Dimensionamento DE Classes G: DE Estágios Potência de Amplificadores de Audio

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA
'
~
PÓS-GRADUAÇAG EM ENGENI-IARIA ELETRICA
ANÁI.IsE, DIMENsIoNAMENTo E AvAI.IAçÃo DE

ESTÁGIOS DE POTÊNCIA DE AMPLIFICADORES DE AUDIO
r.
CLASSES A, B, AB, G e H
DIGSERTAÇÃO SUBMETIDA À
UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA
PARA OBTENÇÃO DO GRAU DE MESTRE
O
EM ENGENHARIA ELÉTRICA
ROSALFONSO BORTONI
FLORIANÓPOLIS, ABRIL DE 1999

ANÁLISE, o||v|ENs|oNA|v|ENTo E AvA|_|AçÃo DE
EsTÁG|os DE PoTÊNc|A DE AMP|.||=|cADoREs DE Áuoio
c|.AssEs A, B, AB, G e H
ROSALFONSO BORTONI
Esta Dissertação foi julgada adequada para obtenção do Título de MESTRE EM

ENGENHARIA ELÉTRICA, Área de Concentração em Circuitos e Instrumentação Eletrônica, e
em sua forma final pelo Curso de Pos-Graduação em Engenharia Elétrica da 'Universidade
aprovada.
5/Ã/Á
Federal de Santa Catarina.
/dd/ â
V
PI'Of. SIDNEI ETI FIL O, USC.
(ÔFIIEN DOR)
IV
Prof. Rui SEARA, of.

(CO-ORIENTADOR)
Prof. ILDEMAR CASSANA DECKER. D.Sc.

(cooF‹oENAooR oo cunso DE Pos-enAouAçÃo EM ENGENHARIA ELÉrR|cA)
BANCA EXAMINADORA:
Prof. SID ETI FILHO, D.SC. Prof. ENIO VALMOR KASSICK, Dr.
HOMERO
~UI
SEARA, Dr. Eng. ETTE SILVA
Prof. MARCIO CH~CHNEIDER, Dr.

AGRADECIMENTOS
Agradeço à minha esposa Adriana e aos meus filhos Gianluca e Giovanni, pelo apoio,
carinho e compreensão nas tantas horas ausente devido a este trabalho. Agradeço aos meus pais,
Rosa Maria e Rosalbo, pelo apoio dado em toda minha vida.
Agradeço ao amigo Homero Sette pelos constantes incentivos.
Agradeço ao meu orientador e amigo Prof. Sidnei pela confiança dada.
Agradeço a STUDIO R e a SELENIUM pelo fornecimento de dados e materiais utilizados
neste trabalho.
Agradeço ao LINSE e a todos que. direta ou indiretamente. contribuíram com este trabalho.
Agradeço a Deus por mais esta oportunidade dada.
iii
suIv|ÁRIo
SUMÁRIO ........................................................................................................................................ _. iv
LISTA DE FIGURAS ........................................................................................................................ .. v
LIsTA DE SÍMBOLOS ..................................................................................................................... .. I×
RESUMO ......................................................................................................................................... ._ xiii
ABSTRACT ...................................................................................................................................... .. xiv

CAPÍTULO 1 - INTRODUÇÃO ........................................................................................................ _. 1
CAPÍTULO 2 - ANÁLISE PARA CARGA REsIsTIvA ...................................................................... .. 4

2.1 - Classe A ............................................................................................................................ ._ 4
2.2-CIasseB ......................................................................................................................... 11
2.3 - Classe AB .......................................................................................................................... .. 15
2.4 - Classe G ............................................................................................................................ .. 21
2.5 ~ Classe G de múltiplos estágios ........................................................................................ _. 28
2.6 - Classe H ............................................................................................................................ _. 34
2.7 - Classe H de múltiplos estágios ......................................................................................... .. 41
2.8 - Classe D ............................................................................................................................ .. 48
2.9 - Classe .............................................................................................................................
I
_. 56
2.10 - Síntese ............................................................................................................................. ._ 61
CAPÍTULO 3 - ANÁLISE PARA CARGA REATIVA ......................................................................... _. 64
3.0 - Introdução .................................................................................................... ._ 64
3.1 - Classe A ............................................................................................................................ ._ 67
3.2 - Classe B ............................................................................................................................ _. 70
3.3 - Classe AB .......................................................................................................................... .. 73
3.4 - Classe G ............................................................................................................................ .. 76
3.5 - Classe H ............................................................................................................................ ._ 81
CAPÍTULO 4 - DIMENSIONAMENTO ............................................................................................. ._ 86
4.0 - Introdução ......................................................................................................................... ._ 86
4.1 - Limitações dos Transistores ............................................................................................. _. 86
4.2 - Circuito Equivalente Eletro-Térmico .................................................................................. ._ 87
4.3 - Análise da Temperatura Instantânea de Junção .............................................................. ._ 91
4.4 ~ Associação de Transistores ............ ................................................................................ _. 93
4.5 - Cálculo da Temperatura Instantânea de Junção ............................................................. ._ 95
4.6 - Temperatura de Junção nas Classes A, B, AB, G e H ............................................ _. 98
CAPITULO 5 - AvALIACÃOz CARGA REsIsrIvA × CARGA REATIVA ................................... .. 102
CAPÍTULO 6 - CONCLusOEs ....................................................................................................... _. 114
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS .................................... ...........................................................
_.. ._ 115
APÊNDICE A ................................................................................................................................... _. -Ita
APÊNDICE B ................................................................................................................................... ._ 124
iv
LISTA DE FIGURAS
2.1.1 - Etapa de saída de amplificadores Classes A, B e AB ................. ._
2.1.2 ~ Correntes nos coletores dos transistores Q, e Q2 e na carga ...... ._
2.1.3 - Potência média normalizada na carga ..................................... ._

2.1.4 - Potências médias dissipadas normalizadas .............................. _.
2.1.5 - Rendimentos ...................................................................... ._
2.1.6-Curvas de iC,(t) x vCE,(t) (ou i,,,(r) e vDs,(r)) de Q, ................. _.
2.1.7 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q, ............. ._
2.2.2 - Rendimentos ...................................................................... ._
2.2.3-Curvas de íC,(r) × vCE,(r) (ou i,,,(r) e v,,s,(r)) de Q, ................. ._
2.3.1 - Correntes nos coletores dos transistores e na carga .................. ._
2.3.2 - Potências médias dissipadas normalizadas .............................. ._
2.3.3 - Rendimentos ...................................................................... _.
2.3.4-Curvas de iC,(z) x vCE,(1) (ou íD,(t) e v,,S,(r)) de Q, ................. ._
2.4.1 - Estrutura basica da etapa de saída de um amplificador Classe G...

2.4.2 - Tensão de saída em um semi-ciclo ...................... ___ ................ ._
2.4.3 - Potências médias dissipadas normalizadas .............................. __
2.4.4 - Rendimentos ...................................................................... ._
2.4.5 - Curvas de i+(t) × v+(r) ........................................................ ._
2.4.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q3 .......... ._
2.5.1 - Etapa de saída de um amplificador Classe G de múltiplos estágios

2.5.2 - Tensão de saída de um semi-ciclo .......................................... _.
2.5.4 - Rendimentos ...................................................................... _.
2.5.5 - Curvas de i+(t) x v+(t) ........................................................ _.
2.5.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q2__.Q,,, .... _.

2.6.1 - Etapa de saida de um amplificador. Classe_H.,
2.6.2 - Etapa de saída de um amplificador Classe Hz ........................... ..
2.6.4 - Rendimentos ...................................................................... ._
2.6.5 - Curvas de i+(r) × v+(z) ........................................................ _.
2.6.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q3 .......... _.

2.6.8 - Rendimentos ...................................................................... _.
2.6.9 - Cun/as de i+(t) × v+(t) ........................................................ _.
V
2.6.10 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q3 ........ ..
2.7.1 - Amplificador Classe H, de múltiplos estágios ........................... ._

2.7.2 - Amplificador Classe Hz de múltiplos estágios ........................... ._
2.7.3 - Potências médias dissipadas normalizadas ............................................... ..
2.7.4 - Rendimentos ...................................................................... ..
2.7.5 - Curvas de i+(t) × v+(t) ........................................................ ..
2.7.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q2...Q,,,
2.7.7 - Potências médias dissipadas normalizadas ............................................... ..
2.7.8 - Rendimentos ...................................................................... ..
2.7.9 - Curvas de i+(r) × v+(r) ........................................................ ..
2.7.10 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q2...Q,,, ................... ..
2.8.1 ~ Estrutura simplificada de um amplificador Classe D ................... ..
2.8.2 - Forma de onda de um ciclo de comutação ................................................ _.
2.8.3 - Potências médias dissipadas normalizadas ............................................... ._
2.8.4 - Rendimentos ....... ............................................................. ..
X VDsl(t) e vCEl(Í)) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ..
2.8.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em M, ............ ..
2.9.1 - Estrutura básica do amplificador Classe ..................................................

I ..
2.9.2 - Potências médias dissipadas normalizadas (Classe l) ................ ..
2.9.3 - Rendimentos (Classe I) .......................................................................... ..
2.9.4-Curvas de iC,(t) × vCE,(t) (ou i,,,(r) e vDs,(r)) (Classe A) ........... ._
2.9.5 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q, (Classe A) ................ ..
2.10.1 - Potências médias dissipadas normalizadas ............................ ..
2.10.2 - Rendimentos ...................................................................................... ._

3.0.1 - Magnitude e fase da impedância ............................................................. ..
3.0.1 - Potência média normalizada na carga ..................................... ..
3.1.1 - Potência média dissipada normalizada ..................................................... ..

3.1.2 - Rendimento ......................................................................................... ..
3.1.3- Curvas de z'C,(1) × vCE,(r) (ou iD,(r) e vDS,(r)) de Q, ................. ..
3.1.4 - Potência instantânea dissipada normalizada em Q, ................... ..

4.2.2 - Rendimento ......................................................................................... ..
_ ÍC¡(Í)
VX
íDl(Í) de .-...I
.. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.2.4 - Potência instantânea dissipada normalizada em Q, ................... ._
3.3.2 - Rendimento ......................................................................................... ..
iC|(Í) X VCEIÚ) e VDS¡(Í)) Q! . . . . . . . . . . . . . . . . . ..
3.3.4 - Potência instantânea dissipada normalizada em Q, ................... ..
3.4.1 - Potência média dissipada normalizada (N=2) ............................................. ..
3.4.2 - Rendimento (N=2) ................................................................................. ..
vi
3.4.3-Curvas de i+(r) × v+(r) de Q,Q2 (N=2) ........................................................... .. 79
3.4.4 - Potência instantânea dissipada normalizada em Q¡Q2 (N=2) ............................... _. 79
3.4.5 - Potência média dissipada normalizada (N=4) ............. ................................... .. 30
3.4.6 - Rendimento (N=4) ...................................................................................... ._ 30
3.4.7-Curvas de i+(t) x v+(z) de Q,Q2Q3Q,, (N=4) .................................................... _. 80
3.4.8 - Potência instantânea dissipada normalizada em Q,Q2Q3Q4 ................................ .. 80
3.5.1 - Potência média dissipada normalizada (N=2) .................................................. ._ .
34
3.5.2 ~ Rendimento (N=2) ...................................................................................... .. 34
3.5.3 - Curvas de i+(t) × v+(r) de Q¡Q2 (N=2) ........................................................... ._ 84
3.5.4 - Potência instantânea dissipada normalizada em QIQZ (N=2) ............................... .. 84
3.5.5 - Potência média dissipada normalizada (N=4) .................................................. .. 34
3.5.6 - Rendimento (N=4) ...................................................................................... .. 34
3.5.7 - Curvas de i+(z) x v+(t) de Q,Q2Q3Q4 (N=4) .................................................... ._ 85
3.5.8 - Potência instantânea dissipada normalizada em Q¡Q2Q3Q4 ................................ _. 85
3.5.9 - Curvas de i+(t) x v+(t) de Q,Q2 (N=2) ........................................................... ._ 85
3.5.10 - Potência instantânea dissipada normalizada em Q,Q2 (N=2) ............................. ._ 85
3.5.11 - Curvas de i+(t) × v+(z) de Q¡Q2Q3Q4 (N=4) ................................................... .. 85
3.5.12 - Potência instantânea dissipada normalizada em Q¡Q2Q3Q4 ............................... .. 85
4.2.1 - Circuito eletro-térmico (transistor-dissipador-ambiente) ..................................... .. 88
4.2.2 - Circuito elétrico equivalente térmico, simplificado ............................................. _. 89
4.2.3 - Circuito eletro-térmico, simplificado, para regime permanente ............................ .. 90
4.3.1 - Temperatura instantânea de junção (10 Hz, 50% duty cycle) .............................. ._ 92
4.3.2 - Temperatura instantânea de junção (10 Hz, 20% duty cycle) .............................. _. 92
4.3.3 - Temperatura instantânea de junção (100 Hz, 50% duty cycle) ............................ ._ 92
4.3.4 - Temperatura instantânea de junção (100 Hz, 20% duty cycle) ............................ _. 92
4.3.5 - Temperatura instantânea de junção (1000 Hz, 50% duty cycle) ........................... _. 92
4.3.6 - Temperatura instantânea de junção (1000 Hz, 20% duty cycle) ........................... _. 92
4.3.7 - Temperatura instantânea de junção (resposta ao degrau) .................................. _. 93
4.4.1 - Associação de transistores .......................................................................... ._ 94
4.4.2 - Circuito equivalente térmico para um transistor ................................................ _. 94
4.5.1 - Último ciclo da temperatura instantânea de junção, após 1200s .......................... _. 96
4.5.2 - Demonstração de T,(1) calculada a partir de T,,,(r) ............................................ _. 97
4.6.1 - Impedância térmica de junção para o primeiro ciclo de P,,(r) .............................. ._ 99
4.6.2 -Temperatura instantânea de junção de junção para t-›‹z› ................................... .. 99
4.6.3 - Temperatura instantânea de junção para o primeiro ciclo de P,,(1) ....................... ._ 99
4.6.4 - Temperatura instantânea de junção para 1-›w .................................................. ._ 99
4.6.5 - Temperatura instantânea de junção para o primeiro ciclo de Pd(r) ....................... _. 99
4.6.6 - Temperatura instantânea de junção para r-›‹zo ................................................. ._ 99
4.6.7 - Temperatura instantânea de junção para o primeiro ciclo de P,,(z) (N=2) ................ _. 100
4.6.8 - Temperatura instantânea de junção para t-›‹×› (N=2) ......................................... _. 100
4.6.9 - Temperatura instantânea de junção para o primeiro ciclo de P,,(z) (N=4) ................ _. 100
vii
4.6.10 - Temperatura instantânea de junção para r-›<›c› (N=4) ....................................... ._ 100
4.6.11 - Temperatura instantânea de junção para o primeiro ciclo de P,,(r) (N=2) .............. ._ 100
4.6.12 - Temperatura instantânea de junção para r-›‹×> (N=2) ....................................... ._ 100
4.6.13 - Temperatura instantânea de junção para o primeiro ciclo de P,,(r) (N=4) .............. ._ 101
4.6.14 - Temperatura instantânea de junção para r-›o‹› (N=4) ....................................... _. 101
4.6.15 - Temperatura instantânea de junção de junção para o primeiro ciclo de P,,(r) (N=2).. 101
4.6.16 - Temperatura instantânea de junção para z-›w (N=2) ....................................... _. 101
4.6.17 - Temperatura instantânea de junção para o primeiro ciclo de P,,(t) (N=4) .............. ._ 101
4.6.18 - Temperatura instantânea de junção para z-›w (N=4) ....................................... _. 101
5.1a - Magnitude e fase da impedância de carga (carga resistiva) ................................ ._ 105
5.1 b - Magnitude e fase da impedância de carga (carga reativa) .................................. ._ 105
5.2a - Potência média dissipada (carga resistiva) ...................................................... ._ 106
5.2b - Potência média dissipada (carga reativa) ........................................................ _. 106
5.3a - Potência média na carga (carga resistiva) ....................................................... _.
_
107
5.3b - Potência média na carga (carga reativa) ......................................................... _. 107
5.4a - Rendimento (carga resistiva) ......................................................................... _. 108
5.4b - Rendimento (carga reativa) ........................................................................... ._ 108
5.5a - Linhas de carga (carga resistiva) ................................................................... ._ 109
5.5b - Linhas de carga (carga reativa) ..................................................................... ._ 109
5.6a - Potência instantânea dissipada (carga resistiva) ............................................... ._ 110
5.6b - Potência instantânea dissipada (carga reativa) ................................................. ._ 110
5.7a - Temperatura instantânea de junção (carga resistiva) ......................................... ._ 11 1
5.7b - Temperatura instantânea de junção (carga reativa) ........................................... _. 11 1
5.8a - Temperatura média de junção (carga resistiva) ................................................. _. 112

5.8b - Temperatura média de junção (carga reativa) .................................................. ._ 112
5.9a - Máxima temperatura instantânea de junção (carga resistiva) ............................... _. 113
5.9b - Máxima temperatura instantânea de junção (carga reativa) ................................. ._ 113
A-1 - Circuito equivalente elétrico do alto-falante (visto pelos terminais) ......................... _. 118
A-2 - Módulo da impedância, alto-falante ao ar livre ................................................... ._ 119
A-3 - Fase da impedância, alto-falante ao ar livre ....................................................... _. 119
A-4 - Circuito equivalente elétrico do sistema "caixa fechada' ...................................... ._ 120
A-5 - Módulo da impedância. sistema "caixa fechada' ................................................ ._ 121
A-6~- Fase da impedância, sistema "caixa fechada' .................................................... ._ 121
A-7 - Circuito equivalente elétrico do sistema "refletor de graves" .................................. ._ 122
A-8 - Módulo da impedância, 'sistema"'refletordegraves**.íiii. _'
........................
:;'.'.-_".-.í?_ . _. 123
-
A-9 Fase da impedância, sistema “refletor de graves” ............................................... _. 123
B-1 - Circuito elétrico do divisor de três vias e segunda ordem ..................................... _. 124
B-2 ~ Curvas de transferência do sinal ....... _.. ........................................................... _. 125
B-3 - Curvas de magnitude e fase da impedância ...................................................... _. 125
viii
|.|sTA DE sí|v|BoLos
Ps - Potência média fornecida pela fonte de alimentação

Ps ((0) -
PS em função da freqüência angular to
PD - Potência média dissipada na etapa de saída

PD max - Máximo valor de PD
PD (C0) -
PD em função da freqüência angular co
PD (°))mz× - Máximo valor de PD(ú›)

PL - Potência média na carga
PL max - Máximo valor de PL
PL (03) -
PL em função da freqüência angular o›
PL (<D)mz× - maximo valor de PL(‹o) _ L
Pz1(Í) - Potência instantânea dissipada em um lado da etapa de saída

Pz1(l`)mz× - Máximo valor de P,,(t)
-
Pd+ (Í) - Potência instantânea dissipada no lado positivo da etapa de saída

Pd+ (f)mz× - Máximo valor de P,,,,(t)
PCOIIIIII - Potência média dissipada na comutação

Pszzúiâzz - Potência média dissipada na transição de subida
Pâzzzfdzz - Potência média dissipada na transição de descida
1°z.»..f - Potência média dissipada na condução
Ís - Corrente média fornecida pela fonte de alimentação
is (GQ) -
Ís em função do ângulo GQ
ís‹0T› -
Ís em função do ângulo 9,
Ís, (91) -
Is de índice "i" e em função do ângulo GT
ÍL - Corrente de pico na carga
IL”, - Corrente eficaz na carga
1L max - Máxima corrente de pico na carga
ÍL - Corrente alternada na carga
¡Lmz× - Máximo valor de i,_
ÍL min - Mínimo valor de«i¿ - --
ic (Í) - Corrente instantânea de coletor

ic (1 )mz× - Máximo valor de iC(t)
Íc (f)m¡n - Mínimo valor de iC(t)

ÍD (Í) - Corrente instantânea de dreno
Í1>(Í)mz× - Máximo valor de iD(r)
ÍD (Í)m¡n - Mínimo valor de iD(r)
í+ (Í) - Corrente instantânea no lado positivo da etapa de saída
ix
Í+ (f)mz× - Máximo valor de í+ (t)
Í- (Í) - Corrente instantânea no lado negativo da etapa de saída

Í. (f)mz× - Máximo valor de i_(r)
1Q Corrente quiescente (de polarização)

Ímzz» - Corrente de manutenção
Vcc - Tensão de alimentação aplicada ao coletor
Vccz - Tensão de alimentação aplicada ao coletor, de índice “
i
"
Voo - Tensão de alimentação aplicada ao dreno

VB1As - Tensão de polarização
VL - Tensão de pico na carga
VL max - Máximo valor de VL
VCE.m| - Tensão entre coletor e emissor, na saturação
VCE (Í) - Tensão instantânea entre coletor e emissor
Vcs (f)mz× - Máximo valor de
vCL(r)
Vcs (Úmin - Mínimo valor de vCL¬(r)
Voszm - Tensão entre dreno e fonte, na condução

Vos (Í) Tensao instantânea entre dreno e fonte
VDS (t)max - Máximo valor de
vL,s(t)
Vos (Í )mir1 - Mínimo valor de vDs(r)

V+ (F) - Tensão instantânea aplicada ao lado positivo da etapa de saída
V+ (1)mz× - Máximo valor de
v+ (1)
v_ (t) - Tensão instantânea aplicada ao lado negativo da etapa de saída
v. (f)mz× - Máximo valor de v_(t)
Voflzzz - Tensão de offset
VIICC ~ Tensão necessária
Roso» - Resistência de condução entre dreno' e fonte
RL - Resistência de carga
ZL - Impedância de carga
- Módulo de
|ZLl ZL
'ZL 'min - Mínimo valor do módulo de ZL
ZL (03) ZL em funçao da freqüência angular rn
|ZL (<D)| -Módulode ZL(‹o) _..__
|ZL(0>)|m¡,, - Mínimo valor do módulo de ZL(‹o)
D - Razão cíclica
Dmax - Máximo valor de D
Ís - Tempo de subida
Í1) - Tempo de descida
fc - Tempo de comutação
Tc - Período de
comutação
X
(P - Ângulo de defasagem entre tensão e corrente, na carga
‹p em função da freqüência angular to
<P(°>) -
'
il - Rendimento
11% - Rendimento percentual
fl%(0>) 11% em função da freqüência angular w
-
99 - Ângulo de transição entre a operaçãoem Classe A e Classe AB

91 - Ângulo de transição entre estágios alimentados com diferentes tensões
Y - Fator que exprime a relação entre correntes na Classe A
À - Fator que exprime a relação entre correntes na Classe AB
ot - Fator que exprime a relação entre tensões nas Classes G e H
5 - que exprime a relação entre tensões na Classe

Fator l
af de índice “ i "
V
- oz
i
- Número inteiro igual a 1,2, 3, N
N - Número de estágios
Nr - Número de transistores
ICM - Má›‹ima corrente de coletor (dado do transistor)
ÍDW, - Má›<ima corrente de dreno (dado do transistor)
VCEW - Máxima tensão entre coletor e emissor (dado do transistor)

Vnsw - Máxima tensão entre dreno e fonte (dado do transistor)
Pow - Máxima potência dissipada, do transistor

(dado do transistor)
TJW - Máxima temperatura de junção, do transistor (dado do transistor)
TA - Temperatura ambiente
TD - Temperatura media no dissipador
Tc - Temperatura média no case
Tcmzx - Máximo valor de TC

TJ - Temperatura média na junção
Tmzz 4 Máximo valor de T,
TDU) - Temperatura instantânea no dissipador
T¡(") - Temperatura instantânea no isolante elétrico
TCU) - Temperatura instantânea no case
Ts(f) - Temperatura instantânea no substrato
TJ (Í) - Temperatura instantânea na junção
TJ(f)mz× - Máximo valor de T¡(r)
7110) - Valor médio de TJ(r) .
TJ(¡)|,_m - Temperatura instantânea na junção, para 1 -› eo

TJ, (Í) - Temperatura instantânea na junção, para TA = 0 "C
Ê, (1) - valor médio de T,o (z)
^TJ(f) - Variação de T,(r)
Rm - Resistência térmica entre dissipador de calor e ambiente
xi
Rm - Resistência térmica entre isolante elétrico e dissipador de calor
Rcz - Resistência térmica entre case e isolante elétrico
RCA - Resistência térmica entre case e ambiente
Rco - Resistência térmica entre case e dissipador de calor
Rsc - Resistência térmica entre substrato e case
RJs - Resistência térmica entre junção e substrato
RJc - Resistência térmica entre junção e case
CA - Capacitância térmica do ambiente
Cu - Capacitância térmica do dissipador de calor
C1 - Capacitância térmica do isolante elétrico
Cc - Capacitância térmica do case
Cs - Capacitância térmica do substrato
C.: - Capacitância térmica da junção
ZT(S) - Impedância térmica total (em função de s)
ZT(f) - Resposta ao impulso de ZT(s)
s -Variável complexa jm
BJT - Bipolar Junctíon Transistor
MOSFET - Meta/ Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IGBT - /nsu/ated Gate Bipolar Transistor
TRS - Abreviatura de "transistor"
FS R-
Freqüência de ressonância do alto-falante ao ar livre
Vaz - Volume de ar equivalente à compliância do alto-falante
Qzs - de mérito elétrico do alto-falante
Fator
Qmz - Fator de mérito mecânico do alto-falante
Qzz - Fator de mérito total do alto-falante
RE - Resistência da bobina do alto-falante
Rzà - Resistência da bobina do alto-falante, dependente da

freqüência
Le - lndutância da bobina do alto-falante
- Freqüência de ressonância do sistema Caixa

FC Fechada
Fú - Freqüência de sintonia da caixa acústica
V2 - Volume interno da caixa acústica
QL - Fator de qualidade da caixa acústica
LC - lndutor-/capacitor
PB - Passa-baixas
PF - Passa-faixa
PA - Passa-altas
ZH1 - Impedância de carga das altas freqüências
Zzwo - Impedância de carga das médias freqüências
21.0 - Impedância de carga das baixas freqüências
xii
AN-Á|.|sE, D|MENs|oNA|v|ENTo E AvAi.|AÇÃo DE
EsTÁe|os DE ~PoTÊNc|A DE AMP|.|F|cAooREs DE Áunio
CLASSES A, B, AB, GeH
RESUMO
O presente trabalho apresenta um procedimento de análise, dimensionamento e avaliação
de estágios de potência de amplificadores de áudio operando nas Classes A, B, AB, G e H com

cargas reatívas. -Esse estudo considera um sinal de excitação senoidal e tecnologias BJT, IGBT e
MOSFET. ›
Inicialmente, considerou_-se cargas resistivas para a análise quanto ao tipo de polarização e
modo de operação; em seguida, modificou-se as expressões para considerar cargas reatívas
(magnitude e fase). São utilizados modelos eletro-mecano-acústicos de alto-falantes e caixas
acústicas cujos parâmetros são obtidos pelo modelo Thie/e-Smafl [3], em conjunto com um divisor de
freqüências passivo de três vias de segunda ordem.
~
-
Para .o dimensionamento do estágio de potência, utilizou-se o modelo eletro-térmico
equivalente do sistema transistor-dissipador-ambiente associado às potências média e instantânea

dissipadas. _
Um exemplo comparativo entre o dimensionamento com carga resistiva e carga reativa é
realizado para avaliação do procedimento proposto.
Palavras-chave
o Amplificador de Áudio
o Amplificador de Potência
o Classes de Operações A, B, AB, D, G, H e I
×¡ii
ANALYSIS, DESIGN AND ASSESSMENT OF CLASS A, B, AB, G AND H
AUDIO POWER AMPLIFIERS
ABSTRACT
This work presents an analysis, design and assessment procedure of audio power amplifiers
operating ¡nClass A, B, AB, G and .H with reactive loads.'The study considers steady-state sinusoidal
analysis for BJT, IGBT and MOSFET technologies.
lnitlally, resistive Ioads have been considered, for which the class characteristics were
analyzed with respect to the bias type and operation mode; next, the expressions have been modified
for taking into account reactive Ioads (magnitude and phase). Electrical-mechanical-acoustical
models of loudspeakers and enclosures are used, whose parameters are obtained through
Thiele-Smafl model [3] associated with a second order three way passive crossover.
An equivalent electrical-thermal model for the transistor-heatsink-ambience associated with
the instantaneous -and average powers is used for designing the power stage.
An example comparing resistive and reactive Ioads is presented for assessing the proposed
approach. -
Kemords:
Audio amplifier
Power Amplifier
Operation Classes A, B, AB, D, G, H and I.
.‹
xiv
Capítulo 1 - Introdução 1
cAPhuLo1
|NTRoDuçÃo
Com o surgimento da válvula triodo (1906), a música pôde ser transmitida pela primeira vez
via rádio freqüência (1907). A partir de 1915 começaram a surgir os primeiros sistemas de
amplificação de voz e, posteriormente, música para grandes públicos [1]. Surgiu, então, o
amplificador de áudio.
Desde então, a necessidade de potentes sistemas de reproduções de voz e de música tem
levado ao estudo de novas técnicas de sonorização e de concepção de novas estruturas de
amplificadores de audio. Devido à grande quantidade de caixas acústicas [2], de sua baixa
eficiência [3], e da grande quantidade de potência elétrica requerida, tem sido procurado obter,
cada vez mais, para os amplificadores de potência, maior rendimento, dentre outras melhorias.
Desde então, têm surgido diversas classes de operações.
As classes de operações são caracterizadas pelo ponto de operação e/ou modo de

operação do estágio de saída do circuito amplificador de potência. Neste trabalho serão abordadas
as Classes A, B, AB, D, G, H e I, sendo que as três primeiras caracterizam-se pelo "ponto de
operação" e as quatro últimas pelo "modo de operação"; as Classes D e I serão tratadas apenas
usando-se cargas resistivas, para fins de comparação. Na literatura encontram-se outras classes de
operações, como as Classes C, E, FeS [4], utilizadas em sistemas de rádio freqüência (RF).
As classes A, B, AB, G e H serão analisadas e tratadas sob as mesmas considerações de

operação, utilizando-se cargas resistivas e reativas (esta última, representando as estruturas de alto-
falantes e caixas acústicas usualmente empregadas); nesse caso são utilizados os modelos eletro-
mecano-acústicos apresentadosem-[3]z - -- -- ~ A- - -- - - - -
O objetivo desta dissertação é fornecer os parâmetros de análise do funcionamento do

estágio de saída, no que se refere às correntes envolvidas, às tensões do estágio, às potências e ao
desempenho térmico da etapa sob diversas situações e condições de operação. Todos esses
parâmetros são obtidos de forma genérica, independentemente da tecnologia do transistor
empregada (BJT, IGBT ou MOSFET).
Análise, Dimensionamento e Avaliação de Estágios de Potência de

Amplificadores de Áudio Classes A, B, AB, G e H.
Capítulo 1 - Introdução 2
Até então, a quase totalidade de estudos realizados são dedicados a classes de operações
distintas, sob condições bastante específicas. Para se ter uma visão mais abrangente do estado-da-
arte de amplificadores de áudio vamos, agora, fazer uma breve revisão bibliográfica destas
estruturas amplificadoras.
Os amplificadores Casse A sao os de menor rendimento, porém sao os que apresentam

menor distorção; no entanto, são discutidos apenas para fins de comparação [1 ,5,6,7,8].
De um modo geral, a maioria das análises são desenvolvidas para cargas resistivas
[5,6,7,8,9,11,12,13,14,15], e quando cargas reativas são consideradas a classe de operação
utilizada fica restrita à Classe B (ou Classe AB, considerando-se pequena corrente de polarização)
[16,17,18,19]. lsto se deve por este tipo de classe apresentar um equacionamento mais simples
(neste caso é utilizado cargas com o módulo da impedância constante, variando-se apenas a fase).
Em alguns casos são também considerados modelos comerciais de caixas acústicas [20,21,22].
As Classes G e H operam com diferentes tensões de alimentações no estágio de potência.

Elas foram equacionadas e comumente descritas e analisadas apenas para dois estágios
[9,11,12,13,23,24]; não foi encontrado na literatura expressões para as Classes G e H com mais de
dois estágios; apenas algumas citações são mencionadas para três e quatro estágios [1 ,9,10]. Além
disso, todas as análises são feitas para tecnologias de transistores distintas (BJT ou MOSFET) e o
dimensionamento nessas etapas é superficialmente abordado [10].
Em face à pouca ou insuficiente quantidade' de informações e/ou falta de generalização dos

tratamentos matemáticos encontrados na literatura, relativos aos estágios de potência, propõe-se
neste trabalho:
i) uma análise unificada das Classes A, B, AB, G e H, tanto para cargas resistivas quanto
para cargas reativas;
ii) uma expressão genérica para as Classes G e H de múltiplos estágios;

iii) uma generalização da expressão do rendimento para as Classes A, B, AB, G e H;
iv) um equacionamento para as diferentes classes levando em conta as tecnologias BJT,
IGBT e MOSFET; '

Capítulo 1 - introdução 3
v) uma metodologia para o dimensionamento da etapa de potência a partir das potências
media e instantânea, e do modelo eletro-térmico do sistema transistor-dissipador-
ambiente, considerando-se carga reativa.
O Capítulo 2 analisa as classes considerando carga resistiva com o objetivo de demonstrar o

comportamento de cada uma das classes quanto à polarização, perdas, modo de operação e
rendimento.
O Capítulo 3 estuda as classes considerando, agora, carga reativa (alto-falantes e caixas
acústicas), com o objetivo de demonstrar os esforços de cada uma das classes sob condições reais
de operação.
O Capítulo 4 faz um estudo do processo de dissipação de calor usando o modelo eletro
térmico do sistema transistor-dissipador-ambiente. É também proposto um método para o
dimensionamento térmico da etapa de saída.
O Capítulo 5 apresenta dois exemplos ilustrativos: um usando carga resistiva e outro carga
reativa. ›
Finalmente, no Capítulo 6, são apresentadas as conclusões e discussões desta dissertação;
uma visão geral dos resultados obtidos, como também algumas propostas para o aprimoramento do
método e das expressoes determinadas sao também apresentados. V
No Apêndice A tem-se um resumo dos modelos Th¡e/e-Sma// [3] de alto-falante e caixas
acústicas "fechada" e "sintonizada", vistos pelos terminais da bobina.

No Apêndice B tem-se uma breve descrição de um divisor de freqüências passivo.
Neste trabalho não serão feitas análises e discussões das distorções características de cada
uma das Classes em questão, pois pretende-se estudar e analisar apenas os esforços envolvidos
quanto à tensao, corrente, potência e temperatura.

Capítulo 2 - Análise para Carga Flesistiva 4
CAPÍTULO 2
ANÁ|.|sE PARA CARGA REs|s'r|vA
2.1 - Classe A
A Fig. 2.1.1 mostra o diagrama de uma -etapa de saída (push-pu//, complementar), a qual
constitui a célula básica de amplificadores Classes A, B e AB.
A
+ Vcc
lis.
Q,
VB/As i¡_
l-S->l
VBIAS
K9
R liš-›l
*T
'
Vcc
Fig. 2. 1. 1 - Etapa de saída de amplificadores Classes A, B e AB
A Fig. 2.1.2 mostra as correntes de coletor e a corrente na carga de um estágio de saída
Classe A. Nesta figura, Ima» .

definida como corrente de manutenção, é a corrente necessária para
garantir que o transistor opere na região ativa direta para as condições extremas de excursão do
sinal.
A potência média total é Ps =PS+ +Ps_, onde Ps+ =Ps_ e essas são as potências médias
fornecidas por cada uma das fontes de alimentação. Ps, é o produto da tensão de alimentação
(VCC) pela corrente quiescente IQ do transistor QI Assim, .
Ps=2V'Vcc'ÍQ (2.1-1)
sendo,

Amplificadores de Áudio classes A, B, AB, G e H.
Capítulo 2 - Análise para Carga Resistiva 5
VCC = VLmax + VCEsal =
IQ=Í +1 ILma×
man ›
(2.1-3)
1L --ima .
(2.1-4)
H»
ÍCI iC2
yÔ
.
' ' ' _ _ _ _ _ _ _ _ . ' V- '
ICma.\'
_
Ibmax
'Q
icmm .
- - - - ---------- - _
21!
1: 6
Fig. 2. 1.2 - Correntes nos coletores dos transistores Q, e Q2 e na carga.
Definindo-se o fator y como:
:_
[man (2.1-5)
,Y
ILmax
GÍ'lÍãO,
2
_ps=Viv‹.1+Vi.(1+zY)_ (2.1-6)
RI. VLmax
A potência média na carga PL é dada por:
(2.1-7)
PL -...VÊ
2›RL'
e a potência média dissipada na etapa de saída é PD = Ps -PL:

Amplificadores de Áudio Classes A, B, AB, G e H.
(2.1-8)
PD =_I:¡«Z_fl1ä..1+V¿E&.(1+2-¡)_L-2__
RL VLmz× 2'RL
Pode-se então obter o rendimento n = PL /PS :
Vz (2.1-9)
n-¿.(
2 VLmax 1+!/Cí l+2Y
VLma.x
A equaçao '1-(2. 9) nos mostra que o ren d imento teórico m àximo para operaçao
~
em Classe A
é 50%, isto considerando Vem, =0 , Im, = 0 e VL = Vmax.
A corrente instantânea de coletor iC(t) e a tensao instantânea entre coletor e emissor vCE (1) ,
para PL = PLMX, podem ser escritas por (Fig. 2.1 .1):
-
_ IQ
rm (t) - +-T ILmax _
sen(o)t) ,
(2.1-10)
Vc1s1(Í) = Vcc “ VLmzz× '5¢I1(¢°f) ,

(2.1-11)
para QI e ,
I
_
:C2 (t) = -IQ +-Lšifi sen(‹nt) ,

(2.1-12)
'
VCE2 (Í) = -'Vcc ' VLmz× '5°l1(°Jf) ,

(2.1-13)
para Q2 .
Substituindo as equações (2.1-2), (2.1-3), (2.1-4) e (2.1-5) em (2.1-10), (2.1-11), (2.1-12) e

(2.1-13), tem-se:
1C¡(t) =V -
(1 + 2y + sen(cot)) ,
(2.1-14)

= VLmz×
V W 2.1-15 )
VcE1(Í) {1+%“5°n(<Df)) ,
(
_ Lmax '
para Q¡,e
V
\ z _
'
\
_
z'C2(z)=2L%:.(-1-2y+sen(‹»f)), ¶(2_-1 16)
V 2.1-17 )
-{-1-iii - sen(‹nt)J
'
VL mx
(
_
vCE2(t) =.
,
VLmax .
para Q2. `
A potência instantânea dissipada em cada um dos transistores, P,,(r), é o produto da
corrente de coletor ic (1) pela tensão entre coletor e emissor vCE(r) Assim, .
P‹11(f)=¡c1(f)'VcE¡(f) (2.1-18)
Pz12(f)=¡c2(í)'VcE2(f)- (2.1-19)
As equações, (2.1-6), (2.1-8), (2.1-9), (2.1-14), (2.1-15), (2.1-16), (2.1-17), (2.1-18) e (2.1-
19), são válidas também para dispositivos IGBT. Pode ser mostrado que para o caso de dispositivos
MOSFET, a razão VCE,,,,/V¿m,,x é substituída por RDSW,/RL [9.15].' iC(z) é substituído por iD(t) e
vCE(r) e substituído por vDs(t), onde RDS,,,, é a resistência de condução entre dreno e fonte, iD(r) é
a corrente instantânea de dreno e vDS (1) é a tensão instantânea entre dreno e fonte. Assim,
×, -
V2
/
i
-
( 2.1-2o )
Ps:-32í“Ill-(1+£%Ífl)-(1+2y),
PD : Vãmax _ l+RDS0n
2-RL
”
RL RL
pa /
Análise, Dimensionamento e Avaliação de Estágios de Potência de s
Ampiifiçadores de Áudio classes A, B, AB, caí.

_ A
j/< r
_¿. _VL_
T]
2 (I/Lmax¶ 1+~ RL
›
iD¡(t) = V -
(1 + 27 + sen(mt)) ,
(2-123)
L
= VLmax R
+ %_5en(wt))
0,, ( 2.1-24 )
vDSl(t) '
›
{l
L
V (2-1 _ 25)
1D2(f)=;%-(-l-2y+sen(o)t))
.
R ( 2.1-26 )
vz›sz‹f›=VL.....×-i-1-%-sen‹‹z›z›),
,,,,
Pz11(Í)=ÍD1(f)'VDs1(f) ,
(2.1-27)
e
Pz12(Í) =¡D2(f)'VDs2(Í) -
(2.1-28)
\/
As potências médias normalizadas na carga PL/PLMX e dissipadas PD/PLM bem como o ,
rendimento 11%, são ilustradas nas Figs. 2.1.3, 2.1.4 e 2.1.5, respectivamente; as retas de cargas
obtidas dos gráficos de corrente instantânea de coletor normalizada iC¡(t)/ILMX (ou de dreno
iD¡(t)/ILMX ) em função da tensão instantânea entre coletor e emissor normalizada vw (1)/VLMX (ou
entre dreno e fonte vDs,(t)/VLmax ). juntamente com a potência instantânea disslpada normalizada
P,,1(r)/PLMX , ambas em QI . estäo representadas nas Figs. 2.1.6 e 2.1.7, respectivamente. Todas as
curvas são parametrizadas para Vem,/V¿m,( (ou Roso"/RL )e y.
Analisando as figuras abaixo, pode-se concluir:
ø A potencia média disslpada (PD) é máxima quando a potência média na carga (PL) e
mínima (Fig. 2.1.4);
o O rendimento diminui amedida que VCESG,/Vmax e/ou I,,,,,,,/ILMX aumentam (Fig. 2.1.5);`

Capítulo 2 - Análise para Carga Resistiva
9
ø A corrente instantânea de coletor máxima (¡C1(r)mx) é no mínimo igual à ILM
(1,,,,,,,/Jum =0 aumentando com o aumento de

), IQ (Im,/ILMX >0 ) (Fig. 2.1.6);
o A tensão instantânea entre coletor e emissor máxima (vCE¡(r)max) é igual a 2-VCC
(Fig. 2.1.6);
0 A potência instantânea dissipada máxima (Pd¡(t)mx) é igual à metade (para Ql) da
potência média dissipada máxima (Figs. 2.1.4 e 2.1.7).
POTÊNCIA NA CARGA
2.5- _
2- _
PL/PLmax
1 _
0.5- -
O v
o oÍ1 oÍ2 oÍ3 oÍ4 0.5 ofô oÍ7 oÍa oÍ9 1
PL/PLmax
Fig. 2. 1.3 - Potência média narmallzada na carga.
Nota: A potência média na carga (Fig. 2.1.3) será a mesma para todas as classes de
operações descritas neste capítulo.

POTÊNCIA DISSIPADA RENDIMENTO

. . . . .
10 0 . . . .
90
2.5.
O
B0.
2 70.
"”
cem: 1.-zz=
5
'1= 00
.3
PD/P¡,,,m, 1.5.
cem 71%
1=o.oo
É Cm,
Y:
¿,_,=
¿
05
1.
C¿'“'1"'á'“õ;'
' 30. cam L-az: _
~
y=o.1o
°-5' 20.
cizzzzi zz»zz=~
Y=0.10 10_
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 O 0.1 02 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
PL / P¡,,,,,,, PL / P¡_,,,,,,
Fig. 2. 1.4 - Potências médias disslpadas Fig. 2. 1.5 - Rendimentos.
norma/lzadas.
II
RETAS DE CARGA POTÊNCIA INSTANTÃNEA DISSIPADA
1.2-
“_
V
Vczn / Vum = 0-5

0 Vcam / Vum = 0-I 0
~,=o.o5 -,=o./0
1 1z~
1
0.8-
az
P
lz›
É
S
ÍC¡(Í)/1¿,,,¢¡
PÊ '
VC¿_,,/V,,..=ooo
1=
P.u(f)/
U3 `
Q0 .°
vC¿,,,/V,_,,,.,,=oo5 “_
`
1= Q5
°'2
0
Vez.../Vz....z=010 oz. VCE.,/V,,_,=o.oo

v= `0 y=o.oo
Q . . . . . . . . .
D .
o 0.2 o.4 0.5 o.a 1 1.2 1.4 1.6 1.a 2 o zzz

vcE1(f) / Vumzz (or
FÍQ- 2- 1-5 - CUfVä$ de ¡cz(f) X vc1z¬1(f) Fig. 2. 1.7 - Potências instantâneas diss/Çoadas
(ou iD,(t) x vDs,(i) ) para Q,. normalizadas para Q,.
Análise, Dimensionamento e Avaliaçao de Estágios de Potência de

2.2 - Classe B
Considerando VBMS =0, o circuito da Fig. 2.1.1 passa a ser a estrutura básica de um
amplificador Classe B [15]. .
V
Neste caso, PS, é o produto da tensão de alimentação (VCC) pela corrente média Ís no
transistor Q, ,
que conduz apenas um semi-ciclo por período.
Ps =2'Vcc'Ís › (2.2-1)
Vcc = VLmz× + Vcszaz ›

(2.2-2)
_ 1
IS:-':tl¿', (2.2-3)
8
V (2.2-4)
IL='R¿.
L
Substituindo (2.2-2), (2.2-3) e (2.2-4) em (2.2_-1), tem-se:
(2.2-5)
pS=Z.V¿.VLmax. 1+;/in. ,
7: RL VLmax
e a potência médiadissipada na etapa de saída é PD = PS -PL:
(2.2-6)
P°`ÊR _íl+VCEsa!j_
L
L“'“*
VLW 2-RL
Substituindo (2.1-7) e (2.2-5) na expressão do rendimento (11 = PL/Ps ), obtém-se:

nzíi. VL
'
1
, (2.2-7)
4 VLma.x V
1+_CE-*U1
VLmax
A equação (2.2-7) nos mostra que o rendimento teórico máximo para operação em Classe B
é de 78,5%, isto considerando VCLM, = O e VL = VLmx.
A corrente instantânea de coletor ic (1), para PL = PLM pode ser

, escrita por (Fig. 2.1.1):
ILMX -sen(o›t) sen(cot) 20 (2.2-8)

,am =
_ ,
<0
,
O sen(oat)
para Q, e ,
IL max -sen(cot) , sen(wt) 50 (2.2-9)

¡c2(Í) ={ 0 , sen(o)t) >0
'
Dafa Q2 .
Substituindo a equação (2.1-4) em (2.2-8) e (2.2-9), tem-se:
íc1(f) =
hä RL
-
sen(o›t) , sen(cot) 20
,
0 , sen(cot) <O (2240)
-Vi"-'Ã
sen(o)I) sen(cot) S0
i"
-
_ ,
(Í) R1. .
(22-11)
0 , sen(o)t) > O
As tensões instantâneas entre coletor e emissor, vCLL (1) e vCLL(t), são expressas através de
(2.1-15) e (2.1-17), e as potências instantâneas, P,,,(t) e P,,L(r), através de (2.1-18) e (2.1-19),
respectivamente.
As equações (2.2-5), (2.2-6), (2.2-7), (2.2-10) e (2.2-11) são válidas também para dispositivos
IGBT e, como obtido para os amplificadores Classe A, para o caso de dispositivos MOSFET, tem-se:

Amplificadores de Áudio classes A, B, Ae, G e H.
PS =Ê.Q_.VLmax .
1+ RDS0n ,
1t RL RL
PD=Ê.i.VLmax.1+LD5°" -il/Ê (2'2`13)

2'RL
,
Tt RL RL
n = E .__VL._.___._1 _ (2-2-14)
4 VLmax R
1+ DSon
'
RL
ZÉ-"E -
sen(a›t) sen(‹nt) 20 (2245)
¡Di(Í ) = RL
,
0 sen(cot) <O
Â
,
50 (2.2-16)
-
sen(a›t) , sen(cot)
'D2 (Í) = RL -
0 , sen(‹nt) >0
Sendo que as tensões instantâneas entre dreno e fonte e as potências instantâneas
dissipadas são definidas como em (2.1-24), (2.1-26), (2.1-27) e (2.1-28). '
As Figs. 2.2.1, 2.2.2, 2.2.3 e 2.2.4 mostram as potências médias dissipadas normalizadas, os
rendimentos, as retas de carga e as potências instantâneas dissipadas, respectivamente,
parametrizadas para VCEW,/VLW, .
Analisando as figuras seguintes, pode-se concluir:
ø A potência media dissipada máxima (PDMX) é função de PL/PL_max e VCE,,,/VLW,
(Fig. 2.2.1);
ø O rendimento diminui a medida que VC,,~,,,,/VLW, aumenta (Fig. 2.2.2);
o A corrente instantânea de coletor mâ×ima(iC¡(r)mx ) é igual à [max (Fig. 2.2.3);
o A tensao instantânea entre coletor e emissor máxima (vCE¡(t)max) é igual à 2-VCC
(Fig. 2.2.3);

o A potência instantânea dissipada máxima (Pd,(z)max) é maior do que à metade da
potência média dissipada máxima (PDM. ) (Figs. 2.2.1 e 2.2.4).
J~ ~
I~
-
100
M.
80.
ÊÉWIIHI .
70.
fm fm:
Í
_
\ ~
1- ` `
W. .
cuz 1..».zz=-
É 50.
'
Ee
I
XX
40.. .
_
I
0.5. Í _
_;.--_- 3°
A5
'
, ,
I;
2°-
10 _
0* . . . . . . . . . .
Q . . . . . . . . .
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.0 0.7 0.a 0.9 1 0 0.1 02 0.3 0.4 0.5 0.5 0.7 0.a 0.9
PL / Plznzz PL / Pumzz
1
Fig. 2.2. 1 - Potências médias disslpadas Fig. 2.2.2 - Rendimentos.
normalizadas.
RETAS DE CARGA POTÊNCIA INSTANTÂNEA DISSIPADA
1 0.6- -
VC¿,,,,/V,,,.,,=0.00
/V =0.0
.M,.,m..,., ,
f
_ _
V /V =
'
.W,.W-,,_,,,
Í
.
' '
Vga,/V¡,,,,,=0.00
`
Íumz
›
PMG
/ Í
ic1(l) P4/(I)/
É }
_
0.4- l
02- -
0.2-
Mt _
0 0.2 0.4 0.0 0.a 1 1.2 1.4 1.5 1.e 2 0 21:

VCE/(1)/Vlmz 0)!
Fig. 2.2.3 - Cllrvâ-9 de íc¡(I) X v¢z¡(t) Fig. 2.2.4 - Potências Instantãneas disslpadas
(ou i,,,(1) x vDs,(1) ) para Q ,. normalízadas para Q,.

Amplificadores de Áudio ciâsses A. B, AB, G e H.
2.3 - Classe AB
Considerando agora VBMS maior do que zero, porém menor do que a tensão necessária para
operação em Classe A, e com base no circuito apresentado na Fig. 2.1.1, tem-se a operação em
Classe AB, para:
Ps - 2 Vac ~
-'Is(9Q) (2.3-1)
Vcc = VLmz× + Vcszzz (2.3-2)
onde a corrente média ÍS(6Q) é função da corrente de polarização, IQ ,

e da corrente fornecida a
carga, iL. Na Fig. 2.3.1 estão representadas estas correntes, assim como as correntes nos coletores
(ic, e icz) em função do ângulo 6. Com o auxílio dessa figura, pode-se calcular la corrente média
íS(eQ)z
O 'O
- 1 I
Is(6Q)=š- “IQ +?'“-senti)-a9+
o
n-99
1
+2_- _ÍI¿-sen6-d6+
W
'II
99
(2.3-3)
+_- 1
I(IQ+-L--senâ)-dB+
1
21:
1:-99
2
_
+¿-
21:
I
IQ+I¿-senô -dB
21t
2n_9 Q 2
Resolvendo (2.3-3), obtém-se:
- 2 I _

Capítulo 2 - Análise para Carga Fiesistiva 16_
onde IQ < Ihm/2 e GQ é o ângulo de transição entre a operação em Classe A e Classe AB. Esse
ângulo pode ser expresso em função dos parâmetros de projeto como será mostrado a seguir.
Analisando-se a Fig. 2.3.1, pode-se escrever:
¡ A
iCI iC2
19 ....................... --
O 2:77:
'
1 I 1
››
GQ 1:-GQ 1t+BQ 21t-GQ 9
it
Fig. 2.3. 1 =- Correntes nos coletores dos transistores e na carga.
I max 2.3-5 )
IQ:_l:;_.SeneQ (
ou, alternativamente
‹2a3~6›
6Q IL).
IL m3.X
Levando (2.3-5) em (2.3-“4);'obtém-sefumar expressãopara-Ís'(6'Q) em funçãorapenas de "6¿' _
e1L
- 9 1 2.3-7 )
1S(eQ)=-É--seneg-ILM+f-z‹›SeQ .
(

Capítulo 2 - Análise para Carga Resistiva _ 17
Nessa equação, para GQ =0 tem-se ÍS(6Q) = IL /1: o que corresponde à operação em
Classe B. Para GQ =rr/2 tem-se ÍS(6Q)= ILMX/2 o que corresponde ã operação em Classe A (com
Im, = 0 ). Caso 0 <BQ <rr/2, tem-se a polarização Classe AB [5].
Substituindo (2.2-3), (2.3-2) e (2.3-7) em (2.3-1), obtem-se:
2 V V
=--í-íl+i'L}-(GQ (2.3-8)
A
PS -sen9Q -VLMX + VL -cos6Q)

n RL VLmax
e a potência média dissipada na etapa de saída será PL, = Ps - PL:
PD=.2..~.
W RL
1+~ .(9Q.seneQ.VLmax+VL.c0SeQ)__.L
V1.mz× 2'RL
2
_
Agora, substituindo (2.1-7) e (2.3-8) na expressão do rendimento (n = PL /Ps ):
VL
.n=E_ VL _
1
_ _ VLmax
4 VLW* (23-10)
1+-KC-ÊÊÊL GQ-sen6Q+-Ki-‹cos9Q
VLmax VLmax
e
Analisando a equação (2.3-7), nota-se que os termos -9-sen9Q e cos9Q fazem a
'II
ponderação entre as correntes médias de po arizaçao e da carga. Com base nesta equação, e
juntamente com as equações (2.1-3), para I,,,,,,

= 0, (2.1-10), (2.1-12), (2.2-8) e (2.2-10), obtém-se as
correntes instantâneas de coletor iC,(t) e iC2(t) _ Assim, para PL = PLMX, tem-se:
e (23 _ 11)
zm = TQ~sen(eQ) ILM -(1+ szn(‹z›z))+ 1L mx -zenmz) cos eg zo
¡C! (Í) =
- -
,
z-(z)
0, i(t)<0

(-)
50 (23 - 12)
cz (Í)
,_
= i(t)=i-sen(6Q).1¿mx
TE
-(-l+sen(‹nt))+1¿mM ~sen(cot)-cos9Q, i(t)
.
0 ,i(t) > 0
Substituindo (2.1-4) em (2.3-11) e (2.3-12), tem-se:
= Gi + sen(oJt))+ sen(o)t) cos 2O

(234 3)
i(t) - -
sen(9Q) -
(1
-
6Q} i(t)
W
,
¡c1(Í)= RL [
0, i(t)<0
e
_ _V ,,,a,,_ 9¿_ sen(9Q) __ 1+sen(cot))+sen(cot)
cos6Q}, z(t)50
. (2.3-14)
iam: z(t)--_-ÊL _
(
[ R
0 , i(t) >O
Sendo que as tensões instantâneas entre coletor e emissor e as potências instantâneas
dissipadas são definidas como em (2.1-15), (2.1-17), (2.1-18) e (2.1-19).
As equações (2.3-8), (2.3-9), (2.3-10), (2.3-13) e (2.3-14) são válidas também para
dispositivos IGBT e, como obtido para amplificadores Classe A, para o caso de dispositivos
MOSFET, tem-se:
2 V R 2.3-15 )
Ps=---¿9í-(l+-Ê)-(GQ-sen6Q-V,_mX+V¿-cos6Q), (
1: RL RL
2 V R V2 (2.3-16)
PD=;'~'(l+~)'(9Q'SeI19Q°VLmax+VL'C0S9Q)-É,
O
__¡2_
"
.n=£_ VL 1 'VL|nax
`
(2347)
_ _
4 VLHW 1+-1?-Dil 6Q~sen6Q4-Ii-cos6Q

,
RL VLmax
= K?-gi (234 8)
+ sen(cot))+ sen(cot) 20
i(t) 5en(9Q) cos
94
*
. - -
i(t)
-
im (Í) =
(1 ,
0, i(t)<0

= (234 9)
5en(GQ) (_ 1 + sen(‹nt))+ sen(‹nt) cos S0
ímm =
i(t)
64
.
i(t)
. .
,
0, í(t)>0
Sendo que as tensoes instantâneas entre dreno e fonte e as potências instantâneas
dissipadas são definidas como em (2.1-24), (2.1-26), (2.1-27) e (2.i-28).
As Figs. 2.3.2, 2.3.3, 2.3.4 e 2.3.5 mostram as potências medias normalizadas dissipadas, os
rendimentos, as retas de carga e as potência instantâneas dissipadas, respectivamente,
parametrizadas pelo fator Ã dado por (2.3-20). Fez-se VCEW, =0 para simplificação, pois valem as
mesmas considerações feitas para os amplificadores Classe A e Classe B.
1Q
~
(2.3 _ 2o)
À=2_I
Lmax
Analisando as figuras abaixo, pode-se escrever:
0 Os resultados sao intermediários aos das Classes A e B; ,
ø Para baixos valores de À o rendimento se aproxima ao da Classe B (Fig. 2.3.5);
ø Nota-se que a corrente instantânea normalizada é maior do que 1 durante a transição
(Fig. 2.3.4).


100 , , _ _ ,
2 `
90.
(C¡flmÁ)
=0J
/\
=0›
o'§\\
1.5 ' '
?'*'$f`°'Êš
f
.É
àf
PD/Pbnm
Ê= 0.2? 4°
`
. _
_ ao . _
0.5
l¬ '
'
2° .
¿\\
Ê'=000 10 _.
_
‹Ch.wB)
0 0 . . . . . . . . .
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 o.a 0.9 1 0 0.1 0.2 0.a 0.4 0.5 0.6 0.1 0.a 0.9 1
P,/P,,,,,,, PL/P,,,,,,
Fig. 2.3.2 - Potências médias disslpadas Fig. 2.3.3 - Rendimentos.
nonnalizadas.
Í QP
>'
52èe
=
0 '
`Õ1'
1
0.8 ›.= 1.00
.Ê
0.8 -
>' = 0 1.. a ›=‹>~ff

u'
>'
0L. u. : ×=‹›~f‹›
cl PL" 9 c› `
/
.°
,~
.'
ic1(l`)/Ízmz
U) f
/A
'f
.° A P.: 9Õ `-
(Chun B)
l
0.2 _
\ _
).= 0.00 l
`\
‹
,c1.z.z« 5)
,,: ln il
O 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 O Zn
VcE1(f)/ Vlzzz (Dl
Fig. 2.3.4 - Curvas de íC,(z) x vC5,(t) Fig. 2.3.5 - Potências instantâneas dissipadas
(ou í,,,(t) x v¡,s,(t) ). narmalizadas para Q,.

2.4 - Classe G
A definição para a Classe G adotada neste trabalho está de acordo com a encontrada nas
referências [1], [13] e [23].
Na Fig. 2.4.1 é mostrada a estrutura básica do estágio de saída de um amplificador de

potência Classe G. Nesses amplificadores, o estágio composto pelos transistores Q, e Q2 pode ser
polarizado em classe A, B ou AB. Nesta análise, considera-se polarizaçao Classe B.
Analisando o circuito da Fig. 2.4.1, pode-se escrever:
Ps "2'Vcc1'1s1(9r)+2'Vcc2'1s2(9r) › (2.4-1)
VCCI = a VL max + VCEsaI

'
1
Vccz = VL max + 2'Vc15szzr (2.4-3)
e
Vcci ' Vcisszzz
a= (2_4-4)
VCC 2 _ 2 VCEsaI
'
'
onde Is¡(6T) e 1S2((-)T) são as correntes médias fornecidas pelas fontes VCC, e VCC2,
respectivamente.
O ângulo de transição, 9, (ver Fig. 2.4.2), corresponde ao ponto no qual ocorre a transição
entre a operação QI - Q2 para operação Q,Q3 -QZQ4 .
A transição ocorrerá sempre que VCEW, +v¿ for igual a Vccl. Então
Vcci = Vczsszzz + V1. 'Sen 9T

(2.4-5)

ÍQÍ J Lica
j+Vf(l
I
ÍQÍ I
‹IÍCI
0_ _› ___
if VL *I
I Polarização
5
H 7®Í Li..
Ri
T
-i>i-3 '
rc:
7®Ê ‹:
O
'
Vccz
Fig. 2.4. 1 - Estrutura básica do estágio de saída de um amplificador operando em C/asse G.
VL
Vbnnx
VL ---------- --
a VLmax
›
O
'
6, 1:/2 11: 6
Fig. 2.4.2 - Ângulo de transição.
Substituindo (2.4-2) em (2.4-5), tem-se (ver Fig. 2.4.2):
GT = m-.{a_ Vim) _
‹2.4-õ›
VL

Enquanto VL for menor do qu e oz -

VLmax o estágio estará ope rando em classe
, B. Logo,
pode-se escrever para GT :
E,
2
OS L- S
VLmax
oc
GT: .
(2.4-7)
S e"{
Il 0.- -Lmax) a<----VL
VL
,
S1
VLmax
'
Assim, p ode-se calcular as correntes médias, IS,( 6 T) e ÍS2 (6 T ), fornecidas pelas fontes
Vcci 3 Vcczz Fesp ectivamente, para 0 5 GT sn/2.
- °'
IL IL (2.4-8)
1s1( G T )=?- _Ísen9-dB=-Í-(l-cos9T )
o
:-1
( 2.4-9)
1
1sz(9r)=íL- rn entš)-alš) =!-L--cos9T
TC
`Í°‹_,~
Substituindo (2.2-4), (2.4-2), (2.4-3), ( 2.4-8) e (2.4-9) em (2.4-1), obtém-se:
PS =_'i'
2 VL
VLmax -o:+(l-oc)~cos9T+¬---
Vcúzzz
(1 +co S9 T _
( 2.4-10)
n RL VLmax
A potência média dissipada na etapa de saídaé PD=PS-PL:
2 V -I-/ÊL
2
(2.4-11)
PL,=-T;-É-VLMX-\:oz+(l-oi)-cos 9 T+VLmx- (l+cos9T)J-JL.
_RL
-P/P
Substituindo (2.1-7) e (2.4-10) na expressao do rendime nto ( 11- L S ),obtém-se:
" `
Análise, Dimensionamento e Avaliação de Estágios de Potè ncia de

â
r|
:L Vi _
1
.
(2.4-12)
4 VL““×
oL+(1-oi)~cos9T +@'L-(1+cos9¡)
VL max
A corrente instantânea i(t) e a tensao instantânea v(r), em cada um dos braços (Q,Q3 e
QZQ4 ) da etapa de saída, para PL = PLMX, podem ser escritas por (Fig. 2.4.1):
IL mx -sen(o)t) sen(‹nt) 2O (2.4-13)

iJ' (Í) = ,
<0
,
0 , sen(o)t)
VCC¡ - VL mx -sen(cot), sen(o)t) S oi (2.4-14)

V =
VCC2 - VL max -sen(o)t)
(Í)
< sen(a›t) Sl
J'
_ , oi
Dafa Q1Q3 9 ›
S0
_ ILMX
_
-sen(o)t) , sen(‹nt) (2.4-15)
I' (Í)
>O
,
{0 , sen(o›t)
- 2 -on
ví` (Í) _ {- Vccmx V,_maX -sen(çot) , sen(c)t) (2.4-16)
-VCC2 -VLMX -sen(‹nt),
,
-cx >sen(‹nt)2-1
Pafa QzQ4 -
Substituindo as equações (2.1-4), (2.4-2) e (2.4-3) em (2.4-13), (2.4-14), (2.4-15) e (2.4-16),
tem-se:
-111% -
sen(‹nt) sen(‹ot) 20 (244 7)
1+ (Í) =
,
RL
_
O sen(‹nt) <O
É
,
VLmax ~
cx + - sen(mt) sen(oJt) 5 oi
V
,
v+(,) = LJ” ,
(2.4-ia)
VLMX -{1+2-vã--sen(‹nt)), oi <sen(‹nt) 51

Lmax

Amplificadores de Áudio ciasseâ A, B, AB, G e H.
Í_ (Í) =
ZÉ RL
-
sen(‹nt) , sen(‹nt) S0 (244 9)
O, sçn(ú›t) >O
%
e
VL mx -(- ot -V - sen(‹nt)) , sen(o›t) 2 -ot

v_(,) z LIT” ,
, (2.4-2o)
VLMX {-1-2~-Vi*1'¿-»sen(‹nt)}, -«ot >sen(‹nt) 2-1

L m&X .
A 'potência instantânea dissipada em cada um dos braços da etapa de saída, P,,(t), é o
produto da corrente instantânea i(r) pela tensão instantânea v(z) . Assim,
P.” (f) = 1;, (1)-v, (1) (2.4-21)
e _
P.z-(f) = 1".
(f) -v- (I) (2.4-22)
As equações (2.4-10), (2.4-11), (2.4-12), (2.4-17), (2.4-18), (2.4-19), (2.4-20), (2.4-21) e
(2.4-22) são válidas também para dispositivos IGBT, como também para dispositivos MOSFET
fazendo-se a devida adaptação. Assim:
Ps :â.Ké..VLmax .[a+(1_(×).c0SeT +~-(1+COSeT):] ,

'lr
RL RL
2 V R V2 2.4-24 )
PD =;--É--VLmax-[oc+(1-‹x)~cos6T+%-(l+cos6¡-):1-É
,,,, (
,
nz:
4
VL .
1
,
(24-25)
VLmfl× ot+(l-oc)~cos9T +R%Í“'-(l+cos6T)

VL max -(oi + gãfl

L
- sen(cot)) , sen(cot) 5 oi
v+ (t) = (2.4-26)
VLMX {l+2-%-sen(u)t)), oi<sen(wt)Sl

L
VLMX-(-oi -L;§El-sen(o›t)J, sen(cot) 2 -oi

L'““
v_(,) = , (2.4-27)
VLMX -(-l-2-íE"¿'-sen(cot)J, -‹x>sen(‹.ot)2-1

VLmax
As Figs. 2.4.3, 2.4.4, 2.4.5 e 2.4.6 mostram as potências médias dissipadas normalizadas, os
rendimentos, as retas de carga e as potências instantâneas dissipadas, respectivamente,
parametrizadas pelo fator oi. Fez-se VCEW, =0 para simplificação, pois valem as mesmas
considerações feitas para os amplificadores Classe A e Classe B.
Analisando as figuras a seguir, pode-se concluir:
o A potência média dissipada máxima (PDMX) é função da potência média na carga (PL)
e função de oz (Fig. 2.4.3);
o O rendimento pode ser "ajustado" através de oi (Fig. 2.4.4);

ø A corrente instantânea máxima (i+(z)max) na etapa de saída é no mínimo igual a corrente
de carga máxima ( ILMX ) (Fig. 2.4.5);
~ A tensão instantânea máxima (v+(t)mx) aplicada a um braço da etapa de saída é
VCC2 + VCCI (Fig. 2.4.5);
o O esforço total é dividido entre QI e Q3 ,

e depende de oi (Figs. 2.4.3 e 2.4.6);
ø A potência instantânea dissipada máxima (Pd+(t),m) é maior do que à metade da
potência média dissipada máxima ( PDM, ), e depende de oz (Fig. 2.4.6).

POTÊNClA DISSIPADA RENDIMENTO

1.4 . . . . . .
10° . . . . . . . - .
m -
_
1.2
m
_
=
1 -
S2
aê m .
\›\
a= 0 8 _
0
% m u: š
.O
PD/Pbnax
À \à
É
w =
ci
.O
7
Ill'
...§!`
0.4 _ ‹
3° uz 0
-"`**
|
Í
u= 0 52%
-gh
`
20
Í
0.2 1
.
1o V
_
O O. .‹›.`
- kl
o_
G
°.
5
°. OI °.
Q
°. `l O.
G
°. ou of1 ofz of: oÍ‹ ofs ofe 0.1 ofa nfs
PL / PMB
1
.°.
. . . _ _ . . ID
PL / Puma
Fig. 2.4.3 - Potências méd/as diss/padas Fig. 2.4.4 - Rendimentos.
norma/izadas.
0.5 -
Em
1
Mi
0.45 z
1 -
Em
0.8 . _
\-\ °“i
1
Em
-
/1¡_,,,,,
as
Q CJ
_ !_ -
S ¿¿
_
.°
vm_v"
\ Pd+(Í)/Plznax
OI
_
_
_---
\
i+(t)
|;--_-...............
°'*' ` 9N _
\E
-
Em
_
. ..:› '-
\
_
'
0.15
Em
..._-:.'_..1._...:..
~'
n
02 \
9 ,g
'°.
W
'. =_~
\.%
' ' .
`
-Q
o 5 ._n.|"_"___._
...=::- '
š
. , _
P
_F.
\\
Q O
O 0.2 0.4 0.5 Ú.3 1 1.2 1.4 1.5 1.8 2 ° NI H
v+(Í) / Vz,,,,¡z e~
Fig- 2-4-5 " CWV-95 de M1) X v‹(f)- Fig. 2.4.6- Potências instantâneas disslpadas
normalizadas para Q,Q,.

2.5 - Classe G de Múltiplos Estágios
O circuito apresentado na Fig. 2.5.1 é uma generalização para N estágios do circuito da Fig
A
2.4.1 [1s1.
qi
Vccu
Q \_
__`_|`
Qz 1+V C"
+VCCI
te
Q'
'zação 5:
7
Polar
'Vcc¡
QG
-Vcc:
QI,
___
_
'
Vccfv
Q ,N
Fig. 2.5. 1 - Estágio de saída de um amplificador Classe G de múll/2:/os estágios.
Com base na Fig. 2.5.1 pode-se escrever:
Ps -2-VCCI -Im +2-VCC2 -152 +...+2-VCCN -ISN ,`

(2.5-1)
Vccl :ax 'VLmz× + Vcsszzz › (2.5-2)
VCC2 =°*2 'VLmz× +2'VcESzzf › (2.5-3)
Vcc1v =<1N 'V1.mzz× +N'VcE5‹z| › (2.5-4)

VCC,=a,-VLm,(+¡-VCEM, ,
¡=1, 2,,N (2.5-5)
G
V .-z'-V
a,=if1-ifffffl-, (2.5-6)
z=1,2,...,N.
.
VCCN -N 'VCEsa!
De onde se conclui que:
N _ (2.5-7)
Ps = 2'Z[(°l¡ 'Vzmzz +¡'VcE..~zzz)'1sf]-
i=l
A corrente 13,- é dada por (Fig. 2.5.2):
_ em) (2.5-8)
I
=-¡=- I
_Ísen9-d6 =?L-(cos6T(¡_¡)-cos9T(¡))_, i=
_
15,- 1, 2, ,N .
TE
910-1)
Substituindo (2.5-5) e (2.5-8) em (2.5-7). tem-se:
2 V N V (2.5-9)
Ps=_'#'VLmaX'2 .
sa
a¡-+Í'iÇ_E_'L '(cos6T(¡__l)_cQSeT(¡)) .
Tt RL i=l VLmax
Resolvendo (2.5-9) para alguns valores de N ,

conclui-se que, por inspeção:
P
S '
2 V
=_.¿.VLmax
n RL
.
N
šflal
__
ati
__ 1%
V
VLmax
.
9 __ 1)
c0s“7"(' _
(2.5-10)
O ângulo 6,_, é o ângulo correspondente ao ponto de condução da corrente na carga (em
um semi-ciclo) durante a operação do i-ésimo estágio, assim: l

V
ÉV-L*-<(1¡
a¡_l
Lmax
VL max
ao :O
-l
9T(i-1) :sen {Tài-1) ›
och =l (2.5-11)
Í: I, 2, ,N
9To=0ee¶N-:š
A potência média dissipada na etapa de saída é PD = PS - PL:
PD =_2_..V¿.
W
I/Lmax .Z
N
(ai _.a'__l +~j.C0seT(i_l) .IL
2'RL
2
( 2.5-12 )
R1. ¡=1 VLmz×
V A
VLm ax
VL
aN-¡VLma.r
a2VLmax
I
aIVLmax Í
,
0
i É í
e, e, eN_, fz/2 n e,
Fig. 2.5.2 - Ângu/os de transição.
Substituindo (2.1-7) e (2.5-10).na expressão do rendimento (n = PL/PS ), obtém-se:
n=E. VL .
1
(2.5-13)
VLIIIBX
_
4
[vjz __
u'__1 + .
cos eT(!,_l):|
`. - ._ VLmax

Ampiificadores de Áudio classes A, B, AB. G e H.
As tensões instantâneas, v+(r) e v_(t), em cada um dos braços (Q¡Q2...QN e Q,'Q§...Q},,) da
etapa de saída, para PL = Pmax, podem ser escritas por (Fig. 2.5.1):
Vccl
- V,_ max -sen(cot) , sen(mt) S oil
VCC2 -VLmzx 5 012
um = 5eU(°J t ) <5efi(fD t )
-
, (11
, (2514)
VCCN - V¿max -sen(‹nt) , oc,,,_¡ < sen((nt) S oi”
Para Q1Qz---QN 9 -
- VCCI - VL mx ~sen(‹nt) , sen(cot) 2 -oil

_ VCCZ _ VLmax sen(‹nt) > sen(cot) 2 _ az
um =
. _ ot,
(2545)
,
- VCCN - VLW, -sen(‹ot) ,

-
orN_¡ > sen(a›t) 2 -oiN
para QíQ£---Qlv «
Substituindo a equação (2.5-5) em (2.5-14) e (2.5-15), tem-se:
V
VLMX + T/9519 - sen(cot)j sen(a)t) 50
-£oi¡
W*
,
v+(,) = (2.5-16)
V
+í--Qísfi-sen(‹nt)
VLMX- i=l, ,N
.
oL,- , ot,-_, <sen(o›t)Soi,- , 2,

VLmax
e
V
.
VLMX -(-oil -g-sen(‹nt)) sen(‹››t)20

“W
,
v_(,) _ (2.5-17)
VLMX -L-oi¡-ii/Q-15'55"--sen(o)t)} , -or,-_¡ >sen(cot)2-or,z , i=l, 2, ,N

VLmax
As correntes instantâneas, i+(t) e i_(t), e as potências instantâneas dissipadas, P,,+(r) e
P,,_(t), são definidas como em (2.4-13), (2.4-15), (2.4-17) e (2.4-19), respectivamente.
dispositivos IGBT, como também para dispositivos MOSFET com a devida adaptação:

2 V R (25-18)
=;.íÊ›VLma
0,,
PS ><
llV12 "'(X¡__]
+~).C0S6I(¡_1):| ,
|:ía,'
2 V N R H V2 (2.5-19)
PD =;'í1;'VLmz›z'š[{°¢i“f×¡-1+%j-C0S9T(i-i0"Ê ,
= 1. VL .
1
‹2.5-20›
,1
4 VLmax R
Il*/12 _a,__l +~).c0s6T(',_l):|
L
=
VL mx -(oil + 5% -
L
sen(o›t)) ., sen(‹nt) 50
(2.5-21)
v+(,)
VLW, -{oi,‹+i-I%S1'l'--sen(cot)] , oi,z_¡ <sen(o)t)scx,- , i=l, 2, ,N

L
G
R
V¡_max {- oi¡ - -%s'fl
L
- sen(cot)) , sen(cot) 20
v_ (f) z (2.5-22)
VLW, -{- oi,~ -i--Râë'-'-"--sen(o›t)) , -oi,._¡ > sen(o›t) 2 -oi, ,

i= 1, 2, ,N
L
As Figs. 2.5.3, 2.5.4, 2.5.5 e 2.5.6 ilustram as curvas para as potências médias dissipadas
normalizadas, os rendimentos, as retas de carga e as potências instantâneas dissipadas,
respectivamente, parametrizadas pelo fator N (número de estágios). Fez-se VCES,,,=0 para
simplificação, pois valem as mesmas considerações feitas para os amplificadores Classe A e Classe
B. Fazendo-se oii = J-'A7 a comutação ocorrerá em intervalos iguais de PL, e não de VL.
Analisando-se as figuras a seguir, pode-se concluir; . _ . .
0 A potência média dissipada ( PD ) diminui com o aumento de N (Fig. 2.5.3);
ø O rendimento aumenta com o aumento de N (Fig. 2.5.4);
ø A corrente instantânea máxima (i+(r)maX) na etapa de saída e no mínimo igual à corrente
na carga máxima (ILMX) (Fig. 2.5.5);

Ampiifisadores de Áudio classes A, B, AB, G e H.
Capítulo 2 - Análise para Carga Fiesistiva 33
o A tensão instantânea máxima (v_(t)_____,_) aplicada a um braço da etapa de saída é
Vcczv + Vcci (F¡9- 2-55);
0 O esforço total e dividido entre os N transistores (Figs. 2.5.3 e 2.5.6);
o A potência instantânea dissipada máxima (P_,+(t)_____,_) diminui com o aumento de N ,

e é
maior do que a metade da potencia média dissipada máxima (P,_,____,_) (Figs. 2.5.3 e
2.5.6).

1.4 _ _ _ _ _ _ _
wo _ _ _ _ _ _ _
G
PW,
.°
/
PD .°
Gl
às
~¡
0
*
0.1 0:2
If
0:3
§> 0:4 0.5
PL/PW.
0:6 07
_-
0B O9 1
f:
00 0i| ok 0:4 0:5 0:5 01 0.5 0.9 1
PL /P,,,,,,,
Fig. 2.53 - Potências médias dissipadas Fig, 2, 5,4 _ nendimenzaâ
normalizadas.
RETAS DE CARGA POTENCIA INSTANTÀNEA o|ss|PAoA
-^
os .-
r
_,..__
V 2 `
9O V 04.- 1
2= N
iv _
a
V _
f W. _ .
V
-:;..Iø-
_
/ 3
À
..-"/
I
_
lbm, 'Lm
É
._.À_-L
Q
/ V
ø
Z
.°
Q _
É
a-_-_":-...................
V
`' _
3
í+(l) -
I'./+(I)
9Õ
.-fu...
>._.`
J/
rw-
LT,'.›I""""
.~z_`
1
_1'í*
X
z
0.15 . .;â""
__. 'pi..n. Í
2
.
1°:
_ 4 -
.
oz '
\
`
1
\\
.\ t tlliiiil liili
_
. . _ ~
_,
0 0.2 0.4 0.5 0.5 1 1.2 1 4 1 G 1 8 2
V+(I)/ VL,m,¡
FÍQ- 2-55 - CU/'Väs de í+(1) X \'+(1)- Fig. 2.5.6 - Potências instantâneas dissipadas
norma/izadas para Q ,Q,... QN.

Amplificadores de Áudio classes A, B, AB, ca e H.
2.6 - Classe H
As Figs. 2.6.1 e 2.6.2 mostram as estruturas básicas de dois estágios de saída operando em
Classe H. Convencionou-se, para este trabalho, denominá-las de Classe H, [1,9] (Fig. 2.6.1) e
J
Classe Hz [10,24] (Fig. 2.6.2).

'
Assim como na operação em Classe G, o estágio composto por Q, e Q, pode ser polarizado
em Classe A, B ou AB (Classes H, e H2), podendo o mesmo ser feito para o estágio composto por
Q3 e Q4 (Classe H,). Neste trabalho é usada a polarizaçao Classe B.
Analisando a Fig. 2.6.1, pode-se escrever:
Ps -2'Vcc1'Ís1(91)+2'Vcc2'1s2(9T) , (2.6-1)
Vccl = 0* '
VLma× + Vcsszzz (2.6-2)
e
Vccz = VLmz× + Vczssaz -
(2.6-3)
Comparando-se as equações (2.4-3) e (2.6-3) observa-se que a única diferença entre elas e
o fator 2 que multiplica VCEM. Logo, para VCEW, =0 as Classes G e H apresentam as mesmas
expressões para as potências médias e o rendimento.
Deve-se notar que na Classe H', a transição ocorrerá sempre que |VC,,-5,, +vL| for igual a Vccl
(Fig. 2.4.2). Desta forma, para VCEW, ¢0 ,

tem-se:
E, O SV!/Léon
2 Lm”
6, =
oxisl
(2.6-4)
V V
,
sen`¡{oL-ll,
VL VLmax

+V(§(II
Controle
Q, lie/
Í.,
de
SN
T
Q,lizz R, VL
ii 1
Circuito
_=rê‹
`
V‹:‹:1
_
O
VCC2
Fig. 2.6. 1 - Estrutura básica do estágio de saída de um amplificador Classe H,
CCI CCI
Controle
àëë l¡c1
+ Voc/
if' VL '›i
de
i+-.<+|
ig
cuito
Â; C`r
v-.
'
Vac:
\ vz
š
O
'
Vccz
Fig. 2.6.2 - Estrutura básica do estágio de saída de um amp/if/cador C/asse H_,.

-2-VL -V
Ps-___' L max -[oL+(1-oc)-cos6 T +VCE“¶
1rRL
í
VLMX
,
(2.6-5)
2 V V V2 (2.6-6)
PD =;»¡¿L--Vmax-íoi+(l-a)~cos6T+%fi¶-É ,
Lmax
`
VL
,FL
4
.
1
,
(2.6-7)
Vim* a+(l-oz)-cos6¡ +K-Ci"
VLmax
G, Dafa PL = PLmax ,
Vhmx -(ot +K(L“"'--sen(o)t)¶ , 0 S |sen(o›t)| S cx

VLmax
v+(f) = ,
(2.6-8)
VL max -íl +e--sen(o›t)) , ol < |sen(cor)¶ <1

_
VLmax
É
VLMX -(-or --1%-sen(mt)) , 0 S |sen(cot)| S or
Lmax
V- (Í) = (2.6-9)
V¿maX {-1 - - sen(o)t)) , ot < |sen(a›t){ sl

VLmax
As correntes instantâneas, i+(r) e i_(t), e.as potências instantâneas dissipadas, P,,+(t) e
P,,_(z), são definidas como em (2.4-17), (2.4-19), (2.4-21) e (2.4-22), respectivamente.
As equações (2.6-5), (2.6-6), (2.6-7), (2.6-8) e (2.6-9) são válidas também para dispositivos
IGBT, como também para dispositivos MOSFET com a devida adaptação:
2 V R (2.6-10)
PS =--EL--VL,,,aX-íot+(1-oL)~cos6¡ +i:|
,,,,
,
1* L RL
2 V R V2 (2.6-11)
PD =;-É-VLmaX -[oz+(1-ot)~cos9T +%:|-ã.'“TL ,

nz:
4
VL _
1
_
‹2.6-12)
V1-'MX a+(l-oi)-cos6T+@2'i
RL
- sen(o)t)) 0 S |sen(cot)| S oi
V¿_____x {oL +ÃI'Ê@'- ,
L
v+(¡) = (2.6-13)
V¿_____,_
-Ú + 5% L
-sen(‹nt)) , oz < |sen(cot)] sl
V¿___a,_ -(-oi -íâëfl-sen(cot)} , 0 S |sen(cot)| 5 oi

L
v_(z) = _ (2.6-14)
V¿___a,_ -(-1-Ãêsfli - sen(o›t)) , oz < |sen(‹nt)| sl

L
respectivamente, parametrizadas pelo fator oi. Fez-se VCE,_,, =0 para simplificação, pois valem as
mesmas consideraçoes feitas para os amplificadores Classe A e Classe B.
Y
1.4 _ _ _ _ _
1 0° _ _ _ _ _ _ _ _ _
90 _
1.2 _ _
8
1 |
u.= 080 B'
_
$`g\
Q
§ 8
=o
.‹›
PD/Pam
9
°' @
É 5° zz=oóo ~
0, |
u =o 0 0 S u=0
0.4. f f
__ 8 u=0
ff
_
z_/Sr'
_
zu _
°2
1o
o
Ô Q Õ 'Q Q UÍ
ÔÕ Õ (Il
Ô ÕÍ Ô¶ ÔÍ Ó Õ Õ Ô is Q ÍIÔ
ÚÕ Õ (fl
__ UI O `.
ÕÍ
.PL/Puma.
. . . . _ _
.PL/PIM”.
_ _ . _ _
Fig. 2.6.3 - Potências médias dissipadas Fig. 2.6.4 - Rendimentos.
normalizadas

1 0.5 -
'
0.45- -1
.
o.az- ' - 0.4-

|
-
I ¡ V
I 0,: 0 Q s ess- . | E -
/ 5
at
.
Lm
._.-\T-
'
.
É
o in LL
\
_
, _
ot=
*.T..
0. oz
i+(t)/1z,,,
E
_
`-_ ‹z= 0.60
~.›,¢-
a= 0.6
3
_
I
Pd+(I)
5
A
oa _
*__
z =oÃ
._.:_.¿....f_
_ `
_,.-
I ‹z=o4o o '- 5 _
.
_ °'
1 _
.-'‹
2
Í/
1 _ I
\
.
'
0.2 _ . | _
¡|
i]
/1
\
-
\
.-=.
0.05 _.H-'___
.I _.-
\ '- ..
"'.
0 .
\ _ _ . _
nl
o 0.2 0.4 0.6 0.a 1 1.2 1.4 1.6 1.s 2 o 21!
v+(t) / Vz,,,,,,, 0)!
Fig. 2. 6.5 - Curvas de í+(t) x v.(t). Fig. 2.6.6 - Potências instantâneas diss/zoadas
normalizadas para Q ¡Q,.
ø A tensão instantânea máxima (v+(r)) aplicada a um braço da etapa de saída é igual a
ø No mais, valem as observações feitas para o amplificador Classe G.
No circuito da Fig. 2.6.2 tem-se a comutação da tensão de alimentação (VCC) e não do
estágio de saída, como ocorre no circuito da Fig. 2.6.1. Desta forma, as chaves de comutação (SW,
e SW2 ) operam individualmente.
A análise para este circuito é a mesma feita anteriormente, tendo-se apenas que rescrever as
equações (26-8), (2.6-9), (2.6-13) e (2.6-14), pois a comutação ocorrerá sempre que VCEM, +v,_ for
igual à VCC, Assim, _ para dispositivos BJT e IGBT, tem-se:
VL mx -(ot + %CÊ§'i - sen(o›t)) sen(‹nt) S oi

mz) z
“W ,
,
(2.õ-15)
VLMX -(l+2-ii-sen(‹nt)), oi <sen(cot)Sl

VLmax

V
V¿max -(-ot -fg-sen(wt)J, sen(cot) 2-oi
= LM*
v_(,) ,
(2.õ-16)
V
V¿maX -{-1-2-Ã-sen(‹››t)}, -ot >sen(cot)2-1
VLmax
para dispositivos MOSFET, tem-se:

'
e,
v+(z) =
VLMX -(ot +
% L
- sen(cot)} , sen(cot) 5 ot
<sen(‹nt)5l
(2.6-17)
V¿max -(l+2-Lyésfl'--sen(cot)j, ot
L
%
G
V¿max -(- ot - - sen(‹nt)) , sen(cot) 2 -ot

= ma*
v_(z) _ (2.6-18)
V¡_mx -(-1-2-E9'--sen(oat)), -ot>sen(‹ot)2-1

VLmax
As Figs. 2.6.7, 2.6.8, 2.6.9 e 2.6.10 repetem as Figs. 2.6.3, 2.6.4, 2.6.5 e 2.6.6,
respectivamente, agora para o circuito da Fig. 2.6.2.
Analisando a figuras a seguir, pode-se concluir:
o Valem as mesmas observações feitas para o amplificador Classe G, pois a tensão
instantânea máxima (v+(t)max) em um braço da etapa de saída é VCC2 + VCC, (Fig. 2.6.9).


1.4 10°
3.
eo
ml!
.
1.2 _
eo
1
“= 0 1o
u= 0 0 6° “__ 0
P ci
80
u= ||||\\
PDM,
04
/ 50 ot: O 60
PD .°
ai
az 0 1° ‹1= o 40
``Ê
I
0.4 ‹ 3°. ‹z= o oo
_¬f :="
_
2o _
E 1
0.2 '
1
V
1o _
O 01 02 03 04 05 06 07 08 09 1
no o'1 0.2 da o'4 o'5 de o'1 da 0.9 1
.PL/PIM”.
. . . . . .
.PL/PIM”.
_ . . . . _
Flg. 2.6. 7- Potências médias dissipadas Fig. 2.6.8 - Rendimentos.
normalizadas.
I~
1 0.5-
Q
045- :
'
~.
o.a `- -
I
I
- 0.4- - ~
H
I/
a=0 Q o R.: uz
lU
/
-vi-\f
PI.mar
1¡,,,¢,
m Pu
/
\
.°
f; ‹1=0bz
\ =0
"'?~'
o 'N ui -
i+(t) ` °' Q»
_ _
zz=oóo
\
Pzl+(Í)/
'
_¶_
O4 N _ _
~
\ a=0'à
.°
\
"="""='“¡'=-¿-
_
\
M:
(!.= 0ks 0.15 _T_'_;`_:
\\
\
dl
o.z- - 0.1
____.'___
\\ a=0'a
\
__
0.05
F.-
\
0 \ O
0 02 ` 04 ` 06 ' 08 1 12 14 ' 1.6 1.8 2 O 21:
'v.(z)/ 0)!
V,,,,;,,
Fig. 2.6.9 - Curvas de í,,(t)i x v+(1). Fig. 2. 6. 10 - Potências instantâneas disslpadas
normalizadas para Q ,Q,.

2.7 - Classe H de Múltiplos Estágios
Os circuitos apresentados nas Figs. 2.7.1 e 2.7.2 correspondem a uma generalização para N
estágios dos circuitos da Fig. 2.6.1 [9] e Fig. 2.6.2 [10], respectivamente.
Da Fig. 2.7.1, pode-se escrever:
PS=2'VCCI'ISl+2'VCC2'IS2 +...+2'VCCN'1sN , (2.7-1)
VCCI =ai'VLmax+VCEsat 1
(2.7-2)
Vccz =°l2'VLmz×+Vc1;mz ›
(2.7-3)
VCCN = aN VLmax + VCEsal

'
1
(2.7-4)
Vccf = 01: 'VLmz× + Vcszzzz Í: 1› 2» ›N

›
(2.7-5)
e _
Vcci
_ Vcsszzi
ob = (2.7-6)
VccN _ Vciszaz
_
,
Assim pode-se concluir que:
N _ (2.7-7)
Ps = 2'2[(°l¡ 'VLmz× +VcEzzzz)'1s¡]-
¡=1
Comparando as equações (2.7-7) e (2.5-7) nota-se que a única diferença entre elas é o fator
"
z' ", que multiplica VCEW, pois agora os transistores não estão mais conectados em série.

Amplificadores de Áudio Classes A. B, AB, G e H.
Q? + Vccz "-
+ VCCI
Controle
RL
‹-C
116* de
to
-v-z
'
Vccr
Circu
Q', '
Vccz -='
Fig. 2.7. 1 - Etapa de saída de um amplificador Classe H, de múltiplos estágios.
'
SWM-1 'Í + VCCN
+ VCC2
SW,
+ VFC
Q,
' I
Tê
Controle
RL
de . _g
VL'LÌ
Circuito
-VCC2
sW', 1
sW'N, _ '
Vcc/v
Fig. 2.7.2 - Etapa de sa/da de um amplificador Classe H, de múltiplos estágios.

Capítulo 2 - Análise para Carga Resístiva 43
Tendo sido a corrente IS¡ dada por (2.5-8), determinada com base na Fig. 2.5.2, e
repetindo-se o procedimento feito para (2.5-9), tem-se:
2~ V V (2.7-8)
,,,
+ ZM2
i
Ps =;t"É'VLmz× (<1f_°*f-1)'°°59r(¡-iü ›
[DHX =
V
<z,._, 5¿<‹z,.
VLmax
_ V
9T(z'-1)=sen l{"%"°°i-1)» ao =o ›
L
oi N _
-l (2.7-9)
i=1, 2, ,N
emzo e em zš,
2 V
pD =_._L_.V
Tt
Lmax
RL
V .Ê I:VLmax
+
=
›-`[V]2
(al._ al._ 1) cos 9 T(¡._ 1)
.
_¿,
V2
2_RL
(27-1o)
:L
L
VL 1
(21-11)
N
Vi +Z(°f¡
,
T] ,
4 VLW”-X VCEsa!
*ai-i)'°°59T(¡-i)
Lmax i=l
e, para PL =P,_max,
= VLMX V 2.7-12 )
+-ügfl'--sen(o)t)j 5 oi,- z=1, ,N (
_
v+(t) -{oi,- , or,-_¡ <|sen(cot)| , 2,

Lmax
G
V
0 2.7-13 )
v_(t)=V¿max {-ot,- -%-sen(cot)} 1=l, ,N (
.
, a¡_¡ <|sen(o)t)|Sot,- , 2, .
Lmax
As correntes instantâneas,--it-(1).--ezi;(t) ,«-easrpotências instantâneas dissipadas, z

P,,,V+-(z)i e
P,,_(t), são definidas como em (2.4-17), (2.4-19), (2.4-21) e (2.4-22), respectivamente.
dispositivos IGBT, como também para os dispositivos MOSFET com a devida adaptação:

Ampiificadofes de Áudio ciaâseâ A, B, AB, G e H.
2 V R N 2.7-14 )
Ps =_'_L'VLmz›‹' _Q`S""+2(°¿i"°*i-1)'°°59r(i-1)
,,,, (
›
'ff
RL RL i=1
2 -V R N V2 (27-15)
PD =__.¿.VLmax
~
+š(a'i._ ai._ 1) cos 9 T('__ ___L._..

. ____D-9°" .
3.
K RL i:
RL Úil 2,RL
nzfi. VL .
1
(2-746)
4 VLmax
{%
R
,
+ /É Ui_°¢i-1)'°°S9T(¡-1%
L
.`.'[V]2
v+(z)=VLmaX {0i¡+-}%'L-sen(u)t)J or,«_¡ <|sen(‹nt)|Sot,- i=l, 2, ,N

(2747)
, ,
9
R 2.7-18 ›
V-(f)=VL,,.a× ~{-‹1,~--ãbl-sen(‹››t)} z=l, ,N (
_
, ot,-_¡ <|sen(cot)|5<x¡ , 2, .
respectivamente, parametrizadas pelo fator N (número de estágios). Fez-se V¿Es,,, =.0 para
simplificação, pois valem as mesmas considerações feitas para os amplificadores Classe A e Classe
B.
Fazendo-se ot,.=Ê, a comutação ocorrerá em intervalos iguais de VL, e não de PL,
diferentemente de como fez-se na Seção 2.5.
o A tensão instantânea maxima (v+(z)) aplicada a um braço da etapa de saída ê igual à
2-VCCN (Fig. 2.7.5);
ø No mais, valem as mesmas considerações feitas para o amplificador Classe G de

múltiplos estágios.

Amplificadores de Áudio classes A, B, Ae, G e H.
- Análise para Carga
VW
Capítulo 2 Resistiva 45
P,,,,,,,
/
Pp
Í
.O
s= OI
G A
\_ _
ä 8
3:
eo
ÃÍ
\ .
z A
~
0 of: ofz ofs 0.4 0.5 oÍs 0.7 ofa 0.9 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.1 0.0 0.9 1
Fig. 2.7.3 - Potências médias diss/:nadas Fig. 2. 7.4 - Rendimentos.
normalizadas.
1 0.5 _,¢\. /._
2= `.
0.45
I
N:
2 N 2
'Í'
.°
na
o L: uz
Z ‹× 2 ‹×
“Z”
(Í)/Pbnax Pu 5\ I;
2 2
.°
i+(t)/l¡_,,,,¢
ea eu
o io uz
Pzr+
0.4› s= B)
_:_ I- 2 _-
E
o.1s§ ii
0.2-
Em .'-*Ê
0.1 ',';\
_'
O \. . . . . .
¡hi1
o 0.2 0.4 0.6 0.a 1 1.2 1.4 1.6 1.a 2 o zzz
v+(t)/V¡,,,,,,. C0! .
FÍQ- 2-7-5 - CUI'V‹9$ de ¡+ (1) X v+ (1) - Fig. 2.7.6 - Potências instantâneas diss/joadas
normalizadas para Q , Qz... QN.
A análise para o circuito da Fig. 2.7.2 é idêntica a do circuito da Fig. 2.7.1, tendo-se apenas
que rescrever as equações (2.7-12), (2.7-13), (2.7-17) e (2.7-18). Assim,

V+(Í)
_
VL max {ot, + V
V
VLmax
- sen(o)t)) , sen(o›t) S0
›
(2.7-19)
V
VLmaX {oL,› +i~iEL'--sen(cot)) , cx,~_¡ <sen(‹nt)Soz,~ ,
i= 1, 2, ,N
VL max
v_(t)=
VL max -(- oil -
g
V
Lmax
- sen(cot)) , sen(u›t) 20
(2.6-20)
VLMX {-ot,- -i-%-sen(o)t)) , -oz,-_¡ >sen(cot)2-oL,« ,

í=l, 2, ,N
Lmax
para dispositivos BJT e IGBT, e
VLMX -
(11 T-
+ RDSon - sen(cot)
L
, sen(cot) S0
(2.6-21)
v+(t)=
R
,
VLMX -{ot,- +i-%-sen(cot)) , ot,-_¡ <sen(oât)S‹1,- ,

i=1, 2, ,N
L
v-(Í):
VL mx -{- oL¡
VLmax -Í-ot i
-R
% L
-i-É-sen(‹nt)j
- sen(o›t)¶ , sen(cot)
-ot i-l
20
_
>sen(‹nt)>-ou i-1
'_ 2 N
›
(2.6-22)
RL
› 1 › › 1 I
para dispositivos MOSFET.
Analisando as figuras a seguir, pode-se' concluir:

*
o Valem as mesmas observações feitas para o amplificador Classe G de múltiplos
estágios, pois a tensão instantânea maxima (v+(z)) aplicada a um braço da etapa
complementar de saída é igual à VCCN + VCC, (Fig. 2.7.9).
Análise. Dimensionamento e Avaliação de Estágios de Potência de

1.4 _
PÔTÊNC|A D1SS|PADÁ
_ _ _ _ _ _
1oo _
_ _
_!/\_
RENÚUVÍENTO
_
/ , _
!L_
_ _ _
\
90`
1.2.
1-
ao
7o
V'
l
E
.Q
.°
cn
PD/Pbnm. .z 5° 1
sr ,
m
.O
'
\ 40
Í
___
\ _
0.4. 3°
v- 2o
'
0.2. I
v ;
1o
°o É1¬ 0.2 o'3 *ol o'5 ole 0.7 o'a 0.9 1

°o di _
o'z
. da
.
o'4
.PL/Pim.
o'5 0.6 o'7
. da .
o'9
. 1
P1./Pzzzzzzz
Fig. 2.7.7- Potências médias diss/zoadas Fig. 2.7.8 - Rendimentos.
norma/izadas.
0.5
'
1 _.r.
,
\
N: ` 0.45
______É¢
2 N 2 sz
2 2
..Í_%¿____
‹-. ‹.
P 9$
/PDM; i...__..¡_.--"'
0.'
/[mz .._._,,............._.ø
2 3 2
_
Oo ou
U1
Í+(I) P,¡+(t)
.° * .°
K,
0.15 '
z
\
.s..f.
__
O . . _ . . __________________ __ A fz...
O 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 O 21:
v+(t) / V¡_,,,,,,
0)!
Fig. 2.7.9 - Curvas de ¡+ (I) X v+ (1) - Fig. 2.7. 10 - Potências instantâneas disslpadas
normalizadas para Q, Q2... QN.

2.8 - Classe D
Esta classe de operação exige uma forma diferente de análise, pois os transistores não
operam continuamente, como nas Classes A, B, AB, G e H (nessas duas últimas, embora haja a
comutação das tensões de alimentação, os transistores operam continuamente quando em
operação), e sim comutando entre o corte e a saturação em uma freqüência muito maior do que a
máxima freqüência contida no sinal de áudio.

A Fig. 2.8.1 mostra a estrutura básica de um amplificador Classe D, onde a onda triangular é
um sinal de freqüência muito mais alta ( fc) do que a máxima freqüência do sinal senoidal a ser
amplificado (fo ), gerando um sinal modulado por largura de pulso (PWM) na saída do comparador.
Mw
2
‹l_~‹›â
Ê lllll
3
V i-
für), Jg:
-
VOD ':
Fig. 2.8. 1 - Estrutura slmplificada de um amplificador C/asse D.
A Fig. 2.8.2 apresenta a forma de onda de um ciclo de comutação, de período T¿
(TC =1/fc ), na entrada do filtro passa=bai×as ("P.B;), onde rs' e :D são os tempos de comutação' das
mudanças de estado lógico, devido a não-idealidades dos transistores.
O sinal PWM amplificado é aplicado à entrada do filtro passa-baixas o qual reconstroi o sinal
de entrada desejado.

Na análise que aqui é feita são consideradas somente as perdas de comutação (Pu,,,,,,,) e de
condução (Pc,,,,,,) por serem estas as mais significativas. As perdas no filtro passa-baixas de saída e
as devido ao atraso no circuito de controle não serão consideradas. Mais detalhes sobre este
esquema de amplificação podem ser encontrados em [27].
Definindo-se o tempo de transição total rC =rS+rD e a razão cíclica D (duty cycle)
D=r2/TC (Fig. 2.8.2), ovalormáximo de D é:
VA
+VDD""
Ot*
i
I
-
É:
i
-VDD i iii
Ís fz:
Fig. 2.8.2 - Forma de onda de um ciclo de comutação.
Dmax =1_i
Í
TC
Entao, o valor máximo da tensao de pico na carga ez
VLmax = VDD Dmax _ 1Lmax

' °
RDSon
T
e portanto:
VDD = VLmax _ l'+ RDSnn

__'RL
max
A perda de comutação, Pc,,,,,,,,, pode ser expressa como (ver Fig. 2.8.2):

Pcomul = Rvubida + Pdescida 1

(2.8-4)
onde:
Í
Psubida
: '7-«L VDD
l '
ILefl
(2.8-5)
C
ÍD
= T' (2.8›6)
Pzzzmzzzz VDD 'Izzy ,
sendo 1L,,¡ o valor da corrente eficaz na carga.
Então:
(2.8-7)
comu! DD Lefl'
TC
Substituindo (2.2-4), (2.8-1) e (2.8-3) em (2.8-7), tem-se:
VL max
2
VL RDSon
L
TC
Pmmm = _
+ _
(2.8-8)
\/E RL'
VL max RL ) 1
_ ti
TC
A perda de condução, 1°,,,,,d, é expressa como (Fig. 2.8.2):
Pcond = RDSon '

2
ILefi' (2.8-9)
OU
V2 R (2.õ-1o)
ñond =í'l}':'~
Assim. a potência total dissipada, PD é: ,
Analise, Dimensionamento e Avaliaçao de Estágios de Potência de

fc
: Vãmax VL l+RDSon)_ TC VL2 _RDSon

_ _
+
RL 1_¡L 2'RL RL
'
\/E-RL V1.mz×
Tc
e a potência fornecida pela fonte, Ps, é
fc
pS =íL.1
V
2_RL
R
(+
.Ê RL Á
. ,/f¿'.V
Lmax
.íC_
T
+ VL _
1_Lç_
Tc
Substituindo (2.1-7) e (2.8-12) na expressão do rendimento n = PL/PS ,

obtém-se:
nz VL 1 1
. _
VLmax 1+&Sl ti
VLmax 1__.tL
TC
A corrente instantânea de dreno, i,,(r), e a tensão instantânea entre dreno e fonte, vDS(t),
em cada um dos transistores, M, e M2, para TL>>Ti e P¿=PLma,,., podem ser escritas por
c to
(Fig. 2.8.1),
ILMX-sen(o)t), sen(‹ot)20 e M1 =on (2_3-14)

(t)_
M1 =ofl
ÍD1 ,
0, sen(cot)<O ou
VDD "VLmz× › M1=0" (2-3-15)

VDSI (Í):
{VDD+VLmz×› -
Mi =0fi 1
para M¡ e ,
ILMX-sen(o›t), sen(o)t)S0 e M2 =on (2_8-16)

D2 (t)_
sen(cot) >0 ou M2 =ofl
Í ,
0,

_VDD“VLmz× › M2 =0Í (28-17)

“Ds2(f) ={ “VDD+VLmz×› M2=0" ,
para M2.
Levando as equações (2.1-4), (2.8-1) e (2.8-3) em (2.8-14), (2.8-15), (2.8-16) e (2.8-17),
tem-se:
'V
(2.s-18)
í-sen(u)t), sen(‹››t)20 e M¡ =on
RL
_
¡D1(Í)=* ›
`0, sen(o›t)<0 ou M1 =ofl
Vmx-L~1+ÊQ~5fl -1, Mlzzm

1_LC_ RL
= (2.8-19)
VDs1(í) 4
V¿max~1+e
1-2 RL
+1, M¡=ojƒ
Tc
(2.8-20)
I/Li-sen(wt), sen(o›t)sO e M2 =on
RL
_
'D2(Í)= ›
0, sen(cot)>0 ou M2 =ojf
Vmax. 4-52% _1 Mzzofif

1-2
,
RL
Tc (2.8-21)
VDs2(f)=
VLW -{_1t--(-1-%'1)+1}, M, =on

1___Q L '
TC
A potência instantânea dissipada em cada um dos transistores, P,,(r), é o produto da
corrente de dreno iD(z) pela tensão entre dreno e fonte vDs(t) Assim, .

Ampiificadores de Áudio classes A, B, Ae,
cs e H.
Pd1(Í)=ÍD1(Í)'VDs1(¡) (2.8-22)
e
Pz1z(f)=ÍDz(f)'VDs2(f) (.2.8-23)
Como obtido para amplificadores Classe A e Classe B, as equações (2.8-11), (2.8-12),
(2.8-13), (2.8-18), (2.8-19), (2.8-20), (2.8-21), (2.8-22) e (2.8-23), aqui válidas para dispositivos
MOSFET, podem ser expressas para dispositivos BJT ou IGBT, substituindo-se a relação RDS,,,,/RL
pela relação VCEW,/V¿m,( Assim: _
p=¿.1@¬/§.V
S
V V
2'RL {+VLmax)
Lmax .¿V,
1-2
LC.
T
+ L (2.8-24)
Tc
_
fc
VL TC
+ VÊ
VL2max
PD =
VCEsa! VCEsaI
_ _
1 + _ _
(2.8-25)
2'RL VLmax
,
\/š'R1, VLmax I/Lmax 1__tQ

Tc
n=L.
V I
.
l
ti
,
VLmax 1+KQE_~fl
VLmax VL TC (2.8-26)
_¿_`/-2__
VLmax 1-2
Tc
= on (2.8-27)
K¿É“-É-sen(o)t) , sen(o)t) 20 e Q¡
¡Ci(Í) = L 9
0 , sen(‹nt) < 0 ou Q¡ = ofi'
VLW- -1-~{1+@'L]-1 M,=‹›n

1-2
,
VLmax
TC (2.8-28)
Vc15x(Í)= V
›
I/Lmax. L{1+É§.Âfl}+] Mlzgfl'

1-2
,
VLmax
Tc
Analise, Dimensionamento e Avaliação de Estágios de Potência de

Pz11(f) = ¡ci(Í)'VcE1(f) ,
(2.8-29)
(2830)
;Ê‹“'“ -sen(o›t), sen(‹nt) SO e Q2 = on
ÍC2 (Í ) : L ,
O , sen(cot) > 0 ou Q2 = ofi'
Pz12(l)= Íc2(í)'VcE2(f) (2.8-31)
Mzzafl
VLmaX.
Li
Tc
Lmax
,
= (2.8-32)
VcEz(f)
Li
Tc
Lmax
respectivamente, parametrizadas para RDS”/RL (ou VCEW,/VLW ) e rc/TC Fez-se fc

. =40× fo.
Analisando-se as figuras a seguir, pode-se concluir:
ø A potência média dissipada máxima PDM.) é função de RDS”/RL

( e rc/TC (Fig. 2.8.3);
o Teoricamente, o rendimento chaga a 100% (R,,S,,,,/RL =0 e tc /TC = 0) (Fig. 2.8.4);
0 O rendimento diminui àmedida que RDs,,,,/RL e/ou tc/,TC aumentam (Fig. 2.8.4);
o A corrente instantânea de dreno máxima (iD1(t),m) é igual à corrente na carga máxima
(ILMX) (Fig. 2.8.5);
ø A tensão instantânea entre dreno e fonte máxima (vDs,(t)max) ê igual à 2-VDD (Fig. 2.8.5);
0 Na condução, a tensão entre dreno e fonte (vDs,,,,) é constante (Fig. 2.8.5);
ø A potência instantânea dissipada máxima (P,,¡(z)max) é maior do que a metade da
potência média dissipada máxima ( PDM, ) (Figs. 2.8.3 e 2.8.6).

ÍÀ
100
\\\ \
1.4 _ . _ _ _ _ _ _ _
9°.
1.2.
°°~
1.
n S' .
'
I*
= 70 .
IC/T¿.=0075 I
ns.. 1.: -
PQ
eo :C/Tc=0.0o
=
_
|
os..
/P1...
L:
P.
= o 05
F ÀQ
'
ic/ Tc 5° usa» -
H
_
:C/TC=o.o25
PD P ao
usa»
=
w
lc/TC =0.025
L
os.. L: -
`
8 /C/TC=o.05
_
' _
1
'I _
L:
K'
rc/TC = 0 oo
›'
usa. -
20. :C/rc=o0 75 _
_
/
Í
0.2
I
/ ./ 10.
\
O ok 3- O. 0. U'
/3- 3* O. 0.
O <›_
Ô Ê 0 0.1 0.2 0,3 0.4 0,5 0,5 0.7 0.0 0.9
.PL/Pam.
"' .,. . . . 'D 1
PL/Pbnmr
Fig. 2.8.3 - Potências médias dissljoadas Fig. 2.8.4 - Rendimentos.
norma/izadas.

1. 0.5 -
0.45
ã
0.8- /R¿=0I5 0.4
IC/T¡_~=0075
R¿,_ç,,,,/R¿=0I0
3 Rm.,/RL = 0.15
tc/T¿‹=005
É =
as _
lc/ 0.075
.°
Ím(1)/Ízzzz
T.:
P.¡1(1)/Plzmzz
Rm.. /RL = 0.10

' i
RD_ç,,,./R¡_=005
0.4'
¡
lc/Tc=0025 3 _ rc/ TC = 0.05 _
RDS,/R¿=000 0.15
Rm.. /RL = 0.05
!¢/Tc=000 1./ rc = 0.025
_
Rm... /RL = 0.00

0.2 -
°~' ~
= 0.00
_
aos _ 1,/ Tc _
0 I _
0 N Í
0 0.5 1 1 5 2 0 2:
v,,,,(z) / V,,,.,;, (DI
Fig. 2.8.5- cun/as de iD¡(Í) X VDs¡(Í) Fig. 2. 8.6' - Potências instantâneas disslpadas
(011 ¡c1(Í) X VcE¡(¡) Í- norma/izadas para M -,.

2.9 - Classe l
A operação em Classe I busca associar as vantagens da maior linearidade, característica da
operação em Classe A, com o alto rendimento, da operação em Classe D. O amplificador Classe é

I
composto por um amplificador Classe A alimentado por um amplificador Classe D [6,7,8] (Fig. 2.9.1).
~
*Vs
Voƒƒul
Q/
_
_'
Vans RL
[\-/ í Vs/.ls H VL N T
Q? Voƒƒxu
+A,
A/vi
É
Fig. 2.9. 1 - Estrutura básica do amp/íficador Classe I.
A seguir é apresentada uma análise simplificada da operação em Classe l_,

uma vez que as
Classes A e D já foram analisadas neste trabalho.
Por analogia com a equação (2.1.1), tem-se (Fig. 2.9.1):
PSA =2'Vz›1íszr 'IQ (2.9-1)
e
_

'
Voflse!
: VCEsa! + Vnec
Onde PSA ê a potência fornecida ao estágio Classe A; V,,¡¡,,,,

é a tensão de alimentação (fixa)
do estágio Classe A; e VM ê a tensão necessária para manter o transistor conduzindo
continuamente.
Substituindo (2.1-3), (2.1-4), (2.1-5) e (2.9-2) em (2.9-1), resulta:
2
VLmax _íVCEsaI
PSA =
RL VL max VL max
A potência média total fornecida, PS, será a soma da potência média fornecida ao
amplificador Classe A, PSA (2.9-3), com a potência média fornecida ao amplificador Classe D, PSD
(2.8-12) ou (2.8-24). Assim:
Ps = PSA + Psp (2.9-4)
e potência total dissipada, PD é PD = PS -PL.

,
PD=PsA+PsD"PL (2.9-5)
Substituindo (2.1-7) e (2.9-4) na expressão do rendimento 11 = PL/PS :
PL
n= (2.9-6)
PSA + PSD
As correntes, tensões e potências instantâneas serão analisadas apenas para o amplificador

Classe A integrante do amplificador Classe I, pois para o amplificador Classe D valem as mesmas
análises feitas naiSeçao 2.8.

Sabendo-se que a tensão de alimentação do amplificador Classe A é
VCCA = Voflse, + VLMX -sen(‹››t), e por analogia com as equações (2.1-14) à (2.1-19), tem-se:
V (2-9'7)
ÍC1(f) =-if*-(l+2y+sen(mt)) ,
vCEl(Í)=VLmax ' 'QLÃ

VLmax VLmax
1
Pz11(¡)=¡c1(Í)'VcE1(f) ›
(2.9-9)
para Ql e ,
V (29 _ 10)
1c2(Í)=ä%“--(-l-2y+sen(mt))
.
‹z.9-ii›
L
vm(,,=VLmax.(_V¿zz¿.L_%_),
VL max L max
P,zz(r) = i¢z(f) -vczz (1) ,

(2.9-12)
para Q, .
As equações (2.9-3), (2.9-4), (2.9-5), (2.9-6), (2.9-7), (2.9-8), (2.9-9), (2.9-10), (2.9-11) e
(2.9-12). são válidas também para dispositivos IGBT, como também para dispositivos MOSFET com
a devida adaptação:
PSA = Vl?max _(RDSon

+ Vnec
)_(1+2.Y)
RL RL VLmax
V max (2-9 _ 14)

zm (1) =2LT-(l+2y+sen(‹nt))
.
(2.9-15)
vDsl(¡)= Vmáx ,
L Lmax

G e H.
Amplificadores de Áudio classes A, B, AB.
Pdi (1) = fm (I)-vz›s1(f) ,

(29-16)
V max (29 - 17)

'D2(f)=5¿-Ie--(-1-2y+sen(mt))
~
L
'
(2'9`18)
vDs2 (I) = VLMX {_À.1_2.1.D%'L__;%]
max
e
P‹12(f)=ÍD2(f)'VDs2(f) -
(2.9-19)
As Figs. 2.9.2, 2.9.3, 2.9.4 e 2.9.5 ilustram as curvas para as potências médias normalizadas
dissipadas, os rendimentos (Classe I), as retas de carga e as potências instantâneas dissipadas
(Classe A integrante do Classe l), respectivamente, parametrizadas para V,m/VLW. Assumiu-se
Ima" = 0, RDS0"/RL = VCEW,/V¿ma× = 0,05, tc/TC = 0,025 .
Analisando as figuras a seguir, pode-se concluir: V
- A potência média dissipada ( PD ) aumenta com o aumento de VM/V,_,,,a,, (Fig. 2.9.2);
o O rendimento máximo diminui com o aumento de VW/VLMX (Fig. 2.9.3);
- A corrente instantânea de coletor máxima (iC,(t)m,,x) é no mínimo igual à corrente na
carga máxima (Jum) (Fig. 2.9.4); i
o A tensão instantânea entre coletor e emissor máxima (vCE,(t)max) é igual à VWB,
(Fig. 2.9.4);
ø A potência instantânea dissipada máxima (Pd¡(1)maX) é maior do que a metade da
potência média dissipada máxima ( PD ) (Fig. 2.9.5). .

~ ~
100
1.6
90.
1.4
B0.
.s
'
1.2 r v =
1 ‹~›‹›. .
PD/Pbnø 0.8 š 5°' '
' ' iii 4°-

05
main
~
_
_
Ã; _
z ao. , , _
I ¡
\ \z
É
2°' '
0.2 \ 1°
if'
_
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 05 . 06 _ O7_ 08
_ O9
_ 1 0 01
. 02
. 03
_ 0. 4 0. 5 0.5 0.1 0.a 0.9 1
P1./Plzmzz PL/P¡,,,,,,
Fig. 2.9.2 - Potências médias dissipadas Fig. 2.9.3 - Rendimentos (Classe I).
normaiizadas (Classe I).
“S ~
IMEZHI -
V,,,,/ V,,,,,, = 0 15
PO
ÍC¡(l)/11,,
VM / V¡,,,_,,
= 0 10
.O
K)
5.;
Pz//ru
F7 à VM/ VU., = 0 05 O 15
VM / Vl”, = 0 00 0.1
0.05
2
° ' ` ' ' ' ' ' '
°0
'
0 0.02 0.04 0.06 0.00 0.1 0.12 0.14 0.16 0.10 0.2 21:
VcE¡(l)/ Vzzmzz .
(DI
Fig. 2.9.4- Curvas de i¢,(1) x v¿‹E,(t) Fig. 2.9.5 - Potências instantâneas dissipadas
(ou i¡,,(r) x v,,S,(t) ) (Classe A). normaiizadas para Q, (C/asse A).

2.10 - Síntese
Comparou-se as potências médias dissipadas e os rendimentos das classes aqui estudadas,

mantendo-se constantes e iguais os parâmetros comuns:
o VCEW, /VLW, = 0,05 (todas as classes)
0 y = 0,10 (Classes A e l)
ø À = 0,20 (Classe AB)
ø oz = 0,70 (Classes G e H, polarização Classe B)
ø RDS”/RL = 0,05 (Classes D e I)
o :C/TC = 0,06 (Classe D)
v Ji-
V = 0,10 (Classe I)
VLmax .
Para os estágios Classes A e D da Classe l, foram atribuídos os mesmos parâmetros dos

amplificadores Classes A e D considerados individualmente.
Através do rendimento 11 e da potência na carga, PL, calcula-se a potência dissipada,
PD=(1/Ti_1)'PL-
As Figs. 2.10.1 e 2.10.2 ilustram as curvas para as potências médias normalizadas
dissipadas e os rendimentos, respectivamente.
Em ordem crescente, a classificação para o máximo rendimento é: Classe A, I, AB, B, G, H e
D, para as considerações anteriormente estabelecidas.

“
Como esperado, os rendimentos das Classes G e H são idênticos até o ponto de transição. A
partir desse ponto ocorre uma diferença causada pela topologia particular de cada uma dessas
classes. -
Uma expressão unificada para os rendimentos das Classes A, B, AB, G e H pode ser obtida
comparando-se as equações (2.1-9),_(2.2-7), (2.3-10), (2.5-13) e (2.7-11). Assim, pode-se escrever:

Capítulo 2 - Análise para Carga Fiesistiva 62
=~
n=Í._K1‹_.X(9Q).y(N).z(y) (2-104)
4 VLmax
onde,
VL
_,\/(QQ)
(2.10-2)
GQ -sen9Q +~L-cos9Q
VLmax
(2.10-3)
Y(N) =
1
N V
“'a.¡'_l + k '~}'COSeT(¡_1):I
Lmax i=1 Lmax
Z(Y) _
_ 1 (2.1o-4)
1+ 2y
O termo X (GQ) determina a classe de operação em função da polarização: Classes A, B e
AB; o termo Y(N) determina a classe de operação em função do modo de operação: Classes G
(k=1) e H (k=0); o termo Z(y) é função de y para a polarização Classe A e igual a 1 para as
demais classes.
Através de (2.10-1) obtém-se diretamente as Classes G e H com polarização Classe A

(9Q=1t/2)0uAB(0<9Q<1c/2).
As equações (2.10-1), (2.10-2) e (2.10~4) são válidas para dispositivos BJT, IGBT e MOSFET,
sendo que a equação (2.10-3) é válida somente para dispositivos BJT e IGBT; substituindo o termo
VCEM,/V¿ma,< por Roso"/RL ,

tem-se a equação (2.10-3) válida também para dispositivos MOSFET.
Neste capítulo foi apresentado um estudo das potências, rendimentos, correntes e tensões
de amplificadores de potência operando nas Classes A, B, AB, G, H, D e I.
Foram desenvolvidas expressões para o rendimento dos amplificadores Classes G e H sem

limitações do número de estágios e com polarização Classe A, B e AB. Através das expressões
desenvolvidas constata-se que o estágio Classe H, comparativamente com o Classe G, apresenta

Amplificadores de Áudid classes A, B, AB, G s H.
uma menor sensibilidade em relaçäo aos parâmetros VCEM, /VLMX (para BJT/IGBT) e RDS”,/R,_ (para
MOSFET). Isso se deve à diferença de topologia dessas classes.
Todas as expressões são obtidas para estágios de potência usando tanto dispositivos tipo
u
BJT/IGBT como MOSFET.
Foi obtida uma expressão geral para o rendimento das Classes A, B, AB, G e H empregando
dispositivos BJT/IGBT e MOSFET.
`
PoTÊNc|A oiss|PAoA
É
2.5`
E
2 _
5.
E
E
PD/Pim,
1.
E E
O 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 O9 1
PL/ PLmax
Fig. 2. 10. 1 - Potências médias dlssipadas normalizadas.
RENo|MENTo
100
" Em ø"
90.
°°~
_»
“ f
--
.-~""
7°* _ .
.H-""
Í
¢- ~
.
.--"". .ú- '_'
.-‹"'.';ø
,
'
LÊ so /_,-/' _
4°
_/
/Í
saí
-
_. _
20- _
1o _
o
o oÍ1 ofz oÍ:s of-1 ofs ofe oÍ7 oÍa ofe 1
PL/Pbnax
Fig. 2. 10.2 - Rendimentos.

Amplificadores de Áudio classes A, B, AB, G. e H.
Capítulo 3 - Análise para Carga Reativa 64
CAPÍTULO 3
ANÁ|.|sE PARA cAReA nEAT|vA
3.0 - Introdução
Neste capítulo são apresentados os resultados das análises feitas no capítulo anterior
considerando~se agora cargas que são utilizadas na prática, ou seja, alto-falantes e caixas acústicas
de uma (alto-falante + gabinete acústico) ou mais vias (alto-falantes + gabinete acústico + divisor
passivo de freqüências).
Como mostrado nos Apêndices A e B, alto-falantes e caixas acústicas têm uma impedância
complexa cuja magnitude e fase variam com a freqüência. Assim, pode-se reescrever a equação
(2.1-7) da forma: i
2
(3.0 _ 1)
PL(®)=~'°°5¢(@)
Onde oâ é a freqüência angular e |ZL(a›)| e q›(oâ) são respectivamente a magnitude e a fase
da impedância, em função de ro. ›
Na análise que segue será estudado o efeito de ZL (ro) no comportamento das classes em
questão. Assim,
IL max :iiiiZL (crílxmin

(3.0-2)
Z VL (3.0-3)
,L
|ZL (¢°)|

Amplificadores de Áudio Classes A, B. AB, G e H.
Para a composiçao da carga complexa considerou se um divisor de freqüências passivo de
três vias, com atenuação de 12 dB/oitava alinhamento Linkwitz-F?/'/ey (Apêndice B, [29]) e com
freqüências de corte de 500 Hz e 5kHz.
Na via de agudos considerou-se um alto-falante (ZH1) com F, =2500 Hz, Q,S =0,2,
Qe, =0,22, RE =8Q, Red =0 e Le =0 (Apêndice A).
Na via de médios considerou-se um alto-falante (ZMD) com FS = 150 Hz, Q” =0,7 ,
Qe, =O,75, Va, =30l, RE =8Q, Red =0 e L, =0, instalado em uma caixa selada (sem vazamento)
com V,, =l0l (Apêndice A).
Na via de graves considerou-se um alto-falante (ZLO) com F5 = 40 Hz, Q,s =0,4 ,

Q” = 0,42,
Vas = 1201, RE = 6,49, Red = 2o×1o-3 - f°›” Q e L, =1o×1o-3 - f-°~3 H, instalado em uma ¢a¡×a
refletora de graves (sintonizada) com Vb = 1081 , F,, =40,4 Hz e QL = 7 (Apêndice A).
A Fig. 3.0.1 mostra as curvas de magnitude e fase da impedância resultantes deste sistema.
Analisando a Fig. 3.0.1, pode-se observar quatro mínimos na magnitude da impedância, com
valores abaixo de 8 ohms, resultantes da combinação divisor passivo/alto-falantes.
Na Fig. 3.0.2 tem-se a potência média normalizada na carga, cuja impedância é a da
Fig. 3.0.1. Nota-se que as regiões em vermelho são os pontos de maior potência, que coincidem
com os mínimos na magnitude da impedância, que ocorrem em torno de 320 Hz e 4,1 kHz, onde
H
também tem-se a fase igual a zero (Fig. 3.0.2).

G e H.
Amplificadores de Áudio Classes A, B, AB,
Capítulo 3 - Análise para Carga Reativa
MAGNITUDE
101
~â,....,~~,.â,._.-_.~--¬¬z:âz›~-zz¬,:....,..~,›:: ._,~-,-z›,, ..~-:f::~z-¡,.._z~z~ .›:z:.;~~, _: ~-._._._z-
[Q] aaaaaa
1°'
5:5:-É a
“.5;«-¬i*;z"*Íz-~=f ¬›-iii f=%5:zj.›:;"'¬Í;;:-Ez
Impedância
tttüi
~
ë
1°:o' 10* 10' 1o'
FASE
a
as
___ Z
_
q---»-
_; V
::;.::íÍm
_¬
....,m....¡._¬
-...¬_. ..
-Ê r: ::_¡_
Í __
g--TI?
[graus]
---
50 Ê gnv* Ívâ âÍ!_

2 .
z
'
Í .
Y E P
: z : z
šââwzw aê
---
"_ _ Í
gula
-5° ~~~~~~~i~" '
"""i""“é”zfTr'r:'2'""'""'^~r"'T"
.An
Í š
E ¿_5_5 . i 3 i aê:
-‹.- -z-
.i.._.,.,
.,._..¿;_
i i
-V _ zz.-._ _.
_,
1'
'
* * * =
'¡ 5 2
|.
Í É i
5..
Freqüencla
1o' 10° 1o'
_! - Hz
_
Fig. 3.0. 1 - Magnltude e fase da Impedância.
PoTÊNc|A NA CARGA
/PLma.x
PL(w)
Freqüência - Hz m. O
«
PL /P¿,,,,,,,
Fig. 3.0.2 - Potência média nonnallzada na carga.

3.1 - Classe A
Substituindo as equações (2.1-7), (2.1-4) e (2.2-4) por (3.0-1), (3.0-2) e (3.0-3),
respectivamente, e refazendo a análise da Seção 2.1, para dispositivos BJT e IGBT, tem-se:
ps =%_{1+KÇ@).(1+2Y) ,
(3.1-1)
*ZL (w)Ln¡n VL max
PD = ~. l+~
|zL(‹z)|m VLW
.(1 + 2Y)_~.coS¢(w)
2~|zL(‹»)|
,
(3.1-2)
1 VL |ZL(‹››)I “““ .
1 1 (3.1-3)
n(‹fl)=--
1+@1+2Y -°‹›S¢(‹››)
- -
T
-
2 { VLW
,
|
ZL(‹››) |
VL max
ic, (1)
= .
(1 + zy + s‹zn(zz›z)) ,
(3.1-4)
V (3.1-5)
vem (t) = V¡_max -(1 +VLÊ”1-sen(o›t + q›(w))] ,
Lmax
icz (t) = -
(- 1 - 27 + sen(o›t)) ,
(3.1-6)
G
V
= VLW -i-1-H-S‹=fl(‹z›f+‹i›‹‹»›)] (3.1-7)
v‹zEz‹f› -
VLmax
Da mesma forma, para dispositivos MOSFET, tem-se:

(3'1_8)
= Všmax .(1+_£l§2"_}.(1+2y)
Ps ,
IZL (o))\mín *ZL (w)|m¡n
V2
+~}-(1 +27)-~-cos¢(m)
2 (3.1-9)
PD(‹n) = ,
VL |zL(‹z›)| '“"' (3.1-10)

n(w) = --
1 .
1 1
- ' -
'<=0S‹l›(w)
2 { VLmax T
,
l
ZL(Ú)) l 1+ RDSon l+2Y
iZL(w)Imin
¡D,(z)=~-(1+2y+szn(mz)) ,
(31-11)
(3.1-12)
VDs1(f) = Vrmzz 'í1+~-S¢fl(@f +<P(f=>))} ,
iD2(t)=~-(-l-2y+sen(mt)) (3-143)
-~-
9
(3.1-14)
vDS2(t) = VLMX .L-l sen(‹nt + ‹p(‹n))} .
Sendo as potências instantâneas dissipadas definidas como em (2.1-18) e (2.1-19), (2.1-27)
e(2.1-28).
As Figs. 3.1.1, 3.1.2, 3.1.3 e 3.1.4 ilustram as curvas para a potência média dissipada
normalizada, o rendimento, as linhas de carga e a potência instantânea normalizada,
respectivamente, considerando-se a carga da Seção 3.0 (Fig. 3.0.1). Fazendo-se Vem, =0 e
Im, = 0 para simplificação, pois valem as análises do Capítulo 2.
Destas figuras pode-se concluir:
ø O maior esforço da etapa de saída ocorre quando a potência na carga é igual a zero;

o O máximos nas curvas do rendimento ocorrem nos pontos de mínimos (fase zero) do
módulo da impedância;
z As linhas de carga formam elipsóides nas regiões em que a fase da impedância é
diferente de zero;
o A potência instantânea dissipada atinge valores maiores do que a potência média
dissipada;
z O esforço da etapa de saída é variável e dependerá da potência aplicada à carga e da
freqüência.
11%(‹››)
Pam)/Pzmz
_
› ›
,"
Ú,
‹/_(z{"us
_
'-
">//‹°*
._ ¬
.V _
°°
Freqüëfllfíll - HZ ..,- .z
'“ P /Pum
1. Frequencia -Hz
-~
,.,- l. P¡_ / P¡_,,.,,,,
Fig. 3. 1. 1 - Potência média dissipada nonnalizada. Fig. 3. 1.2 - Rendimento.
LINHAS DE CARGA POTENCIA INSTANTÂNEA DISSIPADA
rs
` `
'
ÂÚW\
-
»
E
,.
';.__-
=
`
`r
1 ƒ~"m.'_¡l|lj;¿l›`V V..¿.¬¿ -`
/Pzm,
/Íbm,
,_-g ‹.-»
g
¬-
\\Í«¿§',_-
i
.-,_ .. 1 .ll-.» ›‹ -
f
-
›
¿,
l
r
f"
** /:*'l"zfl`z.-=-.
~~'»
,zw
l;~.l~¡\..;
z.»- .
3 -»I ‹ . › i .
.f .
us -i'
.
=‹‹r/' ›|--`^,.'
M
ÍC¡(l) P¿¡(t) '
-' '
~==" ~
“
-
Ii .l
"`¡=-.~*-3.» “«.. ~
.$‹._ f
'
ll‹z.'/ff <;‹'~z^
_-::';~z'..t‹.
fylúl
'1'a\zf."ff^«°“›i! “i'-
\z .» .z ›.. fz-«zzf
. _. ._
. l
-,› .›z-z .z. ,- iii

ll.
H
ri
¬"
¬_.;..z.-~---›;;.-5¬- :gia¬` 'pzvr `~~
l
t
'z-if ..
-.. f
z
›. ._ _ w
×
›
._ z-.._-_ ,. ez-z‹_ .‹
~ ' _
¬*
*
z \z
'
J» :;i‹1'~~::2-i'fz‹f~*"- . ';|.‹\ ,›'}“z›'Ê\\*z .ir

y\
z
'
~`.*;.~.=àzzz. l 1 . vi E k
Hz. ¿:`l'¡l1
\
'
`
«,,..«ueu::::;:\.:..
,l¿:x,'§',‹
¿¿j_;¿-ffg,¿
`
íí
z>fL‹;~ 3
fx
'\..‹f=1‹\‹--2;Ê2,í:-£¿'7>”"
'
" 'i
zí
~
'
'-\.*.'."^-iz'i'âz .`v"“ -
'
. il.
vv .š'§+«~.-«'15-*'==›'=>~f~
-«.z.'*››
A
-fil |l\\\“\\\l«-~".'.~'›'
~."‹‹f¿ i-zl‹w'í""':'::z.a=.~f
`r\%Á
I
›.. "./”l\ uz . -
^-¡ 'mil ¡\\\u\“ll~.¬,z-›'; .l~,¡¡l|~f_l:z'.'› ..
15
'
nl jzlllf.l‹|"' s
”
*
\ll1]¡m|\\\ `w““\l\¬.\\..'.Í'
n, _
.
›
J' '
'
- "L"/"':'\`.l:\\\\\i1_\\i\ìÂ\`\\'^'
na ma 2
as
_»
Frequencia-Hz
.
,ff ll
“ v¢¡¡(I)/ V1”, Freqüencza-Hz ,. -
..,- ll
I
rn!
Flg. 3. 1.3 - Curvas de iC,(t) x vCE,(t) Fig. 3. 1.4 - Potência Instantânea dissipada
(ou i,,¡(t) x vDS,(t) ) de Q,. normalizada para Q¡.

3.2 - Classe B
Com o mesmo procedimento feito na Seção 3.1, para dispositivos BJT e IGBT, tem-se:
(3.2-1)
pS(@)=Z._'Q_.VLma. 1+ä:_âs_‹z¿
,
n \ZL((D)| VLmax
2 V V V2 (3.2-2)
p” (¡,,)=_.íL.V“““ .(1+_C_EI_¢")__a.¢05¡¡,(¡,))
Vim
,
1=|2z‹‹»›| 2~|2L<‹›››l
1']((¡))=.1£.L._V;..c0S(p((¡)) ,
(3.2-3)
4 VLm¡x 1+ CEsal
VLmax
_L-
VL ax -
sen(o)t) sen(‹n t) 20 (3.2-4)
1-C1:
,
|ZL
L
0, sen(w t) < 0
G
V (3.2-5)
sen(oot), sen(‹nt) S0
iam = I
ZL(w)| .
0 , sen(‹n t) >0
2 V
pS ((,,)=_.¿.V
T'
LW |ZL(<°)|
.thlj
R
|ZL(<°)|z..â.z
,
(3.2-6)
2 V R V2 (3.2-7)
Pu(<°)--T?'|7L£'í)|'VLmz›‹'£1+~J-~'°°S¢(®)
,,
,

Ampiificaúofes de Áudio ciasses A, B, AB, G e H.
n((,,) =Í.i~_.__}ëí--cos‹p(w) ,
(3-2-8)
4 VLmax 1+ DSon
iZL((D)|min
VL (3.2-9)
_
sen(o›t) sen(‹nt) 20
im (Í) =
,
|ZL (m)|
0 , sen(a)t) <O
G
VLW _
sen(o)t) sen(‹nt) S0 (32-10)
im (Í) =
,
'ZL (ml '
0, sen(‹››t) > O
Sendo as tensoes instantâneas entre coletor e emissor, dreno e fonte, e as potências
instantâneas dissipadas definidas como em (2.1-18), (2.1-19), (3.1-5), (3.1-7), (3.1-12) e (3.1-14).
As Figs. 3.2.1, 3.2.2, 3.2.3 e 3.2.4 ilustram as curvas para a potência média normalizada
dissipada, o rendimento, as linhas de carga, e a potência instantânea normalizada, respectivamente,

considerando-se "carga complexa" na Seção 3.0. Fazendo-se Vem, =0, valem as análises do
Capítulo 2.
0 O maior esforço da etapa de saída ocorre em alguma região entre as potências máxima
e minima na carga, pois é função da potência fornecida e da impedância de carga;
ø O máximos nas curvas do rendimento ocorrem nos pontos de minimos (fase zero) do
módulo da impedância e em potência máxima;
0 As linhas de carga formam semi-elipsóides nas regiões em que a fase da impedância é
diferente de zero e a corrente instantânea é igual a zero, toda vez que o par
complementar da etapa de saida (Qz, Fig. 2.1.1) entrar na região de condução;
o A potência instantânea dissipada em um dos lados da etapa de saida atinge valores
maiores do que a potência média dissipada. mas e zero durante meio período do sinal;
0 O esforço da etapa de saída é variável e dependerá da potência aplicada à carga e da
freqüência.

N \ zm.
iz
,
_
V
/Pnzzz
11%(¢°)
“Ê ..¢
`
'
¡'/“_
m¡.zm
'
_
_
_
___.--_ ,,,...
_
P»(“')
_
"___ I.
__ __ __ _
_
V
in ,,..».- _-
_
~--_
_ _
_ ,,_,;¡¡..i¬m __ _
Í __
__
vz
-
_
*»~|!f*-.!Ê'_-Í.-___z _z=,¬‹.-.'1;››~›-Ê
'
`
« -,-.:1‹,^\'-'%'» ~_
'
-1-‹_ `,‹_
*_
z. z .‹\__.l;ú.‹à\ë›+*.*'z” .
_,
2("'
__ _
H'
-_/("'
W' M us
nl' ` '
'U "9
KM
_
na
'f
nl
_. Az\“
°'
na
as
M
zu'
,,,
Freqfiëfwifl-Hz ...~ l
f"
Pz/P1... Freqüência-Ifz PL/P,,,..,,
Fig. 3.2. 1 - Potência média dissipada normallzada. Fig. 3.2.2 - Rendimento.
LINHAS DE CARGA PoTÊNc|A |NsTANTÂNEA D|Ss|PADA
'
›
_ _
` À
B, 1//__`_`
. _
A
/Ízmnz
š"l-_ /Pbmz
-
us
'
_
H
|`4Í\_
"
-
(Í) _-'~;
"
.V ~
'
`- _
`
P¿¡(l)
'.*=_¬<,._à_.¡_::_
_, -«
‹
›
_
_
¡c¡ -_\¿ -zz.

>
.¿¿~¿¿f›.'f'âl ._ ___.'×¬¡..
HH
_
-'__ ›_ ›
_
__
H __ _.
_ _ .
_¿~¿_f_,
f-
' ' u¡.:›¡.,` t
) __'fí;
_
._~r'z:_.
'
\‹
'F'
-
..;.=;_.; _
_
_
~-1+.
5'
f'
-
¡ fiz.
y
-`.
i
`.›“Í':_",- -
.
_
.
_ _
H ›:, *H '
'*-_ '
~
'**-*vv--‹-»_z *
-,_.. ._.
»-~_..«_¡,--‹a›::::,,z›_.,.
“sz
Y.
› » V
_
i
O , -
"
-z ~- =z>_\
me
-
" V-_.\\`.' - M,-_ 5;¡.:¿-5,-'5_f;zz_-<_

__
i.`.i;.:“.¿f‹;'~\ _f¿;§§¡,-=¡;ã_'_z_"1/.'z'›'
Fneqüencia - Hz ..,>`../ “1
v¢¡¡(t) / V¡,,,.,, Freqüência - Hz
Ha- 3-2-3 - Curves de i.zz(f) X vnz.(f) F/g. 3.2.4 - Pntênciâ instantânea dissfpzuz
(ou i¡,,(t) x v¡,s,(t) ) de Q,. normalizada para Q,.

Amplificadores de Áudio Claeees A, B, AB, G e H.
3.3 - Classe AB
Com o mesmo procedimento feito na Seção 3.1. para dispositivos BJT e IGBT. tem-se:
2
})S((D)=';'VLm¡x
V ,,,
L max
'SCIIGQ '~+~'COS9Q)
V
mmL
V
L
,
(3.3-1)
PD((¡))=Ê.VLmaX.{1+.~.j. eQ.SeneQ.~+L..c0seQ _._.L.c0s(p((0)

(3.3-2)
VLW
,
zz |zL(‹»)| 2.|zL(‹z›)|
|zL(«›)|min
n(‹fl)=%{V
VL
Lmax J
2
1+ Ã
V
1
V""“”“
'
GQ-sen9Q--í
IZL
+ í-cosGQ
VL
ÍZL (°))|mâ..
1
VL um
'°°S<P(‹fl),
(3.3-3)
img) =
-
z(t)
-~
_ V me .
Ii
ei. sen
H
GQ .
(l+sen(‹nt))+sen(‹nt) .
cos9Q}
›
:(1) 20
(3.3-4)
0, í(t)<0
e
_ V mz» GQ. sen
img): 1(t)-~
-
.
GQ ._
( l+sen(cot))+sen(‹nt) cos9Q:|,
.
1(t)S0
-
_
(3.3-5)
O , i(t) >0
'~+~'COS9Q}
2 RDSon VL max VL (3.3-6)
Ps((0) =;"VLmaX 'SCHGQ ,
PD(o›)=5-V¿m,x-
T'
Ha lZL(“°)|.z.z..
-
GQ-sen9Q--K'-“L+L-cos90` -L-cos‹p(‹z›)
|ZL(°”)|.z.¡.z |ZL(°°)| 2'|ZL(“°)|
(3.3-7)
Analise, Dimensionamento e Avaliaçao de Estágios de Potência de

Ampiificadores de Áudio classes A, B. Aa, e e H.
Mm) = £.(
4
VL
VLmax
2
1~ 1
|ZL(w)|min
_
{9Q
sen GQ
cos q›(co)
|ZL(w)|min
+
V
I/Lmx
cos
GQJ
,
(3-3'8)
= lim» (3`3_9)
i(t) . -
sen GQ -(1+ sen(‹nt))+ sen(‹nt) cos -
i(t) 20
¡D1(Í) = [ZL (C0 6Q:|
,
0 , i(t) <0
e
_ V «zm
ima): i(t)-W
~
_ ÃO.. sen6Q
n
. _ l+sen(cot))+sen(oât) cos9Q}
(
.
~
z(t)s0-
(3.3-10)
Í
0, i(t)>0
Sendo as tensões instantâneas entre coletor e emissor, dreno e fonte, e as potências
instantâneas dissipadas definidas como em (2.1-18), (2.1-19), (3.1-5), (3.1-7), (3.1-12) e (3.1-14).
As Figs. 3.3.1, 3.3.2, 3.3.3 e 3.3.4 ilustram as curvas para a potência média dissipada
normalizada, o rendimento, as linhas de carga, e a potência instantânea normalizada,
respectivamente, considerando-se 'carga comple×a" na Seção 3.0. Fazendo-se À=0,7 e Va,-,,, =0,
valem as análises do Capitulo 2.
0 O maior esforço da etapa de saída ocorre em alguma região entre as potências máxima
e mínima na carga, pois é função da impedância de carga, da potência fornecida e
também função da corrente de polarização;
0 O máximos nas curvas do rendimento ocorrem nos pontos de mínimos (fase zero) do
módulo da impedância e dependem da corrente de polarização;
0 As linhas de carga formam semi-elipsóides nas regiões onde a fase da impedância ê
diferente de zero e a corrente instantânea ê igual a zero toda vez que a corrente
fornecida à carga pela etapa de saída for de sinal contrário e maior do que a corrente de
polarização;

o A potência instantânea dissipada em um dos lados da etapa de saída atinge valores
maiores do que a potência média dissipada. Porém ela é zero durante um período menor
do que meio ciclo do sinal, pois depende da corrente de polarização;
ø O esforço da etapa de saída é variável e dependerá da potência aplicada à carga, da
freqüência e da corrente de polarização.
im
E1
_4 2
""
`
' `
Vi,
'
,.›,\¿_~;¡‹zÍf`.'z,L';i*.*›"'».`~.'-"
É
i
¬~
~
z. t
'
›- .›~::¬.\:›'zz'z».. -›
...-ff* `~~¢f‹~‹.1~f:›.;›.z..~.-.-~=~_.fz
!
PD(°°)/Pumzz ›
. 1'l%(<°)
.-
_
‹'_.‹¿.‹‹- fi›¿¿,.z\ mv V_u_.¿_¬

.
:¡`¡.¿ __
.f
4
às :`
_
›
__ ,
1,. V
,_.»,...i.- .
_›z.~z.»›»‹~
~
_
. . . _
.
“:..-zzw
~
~
'J J
_
H I
ç
1o°>”"':*~'›Â,Í"›' Í '
.
~.,
›-:.-.;.
"
'/‹/Í °°
os
na
Freqüência ~ Hz `:,>l(í<°2 PL /Pam Freqüência - Hz PL /P¿,,,.,,
Fig. 3.3. 1 - Potência média dissipada normalizada. Fig. 3.3.2 - Rendimento.
LINHAS DE CARGA POTÊNCIA INSTANTÃNEA DISSIPADA
E
/zyz/._
pm
r
Í
P/
'×f«;~
/Ízmz
-
'
»'1~I\.;?»~., _-"*-E,
:1
. .
' *
. _
,
`
¡ ~.,
_. ‹¡.‹V.-.*¬.¡._)_ .
|,
¡c¡(f) P,¡¡(t)
lY.,~.+1š;;I-“¬.,i. .,
z~ ~
'
""f3,Í;£.!_,-_f!.;_ ..
tw --'fil J ‹- '
_
\~¬
`
_
~‹«~
`
'n'“¢.. '.
' '
_ -_¬.› .
-zw.
,
». sit.-...«›~-*. ._
~= '
“-1. ^ \..^Í.='ÕÍ"_§.:=..'/'fi._*.'ë.‹_=â2Eäz;,.z_
.
._
-.
4..
m. tz.
.
K
,
V "'~‹:'- ^. -'
r ¬.«',='.«-11-' _/ ,‹¬.›*
'
W 2
-\
Wi ^ÊE‹zZ`~:_`§'‹:2`-Í3`:_\ 11
'
.zf
HZ Vhm FÍVQHÊÍÚÍÚ ' .FIZ

_
- "1 VC¡¡(Í) /
Flg. 3.3.3 - Curvas do i¢,(t) x v¢E,(t) Fig. 3.3.4 - Potência instantânea dissipada
(vu i.,.‹f› x ».,sz‹‹›)parz Q.. "°f'"="==°'=P=f@ Qz-

3.4 - Classe G
Com o mesmo procedimento feito na Seção 3.1, para dispositivos BJT e IGBT, tem-se:
N
_2 VL
Ps(¢°)-;'m'VLmz×'_2; Vcszzzz
°lr"°lr-1+'¡,If“ '°°5 9 r(i-1) ,
(3 .4-1 )
l= [DHX
V
P(0_))=â.L..V
D Lmx Q.-(1. -|-.À .QQSQ T(r-1) _i.c0s¢(w) (3.4-2)
H
.
1-1 ,
K VLMX
1
|ZL((D)| 2IZL(w)|
1 (3.4-3)
n‹‹›››=§-VVL -
-¢‹›s‹››‹‹›››,
Lm § -or,-_, + i)-cos
VCEsal
IMZ 01,-
9T(,-4)]
VLmax
r1_¬
Wi. sen(‹nt) , sen(‹nt) 20 (3.4-4)
A
i+ (Í) = 'ZL (ml ,
0, sen(‹ot) <0
VLMX -{oi, sen(‹nt + cp(‹o))] sen(‹nt + q›(‹n)) S 0

V“““
,
_
v+‹f›= ,
(3.4-5)
V Es ‹1._¡ < sen(cot + ‹p(‹n)) S og
V"'““ 'QI' +¡'7':ímSen(m+*°(°°)))'
{z-L1. 2..1v
ni” -
sen(‹nt) , sen(o)t) SO (3.4-6)
1. ‹f› = lZL<<°>I
0, sen(cot) >0
v_ (t) =
VL mx {- oil -%V
L BMX
- sen(cot + q›(‹n))) , sen(cot + ‹p(co)) 2 O
i
(3.4-7)
V -ou-_ >sen(‹ot+‹p(o›))2-ou
Vw”{_ui_l'%_Sen(W+(p(w)))'
_ I
max
{z' :_ 1.12. zw' ,N

Ampliflcadores de Áudio Classes A, B, AB, G e H.
Ps((0) :E
“
.L|ZL(<°)|
.
I/Lmax .
É íai
f=1
__
a'__l +
ÍZL ('°)|mrzz
.
cos 6T(i_l) ,
(3.4-8)
(3.4-9)
PD(0J)=š'i_V1,mz×š
w l2L‹wl
“Poli-1+l“ °°59T(i-1) ”_V¿“2_°0S<P(<°) ,
zzz |2à‹wlm, Á2â‹wl
mm=§V"- 1
-www» @*w>
ez
IMZ
V¡_max {or¡ +2'-~sen(o›t+‹p(o›))) , sen(‹nt+‹p(a›))s O
_
|ZL(°>)|.zú.. (3.4-11)
V+ (t)_
R ¡_ Í ( 0) ) ) 5 on
+z.~-sen(wt+¢(w))J,
.
0,, i
`V¡_max .(09 {;×= i,<2sen(,mN+<P
-~
G
VLMX {- al - sen(‹nt + ‹p(rn))} , sen(a›t + ‹p(co)) 2 0
V-(Í) = `
-oi,~_¡ > scn(‹nt+‹p(‹n)) -
R (3 442)
VLmax -i-213%-sen(mt+¢(m))}, -
'
- -oz i -oL,›<sen(o›t+ (P (co))
l
ZL (0)) mm
z=1,2,...,N
_
i
r z
Sendo 9,-_, definido como em (2.5-11), as correntes instantâneas como em (3.4-4) e (3.4-6) e
as potências instantâneas dissipadas como em (2.4-21) e (2.4-22).

As Figs. 3.4.1, 3.4.2, 3.4.3 e 3.4.4 ilustram as curvas para a potência dissipada normalizada,
o rendimento, as linhas de carga e a potência instantânea normalizada, respectivamente,

considerando-se 'carga complexa' na Seção 3.0. Fazendo-se N = 2, or = 0,707 e VCEM, = 0 valem as
,
mesmas considerações do Capítulo 2.

Capitulo 3 - Análise para Carga Reativa 78
As Figs. 3.4.5, 3.4.6, 3.4.7 e 3.4.8 são para N=4, com ot, =,/0,25 , az =,/0,50 , o‹3 = ¬/0,75 e
oc, =1 valendo as demais considerações feitas anteriormente.
O maior esforço da etapa de saída ocorre durante a operação do estágio de maior
potência e é função da impedância de carga e da potência fornecida a esta;
O máximos nas curvas do rendimento ocorrem nos pontos de mínimos (fase zero) do
módulo da impedância para a máxima potência aplicada à carga e dependem do
número de estágios;
As linhas de carga formam semi-elipsóides nas regiões onde a fase da impedância é

diferente de zero e sofrem descontinuidades nas transições entre estágios;
A corrente instantânea é igual a zero toda vez que a etapa complementar do estágio de
saida entrar na região de condução;
A tensão instantânea aplicada aos transistores, VCCN -VCC,, é menor se comparada as
Classes A, B e AB;
A potência instantânea dissipada em um dos lados da etapa de saída atinge valores

maiores do que a potência média dissipada, sofrendo descontinuidades durante as
transições entre estágios e é zero durante meio período do sinal;
O esforço da etapa de saída é variavel e dependerá da potência aplicada à carga, da
freqüência e do número de estágios;
Quanto maior o número e estágios, maior o rendimento;
Esta classe de operação se destaca pelo aumento do rendimento na região das médias
potências (na carga);
As perdas (devido a VC,,¬,,,,) aumentam com o aumento do número de estágios.

B
a
1 _
s
a
0.2 s
/PM
n%(‹››) 1
2 '
Pzz(¢°) zz -_.›._.'1;\,:.;:.-;.'.'.~;.:\~-;¿_;_¿§
" ‹~
-
1'-;¢›" ,z V.
'
-
e
.¬.f^
~.{ K1-.\\z_W
'
z
~ s
À'-'
.
~/(1 «/¬
=\
',_/~.
'
,,¡gqI›
M
.
_
'L ›
-
-
/<E5z×na
_.
N
-1
11' Í' '›-~\;\'à'-f"'
/ffu'
ur
-íon
>
Í
›
_ _¿.‹.-'.:‹*'
.ff-1'
" M
In..
Ffeqliêflcifl-Hz z Pz/PM Frzqaê›z¢z'zz›1=1z .,. ..

«
P,/PW
Flg. 3.4. 1 - Potência média dlsslpada normalizada Fig. 3.4.2 - Rendimento (N=2).
flV=2).
LINHAS DE CARGA PoTENc|A INSTANTÃNEA D|ss|PADA
¡
_
rn
rn
'
`
r .'
/Izmø /Fgm
`*
as
'_~'
z z
H] .z.~. . .
.
zi
`.
,
Í+(I) P¿+(t)
§¿§_.~f nf ;_
\. z‹_ .. .. .
A
M `; -a
«ifJgâãä _'
«z ~ \-M \
.A
Õ
_-5.' *› §.'›»~',~-:-, 'T-*~“~'‹>--›_ .e › z
-
, \‹z¡.zz--
3 Í
'í1'..\!!:'=`Ê=.7¡=-
,, `
'
&"~1' 2* 'Í' 'H
H: ¬,
`
› .› ,
.z
1
^'-ge;-›.~,-.._:""'-ff”
\ .
:*
. . .
=.-;.'='-.›° 'z
'
-
-
, _, _
V..
>~">- . '"
H u
'ff `1`*:.,:‹-,:§?¿'-5"
'
ea
'
'
~ if'
ou' .
'
'-f -1: .:;.:§;:.>›;_f»'
"
é
¿.;
-.€:5~5Éí'~f:;› 1
no
.
mv I"
Freqüência - Hz .,- ..
" '"
v+(t) / V¿,,.,,, Freqüência - Hz
Fig- 3-4-3 - Curvas de i+(r) X v+(f) Pflm QzQz (N=2). Fig. 3. 4.4 - Pafêm:/â Instantânea d/ss/pâda
narmallzada para Q,Q, flV=2).

POTÊNCIA DI$IPADA RENDIMENTO
1.›
ut
/Pam
'
né. v
'fI%(<°)
: \\\
un-
Pz›(°°) _ _
'W-
- zw T' ff'
U
z'.1
, _ _
.
.«,.«
' `
"
.
_
M... \«-^
'
'
=
'
.›‹.-.¿¿,~
-
'
`......"§¡_t‹f_'__¿,.
E
“¡\¡\‹¬.-
íf ,zA/í
*
'
...w\\.=.\!~.'-'*.'1-‹-‹›\
¬
:
í-Z KM Z
~
'l ..-,¡¡.úz1\‹-~" '¬=j`.mz-z-:=-"".z:2:Á?‹*‹‹;.-z... ..
~.'‹\'-'â-'-
' " ‹
,,_;-“;'»,_›.._\--.'‹"-‹\""^ .¡.,‹.-.z-.J-"' -
_(-nf, nn
.f ur
W
›.4.z=:.=‹-"
*`
_. na
un' .
nu ml
Hz PL /Pam
4 az
F"eqü”'°"“ Hz
_
' '"
Freqüência P; /P¿,,.,,,
'
zw' o -
Fig. 3.4.5 - Potência média dlsslpada nonnalinda Fig. 3.4.6 - Rendimento (N=4).
(N=4)-
LINHAS DE CARGA POTÊNCIA INSTANTÃNEA DISSIPADA
.I `
na ,
zma /Pzmz
ni
/I
-
. .
F;
3I›\ \
(Í)
.
Í+(I) `
Pd+
.z .z;..f=››.. - `*
. .~.z-¬'=- ›.?f..- Í
._ «
Z
.
z“
""
'
° ~'
:-.f=:›>×-
\
Hu...
-
;-:› ,L
E
.z -.
',..~:f 2
W
-*»'›.«-â=‹!=~^:-*.-.~~â_~¬. E
.z ;*.~›'u
u H
'-"
;.7.~<.¢¡»šE¡Tf‹.%*2;~,»./- `
U' -
-._ ¬.»'›.~ \
~¿›¬::z. f. ,_,f
›.
¡'¿¿.!¢¿ƒ.:K
W
_
«f ~‹ .
Í?-:I
~, 00
`
uu'
nl
Freqüência - Hz ..'
d
z
°*
v+(t) / VD., Freqüência - Hz
F19- 3-4-7 - Curvas dv M1) X v+(f) Para QzQzQzQ‹ F/g. s.4.a - Potência Instantânea d/ssfpzda
flV=4). normalízada pan: Q,QzQ,Q, W=4).
Análise. Dimensionamento e Avaiiação de Estágios de Potência de

Amplificadores de Áudio Classes A. B, AB, G e H.
3.5 - Classe H
Com o mesmo procedimento feito na Seção 3.1, para dispositivos BJT e IGBT tem-se: ,
(3.5-1)
Ps((¡))=2...__E/L;.VL max .
~+š(u.-q¡_l).cO5GT(._l) ,
n
I I
iZL((°)I VLmax ¡=l
PD(Ú)) :iiTt |ZL((D)l

VLmax .iu +š(a|
[VLHÍX
N
._. al-1) c0SeT(1-l)i|
. , __i.
2IZL(m)i
cOS(P((°) â
(3.5-2)
V* 1 (3.5-3)
n‹‹›››=5- -¢‹›s‹z›‹‹›››,
N
-
4 VLm” V
+ Z(<×¡ -Ow-1)' °°S9r(f-iq
Lmax i=l
<P(o›)] S Oii (3.5‹4)

v+ (1) = VLMX {O¿¡ + gCEszzz
_Sen(m +‹p(w))) <2|seI1(°;`:+
_
,
Lmax 1 1 ›
G
S -(Xi (3.5-5)
v_(¡) = VLMX .(__ ai __ Vclisar _sen(m¡_Hp(m))] {:1i-i
<2|SeI1(°:;+(P((D)x
VLW 'z
_
,
, ,
(3.5-6)
ps(m)=£.L|.Vbm.|:|_§Q-*ni + _.l"]2
(°°" '°“"")'°°S9'("'”] '

fz |zL‹w› zL‹‹z›)|,,,,,, _ z
5.» (3.5-7)
P,,(@)=Z.?_VL |.VL max RDST + (ai“ai-1)'°°S9T(i-1)1'ñ'°°S<P((0)
R |ZL(m)
,
.[__í|
ZL(m) min 2' ZL((D

_`[`42

n<‹››› =Í- VL -
1
-c‹›s‹p‹«›> ,
(358)
4 Vmax
-¿a')~*i°"_ +
_'[\42
' ' "

(cx--ou-_¡)-cosGT(-¡)
I2L‹«››I..-.. z
+íRDS°" < ISen(mt + (p(m)x S ui

v¬` (1) = VL “W '
fx- -sen(‹nr+<P(co))J {aH
,N
' ,
z'= 2,
|zL(‹»)|m¡n
(359)
1,
e
S Ow
= VLMX .{_ ai _ <P(co)]
"
v_(m) ZRDsz›n __5en(‹nt+‹p(w))J, <2|Sen(<:¿+
f'
.
L(°”)|zzúz›
‹3.5-10)
'
|
Sendo G¡_, definido como em (2.5-11), as correntes instantâneas como em (3.4-4) e (3.4-6) e
as potências instantâneas dissipadas como em (2.4-21) e (2.4-22).

As Figs. 3.5.1, 3.5.2, 3.5.3 e 3.5.4 ilustram as curvas para a potência dissipada normalizada,
o rendimento, as linhas de carga e a potência instantânea normalizada, respectivamente,
considerando-se "carga complexa" na Seção 3.0. Fazendo-se N =2, or =0,5 e VCEW, =0, valem as
mesmas considerações do Capítulo 2.

As Figs. 3.5.5, 3.5.6, 3.5.7 e 3.5.8 são para N=4, com al =O,25, or, =0,S0, as =0,75 e
a4 =1, valendo as demais considerações feitas anteriormente.
Repetindo-se o mesmo procedimento, agora para a Fig. 2.7.2, obtém-se os mesmos

resultados, bastando-se apenas rescrever as equações (3.5-4), (3.5-5), (3.5-9) e (3.5-10). Assim,
para dispositivos BJT e IGBT
VL max -(oq +%C-E-='1"¿ -sen(oJt + ‹p(‹n))) , sen(oJt + ‹p(co)) S 0

L'“*“
V+ ()
¡ = ,
(3.5-11)
V ot-
_" <sen(cut+q›(o›))sot-'
V¿max- oL,~+i-É-sen(o›t+‹p(o›))
1
V¡_m×
,
z= 1, 2,, N

Vhm-{-ot,--11%-sen(cot+cp(‹n))), sen(‹nt+‹p(‹n))2 0
= LM* (3.5-12)
v_ (1) ,
V -ot~_ >sen(cot+‹p(co))2-‹x-'
VLMX-K-a¡-1-T/Ç-Qi-sen(wt+go(w))},
_
Lma: {i = U2 ' ,N
e, para dispositivos MOSFET,
VLMX- ot¡ +-,(95%-sen(mt+ ‹p(co))) , sen(‹nt+‹p(oJ))S 0

'ZL<°”'‹~›fi‹~ ‹2.5-13›
V ‹z›=
R ot -_¡ < sen(‹nt + ‹p(‹n)) S ‹1,-
VLM '[°“f+"7<'Í.Í%'”“(°°'¬“*°“°>)]› {,-Li, z, N
l
L mm ,
VLMX .{- oz, -~-sen(mt + q›(‹o))j , sen(o›t +‹,o(co))2 0
V-(Í) = -oz,~_¡ > sen(u)t+q›(‹o)) -
RDS (3544)
VLMX. -(1,-i._Z_(:)_;*T"_-sen(oJt+‹p(co)) , -oc,-5sen(o›t+‹p(w))
l z
L mf» ¡=1, 2, ...,N
¢ A tensão instantânea aplicada aos transistores, VCCN -Vccl, é menor se comparada às
Classes A, B, AB, e para a Classe H2, não ocorrendo o mesmo para a Classe H1;
ø Os esforços da etapa de saída também são função do fator or;
0 No mais, valem as mesmas observações feitas para a Classe G;

/Pzw É êÉ
Pz›(°°)
,
Ç
Ffflqliëflf-'Ífl ' HZ P1 /Pb-z Freqüência - Hz ,.,- .,

°'
(Í
H
PL /Pzm,
F7g. 3.5 1 - Potência média dlsslpada nannallzada Fig. 3.5.2 - Rendimento (N=2).
flV=2).
LINHAS DE CARGA POTÊNCIA INSTANTÂNEA DISSIPADA
_
na
`
C7
M .
.
'
z_,.›
_
\_,
:
›
›
_
cs
Lmaz
/Pbmz
'A "
2
I
ÍÊ
F,
t)/I
É .¢r.'?*1ff
f,.,iÂ'
Pd+(z)
Í+(
`¡__"__
3
. _
,
.'{_›§'^-=z$ šf
v
'e
',,¬.z'¬'¬,_‹__»_,fl 1.
**
z‹_;
e
`› Í'*:'r"5'\"',Ê"`Í `§‹Í‹f›.zz'í- ¢rf"" `Íx`~
‹'-;;‹fz:~»\¿¡:‹=v
C
Í-Í' ,.,›\_.,'./.',;""
,fã
'
f_›_›_ ¬_‹'Ê¢,
1
` F;› ¬
~._ -. .V
‹ z
Í*'zf:â:ú`ë;'<»zàzz».1zâäã»:@f%›-
'~' .z
››:i›-:z< '
14
×Q
U "
mv
~
~;.-_ ._ nt
Freqüência - Hz ..," z
“'
v+(t) / V1., F"e<l'¡ê"°`¡“ ' HZ
Fla- 3-53 - Curvas dv Mr) X Mr) para QzQz flV=2)- F/g. 3.54 - Pzúênc/z mmmânââ 4/ssipzua
normallzada para Q,Qz (N=2).
H mÌ
ar-
v
Pz›(°))/Pam
‹¬ ›
If
Freqüência - Hz Pz /Pz... Freqüência - Hz PL /PDM,
Flg. 3.55 - Potência média dlsslpada normallzada Fig. 3.56 - Rendimento flV=4).
flV=4)-

Amplificadores de Áudio Clases A, B, AB, G e H.
._ _
uu
/11,”,
Pd+(:)/PDM:
i+(I)
.-¿_¿ J
=-
zzzz__
F:
_ ___-fi
H
_ _
1`¬" *
vzí' 'V É
_'
':.z~zfê'_‹ Í
~
ii .
_
V
"
:
,
":.`3›"Â.*í;Ê 1
- 17-
›:‹r~_
_..f
. _
-~
. .
› 1,1. 1*
¬ 'ffftí-'**!;z'~;'¡ »¬ ‹
_z`K>s6›
ea...fz
_ 1;,
- ,
._
-_z:~'z_.f. _., _.
cf
'F1'-*Za-:z§zb2.f».';fi¿;í_,. 'ez z
«I v. "°`-‹_,:-, `- `¬~_fif›°_-'/zé' '~».~ -,__
H '”
-
"`¡'×'fÊ.`"
_
lv'
¬' * -
`
I
,,
J "Í
nf
M ,,¡
Hz
Freqüência - Hz ...‹' z
“'
v+(t) / VLW, Freqüência -
Flg. 3.57- Curvas de i+(t) x v+(t) para Q,Q2Q5Q, Flg. 3.58 - Potência instantânea dlsslpada
(N=4)- normallzada para Q,Q,Q,Q, fiV=4).
LINHAS DE CARGA PoTÊNc|A |NsTANTÃNEA D|ss|PADA
na.
l
1
na
zw/V P¡,,,,,
/
/Ibnax
= :r
__.___.. ‹' '›',":'¡§‹-=

Í+(Í) " ¬.×'?"-Ê~ P¿+(t)
*~*¬
`
»_.=r,:i*'= _
¡
.
>`
‹“‹<;' _-._-, ,_
_.¬×^. a z
“' 1-
:
gl.:^, W
`
*
H,
^
.
..¿¡`$z~_._j,‹¿.;;'›¡,›¿¿;:::¿;...‹
”
_{' _. ._
_
° ¿
-".__.›;:‹ :H¬-ig;
'›'›;"«lf-›^_~,~'z.....-..¡\
_¬_` z '_
'
_-__
ÍÍE
i
^:~;`_~_-__. ~
zzz_
,›~,.+_,*;g ¬ _
z
¬
; .r_;¢¡'I.zz..az_~
‹ V
=s- :¬
.¬_
-
., Çgfäfiz.~à;_;';(/flõf-*›
«f
¬'~ ff '
~
,,
H "
W' `Q¬
. `-::›‹z~.::.\×.
cu
W ¡
Freqüência - Hz ,,.- ~, 02
'L'
v+(t) / V¡,...,. Freqüência - Hz
Fig. 3.59- Curvas de i+(t) x v,(t) para Q,Qz flV=2). Flg. 3.5 10 - Potência Instantânea dlssipada
normallzada para Q,Qz W=2).
M5
_
`
nl
flI_
f _- Bi
5 Qi
É
z S.
J»
Pd+(t)/Pbnm
1+(Í)/Iúna
5
« .=.`=:- ..
',¬*í:`z`~*__.Í'tz “TJ, '

`
‹
nz :F
-
31'(f, I-'_ '.›\'

;z_
'
_ .- - - -.
.-a':.
L,
>z ._¡.*.--
1:'
_
_
1- "
=-fz¿¿é›Í3_«'-
A
_ . .
.
° .¬l.1-._ - _~_:__,›'›- z.__

*'¬'§;z-:'1›:_\=.ãà~ü.5`
-;.
-
*
z
\=.'_.
" -=*~f*':"fz;z~ *
'
¿~,./~1í`›
. .
<>,=¿="'›:-31, '°
'vn 1.
_
..f
I1
nf _."
L,
W ,
Freqüência - Hz ,nf
H °'
v+(t) / Van Freqüência - Hz
Flg. 3.5 11 - Curvas de i+(t) x v.(t) para Q,QzQ,Q, Flg. 3.5 12 - Potência Instantânea disslpada
flV=4)- normallzada para Q,QzQ,Q, WE4).

Capítulo 4- Dimensionamento 86
CAPÍTULO 4
D||v|ENsioNAMENTo
4-0 - Introdução
Os transistores devem operar dentro de limitações impostas pelo fabricante' (dados de

manuais) para que se obtenha um correto funcionamento. Em [30], [31] e [32], podem ser obtidas
informações para uma comparação entre as três tecnologias mais utilizadas de transistores de
potência (BJT, IGBT e MOSFET). Um método para dimensionamento via análise do comportamento
térmico da junção do transistor, assumindo que a forma de onda do sinal da potência dissipada é um
trem de pulsos, simulando al operação em regime de "comutação" (chaveando), é apresentado e
discutido.
Mostramos nos Capítulos 2 e 3 que os esforços da etapa de saída são funções da classe de
operação, da polarização, das perdas e da carga (função da freqüência); e os resultados gráficos
das potências instantâneas dissipadas P,,(t) mostram que o dimensionamento térmico baseado em
um trem de pulsos, não corresponde à complexidade dos esforços envolvidos.
Assim, da mesma forma que em [10], usamos modelar o efeito térmico desejado pela
filtragem do sinal de potência dissipada (P,,,(t)) através de um sistema linear invariante (equivalente
térmico) representando o sistema transistor-dissipador-ambiente. Assim, pode-se obter a
temperatura instantânea de junção (T,(r)) do(s) transistor(es) envolvidos no processo.
4.1 - Limitações dos Transistores
As limitações dos transistores são dadas através da "Área de Operação Segura" (SOA - Safe
Operating Area) fornecida pelo fabricante. A SOA é um gráfico de IC ×VcE (para BJT e IGBT), ou
ID×VDs (para MOSFET), onde são dadas as limitações de corrente (ICM ou IBM ), de tensão

Amplificadores de Áudio Classes A, B, AB, G e H. V
Capítulo 4 - Dimensionamento 87
(VCEW ou VDSW ) e de potência (PDM ), para uma determinada temperatura ambiente (TA) ou de
case (invólucro, TC) [33,34].
Desta forma, deve-se ter para dispositivos BJT e IGBT que,
1`c(f)mz,< < law ›

(4.1-1)
VCE (t)max < VCEMLY › 1 -2)
e, para dispositivos MOSFET que,

¡D(f)mz× < JDM (4.l-3)
G
VDs(f)mz× < VDSW -
(4.1-4)
Para todos os dispositivos (BJT, IGBT e MOSFET), deve-se garantir,
PDmax <PDM¿x
Tmzx < TJW ›

(4.1-6)
9
TJ(f).z.z× <TJ,,zz ,_ (4.1-7)
onde T,m,,,, e T,(t)m,,X são as temperaturas média e instantânea máximas de junção e TJW, e TM
são as temperaturas média e de pico máximas permitidas na junção (dados fornecidos pelo
fabricante).
4.2 - Circuito Equivalente Eletro-Térmico
A partir da Tabela 4.2.1 [35] pode-se construir um circuito eletro-térmico que representa um
transistor acoplado em um dissipador de calor (Fig. 4.2.1):

Capítulo 4 - Dimensionamento
GRANDEZA TÉF‹M|co ELÉTRlCo
Temperatura "C volt
Quantidade de Calor joule (watt-segundo) coulomb (ampère-segundo)
Fluxo de Calor wäif ampère
Resistência Termica .°C/watt ohm
Capacitânoia Termica joule/ "C farad
Fonte de Calor Elemento dissipativo Fonte de corrente
Ambiente Planeta de médio porte Fonte de tensão
Tabela 4.2. 1 - Analogia termo-elétrica.
_|_s_o|_AooR o|ss|PAooR
*ff
_T_f3_;_\[×;s_|_s¿to5 ____________ _
Ra
5.
ÊT,(z) RJ; TS(z) Rsz TCU) Ê
tÍ°¬lf“l;ƒ“l..
ii
P,(z)§ c, cs Rm É
5 5
i i i :fa-c
ÊTA
è
Fig. 4.2. 1 - Circuito elétrico equivalente te'rm/co de um sistema transistor-dlss/2;ador-ambiente.
Onde:
P,,(t)
- Potência instantânea dissipada;
T, (r) - Temperatura instantânea de junção;
Ts (1) - Temperatura instantânea no substrato;
TC(z) - Temperatura instantânea no case (invÓIucro);
T,(t) - Temperatura instantânea no isolador elétrico;

TD(r) - Temperatura instantânea no dissipador de calor;
TA -
Temperatura ambiente;
R,S -
Resistência térmica entre junção e substrato;
RSC - Resistência térmica entre substrato e case;
RCA - Resistência térmica entre case e ambiente;
RC, - Resistência térmica entre case e isolante elétrico;
R,D - Resistência térmica entre isolante elétrico e dissipador de calor;
RDA - Resistência térmica entre dissipador de calor e ambiente;
CJ - Capacitância térmica de junção;
CS ¿Capacitância térmica do substrato;
CC - Capacitância termica do case;
C, - Capacitância térmica do isolante elétrico;
CD - Capacitância térmica do dissipador de calor;
CA - Capacitância térmica do ambiente (CA = oo ).
Os pontos de interesse para este trabalho são: a temperatura na junção, a temperatura no

case, a temperatura no dissipador e a temperatura ambiente, sendo a primeira a única que não é
medida diretamente. Assim, pode-se simplificar o circuito anterior para (Fig. 4.2.2):
TRANSISTOR
''''' '''''''' ISOLADOR DISSIPADOR
''''''''''''''''
"kz
E
í"'1è;,'"Ê
o_¿Tz‹f) l:ITz‹f›
É
¿_¢T,,(f›
¿_¿
i -
. .
;
. . '
, |
'
,
‹ 1
i
Pm
:
'
|
' l
I
I
1 I
'
¡ |
Rui
%C. %C. j
l
'
%C.,
. z
, .
1
= ›
| 1
. _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ . _ _ _ _ _ _ _ . . _ _ _ _ _ _ _ . _. ¬__________. ___._.›
ÊT~
Fig. 4.2.2 - Circuito elétrico equivalente térmico, simplificado.

Capítulo_4 - Dimensionamento 90
Onde os valores de RJC, C, e CC são fornecidos pelo fabricante do dispositivo; RCD é
fornecida pelo fabricante do isolador elétrico; RDA e CD são fornecidas pelo fabricante do
dissipador de calor; P,,,(t) é calculada através das expressões desenvolvidas no Capitulo 3 e TA é
um dado de projeto.
Todas essas grandezas são comuns aos dispositivos BJT, IGBT e MOSFET.
Para análise do valor médio da temperatura, as capacitâncias térmicas passam a apresentar
uma reatância infinita, considerando-se apenas as resistência térmicas (Fig. 4.2.3).
TRANSISTOR ISOLADOR DISSIPADOR

ÊTJRJCTCÊÊRCDÊÊTD
0-ça:|x¢Ó|:|¢:|;:
1
'
'
PD É
| i
›
R,,,, E
| v
.
l
'
«
.
1 1
o-q
~
.
.
; ;
.
.
o 1; .
ÊT»
Fig. 4.2.3 - Circuito elétrico equivalente térmico, slmplificado, para regime permanente.
A partir da Fig. 4.2.3, pode-se escrever:
TJ=PD'(RJc+RcD+RDA)+TA› (42-1)
ou ainda:
TJ :PD 'RJC *Tc -

(4.2-2)
Que sao as expressoes para o cálculo de T, em regime permanente de operação, a partir
dos dados de projeto ( PD RJC RCD RDA TC e TA ).

, . , ,

4.3 - Análise da Temperatura Instantânea de Junção
Por analogia ao apresentado em [30]. [31] e [32], aplicou-se ao circuito da Fig. 4.2.2 uma
onda quadrada (P,,(t)) com potência de pico igual a 1 W, considerando RJC =RCD =RD,, =l “C/W,
C, =o,o1 J/°c, cc =1 J/°c, CD =1oo J/°c, TA =2 °c e LW =3 °c, e verificou-se, através de
simulações (Figs. 4.3.1 à 4.3.7), o comportamento da temperatura em cada um dos pontos de
interesse (T, (r) TC (1) TD (1) T, e TA ).

, , ,
Variou-se a freqüência e o duty cycle do sinal aplicado e constatou-se:
ø Em baixas freqüências T,(r)maX >> T, ;
ø Em altas freqüências T,(t),m 5 TJ;
0 Quanto maior o duty cycle, maior será AT,(t).
Como mostrado nos capítulos anteriores, a potência instantânea dissipada (Pd(r)) pode
atingir valores bem maiores do que a potência média dissipada (PD(‹n)). Caso seja considerado
apenas PD(m), o resultado poderá levar a um subdimensionamento da etapa de saída, fazendo com
que a máxima temperatura instantânea na junção (T,(r),m) ultrapasse TJW (Fig. 4.3.1); caso seja
considerado apenas P,,(r), o resultado levará a um superdimensionamento, pois esta é uma

condição de extremo (Fig. 4.3.7). Deve-se, portanto, considerar, simultaneamente, as duas situações
anteriormente expostas, pois em regime permanente a temperatura de junção (TJ) é a temperatura
média na junção (T,(r) ), que por sua vez é função da potência instantânea dissipada (P,,(r)), e das
constantes de tempo características do sistema transistor-dissipador-ambiente; situações estas

.
mostradas nas Figs. 4.3.1 a 4.3.7.

G e H.
IO Hz & 50% dufv cycle IOHz 8‹ 20%duiycycIe

40 do
3,0 _ fz... fff) _______ __

Í
3.0 _ .Tem . . _ . . . _ _ _ _ . _ . . . . . _ . _ _ _ . _ _ _ . _ _ _ _ _ _ . . _ _ _ _______ __
T1 T,(1)
T.
20
Tz,(f) =Ti = Tzz(l) = T..
T1-(I)
P,(:) P.(‹)
IO \ 0
_ _*Í~ ..................... _ _
____________________________________ __
O . O
Os 20m; 4 gm; som; aum; 100m5 Os 20rm 40ms óürns BOms I00ms
Tempo TemD0
Fig. 4.3. 1 - Temperatura instantânea de /unção Fig. 4.3.2 - Temperatura Instantânea de junção
(10 Hz @ 50% duty cycle, 1 W de pico). (10 Hz @ 20% duty cycle, 1 W de pica).
100 Hz B: 50% duty cycie 100HZ&20%dUTYCY¢le

40 4°
39 __1;J“_“L-_- __________ 3.0 __T.z›z‹~_____--________________________-_______ _______

T,(|)
_ .T¿ _ _
.
ri ›
T,(1)
20 20
Tzz(f)
= T. um =r..‹f› =T.
P.(1)
'
P,(i)
Íj”~|~|"Hiiisissisiilsdidl~iH~
20ms 40ms
Tempo
wma 60rns 00ms Â s‹».H«íL-HseHsseflesflsHAFAUFFFAHAAF
Züms 40m:
Tempo
60m; Bcms IDOrm
Fig. 4.3.3 - Temperatura instantânea de /unção Fig. 4.3.4 - Temperatura Instantânea de junção
(100 Hz @ 50% duty cycle, 1 W de pico). A
(100 Hz @ 20% duty cycle, 1 W de pico).

YOOOHZ & 50%du1ycVCIe IOOOHZ 9: 20%duIyCVCIe
40 4°
3.0 - T./u_u ____________________ _ _ _ _ ____________________ 3° __1;¡u_.‹¿ ____ ____________ ____________ ____ ____________ _ __
T, ____ _____- -_T«(')____
- - - --
-----ñ--44:: ff* f Y ¬ - ¬-- -~'¡""*'°"'‹“="¡'~~'~-'='= --'='-
20
r,‹z) -_ Téä; __ _ TIO)
___________________ _ _
2. I
Tz›(l) =T. Tz(1) =7`.z(f) =T.
i%fiWfl¶+¶i¿íM¶UHU¶UHMHM
1.0
gi
O Ê;
2
íí
~ ›
Fig. 4.3.5 - Temperatura Instantânea de /unção Fig. 4.3.6 - Temperatura instantânea de /unção
(1000 Hz @ 50% duty cycle, 1 W de pico). (1000 Hz @ 20% duty cycle, 1 W de pico).

G e H.
/
Resposta do Degrau
Ó .O
TJ TM)
/
5.o~
4.0
Em
30 _______________ _ _ um
T.
'
2.0
PD=P_,(t)
1.0'
Os 0.2Ks 0.4Ks 0.óKs 0.BKs '|.0Ks l.2Ks
Tempo
Fig. 4.3.7- Temperatura Instantânea de /unção (resposta ao degrau, 1 W de pico).
Nas Figs. 4.3.1 a 4.3.7 a temperatura media de junção (TJ) representa o valor médio dentro
do intervalo de 100 ms.
4.4 - Associação de Transistores
A Fig. 4.4.1 mostra o circuito da Fig. 4.2.2 adaptado para NT transistores, para a qual pode-
se escrever:
Pág) = PX?? ,
(4.4-1)
R'DA = Rm 'NT (4.4-2)
G
c
CD ,
:Í T
_
(4.4 _ 3)

Onde P,}(z) é a potência instantânea dissipada em cada transistor, R5, e C'DA säo,
respectivamente, a resistência térmica e a capacitância térmica do dissipador "vistas" por cada
transistor e NT' é o número de transistores associados (Fig. 4.4.2).
-------- -ams, --------- --z

em
f
Rzf nto Rc» 5
,I I.
_ , _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ , _ . . , _ _ . _
,
._
'''''''''''''''' "
.
''''''''' "TRSz ''''''''' ":
nm
í
Rc» fm)
:
.1T,‹f›Rff
o [:] n
1
lo
z‹
o
.
%›.‹f› C, C. C. R,,..Ê
Q ii '
I,
. . . _ . . _ _ __ . _ _
.
._
.ii K
_ . . . . . . . . . . . . _ _ __.
l | | E-T,
'_
I
I I l
-------
TRSW --------
'
--
-_-_L
um
z-
arm Rr Rc» I
Lf L1 É
èí ÍC 3
Fig. 4.4. 1 - Associação de transistores.
šfm Rm nm o
IE;
Rc» 'T,,‹f›
o q [:| :I o
II ÊI
P'.›(f) Cz CC C'z› Riziš
, ii I, Q ii
ÊTA
Fig. 4.4.2 - Circuito equivalente térmico para um transistor, em associação com NT transistores.

Aqui, foram considerados transistores casados e a associação feita de modo a permitir uma
distribuição uniforme da potência. Na prática, dois procedimentos são usados para promover o
casamento entre os transistores. O primeiro é a seleção prévia dos transistores (parâmetros
semelhantes) e o segundo é a introdução de uma pequena realimentação negativa no circuito
(resistores de emissor/fonte).
4.5 - Cálculo da Temperatura Instantânea de Junção
A impedância ( ZT(s) ) vista por P,}(t) é dada por (Fig. 4.4.2):
A-s2+B-s+C (4.5-1)
ZT(s)=s3+D-s2+E-s+F
onde:
Az;
Cr
,
B: RCD+R})A +
1
+
l
CJ'CÊ›'RcD'RbA CJ'Cc'RcD CJ'Cc'RJc

,
C: RJC +RcD *Riu

CJ'Cc'Cb'RJc'RcD°RÂ>A
,
D: 'RCD+R~D,,, +
1
+
1
+
1
CD 'Rca 'RDA
a
cc 'Rca CC 'RJC CJ 'RJC
F=~
E: RJc"'RcD+RÃ>A + RcD+R'D,‹i
+
1
Cc'C;›'RJc'R‹:D'RÍ›A CJ'CÍ›'RJc'RcD'RbA CJ'Cc'RJc'RcD
G
.
CJ'CC 'CD'RJC 'RCD'RDA

_
A temperatura instantânea de junção, T,(t), é calculada através do produto convolução
entre a potência instantânea dissipada, P¿(z), e a resposta ao impulso do sistema, ZT(t). Desta
forma:
T, (f) = Pá(f) * 210) ,

(4.5-2)
onde ZT(t) é a resposta ao impulso do sistema ZT(s.), obtida pela transformada inversa de Laplace
[36] (4.5-3), Assim:

°*f°°'
1 S (4.5-3)
z,(z)=-ZE, [zT(.‹)-zflds.
O'-joo
Na Fig. 4.3.7 constata-se que as temperaturas atingem os valores máximos (praticamente)

após 600s, o que implica em um tempo de processamento muito grande.
Fazendo-se simulação com 1200s de duração, para as mesmas condições de Pd(t) da
Fig. 4.3.1, constata-se que Í¬}(t):¬PD‹(R,C +RCD +RDA)+TA =T_, (equação (4.2-1)), e que T_,(t) só
será igual a T, em r_›‹›o (Fig. 4.5.1), onde T,(t) é ovalor médio de T,(t).
fg.4ó5~
-
:
Temperoturo Instantâneo de Junção (opós 20 min.)

5.0 ~
404
TÁ 1 )
3.0
T^
2.0
1.o‹
Em
z›,,
O . . .
`
_ . .
1 199,908 1 199,925 1 199,945 l 199,965 1 199.985 1 2005

Tempo
Fig. 4.5. 1 - Último ciclo da temperatura instantânea de junção após 12005 de simulação.

Portanto, calculando-se T,0(r) (T,(z) para TA =0 °C) para o primeiro período de P,,(r) e
sobrepondo TJ0(t) à TJ, obtida a partir de (42-1), determina-se o valor de T¡(t) para t -›oo (Fig.
4.5.2). Assim,
T,(z)|Hw = T,0(r) - EW) + T, , (4.5-4)
-
Tm (t) = T = periodo de Pd(t) (4-5 _ 5)
1 ,
ƒT¡0(I) -dt , ,
onde:
T,(r)|,_m
- Temperatura instantânea na junção para t-› ao ;
T,0(z) - Temperatura instantânea na junção para o primeiro ciclo de P,,,(r) e TA = 0 “C ;
- Valor médio de
~í
T,0(t) TJ0(t) _
Temperatura Instantâneo de Junçöo (primeiro
í'
ciclo]
5.0
TJ(t)=TJi›(t)'TJø(t) + TJ
\
4.0-
T,=3.5 "C
0/
.
T¿+T_,0¡,¡
3
P'""
1 .o-
z›,,
O `
Os 20ms 40ms ó0ms 80ms lO0ms

Time
Fig. 4.5.2 - Demonstração de T,(1) calculada a partir de T,,(t).

G e H.
4.6 - Temperatura de Junção para as Classes A, B, AB, GeH
A partir do produto convolução entre a resposta ao impulso ZT(r) do circuito da Fig. 4.2.2
(considerando os valores dados no item 4.3) e as potências instantâneas dissipadas P,,(z),
juntamente com as potência médias dissipadas PD(w) (Capítulo 3), de cada uma das classes
consideradas neste estudo, foram calculadas as respectivas temperaturas instantâneas de junção
T,0(z) e T,(f)|,_m.
Para o cálculo de T,(r)|,_m foi considerado a metade dos valores máximos de PD(co)
(máximo esforço), pois considera-se apenas um dos braços da etapa complementar de saída.
Os gráficos resultantes mostram as curvas relativas às temperaturas instantâneas de junção
T,0(r) e T,(r)|,_m normalizadas pela potência dissipada na carga (PW, ). Por simplicidade e sem
perda de generalidade, considerou-se TA = 0 °C .
As figuras mostrando T,0(t)/Phm estão localizadas â esquerda, e as que representam
TJ (z)|,¡_,,° /P,Lmax àdirena.
Analisando as curvas de T,0(r)/PLMX pode-se observar a redução da influência de

, P,,(t) na
temperatura instantânea de junção à medida que a freqüência aumenta, mostrando que os maiores
esforços (temperatura) da etapa de saída (devido à Pd(t)) estão em baixas freqüências; o quanto
Pd(r) influenciará T,(r) dependerá dos valores atribuídos aos componentes do circuito da Fig. 4.2.2.
Em altas freqüências, quem determina os esforços (temperatura) é a potência média dissipada
( PD (03) )- `
Desta forma, fica clara a necessidade de uma análise conjunta da temperatura de junção a
partir das potências média ( PD(oâ)) e instantânea ( Pd (1)) dissipadas.

G e H.
Amplificadores de Áudio classes A, B, AB,
Classe A _
Classe A 6
/Pim»
F
Í
/PDM,
T./a(f)
r T_;(t)
.z"z‹'
~<.
‹
F"q“°"°'-“ ` H Freqflêmia - Hz
Fla- 4-6- 1 - Tfimpflmfvffl /flslflflfãflflfl dfiivflfãv P212 Fig. 4.6.2 - Temperatura instantânea de junção para
o prlmelro ciclo de P,,(t). ¡_,¢,_
Classe B Classe B
L;
_.
I
mw..
`
,'
1.' - -~
«WH
_
¿w\=*`^ LW'-'V
V
~
'
= í~ -
H
'z=
.
...zw-¬~*l~;
.
`
¬
Ê
.z .
T_¡(f)/P¡_m_¡
l.
TJ0(Í)/Pam
Í '
...l:'_` `.'
_,_:.... .,
_ H
- .›.
É
'.'
I;`j:"¿L
u
'
-‹:V='¬f'1'Í°¿«E3`¬:.f'Í'
'l'
¿`^fT"¡'l* .l ‹
.zíà
2»
-L-Ja
É -z
.¿s_,_._‹ % ll .W ¬ ~.l H§.la\.,,›, M_`
Vw
V,
Y
_ , .¶_‹;.¢\ .
F' ›' :«,›.j‹›¬'f‹l ›f»"f.>|~ ll

l
--l
. ~\- >,,f.=M'*,v_,;.llz-- -,`¿.)\:¢_\~:,«,‹,z?°¿>
,_
1 › ›
-. *~.:~'^ll*" a»‹f:«;,:".~â
__,.›.z-_« `_‹~~L ',› z-››~,f'='»_ ,"..¡;- w.f,›:.z-- -
//‹°
l
Í`‹`~›'‹" .› .~.¡l#¿',$'y'7i'...Lw,
_
,
«W
'z:zn'\‹*.‹‹*‹1.'f.=,;¬› _
v ›~"_` V.'_"`\\ __}_¡ lj/Ill”

~'^“ zf<z
_. z
._ ,,¬
'_,4
Àzffí
,
'
^fí:~';-‹‹âf›~: -
"*x""*~..` '
,>‹:”
\¿›¢í~\,\l.›,-':Ê;§L1z'fv7Í"'Ê""('¡"`
›
V
*
<'
Freqüência - Hz mt Freqüência - Hz _?-“Ç cot
Fig. 4.6.3 - Temperatura Instantânea de /unção para Flg. 4.6.4 - Temperatura instantânea de /unção para
a primeiro ciclo de P¿,(t). t-›‹×›.
Classe AB Classe AB
_'
-'*¬_
-_..¡_¿-“,‹»"
'
_ _ _z _.?.`.~;._¡':.'.-
¬
°§‹¿^_ .
~*
¬§*¬..› “fz
> =«-›~=--* “H _-
" -ga
=f~'‹ -. ‹
›T
V
. .
-'.‹^'°›"
'
r-
Y*
'›..›'-`.'~
\
1
~ =~ mz"»';-.-~" ^ .us
,›'\-~L;›-'.¬'--'- '
~‹.~
'
-:Y .1z»r\“` -~
/Pam:
`
/Pynfl
?zl›\.zz› °*=¢‹a.:»~- -
¬w~."-*".m `Í. ._
'
.
U ;,¡..y¡.«m_ ..
6
_
-ll->~\ li,--.'_.l" ;=
TJ00)
- T_¡(l`)
.à
›=""¿§«._
'V
“/<×“"Í, E
Freqflêrria - Hz (ot Freqúêrria - Hz ,T-*ff '

(nt
Fig. 4.6.5 - Temperatura Instantânea de junção para Fig. 4.6.6 - Temperatura Instantânea de /unção para
0 primeiro clcla de P,,,(t). t-›‹×›.

Classe G Classe G
›` "
||1` A _'
u›`,_
i
_
'
` `
~~w*:ar“~m:f\ _. ~.
/f>,,,,,,__
.n«›~..:'.*"
'
/PM nu .....\-»:'r'min=W- .«
..z_r›
Y
=
_
__,«..¢«zW1_,\z':\L- __,..__¿-.'~__\_.___-_»._.¬_-.~.~ __
._
Mr) mz)
eu W-“" ¬ zu
vv-,v'T...¬-*
~*=T»*~‹*‹~*.*'~"f~*'-
'
_.-“.‹' '
'*‹.
«¬u.m*¬'- _
“
‹
"~
_
IRL v '.~-\f“¿"*_ 1-*

..z,‹,:‹~:à.ró' m,.,.‹z~›_^¢ .z '_
HW
-. i
,_
g _
vz
`-`~
'
..~'
' -' ›‹ zw-~
*f;.z=,-'1
_
.Hz .
.›
.zi
`|:|n._»'"'-›"
x*~×
"
/.Ã°
`
'n\¡_¿,.\_.~¿ê..nt?'H :__,.___-_ _
,_ ___.,
__
'
‹z~'\\uM..'i =~~,â'/%'¿211zL,.L,,.»~
\ =`.‹ƒ',.~ " ' '
. z
.‹/f
'f\"*~ ",‹f Í J
J
Freqüência - Hz Freqüência - HZ ._-“T

'
mt
Fig. 4.6.7- Temperatura Instantânea de junção para Fig. 4.6.6 - Temperatura Instantânea de junção para
o prlmelro ciclo de P,,z.(t) flV=2). t-›‹×› flV=2).
Classe G_ Classe
7
us ni _ z_ =
“__ ,
›
›l
“ _. -
"_ »,... _.
"
_
` _
Plmm' Plrnax
~
i5W""""1_||\%, u1__-É
f
~
/ /
mm
°° ‹ '|¡ .`|1ÍL|Ê'!"'ë__=¬`“?"Í”,*
¡"*l"r.
à
W
*HI-1~'|.[.'-!:"` "__ ,'¡'""f.
'ul
.
|.'| Jr,
TJ¡;(t) T_¡(t) -1
1 -.~ .H ¬ ._
1- _
' " "

.-
ã
ns»
"
*Ê
W
‹
_;J. \«.‹f«~-
1: ..;
;.«zâà»›~' ff* Í 11' ,z1,i¿;›«zz¬~f='f
M na
V
,Il
`
Nf! lffif
*
›z
Wf z
1
_
¡
_
\';s1,f=',-Mw ,'z‹./‹°
Wga"
_
z Í <z
f u1 H ‹°
I "›.
Freqüência - Hz Freqüência - Hz =/ ,‹c .

CDI
Flg. 4.6.9 - Temperatura Instantânea de junção para Flg. 4.6. 10 - Temperatura Instantânea de /unção
o primeira ciclo de P,,.,(t) flV=4). para t-›‹›o flV=4).
Classe H1_ Classe H1
...z .... _
>
°'
V
»~ ~
E
_
_ _ .
› -
:
› '
*
i
. na .
_
.-
-'›'1f'\`\›'.\3
¬
.z
E
_',¡'w!\,\:11 W-_¡._ 4
N
Fu» /PU... ni '
T
.. -_'f¡\!¡»T¶\'%%\lxñ$W%%.~` <.-*Í.";; --1
uz uz
*
'
› t
_
_
\ i
.L _.
3
'\.¡!\l| IlÍJ\,` __
_ .gil _
na _ Y
I
T.z(f)/
T,(z) '"
”" .S11-...›¬-~~.-_~
wi
'
Ê' 'iii' _ _
M
'
1 'fl - *“'.?""ë=f«'í`.°'.
.Àz za'‹'. '‹'‹'-vç* .,'",Í‹ Ji " -
_-_-- ¬~ ,xr-¬v“
5'
. _ ,. .
'=~›*"""~"" ¿'
i
,'
.
'~ __,,._.,..rv` 1, ,~_}!“,£'l›',‹
" ,.
.
_
_
À '
Fff-'¡.^›I1.'zí>'‹7~¡""'
-"'“`~\ ‹“›\¿*\.“.`
-/-;
"
'
'
-, AZ z/fz
4
.
._
nz x'-.¡¶Ií;_',›f,'!9'-"
//‹ ,z‹¡“
.
-T” ¿‹¡‹¡w',*ÃL'."'5\'°'-_
¿ `~›~__\,,z<,
z
~^"
_
Freqüência - Hz Freqflëncxa-Hz mt
_
.,- .
Flg. 4.6. 11 - Temperatura instantânea de /unfio Fig. 4.6. 12 - Temperatura Instantânea de /unção
para a primeiro ele/o deP¢.(t) flV=2). para t-›‹×› flV=2).

Classe H1 Classe H1
.iii
›
I: _
. ¡Wzl.1l1l- T
_
E
~'
z
=:
H. "';cw.âl\
`
l
2
`
,. ._____.¿...¡‹m\'fi¡"l¶\ `¬'||| f
=
*z__›
s
_ ._
z
P1” /Pbnax
*
*W 'fl ~
/
›
l\'¡l\\l1l« ; 1
'll|¿|'|~zl.~' lt !f.«;. 1-_~*‹1z~'=-;¬›
,_¡_~;..r'=1~"
‹
¡zz;,;;z;:z-››
5;
V
‹
;¿;‹.;z'l|_.*; .
=â À.
l-
É
'
W
:~z=-z wc-'~=-‹\*""
,;,\››.“'.|z L.»“c~
'
Wu»
.. › :'l:.5||›',?f*f›~ =
TJz›(l) TIG) V
,«~ ,n¬,,,l..«
`-rm
N
_ .
1-,
l~ ~ z
_ V
l-""1"IÍW¬›|I'¬`
\
°" -
E'
:F
›
ía-*" .-
.°
uu
-"`
.-`^'z..\f'*;*`.
,
Íifffizf ¡§l¿Í;1!¡I._1,_v";Í~«*( *`1`_«,
l
W.
:"-"*'__¿"¿;›l.¿'¡«‹`:l1
.
Y
l»
‹¬ll›*
J W-
"'-\'.""\ .z-›""“
<_/‹;
J
' _
4, `f[W¡|wí|:lIl,
/',‹¡”“
-
¡.“*›~`\\\Jl‹.z"'
_
"~» ';><."‹*
š~
'*
Freqüência - Hz Freqüência - Hz
. .
-1.
.‹
cut
Fig. 4.6. 13 - Temperatura Instantânea de junção Fig. 4.6. 14 - Temperatura instantânea de junção
para o primeiro ele/a de P,,.(t) flV=4). para t-›‹×› (N=4).
Classe H2 Classe H2
ml Ç
'
,,,, _: ¿ê ¡_';`
fl1 _
D7 _ 1:.,
E
› A
É C' `
E
`
=Í
E -wifi
-
. _
_
_
_' _
› .
l
4":-lu ›'
` Á
""'¡\'Íl¡¬¬"`V\f“;'ú`\\Vl¡"IM .I '
E ,,.z., \,¬.
'
*
z '| 4? -
uz
i
¿'“'1\ 1 Piu ¬..‹-_ _...
Í
T,(t)/PDM,
TJÚU)/Plmn V 1
4
- i*
Al.
"
'
..¬ ~
.r~4.%zz_¢;», ;=,_ zzczfâ _
;..
i
; ...~-V*z.‹‹~.-
¬
H ›;; -l
,›Y
_'
_* L
H.-«f =|~'
U
-
_
.
“Í L ;.'-"V "
«\u\n*\\='1`.~_‹.~‹›'^*
¬
,"."¿›É^¿¢:'
“ '
;-~"'z*"-
' V
_"
6
'*›~-.‹'.1.~ ¬-
.,¬‹~L,
'
!..--
`
¬¬.rÍVÂz . -
.‹~' ,I,¡_,‹r'¡,¡
Wa”,¿H¿,.. ',_.
l
..
.. \.,_,¡'.`: ,,_._f«‹;:'- V. _.wfé~1
`>'-›`-
.wilwfcw ,</ z
._ ` V
i
".fl›\?mÍ z ~‹,»r*"` ir ,,7;l¿"
›
"' 1
f-~"
'H' lf~%»?'¡,~:‹í'~ff×fl"' A
‹,×‹.' 1
.?'*4;;~/_<`,><z”' '
Freqüência - Hz Freqüência - Hz ,,‹"*1. col
Fig. 4.6.15 - Temperatura instantânea de /unção Fig. 4.6. 16 - Temperatura instantânea de /unfio
para o prlmelro cielo de P,+(t) (N=2). para t-›‹×› flV=2).
Classe H2 Classe H2
zz .zviiil
-
V
.
›
-.
:“"* -*|*,llllll" '
'
í
n ‹«,
www'
,
z)
É
. V l
,l
¿
5 'V
'
-ij"
h
1.
ll
,,.,.. . Í, `_ |` ,
»ll.imW
_
~›
I
“
l|'=l*`.-'..»l»«!_»llh
3 U4
.zíizl _
É W ,,^¶\."|,Ìl
`
~'
.1'll m'Àl|[1"›l&,=.“fil|ll,_II›.'›.~,>.í&".-I
z.-f 'I 4
s
.
5
TJ0(Í)/Pizza TJ(t)/PLM,
;íâ"fl:1f;=f'1â1L\zz"í":'Í*í
`
: 1'
:zz ll: ;‹r~.-Ill 5-l. '.
"
3wÍ`êi'1^.' `;»~~+^=*
mz
má
,
zm-z‹,›-.›‹ z*
" .L
‹ i
¬ zz l
z'"\,f-VL V
2,., ‹w~vr'lz-\ ~'
._ ä"llÍT,§..vz¬;:.z»¿z,'¬»¿,;?›~z“1 ‹;¡¡l,IIl';,,§{,¡ .
šf-'l' lllzlllzilllllfiffl/'T'
'
f==¬';-:Lí»='›f*'
Ea
;-~‹./<‹ I
.é . ‹;z‹,/=
Freqüência-Hz Freqüência-Hz .,T"*f
'
mt
Fly. 4.6. 17- Temperatura Instantânea de /unção Fig. 4.6. 18 - Temperatura Instantânea dejungía
para a prlmelro ciclo deP,,,(t) (N=4). para r-›‹×› ¿/V=4).

Ampufiwams de Áudio classes A, B, AB, G e H.
Capítulo 5 - Avaliação: Carga Resistiva x Carga Reativa 102
CAPÍTULO 5
AvAL|AçÃoz CARGA nEs|sT|vA × CARGA nEAT|vA
O objetivo deste capítulo é fazer uma comparação entre os esforços de uma mesma etapa
de saída quando esta é projetada considerando-se carga resistiva (método convencional) e carga
reativa (proposta deste trabalho).
Dimensionou-se uma etapa de saída, operando em Classe B, de modo a se obter 1000 watts
em uma carga resistiva de valor igual a 29 (o que na prática corresponde a quatro alto-falantes, com
impedâncias nominais iguais a 8Q cada, associadas em paralelo).
Em seguida, foram calculadas as potências, o rendimento, as tensões, as correntes e as
temperaturas envolvidas. considerando-se uma carga reativa de impedância equivalente à
associação em paralelo de quatro cargas iguais à apresentada no Capítulo 3 (o que. teoricamente,
deveria resultar em uma impedância nominal de 20).

Os dados de projeto são:
- PL =1ooo w
0 RL =2 Q
' Vcsszzz =3 V
- ICM =1o A
- VCEW =14o v
- PDM =125 W
0 TJW =T¡p¡, =l50 °C
- RE =1.o °c/W
- Ra, =o.7 °c/W
- R,,,,=o.2 °c/W
- C, =o.o1 J/°c
- cc =1 J/°c

Capítulo 5 - Avaliação: Carga Resistiva x Carga Reativa 103
- c,,=1ooJ/°c
- T,,=4o°c
Com esses dados, para respeitar todos os critérios estabelecidos no Capítulo 4, foram
necessários 6 pares de transistores (configuração push-pu//) associados em paralelo, resultando
num total de 12 transistores (NT = 12 ).
Na Tabela 5.1 estão apresentados os resultados dos esforços da etapa de saída
considerando-se o número total de transistores NT =l2, para carga resistiva e reativa, e NT =18,
para a mesma carga reativa; este último caracterizaria o número mínimo de transistores necessário
para garantir o bom funcionamento do amplificador com a carga reativa aqui considerada. Nota-se
que a quantidade de transistores aumentou em 50%.
Resistiva Reativa Reativa
NT 12 12 18
PD((D)ma× 444,6 W 901,1W 901,1W

PL (Ú3)max 1000 W 1923,9 W 1923,9 W
n%((°)mzx 74,98 % 74.98 % 74,98 %

ÍC (t)max 31,62A 61,87 A 61,87 A
VCE (t)max 129,48 V 129,48 V 129,48 V
Pd (t)max 548.36 W 2054,7 W 2054,? W
TJ max 110,4 °C 182,7 °C 135,1 °C
TJD (t)max 49,9 °C 104,1 °C 69,4 °C
TJ' (t)max
142,1 °C 199,6 °C 146,4 °C
TC max 73,3 °C 107,6 °C 85,1 °C
VCC 66,25 V 66,25 V 66,25 V

Tabela 5. 1 - Resumo comparativo dos esforços para carga res/st/va e reativa.

G e H.
Capítulo 5 - Avaliação: Carga Fiesistiva x Carga Reativa 104
Na prática, o dimensionamento de uma etapa de potência é realizado considerando-se
apenas carga resistiva; é atribuída uma margem de segurança e testa-se o circuito. Desta forma, não
há qualquer garantia de que a etapa de potência seja bem dimensionada, podendo tornar o projeto
tecnicamente e/ou comercialmente inviável.
As Figs 5.1 a 5.9, "a" e "b', resumem o que foi apresentado e discutido nos Capítulos 2, 3 e 4.
As figuras com índice "a' ilustram o caso de cargas resistivas e as figuras com índice "b' as
cargas reativas, dispostas uma sobre a outra para possibilitar uma comparação direta.
Nota-se que, mesmo para valores "médios", o esforço da etapa de potência é bastante
significativo (predominante) para freqüências abaixo de 20 Hz; para valores "instantâneos", esse
esforço é ainda mais acentuado.
Garantindo-se que não há sinal com freqüências abaixo de 20 Hz (que teoricamente não são
audíveis) consegue-se uma otimização no dimensionamento, sem com isso prejudicar em nada a
qualidade dos resultados.
Um outro ponto importante a se comentar são os mínimos existentes na magnitude da

impedância da carga, causados pela interação mútua entre o divisor passivo e os alto-falantes, que
faz com que o esforço da etapa de saída praticamente dobre; através de análise gráfica esses
esforços são prontamente detectados. Além disso, as próprias cargas (alto-falantes/divisores
passivos/caixas acústicas) podem ser testadas (por simulação) antes mesmo de serem efetivamente
utilizadas, principalmente, no caso de se ter divisores passivos, pois este, associado com os
alto-falantes, pode resultar em sistema de 16g ordem ou maior.
Pode-se concluir que um correto dimensionamento ê obtido quando este é feito
considerando-se cargas reativas, e quanto mais dedicado for o projeto (cargas específicas) melhor
será o desempenho da etapa de potência.
Em casos genéricos (amplificadores para fins gerais) deve-se testar o maior número possível
de configurações de cargas para se chegar a um resultado adequado.

Amplificadores as Áudio classes A, B, As, G e H.
Capítulo 5 - Avaliação: Carga Resistiva x Carga Reativa
z -T"
IMPEDANCE MAGNITUDE
¬Í 1
í
1.5 aaaaaaaaaaaaaa 0
ÉO 1 __ ........... ...................... ........ ._._._.__ã._____.._z____,___¬|_. ...... _.
____.._._.. _.-.
m-ax = Nm 5:0
.¬.._.
0.5 .. ..,i. ..... _.
=
ITIIYI
°|
10 101 10” 10*
IMPEDANCE PHÀSE
150
1UJ max=O O° I
50
5.
=0
[Be
deg
-50
O
ii ..I
i
-111) 1 1 é
__....-.c
450 LÊ.- 1
ck;
10' ou
ou:
_. _.
__
Frequency - heris
Flg. 5 1a - Magnltude a fase da Impedância da carga (carga resistlvaj.
IMPEDANCE MAGNITUDE
16
14
Í
'
_- ma×=1õ.o799 Q
I. m¡n=1.o221Q
f
Í,
f f
|
;. i
12
5
|
_.
i
1 1
,
ohm › : ¡
._ ......................-.._....._.¬í
'
§
`
..
_._._.................i................._._..'....._......%._.:_......._Í‹...._........__............._..__,___.___,__,_
.J
' 1
NbOGO
aaaaaaaaaaaaaaaaaaaaaa
o
_.
O. 10” 10” 10'
IMPEDANCE PHÀSE
150
K
-
I
ví ‹
a
-Vi
v
ía
z I
¡
I
111]
1*
í 1.2
50
degree
O =
›5D
-1m ~ mâ×=56.9ô9õ°|
-150 . m¡n=4s5.ss94°
10' 102 103 10'
Frequency - herts
Flg. 5 1b - Magnltude e fase da Impedância de carga (carga raat/va).

DISSIPATED POWER DISSIPATED POWER

140.7 ..M¡¡.\¬4j4._5¢5z¶.w.; ........... .¿. .......... ..¡ ........... .. 14m
12m
1G!! 131]
watts
E watts
š
PD- ë PD- ë
400
IU
D
O 2113 400 500 EJEI 1DiII 10* in'
Pn- watts Frequency- henz
DISSIPATED POWER DISSIFATED POWER
henz
~
FD-waus
F_requen|:y¡
'>^1EI]J
'D Fm q u en cy-hertz D
Pn -wa us
Pmwams
Fig. 52.9 - Potência média dlsslpada (carga resistlvaj.
DISSIPATED POWER DISSIFATED POWER

Mâ×= 591 124 w z
í
2030 _ _
zmfl
PD-watts
É PD‹watts É
É ë
II] 5°”
Pn- watts Frequency - hertz
DISSIPATED POWER DISSIPATED POWER
hertz
frequency:
UID
D Frequency - hertz
Ú
Pn - watts
Fn-watts
Fig. 52h - Potência média dlsslpada (carga reativa).
Análise. Dimensionamento e Avaliaçao de Estágios de Potência de

Ampiificaóøres de Áudio classes A. B, AB, G e H.
LOAD POWER LOAD POVVER

..M¡,¡¢.|u]]W .... .......... ..; ........................
'
..
‹¡¡¡]] .___
111]
“ID
É .................
É
PL-wafis
P1.-mas
_/ ;
_
ÂIII
211]
Ú .
0 2CD MI! 500 HD 1lIIJ

Pn-wãüs Frequency - hertl
LOAD POWER LOAD POWER
hertz
watts
É
Frequenrzyf PL‹
-/""1‹:|Ju
D Frequency - hertz
D
Pn - walts
P" _ mas
Fig. 53a - Potência média na carga (carga resisti va).

Max = W
zuuu
PL-watts Êggn
0-.mn
Pn-watts Frequency - henz
w4.›--
rt!
he
watts
uency-
FL-
F_req
mm
En
Frequency- hertz Pn - wafls
Fn-w-am
Fig. 5.3b - Potência média na carga (carga reativa).

Ampiificaóores de Áuaiø classes A, B, AB, G e H.
EFFICIENCY EFFlCiENCY
`
M|›‹=7§.9as1x z
í
:
2
3 z '
-
'
af
Ir 1
li-
-
'
4G
-
./
O .
DI
. . À
D Zw 400 600 U) ilíim iu

I
in' 103 10
I
Fn - waiis Frequency- hsm

EFFICIENCY EFFICIENCY
han:
Frequency:
/`1unn
mm
:D
Frequency- hertz Pn ~ watts
P" _
Fig. 54a - Rendimento (carga reslstiva).
¿... ._. un.. À. . . . . .. ..
Mz×=74.9e21%_ z
_
_ z
z
ef
F
.
60° 80° *DW Ífi' 15' 15” 16'

P" ' WEB Frequency ~ hertz
hertz
requency:
F
}`1am
ED E
,
Frequency › hertz Pn - watts
P" V mms
Fig. 54h - Rendimento (carga reativa).

Ampiificaaóres de Áudio classes A, B, AB, G e H.
Capitulo 5 Avaliaçao' Carga Resistiva x Carga Reativa
LOAD UNES LOAD UNES

Ma×=§a1.a1aa§A
É -Mm‹=§129z483:1V~ -
3D
8 8
,
BYES
¡I¿ãá§¿¿¡¿¿¡¿¡éi¿âg;;ê5ëE555;=â=2=é;=-aà=âgê¿àââ;aaaââââssaizaaa:;5ê==5;;z55¿ë:
::I'.~.¡:fiu; n=i=|.“a:ê: gãâzfigiuiii
¿
amperes
i zu ãilliäãllilill
5
-l|'.§L!íJ.!Efl*'!.i%! |'¿Eií'z.iãi'5!%=5!ë
°`Í'"" iii ,Ê
z:m:n:§:1!!z::?*.-.. -nu::::::::m:::
.
C
-
AÁU1
R
G. zëiiišišiiãilišäiäiäíñiääiš
A
a =f=
...,.......................¡.|....¡...,............¡.....¡
....
.... um ...¡....................... . .... ... ..«.....‹... H...
"'
"'"'mei*e:::::':"::::::I::::!::¢:::::::::::::::::
5 .
::::::¡;:.....:......:.::...........................,....
........................................................
...............,.........,..,......,..................›.......
...........................z.....,.........›..................
O
W 0
. 5 Z . ......z............f..z....,.................\...............
O 20 40 60 ICU 120 10' EM E .
VcE‹V0II.S Frequency- hsm

LOAD UNES LOAD UNES
\
hertz
au amperes
Frequency-
au
›.
sn
Ú
Fr! “" en °V` hertz V=E"'° Its
vcíwizâ
Flg. 55a - Linhas de carga (carga ras/stlva).
LOAD UNES LOAD LINES
N
5] ,
8
lc-arnpares
A8
8 ::, 411 -\
`
_›.-1'|
.; ==;-==.-_;-¿@.j_i_;
-
2,1-.¢»‹;.'¡`.
-z
_
.
~:'|::*?§'
"
.
.\ `ÍÂ
,¡g z .ff-1:
" '. .i
¬ ii-i
É
1u ;;:l illiií.-;.:. zz'25¿:;

- .
-
,_
-4
~-
« . ¬|»|.‹.¡;z-.› ;zz¡,:¡‹;
. . ¡I{;¡¡¡]:*;:i§:×
ai'
Im H.
.
'
2 ;,|||v§\z,-;~- zzi-z‹..› ':‹zI-'zig
-“E
_.
~* == 1,' . ., .
niiiië. ~a::l!i..zt=z=:*z..=e ,â-zeze;ii::::::áššêi€!@¢z!!i%š=fz'=z:-,zz
U 4_
10' 10* 3 O
10 10
VG - vuits Frequency - hertz
LOAD UNES LOAD LINES
hertz
Frequency
O
Frequency - hertz -
VCE volts
vã - vans
Fig. 55h - Linhas de carga (carga reativa).

Amplificadores de Áudio Ciasses A, B, AB, G e H.
INSTANTANEOUS POVVER INSTANTANEDUS POWER

ED .... ........ ........ ........ 51] ............... ___. ..........
'
_ . , _ _ . . . . . . _ . _ .
__ ......... ._
._.,,, _ .... _. mz*
ã
_==z
:-šêâ ~E.
íflššãz'
šzzššššë ~ššš§›
ig _
ë
A
_...,Êššš
.
_
; 3: _
íiíízsâz
Íííããäâz
Ê~.___-. í~:¿_.ííEE`.
I : ==Êãššêêz
watts Í s I Wã1!S -=-__=ÊÊÊÊ1
=~í'íšššš¡
§íE====.°šÊÊ§;
'_ ízíâzsššfig
i i
É
- ší;_~ÍÊššëá
;>=Í~
- E_=¬...=-¶-.--EEE =.===..=_..====zz.
Pd Pd
'“`
Ê.
Êâ
'
_ t
10° M H
/
H U W a íí'
ëz.
|¶!nmm||H|!1!!Mu|||||||u1|!1
D z,
. . _ .
n 1 2 3 4 5 5 _ r::_ m1 nf 10'
“Í ' 'ad Frequency- hartl
INSTANTANEOUS POVVER INSTANTANEOUS POWER
hertz
frequency
' U ñ
' '
Frequency - hartz mt - rar!
mt' md
Fig. 563 - Potência Instantânea disslpada (carga resistivaj.
|NsTANTANEous PowER |NsTANTANEous POWER

Max = 2054 7:-157 w
zm Em
í É É
;
1 i
........ .{_ . . . . . . . . . . . . . . __; ................................ _ _ ............... _ .; ............................................. . .
...... ii 151-] __'

151) ._ _ , _ . _ . __ . _ . . . , . . . . . . . . . . ,
watts watts
|w3_
`
-1033
Z
Pd Pd
É -Í”
J
*lj `.
'.
I
›_: I I
ÍÍ`:: = .§=zz::
I u '
l|||.!i!n_.'¡Í![‹ÉÍi|flfi|||i"Í` 'IN E
"".
Ji 1; .;|||,¡; z:ÉiÊ:!ÉÊÍ§í¡Í|Í|Ê}¡.:' ;.š§Ê!Ê!!
‹
|||
ÍI' ¡"-f¡|'i|II|I|›"‹' |||||\¡ ~: '|||||'« *=:=f".~:|"¡|||l|"'H ||'^= =¬¬==~
Á --êÊiiu.:¿*..":Éz;\5"=‹¡:zzm|ii!'f` III|||I'~ 5-}§}^.. »ã|||||iF..\¡¡ii.-2;z;a2%:=:iiI||||||Í}i¡ |||lii¡ifi‹=
'1-1--=flä--z::w..._.,~-__
' '
'
um›.!¬_;-
D z!...!r. :fzz»\\..,!é-.\\!!!êiâ:z:!!€!!.».z|‹ zm.|||1||››.!!1iëi2‹=fifiêaííšz
0 1 2 3 4 5 5 10' 10' 111” 10'

W' md Frequency - hertz
INSTANTANEOUS POWER INSTANTANEOUS POWER
hem
watts
F_requency
F'd
"'n”1 2 ' 5 E Frequency- hertz mt- rad

QE md
Fig. 5.61: - Potência Instantânea dlsslpada (carga reativa).

Amplificadores de Áudio Glases A, B, AB, G e H.
Capítulo 5 - Avaliação: Car ga R esistiva x Carga Reativa
INSTANTANEOUS JUNCTION TEMPERATURE INSTANTANEOUS JUNCTION TEMPERATURE

3 5 :'
1
ê 'f
Ê_$_É_ë_
"
ih, z-
Ú
P
. Tú-°c
"flui
_. um
Ê*
, .,,.,,__..¿;. ..... _.
f'='= ~
!Igi5fiÍ:r:z;à
|
,Ii |
'^ E'
H '
5=L_5__5
°..š.=;
- 10* 1n'
mt-md Frequency- henz
INSTANTANEOUS JUNCTION TEMFERATURE INS TANTANEOUS JUNCTION TEMPERATURE
hertz
Frequency
i=`
'
Frequency- hertz mt- rad
i
«L wú
Fig. 57a - Temperatura Instantânea de /unção (carga reslstlvaj.
INSTANTANEOUS JUNCTION TEMPERATURE INSTANTANEOUS JUNCTION TEMPERATURE

I
Max 104.047; °c
3
1 Í
Ê
V
_
“IR '
;
ê
'Hz
1
5
'
_.. ¡'íHW`
_
30
1
W.
_
H i'
ii' 1;
I|,h,|‹¡ I
É) 'gi
50 ._ É? 543; _ .
bmw.
Ém É
às
' I
i
ir' H
|`
._
.;:
*lima
s
:=-5:-*V
__.-1 “_
Í
L
i
.
,¡
,.H.
. i
~
.
'{Í|ãM" ÀAÍIH;«_
_ _
3 _
unflã
'
`|\‹:'|I
2° 29
mm
v1. °--_¡;z¡
“Hu
`
._
Q
I _
_
_,
rd ',¿,›_ _
\
W
!.,.|| 1..
¡;,|
--Í!5¡¡@'"¡!!.2ÊÊzÍ!!Êšll!izâÊzšâäiâzúâgiÊiÊÊ`íÍ*“`“WTfTff!!!!!'f""~'~~ uz na
1
0° 2 3 4 5 5
1 211' 1u' iu* iu'
"Í ' 'ad Frequenq/ - henz
INSTANTANEOUS JUNCTION TEMPERATURE INSTANTANEOUS JUNCTION TEMPERATUR E
hertz
á
Frequency: |=
1 7 4 5 E
[1
Frequency - han: mt - rad
M? 'ad
Fig. 57b - Temperatura Instantânea da /unção (carga reativa).

Amplificadores de Áudio Ciasses A, B, AB, G 6 H.
Capltulo 5 - Avahaçao Carga Resnstlva x Carga Reatwa
JUNCT\0N TEMPERATURE JUNCTION TEMPERATURE

ID
150
uU
É
1l'.U
50
10' 111* m'

Frequency- hertz
JUNCTION TEMPERATURE JUNCTION TEMPERATURE
hertz
Frequency
Ú
Frequency - hertz Pn - Wim
Fig 5 8a - Temperatura media de junção (carga reslstiva).
JUNCTION TEMFERATURE JUNCTION TEMFERATURE
DI
10' 1m' mg 1u'
Frequency- hertz
JUNCTION TEMPERATURE JUNCTION TEMPERATURE
hertz
Í
Frequency~
f"`ín
Ú
Frequency- hertz Pn - watts
Fig 5 8b - Temperatura média de junção (carga reativa).
Anale, Dimensuonamento e Avahaçao de Estágios de Potência de

Ampuficaazres de Áuazo classes A, B, AB, G e H.
PEAK JUNCTION TEMPERATURE PEAK .JUNCTIDN TEMPERATURE

ID ..M¡¡=.|g3.1g$P5` ............ .; ........... -
150
°c “c
8
- -
Túpk Upk
SD
O 2110 400 600 El] 10m

Pn-watts Frequency- hen1
PEAK JUNCTION ÌEMFERAÌURE PEAK JUNCTION TEMF'ERA1URE
heriz
“c
-
npk
Frequency-
500
D
A
D
'F"n _
Frequency - hertz Pn - watts
Fig. 59a - Máfima temperatura instantânea de junfio (carga resistivaj.
PEAK JUNCTION TEMPERATURE PEAK JUNCTION TEMPERATURE

Max =
°c
_
T.|p|‹
P" ' “mis Frequency - hertz
PEAK JUNCTION TEMPERATURE PEAK JUNCTION TEMPERATURE
nem
- “c
-
Túpk
Frequency
az Í
f/`1tm
m D
i
Frequency ~ hertz Pn › watts

Pn-watts
Fig. 59h - Máxima temperatura Instantânea de /unção (carga reativa).

Ampiificadores de Áuaiz ciznses A, B, AB, G e H.
Capítulo 6 - Conclusões 1 14
cAPiTuLo ô
coNcLusõEs
Amplificadores de áudio são dispositivos utilizados nos mais diferentes e diversos tipos de
aplicações. Dimensioná-los é uma tarefa árdua devido as diversas variáveis envolvidas no projeto:
condições climáticas (umidade, temperatura, etc.), tipos de aplicações (instalações fixas, móveis,
etc.), tipos transistores (diferentes propriedades, tolerância nas características elétricas, etc.) e,
principalmente, as estruturas de caixas acústicas utilizadas.
Foi proposto neste trabalho um procedimento para o dimensionamento de etapas de
potência de amplificadores Classes A, B, AB, G e H, considerando carga reativa, qualquer tipo de
polarização, modo de operação e o tipo de dispositivo utilizado (BJT, IGBT e MOSFET). Também
foram desenvolvidas expressões para a determinação de rendimentos para as Classes G e H para
um número arbitrário de estágios.
Foi demonstrada a importância de se considerar cargas reativas, e não apenas cargas
resistivas, pelo fato de as potências dissipadas para cargas reativas (caso real) poderem atingir
valores bem maiores do que as potências dissipadas para cargas resistivas. Se menores potências
são consideradas no projeto, a etapa de saída fica subdimensionada, fazendo com que a
temperatura de junção ultrapasse o valor máximo permitido. Até então, o procedimento usual tem
sido considerar cargas resistivas atribuindo-se uma margem de segurança, mas que não garante o
bom dimensionamento da etapa de saída, porque pode tornar o projeto tecnicamente ou
comercialmente inviável. Os resultados obtidos permitem um criterioso dimensionamento do projeto
de etapas de potência, tanto sob o ponto de vista técnico quanto econômico.
Como proposta para trabalhos futuros, sugere-se adaptar as expressões apresentadas para
incorporar outras limitações como, por exemplo, quedas de tensões nos resistores de emissor/fonte,
quedas de tensão da fonte de alimentação e outros tipos de sinais que possam representar o sinal
de áudio; quanto a este último, o objetivo seria representar o próprio sinal musical.

G e H.
Referências Bibliográficas 1 15
RE|=E|=iÊNc|As B|B|.|oGRÁi=|cAs
Ben Duncan, High Performance Audio Power Amp/ifier, Newnes, 1997;
Don and Carolin Davis, Sound System Engineering, 2"” Edition, Sams, 1994;
Homero Sette Silva, Análise e Síntese de Alto-fa/antes & Caixas Acústicas pe/o Método de
Thíele-Sma//, H. Sheldon Serviços e Marketing Ltda., 1996;
1
Frederik H. Raab, "High Efficiency Amplification Teohniques," IEEE Circuits and Systems,
December, 1975;
i*
Adel S. Sedra and Kenneth C. Smith, Microe/ectronic Circuits, Fourth Edition, Oxford University
Press, 1998; 1
Jae Hoon Jeong, Nam Sung Jung and Gyu Hyeong Cho, “A High Efficiency Class A Amplifier
with Variable Power SuppIy," Audio Engineering Society 100*” Convention, Copenhagen, May 11-
'
14, 1996;
Jae Hoon Jeong, Gue Hong Kim, Byeong Rok Min, Che Hong Ahn and Gyu Hyeong Cho, "A
High Efficiency Class A Amplifier Accompanied by Class D Switching AmpIifier," IEEE Power
Electronics Specialist Conference, St. Louis, Missouri, June 22-27, 1997;
Jae Hoon Jeong, "A Novel High Efficiency and Wide Bandwidth Power Amplifier by Analog
Power Amplifier -and High Dynamic Switching Power Supplies," Audio Engineering Society 104'“
Convention, Amsterdam, May 16-19, 1998;
Frederik H. Raab, “Average Efficiency of Class-G Power AmpIifiers," IEEE Transactions on
Consumer Electronics, Vol. CE-32, No. 2, May, 1986;

A
Eric Mendenhall, Computer Aided Design and Analysis of C/ass B and Class H Power Amp/ifier
Output Stages, Audio Engineering Society 1019* Convention, Los Angeles, California, November
8-11, 1996;
Saburo Funada and Henry Akiya, “A Study of High-Efficiency Audio Power Amplifiers Using a
Voltage Switching Method," Journal of The Audio Engineering Society, Vol. 32, No. 10, October,
1984;

Referências Bibliográficas 1 15
[12] Harushige Nakagaki, Nobutaka Amada and Shigeki Inoue, “A High-Efficiency Audio Power
AmpIifier," Journal of The Audio Engineering Society, Vol. 31, No. 6, June, 1983;
[13] Tohru Sampei, Shinichi Ohashi, Yoshihiro Ohta and Shigei Inoue, "Highest Efficiency and Super
Quality Audio Amplifier Using MOS Power FETs in Class G Operation," IEEE Transactions on
Consumer Electronics, Vol. CE-24, No. 3, August, 1978;
[14] Tohru Sampei, Shinichi Ohashi, “1OO Watt Super Audio Amplifier Using New MOS Devices," IEEE
Transactions on Consumer Electronics, Vol. CE-23, No. 3 August, 1977;
[15] Leonard Baker, “Power Dissipation in Class B Amp|ifiers," IRE Transactions on Audio,
September/October, 1962;
[16] Tomlinson Holman, “New Factors in Power Amplifier Design," Journal of The Audio Engineering
Society, Vol. 29, No. 7/8, July/August, 1981;

~
[17] Daniel R. Von Recklinghausen, “Class B Ampiifier Dissipation, lnstantaneous and Steady State,"
IEEE Transaction on Audio, Vol. AU-13, No. 4, July/August, 1965;
[18] Gideon F. lnbar, “Thermal and Power Considerations in Class B Transistorized Amplifiers," IEEE
Transaction on Audio, Vol. AU-13, No. 4, July/August, 1965;
[19] Jeffrey H. Johnson, “Power Amplifiers and The Loudspeaker Load: Some Problems and a Few
u
Suggestions," Audio, August, 1977;
[20] Eric Benjamin, “Audio Power Amplifiers for Loudspeaker Loads," Journal of The Audio
Engineering Society, Vol. 42, No. 9, September, 1994;
[21] Matti Otala and Pertti Huttunen, “Peak Current Requirement of Commercial Loudspeaker
Systems,” Journal of The Audio Engineering Society, Vol. 35, No. 6. June, 1987;
[22] Ilpo Martikainen and Ari Varia, “About Loudspeaker System Impedance With Transient Drive,"
Audio Engineering Society 715' Convention, Montreux, March 2-5, 1982;
[23] Len Feldman, “Class G High Efficiency Hi-Fi Amplifier," Radio Electronics, August, 1976;
[24] Len Feldman, “Class H Variproportional Ampiifier," Radio Electronics, October, 1977;
[25] D. G. Daugherty and Fi. A. Greiner, “Some Design Objectives for Audio Power AmpIifiers," IEEE
Transactions on Audio and Electroacoustics, Vol. AU-14, No. 1, March, 1966;

G s H.
Amplificadores de Áudio classes A, B, AB,
Referências Bibliográficas 117
[26] H. Ertl, J. W. Kolar and F. C. Zach, “Basic Conslderations and Topologies of Switched-Mode
Assisted Linear Power Amplifiers," O-7803-3044-7/96 © 1996 IEEE.

[27] Frank W. Heerdt, “Amplificadores Chaveados para Aplicações em Áudio," Dissertação de
Mestrado, INEP, UFSC, Dezembro, 1997.
[28] Vance Dickason, Caixas Acústicas & A/to-fa/antes, tradução do original "The Loudspeaker
Design Cookbook”, fifth edition, 1995, H. Sheldon Serviços e Marketing Ltda., 1997.
[29] Siegfried H.,Linkwitz, “Active Crossover Networks for Noncoincident Drivers," Journal of The
Audio Engineering Society, Vol. 24, No. 1, January/February, 1976;
[30] Kim Gauen, “Designing with TMOS Power MOSFETs,” MOTOROLA, AN-913;
[31] Ralph Locher, “introduction to Power MOSFETs and Their AppI¡cations," National
Semiconductors, AN-558, December, 1988;
[32] Bruce Trump, “Power Amplifiers Stress and Power Handling Limitations," Burr-Brown, AB-039,
1993;
[33] MOTOROLA, Bipolar Power Transistor Data, DL111/D, Ver. 7, 1995;
[34] MOTOROLA, TMOS Power MOSFET Transistor Device Data, DL135/D, Ver. 6, 1996;
[35] Douglas Self, Audio Power Amp/ifier Design Handbook, Newnes, 1996;
[36] Alan V. Oppenheim, Alan S. Willsky and S. Hamid Nawab, Signa/s & Systems, Second Edition,
Prentice Hall, 1996;

Apêndice A 1 13
APÊND|cE A
Impedâncias Equivalentes Vistas Pelos Terminais da Bobina de Alto-falantes,
ao,Ar Livre e em Caixas Acústicas, pelo Método "Thiele-SmalI".
ALTO-FALANTE
O circuito equivalente elétrico que representa um alto-falante ao ar livre, visto pelos terminais
da bobina, é o apresentado a seguir (Fig. A-1).
UR, R,
[:] Í.:
R,, L,
"YY*
RC] LCCÍ ~”|¢Í

Êg
›
-If
fi
Fig. A-1 - Circuito equivalente elétrico do a/to-fa/ante, "visto "pe/os terminaisda bobina.
A impedância vista pelos terminais da bobina é:
Zvc(s)=R¡¿+Red+s-Le+ i
.
s
2
L.,
CMCS
+ ---- +
1
Cmes Res
'
~
s í 1
Cmes Lces
'
De onde, por inspeção, pode~se escrever:

'
Azi;
Cmes Res '
Qms
e ___1___=w2S
Cmes Lcex
'

Apêndice A 119
Assim, tem-se a impedância equivalente do alto-falante:
_f.sco
Zvc(s)=RE +Red +s'Le +Res

sz +-S~s+of
Qm
As Figs. A-2 e A-3 mostram, respectivamente, as curvas de magnitude e fase da impedância
de um alto-falante, genérico, ao ar livre: F, =40Hz, QM =8,4, QE, =0,42, Q,, =0,40, Vas =l20 li,
RE zs Q, Re, =95 52.128,, =2o×1o-3.f°f”Q, Le =1o×1o-3 -f*“›3H.
Loudspeakef ‹ Móduiu da Impedância Lnudspealrzf- Fase da impedância

gi
no
š
í
V.
'
i z
. i
5'
É 3
i-¬^-
120 -
_
.
š Í
I
.
ioo 5
E
5° i
É
4:i:_
__ -
J
_ zêiii
I
ig
.. eo _.-. i. .-._ i
_ «
i
E
1 ¬
|
.L
äfiäëâ
_-
.Ç
› ¡
êššše ãäâäf
I
.
i
.
eo
i Í
I i
_5° i
fl _*-_;
4°
ëíãaafifii
'Í
¶
t 1 ›
É
zo
iifi
z fl
-150 1: -1::
O
'
tt;
io-" 10-' io* io* 10'
Hertz Hertz
Fig. A-2 - Módulo da impedância Fig. A-3 - Fase da impedância

Alto-falante ao ar livre. Alto-falante ao ar livre.

Ampiificadores de Áudio classes A, B, AB, G e H.
Apêndice A
CAIXA FECHADA (Closed Box)
O circuito equivalente elétrico, visto pelos terminais da bobina, que representa um

alto-falante instalado em uma caixa fechada, e o apresentado a seguir (Fig. A-4)
URg_ RE Red
l:lE:i'YY"
L:
ez li iii
ii
-O
Fig. A-4' - Circuito equivalente elétrico do sistema "caixa fechada ", "v¡sto "peIos terminais da bobina
A impedância vista pelos terminais da bobina é:
a.s+ía
C'"“
Zvc(s)=RE+Re,,+s-Le+
S2+ 1 1
C mes R '
et Cmes L'
ce!
Que, por analogia:
_;
Cmes Rel '
(oc
Qmc
e
Cmes
1
'
Lcet
(D2
'C
Resultando:
ifls co
Zvc(s)=RE +Re,, +s-Le +Re, _

QM
s
2
+i-s+coc
(Dc 2
Qmz

Apêndice A 1 21
Se as perdas por absorção (interior da caixa com pouco, ou sem, material acusticamente
absorvente) forem pequenas (R,,,,, << Rm, ), pode-se escrever a expressão anterior em função dos
parâmetros do alto-falante, assim:
mas (DS
Z,.,‹s›=RE +Rzzz+s-Lz+Rzs--*(2-"'¬*í
(Ds
s
2
+*-s+(l+oc)-co 2
Q
S
HIS
Onde:
w2=0)2_(l+a)
c s e a=Vi=Cm=Cms=Mces
Vó Cab Cmb Mczb
e --
(nc
passa a ser
.
igual a -_ co,
Qmz Qmz
As Figs. A-5 e A-6 mostram, respectivamente, as curvas de magnitude e fase da impedância
de um sistema "caixa fechada": V,,

= 40 l, or =3 , Fc =80 Hz, os demais parâmetros iguais ao caso
anterior.
Closed B0×- Módulo da Impedância Closed Bo×- Fue da Impedância

12° h __ -M _
__
ñ '
s
150
i
.
Í E
§...)
ri
1
wo W
1
1 1
ííi _. ê
100, 1 1
iši
1
8
i i
E
I
50
4____.;.__ñ.,J
%
1
*Â
_!
T
mí !
Ohm: 8 í1í 1 í â‹=e

L___ sz
11 rt z .,_¿.
¡
i
fz gi
zz
IIII EV
1
gi
ii
IIIIIIII -50 1 Í
I
i
¡
Ai
¡___
-100
,.,IIII IIHIIII -ÊÊF_
Ill:
-mil \ nillll
ir -150 _.I_
[I
1
.,
1o' 10* 10° 1o' 1o' 10' 10° 10'

Hertz 1-«mz
Fig. A-5 - Módulo da impedância Fig. A-6 - Fase da Impedância

Sistema "caixa fechada ". Sistema "caixa fechada”.

de Áudio classes A, B, Aa, G e H.
Ampiifizzadores
Apêndice A 122
REFLETOR DE GRAVES (Vented BOX)
O circuito equivalente elétrico, visto pelos terminais da bobina, que representa um alto-
falante instalado em uma caixa sintonizada, é o apresentado abaixo (Fig. A-7).
Rg RE Red Lc Rel L ceb Cmep

mn Ci
i
1:1 §› l:| l:1 'W'

||
88 '
áz
Fig. A-7 - Circuito equivalente elétrico, slmplíficado, do sistema "refletor de graves ", "v¡sto "pelos
termlnals da bobina.
A impedância "vista" pelos terminais da bobina é:
zvcrs) = RE + Red + S -Le +'(21(s›//z,(s))
z2(s)=~
1
CM
S
C
›
L -L
z,(s)=
s
2
+í-s+----
Cmes Res
1
`
1
Cmes Lces
'
e
i-s
Lceb
z, (s)// Z, (S) = 1
Y1(S)+Y2(S)
=
1
1
1
= z(s) = EE
Dz(s)
_,_
Z1(-9) Z2(S)
0) (D
NZ(s) :Res "è_x_'ís2 +íí'S+mšj'S
MS

Apêndice A 123
Dm, :S4 +(9_z›_+L).,z

QL Qms
,ímã ,2z¿°L+,,,¿
QL 'Qms
.(1,,,,)).,z
,W .&,,,,5.2¿).,+,,,;
Qms QL
.mg
A impedância elétrica equivalente "vista" pelos terminais da bobina é, então:
N
+-E
z,,(s) =RE +R,,, +s~L,,
DZ(s)
As Figs. A-8 e A-9 mostram, respectivamente. as. curvas de magnitude e fase da impedância
de um sistema "refletor de graves": V,,

= 100 1, oz = 1,2, F,, =40 Hz, os demais parâmetros iguais ao
caso anterior.
Vented Box - Módulo da Impedlncla Vented Box - Fase da Impedância

- - 1
É
120 --V - ›
¬
_ A
š
I.
~
â _ m
-Egg!!!
-í
§_
s AÍ
Í* ‹
llnlllilmlll lu
M -ni
"
:'
Ohms e Graus
z.
:I
_--._.._..T_. ,
., l
› “à `
..-¬
_~
4-:-:ÊÊE
wi
5: » » ,
l*`°:i:Ç§`
-'Ê ¬
E ; -W
¬l__`Í_`
_
T `
š _
II'-»~»~
-z
__'_í¬:_1:-
z
__._.__|_í
I- '
.___
vi
"
20 ...___
Ez-
.... _. `,
.
Í
;~t:EíL::;F
__...
i
l'-7
- -150. }..+____ W., ._

E
É
-z_.'_.-'-"' .__ _... ._
z. _nIIIII|| l_i l
_
Q. 3 5” 5. _.
°_ 3 á o_
Hertz Hartz
Fig. A-8 - Módulo da Impedância Fig. A'-9 - Fase da Impedância
Sistema "refIetor de graves ". Sistema "refletor de graves ".

Apêndice B
124
APÊNDICE B
Impedância Equivalente Vista Pelos Terminais de Entrada de um Divisor de

Freqüências Passivo (LC) de Três Vias e 2É Ordem.
Com base em [28] calculou-se um divisor de freqüências passivo detrês vias e segunda
ordem, alinhamento Linkwitz-Riley.
As expressões encontradas em [28] para cálculo dos capacitores e indutores consideram a
carga puramente resistiva. com valor igual à impedância nominal do alto-falante.

As Figs. B-1, B-2 e B-3 mostram, respectivamente, o circuito elétrico, as curvas de
transferências do sinal de entrada e as cun/as de magnitude e fase da impedância, ambas em
função da freqüência e para carga resistiva.
:sv
O O
'
¬›¿f~
c zm c1=1,977spF , c2=2s,ss3pF
li]
O O
C3 = l,7946p.F , C4 = l9,775uF
=@ êr °
L, =512,31pH L2=5,2o7mH
*
,
ZMÍD
ü
-ici-
~«-luz-
z L3 = 423,49tzH , L4 = 5,1232mH
ãr Q ZH1 =Z1\zflD =ZLo =8Q
-i|~ .G
zw Lmkwiz-Ri/ey
Eb
O
/-'ig. B-1 - Circuito elétrico do divisor de três vias e 2 ordem.
Análise. Dimensionamento e Avaliação de Estágios de Potência de

Apêndice B
Linkwitz-Riley, ¡2dB/8“
5dB
_
PB+PF+PA
0dB PF . ....... ..
mis I
PB P4
(sooflz,-6.0743) (5.oo/zHz.4s.o7z1s)
-zoúa -
.25dB . . .
10Hz 100HZ 1.0kHl 10kHl 100kHl

Frequency
Fig. B-2 - Curvas de transferência do sinal.
Magnitude
às
1o'
"_°“”"`Í'*"É"'ài'§¬Í_`Í"'"i"§
_ _
-ii"'_'
'
_
”
E ,
_
i-
5
E
*ff
› '
_
š~~¿-L;
___: __: _ ...
Ã É Â Í
'
10°
-
* '
itígë :“
5 5 š z É I ¡ i Ê z z Ê i i
-
É I I
:::g!E:Ê:É:::;:_<_:5:u::!:::§:::: ruriräggiäflj: _ ×&.5i:-::':_:. _. 1 a:Ê!~'_':.~¶:__..1i.1fl!

___
i*
=
-~~;-'~z‹+-¬.¬¬-;f^; ' ' i '
8.
-
:Ef
iì
ä
1
. , . ;
5
1 = = =
,.,,,:.i_
=
; ê s = =
1 i z É ' 1
“'
z i x | z
.E=;5§fi;¡¡¿;zà-¿¶=¿¡¡¿êfizz=zzzzzàz=zzz
'#32
i
..zzz=¡zzÊ.=¡zz5.¬zzzzzâzzzzzzzfzfzgeegz‹-zzzzzzzz¿zz=¡z=;z§|.:::1_:,:.._.z=zz=z;5¡¿¶
ohms
"
" "I-1"' '-5"' ' "".`~i I-1 " "”' "I" '
“ ¡§5¡._‹!¿,
=""°'°_ 5
'i-2==;'='--ííííííí:
5:=.=5f.:5f.z5_:¢'
IL? ___ . _ .
f7.E¡.=1'‹=*'-‹~‹--¬-Jfi'"""E"°“
10. "
'¬-*~“r~¿~r^~;-fiy;
" '^”"' " ":“""'
~f~ «nn rw;
‹'-'f=fl:::5.'_×-'=×fl'"~ _››.¡z,_
zw-W ”
;~ â
.Â .i-=_:::e::`=::z.;.'
.::~:;?_*--':e;:::::;›.~.
~~--‹
:::::::::::::,::::::::;:::::;:1;:u;::::;::::;::::1:1::::::-_.._~-:::1:r_1:1::::::::.\:::g~~ .,_..... ,___ -z-..~-ag-'-:y'~;--1
I'
_
---Í-:°'“z°°-“Í*:::z“-1~¬~!~¬i"
._.___..__.___.«__í‹_.__ 5 D U Ú SF *~¿_~Í-«Í
1
Ê ×:; __
5 Í 2 - -
É - - ‹ -
'
1
-.,_.._
× ×
......._.-......__
5 1
._
5 e ê 1
_......._
â"'Tz
¡ ; ; ; , ,
š__
'â š"i”z
'
mz
5' “z
í
š ê
É
É
10' 16 10* 1d 16
Fase
1
i iišiíii ~~
A
- iš'iii --: ri.

"`â.z!x
.
ê:
_,. §âLIâi
s
1
"' -§'- É-i-;'2-ë;-`-.--;__
{ÀH'Ê"'
i-:-WT iii
ââl
Ê
=
50
S
_.-
`ššii
..
i
\.. z
š
:__
.,.
¡
ÇHW
â
O
x
.
z
QTEU
-z
...ai x
øi¡"'z§
*if-'f .. i
,fz .5
'
bz ~
ã
š
| L | \
â
Í._\..Â_
_...*_.â_à-i...=:.é‹=_-//Z
-~¬~¬~-f-~
izzšššší i i
-1 ~ *~* fn i
I
--1
.........L.-.
..._.__¡..
_..L..
_Í.
-1
'_ _.: iii ›-0-l
ã
1d 1d 10' 10' 16
Freqüência - Hz
Fig. B-3 - Curvas de magnitude e fase da impedância.

de Áudio classes A, B, AB, G e H.
Amp|¡f¡¢ad‹›res

Dimensionamento DE Classes G: DE Estágios Potência de Amplificadores de Audio

Enviado por

Dados do documento

Título original

Direitos autorais

Formatos disponíveis

Compartilhar este documento

Compartilhar ou incorporar documento

Opções de compartilhamento

Você considera este documento útil?

Este conteúdo é inapropriado?

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

Dimensionamento DE Classes G: DE Estágios Potência de Amplificadores de Audio

Enviado por

Direitos autorais:

Formatos disponíveis

UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA

ANÁI.IsE, DIMENsIoNAMENTo E AvAI.IAçÃo DE

FLORIANÓPOLIS, ABRIL DE 1999

Esta Dissertação foi julgada adequada para obtenção do Título de MESTRE EM

Prof. Rui SEARA, of.

Prof. ILDEMAR CASSANA DECKER. D.Sc.

Prof. MARCIO CH~CHNEIDER, Dr.

Rosa Maria e Rosalbo, pelo apoio dado em toda minha vida.

Agradeço ao amigo Homero Sette pelos constantes incentivos.

Agradeço ao meu orientador e amigo Prof. Sidnei pela confiança dada.

Agradeço a STUDIO R e a SELENIUM pelo fornecimento de dados e materiais utilizados

Agradeço a Deus por mais esta oportunidade dada.

RESUMO ......................................................................................................................................... ._ xiii

ABSTRACT ...................................................................................................................................... .. xiv

CAPÍTULO 2 - ANÁLISE PARA CARGA REsIsTIvA ...................................................................... .. 4

2.1.1 - Etapa de saída de amplificadores Classes A, B e AB ................. ._

2.1.2 ~ Correntes nos coletores dos transistores Q, e Q2 e na carga ...... ._

2.1.3 - Potência média normalizada na carga ..................................... ._

2.1.6-Curvas de iC,(t) x vCE,(t) (ou i,,,(r) e vDs,(r)) de Q, ................. _.

2.1.7 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q, ............. ._

2.2.1 - Potências médias dissipadas normalizadas .............................. _.

2.2.2 - Rendimentos ...................................................................... ._

2.2.3-Curvas de íC,(r) × vCE,(r) (ou i,,,(r) e v,,s,(r)) de Q, ................. ._

2.2.4 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q, ............. ._

2.3.1 - Correntes nos coletores dos transistores e na carga .................. ._

2.3.2 - Potências médias dissipadas normalizadas .............................. ._

2.3.3 - Rendimentos ...................................................................... _.

2.3.4-Curvas de iC,(z) x vCE,(1) (ou íD,(t) e v,,S,(r)) de Q, ................. ._

2.3.5 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q, ............. ._

2.4.1 - Estrutura basica da etapa de saída de um amplificador Classe G...

2.4.3 - Potências médias dissipadas normalizadas .............................. __

2.4.4 - Rendimentos ...................................................................... ._

2.4.5 - Curvas de i+(t) × v+(r) ........................................................ ._

2.4.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q3 .......... ._

2.5.1 - Etapa de saída de um amplificador Classe G de múltiplos estágios

2.5.3 - Potências médias dissipadas normalizadas .............................. _.

2.5.4 - Rendimentos ...................................................................... _.

2.5.5 - Curvas de i+(t) x v+(t) ........................................................ _.

2.5.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q2__.Q,,, .... _.

2.6.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q3 .......... _.

2.6.9 - Cun/as de i+(t) × v+(t) ........................................................ _.

2.7.1 - Amplificador Classe H, de múltiplos estágios ........................... ._

2.7.4 - Rendimentos ...................................................................... ..

2.7.5 - Curvas de i+(t) × v+(t) ........................................................ ..

2.7.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q2...Q,,,

2.7.7 - Potências médias dissipadas normalizadas ............................................... ..

2.7.8 - Rendimentos ...................................................................... ..

2.7.9 - Curvas de i+(r) × v+(r) ........................................................ ..

2.7.10 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q,Q2...Q,,, ................... ..

2.8.1 ~ Estrutura simplificada de um amplificador Classe D ................... ..

2.8.2 - Forma de onda de um ciclo de comutação ................................................ _.

2.8.3 - Potências médias dissipadas normalizadas ............................................... ._

2.8.4 - Rendimentos ....... ............................................................. ..

2.8.6 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em M, ............ ..

2.9.1 - Estrutura básica do amplificador Classe ..................................................

2.9.2 - Potências médias dissipadas normalizadas (Classe l) ................ ..

2.9.3 - Rendimentos (Classe I) .......................................................................... ..

2.9.4-Curvas de iC,(t) × vCE,(t) (ou i,,,(r) e vDs,(r)) (Classe A) ........... ._

2.9.5 - Potências instantâneas dissipadas normalizadas em Q, (Classe A) ................ ..

2.10.1 - Potências médias dissipadas normalizadas ............................ ..

2.10.2 - Rendimentos ...................................................................................... ._

3.1.1 - Potência média dissipada normalizada ..................................................... ..

3.1.4 - Potência instantânea dissipada normalizada em Q, ................... ..