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1.

Introduo
Com as diversas formas e tipos de materiais assim como a maneira
de construo utilizadas para o desenvolvimento de componentes
semicondutores, foi possvel observar a ocorrncia de diferentes tipos de
fenmenos fsicos bem particulares em cada um desses. Alguns destes
fenmenos foram de alguma forma aproveitados para o desenvolvimento
de componentes eletrnicos especiais. nessa abordagem que o trabalho
se desenvolve, analisando diodos especiais especificados para a pesquisa,
dando mais nfase ao diodo Schottky ,mas no deixando de citar
importantes caractersticas e particularidades dos diodos PIN, GUNN e
IMPATT. Vale ressaltar que todos tm sua importncia na realizao de
projetos e mais uma alternativa pra realizar projetos com resultados mais
satisfatrios.

2. Diodos Schottky- aplicaes e viso geral


Diodo Schottky um tipo de diodo que utiliza o efeito Schottky na
semi-conduo. Esse Diodo serve para diminuir a carga "armadilha" no
diodo. Um diodo comum ao passar da regio direta de conduo para a
reversa ,produz em um curto tempo uma corrente reversa alta, resultante
de cargas armadilhas, tendo um efeito importante no uso de diodos atravs
de frequncia alta, Houve, portanto, a necessidade de empregar dispositivos
com melhores respostas, com a fabricao de um diodo utilizando-se ao
invs do material P um metal, Seu nome uma homenagem ao fsico
alemo Walter Schottky.
As caractersticas de comutao ultra rpida e uma queda de tenso no
sentido direto muito baixa tornam estes diodos especiais em muitas
aplicaes que envolvem o trabalho com pulsos de curta durao.
Os diodos Schottky so componentes relativamente novos, pois so
usados h apenas 25 anos, aproximadamente. No entanto, suas
caractersticas especiais os tornam ideais para certas aplicaes em que os
diodos comuns de silcio no se do bem como no caso de circuitos que
necessitam de chaveamento de comutaes rpidas, assim como em
situaes que se deve minimizar a queda de tenso. Outras reas de
aplicao incluem sistemas de radar, lgica TTL Schottky para
computadores instrumentao e conversores analgico-digitais.
Um dos pontos de mais problemas em projetos de amplificadores de
udio e leva os engenheiros enfrentar desafios vem do fato dos transistores
de silcio e diodos comearem a conduzir com uma tenso muito alta

(aproximadamente 0,7 V), causando assim distores nos sinais, pois o


transistor que o amplifica iniciar sua conduo somente quando ele atinge
um certo valor. Observada na gravura abaixo:

Distores estas provocadas pelo tempo de recuperao reversa,


que ocorre devido a uma transio com relativa corrente alta reversa antes
da sua estabilizao. Apesar de diodos comuns(silcio) terem um tempo de
recuperao que suporta bem a baixa frequncia de 60 Hz da rede de
energia, com o uso de um analisador de espectro foi observado e
demonstrado que eles podem gerar uma grande quantidade de harmnicas
que se estende at a faixa de udio, afetando assim o sinal que deve ser
reproduzido pelo amplificador e que no atinge o circuito em si mas
tambm na prpria fonte de alimentao. Nas figuras a) e b) observa-se o
tempo de recuperao reversa de um diodo usual e um diodo Schottky a
ttulo de comparao:

Dessa forma mas pode esse problema pode ser solucionado com o
uso de diodos Schottky na fonte de alimentao com um custo beneficio

bem mais satisfatrio do que uso de tcnicas mais avanadas para filtrar
fontes.

2.1-Fsica dos diodos Schottky


Os diodos Schottky so construdos de uma maneira diferente da
juno p-n convencional. O semicondutor normalmente de silcio tipo n
podendo tambm que se utilize silcio tipo p), e vrios metais so utilizados,
como molibdnio, platina, cromo ou tungstnio.
Em ambos os
materiais, o eltron o portador majoritrio. No metal, o nvel de portadores
minoritrios (lacunas) insignificante. Abaixo , um esquema de um diodo
Schottky usual:

Imagem abaixo de um Diodo Schottky comercial:

Com a juno dos materiais, os eltrons do semicondutor de silcio


tipo n migram imediatamente para o metal agregado, acontecendo , assim,
um fluxo intenso de portadores majoritrios (eltrons). Os diodos Schottky
so nicos, pois a conduo realizada apenas por portadores majoritrios
e seu fluxo se dar pra uma regio com a mesma ordem de grandeza de
eltrons. Por chegar ao metal com Energia cintica bem mais altas aos que
esto no metal, esses portadores so chamados de portadores quentes
A aplicao de uma polarizao direta reduz a fora da barreira
negativa, atraindo os eltrons dessa regio pelo potencial positivo aplicado.
O resultado a reduo do fluxo intenso de eltrons atravs da juno,
controlado agora pelo nvel de potencial aplicado. A barreira na juno de
um diodo Schottky menor do que a encontrada em dispositivos de juno
p-n, tanto na regio diretamente polarizada como na inversamente
polarizada. Um diodo Schottky, quando diretamente polarizado, apresenta
uma barreira de potencial de apenas 0,25 V ,em comparao a do diodo de
silcio que de 0.7 V, assim como a possibilidade de operar em altas
frequncias , j que a corrente neste dispositivo principalmente resultante
do fluxo de portadores majoritrios.

Acima, observa-se a curva de mudana da polarizao com uma onda


quadrada no tempo. Observa-se como o Diodo Schottky bem mais efetivo
do que a juno p-n.
O dispositivo porem, se limita quando se aplicado uma alta corrente
reversa, pois acaba resultando em baixos valores da tenso reversa de
ruptura normalmente para uma unidade de 50 A, a PIV do diodo Schottky
de cerca de 50 V, enquanto que para a juno p-n a PIV chega a 150 V,
algo indesejvel para tais aplicaes.
A corrente de fuga do diodo Schottky esta relacionada com o
permetro do dispositivo, pois a quantidade de defeitos existentes nas
limitaes do dispositivo (resultantes do corte da lmina para
encapsulamento dos dispositivos e gerao de portadores pelos estados de
superfcie na lateral, etc) diretamente proporcional ao permetro do

dispositivo construdo. Assim, quando estabelecida rea do dispositivo,


necessrio projet-lo para que ele possua o menor permetro possvel. A
figura geomtrica que apresenta o melhor resultado o quadrado, j que
para um mesmo valor de rea ele apresenta o menor permetro. Alm de
projetar dispositivos com o permetro possvel, pois isso elimina os efeitos
de borda, que intensifica a concentrao de campo eltrico que pode gerar
possveis correntes de fuga ,este efeito responsvel pela degradao do
dispositivo.
O circuito equivalente para o dispositivo e seus valores tpicos assim
como o smbolo normalmente utilizado aparecem nas Fig. 2 (a) e (b). Vrios
fabricantes preferem utilizar o smbolo padro do diodo para o dispositivo, j
que a funo realizada pelos dois praticamente a mesma. A indutncia LP
e a capacitncia CP aparecem devido ao encapsulamento, e rB a
resistncia em srie, que inclui a resistncia de contato e do material. Para
a maioria das aplicaes, o circuito equivalente aproximado da Fig. 3, que
inclui um diodo ideal em paralelo com a capacitncia de juno, mostra-se
bastante utilizvel para realizao de projetos.

Existem vrias estruturas de diodo Schottky, desde o diodo


convencional formado apenas por um contato metlico na superfcie do
silcio, at estruturas mais complexas que possuem anel de guarda e
sobreposio de metal para melhorar as caractersticas eltricas do
dispositivo. Alguns tipos so citados abaixo:
2.1.1-Diodo Schottky Convencional
O diodo formado apenas por um contato metlico no semicondutor.
Este tipo de dispositivo geralmente possui caractersticas I-V direta e
reversa mas de menor qualidade, apresentando alta corrente de fuga e
consequente baixa tenso de ruptura.

2.1.2-Diodo Schottky com sobreposio de metal


A sobreposio do metal utilizada para eliminar os efeitos de borda
para baixas tenses de polarizao reversa do diodo. Esta estrutura pode
ser formada utilizando-se xido de silcio nas bordas do diodo para formar
sobreposio do metal.
2.1.3-Diodo Schottky com grades de linha de difuso
A grade formada por linhas paralelas de difuso tipo p, ao invs de ter
um anel de guarda na periferia do dispositivo . A corrente de fuga do diodo
Schottky esta relacionada com o permetro do dispositivo, pois a quantidade
de defeitos existentes nas limitaes do dispositivo (resultantes do corte da
lmina para encapsulamento dos dispositivos, tratamentos qumicos,
gerao de portadores pelos estados de superfcie na lateral, etc)
diretamente proporcional ao permetro do dispositivo construdo. Assim,
quando estabelecida rea do dispositivo, necessrio projet-lo para que
ele possua o menor permetro possvel. A figura geomtrica que apresenta o
melhor resultado o quadrado, j que para um mesmo valor de rea ele
apresenta o menor permetro. Alm de projetar dispositivos com o permetro
possvel, o arredondamento dos cantos elimina o efeito das bordas, ou seja,
a alta concentrao de campo eltrico nesta regio pode resultar em
correntes de fuga. Deste modo, arredondando os cantos do contato
metlico, diminumos este efeito de degradao do dispositivo.

3. Outros diodos especiais


3.1-Diodos Gunn

Denominando-se o Diodo Gunn em homenagem a J. Gunn que em 1963


descobriu o efeito de produo de micro-ondas por semicondutores N, que
podem ir de 1 GHz at mais de 100 GHz. O diodo Gunn tem uma
caracterstica que bem particular, pois construdo apenas com
semicondutor tipo N, ao contrario do par PN do diodo de silcio. E que na
realidade um oscilador de micro-ondas.
Esses diodos so construdos com trs camadas, a camada tem um nvel
de dopagem menor. O dispositivo exibe caracterstica de uma resistncia
negativa, o material utilizado pode ser arsenieto de glio (GaAs) e o nitreto
de glio (GaN).
A representao do Diodo Gunn :

Composio fsica e Curva caracterstica do Diodo Gunn:

3.2 Diodos PIN


O nome devido a existncia de uma camada I (intrnseca silcio
puro ) entre as camadas P e N. Quando diretamente polarizado, lacunas e
eltrons so injetados na camada intrnseca I e as cargas no se anulam
instantaneamente, elas ficam ativas por um determinado perodo. Como
consequncia surge uma carga mdia na camada que possibilita a
conduo. J polarizao nula ou inversa, no h carga armazenada e o
diodo comporta-se como um capacitor em paralelo com a resistncia
intrnseco do conjunto. Com tenso contnua ou de baixa frequncia, o diodo
PIN tem um comportamento prximo do diodo de juno PN. Nas
frequncias mais altas, de perodos inferiores ao tempo de durao das
cargas, a resistncia apresenta uma variao caracterstica com a corrente.
Isso d ao componente muitas aplicaes em altas frequncias como na
construo de atenuadores, filtros, e limitadores.

Representao do diodo PIN:

Constituio fsica e grfico de IxR:

3.3-Diodos IMPATT
Abreviao de Impact Avalanche and Transit Time. Operando em frequncias da
ordem de 300GHz, Seu desempenho superior aos dispositivos GUNN, porm com
tenses elevadas, que chegam na ordem de uma centena de volts. A tenso reversa
faz com que o diodo trabalhe na regio de ruptura, resultando numa alta corrente de
avalanche Diodos IMPATT So dispositivos de quatro camadas, sendo uma P e outra
N, fortemente dopadas, uma N intermediria e uma camada intrnseca. A regio de
depleo formada com a regio N e a camada intrnseca. Devido a alta tenso
reversa, a dissipao de potncia muito elevada.
Estrutura bsica do diodo IMPATT:

Estrutura prtica do diodo IMPATT:

4. concluso
Fica claro nesse trabalho realizado a importncia da descoberta de diodos
especiais , fato que se comprova ao utilizar diodos usuais de Si para a
realizao de projetos e de onde se observa instabilidades e valores
indesejveis de correntes de fuga e que podem gerar desgastes no
componentes .Tambm possvel observar a utilidades desses diodos em
alta frequncia (ordem de GHz) em que em sua totalidade dos diodos
analisado( PIN , GUNN , IMPATT e Schottky) , observou-se uma operao
muito mais estvel e com menores deformaes no sinal de sada. Os
diodos Schottky so dispositivos eletrnicos criados a partir da juno de
um metal a um semicondutor, onde ambos possuem portadores majoritrios
do tipo N (eltrons). Este fato nos ajuda a compreender a razo do uso do
dispositivo em faixas de alta frequncia, pois, no havendo cargas
armazenadas o diodo pode entrar em corte mais rpido do que o diodo
comum chega . So aplicados e produzidos de acordo com a finalidade
desejada, podendo ser utilizados vrios metais para sua construo e que
tenha um melhor rendimento de algumas estruturas , assim podendo
auxiliar em um funcionamento mais efetivo do dispositivo eletrnico.

5.Bibliografia
Material de internet:
https://pt.wikipedia.org/wiki/Diodo_Schottky
http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/6709-como-funcionamos-diodos-schottky-art1037
https://eletronicaparainiciantes.wordpress.com/category/diodos/
http://www2.feg.unesp.br/Home/PaginasPessoais/ProfMarceloWendling/diodosespeciais.pdf

Livros:
BOYLESTAD, R. e NASHEKSKI, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos, 6a Edio,
Editora Prentice-Hall do Brasil, 1999.
MALVINO, A. P. e LEACH, D. P. Eletrnica Digital - Princpios e Aplicaes, Vol. 1, So Paulo:
Editora McGraw-Hill, 1987.