1 Apêndice A: Valores Usuais das Constantes Físicas

2 Apêndice B: Fatores de Conversão e Prexos

3 Apêndice C-1: Problemas (do capítulo 1 ao 10)
3.1 CAPÍTULO 1

1. (a) Um capacitor de placas paralelas apresenta uma distância de 1 cm entre suas placas.
Um elétron no repouso encontra-se na placa negativa. Se uma tensão contínua de
1 000 V é aplicada, quanto tempo levará o elétron para atingir a placa positiva?
(b) Qual é o valor da força exercida sobre o elétron no início e no m desse percuso?
(c) Qual é a velocidade nal do elétron?
(d) (d)Se uma tensão senoidal de 60 Hz com valor de pico de 1 000 V for agora aplicada,
qual será o tempo de trânsito? Considerar que o elétron é liberado com velocidade
zero no instante em que a tensão aplicada estiver passando por zero. Sugestão;
Expandir a função zero em série de potência. Assim, sen θ = θ − θ3 /3! + θ5 /5! − ...
2. As placas de um capacitor de placas paralelas estão afastadas de uma distância de dm.
Em t = 0 um elétron é liberado na placa inferior (supondo as duas placas horizontais
superpostas), com velocidade v0 (metros por segundo) normal às placas. O potencial da
placa superior em relação à placa inferior é −Vm sin ωt
(a) Determinar a posição do elétron em qualquer tempo t.
(b) Determinar o valor da intensidade de campo elétrico no instante em que a velocidade
do elétron for zero.
3. Um elétron é liberado com velocidade inicial zero da parte inferior de um par de placas
horizontais afastadas de 3cm. O potencial acelerador entre essas placas aumenta linear-
mente com o tempo a partir de zero com uma taxa de 10 µs V
. Quando o elétron está
2, 8cm acima da placa inferior, uma tensão reversa de 50V substitui a tensão que estava
aumentando linearmente.
(a) Qual é o potencial instantâneo entre as placas no instante em que ocorre a inversão
de potencial?
(b) Com qual eletrodo o elétron colide?
(c) Qual a duração do percurso do elétron?
(d) Qual a velocidade do elétron no momento do impacto com o eletrodo?
4. Um íon de hidrogênio com 100eV é liberado no ponto médio entre as placas, como mostra
a gura. A tensão entre as placas varia linearmente de 0 até 50V em 10−7 s e então cai
imediatamente para zero, aí permanencendo. A distância entre as placas é de 2cm. Se o
íon penetra na região entre as placas no tempo t = 0, que distância percorrerá segundo o
eixo X (paralelo às placas)?
5. Elétrons são projetados em um região com intensidade de campo elétrico constante, verti-
calmente aplicado, com magnitude igual a 5×103 V /m. O dispositivo que entre os elétrons
apresenta (gura abaixo) com a horizontal um ângulo de 30o e lança os elétrons com uma
energia de 100eV .

1
 (a) Quanto tempo leva um elétron que abandona o dispositivo emissor de elétrons para
passar através de um orifício H distante 3cm, horizontalmente, a partir daquele
dispositivo? Refere-se à gura. Supor que o campo está orientado para baixo.
(b) Qual deve ser a distância d para as partículas passem através do orifício H?
(c) Repetir as parates (a) e (b) para o caso que o campo elétrico está orientado para
cima.
6. (a) Um elétron, emitido a partir de um eletrodo com uma velocidade inicial desprezível,
é acelerado por um potencial de 1000V . Calcular a velocidade nal da partícula.
(b) Repetir o problema para o caso de um deutério (íon do hidrogênio pesado com peso
atômico 2, 01) que foi introduzido na região do campo elétrico com velocidade inicial
de 105 m/s.
7. Um elétron com uma energia cinética inicial de 10−6 J , encontrando-se na superfície de
um dos dois eletrodos planos-paralelos e movendo-se normalmente à superfície, tem seu
movimento diminuído devido a um campo elétrico retardador produzido por um potencial
de 400V aplicado entre os eletrodos.
(a) Poderá o elétron alcançar o segundo eletrodo?
(b) Que potencial retardador será necessário para o elétron alcançar o segundo eletrodo
com velocidade zero?
8. Em um certo díodo (válvula) de placas paralelas, o potencial V é dado como uma função
da distância x entre os eletrodos pela equação:
4
V = kx 3

onde k é uma constante.

(a) Determinar uma relação para calcular o tempo em que um elétron que abandona
o eletrodo de potencial menor com velocidade inicial zero, alcança o eletrodo de
potencial maior, localizado a uma distância d.
(b) Determinar uma relação para a velocidade deste elétron.
9. As características essenciais de um tubo de raios catódicos de um osciloscópio são mostradas
na gura abaixo. A diferença de tensão entre K e V é Va e entre P1 e P2 é Vp e um campo
elétrico não interfere com o outro. Os elétrons são emitidos a partir do eletrodo K com
velocidade inicial zero e passam através de um orifício no meio do eletrodo A. Devido ao
campo entre P1 e P2 , os elétrons mudam de trajetória ao passarem entre as placas e em
seguida completam o percurso até a tela S com velocidade constante. A distância entre
as placas verticais é d.
(a) Determinar a velocidade vx dos elétrons como uma função de Va quando atravessam
o eletrodo A.
(b) Determinar a componente Y da velocidade vy dos elétrons quando escapam da ação
do campo elétrico entre as placas P1 e P2 como uma função de Vp , Id , d e vx .
(c) Determinar a distância desde o centro da tela (ds ), quando os elétrons alcançam a
tela, como uma função das distâncias do tubo e das tensões aplicadas.
(d) Para Va = 1, 0kV e Vp = 10V , Id = 1, 27cm, d = 0, 475cm e Is = 19, 4cm, determinar
os valores numéricos de vx , vy e ds .

2
 (e) Se precisarmos obter uma deexão do feixe de elétrons de ds = 10cm, qual deve ser
o valor de Va ?
10. Um díodo consiste em um emissor plano e um ânodo plano (paralelo ao emissor), separados
por uma distância de 0,5 cm. O ânodo é mantido em um potencial de 10V negativo com
relação ao cátodo.
(a) Se um elétron deixa o emissor com uma velocidade de 106 m/s e é dirigido na direção
do ânodo, em que distância a partir do cátodo interceptará a barreira de energia-
potencial?
(b) Com que velocidade o elétron deve deixar o emissor para alcançar o ânodo?
11. Uma partícula deslocada de sua posição de equilíbrio é submetida a uma força restau-
radora linear f = −kx, onde x é o deslocamento medido a partir da posição de equilíbrio.
Mostrar pelo método da energia que a partícula executará vibrações periódicas com um
deslocamento máximo proporcional á raiz quadrada da energia total da partícula.
12. Uma partícula de massa m é projetada veticalmente para cima no campo gravitacional
da Terra com uam velocidade v0 .
(a) Mostrar pelo método da energia que esta partícula mudará de direção a uma altura
v02 /2g , onde g é aceleração da gravidade.
(b) Mostrar que o ponto onde a velocidade da partícula inverte de sentido corresponde
à "colisão" com a barreira da energia-potencial.
13. (a) Provar a Eq. (1.13).
(b) Mostrar que, para o átomo de hidrogênio, os raios atômicos possíveis, em metros,
são dados por
h2 t0 n2
r=
πmq 2
onde n é qualquer inteiro diferente de zero. Para o primeiro estado (n = 1), mais
próximo do núcleo do átomo, mostrar que o raio é 0, 53A.
14. Mostrar que o tempo para uma revolução do elétron no átomo de hidrogênio, em uma
órbita circular em torno do núcleo, é
1
m 2 q2
T = √ 3
4 2ϵ0 (−W ) 2

onde os símbolos são denidos na Seção 1.4

15. Mostrar para o átomo de hidrogênio que o inverso do comprimento de onda (chamado
número de onda) das linhas espectrais é dado, em ondas por metro, por
1 1 1
= R( 2 − 2 )
λ n2 n1

onde n1 e n2 são inteiros, com n1 maior que n2 e R = mq 4 /8ϵ20 h3 c = 1, 10 × 107 m−1 é

chamada de constante de Rydelberg. Se n2 a fórmula fornece um série de linhas na parte
do espectro correspondente ao visível, chamada de série de Balmer. Analogamente, a
série para n3 é chamada de série de Paschen. Estas linhas previstas são observadas no
espectro de hidrogênio.

3
16. Mostrar que a Eq. (1.14) é equivalente à Eq. (1.11).
17. (a) Um fóton de comprimento de onda de 1026 é absorvido por hidrogênio e dois outros
fótons são emitidos; se um desses fótons apresenta comprimento de onda de 1026,
qual é o comprimento de onda do segundo fóton?
(b) Se o resultado do bombardeamento do hidrogênio foi a presença de linhas (raias)
uorescentes de 18751 e 1026, que comprimento de onda tinha a radiação de bom-
bardeamento?
18. Os 7 níveis mais baixos de energia do vapor de sódio são: 0; 2, 10, 3, 19, 3, 60, 3, 75; 4, 10
e 4, 26eV . Um fóton de comprimento de onda 33000 é absorvido por um átomo do vapor.
(a) Quais são as possíveis raias espectrais que poderão aparecer?
(b) Se 3 fótons são emitidos e um deles apresenta um comprimento de onda de 11380,
quais os comprimentos de onda dos outros fótons.
(c) Entre que estados de energia ocorre a transição para produzir essas raias?
19. (a) Com que velocidade deve um elétron se mover numa lâmpada de vapor de sódio para
excitar a raia amarela, cujo comprimento de onda é 5893
(b) Qual seria a frequência de um fóton para excitar a mesma raia amarela?
(c) Que aconteceria se a freguência do fóton fosse 530 ou 490T Hz(T = T era = 101 2)?
(d) Qual seria a mínima frequência do fóton para ionizar um átomo não excitado de
vapor de sódio?
(e) Qual seria a mínima velocidade de um elétron para ionizar um átomo não excitado
de vapor de sódio? Ionização do vapor de sódio: 2, 12eV .
20. Um tubo de raios X é essencialmente um díodo de alta tensão (válvula). Os elétrons do
lamento aquecido são acelerados pela tensão (de alimentação) de placa de modo a chegar
ao ânodo com uma energia considerável. Eles são, portanto, capazes de causar transições
entre os elétrons (fortemente ligados) dos átomos do sólido do qual o ânodo é construído.
(a) Qual a mínima tensão que deve ser aplicada entre os eletrodos do tubo para produzir
raios X com um comprimento de onda 0, 5?
(b) Qual o mínimo comprimento de onda no espectro de um tubo de raios X através do
qual é mantido um potencial de 60kV ?
21. A radiação (de ressonância) do argônio correspondente a uma energia de 11, 6eV atinge
vapor de sódio. Se um fóton ioniza um átomo sódio não excitado, com que velocidade o
elétron é arremessado? O potencial de ionização do sódio é 5, 12eV .
22. Um transmissor de rádio irradia 1000W numa frequência de 10M Hz .
(a) Qual a energia de cada quantum irradiado, em elétrons-volts?
(b) Quantos quanta são emitidos por segundo?
(c) Quantos quanta são emitidos em cada período de oscilação do campo eletromag-
nético?
(d) Se cada quantum age como partícula, qual o seu momento?
23. Qual o comprimento de onda de:

4
 (a) uma massa de 1kg movendo-se à velocidade de 1m/s?
(b) um elétron que foi acelerado a partir do repouso através de uma diferença de potencial
de 10V ?
24. A Físca Clássica é válida enquanto as dimensões físicas do sistema são muito maiores que
o comprimento de onda de De Broglie. Determinar se a partícula é clássica em cada um
dos seguintes casos:
(a) Um elétron acelerado por um potencial de 300V num dispositivo cujas dimensões
são da ordem de 1cm.
(b) Um elétron de um feixe de elétrons de um tubo de raíos catódicos (tensã ânodo-
cátodo = 25kV ).
(c) O elétron num átomo de hidrogênio.
25. Um fóton de comprimento de onda igual a 1216 excita um átomo de hidrogênio que está
em repouso. Calcular:
(a) O momento do fóton fornecido ao átomo.
(b) A energia correpondente a este momento e fornecida ao átomo de hidrogênio.
(c) A razão entre a energia da parte (b) e a enegia do fóton. Sugestão: Usar conservação
do momento.

3.2 CAPÍTULO 2

1. Provar que a concentração n de elétrons livres por metro cúbico de um metal é dado por
dv A0 × 103
n= =
AM A
onde d = densidade, kg/m3
v = valência, elétrons livres por átomo
A = peso atômico
M = peso do átomo de peso atômico unitário, kg
A0 = número de Avogadro, moléculas/mol.

2. A densidade especíca do tungstênio é 18, 8g/cm3 e seu peso atômico é 184, 0. Supor que
há 2 elétrons livres por átomo. Calcular a concentração de elétrons livres.
3. (a) Calcular a condutividade do cobre para o qual µ = 34, 8cm2 /V · s e d = 8, 9g/cm3 .
Usar o resultado do Probl. 2.1.
(b) Se um campo elétrico é aplicado através de uma barra de cobre com uma intensidade
de 10V /cm, calcular a velocidade média dos elétrons livres.
4. Calcular a mobilidade dos elétrons livres do alumínio para o qual a densidade é 2, 70g/cm3
e a resistividade é 3, 44 × 10−6 Ω − cm. Supor que o alumínio tem três elétrons de valência
por átomo. Usar o resultado do Probl. 2.1.
5. A resistência do on no 18 de cobre (diâmetro = 1, 03mm) 6, 51ω por 300m. A concen-
tração de elétrons livres no cobre é 8, 4 × 1028 eltrons/m3 . Se a corrente é 2A, calcular
(a) A velocidade de deriva;

5
 (b) a mobilidade
(c) a condutividade.
6. (a) Determinar a concentração de elétrons livres e lacunas numa amostra de germânio a
300K que possui uma concentração de átomos doadores de 2×1014 tomos/cm3 e uma
concentração de aceitadores de 3 × 1014 tomos/cm3 . Esta amostra é de germânio tipo
p ou n ? Em outras palavras, a condutividade de deve principalmente às lacunas ou
aos elétrons?
(b) Repetir a parte (a) para iguais concentrações de doadores e aceitadores de 1015 tomos/cm3 .
Esta amostra de germânio é do tipo p ou n ?
(c) Repetir a parte (a) para uma concentração de doadores de 1016 tomos/cm3 e uma
concentração de aceitadores de 1014 tomos/cm3 .
7. (a) Determinar a concentração de lacunas e elétrons no germãnio tipo p à 300K se a
condutividade é de 100(ω · cm)−1 .
(b) Repetir a parte (a) para o silício de lacunas e elétrons tipo n se a condutividade é
0, 1(ω · cm)−1 .

8. (a) Mostrar que a resistividade do germânio intrínseco à 300K é 45ω · cm.

(b) Se a impureza do tipo doadora é adicionada na proporção de 1 átomo por 105 átomos
de germânio, provar que resistência cai a 3, 7ω · cm.
9. (a) Calcular a resistividade do silício intrínsico à 300K .
(b) Se uma impureza do tipo doadora é adicionada na proporção de 1 átomo por 108
átomos de silício, calcular a resistividade.
10. Considerar uma amostra de germânio intrínseco na temperatura ambiente (300K ). De
quanto por cento aumenta a condutividade quando a temperatura aumenta de um grau?
11. Repetir o Probl. 2.10 para o silício intrínseco.
12. Repetir o Probl. 2.6a para a temperatura de 400K e demonstrar que a amostra é essen-
cialmente intrínsica.
13. Uma amostra de germânio é dopada na proporção de 101 4tomosdoadores/cm3 e 7 ×
1015 tomosaceitadores/cm3 . Na temperatura da amostra a resistividade do germânio puro
(intrínsico) é 60Ω · cm. Se o campo elétrico aplicado é de 2V /cm, calcular a densidade de
corrente total de condução.
14. (a) Calcular a magnitude da tensão Hall, VH , numa barra de germânio tipo n usada na
F ig.2.10, tendo um concentração de portadores majoritários ND = 101 7cm3 . Supor
BZ = 0, 1W b/m2 , d = 3mm e ϵx = 5V /cm.
(b) O que acontece a VH se uma barra idêntica de germânio tipo p tendo NA = 101 7/cm3
é usada na parte (a)?
15. O efeito Hall é usado para determinar a mobilidade de lacunas numa barra de silício tipo
p usada na Fig. 2.10. Supor a resistividade da barra igual a 200000Ω · cm, o campo
magnético BZ = 0, 1ω · b/m2 e d = ω = 3mm. Os valores medidos e a tensão Hall são
10µA e 50mV , respectivamente. Calcule µp .

6
 16. Uma certa fotossuperfície tem uma sensibilidade espectral de 6mA/W de radiação inci-
dente de comprimento de onda de 2537. Quantos elétrons serão emitidos fotoeletricamente
por um pulso de radiação consistindo em 10000 fótons desse comprimento de onda?
17. (a) Considerar a situação descrita na Fig. 2.13 com a luz acessa. Mostrar que a equação
de conservação de carga é:
dp p p
+ =
dt r r
onde o eixo dos tempos na Fig. 2.13 é mudado para t
(b) Vericar que a concentração é dada pela equação
i
p = p + (p0 − p)e− r

.
18. A concentração de lacunas num espécime semicondutor é mostrada na gura abaixo.
(a) Determinar uma expressão e esboçar a densidade corrente de lacunas Jp (x) para o
caso em que não há campo elétrico aplicado externamente.
(b) Determinar a expressão e esboçar o campo elétrico (devido ao gradiente de con-
centração) que deve existir se não há corrente resultante de lacunas associada à
distribuição mostrada.
(c) Determinar o valor do potencial entre os pontos x = 0 e x = W se p(0)
p0
= 103 .

19. Considerar uma barra de germânio tipo n de 20Ω · cm com tempo de vida de portadores
igual a 100µs, seção transversal de 1mm2 e comprimento de 1cm. Um lado da barra é
iluminado com 1015 f tons/s. Supor que cada fóton incidente gera um par de elétron-lacuna
e que estes estão distribuídos uniformemente ao longo da barra. Calcular a resistência da
barra sob contínua incidência de luz na temperatura ambiente.
20. (a) Considerar uma amostra semicondutora gradualmente dopada em circuito aberto,
como indica a Fig. 2.17a. Vericar a equação de Boltzmann para elétrons [Eq.
(2.61)].
(b) Para uma amostra semicondutora com uma junção abrupta, como mostra a Fig.
2.17b, vericar a expressão para o potencial de contato V0 dado na Eq. (2.63),
começando com Jn = 0.
21. (a) Considerar uma amostra semicondutora de germânio com uma junção abrupta, como
mostra a Fig. 2.17b, com ND = 103 NA e com NA correpondendo a um átomo
aceitador para cada 108 átomos de germânio. Calcular a diferença de potencial de
contato V0 na temperatura ambiente.
(b) Repetir a parte (a) para uma junção p · n de silício.

3.3 CAPÍTULO 3

1. (a) As resistividades dos dois lados de um diodo de junção abrupta de germânio são
2Ω · cm (lado p) e 1Ω · cm (lado n). Calcular a altura E0 da barreira de energia
potencial.
(b) Repetir a parte (a) para uma junção p-n de silício.

7
2. (a) Traçar as curvas logarítmica e linear da concentração de portadores em função
da distância de uma junção abrupta de silício se ND = 1015 tomos/cm3 e NA =
1016 tomos/cm3 . Dar valores numéricos às coordenadas. Indicar as regiões n, p e de
depleção.
(b) Esboçar o potencial e o campo elétrico da região de carga espacial como função da
distância para este caso (Fig. 3.1).
3. Repetir o Probl. 3.2 para uma junção abrupta de germânio.
4. (a) Considerar um diodo p-n operando em baixo nível de injeção, de modo que pn <<
nn . Supondo que a corrente de minoritários é produzida inteiramente por difusão,
vericar que o campo elétrico no lado n é dado por
I + (Dn /Dp − 1)Ipn (x)
(x) =
qnµn A

(b) Usando este valor de x, achar a melhor aproximação para a corrente de deriva de la-
cunas e mostrar que ela pode ser realmente desprezada se comparada com a corrente
de difusão de lacunas.
(c) Esboçar as seguintes correntes em função da distância no lado n:
i. corrente total do díodo;
ii. corrente de portadores minoritários;
iii. corrente de difusão de majoritários;
iv. corrente de deriva de majoritários;
v. corrente de total de portadores majoritários.
5. Partindo da Eq. (3.5) para Ipn e da relação correspondente para Inp , provar que a razão
entre as correntes de lacunas e elétrons que cruzam um junção p-n é dada por
Ipn (0) σp Ln
=
Inp(0) σn Lp

onde σp (σn ) = condutividadedoladop(n). Notar que essa razão depende da relação das
condutividades. Por exemplo, se o lado p é muito dopado que o lado n, a corrente de
lacunas será muito maior que a corrente de elétrons que cruza a junção.
6. (a) Provar que a corrente reversa de saturação num díodo p-n é dada por:
 
Dp Dn
Io = Aq + n2i
Lp ND Ln NA

(b) A partir da expressão de Io do item (a) provar que a corrente reversa de saturação
é dada por
2
 
bσi 1 1
Io = AVT +
(1 + b)2 Lp σn Ln σp
onde
i. σn (σp ) = condutividade do lado n(p)
ii. σi = condutividade intrínsica do material
µ
iii. b = n
µp

8
 7. (a) Usando o resultado do Probl. 3.6, determinar a corrente reversa de saturação para
um díodo de junção p-n de germânio na temperatura ambiente, 300 K . A área
transversal é de 4 mm2 e
σp = 1, 0(Ω · cm)−1 σn = 0, 1(Ω · cm)−1 Ln = Lp = 0, 15cm
Outras constantes físicas são dadas na Tabela 2.1
(b) Repetir a parte (a) para um díodo de junção p-n de silício. Assumir Ln = Lp =
0, 01cmeσn = σp = 0, 01(Ω · cm)−1 .
8. Determinar a relação entre as correntes reversas de saturação do germânio e do silício,
usando o resultado do Probl. 3.6. Assumir Ln = Lp = 0, 1 cm e σn = σp = 1, 0(Ω · cm)−1
para o germânio, enquanto para o silício os valores são respectivamente 0, 01 cme0, 01 (Ω ·
cm)−1 . Ver também a Tabela 2.1.
9. (a) Para que tensão a corrente reversa num díodo de junção p-n de germânio irá alcançar
90%de seu valor de saturação na temperatura ambiente?
(b) Qual a razão entre a corrente com polarização direta de 0, 05 V e a corrente para a
mesma tensão com polarização reversa?
(c) Se a corrente reversa de saturação é de 10µA, calcular as correntes diretas para
tensões de 0, 1, 0, 2e0, 3 V , respectivamente.
10. (a) Avaliar N na Eq. (3.9) a partir da inclinação da curva da Fig. 3.8 para T = 25◦ .
Traçar a reta melhor ajustada para variações de corrente de 0, 01 a 10mA.
(b) Repetir para T = −55e150◦ C .
11. (a) Calcular o fator pelo qual será multiplicada a corrente reversa de saturação de um
díodo de germânio quando a temperatura é aumentada de 25◦ para 80◦ .
(b) Repetir a parte (a) para o díodo de silício na faixa de 25◦ para 150◦ .
12. É previsto que para o germânio a corrente reversa de saturação aumente de 0, 11◦ C −1 .
Qual a resistência de fuga do díodo?
13. Um díodo é montado num chassi de tal modo que, para o aumento de 1◦ acima da
temperatura ambiente, 0, 1mW é transferido termicamente do díodo para o exterior. (A
"resistência térmica" do contato mecânico entre o díodo e o exterior é 0, 1mW/circ C ). A
temperatura ambiente é 25◦ . A temperatura do díodo não pode aumentar mais que 10◦
do ambiente. Se a corrente reversa de saturação é de 5µA a 25◦ e aumenta na razão de
0, 07◦ C −1 , qual a máxima tensão reversa que pode ser aplicada ao díodo?
14. Um díodo de silício opera numa tensão direta de 0, 4V . Calcular o fator multiplicativo
pelo qual será aumentada a corrente quando a temperatura aumenta de 25◦ para 150◦ .
Comparar o resultado com o gráco da Fig. 3.8.
15. Um díodo ideal de germânio de junção p-n apresenta, em uma temperatura de 125◦ ,
uma corrente reversa de saturação de 30/muA. Determinar na temperatura de 125◦ a
resistência dinâmica para uma tensão de 0, 2V com polarizaçã: (a) direta, (b) reversa.
16. Provar que para uma junção p-n de liga (com NA << ND ) a largura W de zona de
depleção é dada por
 1/2
2ϵµp Vj
W =
σp
onde Vj é o potencial de junção para uma tensão aplicada ao díodo VD .

9
17. (a) Provar que para uma junção p-n de silício obtida por liga (com NA << ND ), a
capacidade da zona de transição em picofarads por centímetro quadrado é dada por
 1/2
−4 NA
CT = 2, 9 × 10
Vj

(b) Se a resistividade do material p é 3, 5Ω · cm, a altura da barreira é 0, 35V , a tensão

reversa aplicada é 5V e a área da seção transversal é circular, com 1 016µm (1µm =
10−6 m) de diâmetro, calcular CT .

18. (a) Para a junção da Fig. 3.10, determinar a expressão par ϵ e V em função de x no
lado n para o caso em que NA e ND são de mesma ordem de magnitude. Sugestão :
Desloque a origem do eixo x para a junção coincidir com x = 0.
(b) Mostrar que a tensão total da barreira é dada pela Eq. (3.21) multiplicada por
NA /(NA + ND ) e com W = Wp + Wn .
(c) Provar que CT = [qNA ND ϵ/2(NA + ND )1/2 V −1/2
(d) Provar que CT = ϵA/(Wp + Wn ).
19. Díodos reversamente polarizados são frequentemente usados como capacitores variáveis
controlados eletricamente. A capacitância de transição de um díodo de junção abrupta é
20pF a 5V . Calcular o decréscimo na capacitância para o aumento de 1, 0V na poralização

20. Calcular a capacitância da barreira de uma junção p-n de germânio cuja área é 1mm por
1mm e a espessura da região de carga espacial é 2 × 10−4 cm A constante dielétrica do
germânio (relativo ao vácuo) é 16.
21. A altura da barreira de potencial para a tensão zero de uma junção p-n de germânio
construída pelo processo de liga é 0, 2V . A concentração NA de átomos aceitadores no
lado p é muito menor que a concentração de átomos doadores no material n, NA =
3 × 1020 tomos/m3 . Calcular a largura da zona de depleção para uma tensão reversa
aplicada de:
(a) 10 V
(b) 0, 1 V e
(c) para uma tensão direta de 0, 1 V .
(d) Se a área transversal do díodo é 1 mm2 , avaliar a capacitância da região de carga
espacial correspondente às tensões aplicadas em (i) e (ii).
22. (a) Considerar uma junção obtida por puxamento (Seção 5.3) na qual a densidade de
carga /rho varia linearmente com a distância. Se ρ = ax, provar que a tensão Vj da
barreira de potencial é dada por
aW 2
Vj =
12ϵ

(b) Vericar que a capacitância CT da barreira é dada pela Eq. (3.33).

23. Considerar um díodo de silício diretamente polarizado com I = 1 mA. Se a capacitância
de difusão é CD = 1 µF , qual o comprimento de difusão Lp ? Supor que a dopagem do
lado p é muito maior q a do lado n.

10
24. A dedução da Eq. (3.28) para capacitâncias de difusão pressupõe que o lado p é muito
mais dopado que o lado n, de modo que a corrente na junção é inteiramente devida às
lacunas. Determinar uma relação para a capacitância total de difusão quando não é feita
essa aproximação.
25. (a) Provar que o máximo campo elétrico ϵm numa junção abrupta com NA >> ND é
dada por
2Vj
ϵm =
W
(b) Sabe-se que a ruptura Zener ocorre quando ϵm = 2 × 107 V /m ≡ ϵz . Provar que a
tensão Zenner Vz é dada por
ϵϵ2z
Vz =
2qND
Notar que a tensão de ruptura Zener pode ser controlada a partir da variação da
concentração de íons doadores.
26. (a) A ruptura Zener ocorre no germânio devido a um campo de intensidade 2×107 V /m.
Provar que a tensão de ruptura é Vz = 51/σp , onde σp e a condutividade do material
p em (ω · cm)−1 . Supor NA << ND .
(b) Se o material p é essencialmente intrínseco, calcular Vz .
(c) Para a dopagem de 1 em 108 átomos de material tipo p, a resistividade cai para
3, 7ω · cm, calcular Vz
(d) Para a resistividade de material p temos Vz = 1 V ?
27. (a) Dois díodo p-n de germânio estão ligados em série e opostos. Uma bateria de 5 V é
ligada ao circuito. Calcular a tensão em cada junção à temperatura ambiente. Supor
que a tensão de ruptura Zener é maior que 5 V . Notar que este resultado independe
da corrente reversa de saturação. Ele independe também da temperatura? Sugestão :
Supor que a corrente reversa de saturação percorre o circuito e depois justicar esta
suposição.
(b) Se a magnitude de tensão Zener é 4, 9V , qual será a corrente no circuito? A corrente
reversa de saturação é 5µA.
28. O díodo Zener pode ser usado para evitar sobrecarga em medidores sensíveis sem afetar
sua linearidade. O circuito mostrado representa um voltímetro de 20 V de fundo de escala.
A resistência do medidor é 560 Ω e R1 + R2 = 99, 5 K . Se o díodo é um Zener de 16 V ,
determinar R1 e R2 de modo que Vi > 20 V , o díodo Zener conduza e a sobrecarga de
corrente seja desviada do medidor.
29. Uma ligação série de um díodo cuja ruptura por avalancha em 15 V e um díodo de
silício diretamente polarizado serão usados para construir um sistema que forneça uma
tensão de referência com coeciente de tensão nulo com a temperatura. O coeciente
de temperatura do díodo de silício é −1, 7mV /C . Expressar em percentagem por graus
Celsius o coeciente de temperatura necessário do díodo Zener.
30. As correntes de saturação de dois díodos são, respectivamente, 1µA e 2µA; nas tensões
de ruptura dos díodos são iguais a 100 V .
(a) Calcular a tensão e a corrente de cada díodo para as tensões aplicadas de V = 90 V
e de V = 110 V (ver gura abaixo).
(b) Repetir a parte (a) se cada díodo é ligado em paralelo com uma resistência de 10 M .

11
 31. (a) Um díodo cuja ruptura ocorre por avalancha, mantém uma tensão de 50 V em uma
faixa de corrente que vai desde 5 mA até 40 mA. A fonte de alimentação V = 200 V .
Calcular R (ver gura acima) de modo a permitir uma regulação de tensão para uma
corrente de carga IL = 0 até Imax , que é o máximo valor possível de IL . Qual é o
valor de Imax ?
(b) Utilizando o valor de R calculado no ítem (a) e supondo uma corrente de carga
igual a 25 mA, quais são os limites em que V pode variar sem perda de regulação no
circuito?
32. (a) Considerar um díodo-túnel com ND = NA e com uma concentração de impurezas
correspondendo a 1 átomo em 103 átomos de germânio. Calcular em temperatura
ambiente:
i. a altura da barreira de energia potencial em condições de circuito aberto (energia
potencial de contato);
ii. a largura da região de carga espacial
(b) Repetir a parte (a) se o semicondutor for silício ao invés de germânio
33. A fotocorrente I, em um fotodíodo de junção p-n, em função da distância x entre o ponto
de luz e a junção (em x = 0) é dada na Fig. 3.22. Provar que as inclinações da curva ln I
em função de x são −1/Lp e −1/Ln , respectivamente, para os lado n e p. Notar que Lp
representa o comprimento de difusão das lacunas no material tipo n.
34. (a) Para uma célula fotovoltaica tipo LS 223 cujas características são dadas na Fig.
3.23, desenhar um curva que representa a potência de saída em função da resistência
de carga RL .
(b) Qual é o ótimo valor de RL ?

3.4 CAPÍTULO 4

1. (a) No circuito do Probl. 3.27, a tensão de ruptura do díodo Zener é 2, 0volts. A

corrente reserva de saturação é 5µA. Se a resistência do díodo de silício pudesse ser
desprezada, qual seria a corrente?
(b) Se a resistência ôhmica é 100ω , qual a corrente? Nota: Responder a parte (b)
traçando o gráco dado pela Eq. (3.9) e desenhando a reta de carga. Vericar a
resposta analiticamente pelo método das aproximações sucessivas.
2. Cada díodo é descrito por uma curva característica volt-ampère linearizada, com resistên-
cia incremental r e tensão de limiar Vγ . O díodo D1 é de germânio com Vγ = 0, 2V e
r = 20ω , enquanto D2 é de silício com Vγ = 0, 6V e r = 15ω . Calcule a corrente do díodo
se:
(a) R = 10K
(b) R = 1K

3. O fotodíodo cujas características são dadas na Fig. 3.21 está em série com uma fonte de
alimentação de 30V e uma resistência R. Se a iluminação é de 900 candela-metro, calcule
a corrente para:
(a) R =0
(b) R = 50K

12
 (c) R = 100K

4. (a) Utilizando a aplicação dada na Seção 4.3, traçar a forma de onda da tensão do díodo
para um ciclo de tensão de entrada vi . Considere Vm = 2, 4V , Vγ = 0, 6V , Rf = 10K
e RL = 100K .
(b) Por integração direta calcular o valor médio da tensão no díodo e da tensão na carga.
(c) Notar que estas duas respostas são numericamente iguais e explicar porquê.
5. Determinar a região de condução na qual a resistência dinâmica de um díodo é multipli-
cada por uma fator 1000.
6. Para o circuito ceifador a díodo da Fig. 4.9a, supor que VR = 10V , vi = 20 sin Ωt e que
a resistência do díodo diretamente polarizado é Rf = 100ω , enquanto Rf = ∞ e Vγ = 0.
Desprezar todas as capacitâncias. Traçar em escala as formas de onda da entrada e da
saída e marcar os valores máximos e mínimos se:
(a) R = 100
(b) R = 1K
(c) R = 10K

7. Repetir o Probl. 4.7 para o caso em que a resistência reversa é Rr = 10K .

8. No circuito ceifador a díodo da Fig. 4.9a e d, vi = 20 sin Ωt, R = 1K e VR = 10V . A
tensão de referência é obtida a partir de uma conexão com um divisor de 10K ligado a
uma fonte de 100V . Desprezar todas as capacitâncias. A resistência direta do díodo é
50ω , Rr = ∞ e Vγ = 0. Traçar para ambos os casos as formas de onda das tensões de
entrada e de saída em escala. Qual dos dois circuitos é melhor ceifador? Sugestão : Aplicar
o teorema de Thévenin à rede que contém o divisor de tensão que fornece a referência.
9. Um gerador fornece uma onda quadrada simétrica de 5kHz cuja amplitude varia entre
+10V e −10V e é ligado ao circuito ceifador mostrado. Supor Rf = 0, Rr = 2M e Vγ = 0.
Esboçar a forma de onda da saída no regime estacionário, indicando o valores numéricos
de máximo, mínimo e de trechos constantes.
10. Para os circuitos ceifadores mostrados na Fig. 4.9b e d, deduzir a característica de
transferência v0 versus vi , levando em conta Rf e Vγ e considerando Rr = ∞.
11. O circuito ceifador mostrado abaixo emprega compensação em temperatura. A tensão
de Vγ da fonte representa a tensão de limiar do díodo, os díodos devem ser considerados
ideais, com Rf = 0 e Rf = ∞.
(a) Esboçar a curva de transferência vo versus vi
(b) Mostrar que o máximo valor da tensão de entrada vi para que a corrente em D2 seja
sempre no sentido direto é:
R
vi,mx = VR + (VR − Vγ )
R′

(c) Qual a dependência de temperatura do ponto em que a forma de onda de entrada é

cortada pelo ceifador?

13
 12. (a) No circuito ceifador mostrado abaixo, D2 compensa as variações de temperatura.
Supor que os díodos possuem resistência reversa innita e resistência direta de 50ω ,
e um ponto de condução na origem (Vγ = 0). Calcular e desenhar a curva de
transferência vo versus vi . Mostrar que o circuito apresenta um ponto de início de
condução extenso, ou seja, 2 pontos próximos.
(b) Determinar a característica de transferência qie resultaria se D2 fosse removido e o
resistor R fosse colocado em seu lugar.
(c) Mostrar que a condução dupla da parte
i. desapateceria e apareceria apenas a condução simples da parte
ii. se as resistências diretas do díodo fossem desprezíveis em comparação com R.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.

3.5 CAPÍTULO 5

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.

14
 15.
16.
17.
18.
19.
20.

3.6 CAPÍTULO 6

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.

15
3.7 CAPÍTULO 7

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.

3.8 CAPÍTULO 8

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.

16
 9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.

3.9 CAPÍTULO 9

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.

17
 18.
19.
20.

3.10 CAPÍTULO 10

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.

18