NOTA DE AULA

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CURSO: ENGENHARIA DE ENERGIA TURMA: 2020.2

DISC.: PRINCÍPIOS DE ELETRÔNICA PROF.: HENRIQUE
ASSUNTO: TRANSISTORES

INTRODUÇÃO

A condução dos diodos só depende da sua polarização e isto não é conveniente na

maioria das aplicações eletrônicas, onde o perfeito sincronismo entre os diferentes ato-
res do sistema exige um controle que os diodos não podem realizar e para esta tarefa
se faz necessário o emprego de um dispositivo que seja capaz de conduzir segundo um
sinal de comando. Um componente capaz de realizar tal operação é conhecido como
transistor.
Há diferentes tipos de transistores, os quais se aplicam muito bem a determinadas apli-
cações, podemos citar o transistor bipolar (TJB), o transistor de unijunção (UJT), o tran-
sistor de efeito de campo (FET), o transistor insular (IGBT). Nesta unidade nos concen-
traremos no transistor de junção bipolar (TJB) ou transistor bipolar como é mais conhe-
cido.
TRANSISTOR BIPOLAR – TJB

Os transistores bipolares são constituídos pela união de três cristais do tipo P e do tipo
N alternadamente, formando duas junções PN (daí seu nome). Assim, eles podem ser
do tipo PNP ou NPN de acordo com a disposição dos cristais (Fig. 01).

Fig. 01 – Constituição do transistor bipolar.

Observa-se na Fig. 01 que em cada cristal é fundido um terminal de acesso ao disposi-
tivo, que por sua vez são denominados de emissor (E), coletor (C) e base (B). A simbo-
logia adotada para o transistor é vista na Fig. 02. A mesma figura ilustra a circulação de
corrente pelo transistor se dá pelos três terminais e o sentido depende unicamente de
seu tipo.

Fig. 02 – Símbolo do transistor bipolar.

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CARACTERÍSTICAS

Os transistores são dispositivos que podem ser analisados isoladamente pelas Leis de
Kirchhoff para definição de um modelo de funcionamento eletroeletrônico e assim de-
terminar a relação existente entre os seus terminais tanto em nível de corrente quanto
em nível de tensão.
1. LEI DOS NÓS
O somatório das correntes que chegam a um nó é igual ao somatório das correntes que
saem deste mesmo nó. Logo, tomando o transistor representado graficamente pela Fig.
02 como um nó, podemos obter a relação entre as correntes que por ele circulam atra-
vés da expressão (1.1).

I E  I B  IC (1.1)

A interpretação física da equação (1.1) é que a corrente no terminal de emissor de um

transistor corresponde à junção das correntes que circulam nos terminais da base e do
coletor.
2. LEI DAS MALHAS
Consideremos que há uma diferença de potencial entre os terminais de um transistor
bipolar, as quais serão denominadas de tensão entre base e emissor, tensão entre co-
letor e emissor e tensão entre base e coletor, conforme a Fig. 03.

Fig. 03 – Tensões sobre um transistor bipolar.

A Lei das Malhas nos diz que o somatório das tensões em uma malha fechada é nulo,
aplicando-a a Fig. 03a, encontramos que:

UCE  UCB  UBE (1.2)

A nomenclatura com duplo índice indica que o primeiro tem maior potencial que o se-
gundo. Portanto, podemos escrever cada membro da equação (1.2) como:

U CE  U C  U E
U CB  U C  U B (1.3)
U BE  U B  U E
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As expressões (1.2) e (1.3) foram obtidas para o transistor bipolar NPN (Fig. 03a), equa-
ções semelhantes são obtidas para o modelo PNP (Fig. 03b) invertendo-se as posições
dos índices (UCE → UEC; UCB → UBC e UBE → UEB).
TOPOLOGIAS

Todo e qualquer circuito elétrico para funcionar corretamente necessita ter pelo menos:
1. Malha de Entrada → Conectar a Fonte;
2. Malha de Saída → Conectar a Carga.
Desta forma, percebe-se que qualquer circuito pode ser representado por uma CAIXA
PRETA com quatro terminais. Este princípio é ilustrado pelo uso de quadripolos, que diz
que um circuito pode ser representado por seus principais parâmetros (impedância – z,
admitância – y, condutância – g, híbrido – h). A Fig. 04 apresenta a representação de
um quadripolo.

Fig. 04 – Representação de um quadripolo.

Nos circuitos envolvendo transistores, a melhor representação de suas características
é o quadripolo com parâmetros híbridos. O equacionamento desta representação é
mostrado a seguir.
U1 ℎ ℎ I1
= (1.4)
I2 ℎ ℎ U2

U1 h I + h12 U2
= 11 1 (1.5)
I2 h21 I1 + h22 U2

Obtém-se então que:

U1
h11 = I1 U =0
(1.6)
2

U1
h12 = U2 I =0
(1.7)
1

I2
h21 = U2 I =0
(1.8)
1

I2
h22 = I1 U =0
(1.9)
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Onde,
 O parâmetro h11 representa a impedância de entrada
 O parâmetro h12 representa o ganho reverso de tensão
 O parâmetro h21 representa a admitância de saída
 O parâmetro h22 representa o ganho direto de corrente
Como o transistor pode apresentar tais características com apenas três terminais? A
resposta a essa indagação é que o transistor deverá ter um de seus terminais comum
tanto a malha de entrada quanto a malha de saída.
3. BASE COMUM
Esta configuração é apresentada na Fig. 05 e nela observamos que o terminal da base
é comum tanto a malha de entrada quanto a de saída. Assim, o sinal de entrada é apli-
cado entre a base e o emissor e a carga está conectada ao terminal de coletor.

Fig. 05 – Transistor em base comum.

Comparando a Fig. 04 com a 05, constata-se que as tensões de entrada (U1) e de saída
(U2) correspondem respectivamente à UBE e a UCB. Enquanto as correntes de entrada
(I1) e de saída (I2) se relacionam com IE e IC. A Tab. 1 apresenta as principais caracte-
rísticas desta configuração.
Tab. 1 - Principais características.
Característica Entrada Saída Ganho
Tensão UBE UCB ↑
Corrente IE IC <1
Impedância Zin ↓↓ Zout ↑↑

A representação dos símbolos é:

↑ – elevado;
↑↑ – muito elevado;
↓ – baixo;
↓↓ – muito baixo.
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4. COLETOR COMUM – SEGUIDOR DE EMISSOR

Esta configuração é apresentada na Fig. 06 e nela observamos que o terminal de coletor
é comum à entrada e a saída. Logo, o sinal de entrada é aplicado entre a base e o
coletor e a carga está conectada ao terminal de emissor.

Fig. 06 – Transistor em coletor comum.

Comparando a Fig. 04 com a 06, constata-se que as tensões de entrada (U1) e de saída
(U2) correspondem respectivamente à UBC e a UCE. Enquanto as correntes de entrada
(I1) e de saída (I2) se relacionam com IB e IE. A Tab. 2 apresenta as principais caracte-
rísticas desta configuração.
Tab. 2 - Principais características.
Característica Entrada Saída Ganho
Tensão UBC UCE 1
Corrente IB IE ↑
Impedância Zin ↑ Zout ↓

5. EMISSOR COMUM
Esta configuração é apresentada na Fig. 07 e nela observamos que o terminal de emis-
sor é comum as duas malhas. Desta forma, aplica-se o sinal de entrada entre a base e
o emissor, enquanto a carga está conectada ao coletor.

Fig. 07 – Transistor em emissor comum.

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Comparando a Fig. 04 com a 07, constata-se que as tensões de entrada (U1) e de saída
(U2) correspondem respectivamente à UBE e a UCE. Enquanto as correntes de entrada
(I1) e de saída (I2) se relacionam com IB e IC. A Tab. 3 apresenta as principais caracte-
rísticas desta configuração que é uma combinação das duas anteriores.
Tab. 3 - Principais características.
Característica Entrada Saída Ganho
Tensão UBE UCE Alto
Corrente IB IC Alto
Impedância Zin ↓ Zout ↑

NOTA: Dentre as topologias de uso do TJB, a que é comumente utilizada é a de

emissor comum. Este fato se justifica pela dimensão dos ganhos e os va-
lores das impedâncias, favorecendo o casamento de impedância entre
dispositivos.
FUNCIONAMENTO

A Fig. 08 apresenta um circuito para teste usado para determinação das características
de transistores.

Fig. 08 – Circuito de teste para transistores.

Quando o valor da resistência variável R1 é muito alto (tendendo a infinito), a intensidade
da corrente de base (IB) é praticamente nula, fazendo com que a corrente do coletor
seja também nula.
R1    I B  0  I C  0

Quando R1 diminui, o amperímetro da base indica o surgimento de uma corrente fluindo

pelo transistor, enquanto isso, o amperímetro do coletor indica uma corrente de intensi-
dade muito maior fluindo pelo coletor do transistor.
R1  (decresce)  I B  (aumenta )  I C 

Quando R1 tem um valor muito baixo e uma corrente de maior intensidade circula entre
a base e o emissor do transistor, observa-se pela indicação do amperímetro do coletor
que sua corrente tem intensidade constante.
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R1 (baixo)  I B  (alto)  I C  (estável )

Podemos representar a análise descrita acima através de um gráfico que relaciona a

corrente da base do transistor com a do coletor. A Fig. 09, que ilustra o processo.

Fig. 09 – Gráfico corrente de base versus corrente de coletor.

A Fig. 09 apresenta dois pontos de destaque: i) o corte e ii) a saturação e entre eles
uma região de crescimento acelerado da corrente de coletor em relação à corrente de
base. No ponto de corte, as correntes são nulas, enquanto na saturação a corrente de
coletor não responde às variações da corrente de base, permanecendo em seu valor
máximo.
Ainda sobre a Fig. 09, vê-se que na região linear (entre o corte e a saturação), a corrente
do coletor se relaciona com a corrente de base através de uma função linear.

y(x) = a x + b (1.10)

Por analogia

IC = a I B + b (1.11)

Como a curva passa pela origem, o termo independente, na equação (1.11), é nulo,
permitindo escrevê-la como:

IC = a I B (1.12)

A constante de proporcionalidade mostrada na equação (1.12) é conhecida como ‘Ga-

nho Estático de Corrente’ do transistor e representada por hFE ou . Portanto,

I C   .I B (1.13)

Exemplo: Em um transistor de junção bipolar a corrente da base é de 1 mA e o ganho

estático de corrente é 50. Determinar as correntes de coletor e emissor.
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Resolução:
Substituindo os valores da corrente de base (IB) e do ganho de cor-
rente () na equação (1,13) obtemos a corrente de coletor (IC).

IC =  IB
IC = 50 x 1x10-3 = 50x10-3
IC = 50 mA

Aplicando os valores da corrente de base (IB) e a corrente de coletor

(IC) na equação (1,1) obtemos a corrente de emissor (IE).

IE = IB + IC
IE = 1x10-3 + 50x10-3 = 51x10-3
IE = 51 mA

O exemplo mostre que os valores de IE e IC são praticamente iguais. Vejamos por que
isso ocorre, substituindo a equação (1.13) na (1.1), obtém-se:

IE = IB + IC ⇒ IE = IB + β IB
IE = (1 + β) IB
Para valores de  muito maior que a unidade, pode-se fazer a simplificação abaixo:

β >> 1 ⇒ β + 1 ≅ β
Assim, podemos reescrever a equação (1.1) como:

I E   .I B  I E  I C (1.14)

A expressão (1.14) será verdadeira quando as magnitudes dos sinais envolvidos na

operação do transistor forem elevadas (na ordem de 102) ou quando o sinal da base for
desprezível quando comparado com os dos outros terminais (situação mais corriqueira).
Tal simplificação não acarreta grandes erros em virtude da própria tolerância dos dis-
positivos passivos (resistores e capacitores) envolvidos no processo.
EXERCÍCIO RESOLVIDO

01: O transistor mostrado na Fig. 10 apresenta um ganho estático de corrente de 50 e

é conectado a uma fonte de alimentação de 10 V. Determine os valores dos resisto-
res de polarização tal que o transistor opere com uma tensão entre o coletor e o
emissor (UCE) de 5 V e uma corrente de coletor (IC) de 80 mA.
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Fig. 10 – Circuito de polarização da base.

Resolução:
O circuito (Fig. 10) é constituído por duas malhas, sendo a de entrada
através da base e a de saída pelo coletor. Logo se trata de uma con-
figuração em emissor comum (EC).
Aplicando-se a Lei das Malhas, obtém-se as equações de malha.
Malha de Entrada:

UCC - RB IB - UBE = 0
Malha de Saída:

UCC - RC IC -UCE = 0
Na expressão de saída, todas as variáveis são conhecidas à ex-
ceção do resistor de polarização do coletor (RC). Manipulando
adequadamente a equação encontra-se o valor da resistência.

UCC - UCE 10 - 5
RC = =
IC 80x10-3
RC = 62,50 Ω

Conhecendo-se a corrente de coletor (IC) e o ganho estático de

corrente (b), pode-se encontrar a magnitude da corrente de base
(IB) que faz o transistor trabalhar no ponto de operação desejado.
Assim,

IC 80x10-3
IB = = ∴ IB = 1,6 mA
β 50
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Voltando à expressão de entrada, podemos encontrar o valor do

resistor de polarização da base (RB).

UCC - UBE 10 - 0,7

RB = = = 5812,5
IB 1,6x10-3

RB = 5k8 Ω