Resumo

• Conceitos Básicos de Semicondutores

• A junção pn em condição de circuito aberto
• A junção pn em polarização inversa
• A junção pn na região de ruptura
• A junção pn em condições de polarização directa

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Um díodo é composto
por uma junção pn composta
por um material semicondutor
(usualmente silício) do
tipo p em contacto com material
semicondutor do tipo n (como se verá à frente será uma mesma barra de
material semicondutor mas com duas dopagens).
As ligações externas às regiões n e p são feitas através de contactos em metal
(alumínio).
A ligação pn é o elemento básico do transístor bipolar e desempenha um
papel importante nos transístores de efeito de campo (FET).

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Silício Intrínseco - Os dispositivos básicos podem ser feitos de Silício ou
Germânio, sendo a maioria de Germânio.
Um cristal puro
de silício intrínseco tem uma
estrutura regular em que os
átomos estão ligados através de
ligações covalentes formadas
por quatro electrões de valência
por cada átomo de silício.
A temperaturas suficientemente
baixas as ligações covalentes
estão quase todas intactas
e poucos electrões livres estão
disponíveis para conduzir corrente eléctrica.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Mas à temperatura
ambiente algumas
ligações covalentes
são quebradas por
ionização térmica e alguns
electrões são libertados
para condução. O átomo
do qual se libertou a ligação
fica ionizado positivamente.
Um electrão de valência do
átomo vizinho pode ser atraído por esta carga positiva e saltar para formar
uma nova ligação covalente. Este processo repetido origina um movimento
duma carga positiva. A essa carga positiva chamamos lacuna.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
A ionização térmica resulta em electrões e lacunas livres em números iguais.
Estes electrões e lacunas livres movem-se aleatoriamente através da estrutura
do cristal de silício em que alguns electrões preenchem algumas lacunas. Este
processo é chamado de recombinação e resulta no desaparecimento de
electrões e lacunas livres.
A taxa de recombinação é proporcional ao número de electrões e lacunas
livres que é determinado por sua vez pela taxa de ionização. Esta taxa de
ionização é fortemente função da temperatura.
Em equilíbrio térmico a taxa de recombinação é igual à taxa de ionização e a
concentração de electrões livres n é igual à concentração de lacunas p
n = p = ni
onde ni representa a concentração de electrões livres e lacunas no silício
intrínseco (puro) a uma dada temperatura.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
A concentração intrínseca ni (número de electrões livres ou lacunas por
centímetro cúbico) a uma determinada temperatura absoluta (kelvins) pode é
dada por
n2i = BT 3 e−EG /(kT )
em que B é um parâmetro dependente do material igual a 5.4x1031 para o
silício, EG é chamada de energia de bandgap e é igual a 1.12 electrões volt
(eV ) para o silício e k é a constante de Boltzmann igual a 8.62x10−5 eV /K.
EG é a energia minima para quebrar uma ligação covalente e gerar um par
electrão-lacuna. À temperatura ambiente (T ' 300K), existem
ni ' 1.5x1010 portadores/cm3 . Como referência o cristal de silício tem 5x1022
átomos/cm3 .
O silício é designado semicondutor porque a condutividade, que é
determinada pelo número de portadores de carga livres, está entre a dos
condutores e os isoladores.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Corrente de Difusão
Há dois mecanismos pelos quais as lacunas se movem através do cristal de
silício - difusão e deriva.
Difusão está associada a movimento aleatório devido a agitação térmica.
Numa barra de silício com concentrações uniforme de electrões livres e
lacunas este movimento aleatório não resulta numa corrente numa direcção.
No entanto se por algum mecanismo a concentração de electrões livres é
maior numa ponta da barra de silício que na outra, uma corrente de electrões
circulará entre a parte de maior concentração para a menor (chamada corrente
de difusão).

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Corrente de Difusão

Considere uma barra de silício em que a concentração de lacunas varia ao

longo do eixo xx’. A existência dum tal perfil de concentração de lacunas
resulta numa corrente de difusão de lacunas na direcção x com a amplitude da
corrente em cada ponto ser proporcional ao declive da curva de concentração
(gradiente da concentração): J p = −qD p ∂p
∂x (1)
em que J p é a densidade de corrente (corrente por unidade de área num plano
perpendicular ao eixo x em A/cm2 ), q é a amplitude da carga do electrão
1.6x10−19C e D p é a constante de difusão (das lacunas). D p = 12cm2 /s
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Conceitos Básicos de Semicondutores
Corrente de Difusão
No caso de difusão de electrões, em resultado dum gradiente de concentrações
de electrões, a densidade de corrente de electrões é:
Jn = qDn ∂n
∂x
com Dn = 34cm2 /s a constante de difusão dos electrões.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Corrente de Deriva
Corrente de deriva ocorre quando um campo eléctrico é aplicado num pedaço
de silício. Electrões livres e lacunas são acelerados pelo campo eléctrico e
adquirem uma componente de velocidade, somada à velocidade devido ao
movimento térmico, chamada velocidade de deriva.
Sendo E o campo eléctrico (em V /cm), as lacunas deslocam-se na direcção de
E e adquirem uma velocidade de vdri f t (em cm/s) dada por
vdri f t = µ p E
em que µ p é uma constante chamada a mobilidade das lacunas (em
cm2 / (V.s)) sendo no caso do silício µ p = 480cm2 / (V.s). Os electrões
deslocam-se na direcção oposta ao campo eléctrico com uma velocidade
vdri f t = µn E em que µn = 1350cm2 / (V.s). A mobilidade dos electrões é de
cerca de 2.5 vezes maior que a mobilidade das lacunas.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Corrente de Deriva
Num cristal de silício tendo uma densidade de lacunas p e densidade de
electrões livres n, sujeito a um campo eléctrico E, as lacunas deslocar-se-ao na
mesma direcção de E com velocidade µ p E. Existe então uma carga positiva
de densidade qp movendo-se na direcção x com velocidade µ p E (cm/s).
Num segundo uma carga de qpµ p EA (coulomb) atravessará uma área A (cm2 )
perpendicular ao eixo x. Dividindo pela área A dá uma densidade de corrente
J p−dri f t = qpµ p E
Os electrões livres deslocar-se-ao no sentido contrário (velocidade negativa
−µn E) com uma densidade de carga −qn. O resultado é o equivalente a uma
corrente positiva com densidade
Jn−dri f t = qnµn E

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Corrente de Deriva
A corrente total de deriva é
Jdri f t = q (pµ p + nµn ) E
Esta é uma forma de lei de Ohm com a resistividade ρ (Ωcm)
ρ = 1/ [q (pµ p + nµn )]
Existe uma relação, designada por relação de Einstein, entre a constante de
difusão e a mobilidade que é dada por:
Dn Dp
µn = µ p = VT
em que VT é a tensão térmica.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Dopagem de Semicondutores
O cristal de silício intrínseco tem igual concentração de electrões livres e
lacunas geradas por ionização térmica. Estas concentrações, ni são muito
dependentes da temperatura.

Os semicondutores dopados são materiais cujo portadores de um tipo

(electrões e lacunas) predominam.

O silício dopado do tipo n tem uma predominância de electrões livres em

relação às lacunas e o silício dopado do tipo p tem predominância de lacunas
em relação a electrões livres.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Dopagem de Semicondutores
A dopagem
do cristal de silício em tipo
n ou p é conseguido através
da introdução de átomos
de impurezas. Por exemplo
introduzindo átomos
de impureza dum elemento
com cinco electrões
na orbital de valência (por
ex. o fosforo) resulta num
material do tipo n porque
um átomo deste material introduzido na estrutura cristalina contribui com
quatro electrões para ligações de covalência e um fica livre. Esta impureza é
considerada um dador de um electrão livre.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Dopagem de Semicondutores
Considerando que o número de electrões gerados desta maneira é muito maior
que o número de pares electrão-lacuna gerados térmicamente, se a
concentração de átomos dadores é ND , em equilíbrio térmico a concentração
de electrões livres é nn0 ' ND , onde o índice 0 significa equilíbrio térmico
É uma característica dos semicondutores que em equilíbrio térmico que o
produto de concentração de lacunas e electrões livres é constante
nn0 pn0 = n2i
Então a concentração de lacunas que são geradas por ionização térmica é:
n2i
pn0 ' ND
Sendo ni função da temperatura temos que a concentração de lacunas
minoritárias é função da temperatura e a dos electrões maioritários é
independente da temperatura.

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Dopagem de Semicondutores
Para produzir
um semicondutor do
tipo p o silício tem que ser
dopado com impurezas com
três electrões de valência
(como o Boro). Cada átomo
de impureza dá origem a
uma lacuna é chamado um
receptor. A concentração
das lacunas maioritárias no
semicondutor do tipo p em
equilíbrio térmico é aproximadamente igual à concentração NA de receptores
p p0 ' NA

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Conceitos Básicos de Semicondutores
Dopagem de Semicondutores
A concentração de electrões minoritários que são gerados por ionização
térmica pode ser calculado usando o facto de que o produto da concentração
de portadores é constante:
n2i
n p0 'NA
Deve notar-se que o conjunto do semicondutor do tipo n ou p é electricamente
neutro, existindo apenas portadores livres devido à colocação de átomos
distintos na estrutura cristalina.

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A junção pn em condição de circuito aberto

A figura (a) mostra uma junção pn em circuito aberto. O sinal + no material p

representa as lacunas maioritárias (e não a carga que é neutra). No material do
tipo n os electrões maioritários são indicados com o sinal − (e não a carga que
é neutra).
O material n e p também contém lacunas minoritárias e electrões livres
minoritários respectivamente que não estão representados.

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A junção pn em condição de circuito aberto
Porque a concentração de lacunas é alta na região p e baixa na região n, as
lacunas difundem-se através da junção do lado p para o lado n e os electrões
do lado n para o lado p.
Estas duas componentes da corrente somam-se para formar a corrente de
difusão ID cuja direcção é do lado p para o lado n.
As lacunas que se difundem através da junção para a região n recombinam-se
com os electrões maioritários e desaparecem. Esta recombinação resulta no
desaparecimento de electrões livres do material n o que torna essa parte do
material n carregado positivamente.
Os electrões que se difundem através da junção na região p recombinam-se
com as lacunas maioritários e desaparecem. Esta recombinação resulta no
desaparecimento de lacunas livres do material p o que torna essa parte do
material p carregado negativamente.
Em resultado desta recombinação surge uma região junto da junção que está
deplecta (vazia) de cargas. A essa região chama-se a região de deplecção.

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A junção pn em condição de circuito aberto
O facto de existirem cargas de ambos lados da região de deplecção cria um
campo eléctrico e uma diferença de potencial.
Essa diferença de potencial contraria a difusão de electrões na região p e
lacunas na região n. A tensão através da região de deplecção actua como uma
barreira que os electrões têm que vencer para difundir na região p e as lacunas
na região n.
Quanto maior o potencial da barreira menor o número de portadores que
conseguem ultrapassar a barreira e menor a corrente de difusão. Por isso a
corrente de difusão depende fortemente desta diferença de potencial.

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A junção pn em condição de circuito aberto
A corrente de deriva IS e equilíbrio
A adicionar à corrente de difusão de portadores maioritários ID , existe uma
corrente de deriva de portadores minoritários através da junção.
Algumas das lacunas geradas térmicamente no material n difundem-se através
do material n até à região de deplecção. Então ficam sujeitos ao campo
eléctrico que as desloca para a região p.
Similarmente alguns dos electrões minoritários gerados térmicamente no
material p difundem-se para o limite da região deplecção e ficam sujeitos ao
campo eléctrico que os transporta para região n.
Estas duas componentes da corrente de deriva de lacunas e electrões livres
formam a corrente de deriva IS (contrária à corrente ID ). Como a corrente IS é
composta de portadores minoritários gerados térmicamente, o seu valor
depende bastante da temperatura. No entanto é independente do potencial de
deplecção V0 .

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A junção pn em condição de circuito aberto
Em condições de circuito aberto não existe corrente externa, então
ID = IS
Esta condição de equilibrio é mantida pelo potencial de deplecção V0 .
Se por alguma razão ID excede IS , a região de deplecção aumenta e o
respectivo potencial aumenta fazendo descer ID até atingir o equilíbrio ID = IS .
Por outro lado, se IS excede o valor de ID a região de deplecção diminui e a
respectiva tensão diminui. Isto faz com que ID aumente até o equilíbrio ser
atingido com ID = IS .

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A junção pn em condição de circuito aberto
Tensão da Junção
Sem tensão aplicada,
 o potencial V0 através da junção pn é dado por:
NA ND
V0 = VT ln n2i
em que NA e ND são as concentrações de dopagem do lado p e n
respectivamente. Então V0 depende da concentração de dopagem e da
temperatura. Tipicamente para o silício à temperatura ambiente V0 está na
gama de 0.6V a 0.8V .
Este potencial não pode ser medido com os terminais em aberto uma vez que
o Silício, ainda que dopado continua a ser electricamente neutro, apenas existe
uma maior concentração de cargas numa determinada região.

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A junção pn em condição de circuito aberto
Pelo facto de, geralmente, o material do tipo n e p terem diferentes dopagens
e de a carga em cada um dos lados da junção ser igual, a região de deplecção
do lado com maior dopagem é menor que na região de menor dopagem.
Designando a profundidade da região de deplecção no lado p por x p e do lado
n por xn , a condição de igualdade de carga é:
qx p ANA = qxn AND ⇔ xxnp = NNDA (1)
onde A é a área da junção na perpendicular.
Actualmente nos semicondutores um lado da junção é muito mais dopado que
o outro, dando origem a que a região de deplecção se encontre muito mais na
zona menos dopada.
A largura da regiãorde deplecção duma junção é dada por
 
2εs 1 1
Wdep = xn + x p = q NA + ND V0 (2)

em que εS é a permitividade eléctrica do silício = 11.7ε0 = 1.04x10−12 F/cm.

Tipicamente Wdep é da ordem de 0.1µm a 1µm.

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A junção pn em polarização inversa
Considere-se o
díodo polarizado com uma
fonte de corrente inversa
I menor que IS . A corrente
será composta por electrões
e como tal terá o sentido
inverso ao convencional
(inverso ao sentido de
I). Isto dá origem a que os
electrões deixem o material
n e lacunas deixam o
material p. Por isso a corrente inversa I causa um aumento da largura da
região de deplecção e por isso aumenta a tensão de deplecção V0 que
diminuirá a corrente de difusão. A corrente de deriva IS , não sendo dependente
da tensão de deplecção, permanecerá constante. O equilíbrio atinge-se com
IS − ID = I. A corrente I, fora do díodo, é composta somente por electrões.
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A junção pn em polarização inversa
Em equilíbrio, o aumento da tensão de deplecção acima da tensão da junção
em aberto V0 , aparecerá aos terminais do díodo com o terminal da região n
com tensão positiva em relação a p, sendo esta tensão VR .
Considerando a aplicação de uma tensão inversa inferior à tensão de ruptura,
aparece uma corrente minúscula inversa (I = IS − ID ). Esta corrente causa o
aumento da largura e carga da região de deplecção. Inicialmente a corrente
externa é muito maior que IS que se destina a mover as cargas para aumentar a
tensão de deplecção. Eventualmente ID pode-se tornar quase nula comparada
com IS e então I ' IS .

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A junção pn em polarização inversa
A
capacidade de deplecção
A região de deplecção da
junção pn funciona como
um condensador. A carga
armazenada na região de
deplecção varia em função
da tensão na junção pn,
como é mostrado na figura
que representa a relação
entre a carga armazenada e a tensão inversa na junção pn.
A carga armazenada em cada lado da junção (usando (1) e (2) do acetato 24)
qJ = qN = qND xn A ⇔ qJ = q NNAA+N
ND
D
AWdep (1)

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A junção pn em polarização inversa
A largura da região de deplecção duma junção é dada por (atendendo a que a
tensão na região derdeplecção é V0 +VR )
 
2εs 1 1
Wdep = xn + x p = q NA + ND (V0 +VR ) (2)
Estas expressões permitem perceber que não se trata de um condensador
linear(como se verifica também pelo gráfico). Para uma determinada tensão
pode obter-se um comportamento quase linear (para pequenas variações) que
é dado pelo declive da tangente à curva.
A capacidade de deplecção, para o ponto de polarização Q é dada por:
∂qJ  C

C j = ∂VR V =V = q j0VR (3)
R Q 1+ V
0
onde C j0 é o valor de C j sem tensão aplicada:
r
εS q
  

NA ND 1
C j0 = A 2 NA +ND V0 (4)

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A junção pn em polarização inversa
Utilizando a expressão do condensador de placas paralelas, obtém-se a
capacidade:
C j = Wεdep
sA

A expressão de C j é aplicável para junções em que a concentração de

portadores muda abruptamente na fronteira da junção.
Uma expressão mais geral é dada por:
C
C j =  Vj0R m
1+ V
0
em que m é uma constante que depende da forma como a concentração dos
portadores muda de p para n e que varia entre 13 e 21 .

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A junção pn em polarização inversa
Quando uma tensão inversa é aplicada a uma junção pn acontece um
transiente durante a qual a capacidade de deplecção é carregada a uma nova
tensão de polarização.
Depois do transiente a corrente inversa é igual a IS − ID .

Usualmente ID é muito pequena quando o díodo está inversamente polarizado

e I ' IS . No entanto I  IS devido a correntes de fuga.

A corrente inversa é dependente da tensão inversa o que é diferente do modelo

em que I ' IS independente da tensão inversa.

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A junção pn na região de ruptura
Considere-se que a junção
pn é excitada por uma fonte
de corrente que causa uma
corrente I maior que IS no
sentido inverso. Esta fonte
de corrente faz deslocar
lacunas do material p
através do circuito externo (corrente de electrões) para o material n e electrões
do material n para o material p. A região de deplecção aumenta e tensão de
deplecção V0 também. Este ultimo efeito faz a corrente de difusão ID
decrescer, reduzindo-se eventualmente a zero. No entanto isto não é suficiente
para chegar a um estado estável já que I > IS . Por isso a largura da região de
deplecção continua a aumentar até que uma tensão de junção suficientemente
alta desenvolve-se que despoleta um mecanismo de condução de portadores
que providencia os portadores de carga suficientes para cobrir a diferença
entre I e IS .
– p. 31/4
A junção pn na região de ruptura
Existem dois mecanismos de ruptura: o efeito de zener e o efeito de
avalanche.
Em termos práticos, se a junção pn entra em ruptura para uma tensão de
VZ < 5V então o mecanismo é o efeito de zener. O efeito de avalanche
acontece quando a tensão de ruptura VZ é maior que 7V aproximadamente.
Para junções que entram em ruptura entre 5V e 7V o mecanismo de ruptura
pode ser através tanto pelo efeito de zener ou de avalanche ou uma
combinação dos dois.

A ruptura por efeito de zener ocorre quando o campo eléctrico aumenta a um

ponto que pode romper ligações covalentes e gerar pares electrões-lacunas.
Os electrões gerados desta forma serão deslocados pelo campo eléctrico para
o lado n e as lacunas para o lado p. Estes electrões e lacunas constituiem a
corrente inversa através da junção que dá suporte à corrente I.

– p. 32/4
A junção pn na região de ruptura
Uma vez começado o efeito de zener um grande numero de portadores podem
ser gerados com um pequeno aumento de tensão inversa. Portanto a corrente
inversa na zona de ruptura é determinada pelo circuito externo enquanto a
tensão aos terminais se mantem próxima da tensão nominal de zener.

A ruptura por efeito de avalanche ocorre quando os portadores minoritários

que atravessam a região de deplecção sofrem influencia do campo eléctrico
externo e ganham energia cinética suficiente de forma a quebrar ligações
covalentes nos átomos que colidem. Estes portadores minoritários podem por
sua vez quebrar outras ligações (tal como numa avalanche).
Como antes mencionado a ruptura da junção pn não é um processo destrutivo
desde que não se ultrapasse a potência dissipada máxima.

– p. 33/4
A junção pn em polarização directa
Polarizando directamente
o díodo, faz com que
sejam injectados portadores
maioritários em ambos
os lados da junção pelo
circuito externo: lacunas
ao material p e electrões ao
material n. Estes portadores
maioritários neutralizaram
alguns dos iões na zona de
deplecção fazendo com que menos carga seja armazenada nessa zona
(reduzindo a tensão na barreira).
A redução na tensão da barreira faz aumentar a corrente de difusão passando
mais lacunas a barreira do material p para n e mais electrões do lado n para o
lado p. A corrente de difusão ID aumenta até atingir o equilíbrio em que
ID − IS = I.
– p. 34/4
A junção pn em polarização directa
A tensão da barreira é agora inferior que V0 por uma quantidade V que
aparece nos terminais externos como a queda de tensão directa.
As lacunas injectadas na região n fazem que a concentração de portadores
minoritários pn exceda o valor de equilíbrio térmico pn 0. A concentração em
excesso (pn − pn0 ) será maior perto do limite da região de deplecção e
diminuirá exponencialmente conforme se afasta da junção.
Com uma corrente estável I, o perfil de concentração de portadores
minoritários em excesso mantém-se constante e é essa distribuição que faz
aumentar a corrente de difusão. As lacunas minoritárias são difundidas na
região n e desaparecerem por recombinação. Para manter o equilíbrio igual
número de electrões tem que ser fornecido pelo circuito externo repondo os
electrões no material n.
Pode-se fazer o mesmo raciocínio acerca dos electrões minoritários no
material p. A corrente de difusão ID é a soma das correntes das lacunas e dos
electrões.

– p. 35/4
A junção pn em polarização directa

Relação Tensão-Corrente
Um resultado importante da física dos semicondutores relaciona a
concentração de portadores minoritários no limite da região de deplecção
pn (xn ) com a tensão aplicada:
pn (xn ) = pn0 eV /VT (1)
e é conhecida como a lei da junção.

– p. 36/4
A junção pn em polarização directa
A distribuição da concentração de lacunas em excesso na região n é uma
função de decaimento exponencial que depende da distância e pode ser
expressa por:
pn (x) = pn0 + [pn (xn ) − pn0 ] e−(x−xn )/L p (2)
em que L p é chamado o comprimento de difusão das lacunas no silício tipo n.
Quanto menor o valor de L p mais rápido as lacunas injectadas recombinarão
com os electrões maioritários e maior será o decaimento da concentração de
portadores minoritários. L p está relacionado com um parâmetro conhecido
por tempo de vida dos portadores minoritários em excesso τ p que é o
tempo médio que uma lacuna injectada na região n demora a recombinar com
um electrão maioritário.
L p = D p τ p (3)
p

em que D p é a constante de difusão das lacunas no silício tipo n. Valores

típicos de L p são 1µm a 100µm e os valores correspondentes de τ p são 1ns a
10µs.

– p. 37/4
A junção pn em polarização directa
A densidade de corrente das lacunas pode ser avaliada de (1) do acetato 8, (1)
do acetato 36 e (2) do acetato 37
Dp V /V

−(x−x )/L
J p = q L p pn0 e T −1 e n p (1)

De notar que J p é maior na fronteira da região de deplecção (x = xn ) e decai

exponencialmente com a distância. Como já foi dito anteriormente esse
decaimento é devido à recombinação com os electrões maioritários. Esses
electrões são fornecidos pelo circuito externo à região n de forma a manter a
corrente constante ao valor em x = xn . Por isso a densidade de corrente devido
à injecção de lacunas é dada por:
Dp V /V


J p = q L p pn0 e T − 1 (2)
Um resultado semelhante obtêm-se para os electrões injectados na junção na
região p:
Dn V /V


Jn = q Ln nn0 e T − 1 (3)
em que Ln é o comprimento de difusão dos electrões na região p.

– p. 38/4
A junção pn em polarização directa
Como J p e Jn estão na mesma direcção podem ser adicionados e multiplicados
pela area
 da junção A para  obter a corrente total I  
qD p pn0 qDn n p0 V /V

2 D p Dn V /V


I=A L p + Ln e T − 1 ⇔ I = Aqni L p ND + Ln NA e T −1
(1)
atendendo que pn0 = n2i /ND e n p0 = n2i /NA .
Pode-se concluir
 que: 
Dp
IS = Aqn2i L p ND + LD n
n NA

IS é proporcional à area A e a n2i que é uma função muito dependente da

temperatura.

Deve notar-se que a exponencial em (1) não depende do parâmetro n que é um

parâmetro que é introduzido para tomar em conta efeitos não ideais.

– p. 39/4
A junção pn em polarização directa
Capacidade de Difusão
Pela descrição de operação da junção pn em polarização directa uma certa
carga devido aos portadores minoritários é armazenada na região n e p. Se a
tensão nos terminais muda, esta carga muda até atingir um ponto de
equilíbrio. Existe um efeito capacitivo diferente daquele que armazena a carga
na região de deplecção.
Para calcular a carga dos portadores minoritários pode-se calcular a partir da
area do gráfico do acetato 36
Q p = Aq ( area sombreada sobre a exponencial pn (x)) = Aq [pn (xn ) − pn0 ] L p
Substituindo pn (xn ) por (1) do acetato 36 e usando (2) do acetato 38 obtém-se
L2p
Qp = D p Ip
em que I p = AJ p é componente de lacunas da corrente que atravessa a junção.

– p. 40/4
A junção pn em polarização directa
Usando a equação (3) do acetato 37 em que L2p /D p = τ p
Q p = τ p Ip
Esta relação diz que a carga das lacunas é proporcional à componente de
corrente de lacunas e ao tempo de vida das lacunas antes de se recombinarem.
No caso da carga de portadores minoritários na zona p do silício:
Qn = τn In
A carga total é
Q = τ p I p + τn In
Esta carga pode ser expressa em termos da corrente no díodo I = I p + In
Q = τT I
em que τT é chamado o tempo médio de transito do díodo. O τT está
relacionado com τ p e τn .

Muitas vezes uma das partes do silício (p ou n) está muito mais dopada do
que a outra. Nesse caso, por exemplo NA  ND , I p  In , I ' I p , Q p  Qn ,
Q ' Q p e τT ' τ p .
– p. 41/4
A junção pn em polarização directa
Para pequenos
 sinais pode-se definir a capacidade de difusão Cd como
Cd = ∂Q τT

∂V = VT I
em que I é a corrente do díodo no ponto de polarização.

Deve notar-se que esta capacidade é directamente proporcional à corrente I

por isso pequena quando o díodo está inversamente polarizado. Para manter
Cd pequeno, o tempo de transito τT tem que se manter pequeno, um
requerimento que é importante para funcionamento em altas frequências.

– p. 42/4