RFWild - Measurements,

Modeling, Microelectronics
UNIVERSIDADE CENTRO DE ENERGIAS
FEDERAL DA ALTERNATIVAS E
PARAÍBA RENOVÁVEIS (CEAR)

Princípios de Condução de Corrente Elétrica em Sólidos

Antonio Souza – antoniosouza@cear.ufpb.br

Plano

• Por que os semicondutores são tão necessários?

• Tópicos essenciais:
– Condutores, Isolantes e Semicondutores
– Propriedades do Silício Intrínseco
– Dopagem e seus efeitos
– Deriva e difusão de portadores
• Tópicos complementares

2
Por que os semicondutores são tão
necessários?
Problema simples: dispondo de uma fonte de 5 V (sua saída USB),
que circuito utilizar para poder alimentar um transceptor 3,6 V?

E
agora?
5V 3,4 – 3,8 V

Transceptor

A depender da potência de transmissão, seu CI pode requerer 10

mA ou 100 mA. Ele suporta tensões de 3,4 a 3,8 V. Com o que
você conheceu até aqui, crie um circuito para resolver a situação.
3
Por que os semicondutores são tão
necessários?

Suponha que seu transceptor pode ser representado por uma

resistência, cujo valor depende da potência de transmissão. Com
base no circuito que você imaginou para resolver o problema
(conversão 5 V  3,4 a 3,8 V), preencha as tabelas abaixo:
Corrente no Resistência Tensão no Corrente na saída
Transceptor (mA) representando o transceptor (V) da USB (mA)
transceptor (Ω)
10 360
100 36

Corrente no Potência no transceptor, Potência na saída Eficiência do seu

Transceptor (mA) P1, supondo VDD=3,6 V da USB, P2 circuito
(mW) (mW) (=P1/P2)
10 36
100 360
4
Por que os semicondutores são tão
necessários?

• Se por algum problema interno ao seu computador, a

tensão na saída USB dobrar, o que acontecerá com a
tensão no seu transceptor? Dobrará (sistema linear)!
• Veremos como projetar circuitos com >50%.
Circuitos mais elaborados podem apresentar >90%!
E sem “queimar” o transceptor caso a USB dobre sua
tensão!
• Para tudo isso, precisamos entender dispositivos
semicondutores (ênfase: elementos não-lineares).
Começemos a jornada, sempre pelo mais “simples”…

5
 Por que os semicondutores são tão
necessários?

• Os CIs (ex. seu LDO) contêm vários elementos:

Fonte: https://www.analog.com/en/design-center/landing-pages/001/fundamentals-of-ldo-design-and-applications.html

CI desenvolvido na UFPB

Como é feita a “mágica” que transforma “areia”

(silício) em um universo de funcionalidades? E os
resistores integrados, como são formados? 6
Por que os semicondutores são tão
necessários?

• Resistores disponíveis na tecnologia GF BICMOS8HP:

4 tipos de resistores,
com características
específicas:
 Resistividade
 Tolerância
 Densidade de corrente
  com a temperatura
 ...

7
Por que os semicondutores são tão
necessários?

• Observe a diferença na estrutura física:

8
Por que os semicondutores são tão
necessários?

• Problema típico que queremos saber resolver:

Vamos à base?
9
 Condutores, Isolantes e
Semicondutores
Tudo vem da Física/Química! Possíveis configurações de ocupação
das bandas de energia, a 0 K, a depender do elemento químico:
Banda de
Sem elétrons!
condução
Banda de Bandgap (Eg)
Parciamente cheia
condução Banda de
de elétrons!
Banda de valência
valência
Condutor: O Bandgap representa a quantidade
1022,1023 átomos/cm3 de energia necessária para o elétron
1022,1023 portadores/cm3 da banda de valência saltar para a
banda de condução:
Os portadores de carga em um metal Semicondutor: Eg1 eV
são elétrons “livres” que “flutuam”
em um “mar de íons” Isolante: Eg>>1 eV 10
Condutores, Isolantes e
Semicondutores

Elementos de
interesse:
Sopinha de letras:
Si, SiGe, SiC, InP,
GaAs, GaInP, GaN, ...
Cada tecnologia com
seus prós e contras:
custo, frequência,
potência, integração,
...

Por que silício? Sua estrutura propiciou facilidade de fabricação ($)

11
Semicondutor intrínseco

Como são gerados, quantos e quais são os

portadores de carga em um semicondutor?
1º Processo de geração: geração térmica (T>0 K):
Ligação
Covalente
IV A
Eg

Elétron
liberado
Processo que depende de T e de Eg. Cada elétron que salta
para a banda de condução deixa um nível vazio (lacuna, no
inglês: “hole”) na banda de valência. Adotaremos:
n=densidade de elétrons p=densidade de lacunas 12
 Semicondutor intrínseco

Ocupação das lacunas por elétrons “vizinhos”:

Observe o deslocamento da lacuna! Elétrons e lacunas têm

movimento frenético aleatório. Eventualmente se
encontram: processo de recombinação (o elétron e a
lacuna se aniquilam!)
A recombinação é proporcional ao número de elétrons e
lacunas. Em equilíbrio termodinâmico, o processo de geração
térmica é compensado pelo processo de recombinação. 13
Semicondutor intrínseco

No semicondutor intrínseco (puro), para cada elétron na banda

de condução temos uma lacuna na banda de valência:
n(dens. elétrons)=p(dens. lacunas)=ni=pi i de intrínseco

 Eg
Como ni varia? : ni  T
3/ 2
exp electrons / cm3
2kT
ni (T  300 K )  1010 electrons / cm3
Compare:
ni (T  600 K )  1015 electrons / cm3

IMPORTANTE! Silício @300 K: np=ni21020

em equilíbrio termodinâmico
(Lei da ação das massas)
14
 Semicondutor intrínseco

Condutor: Si @ 300 k:
1022,1023 átomos/cm3 1022 átomos/cm3 (*)
1022,1023 portadores/cm3 1010 portadores/cm3

Você deve estar se perguntando: se os bons

condutores têm 1012 mais portadores que o
silício intrínseco @300 K, pra que serve o silício
intrínseco?
(*) Google it! Massa atômica=28 u. Densidade= 2330 kg/m3. Aí é só lembrar do Avogadro… 15
 Dopagem

2º processo de geração de portadores: a dopagem é o processo

controlado de introdução de “impurezas” no semicondutor outrora
intrínseco, para alterar suas propriedades elétricas. O semicondutor
dopado é chamado de extrínseco.
Neste exemplo, alguns átomos de Si foram
substituídos por átomos de P ditos Doadores
(ND impurezas/cm3): na temperatura ambiente,
praticamente todos estes átomos “doam” o 5º
elétron ao retículo: o semicondutor extrínseco
é de tipo N!
Lembrando: np1020 (Si, 300 K) em
equilíbrio termodinâmico
(permanece válido c/ dopagem) Esta é uma dopagem dita do tipo N
(aumento do número de elétrons portadores)
16
 Dopagem

Pausa para umas continhas...

npni2=1020 (Si, 300 K) em equilíbrio termodinâmico
1- Se o Si é dopado com 1016 átomos de P por cm3 (ND=1016) qual o valor de:
(a) n?
(b) p?

2- Se o Si é dopado com 1018 átomos de P por cm3 (ND=1018) qual o valor de:
(a) n?
(b) p?

Respostas: 1 (a): 1016; 1 (b): 104; 2 (a): 1018; 2 (b): 102;

17
Dopagem

Dopagem do tipo P

Neste exemplo, alguns átomos de silício

foram substituídos por átomos de Bóro
ditos Aceitadores (NA impurezas/cm3): na
temperatura ambiente, praticamente
todos estes átomos “aceitam” elétrons do
retículo para ficarem com 8 na última
camada (gerando lacunas em excesso), o
semicondutor extrínseco é de tipo P!

18
 Dopagem

Pausa para umas continhas...

1- Se o Si é dopado com 1015 átomos de B por cm3 (NA=1015), em 300 K qual o

valor de:
(a) n? n p  n i
2=1020 (Si, 300 K)

(b) p?

2- Se o Si dopado anterior for aquecido a 600 K ( 327 C), o que acontecerá

com o valor de:
(a) n? n p  n i
2=1030 (Si, 600 K)

(b) p?

Respostas: 1 (a): 105; 1 (b): 1015; 2 (a): 1015; 2 (b): 1015; ( comportamento intrínseco!)
19
Dopagem

Semicondutor Instrínseco
Resumo:
Elétron de
Ligação valência
Covalente Densidades usuais de
Semicondutor Extrínseco dopagem: 1014 a 1018
átomos/cm3
O átomo dopante é
Cristal de Silício preso ao retículo, Cristal de Silício
enquanto o elétron
ND doadores/cm3 NA aceitadores/cm3
(tipo N) ou lacuna
(tipo P) criados são
liberados!!

Dopante Portador Dopante

tipo N Majoritário Portador Majoritário tipo P
(Doador) (livre) (livre) (aceitador) 20
Dopagem

Resumo:
np  ni
2
Equações
Portadores majoritários: p  NA válidas em
Tipo P n
2 equilíbrio
Portadores minoritários: n i termodinâmico
NA
Tipo N Portadores majoritários: n  ND
2
n
Portadores minoritários: p i
ND

21
Deriva e difusão de portadores

Agora que sabemos quem são e quantos

são os portadores, como eles se
movimentam?

Dois mecanismos a serem considerados para o

cálculo da densidade de corrente (J):
J total  J drift _ total  J diff _ total
Densidade de Densidade
corrente de de corrente
deriva (drift) de difusão
22
Deriva de portadores

Os portadores de carga têm movimento frenético. No silício

a 300 K, há velocidades da ordem de 360.000 km/h e tempo
entre colisões com o retículo da ordem de 1 ps.
Em média, quantos Angstrons (10-10 m) são percorridos entre colisões? Resp: 103

Quando um campo elétrico é aplicado, os portadores

continuam frenéticos, mas adquirem componente ordenada
“proporcional” ao campo:  
vh   p E Velocidade média das lacunas
 
ve    n E Velocidade média dos elétrons
p : mobilidade das lacunas
n : mobilidade dos elétrons
Unidades: m2V-1s-1 ou cm2V-1s-1
23
Deriva de portadores

 
vh   p E A mobilidade varia com dopagem,
 
temperatura e campo elétrico (eita
ve    n E complicação!)

Adotaremos valores para 300 K, dopagem e campo

moderados, e em coerência com o livro Razavi:

n = 1350 cm2V-1s-1 , p = 480 cm2V-1s-1

24
Deriva de portadores

A corrente elétrica pode ser calculada como sendo a

quantidade de carga que atravessa uma seção tranversal em 1s
Exemplo: barra de semicondutor

 
vh   p E
 
ve    n E

Observe a polaridade da fonte: O campo elétrico na barra

aponta para direita: As lacunas se deslocam para a direita,
e os elétrons se deslocam para a esquerda!!
25
Deriva de portadores

A corrente elétrica é calculada como sendo a quantidade de

carga que atravessa uma seção tranversal em 1s
Ex. Se considerarmos apenas o deslocamento de lacunas (p):

 
vh   p  E

Corrente na barra entrando pelo lado esquerdo!

Área  W  h  
 I  v  W  h  p  q (corrente de deriva
Volume / Segundo  v W  h drift _ p de lacunas)

Portadores / Segundo  v W  h  p E os elétrons? Percurso contrário,

C arg a / Segundo  v W  h  p  q corrente adicional! 26
Deriva de portadores

A densidade é encontrada dividindo-se a corrente pela área

(Wh): 
 I drift _ n 
J drift _ n   n E  n  q
w h

 I drift _ p 
J drift _ p   pE  p q
w h
   
J drift _ tot  J drift _ n  J drift _ p  q(  n n   p p) E
A densidade de corrente total leva em conta os dois portadores
de carga (observe que as correntes são adicionadas já que os
portadores vão em direções contrárias e possuem cargas
opostas).
27
Deriva de portadores

Pausa para umas continhas…

Em tecnologia de silício, um resistor pode ser implementado de diversas maneiras. Suponha um

resistor implementado com uma camada “Subcollector” de silício dopado com ND=3∙1018 cm-3, com
espessura de 2 µm. Adote n = 1350 cm2V-1s-1. Geralmente, nos manuais é apresentada a
resistência por quadrado (Ω/□), já que um quadrado de 1 mm x 1mm terá a mesma resistência de
um quadrado de 2 mm x 2 mm (não acredita? Tente formar um quadrado de 2 x 2 com resistência
de 1 x 1, estes últimos com resistência Rx). Com base nos dados acima, tente obter a resistência
por quadrado da referida camada semicondutora. Escolha um “quadrado” que facilite suas contas.
CUIDADO COM AS UNIDADES!!!!!!!!!!
Respostas: Aproximadamente 7,7 Ω/□
28
Deriva de portadores

Voltando ao nosso problema inicial…

Tente resolver antes de ver o próximo slide!

29
Deriva de portadores

30
Difusão de portadores

• Com o que aprendemos até aqui (dopagem, deriva

de portadores), sabemos “desmistificar” resistores
integrados e entenderemos os MOSFETs;
• Falta-nos a base para entendermos os diodos e
transistores bipolares: precisamos entender a
difusão de portadores!

31
 Difusão de portadores

Processo pelo qual partículas se movem de uma região de

maior concentração para uma região de menor
concentração. Mais uma manifestação do movimento
frenético das partículas.
Injeção de
portadores
Material semicondutor

Injeção de
portadores

Concentração não-uniforme

32
Difusão de portadores

Equações do processo (leis de difusão):

 dn  dp
J diff _ n  qDn J diff _ p  qDp
dx dx
Carga do Gradiente de
“Aptidão” concentração
elétron
para difundir
Dn e Dp são as constantes de difusão de elétrons e lacunas,
respectivamente
dn dp
J diff _ tot  q( Dn  Dp )
dx dx
A corrente total leva em conta a difusão de elétrons
e lacunas.
33
Difusão de portadores

Consideraremos aqui um semicondutor curto, em que seu

comprimento é muito menor que a largura de difusão dos
portadores (esta largura traduz o percurso médio que um
portador percorre antes de se recombinar)

Neste caso, o gradiente de

concentração é constante
Injeção de
portadores ao longo do dispositivo!

dn N
J diff _ n  qDn  qDn 
dx L
34
 Deriva e difusão de portadores

dn
J drift _ n  n E  n  q J diff _ n  qDn
dx
dp
J drift _ p   p E  p  q J diff _ p  qDp
dx
Relação de Einstein, Dn Dp
kT K=constante de Boltzman
relacionando a constante   T=temperatura em Kelvin
de difusão à mobilidade: n  p q q=carga do elétron

Chamaremos esta
k  T 1,38 10 23 J  K 1  300 K
 19
 25,9mV @ 300 K quantidade de VT:
q 1,6 10 C
“tensão térmica”
35
 Deriva e difusão de portadores

Pausa para umas continhas…

Questão do Razavi. Considere a barra de silício abaixo, com seção transversal de 1m
por 1m, na qual são injetados elétrons e lacunas conforme a figura. Determine:
O sentido da corrente na barra
O valor da corrente total na barra

Elétrons
Lacunas

Aplicaremos as equações de difusão de portadores nas próximas aulas!

Respostas: Corrente da direita para a esquerda, 16 µA.

36
 Resumo dos pontos importantes

• Diferença entre condutores e semicondutores:

presença de uma banda proibida, coeficiente de
temperatura, tipos de portadores, ...
• np1020 (Si, 300K) em equilíbrio termodinâmico
(intrínseco ou dopado).
• A dopagem pode ser usada para mudar a
condutividade elétrica do semicondutor
• Processos de deriva e difusão de portadores
37
Leitura recomendada

• Não pense que você vai aprender revisando os slides:

LEIA O LIVRO!
• Leitura recomendada no Razavi: Cap. 2.1 (completo)

38
Questões para você se exercitar!!

Tente resolver antes de ver os próximos slides! 39

 Questões para você se exercitar!!

(a)

(b)

40
 Questões para você se exercitar!!

(c)

(d)
41
Questões para você se exercitar!!

Exemplo de código Scilab para resolver o problema:

function calcula1 (LX);
// Calcule o valor de resistência e imprima
resistencia=LX/0.008;
mprintf ("Resistência a baixo campo=%.2e ohms\n", resistencia);
// imprima o valor de tensão que satisfaz u0*E=vsat
mprintf ("Tensão que satisfaz u0*E=vsat é igual a =%.2e V\n", LX);
// imprima o valor de corrente na situação anterior
mprintf ("Corrente na condição u0*E=vsat é igual a =%.2e A\n", 0.004);
// imprima o valor da resistência equivalente na situação anterior
mprintf ("Na condição u0*E=vsat, a resistência da barra é =%.2e ohms\n",2*LX/
0.008);
endfunction
//Se você digitar :
calcula1 (10);
// vai aparecer:
Resistência a baixo campo=1.25e+03 ohms
Tensão que satisfaz u0*E=vsat é igual a =1.00e+01 V
Corrente na condição u0*E=vsat é igual a =4.00e-03 A
Na condição u0*E=vsat, a resistência da barra é =2.50e+03 ohms
42
Questões para você se exercitar!!

Tente resolver antes de ver os próximos slides! 43

Questões para você se exercitar!!

44
Questões para você se exercitar!!

Exemplo de código Scilab para resolver o problema:

function calcula1 (NDX);
// Calcule o valor de resistência de folha e imprima
rfolha=4.63e19/NDX;
mprintf ("Resistência de folha=%.2f ohms por quadrado\n", rfolha);
// Calcule o valor do L
L=3.24e-16*NDX;
mprintf ("O comprimento do resistor (L) será de=%.2f micrometros\n", L);
Endfunction
//Se você digitar :
calcula1 (1e17);
// vai aparecer:
Resistência de folha=463.00 ohms por quadrado
O comprimento do resistor (L) será de=32.40 micrometros

45
Questões para você se exercitar!!

46