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Introduo
Com as diversas formas e tipos de materiais assim como a maneira
de construo utilizadas para o desenvolvimento de componentes
semicondutores, foi possvel observar a ocorrncia de diferentes tipos de
fenmenos fsicos bem particulares em cada um desses. Alguns destes
fenmenos foram de alguma forma aproveitados para o desenvolvimento
de componentes eletrnicos especiais. nessa abordagem que o trabalho
se desenvolve, analisando diodos especiais especificados para a pesquisa,
dando mais nfase ao diodo Schottky ,mas no deixando de citar
importantes caractersticas e particularidades dos diodos PIN, GUNN e
IMPATT. Vale ressaltar que todos tm sua importncia na realizao de
projetos e mais uma alternativa pra realizar projetos com resultados mais
satisfatrios.
Dessa forma mas pode esse problema pode ser solucionado com o
uso de diodos Schottky na fonte de alimentao com um custo beneficio
bem mais satisfatrio do que uso de tcnicas mais avanadas para filtrar
fontes.
3.3-Diodos IMPATT
Abreviao de Impact Avalanche and Transit Time. Operando em frequncias da
ordem de 300GHz, Seu desempenho superior aos dispositivos GUNN, porm com
tenses elevadas, que chegam na ordem de uma centena de volts. A tenso reversa
faz com que o diodo trabalhe na regio de ruptura, resultando numa alta corrente de
avalanche Diodos IMPATT So dispositivos de quatro camadas, sendo uma P e outra
N, fortemente dopadas, uma N intermediria e uma camada intrnseca. A regio de
depleo formada com a regio N e a camada intrnseca. Devido a alta tenso
reversa, a dissipao de potncia muito elevada.
Estrutura bsica do diodo IMPATT:
4. concluso
Fica claro nesse trabalho realizado a importncia da descoberta de diodos
especiais , fato que se comprova ao utilizar diodos usuais de Si para a
realizao de projetos e de onde se observa instabilidades e valores
indesejveis de correntes de fuga e que podem gerar desgastes no
componentes .Tambm possvel observar a utilidades desses diodos em
alta frequncia (ordem de GHz) em que em sua totalidade dos diodos
analisado( PIN , GUNN , IMPATT e Schottky) , observou-se uma operao
muito mais estvel e com menores deformaes no sinal de sada. Os
diodos Schottky so dispositivos eletrnicos criados a partir da juno de
um metal a um semicondutor, onde ambos possuem portadores majoritrios
do tipo N (eltrons). Este fato nos ajuda a compreender a razo do uso do
dispositivo em faixas de alta frequncia, pois, no havendo cargas
armazenadas o diodo pode entrar em corte mais rpido do que o diodo
comum chega . So aplicados e produzidos de acordo com a finalidade
desejada, podendo ser utilizados vrios metais para sua construo e que
tenha um melhor rendimento de algumas estruturas , assim podendo
auxiliar em um funcionamento mais efetivo do dispositivo eletrnico.
5.Bibliografia
Material de internet:
https://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo_Schottky
http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/6709-como-funcionamos-diodos-schottky-art1037
https://eletronicaparainiciantes.wordpress.com/category/diodos/
http://www2.feg.unesp.br/Home/PaginasPessoais/ProfMarceloWendling/diodosespeciais.pdf
Livros:
BOYLESTAD, R. e NASHEKSKI, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 6a Edio,
Editora Prentice-Hall do Brasil, 1999.
MALVINO, A. P. e LEACH, D. P. Eletrnica Digital - Princpios e Aplicaes, Vol. 1, So Paulo:
Editora McGraw-Hill, 1987.