositivo
liga-se e a corrente de dreno é controlada pela tensão da porta. Novamente, observe as partes quase
vertical e quase horizontal das curvas. A parte quase vertical corresponde à região ôhmica, e as
partes quase horizontais correspondem à região de fonte de corrente. O MOSFET do tipo
intensificação pode operar em cada uma dessas duas regiões. Em outras palavras, ele pode
funcionar como uma fonte de corrente ou um resistor.
A Figura 13.b mostra uma curva de transcondutância típica. Novamente, a curva é parabólica ou
quadrática. O vértice (ponto de início) da parábola está em VGS(th).
Por isso, a equação para a parábola é diferente da anterior. Ela agora é igual a:
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onde K é uma constante que depende do MOSFET em particular. Qualquer folha de dados para
um MOSFET de modo intensificação incluirá a corrente ID(on) ou ID(ligado) e a tensão VGS(on)
ou VGS(ligado) para um ponto bem acima do ponto de limiar, como mostrado na Figura 13.b.

Figura13. (a) Curvas de dreno; (b) curva de transcondutância.

Com JFETs e MOSFETs de modo depleção, os valores de 1Dss e VGS(off) são as grandezas
importantes para análise. Com os MOSFETs de modo intensificação, as grandezas importantes são
ID(on) VGS(th) e VGS(on) mostrados na Figura 13.b. Essas três grandezas são os primeiros itens
a serem procurados em uma folha de dados. Substituindo essas grandezas na Equação, podemos
organizar a equação de uma forma mais simples:

Onde,

.
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Conclusão
Foi uma satisfação enorme para mim debruçar-me sobre transistores efeito de campo, no entanto
concluí que embora o MOSFET de modo depleção seja usado em situações especiais, ele não tem
uso generalizado. Porém, ele desempenha um importante papel na história porque fez parte da
evolução em direção ao MOSFET de modo crescimento ou intensificação,um dispositivo que
revolucionou a indústria eletrônica.
Esse segundo tipo de MOSFET tornou-se muito importante em eletrônica digital e computadores.
Sem ele, os computadores pessoais, agora tão populares, não existiriam. Os JFETs e os MOSFETs
de modo depleção são classificados como dispositivos de modo depleção porque suas
condutividades dependem do funcionamento das camadas de depleção. O MOSFET de modo
intensificação é classificado como um dispositivo de modo intensificação porque a sua
condutividade depende do funcionamento da camada de inversão tipo n. Os dispositivos de modo
depleção são normalmente fechados quando a tensão da porta é zero, enquanto os dispositivos de
modo intensificação são normalmente abertos quando a tensão da porta é zero.
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Referências Bibliográficas
MALVINO, Albert Paul. Electrónica, São Paulo, Volume I, 4ª edição.
BOYLESTAD. Dispositivos electrónicos e Teoria de circuitos. 8 ª edição.
SEDRA/SMITH, Micrelectrônica, 4ª Edição. Makron books do Brazil SP 2000.