Dispositivos de Micro-ondas

Prof.ª Dr.ª Fatima Salete Correra

PSI3581 –CIRCUITOS DE MICRO-ONDAS

 Sumário
 Diodos de micro-ondas
 Diodo Schottky
 Diodo varactor
 Diodo PIN
 Diodo Gunn

 Transistores de micro-ondas
 Tipos de transistores
 Transistores bipolares
 Transistores de efeito de campo
 Comparação de desempenho dos transistores de micro-ondas
 Parâmetros de transistores de micro-ondas

2 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Diodos retificadores

 
 Dispositivos semicondutores
 Dois terminais I  I S  e V  1
 Característica I x V não-linear

 = q/(nkT)
q  carga do elétron
k  constante de Boltzmann
T  temperatura em Kelvin
n  fator de idealidade

Fig. 10.21, Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar

3 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Diodos retificadores – Diodo Schottky
 Retificação em baixas frequências  Diodo P/N
 Junção Semicondutor Tipo P / Semicondutor Tipo N

 Capacitância de junção elevada

 Limita a frequência de operação

Fig. 10.21, Microwave

Engineering, 3ª ed., D. M.
Pozar

Fig. 3.16, Microeletrônica,

Sedra-Smith

4 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Modelo equivalente do diodo retificador

Rs → resistência série
(contatos e corpo do diodo)
Rj → resistência da junção
não linear
Modelo equivalente do diodo elemento retificador
Fig. 10.32 Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar
Cj → capacitância da junção

Reatância da junção
Para f elevada, tal que XCj  0,
1 1
X Cj   Rj “curto-circuitada” por Cj
  C j 2f  C j
Diodo não atua como retificador!

5 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Diodos retificadores
 Micro-ondas  Diodo Schottky
 Junção Metal / Semicondutor tipo N

 Capacitância de junção menor que a do diodo PN

 Frequência de operação mais elevada que a do diodo PN

 Semicondutor
 Silício – Si
 Arseneto de gálio – GaAs

 Exemplo
 Semicondutor  GaAs

 Contato Schottky  Alumínio

 Contato ôhmico  Liga Au/Ge

6 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Aplicações do diodo Schottky
 Retificação de sinais
 Conversão RF  DC

Fig. 10.20 (a)

Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar

7 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Aplicações do diodo Schottky

 Detecção
 Demodulação de amplitude

Fig. 10.20 (b)

Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar

8 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Aplicações do diodo Schottky

 Conversão de frequências (mixing)

 Deslocamento de frequências

fRF – frequência do sinal de RF

IF
fLO – frequência do oscilador local
fIF – frequência intermediária
Fig. 10.20 (c)
Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar

9 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Diodo varactor
 Diodo PN
 Polarizado reversamente
 Resistência de junção Rj  ∞
 Capacitância de junção: varia com a tensão reversa de polarização

 Semicondutor
 Silício – Si
 Arseneto de Gálio – GaAs
Modelo equivalente do varactor
Fig. 10.32 Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar
 Exemplo
  Semicondutor  GaAs
 Vr 
C j (Vr )  C0 1    Contato ôhmico  Liga Au/Ge
  
10 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Diodo varactor
 Capacitância de junção reversamente polarizada

C0
C j ( Vr )  
 Vr 
1  
  

• C0  constante, depende da área do capacitor

•   constante, depende dos materiais que compõem o diodo
•   constante, depende do perfil de dopagem da junção - varia de
1/3 a 5
• Vr  tensão reversa aplicada ao varactor
11 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Diodo varactor
2
 Exemplo típico C j (Vr ) 
Vr
  = ½, 1
0,5
 C0 = 2 pF
  = 0,5 V
Capacitância vs. Tensão
2
Capacitância (pF)

1.5

0.5

0
0 2 4 6 8 10

Tensão reversa (V)

12 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Aplicações do diodo varactor
 Osciladores controlados por tensão - VCO
 Varactor faz parte do circuito ressonante

Varactor

 Variando-se a tensão reversa do varactor Vr

 Varia-se a capacitância do varactor Cj (Vr)
 Varia-se a frequência de oscilação
13 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Aplicações do diodo varactor
 Sintonização eletrônica de filtros
 Varactor é parte de ressoadores do filtro
 Variando-se a tensão reversa do varactor Vr
 Varia-se a capacitância do varactor Cj (Vr)
 Ajusta-se a faixa de passagem, frequência central e/ou seletividade
0
-5

Magnitude (dB)
-10
-15
-20
-25
-30
-35
Filtro patch triangular sintonizável
-40
2.5 3.0 3.5 4.0
Frequência (GHz)
14 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Aplicações do diodo varactor
 Multiplicadores de frequência
 Usam a não-linearidade da capacitância de junção
 Geração de harmônicas do sinal de entrada
 Entrada  f0 – Saída  n∙f0

Diagrama de blocos de um multiplicador de frequência a diodo

Fig. 12.20 (c) Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar

15 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Diodo PIN
 Diodo de junção de três tipos de semicondutor
 Tipo P / Intrínseco / Tipo N
1 2
 Característica I x V  boa chave de RF

 Polarização reversa  Polarização direta

 Baixa capacitância de junção  Capacitância série é removida

série  Baixa impedância  curto-
 Alta impedância  circuito circuito
aberto
1 1

2 2
Fig. 12.25 Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar

16 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Exemplos de aplicação do diodo PIN
 Chave de RF com diodo PIN em série

Polarização do diodo PIN

 Reversa
 diodo com alta impedância
 chave aberta
 Direta
 diodo com baixa impedância
 chave fechada

Fig. 12.26 Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar

17 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Exemplos de aplicação do diodo PIN
 Chave de RF com diodo PIN em paralelo

Polarização do diodo PIN

 Reversa
 diodo com alta impedância
 chave fechada
 Direta
 diodo com baixa impedância
 chave aberta

Fig. 12.26 Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar

18 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Diodo Gunn
 Barra de arseneto de gálio ou fosfeto de índio tipo N
 Contatos ôhmicos nas duas extremidades
 Curva I x V  resistência diferencial negativa
 “Efeito Gunn” ou “Efeito de Transferência de Elétrons”
 Descoberto por J. B. Gunn, em 1963

Diodo Gunn
encapsulado
19 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Diodos de Micro-ondas
 Aplicações do diodo Gunn
 Osciladores a resistência negativa
 Diodo Gunn acoplado a cavidade ressonante de alto Q
 Geração de sinais de micro-ondas
 Várias centenas de mW, de 1 a 100 GHz, com eficiência de 5 a 15%
 Baixo custo  radares de trânsito, detectores de movimento

Oscilador a diodo Gunn

20 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Tipos de Transistores de
Micro-ondas

21 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Introdução
 Transistores de micro-ondas
 Dispositivos semicondutores,
 de três terminais,
 que apresentam ganho,
 na faixa de frequências de micro-ondas

 Aplicações de transistores de micro-ondas

 Amplificadores
 Osciladores
 Misturadores de frequência
 Chaves
 Atenuadores, etc.

22 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistores de Micro-ondas
TRANSISTORES

BIPOLARES EFEITO DE CAMPO

Bipolar HBT MESFET HEMT MOS de RF

Homojunção Heterojunção Homojunção Heterojunção

AlGaAs/GaAs Silício
AlGaAs/GaAs
Silício GaAs AlGaAs/InGaAs
SiGe/Si
GaN/AlGaN

23 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Classificação Alternativa
TRANSISTORES

USO GERAL BAIXO RUÍDO POTÊNCIA

• Ganho elevado • Figura de ruído • Potência de saída
• Potência de saída e reduzida elevada
figura de ruído • Aplicações • Aplicações
medianas • Amplificador de baixo • Amplificadores de
• Aplicações ruído potência
• Amplificadores de • Receptores de sinal • Transmissores de sinal
ganho
• Osciladores

24 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Símbolos dos Transistores de Micro-ondas

FET : Transistores de Transistores

efeito de campo bipolares

dreno coletor

porta base

fonte emissor

MESFET e HEMT bipolar de Si e HBT

25 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Um Pouco de História...
 Transistor bipolar
 Primeiros transistores de micro-ondas

 Silício, NPN
 Otimizados para operar em altas frequências

 MESFET
 MEtal-Semiconductor Field Effect Transistor”

 Lançamento comercial na década de 70

 Arseneto de gálio (GaAs)

 Amplificadores em geral

26 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Um Pouco de História...
 HEMT
 “High Electron Mobility Transistor”

 Lançamento comercial em 1985

 Heterojunção: AlGaAs/GaAs, AlGaAs/InGaAs

 Amplificadores de baixo ruído

 HBT
 “Heterojunction Bipolar Transistor”

 Lançados comercialmente na década de 90

 Heterojunção de AlGaAs/GaAs, SiGe/Si

 Amplificadores de potência de alta linearidade

27 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistores de Micro-ondas
Como maximizar a frequência de operação do transistor?

1  fT frequência em que o ganho de corrente cai à unidade

fT 
   tempo de trânsito do portador de corrente

 d distância percorrida pelo portador de corrente

d d
   V velocidade do portador de corrente
v E
  mobilidade do portador de corrente

 Redução de   aumento de fT

 Uso de portadores de corrente com mobilidade  elevada

 Transistores com percurso dos portadores de corrente d reduzido

28 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistores de Micro-ondas
Como maximizar a frequência de operação do transistor?
 Portadores de corrente rápidos
 Velocidade do portador de corrente → v =  ∙E
  – mobilidade E – campo elétrico
 Portador de corrente rápido → mobilidade  elevada
 Portadores de corrente em semicondutores
 Lacunas e elétrons livres

(elétron livre) > (lacuna)

 Portador de corrente mais rápido: elétron livre
 Transistores de micro-ondas
 Transistores bipolares NPN
 Transistores FET canal N
29 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistores de Micro-ondas
Como maximizar a frequência de operação do transistor?

 Materiais semicondutores com mobilidade mais elevada

 GaAs, InP: compostos dos grupos III A – V A da tabela periódica
 Maior mobilidade de portadores de corrente do que o Si

Mobilidade dos elétrons livres (cm2/V∙s)

Nd* 1016 cm-3 1017 cm-3 1018 cm-3

Si 1.250 800 230

GaAs 6.550 4.720 2.735

* dopantes por unidade de volume

30 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistores de Micro-ondas
Como maximizar a frequência de operação do transistor?
 Redução do percurso do portador de corrente no transistor

 Reduz o tempo de trânsito  do portador de corrente

 Aumenta a frequência máxima de operação do transistor

d  d distância percorrida pelo portador de corrente

  v velocidade do portador de corrente
v
 Em transistores de micro-ondas utiliza-se

 BIPOLAR - Largura da base sub-micrométrica

 FET - Comprimento de porta sub-micrométrico

 Resultando em menores tempos de trânsito

31 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistores de Micro-ondas
Como maximizar a frequência de operação do transistor?

 Redução de resistências parasitas

 Processo otimizado para minimizar
 resistências de contato
 resistências série com os acessos do transistor
 Redução de capacitâncias
 Minimização da área do emissor do transistor bipolar
 Minimização da largura de porta do FET
 Mas: limita a potência de operação dos dispositivos

32 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistores de Micro-ondas
Como maximizar a frequência de operação do transistor?

 Evolução tecnológica → novos tipos de transistores

 Crescimento de camadas semicondutoras
 Usando Molecular Beam Epitaxy - MBE
 Construção de dispositivos com heteroetruturas ou
heterojunções

 Transistores comerciais com heterojunções

 HEMT – High Eletron Mobility Transistor
 PHEMT – Pseudomorfic High Eletron Mobility Transistor
 HBT – Heterostructure Bipolar Transistor

33 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistores de Micro-ondas
 Heteroestrutura ou heterojunção
 Junção de dois semicondutores diferentes
 Com larguras de banda de energia proibida diferentes
 Mesmo passo de rede
 Exemplo: GaAs e AlGaAs

 Heteroestrutura pseudomórfica
 Materiais com passos de rede diferentes, mas próximos
 Com tensões mecânicas mínimas nas interfaces dos
materiais
 Exemplo: AlGaAs e InGaAs

34 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistor Bipolar de Silício
 Transistor bipolar tipo NPN de silício
 Transistor de micro-ondas mais antigo e popular
 Bom desempenho em termos de faixa de frequência, potência
e ruído
 Aplicação
 Amplificadores na faixa de 2 a 10 GHz
 Osciladores até 20 GHz
 Baixo ruído 1/f → osciladores com baixo ruído de fase
 Preferido a FETs na faixa de frequências de 2 a 4 GHz
 Alto ganho
 Baixo custo

35 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistor Bipolar de Silício
Secção transversal do transistor bipolar
Emissor Junção
fortemente Emissor
base-emissor
dopado, emite diretamente
Base Base
elétrons livres Emissor - Si Tipo N polarizada
VBE  +0,6 V
Base - Si Tipo P
Base estreita,
com dopagem Junção
Coletor - Si Tipo N base-coletor
mediana
reversamente
polarizada
Coletor, Sub-coletor - Si Tipo N+
VCB > 0 V
fracamente
dopado, coleta os
elétrons
Coletor

36 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistor Bipolar de Silício

Polarização do
transistor bipolar

Operação do transistor bipolar NPN

• Superpondo um pequeno sinal alternado vbe adicionado À
tensão base-emissor
𝑣𝐵𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑣𝑏𝑒  𝑖𝐵 = 𝐼𝐵 + 𝑖𝑏  𝑖𝐶 = 𝐼𝐶 + 𝑖𝑐
𝑖𝑐
• Ganho de corrente 𝛽=
𝑖𝑏

37 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistor Bipolar de Silício

Circuitos de polarização e
desacoplamento DC do transistor
Característica I x V em DC
bipolar NPN

38 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistor Bipolar de Silício
• Circuito equivalente π-híbrido simplificado

gm
fT  f max =
fT
2  C 8..Rb .Cc

fT - frequência em que o ganho de corrente cai a 1

fMAX - frequência em que o ganho de potência cai a 1
39 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistor Bipolar de Silício NPN
Transistor com base estreita
• Aumenta fT
• Reduz ec , tempo de trânsito dos
elétrons entre coletor e emissor f T  1  ec

• Mas ocasiona resistência de base • Mas Limita fmax

elevada Rb
fT
f max =
8..Rb .Cc

BJT de micro-ondas de silício

• Tecnologia amadurecida
• Parâmetros físicos otimizados para melhor desempenho
em frequência e baixo custo
40 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 HBT - Heterostructure Bipolar Transistor
• Transistor bipolar de heterojunção
• Transistor bipolar tipo NPN
• Junção base-emissor é uma heteroestrura

Emissor → Al-GaAs Emissor → Si-Ge Emissor → GaInAs

Base → GaAs Base → Si Base → InP

• Características em alta frequência aprimoradas

• Base estreita, mas altamente dopada → reduz Rb
• Opera até frequências de 100 GHz e acima
• HBT de SiGe/Si operando até 60 GHz, com baixo custo
• Modelo elétrico equivalente
• O mesmo do transistor bipolar de silício
41 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 HBT - Heteroestructure Bipolar Transistor
• Secção transversal HBT
Emissor
SE = m
SE
SB = m Base
SB
Emissor - AlGaAs Tipo N
Heteroestrutura
Base - GaAs Tipo P
base-emissor Coletor
Coletor - GaAs Tipo N

Sub-coletor - GaAs Tipo N+

Substrato - GaAs semi-isolante

Emissor: AlGaAs 1.000 Angstrons 5x1017 cm-3

Base: GaAs 800 Angstrons 7x1019 cm-3
Coletor: GaAs 7.000 Angstrons 5x1016 cm-3
42 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 HBT X Transistor Bipolar de Silício
 Transistor Bipolar de Silício
 Largura de emissor < 0,5 m
fT e fMAX: 20 a 40 GHz
 = 10 a 50

 HBT
 Largura de emissor 1 a 3 mm
fT e fMAX: 100 a 200 GHz
 = 5 a 80
ft frequência em que ganho de corrente cai a 1
fmax frequência em que ganho de potência cai a 1
43 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistor Bipolar de Silício

Potência
5 W em 2 GHz
Baixo ruído
largura de emissor: 1 mm

44 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 HBTs

Emissor 4 x 12 μm2
45 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 HBTs

Emissor: 10 dedos de 2 x 20 μm2

46 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistor de Efeito de Campo - MESFET
Secção transversal do MESFET
Lg
Fonte Dreno
Porta

Camada ativa - GaAs tipo N

Substrato semi-isolante - GaAs

Fonte e dreno: contatos ôhmicos Porta: diodo Schottky

Comprimento de porta, Lg < 1 m, p.e. 0,25 m, 0,5 m

Camada ativa: 0,15 μm de espessura,

(p.e.) 3∙1017 dopantes/cm3
47 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Princípio de Operação do MESFET
Vds
>0
Vgs ≤ 0,5 V
V
Camada de
depleção
Porta
Fonte Dreno

camada ativa Id

Substrato - GaAs semi-isolante

• MESFET - limiar de condução → VT < 0,

• Vgs < VT camada ativa totalmente depletada  Id = 0
• Vgs > VT espessura da camada de depleção diminui  Id > 0
• VT < Vgs < 0,5 V (se Vgs > 0,5 V, o diodo de porta conduz!)
48 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Curva DC Ids versus Vds do MESFET

Ids (mA)
Vgs = 0 V

Idss Vgs = - 0,5 V

Vgs = - 1 V

Vgs = VT

~0,4 Vb Vds (V)

Idss: corrente dreno-fonte para Vgs = 0 V

Vb: tensão de ruptura dreno-fonte
49 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Limites à Operação do MESFET
• Camada ativa
• Dopagem tipo N
• ND dopantes por unidade de volume

• Dopantes
• Doam elétrons para a rede
• Fornecem os elétrons livres, portadores de corrente  ID
• Mas a interação elétrons livres / dopantes ionizados
• Reduz a mobilidade dos elétrons livres
• Limita frequência máxima de operação do MESFET

50 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Transistor de Efeito de Campo - HEMT
Fonte Camada Porta
depletada Dreno

AlGaAs
Tipo N
AlGaAs não dopadado

GaAs não dopadado 2-DEG

Substrato - GaAs semi-isolante

Secção transversal do HEMT

Heteroestrutura: AlGaAs/GaAs
Camada de AlGaAs tipo N: 600 Angstrons, 1∙1018 dopantes/cm3
Condução de corrente: gás bidimensional de elétrons, 2-DEG
Portadores de corrente: elétrons com alta mobilidade
51 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Princípio de Operação do HEMT
Vds

Vgs

Camada
depletada
Fonte Porta Dreno
AlGaAs
Tipo N
AlGaAs não dopadado

Ids
GaAs não dopadado

Substrato - GaAs semi-isolante

Vgs: controla a densidade de carga no 2-DEG  valor de Id

Curva DC Ids xVds: comportamento similar ao do MESFET

52 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 HEMT Pseudomórfico ou PHMET
Fonte Camada Porta
depletada Dreno

AlGaAs
Tipo N
AlGaAs não dopadado

InGaAs não dopadado 2-DEG

Substrato - GaAs semi-isolante

Heteroestrutura: AlGaAs/InGaAs
Portadores no 2-DEG: maior mobilidade e densidade que o HEMT
Frequência de corte mais elevada, maior potência de saída

53 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 Circuito Elétrico Equivalente de Pequenos Sinais:
MESFET e HEMT
Cgd
Rg Rd
Porta Dreno

Ri

gm.V Rds Cds

Cgs V
Porta
Fonte Cds Dreno

Rg
Ri
Cgs Cgd Rs
GaAs N
Rs Rd
gm
Fonte
GaAs semi-isolante

Rg, Rs, Rd : resistências de porta, fonte e dreno

Cgs: capacitância porta-fonte Cgd: capacitância porta-dreno
Cds: capacitância dreno-fonte Ri: resistência de carga de Cgs
gm: transcondutância 1/Rds: condutância dreno-fonte
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 MESFET e HEMT

Transistores de baixo ruído

Dispositiv Lg x W Figura de Gassociado Frequência
o (μm2) ruído (dB) (dB) (GHz)
MESFET 0,3 x 280 1,6 9,0 12

HEMT 0,3 x 280 0,6 10,5 12

PHEMT 0,2 x 200 0,5 11,5 12

55 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 HEMTs

HEMT de potência
Porta: 4 dedos com L = 0,25 m
HEMT de baixo ruído
Porta: 2 dedos com 0,15 x 25 m2

56 PSI3581 – Circuitos de Micro-ondas – Prof.ª Fatima Salete Correra, Dispositivos de Micro-ondas a Semicondutor
 PHEMT de Potência

Porta: 32 dedos, com W = 150 m cada

Pout = 2,5 W em 20 GHz

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 Transistores de Micro-ondas
Si Si SiGe GaAs GaAs GaN
Dispositivo
BJT CMOS HBT MESFET HEMT HEMT
Faixa de
10 20 30 60 100 10
frequências (GHz)

Ganho típico (dB) 10 a 15 10 a 20 10 a 15 5 a 20 10 a 20 10 a 15

Figura de Ruído 2,0 1,0 0,6 1,0 0,5 1,6

(dB) 2,0 GHz 4,0 GHz 8,0 GHz 10,0 GHz 12,0 GHz 6,0 GHz
Capacidade de
Alta Baixa Média Média Média Alta
potência
Polaridade de
Sim Sim Sim Não Não Não
alimentação única
Custo Baixo Baixo Médio Médio Alto Médio
Fonte: Microwave Engineering, 3ª ed., D. M. Pozar, 2012

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 Modelo de Dispositivos de Micro-ondas
• Modelos de pequenos sinais
• Empregados no projeto de circuitos lineares

• Amplificador de ganho
• Amplificador de baixo ruído
• Modelos de grandes sinais
• Empregados no projeto de circuitos não-lineares

• Amplificadores de potência
• Misturadores de frequência
• Osciladores
• Multiplicadores de frequência e outros
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 Modelo de Dispositivos de Micro-ondas

Modelos de pequenos sinais

Modelos de circuito elétrico

equivalente
Modelos de caixa preta
• Circuito que representa o
• Parâmetros S do transistor transistor usando
• Resistores, capacitores,
• Parâmetros de Ruído de indutores
transistores
• Fontes vinculadas de
tensão ou corrente

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 Modelo de Dispositivos de Micro-ondas
Modelos de pequenos sinais

Modelos de caixa preta

• Parâmetros S do transistor
• Parâmetros de Ruído de transistores
• Obtidos experimentalmente
• Válidos para as condições de medida
• Ponto de polarização DC
• Faixa de frequência
• Arquivo padrão de Parâmetros S
• Arquivo “Tocuchstone”
• Terminação “s2p”

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 Modelo de Dispositivos de Micro-ondas
Exemplo de arquivo de Parâmetros S e de Ruído de transistor
Linhas de comentários: !AT-31011
nome do transistor, ponto ! S and NOISE PARAMETERS at Vce=2.7V Ic=1mA.
de polarização, etc..”
# ghz s ma r 50
Unidades usadas
0.1 0.96 -7 3.59 174 0.01 86 0.999 -2
Frequência em GHz 0.5 0.93 -32 3.41 152 0.05 69 0.95 -13
Sij e módulo e fase 0.9 0.83 -56 3.13 132 0.08 55 0.91 -22
1.0 0.81 -61 2.99 128 0.08 53 0.9 -24
1.5 0.68 -89 2.61 107 0.1 40 0.84 -32
Frequência e 1.8 0.62 -104 2.38 96 0.11 34 0.8 -36
parâmetros S 2.0 0.58 -113 2.28 90 0.11 31 0.78 -38
2.4 0.52 -133 1.99 77 0.11 27 0.75 -42
3.0 0.45 -160 1.71 61 0.11 25 0.72 -46
4.0 0.43 158 1.37 39 0.1 29 0.69 -56
5.0 0.46 123 1.14 20 0.12 41 0.68 -66

0.5 0.5 0.92 13 0.85 Fornecidos somente

Frequência e 0.9 0.6 0.85 29 0.73
1.8 1.1 0.68 67 0.46 para transistores de
parâmetros de ruído baixo ruído
62 2.4 1.6 0.55 98 0.28
 Modelo de Dispositivos de Micro-ondas
# ghz s ma r 50  Parâmetros S em módulo e fase
Frequência S11 S21 S12 S22
(GHz) módulo fase módulo fase módulo fase módulo fase
0.1 0.96 -7 3.59 174 0.01 86 0.999 -2
0.5 0.93 -32 3.41 152 0.05 69 0.95 -13
0.9 0.83 -56 3.13 132 0.08 55 0.91 -22
1.0 0.81 -61 2.99 128 0.08 53 0.9 -24
1.5 0.68 -89 2.61 107 0.1 40 0.84 -32
1.8 0.62 -104 2.38 96 0.11 34 0.8 -36
2.0 0.58 -113 2.28 90 0.11 31 0.78 -38
2.4 0.52 -133 1.99 77 0.11 27 0.75 -42
3.0 0.45 -160 1.71 61 0.11 25 0.72 -46
4.0 0.43 158 1.37 39 0.1 29 0.69 -56
5.0 0.46 123 1.14 20 0.12 41 0.68 -66
63
 Modelo de Dispositivos de Micro-ondas
Modelos de pequenos sinais

Modelos de circuito elétrico equivalente de pequenos sinais

Cgd

• Circuito elétrico equivalente Porta

Rg Rd
Dreno

• Componentes com valores fixos Ri

• Obtidos experimentalmente gm.V Rds Cds

Cgs V

•Válidos para as condições de medida

• Ponto de polarização DC Rs

• Faixa de frequência Fonte

• Transistor operando linearmente Modelo de circuito elétrico equivalente

• Alterando o ponto de polarização de pequenos sinais do MESFET, HEMT e
PHMET
• Novos valores para os componentes
R’s, C´s e gm  valores constantes para
um dado ponto de polarização
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 Modelo de Dispositivos de Micro-ondas
Modelos de grandes sinais
Modelos de circuito elétrico equivalente de grandes sinais
Cgd
• Circuito elétrico equivalente Porta
Rg Rd
Dreno

• Valores dos componentes

Ri
• Funções das tensões e correntes de gm.V Rds Cds
polarização do transistor Cgs V

• Equações desenvolvidas a partir de dados

experimentais obtidos Rs

• Diversos pontos de polarização do transistor Fonte

•Válidos para as condições de medida Modelo de circuito elétrico

• Pontos de polarização DC equivalente de grandes sinais
do MESFET, HEMT e PHMET
• Faixa de frequência
R’s, C´s e gm  funções de
VGS, VDS, ID
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