O Transistor: Prof. Wilson Carvalho de Araújo

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O Transistor
O termo transistor vem da expressão em inglês "transfer resistor" que significa resistor de transferência. É
um componente que apresenta resistência (impedância) variável entre dois terminais. Essa resistência é
controlada por um terceiro terminal. Por sua característica controladora de corrente, o transistor pode ser
usado como amplificador de sinais ou como "interruptor eletrônico" em aplicações como equipamentos de
som, imagem, controles industriais, máquinas, calculadoras, computadores.
O primeiro dispositivo construído foi um transistor de contato pontual inventado em 1947 pelos físicos John
Bardeen, Walter Brattain e William Shockley (todos dos EUA). Bardeen, Brattain e Shockley dividiram o
Prêmio Nobel de Física em 1956 por sua conquista.
John Bardeen, William Shockley e Walter Brattain no Bell Labs, 1948
Réplica do primeiro transistor
Existem vários tipos de transistores, como por exemplo:

- Transistor bipolar (NPN ou PNP);
- Transistor de unijunção (UJT);
- Transistor de efeito de campo (FET e MOS-FET);
Prof. Wilson Carvalho de Araújo

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Transistor Bipolar
O Transistor Bipolar de Junção (TBJ ou BJT, do inglês: bipolar junction transistor) tem esse nome por
trabalhar com duas junções PN. É o mais comum e também o de duas camadas de material semicondutor do
mesmo tipo. Entre essas camadas é criada uma terceira, bastante fina, de material diferente, formando uma
espécie de sanduíche.
Como dito anteriormente, os transistores bipolares podem ser NPN ou PNP.
Estrutura simplificada do transistor NPN simbologia NPN
Estrutura simplificada do transistor PNP simbologia PNP
Embora possamos fazer a aproximação para um modelo com diodos,

para facilitar a compreensão, este é um tanto impreciso e não permite
compreender como é possível haver corrente circulando de coletor
para emissor. Serve para lembrar as duas junções semicondutoras que
compõem o BJT.
A maioria dos transistores é feita de silício puro ou germânio, mas

alguns outros materiais semicondutores também podem ser usados.
Os dois tipos de transistores (NPN e PNP) podem cumprir as mesmas funções diferindo apenas na forma
como as fontes de alimentação são ligadas ao circuito eletrônico.
Embora o coletor e emissor sejam do mesmo tipo de material semicondutor, existe diferença de volume de
material semicondutor e de dopagem.O emissor é densamente dopado, enquanto que a base é levemente
dopada. Já o coletor possui maior volume e, por isso, dissipa mais potência; a intensidade de sua dopagem é
intermediária emrelação à dopagem da base e emissor. Por esse motivo, as ligações do coletor e do emissor
no circuito eletrônico não sãointercambiáveis.

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 Note como o emissor é densamente dopado em relação ao coletor. O coletor tem maior área. A base é a
menor e levemente dopada.
Tensões e correntes nos terminais do transistor
O funcionamento do transistor baseia se no movimento dos elétrons livres e das lacunas em seu interior.
Essas movimentações são provocadas pela aplicação de tensões externas. Esse movimento está ligado à
polaridade da tensão aplicada a cada um desses terminais e é diferente para transistores NPN e PNP.
Quando as três camadas semicondutoras são unidas, ocorre um processo de difusão dos Portadores de
carga (eletrons e lacunas). Como no diodo, esse processo de difusão dá origem a uma barreira de potencial
em cada junção. Portanto, no transistor, existem duas barreiras de potencial que se formam com a junção
do cristal: a barreira de potencial na junção base-emissor (BE) e a barreira de potencial na junção coletor-
base (CB).
As três regiões do transistor possuem diferentes níveis de dopagem. Por isso, as camada depleção não
possuem a mesma largura. Quanto mais densamente dopada for a região, maior será a concentração de íons
próximos da junção. Isso significa que a camada de depleção penetra levemente na região do emissor
(dopagem densa), porém profundamente na base (dopagem leve). O mesmo acontece entre base e coletor.
A camada de depleção do emissor é pequena e a do coletor, grande.
Na condição normal de funcionamento, denominada de funcionamento na região ativa, a junção base-

emissor é polarizada diretamente e a junção coletor-base reversamente.
 
Percebemos a similaridade de análise para os transistores NPN e PNP. Assim, vamos passar a representar
apenas a notação NPN. Quando quisermos aplicar os conceitos ao PNP basta inverter as polaridades das
baterias e correntes envolvidas.
A polarização base-emissor faz com que essa junção atue como um diodo, com barreira de potencial entre
0,6 e 0,7V, aproximadamente. Assim, a tensão de polarização de base pode ser com uma tensão (VBE)
bastante reduzida. Já a tensão polarização de coletor deverá ser maior para garantir a polarização reversa
entre coletor e base. Veja a figura a seguir:

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VC Nesta configuração de circuito, para garantir que a junção coletor-base

seja polarizada reversamente, basta adotar a tensão alimentação de
coletor (VC) maior que a tensão de alimentação de base (VB).
VB
Analisando as tensões envolvidas, encontramos:
 VCE = tensão entre coletor e emissor;

 VCB = tensão entre coletor e base;
 VBE = tensão entre base e emissor.
Assim, podemos dizer que: VCE = VCB + VBE
Da mesma forma, podemos analisar as correntes:
IC = corrente de coletor;
IB = corrente de base;
IE = corrente de emissor.
Pela figura, vemos que: IE = IC + IB
Correntesenvolvidas
A corrente de base (IB) é provocada pela tensão de base (VB) que a polariza a junção diretamente.
Para melhor compreensão, analisemos considerando o sentido real das correntes envolvidas.
Devido à pequena espessura da base e também ao seu pequeno grau

de dopagem, a recombinação entre elétrons e lacunas acontece em
pequena escala, ou seja, poucos portadores de carga que provêm do
emissor (elétrons) conseguem se recombinar (corrente IE). Isso faz
com que a corrente de base (IB) seja pequena, com valores que se
situam na faixa de microamperes (µA) ou miliamperes (mA).
Assim um grande número de elétrons atinge a base em grande

velocidade e não se recombinam por falta de lacunas livres
disponíveis.
Os elétrons provenientes do emissor que não se recombinam,

atingem a junção base-coletor e passam ao coletor onde são atraídos
por um alto potencial positivo (VC). Os elétrons que atingem o
coletor dão origem à corrente de coletor.
Em geral, do total de elétrons que entra no emissor de um transistor

(IE), a grande maioria corresponde à corrente de coletor (IC).

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Tanto a corrente de base (IB) como a corrente de coletor (IC) provêm do emissor, reafirmando afirmar que:
IE = I C + I B
A principal característica do transistor reside no fato de que a corrente de base (pequena) exerce um
controle eficiente sobre a corrente de coletor. Esse controle é devido à influência da corrente de base sobre
a largura da barreira de potencial da junção base-emissor, ou seja, quando VBE aumenta, a barreira de
potencial torna-se mais estreita.
Esse estreitamento permite que um maior número de portadores de carga do emissor atinja a base. Esses
portadores são absorvidos pelo coletor, uma vez que a base não tem capacidade para recombiná-los.
Verifica-se então um aumento na corrente de coletor. Assim, se IB aumenta, IC aumenta; se IB diminui, IC
também diminui.
Assim, através de um transistor, é possível utilizar uma pequena corrente IB para controlar a circulação de
uma corrente de valor muito maior (IC).
A corrente controlada (IC) e a corrente de controle (IB) podem ser relacionadas entre si para determinar a
quantidade de vezes que uma é maior que outra. Essa relação é o parâmetro β (beta) do transistor.
𝐼 Essa correspondência direta (β) entre a corrente de coletor (IC) e a corrente

𝛽= de base (IB) representa o ganho de amplificação estático do transistor. Esse
𝐼 ganho também é representado por hFE.
A sigla hFE é uma abreviação de “HybridparameterForwardcurrentgain, common Emitter” e significa "ganho

de corrente direta de parâmetro híbrido ,emissor comum". Emissor comum é uma configuração de
amplificador que veremos mais adiante.
O ganho de amplificação estático (β ou hFE) de um transistor é encontrado em seu datasheet. Porém, cada
lote de fabricação possui uma certa tolerância, o que faz com que não seja declarado um valor único e exato,
mas uma faixa entre o mínimo e o máximo.
Por exemplo, no datasheet dos transistores BC546~550 encontramos o seguinte:
Significa que transistores com a designação “B” no nome (BC546B~BC550B) possuem uma relação entre as
correntes de base e coletor (β ouhFE) entre 200 e 450.
O outro parâmetro a ser considerado é o da relação entre as correntes de emissor (IE) e coletor (IC):
𝐼 A letra grega alfa (α) é usada para designar o ganho estático de corrente de um
𝛼= transistor na configuração de base comum. Como a corrente IE é maior que Ic,
𝐼 conclui-se que a é sempre menor que 1.
Os ganhos β e α estão relacionados entre si através das equações:

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β α
𝛼= 𝛽=
β+1 1−α
Para valores fixos de IC, VBC e de temperatura a variação em α, devido às tolerâncias no processo de
fabricação do transistor, é muito pequena, da ordem de ±0,1%. Essa pequeníssima variação em α tem um
efeito pronunciado em β.
Tomemos como exemplo o caso do transistor BC547A, que para IC=20mA, VBC=10V, T=20ºC possui α = 0,995
e portantoβ = 199. Se α sofrer uma variação de 0,1% então 0,994<α <0,996 e portanto 165<β <250, ou seja,
tem-se uma variação de até 25% em β. Esse é o motivo pelo qual se observam grandes variações nos valores
de β para exemplares diversos de um dado tipo de transistor (comoo citado BC547A).
A maioria dos multímetros digitais de hoje tem uma entrada específica para testes de transistores e que
medem o seu hFE.
A figura ao lado ilustra a entrada e conexão de um transistor

em um multímetro popular. Para efetuar a leitura, a chave
seletora deve ser posicionada para hFE (veja a figura).
Retornando à equação vista:

hFE= 𝛽 =
Temos ainda as seguintes possibilidades:
- Conhecendo β e IB, podemos determinar IC:

IC=β.IB
- Conhecendo β e IC, podemos determinar IB:
𝐼
𝐼 =
𝛽
Observação:
 O fato de o transistor permitir um ganho de corrente entre base e coletor não significa que correntes
sejam geradas em seu interior. As correntes que circulam no interior do componente são
provenientes das fontes de alimentação e o transistor apenas controla sua quantidade.
Transistor operando como chave
Um transistor pode operar como chave eletrônica, bastando para tal polarizá-lo de forma conveniente nas
condições de corte (sem corrente de coletor) ou saturação (máxima corrente de coletor).
Transistor em saturação Transistor em corte

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Para determinar as correntes que polarizam o transistor para que opere na forma desejada, precisamos
analisar um circuito típico de polarização. Veja a figura a seguir:
Na figura temos:
VCC = tensão de alimentação do circuito;

Vs = tensão de saída do circuito;
Ve = tensão de entrada do circuito;
IC = corrente de coletor do transistor;
IB = corrente de base do transistor;
VCE = tensão entre coletor e emissor do transistor;
VBE = tensão entre base e emissor do transistor;
VRB = Tensão sobre o resistor de base (RB);
VRC = tensão sobre o resistor de coletor (RC).
Pela figura percebemos que Ve = VRB + VBE. Vemos também que a corrente IB dependerá de VRB (se não
houver diferença de potencial em RB, não há corrente).
Concluímos que: para a tensão de entrada (Ve), existe uma faixa de tensão (até Ve = VBE) onde a corrente de
base IB não circula (IB=0).
Lembrando que: IC=β.IBIC= β.0IC=0A. Nestas condições teremos o transistor na condição de “corte”
ou “aberto”.
Existe uma corrente de base (IB) máxima, a partir da qual a corrente de coletor (IC) não aumenta mais, devido
à limitação imposta pelo resistor de coletor (RC). Nestas condições teremos o transistor na condição
“saturado”. Para essa condição, também encontramos a informação sobre a VCE no datasheet do transistor
em questão. Abaixo a reprodução parcial, referente aos BC546~550.
Exemplos de aplicação do transistor como chave:
 Carga acionada por ausência de luz
Neste circuito usamos um Led para indicar a localização de um circuito

diante da ausência de luz. Para isso usaremos um LDR (Light Dependent
Resistor – resistor dependente da luz) no acionamento de um transistor
como chave.
Neste circuito, quando o LDR estiver exposto à luz, sua resistência diminui
a ponto de cessar a corrente de base. Com isso, a corrente de coletor
também cessa, apagando o Led.
Quando a iluminação cessa, sua resistência sobe podendo atingir mais de

1MΩ. Nestas condições, a corrente de base será ditada pelo valor do
resistor RB.

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Para determinar os valores dos resistores, vamos partir da carga alimentada: um diodo Led vermelho
comum opera com corrente típica de 20mA e possui tensão direta (VD) de 1,8 a 2V.
Pelo datasheet do transistor escolhido, vemos que o BC548 apresenta uma VCE máxima, quando saturado, de
200mV. O diodo Led apresenta uma VD de 1,8 a 2V.
Para simplificar os cálculos, consideraremos que o conjunto (VCEsat do transistor + VD do Led) apresente 2V.
Assim, quando o transistor estiver saturado, dos 12V da alimentação (Vcc), sobre RC recairão 10V.
Podemos iniciar determinando o valor de RC:
Conhecendo a corrente de trabalho do Led (é a mesma do resistor) e a tensão sobre o resistor, podemos
determinar seu valor pela Lei de Ohm:
Vcc − VD − VCE 12V − 2V 10

𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 = 𝑅𝐶 = 500Ω
IC 20mA 0,02
O valor comercial superior mais próximo para esse resistor é de 510Ω.
A potência dissipada por esse resistor será:

Embora um resistor de 1/4W suporte, recomenda-se
P = R x I2 P = 510 x 0,022 P = 204mW 
utilizar um de 0,5W para evitar aquecimento.
Pelo datasheet do transistor BC548A, vemos que tem um ganho estático mínimo de 120 (hFE ou β). Para fins
didáticos, não estamos adotando a regra prática de IB=IC/10 descrita anteriormente.
A corrente de base é dada por:
𝐼 20mA
𝐼 = 𝐼 = 𝐼 = 0,167mA 𝐼 = 167µA
𝛽 120
Considerando a VBE do transistor, quando saturado, em 0,7V, sobre o resistor RB teremos os 12V da
alimentação (Vcc) menos os 0,7V da VBE do transistor.
Conhecida a corrente de base (que será praticamente a mesma do resistor, já que o LDR estará com
altíssima impedância), podemos calcular o resistor RB pela Lei de Ohm:
Vcc − VBE 12V − 0,7V 11,3

𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 = 𝑅𝐵 = 67665Ω
IB 167µA 0,000167
O valor comercial superior mais próximo para esse resistor é de 68kΩ.
A potência dissipada por esse resistor será:
P = R x I2 P = 68000 x 0,0001672 P = 2mW ( usamos 1/8W )

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Ao lado temos representado o circuito eletrônico finalizado.
O mesmo raciocínio pode ser aplicado para diferentes cargas, como

lâmpadas ou relês.
Porém, deve-se tomar o cuidado de escolher o transistor correto para

suportar a tensão, a corrente de coletor e a potência envolvida.
Para o caso de cargas reativas, como um relê, um diodo de proteção

deverá ser colocado em paralelo com a carga, em polarização reversa,
como mostra o a direita.
Ocorre que, em cargas indutivas (com enrolamentos como em

motores, relês e solenóides), a variação da corrente ao acionar ou ao
desligar provoca o surgimento de um pulso que pode levar à
destruição do transistor. Um diodo retificador, neste caso, entra em
condução momentânea, dissipando o transiente.
A figura seguinte detalha esse risco:
 Carga com desligamento temporizado
Neste circuito, a corrente de base (IB) de saturação é alcançada no

início da carga do capacitor. Uma vez que o capacitor tenha adquirido
carga, a corrente de base cessa, cessando também a corrente de
coletor.
O botão "reset" permite o reinício da temporização, acionando a

carga novamente. A base de tempo é dada pelo resistor de base (RB)
e o valor do capacitor C. A determinação dos valores resistores é
idêntica à do circuito anterior.
O circuito ao lado também proporciona o desligamento temporizado,

onde a chave RESET permite a carga do capacitor “C”.
O capacitor se descarregará pelo resistor RB mantendo o transistor

acionado enquanto houver carga em C. Assim, a base de tempo é
dada por “C” e RB.

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 Porta lógica NOT com transistor NPN
Neste circuito, quando a entrada (Ve) estiver em nível baixo (0V), a

corrente de base será nula e, consequentemente, a corrente de coletor
(Ic) também. Nestas condições, não haverá queda de tensão sobre RC e a
saída Vs apresentará os mesmos 5V da alimentação (Vcc).
Quando a entrada (Ve) estiver em nível alto (5V), a junção base-emissor

estará polarizada diretamente. Tal como a junção de um diodo, o
transistor apresentará por volta de 0,7V (VBE). Descontando esse valor da
tensão de entrada (5V), ainda restarão 4,3V sobre o resistor de base (RB).
Pela Lei de Ohm, calculamos IB IB=4,3V/100K  IB = 0,043mA.
Considerando, na pior condição possível, um transistor BC548A, pelo datasheet, temos um ganho mínimo de
120. Multiplicando IB por 120 teríamos: 0,043mA x 120  5,16mA, muito superior ao permitido pelo resistor
de coletor (RC). Podemos concluir que, nestas condições, o transistor está saturado e a tensão de saída (Vs)
ficará restrita à VCE do transistor: algo em torno dos 90mV (conforme o datasheet).
Assim, concluímos que, quando a entrada estiver em vível alto (Ve=5V) a saída apresentará nível baixo
(Vs=0,09V).
Na Tabela verdade é comum encontrarmos “L” (low) para o nível baixo e “H” (high) para o nível alto:
Entrada (Ve) Saída (Vs)

Nível baixo (L) Nível alto (H)
Nível alto (H) Nível baixo (L)
Na realidade, há uma regra prática para adoção de uma relação entre as correntes de base (IB) e coletor (IC)
em um transistor operando como chave. Ocorre que uma variação no ganho estático do transistor (β) que
possa ocorrer, pode levar a flutuações indesejáveis na corrente de coletor (IC). Assim, na prática, costuma-se
considerar a corrente de base (IB) como 1/10 da corrente de coletor (IC), onde for possível.
A seguir são dados mais dois circuitos, porém na forma de exercícios.
Exercícios:
1) Analise o circuito e complete a tabela da verdade para a porta lógica NAND com transistor NPN
Com base no apresentado para o circuito inversor, analise o circuito dado e

complete a tabela. Nesta tablela, temos representado o nível alto com “H”
(high, em ingês) e o nível baixo por “L” (low, em inglês).
A B S
L L
L H
H L
H H

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2) Analise o circuito e complete a tabela da verdade para a porta lógica NOR com transistor NPN
Como no anterior, analise o circuito dado e complete a tabela. Nesta tablela,

temos representado o nível alto com “H” (high, em ingês) e o nível baixo por
“L” (low, em inglês).
A B S
L L
L H
H L
H H
Os transistores bipolares são aplicados em três configurações básicas:Base Comum, Emissor Comum e
Coletor Comum.Para identificar a configuração, basta observar o terminal comum à entrada e saída.
Configuração Base Comum:
A figura a seguir mostra o transistor bipolar (NPN e PNP) na configuração Base Comum. Nesta, estão
representadas as correntes no sentido convencional:
Em cada configuração, temos curvas características que exprimem o funcionamento do circuito.
Vejamos as curvas característica de entrada e saída do transistor NPN:

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 Curva de entrada (emissor): IEx VBE  Curva de saída (coletor): IC x VCB
 Corte x Saturação
O ganho de corrente de qualquer circuito amplificador é dado pela relação entre a corrente de saída e a
corrente de entrada. Nesta configuração, será dado por IC/IE que nada mais é que o parâmetro α (alfa) do
transistor.Consideremos a curva de saída (para um transistor NPN):
Vamos verificar a interpretação destas curvas através de um exercício.
Exercício:
3) Dada as curvas de um transistor NPN:

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Determine:
a) A tensão de entrada aproximada, a partir da qual a corrente de entrada começa a fluir de forma
intensa;
b) Sabendo que o germânio apresenta uma zona de depleção de 0,3V e o silício de 0,7V, indique de
qual material é feito este transistor;
c) Determine a corrente de entrada quando a tensão de entrada é 1V;
d) Determine a corrente de saída quando a tensão de entrada é 1V;
e) Determine a corrente na base quando a tensão de entrada é 1V;
f) Determine o ganho de corrente do circuito (α – veja pág 5) quando a tensão de entrada é 1V.
g) Determine o hFE do transistor nas condições citadas acima.
Na configuração base comum, podemos destacar as seguintes características:
Ganho de corrente = Próximo de 1;

Ganho de tensão = Elevado;
Ganho de potência = Médio;
Resistência de entrada = Muito baixa;
Resistência de saída = Muito alta.
Na figura a seguir temos essa configuração do transistor bipolar e seus equivalentes para a JFET, MOSFET e
válvula.
Na figura, E = entrada e S = saída.
As figuras abaixo ilustram as tensões e correntes elétricas envolvidas na polarização base comum:
Transistor PNP em Base Comum Transistor NPN em Base Comum

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Dada a similaridade entre os circuitos, analisemos o modelo com transistor NPN:
 Analisando o circuito de entrada, vemos que resistor RE (ligado ao emissor) pode ser calculado, pela
Lei de Ohm, por:
RE = (VE-VBE)/IE
 Analisando o circuito de saída, vemos que o resistor RC (ligado ao coletor) pode ser calculado, pela
Lei de Ohm, por:
RC = (VC-VCB)/IC
Dentro das curvas características, existem vários pontos onde o transistor pode funcionar nas regiões
de trabalho:
 se o ponto de operação for na região ativa, o transistor pode funcionar como amplificador;
 se o ponto de operação for na região de saturação, ou de corte, o transistor pode funcionar como
uma chave eletrônica.
Para tanto, é necessário fixar o ponto de operação numa das regiões de trabalho do transistor. Esta fixação é
feita em corrente contínua, através de resistores; a isto chamamos de polarização.
O ponto de operação fixado é denominado ponto quiescente (Q) ou ponto de trabalho.
A escolha do ponto quiescente é feita em função da aplicação que se deseja para o transistor, ou seja, ele
pode estar localizado nas regiões de corte, saturação ou ativa da curva característica de saída.
Reta de Carga
A reta de carga é a representação das possíveis localizações do ponto quiescente (Q) na curva característica
de saída.
Sua determinação se dá pela fixação de dois pontos: ponto de saturação e ponto de corte.
 No ponto de saturação, temosVCBsat= 0:
RC = (VC-VCB)/IC  RC = (VC-0)/IC  RC = VC/IC  IC = VC/RC

 No ponto de corte, temosICcorte= 0:
RC = (VC-VCB)/IC  RC.IC = VC-VCB  RC.0 = VC-VCB  VC = VCB
Interpretação da reta de carga
Determinado o ponto quiescente (ICQ e VCBQ) através dos resistores RE e RC, qualquervariação de tensão
ou corrente no transistor corresponderá a um deslocamento desteponto sobre a reta de carga.

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 Exemplo de aplicação:
Polarize e trace a reta de carga de um transistor, sabendo que o mesmo deve trabalhar na região ativa.
Dados:
Ponto quiescente: VCBQ = 10V, ICQ = 2mA e VBEQ = 0,7V Circuito eletrônico:
Ganho estático em corrente contínua (β) = 150
Tensão de alimentação de emissor: VE = 5V
Tensão de alimentação de coletor: VC = 20V
Resolução:
Conhecendo a corrente de coletor quiescente (ICQ) e a tensão coletor-base quiescente (VCBQ), podemos
calcular o resistor de coletor (RC):
RC = VRC / ICQ  RC = (VC – VCBQ) / ICQ  RC = (20V – 10V) / 2mA RC = 5kΩ
A partir da corrente de coletor quiescente (ICQ) e ganho estático (β), podemos calcular a corrente de emissor
quiescente IEQe o resistor RC.
IEQ = ICQ /α, lembrando que α = β / (β+1)  α = 150/(150+1)  α = 0,9934
IEQ = ICQ /α  IEQ = 2mA/0,9934 IEQ = 2,013mA
Dados VE = 5V, VBE= 0,7V e conhecendo IEQ, podemos calcular o resistor de emissor(RE):
RE = VRE / IEQ RE = (VE-VBE) / IEQ RE = (5V – 0,7V) / 2,013mA  RE = 2136Ω

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Traçamos a reta de carga no gráfico do transistor:
- Ponto de saturação: VCBsat= 0
IC = VC/RC IC = 20V / 5k IC = 4mA
- Ponto de corte: ICcorte= 0:
VCB = VC  VCB = 20V
Traçamos uma reta que passa por esses valores

nos eixos de corrente e tensão:
Ic = 4mA e VCB = 20V.
Conhecidos os pontos de trabalho (dado no

enunciado do exemplo, VCBQ = 10V e ICQ = 2mA),
marcamos o ponto quiescente, como mostra a
figura ao lado.
Exercícios:
4) Polarize o transistor (β=100) do circuito abaixo, no ponto quiescente:

VCBQ=15V, ICQ=100mA e VBEQ=0,65V
RE = ___________
RC = ___________
5) Determine ICQ e mostre em que região da curva característica de saída (corte, ativa ou saturação)
encontra-se o ponto quiescente do transistor (β=120) do circuito a seguir:
α = ____________ IBQ = ____________
IEQ = ____________ Região:
ICQ = ____________ _______________

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 Circuito Base Comum com uma única fonte de alimentação
Neste circuito temos uma única fonte de alimentação (Vcc).
O terminal de base do transistor é polarizado pelo divisor de

tensão formado por RB2 e RB1, onde o potencial sobre RB1
(VRB1) equivale à tensão VC do circuito visto anteriormente.
Da mesma forma, o potencial sobre RB2 (VRB2) equivale à

tensão VE do circuito com duas fontes de alimentação.
Para este circuito é válida a proporção: 𝑉 𝑉

=
𝑉 𝑉
Configuração coletor comum:
Um circuito coletor comum é também conhecido como circuito seguidor de emissor.
Nesta configuração, o terminal do coletor do transistor é ligado a um terminal comum à malha de entrada e
da saída, o terminal do emissor é ligado à carga de saída a ser controlada, e o terminal da base funciona
como a entrada de sinal.
De acordo com as características do transistor bipolar, o emissor

possui uma tensão em seu terminal que permanece muito
próxima da tensão de entrada.
A configuração coletor comum possui um ganho de tensão muito

próximo de 1, significando que os sinais são inseridos na entrada
serão replicados quase igualmente na saída. Por isso a
denominação “seguidor de emissor”.
Sua principal característica é exibir alta impedância na entrada e

baixa impedância na saída.
O circuito possui um ganho de corrente típico que depende em grande parte do hFE do transistor. Uma
pequena mudança na corrente de entrada resulta em uma mudança muito maior na corrente de saída
enviada à carga.
Analisando a malha de entrada, encontramos:
Vcc = RB x IB + VBE + REx IE  RB = ( Vcc – VBE – REx IE ) / IB
Analisando a malha de saída, encontramos:
Vcc = VCE + REx IE  Vcc – VCE = REx IE  RE = ( Vcc– VCE ) / IE
O circuito apresentado é porcom polarização por corrente de base constante. Porém, é comum a utilização
da polarização de base por divisor de tensão.

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Configuração emissor comum:
Da mesma forma que o circuito anterior, a junção base/emissor deve ser polarizada diretamente e a
base/coletor reversamente.
As figuras abaixo mostram as tensões e correntes elétricas envolvidas na polarização tipo emissor comum
paraos transistores NPN e PNP.
Polarização Emissor Comum em NPN Polarização Emissor Comum em PNP
Onde:
VB = tensão de alimentação de base IC = corrente de coletor VCE = tensão coletor emissor
VC = tensão de alimentação de coletor IE = corrente de emissor VBE = tensão base emissor
IB = corrente de base VCB = tensão coletor base
Análise da malha de entrada (base do transistor) considerando o modelo NPN:
VB = RB x IB + VBE  RB = ( VB - VBE ) / IB
Análise da malha de saída (coletor do transistor) considerando o modelo NPN:
VC = RC x IC + VCE  RC = ( VC – VCE ) / IC
 Circuito de polarização Emissor Comum com corrente de base constante:
Para garantir a polarização direta da junção base/emissor e reversa da junção base/coletor, o resistor de
base (RB) deve ter maior valor que o resistor de coletor (RC).
Analisando a malha de entrada, determinamos RB:
RB x IB + VBE = Vcc RB = ( Vcc – VBE ) / IB
Analisando a malha de saída, determinamos RC:
RC xIc + VCE = Vcc RC = ( Vcc – VCE ) / IC

19
O problema do aumento de temperatura
As figuras abaixo mostram o comportamento de um transistor operando em emissor comum.Note que um

aumento da temperatura diminui a barreira de potencial (V). Consequentemente, β aumenta.
Esse incremento fará aumentar a tensão sobre o resistor de coletor (VRC), diminuindo a VCE.
Vcc = RC xIc + VCE IC = (Vcc – VCE) / RC  conclui-se que se VCE diminui, a corrente IC aumenta.
Um aumento na corrente IC tende a aumentar a temperatura, que aumenta o β, aumentando IC. Esse efeito
éumarealimentação positiva e, se não for contido, pode levar o transistor à destruição.
A solução encontrada é o uso de uma realimentação de emissor como mostra o circuito a seguir:
 RB = resistência de polarização de base;

 RC = resistência de polarização de coletor;
 RE = resistência de polarização de emissor;
 IC = corrente de coletor;
 IB = corrente de base;
 IE = corrente de emissor;
 VRB = tensão sobre o resistor de base;
 VRC = tensão sobre o resistor de coletor;
 VRE = tensão sobre o resistor de emissor;
 VCB = tensão coletor/base;
 VCE = tensão coletor/emissor;
 VBE = tensão base/emissor.
Neste circuito, um aumento na corrente de coletor (IC) provocará igual aumento na corrente de emissor (IE).
Esse aumento em IE provocará aumento na tensão sobre o resistor de emissor (VRE).
Ocorre que, para esse circuito, na malha de entrada temos: Vcc = VRB + VBE + VRE
Como Vcc e VBE são fixos, um incremento em VRE provocará diminuição em VRB, diminuindo a corrente de
base (IB) e, consequentemente, diminuindo a corrente de coletor (IC). Esse é umefeito de realimentação
negativa: umaumento na corrente de emissor (IE) provocará diminuição na corrente de base (IB, malha de
entrada).Concluindo: caso o β aumente, IB diminui e o circuito ficará estável.

20
Este circuito também é conhecido por polarização com “corrente de emissor constante”.
O resistor de emissor é conhecido como “resistor de degeneração”.
Analisando as malhas de entrada e saída para essa nova condição, temos:
 Malha de entrada:
RB x IB + VBE + RE x IE = VccRB = ( Vcc – VBE – RE x IE ) / IB
 Malha de saída:
RC x IC + VCE + RE x IE = VccRC = ( Vcc – VCE – RE x IE ) / IC
Como temosduas equações e três incógnitas(RB, RC e RE), uma regra geral prática é adotar VRE=Vcc/10.
 Exemplo de aplicação:
Dado um transistor com β=250 e uma fonte de alimentação de 20V, determine os resistores de polarização
(valores comerciais) para o ponto quiescente: VCEQ = Vcc / 2; ICQ = 100mA e VBEQ = 0,7V.
Resolução:
Como Vcc = 20V, adotando VRE = Vcc / 10, temos: VRE = 20/10  VRE = 2V(ou ainda,RE x IE = 2V)
- Para determinar RC, precisamos da VCE
VCE = VCEQ = Vcc / 2 = 20 / 2 VCE = 10V
RC = ( Vcc – VCE – RE x IE ) / ICRC = ( 20 – 10 – 2 ) / 0,1 RC = 80Ω  valor comercial RC = 82Ω
Potência de RC: P = R x I2
PRC = RC X IC2 P = 82 X 0,12 P = 0,82W (820mW)  recomenda-se utilizar um resistor de 1,5W
- Para determinar o resistor de base (RB) precisamos da corrente de base (IB)
IBQ = ICQ / β  IBQ = 100mA / 250  IBQ = 0,4mA  IBQ = 400µA (IBQ = 0,0004A)
RB = ( Vcc – VBE – RE x IE ) / IB RB = ( 20 – 0,7 – 2 ) / 0,0004  RB = 43250Ω  usaremos RB = 47kΩ
Potência de RB: P = R x I2P = 47kΩx (400µA)2 P = 7,52mW  podemos usar de 1/8W
- Para calcular o resistor de emissor (RE) precisamos da corrente de emissor (IE)
IE = IC + IB IE = 100mA + 0,4mA  IE = 100,4mA
RE = VRE / IE  RE = 2V / 100,4mA  RE = 19,92Ω  valor comercial RE = 22Ω
Potência de RE: P = R x I2
PRE = RE x IE2PRE = 22 x (100,4mA)2 PRE = 222mW  recomenda-se utilizar 0,5W

21
Exercícios:
6) Dado um transistor com β=200 e uma fonte de alimentação de 12V, para um circuito na
configuração emissor comum com corrente de base constante e sem o resistor de degeneração,
determine os resistores de polarização (valores comerciais) para o ponto quiescente: VCE=Vcc / 2;
ICQ=15mA e VBEQ=0,7V.
7) Dado o circuito abaixo, polarize o transistor (β=150 e Vcc=15V) no ponto quiescente: VCEQ = 7V; ICQ =
50mA e VBEQ = 0,7V.
RB = __________________
RC = __________________
8) Polarize o transistor do circuito a seguir no ponto quiescente VCEQ= Vcc / 2; ICQ =40mA e VBEQ = 0,68V.
Dados: Vcc = 15V e β = 180.
RB = __________________
RC = __________________
RE = __________________
9) Dado o circuito abaixo e a figura obtida no datasheet do BC546~BC550, determine o ponto de

trabalho (VCEQ e ICQ). Considere VBE = 0,7V
IB = __________________
ICQ = __________________
VCEQ = __________________

22
Polarização emissor comum com divisor de tensão na base
Neste circuito, a polarização de base é feita por um divisor de

tensão: RB1 e RB2 na figura ao lado.
O resistor RE é o resistor de degeneração. Sua função é limitar e

linearizar o ganho do transistor.
O resistor RC é o resistor de coletor, que junto com RE controla o

ganho do amplificador.
Para projetar o amplificador precisamos de algumas informações

sobre o circuito:
 Vcc = tensão de alimentação do circuito;

 G = ganho desejado do amplificador.
Na amplificação de sinais variáveis, para obter a maior amplitude de oscilação na saída, é desejável que a
tensão de coletor (tensão de saída) seja igual à metade da tensão de alimentação Vcc.Isto será verdade
quando VRC = Vcc/2.
Vsaída = VRC = Vcc / 2 ICx RC = Vcc / 2 RC = Vcc / (2 x IC)
A resistência de emissor RE e a tensão de emissor (VRE) definem a corrente de emissor, que é

aproximadamente igual a corrente de coletor (IE ≈ IC).
VRE = IEx RERE = VRE / IE como IE ≈ IC RE = VRE / Ic
O ganho deste amplificador é aproximadamente ( – RC / RE). O sinal “–“ indica mudança de fase da saída em
relação à entrada.
Substituindo RC e RE das equações acima, verificamos que o ganho do amplificador depende da tensão de
alimentação (Vcc) e da tensão de emissor escolhida(VRE).
G = – RC / REG = – [VCC / (2 x IC)] / (VRE / IC)G = – VCC / (2 x VRE)
No entanto, não podemos escolher VRE muito baixo, pois isso faria o amplificador não se comportar de forma
linear, devido aotransistor não ser linear.
Por isso, geralmente escolhemos uma tensão de emissor (VRE) de no mínimo algumas centenas de milivolts,
algo próximo da tensão base-emissor (VBE) do transistor.
 Como regra prática, adotamos VRE> VBE / 2
Portanto, nesta configuração o amplificador possui um ganho limitado. Por exemplo, com alimentação 5V e
fazendo VE = 0,5V obtemos um ganho de G = -5.
Podemos aumentar o ganho livremente aumentando a resistência de coletor RC, limitando a saída apenas
pela tensão de alimentação.

23
Continuando com o projeto do amplificador, a corrente de base do transistor não deve afetar
significativamente a tensão de base do transistor. Para isso precisamos escolher os resistores RB1 e RB2
pequenos o suficiente quando comparados com o resistor de emissor.
(RB1 || RB2) << RE X (β + 1)
 Obs: A representação “||” indica associação paralela.
Finalmente, para polarizar a base do transistor, precisamos fornecer a tensão de base correspondente. O
divisor resistivo formado por RB1 e RB2 precisa reduzir a tensão de alimentação de VCC para a tensão de
base necessária (VRB2).
VRB2 = VRE + VBEeVRB2 = Vccx RB2 / (RB1 + RB2)
 Exemplo:
Projete um amplificador emissor comum com ganho -20, com alimentação de 24V. Considere um transistor
com βmin = 100 e uma corrente de coletor (Ic) próxima de 1mA.
a) Calculamos a tensão de emissor VRE para obtermos o ganho

G = -20, com Vcc = 24V.
G = – VCC / (2 xVRE) -20 = -24 / (2 x VRE)
 -20x (2 x VRE) = -24 VRE = -24 / (20 x 2)
 VRE = -24 / 40 VRE = 0,6V
Obtemos VRE = 0,6V, que está próximo de VBE = 0,7V.
b) Escolhemos a corrente de emissor. Valor escolhido: IE = 1mA (adotado).
Calculamos a resistência de emissor. RE = VRE / IE RE = 0,6V / 1mA  RE = 600Ω
O próximo valor comercial escolhido é RE = 620Ω
Recalculamos a corrente de emissor: IE = VRE / RE  IE = 0,6V / 620Ω 0,968mA
A potência dissipada por esse resistor será: P = V x I  P = 0,6 x 0,000968  P = 580µW
c) A corrente de coletor (IC) é aproximadamente igual à corrente de emissor (IE). Com isso, calculamos a
resistência de coletor.
IC ≈ IE = 0,968mA (calculado acima)
RC = Vcc / (2 xIC) RC = 24 / (2 x 0,000968) RC = 12,4kΩValor comercial:RC=12kΩ.
A potência dissipada por esse resistor será: P = R x I2 P = 12k x (0,000968)2 P = 11mW

24
d) O paralelo das resistências de base RB1 e RB2 deve resultar

muito menor que a carga que a resistência de emissor RE
causa na base. Consideramos β = 100 (conforme o transistor
escolhido).
(RB1 || RB2) << RE x (β + 1) )
(RB1 || RB2) << 600 x (100 + 1) 
(RB1 || RB2) << 62620Ω
Podemos escolher como “muito menor”, um décimo desse valor:
(RB1 || RB2) < 6,26kΩesse valor pode ser a referência para escolha de RB2
(valor comercial = 6K2)
e) As resistências de bases devem dividir a tensão de alimentação para fornecer a tensão de base
necessária.
VRB2 = VRE + VBEVRB2 = 0,6 + 0,7VRB2 = 1,3V
VRB2 = VccX RB2 / (RB1 + RB2)1,3V = RB2 x 24V / (RB1 + RB2) 1,3V (RB1+RB2) = RB2 x 24V
RB1 + RB2 = RB2 x 24V / 1,3V  RB1 = 18,46 xRB2 – RB2  RB1 = RB2x 17,46
f) Escolhemos valores comerciais para RB1 e RB2 que satisfaçam a equação do paralelo e a razão entre as
resistências.
Escolhemos RB2 = 6,2kΩ (primeiro valor comercial menor que o paralelo calculado) e utilizamos a razão
17,46 para calcular o valor de RB1
RB2 = 6,2kΩ  RB1 = RB2x 17,46  RB1 = 6200 x 17,46  RB1 = 108252Ω
O valor comercial mais próximo será de:RB1 = 110kΩ.
A potência dissipada no resistor RB2 será de: P = (VRB2)2 / RB2 P = 1,32 / 6200  P = 272µW
g) Refazendo a conta para a tensão de polarização da base,

agora com os valores reais, encontramos:
VRB2 = Vccx RB2 / (RB1 + RB2) 
VRB2 = 24 x6,2k / (110k + 6,2K)
 VRB2 = 1,28V
Isso nos dá uma tensão de base VRB2 = 1,28V, próxima ao valor

desejado (idealizado no passo “e”, de 1,3V)
A potência dissipada por esse resistor será: P = (VRB1)2 / R  P = (24 – 1,28)2 / 110K  P = 4,7mW

25
Abaixo, o circuito com os valores projetados para os resistores:
Na eventual construção do circuito e verificação de

correntes e tensões reais, pequenas variações
devem ser esperadas, pois trabalhamos com
aproximações dos valores componentes para
valores comerciais além da VBE do transistor,
aproximada para 0,7V.
Exercícios:
10) Dado o circuito, determine IB, IC e VCE: (Considere VBE = 0,7V)
IB= ________________
IC= ________________
VCE = ________________
11) Dado o circuito, determine IB, IC e VCE: (Considere VBE = 0,7V)
IB = ________________
IC= ________________
VCE = ________________
12) Dado o circuito, determine IB, IC e VEC: (Considere VEB = 0,7V)
IB= ________________
IC= ________________
VEC = ________________

26
13) Dadas as curvas características de um transistor NPN, pede-se:
a) A corrente de base para VBE = 0,8V

b) O ganho de corrente na configuração emissor comum (EC), para VBE = 0,8V
c) O ganho de corrente na configuração BC (base comum), para VBE = 0,8V
d) O novo ganho de corrente em EC, caso IB dobre de valor, mantida a tensão VCE
e) O novo ganho de corrente na configuração BC, caso IB dobre de valor.
Respostas:
a) b) c) d) e)
IB = __________ GEC= __________ GBC = __________ GEC= __________ GBC = __________
14) Determine o valor dos resistores no circuito abaixo, onde a carga controlada pelo transistor é um
LED.
Dados: βsat = 20; VBEsat = 0,7V; VCEsat = 0,3V; ID (LED) = 25mA; VD (LED) = 1,5V.
RC = ________________
RB = ________________

27
15) Um circuito digital TTL deve acionar um motor de 120VAC. Para isto, é necessário projetar uma
interface de potência, composta de um transistor atuando como chave sobre um relé. Projete o
circuito de polarização do transistor, considerando os seguintes parâmetros:
Dados do transistor: VBEsat = 0,7V; VCEsat = 0,3V; ICmax= 500mA; VCEmax = 100V; βsat = 10.
Dados do relé: RR = 80Ω;IR = 50mA.
RC = ________________
RB = ________________
16) Dado o circuito abaixo, determine IB, IC, VCE, VB, VC e VBC. Considere VBE=0,7V. Desconsidere os
capacitores no cálculo. Dado: β = 50.
IB = _______________
IC = _______________
VCE = _______________
VB = _______________
VC = _______________
VCB = _______________
17) Polarize o transistor BC548B na região ativa, com divisor de tensão na base, determinando os valores
comerciais dos resistores RB1, RB2, RE e RC.
Dados do transistor: BC548B; VBE = 0,6V; hFEmin = 110.
Dados de projeto: Vcc = 10V; IC = 5mA; Vsaída = Vcc/2.
RB1 = ___________________
RB2 = ___________________
RC = ___________________
RE = ___________________

28
18) Dados o circuito e a curva característica do transistor nas figuras a seguir, determine os pontos de
operação (VCEQ e ICQ) pelo traçado da reta de carga. Desconsidere os capacitores de entrada e saída.
Dado: IB = 20µA.
Configuração Darlington
Na eletrônica, o transistor Darlington é um dispositivo semicondutor que combina dois transistores bipolares
no mesmo encapsulamento (as vezes chamado par Darlington).
A configuração (originalmente realizada com dois transistores separados) foi inventada pelo engenheiro
Sidney Darlington do Bell Labs. A ideia de por dois ou três transistores em um mesmo chip foi patentada por
ele, mas não a ideia de por um número arbitrário de transistores, o que originaria o conceito moderno de
circuitos integrados.
Esta configuração serve para que o dispositivo seja capaz de proporcionar um grande ganho de corrente (hFE
ou β do transistor) e, por estar todo integrado, requer menos espaço do que o dos transistores normais na
mesma configuração.
O Ganho total do Darlington é aproximadamente o produto do ganho dos transistores individuais. Um

dispositivo típico tem um ganho de corrente de 1000 ou superior.
Comparado a um transistor comum, apresenta uma maior defasagem em altas frequências, por isso pode
tornar-se facilmente instável. A tensão base-emissor do conjunto também é maior: consiste da soma das
tensões base-emissor de cada transistor individual e, para transistores de silício, é superior a 1.2V.

29
IC = IC1 + IC2 IC = β1.IB1 + β2.IB2 porém, a corrente IB2 é a corrente de emissor de TR1.
IB2= IE1 IB2= IC1 + IB IB2= β1.IB + IB IB2= (β1+1).IB substituindo na equação anterior:
IC = β1.IB + β2.IB2 IC = β1.IB + β2.(β1+1).IB IC = β1.IB + β2.β1.IB+β2.IB IC = (β1 + β1.β2 + β2).IB
Onde β1 e β2 são os ganhos individuais de cada transistor.
Exemplo:
Dois transistores NPN são conectados na forma de um par Darlington para acionar uma lâmpada halógena
12V e 75W. Ignorando qualquer queda de tensão nos dois transistores, calcule a corrente base máxima
necessária para ligar a lâmpada totalmente. hFE1 = 25 e hFE2 = 80.
Em primeiro lugar, a corrente consumida pela lâmpada será igual à corrente do coletor do segundo
transistor, então: IC = ILAMP
ILAMP = PLAMP/V ILAMP = 75W/12V ILAMP = 6,25A
Aplicando β1 = 25 e β2 = 80 n a equação vista temos:
IC = (β1 + β1.β2 + β2).IB 6,25A = (25 + 25.80 + 80).IBIB = 6,25 /(25 + 25.80 + 80) IB = 3mA
Concluindo, podemos notar que uma corrente de base muito pequena, de apenas 3,0 mA, como a fornecida
por uma porta lógica digital ou a porta de saída de um microcontrolador, pode ser usada para acionar a
lâmpada de 75 Watts.
Se dois transistores bipolares idênticos forem usados para fazer um único dispositivo Darlington, então β1 é
igual a β2 e o ganho de corrente geral será dado como:
Se β1 = β2IC = (β1 + β1.β2 + β2).IB IC = (β2 + 2β).IB
Geralmente o valor de β2 é muito maior do que o de 2β, caso em que pode ser ignorado para simplificar um
pouco a matemática. Assim, a equação final para dois transistores idênticos configurados como um par
Darlington pode ser escrita como:
IC = β2.IB
A vantagem de usar um arranjo Darlington é que o transistor de comutação é muito mais sensível, pois uma
pequena corrente de base é necessária para comutar uma corrente de carga muito maior, já que o ganho
típico de uma configuração Darlington pode ser superior a 1.000, enquanto normalmente um único estágio
de transistor produz um ganho de cerca de 50 a 200.
Assim, um par Darlington com um ganho de 1.000: 1 poderia comandar uma corrente de saída de 1 ampere
no circuito coletor-emissor com uma corrente de base de entrada de apenas 1 mA. Isso torna os transistores
Darlington ideais para interface com relés, lâmpadas e motores para microcontroladores de baixa potência,
computadores ou controladores lógicos.

30
Exemplo extraído de datasheet de transistor Darlington de potência:
As informações seguintes foram obtidas no mesmo datasheet. Note o hFE = 1000 e a VBE(on) = 2,5V:
Há também os transistores de menor potência, como o par BC516 (PNP) / BC517 (NPN).
As informações seguintes foram obtidas no mesmo datasheet. Note o hFE = 30000 e a VBE(on) = 1,4V:
Notamos também que o fabricante sugere que a saturação (IC = 100mA) é obtida com IB = 0,1mA, prevendo
um βsat = 1000, valor muito superior ao dos transistores convencionais.

31
Fontes de Corrente
Em estudos de circuitos eletrônicos é comum representarmos a fonte de alimentação como uma fonte de
tensão constante. De fato são as formas mais comuns, fáceis de assimilar e praticar. Pilhas e baterias
pertencem ao grupo de fontes de tensão: nestas, a tensão tende a permanecer constante e, conforme a
carga é alterada, a corrente é quem varia.
Em fontes de correntes, a corrente é quem permanece constante. Conforme a carga tem seu valor alterado,
a tensão é quem varia de forma a manter a corrente constante. Assim, uma fonte de corrente constante é o
circuito que limita o valor da corrente elétrica mesmo que a fonte de tensão ou carga varie seu valor, dentro
dos limites estabelecidos pela Lei de Ohm.
O circuito seguinte mostra uma fonte de corrente constante, alimentada por uma fonte de tensão, composta
por transistor, diodo zener e resistores.
A corrente elétrica é definida em RE.
O diodo zener fornece a tensão de referência (Vz).
A junção base-emissor do transistor apresenta VEB quando

saturado.
A corrente de saída será dada por: i = (Vz-VEB) / RE.
Esse valor, assim calculado, determina a corrente fornecida pelo circuito.
A carga a ser alimentada é representada pelo potenciômetro RL (Resistor Load). Ajustar RL simula as
variações na carga. Ao mudar RL, a tensão sobre a carga muda, pois a corrente fornecida (coletor de Q1) é
constante. Utilizando o software de simulação Multisim®, construa o circuito indicado a seguir.
XMM1 XMM2
Q1
BC558B
43Ω
D1
1N748A 100Ω 50%
V1 Key=A
12 V
390Ω
Neste circuito, o diodo zener (3v9 para 1N748) e a tensão VEB do transistor (até 0,82V, segundo o datasheet
do BC558) tendem a permanecer constantes. Isto significa que a tensão sobre o resistor RE de 43Ω no
emissor do transistor tende a ser constante, mesmo que a tensão de alimentação V1 flutue (mas mantenha
o diodo zener D1 polarizado). Com isso, a corrente em RE fica fixa, determinando a corrente máxima no
coletor de Q1, que é a corrente máxima entregue à carga.
Determine o valor teórico para essa corrente e anote ao lado: IL = ___________ mA

32
Ajuste os multímetros: XMM1 para ler corrente e XMM2 para tensão.
Ligue a simulação e verifique as leituras nos multímetros. Faça variar o valor do potenciômetro (carga) e
verifique o que muda. Altere o valor da fonte de alimentação V1 para 15V e depois para 18V. Verifique os
efeitos nas leituras dos multímetros e compare com o valor teórico calculado.
Note que a corrente tende a ser tolerante tanto com as alterações na carga como com a fonte de
alimentação. Com os valores sugeridos no circuito, a corrente fornecida permanece constante para qualquer
posição de R3 e para flutuações na alimentação, que poderá estar entre 11V e 20V.
O circuito seguinte opera segundo os mesmos princípios. Construa e execute a simulação.
XMM1 XMM2
R3
200Ω
55 %
Key=A
R1
V1 12kΩ
12V carga
Q1
R2
1kΩ BC548B
25 %
Key=A
Ajuste R2 para uma leitura de 4mA no multímetro. Faça variar a resistência na carga (R3) e acompanhe as
alterações pela leitura da corrente e tensão sobre a carga.
As fontes de corrente são representadas por uma seta no interior de um círculo, momo mostra o
símbolo ao lado. Embora não seja um consenso universal, essa é a representação mais utilizada.
Espelho de corrente
No circuito seguinte temos dois transistores idênticos (Q1 e Q2).
Ao interligar coletor e base de Q1, este passa a se comportar como um diodo,

mas de características idênticas à junção base-emissor de Q2. Ao fixar a corrente
por esse diodo, através de Rx, a tensão VBE de Q2 ficará fixa, tornando constante
a corrente que flui pela carga (RL).
Esse circuito é utilizado onde se necessita um funcionamento preciso e seu

emprego é muito comum em circuitos integrados (CIs).
Esta configuração permite que dois transistores do mesmo tipo sejam

conectados de tal forma que a corrente de coletor de um transistor seja
relacionada de forma razoavelmente precisa com a corrente de coletor do outro.
Por causa disso, essa configuração é conhecida como espelho de corrente.

33
Construa o circuito a seguir no Multisim®. XMM1 e XMM2 são multímetros ajustados como amperímetros.
XMM1 XMM2
R2
330Ω
R1 R3
0%
V1 10kΩ 150Ω V2
12V Key=A 24V
Q1 Q2
BC548B BC548B
Execute a simulação. Atue sobre R1 fazendo a corrente de entrada variar. Verifique as alterações na corrente
do circuito da direita. Note que a corrente de saída não é exatamente a mesma da entrada, mas
proporcional.
O circuito seguinte mostra que a corrente de entrada pode ser espelhada em vários circuitos de saída.
5kΩ
Key=Z 10 %
R10
R9 R6 R7 R8
470Ω 100Ω 500Ω 1000Ω
+ + + + +
0 A 0 A 0 A 0 A 0 A
- - - - -
V1 V2
12V Key = A Key = B Key = C 24V
J1 J2 J3
Q1 Q2 Q3 Q4 Q5
BC548B BC548B BC548B BC548B BC548B

R1 R2 R3 R4 R5
100Ω 100Ω 100Ω 100Ω 100Ω
Neste circuito, a corrente é definida pelo potenciômetro R10.
Simule o circuito no Multisim®. Atue sobre o valor da corrente e veja a influência na saída. Atue sobre as
chaves J1, J2 e J3 e verifique o espelhamento em mais de uma saída.
Em 1967, os engenheiros George R. Wilson e Barrie Gilbert se desafiaram para encontrar uma forma de
espelho de corrente mais eficiente. George R. Wilson, engenheiro de design de circuitos integrados que
trabalhava para Tektronix, ganhou o desafio e criou o circuito que leva seu nome.

34
O circuito a seguir mostra a estrutura denominada Espelho de Corrente Wilson.
Nesta estrutura, os transistores Q1 e Q2 formam um par combinado que

compartilham emissor e base. Assim, eles formam um espelho de corrente
básico. Alterando a corrente em R1, as correntes de coletor de Q1 e de base de
Q3 também são alteradas. Q3 age como um amplificador seguidor de emissor e a
tensão de base nos transistores Q1 e Q2 também mudam.
Como os transistores são iguais, as correntes tendem a serem iguais, fazendo

com que as correntes de coletor dos transistores sejam iguais (iC1 = iC2 = iC3), assim
como as correntes de base (iB1 = iB2 = iB3) . Nestas condições, o erro estático é
zero. Isto nos leva a crer que, quanto menores as diferenças entre os
transistores, menor a diferença entre as correntes citadas.
V1
mA mA V2
Adicionando um quarto transistor ao espelho de corrente
Wilson podemos equalizar as tensões de coletor de Q1 e Q2,
RE RL
removendo qualquer incompatibilidade entre Q1 e Q2. A
equalização das tensões de coletor também equaliza a
potência dissipada em Q1 e Q2 e tende a reduzir a
incompatibilidade dos efeitos da temperatura sobre as VBE.
Q4 Q3
Neste circuito, RE representa a resistência de entrada que,

em conjunto com a tensão V1, determina a corrente de
entrada. RL representa a carga (saída do circuito) na qual a
corrente de entrada é espelhada. Q1 Q2
O circuito abaixo mostra um circuito baseado no espelho de corrente Wilson.
+ - 100Ω - +
0 A 0 A
10kΩ
40 %
Key=A
12V 100Ω 24V
Construa o circuito sugerido. Para os transistores, utilize os virtuais disponíveis no Multisim®. Execute a
simulação. Altere a corrente de entrada atuando sobre o potenciômetro. Verifique as modificações na
corrente de saída (parte à direita do circuito).

35
Modo Diferencial
O esquema a seguir mescla espelho de corrente com fonte de corrente

constante.
Neste diagrama a corrente de Q1 é determinada pelo valor da resistência RX.
A máxima corrente dos emissores é determinada pela fonte de corrente.
A fonte de corrente determina a coma das correntes de emissor de Q1 e Q2.

Uma vez estabelecido o valor de corrente desta fonte, qualquer variação na
corrente de Q1 deverá ser compensada com variação de corrente em Q2 de
forma a manter constante a soma das correntes de emissor.
Assim, um aumento de corrente em Q1 resultará em diminuição da corrente

em Q2 (e, consequentemente, sobre a carga RL) e vice-versa. Este
comportamento é denominado modo diferencial.
Para verificar este efeito, monte o circuito abaixo no Multisim®.
+ +
0 A 0 A
- -
R5
47Ω R4
Key=A 100Ω
0%
Q2 Q3
V1 BD135 BD135
24V R2
33kΩ
+
0 A
-
Q1
BD135
R1
5kΩ
70 %
Key=A
Ajuste R1 para uma indicação de corrente próxima de 65mA no coletor de Q1. Faça variar o potenciômetro
R5 e veja os efeitos sobre a corrente em R4.
Notamos que a corrente no coletor de Q1 permanece constante. Para que isso aconteça, alterações na
corrente de coletor de Q2 são compensadas inversamente por Q3, daí o nome “modo diferencial”.

36
Amplificador Diferencial
Um amplificador diferencial é composto por circuitos de fonte de corrente constante e espelho de corrente.
O circuito tem duas entradas: uma inversora e uma não inversora. Assim, ao aplicarmos sinais nas duas
entradas, a saída será um sinal amplificado correspondente à diferença entre as entradas.
 Vcc = Tensão de alimentação, pode ser única ou não;

+Vcc  Q1 = Transistor 1;
RC1 RC2  R1 = Resistor de Coletor do Transistor Q1;
VC1 VC2  VB1 = Tensão na base do transistor Q1;
 VC1 = Tensão no coletor do transistor Q1;
VB1 Q1 Q2 VB2
 Q2 = Transistor 2;
 R2 = Resistor de Coletor do Transistor Q2;
RE
 VB2 = Tensão na base do transistor Q2;
 VC2 = Tensão no coletor do transistor Q2.
- Vee  RE = Resistor de Emissor (comum aos transistores);
 Vee = Tensão de polarização de emissor.
Podemos ter as seguintes possibilidades de se aplicar sinais em suas entradas:
Terminação Simples: é quando um Terminação Dupla (modo Modo Comum: é quando um mesmo
sinal é aplicado numa entrada e a diferencial): é quando dois sinais são sinal, podendo ser também de
outra é conectada a terra; aplicados nas entradas; mesmo potencial e de defasagem
+Vcc +Vcc nula entre si, é aplicado nas entradas.
RC1 RC2 RC1 RC2 +Vcc
VC1 VC2 VC1 VC2 RC1 RC2
ENTRADA Q1 Q2 Q1 Q2 VC1 VC2

ENTRADA 1 ENTRADA 2 ENTRADA Q1 Q2
RE RE
RE
- Vee - Vee
- Vee
Estes circuitos são extremamente populares em circuitos integrados (CIs).
Para se analisar a polarização DC, as entradas devem estar com um +Vcc

potencial de 0V. Ambos os emissores estão conectados ao resistor
RE, sendo este o motivo que faz com que a corrente iRE seja
constante. Se os transistores forem perfeitamente iguais, as VC1 VC2
correntes em cada emissor serão também iguais à metade da
corrente em RE. Nos transistores temos: VB1 VB2
Q1 Q2
VBE = 0,7V=/(+1) iE1 = iRE iE2 = iRE

2 2
iRE RE
ic = iB = iEiE1 = (+1)iB1 iE2 = (+1)iB2

37
Para se melhorar o funcionamento do amplificador é preciso que aumente o valor dos resistores nos
coletores (RC) para aumentar o ganho diferencial, e o de RE, para aumentar o ganho em modo comum. Mas
aumentando o valor de RC e RE haverá uma modificação na polarização do transistor e isso afetará o
funcionamento do amplificador.
Para não afetar o desempenho e ao mesmo tempo melhorar o funcionamento do circuito, substituem-se os
resistores por fontes de corrente. No circuito a seguir a saída de sinal é obtida no coletor de Q2.
+Vcc Note que a tensão de base do transistor 1 (VB1) atua sobre a

corrente de emissor.
Com isso, a corrente em Q2 também é afetada, afetando o sinal

na saída.
SAÍDA
Percebemos então que o sinal na saída é dependente direto de

VB1 Q1 Q2 VB2
VB2 (tensão na base do transistor 2) mas também depende da
tensão VB1.
Concluindo: o sinal de saída presente no coletor de Q2 depende

dos sinais presentes nas duas entradas (VB1 e VB2).
- Vee
Vcc
Estas fontes de corrente devem ter uma alta resistência interna,

próxima do infinito. Para se obter uma fonte de corrente física
usa-se o circuito espelho de corrente.
A representação ao lado ilustra um amplificador diferencial onde

Rx
os resistores de polarização foram substituídos por fontes de SAÍDA
corrente (na forma de espelhos de corrente).
As fontes físicas possuem alta resistência interna, onde a corrente VB1 VB2
iE é obtida usando a expressão:
iE = (Vcc – VBE)/Rx
*** As equações podem ser obtidas através das mesmas análises

desenvolvidas para polarização de transistores bipolares. Vee
O circuito seguinte é a simulação de um amplificador construída no Multisim® (para fins didáticos).

38
XSC1
18kΩ
Ext T rig
+
_
A B
12 V + _ + _
XFG1
15kΩ
Monte a simulação no Multisim®. Para os transistores, use os transistores virtuais NPN.
Ajuste o gerador de sinais para onda quadrada de 100Hz e amplitude de 850mVp. Ajuste o osciloscópio de
forma a visualizar as formas de ondas na entrada e saída (Timebase = 10ms/Div; canal A = 5V/DivYpos = 0;
canal B = 5V/DivYpos = -1).
Execute a simulação. Note que a saída representa o inverso do sinal de entrada, porém amplificado.
O sinal mínimo de saída não é zero volt. Isto se dá por causa das tensões VCE dos transistores no modo
saturado (chave). Da mesma forma, a tensão máxima de saída é próxima à Vcc, mas não idêntica.
A escolha da onda quadrada no gerador de deu porque neste circuito não há controle sobre o ganho de
amplificação. Assim, o sinal de saída tende a se estabelecer no valor mínimo ou no máximo da Vcc.
Experimente outras formas de ondas (senoidal e triangular) e verifique o que acontece.
Coloque o gerador de funções novamente para onda quadrada. Execute a simulação. Reduza
gradativamente o nível do sinal e tente identificar o mínimo sinal de entrada que mantém as características
vistas no sinal de saída. Este mínimo sinal é a sensibilidade do circuito. Justifique este valor.
Comparador de tensão
Como o nome indica, é um circuito capaz de comparar dois níveis de tensão.

39
A figura é uma cópia do diagrama apresentado no datasheet da Texas Instruments sobre o CI LM 2903. Este
CI é encapsulado em 8 pinos e é composto por dois comparadores de tensão, uma das aplicações do
amplificador diferencial.
Outro CI comercial que utiliza amplificadores diferenciais na

construção de comparadores de tensão é o 555. A figura ao
lado ilustra de forma simplificada (em blocos) sua
constituição interna:
As figuras triangulares marcadas como AD1 e AD2 no
diagrama representam as aplicações dos amplificadores
diferenciais (AD).
As figuras seguintes ilustram simulações das possíveis

configurações com comparador de tensão virtual do
Multisim®.
Construa esses circuitos e acompanhe em cada simulação o descrito nos parágrafos.
 Configuração Não Inversor
XSC1 Neste caso, o comparador considera 5V como sua tensão de

G alimentação e esta será a amplitude do sinal de saída. Por ser um
XFG2
T
circuito virtual, sinais de entrada muito pequenos já são
A B C D
suficientes (a sensibilidade é 25Vp).
Para a figura abaixo, foi utilizado 1Vp de entrada (forma de onda

U1 superior). Note que o sinal de saída é semelhante ao sinal de
entrada, porém amplificado.
COMPARATOR_VIRTUAL
 Configuração Inversor
XSC1
G Para esta simulação, o sinal é injetado na entrada inversora. Note a
XFG2
T
inversão de fase da saída em relação ao sinal de entrada.
A B C D
U1
Para este componente, o Multisim® considera também a

COMPARATOR_VIRTUAL sensibilidade de 25V para a entrada inversora.

40
 Configuração Comparador
XSC1 Nesta simulação são injetados dois sinais. Ajuste os geradores para
G onda quadrada com 1Vp e frequências 20Hz (XFG1) e 5Hz (XFG2).
XFG1 XFG2
T
Execute a simulação e analise o sinal obtido. Procure justificar o
A B C D
porquê de sua forma.
U1
COMPARATOR_VIRTUAL
Altere a frequência gerada por XFG2 para 22Hz e execute a simulação novamente. Analise a forma de onda
do sinal na saída do comparador de tensão e justifique sua forma.
É muito comum encontrarmos comparadores de tensão na forma de circuitos integrados em quantidades de

dois, como o LM 2903 e quatro, como o LM 339.
LM339
Quadvoltage
Comparator
O diagrama a seguir ilustra o circuito completo de cada comparador de tensão existente no LM 339. As setas
à direita do diagrama indicam os pontos de ligação em comum entre os quatro comparadores deste circuito
integrado.

41
Exemplo de aplicação
 Projeto de um indicador de potência de áudio com barra de Leds(Bargraph) e comparadores de tensão.
O circuito proposto é apresentado a seguir e é um indicador da potência entregue por um amplificador a um

alto falante ou caixa acústica para 10W de pico sobre 2Ω de impedância (ou 5W sobre 4Ω ou ainda 2,5W
sobre 8Ω).
Para indicar potências maiores, as alterações no circuito são facilmente implementadas; basta alterar o valor
do diodo zener ou simplesmente incluir um trimpot de 1K na entrada de áudio.
A primeira preocupação no dimensionamento de um circuito é com as correntes envolvidas. Elas dependem

diretamente da tensão de alimentação. A alimentação escolhida é de 12V por ser bastante comum e versátil.
Em cima disto, dimensionamos os valores considerando uma tolerância para maior para garantir
longevidade ao funcionamento do circuito. Em aplicações automotivas, por exemplo, é comum a tensão
chegar a 14,4V embora seja denominada genericamente como 12V. Consideraremos uma margem de
segurança de até 17V.
O CI escolhido é o LM 339. Sua escolha se dá por ser comum em nosso mercado (fácil de encontrar), baixo
custo e comporta alimentação simples de até 36V conforme seu datasheet.
Outro fator é a faixa de indicação desejada. A princípio vamos considerar uma potência de áudio máxima de
apenas 10W.
Relembrando os conceitos, podemos dizer que quando a tensão presente na entrada

inversora ( - ) for maior que a presente na entrada não inversora ( + ), a saída
apresentará tensão negativa. Da mesma forma, quando a tensão presente na
entrada marcada inversora for menor que a tensão na entrada não inversora, a saída
apresentará tensão positiva.
Os CIs comerciais podem conter vários comparadores de tensão. O CI considerado neste exemplo é o
comparador de tensão quádruplo LM339.
Com quatro comparadores de tensão, podemos estabelecer quatro níveis de comparação para indicar
diferentes potências. Para isso, usamos uma tensão de referência estabilizada por um diodo zener e
divisores de tensão.
O sinal de entrada é retificado por um diodo e o resistor de 220 garante que a impedância vista pelo
amplificador seja pouco alterada em relação ao alto falante sozinho (o circuito de entrada opera em paralelo
com o alto falante). O valor desse resistor não é crítico, podendo ser adotado acima de 27Ω.
Aqui cabe ressaltar uma condição importante: o circuito aqui proposto foi pensado em amplificação simples
e não em ponte. Para amplificação em ponte (como nos auto rádios modernos), deve-se desacoplar a CC do
sinal através de um capacitor em série com a entrada de sinais; um capacitor eletrolítico bipolar de valor
entre 47F e 220F com tensão de isolação de pelo menos 25V deve ser usado. Nestas condições, a
indicação de potência será o quádruplo do indicado aqui nas tabelas.

42
Lista de materiais:
 1 CI – LM 339
 1 Soquete para CI de 14 pinos
 1 resistor de 470x 1/4W [ 470R ]
 1 resistor de 220 x1/8W [ 220R ]
 5 resistores de 1K x1/8W [ 1K ]
 2 resistores de 1,2Kx 1/8W [ 1K2 ]
 1 resistor de 2,4Kx 1/8W [ 2K4 ]
 1 resistor de 4,7Kx 1/8W [ 4K7 ]
 1
1 resistor de 10Kx /8W [ 10K ]
 1 capacitor eletrolítico de 4,7F x 25V
 1 diodo zener 1N748 – 3v9 x1/2W
 1 diodo 1N4148
 1 Led vermelho
 1 Led amarelo
 3 Leds verdes
 2 conectores KRE 2 vias
 1 PCI de dimensões 5 cm x 6 cm
O capacitor de 4,7F fornece uma velocidade da indicação para melhor conforto de visualização. O tempo de
carga (“tempo de ataque”, na indicação) é dado pela carga do capacitor através do resistor de 220. Os
amplificadores diferenciais apresentam altas impedâncias de entrada (da ordem de centena de K), assim o
tempo de descarga do mesmo capacitor será dado pelo resistor de 10K. Valores diferentes para este
capacitor e para o resistor de descarga podem ser experimentados.A tensão armazenada neste capacitor é
aplicada a todas as entradas inversoras( -) dos comparadores de tensão.
Quando não houver sinal na entrada, a carga nesse capacitor será zero. Como as entradas não inversoras
recebem tensões positivas a saída de cada comparador permanecerá positiva. Como os Leds estão com
anodo no positivo do circuito a queda de tensão neles é nula e permanecem apagados.
Conforme o sinal de entrada se eleva, a tensão no capacitor também se eleva. Essa tensão, aplicada às
entradas inversoras, é comparada com as de referências (fornecidas pelo divisor resistivo e estabilizada pelo
diodo zener). Quando a tensão se torna maior que referência existente em cada comparador, sua saída
muda para zero volt ( 0V ). Com isso, o respectivo Led acenderá.
O resistor em série com cada Led limita sua corrente para que não queime. De acordo com seu datasheet, o
LM 339 permite até 16mA em cada saída. Considerando uma queda de tensão de pelo menos 1V em cada
Led, resistores 1K permitirão alimentação de até 17V. Valores maiores como 1K5 ou mesmo 2K2 podem ser
experimentados. Tal mudança permite elevar a tensão de alimentação do circuito para 24V ou mais.
Como cada comparador possui referência diferente (fornecida pelo divisor de tensão resistivo), o resultado é
que os Leds acenderão em sequência conforme a tensão de carga do capacitor aumentar.
Os valores escolhidos para os resistores do divisor de tensão temos uma escala aproximada de 6dB por
indicação (lembrando que a cada 3dB a potência dobra, portanto a cada 6dB ela quadruplica). Como
sabemos, a potência é dada por P = V2 / R e levando em consideração os valores dos resistores, o zener de
3,9V e 0,6V da barreira de potencial do diodo de entrada, a indicação de potência deste circuito é dada por:
P = ( V+VD )2/ R  P = ( V+0,6 )2/ R (onde R = impedância do alto falante)

43
Tensão de referência Alto falante de 2 Alto falante de 4 Alto falante de 8

4° Led = 4,5V P = 10 W P=5W P = 2,5 W
3° Led = 2,5V P = 3,3 W P = 1,6 W P = 800 mW
2° Led = 1,5V P = 1,2 W P = 620 mW P = 300 mW
1° Led = 1,1V P = 600 mW P = 300 mW P = 150 mW
 Indicação de potência esperada considerando uma perda de 0,6V no diodo de entrada e Zener de 3V9.
Como as correntes envolvidas são pequenas, quase todos os resistores podem ser do tipo miniatura. Apenas
o resistor de polarização do diodo zener deve ser maior, com potência de 1/4W.
Layout de montagem Traçado para transferência térmica
As figuras apresentam, respectivamente, a sugestão de layout em tamanho real para a montagem do

indicador de potência numa PCI dedicada e o layout para confecção pelo método de transferência térmica.
No layout foi incluído um capacitor de 22F x 25V (posicionado entre R4 e R5) que deve ser usado quando a
alimentação deste circuito for independente do amplificador. Quando a alimentação for a mesma do
amplificador, esse capacitor pode ser dispensado.
Este circuito pode ser ampliado para indicação com maior quantidade de Leds. Exemplo:

44
As imagens apresentam os layouts do circuito expandido para 9 Leds de indicação. Como incremento, há um
trimpotmultivoltas para ajustar o medidor caso se deseje indicações de potência maiores que o inicialmente
projetado.
A seguir, o diagrama esquemático para este circuito.
Note que os valores dos componentes não estão representados. Como exercício de projeto, determine o
valor ideal para cada componente segundo o valor comercial (tabela E24 para resistores) para a escala de
indicação determinada pelo professor.
Como complemento deste estudo, pesquise os datasheets dos CIs LM3914, LM3915, LM3916 e BA6154.
Analise a constituição interna de cada um e verifique as aplicações sugeridas pelo fabricante para cada um
deles. Como são componentes com os mesmos princípios de funcionamento e constituição, identifique o
que os torna específicos para cada aplicação.

45
Introdução aos Amplificadores Operacionais

O amplificador operacional recebeu este nome porque foi projetado inicialmente para realizar operações
matemáticas utilizando a tensão como uma analogia de outra grandeza. Esta é a base dos computadores
analógicos onde os AOs eram utilizados para realizar as operações matemáticas básicas (adição, subtração,
integração, diferenciação e outras). Neste sentido, um verdadeiro amplificador operacional é um elemento
ideal. Os amplificadores reais utilizados, feitos de transistores, válvulas, ou outros componentes
amplificadores, são aproximações deste modelo ideal.
Os AOs foram desenvolvidos na era das válvulas termo iônicas, onde eram usados em computadores
analógicos. Os AOs modernos são normalmente construídos em circuitos integrados (ocasionalmente são
feitos com transistores).
A maioria dos AOs simples, duplos ou quádruplos disponíveis possuem uma pinagem padronizada que
permite que um tipo seja substituído por outro sem mudanças na pinagem. Um AO específico pode ser
escolhido pelo seu ganho em malha aberta, largura de banda, nível de ruído, impedância de entrada,
consumo da potência, ou uma combinação de destes fatores.
Um amplificador operacional é um amplificador multiestágio com entrada diferencial. Apesar da

semelhança, é mais complexo que um comparador de tensão. Enquanto um comparador de tensão, como o
próprio nome indica, compara valores de entrada e decide entre uma saída de valor alto (Vcc) ou baixo (0V),
um amplificador operacional (AO) pode ter sua saída excursionando sobre todos os valores entre Vcc, GND
(0V) e –Vcc. Com isso, um amplificador operacional pode atuar como comparador de tensão. Porém, um
comparador não pode substituir um AO.
Analisando seus circuitos, é na etapa de saída que encontramos as principais diferenças e que levam
justamente aos usos diferentes para estes circuitos e também para seu comportamento diferente em muitas
aplicações. Os comparadores em geral trabalham com saída com coletor aberto, já os AOs não. Assim,
dizemos que os amplificadores operacionais são otimizados para uma operação linear enquanto que os
comparadores de tensão são otimizados para uma operação em regime saturado.
Compare as figuras abaixo, extraídas dos datasheets do LM339 (comparador) e do LM324 (AO).
Circuito equivalente do LM339 Circuito equivalente do LM324 (datasheet ST)

(datasheet Philips)

46
Como já citado, o Amplificador Operacional (AO) é um amplificador multiestágio com entrada diferencial.
Suas características se aproximam às de um amplificador ideal. As características de um AO ideal são:
 Impedância de entrada infinita;

 Impedância de saída nula;
 Ganho de tensão infinito;
 Resposta de freqüência infinita;
 Insensibilidade à temperatura;
 Nenhum ruído.
alimentação positiva
O AO é representado por uma figura triangular, com entrada +Vcc
inversora, não inversora, alimentação simétrica (+Vcc e –Vcc) e
entrada não inversora
uma saída de sinal. saída
entrada inversora
Note a semelhança com os comparadores de tensão. Isto ocorre
porque os AOs também usam amplificadores diferenciais, porém -Vcc
os AOs são mais elaborados (complexos). alimentação negativa
Para compreender como atua um amplificador operacional, vejamos a atuação de um amplificador simples:
+ Vcc
RE RC3
Q11
D1
Q1 Q2
IN + OUT
D2
GND
IN -
Q12
CC
GND
Q3
RC1
- Vcc
Temos aqui os três blocos fundamentais de um amplificador operacional:
 Estágio de entrada diferencial (Q1, Q2);

 Estágio de ganho (Q3);
 Estágio de buffer de saída (conversor de impedâncias – Q11, Q12).
Estágio de entrada diferencial (Q1, Q2)
Uma entrada diferencial é necessária para possibilitar controlar o ganho do amplificador. O termo
"feedback" implica que nós realimentamos parte da saída para a entrada negativa (IN - ) através de um
divisor resistivo, como veremos adiante.

47
Este é também um estágio de transcondutância: tensão, corrente. Transcondutância é a razão entre o sinal
de saída de corrente de um circuito em relação ao sinal de tensão de entrada.
A transcondutância (gm) de Q1, Q2 determina o ganho deste estágio. A entrada é um nível de tensão
elétrica e a saída é a corrente elétrica resultante no coletor do transistor Q1.
A corrente no coletor de Q1 (IC1) é dada por: IC1 = [ ( Vin+)–( Vin-) ]×Gm×1/2

Onde:
 IC1 = corrente de coletor do transistor Q1
 Vin+ = tensão presente na entrada não inversora
 Vin- = tensão presente na entrada inversora
 gm = transcondutância do estágio de entrada diferencial
Q1 e Q2 são o seu amplificador diferencial básico. RE define a corrente de polarização do coletor de CC para
os transistores.
IC1 = IC2 = IE / 2 = [(VCC - VBE) / RE] ×1/2
IC1 ajusta o ganho de Q1 (ou transcondutância - tensão de entrada, corrente de saída) para um sinal de CA.
gm = IC1 / VT
Onde:
 gm = transcondutância do estágio de entrada diferencial
 VT = é a tensão de entrada resultante do par diferencial. Isto dá corrente de coletor de Q1. No caso
da entrada inversora estar conectada à terra (0V), VT representará a sensibilidade do amplificador
para máxima tensão de saída, a partir da qual ocorre o ceifamento do sinal.
O fator 1/2 é devido a entrada vin = (vin + - vin-) dividindo-se

IC1 = Vin × gm1 × 1/2 
igualmente entre vbe1 e vbe2.
O resistor RC1 ajuda a definir IC1 igual a IC2. A princípio, RC1 = VBE3 / IC1. Por exemplo, se desejado Ic1 = 0,5
mA, então RC1 = 0,7 V / 0,5 mA = 1,4 k. Podemos ter que ajustar esse valor para obter Ic1 ~ Ic2. Embora RC1
auxilie no balanceamento de correntes de coletores, ele também nos rouba o ganho de sinal, desviando
parte de IC1 da base do Q3. Para efeitos de cálculos, definimos o fator Ki se referindo à parcela de corrente
que efetivamente chega à Q3.
Estágio de ganho (Q3)
Este é um estágio de transimpedância: quando o sinal de saída é um nível de tensão dependente de uma
corrente de entrada, o estágio é chamado de amplificador de transimpedância ou transresistência. A maior
parte do ganho de tensão acontece neste estágio. O ganho de tensão geral deve ser elevado (> 1000) para
que o amplificador tenha um ganho de sinal preciso (+10) e baixa distorção quando trabalhando em laço
fechado (feedback), instalando os componentes de realimentação.
A tensão no coletor de Q3 (VC3) é dada por: VC3 = IC1 × Ki ×β3 × RC3

Onde:
 VC3 = tensão no coletor do transistor Q3
 IC1 = corrente de coletor do transistor Q1
 Ki = A corrente de coletor ic1 de Q1 divide-se entre RC1 e a base de Q3. O fator Ki se refere à parte
da corrente que efetivamente chega à Q3
 β3 = ganho estático (de tensão) do transistor Q3
 RC3 = resistor que limita a corrente de coletor de Q3 (e polariza os diodos D1, D2 e a base de Q11)

48
O estágio de ganho se parece com o um amplificador emissor comum básico. Sua corrente de coletor DC
pode ser calculada com a tensão de saída Vo = 0V, colocando o coletor de Q3 a 0.7V disso através do VBE de
Q11.
IC3 = (VCC – VBE11) / RC3
A corrente de coletor IC1 de Q1 divide-se entre RC1 e a base de Q3. Ki = IB3 / IC1 = RC1 / (RC1 + RIN3)
Onde RIN3 = IC3 / VT. Então, IB3 é multiplicado pelo ganho de corrente de Q3 e convertido de volta para
tensão por RC3. A tensão torna-se VC3 = IB3 ×β3 × RC3.
Aplicando as equações acima, temos: VC3 = IC1 × Ki ×β3 × RC3
O capacitor entre coletor e base de Q3 é incluído para evitar que o circuito entre em oscilação.
Estágio buffer de saída (Q11, Q12)
O estágio de buffer de saída tem um ganho de 1 permitindo alimentar cargas de baixa impedância sem
afetar o ganho. Obter a saída diretamente de RC3 afetaria seu ganho de tensão. O buffer transfere a tensão
de saída para a carga enquanto fornece a quantidade de corrente necessária, isolando a carga do estágio de
ganho.
A tensão de saída é dada por: Vo = 1 × VC3

Onde:
 Vo = tensão de saída
 VC3 = tensão no coletor do transistor Q3
Os diodos D1 e D2 ajudam a polarizar o estágio de saída Q11 e Q12. Esses diodos compensam a barreira de
potencial de VC3 para Vo quando a saída passa de positiva para negativa ou vice-versa. Essa distorção
cruzada (crossover) é corrigida principalmente pela realimentação(feedback), mas quanto menos
compensar, melhor.
Q11 e Q12 formam o estágio de saída “push-pull”. Eles são seguidores de emissor simples - um para as
variações de saída positiva (NPN) e um para a saída negativa (PNP).
Como o seu nome indica, o emissor segue a base (ganho unitário), exceto por 0,7V até a condução do
emissor. É por isso que D1 e D2 estão incluídos, para compensar uma queda de 0,7V em cada ciclo.
As bases dos seguidores de emissor apresentam uma alta impedância ao RC3, tendo pouco efeito no ganho.
Por outro lado, o emissor apresenta baixa impedância à carga RL, de modo a poder gerar grandes correntes,
se necessário. No entanto, à medida que a carga RL diminui, a impedância de entrada de Q11 e Q12 também
diminui. Esta impedância reduzida está em paralelo com o RC3, reduzindo o ganho do amplificador.
Realimentação e Ganho
Vin+
O ganho interno total do amplificador é da entrada diferencial para a saída.
Vo
Seja o ganho total AOL (Open Loop Gain), teremos:
Vin-
AOL = Vo / (vin + - vin-) = gm1 × Ki × beta3 ×RC3× 1/2

49
AOL define o ganho de malha aberta do amplificador porque fizemos a análise sem a malha de
realimentação. O ganho em malha aberta (AOL) é tipicamente maior que 1000 V/V.
Vin+
Podemos definir seu ganho de sinal real pelos componentes de Vo
realimentação (feedback) RF2 e RF1.
RF2
ACL (Closed Loop Gain) define o ganho de malha fechada. Sejam RF2 e
RF1 os resistores de feedback (realimentam a saída para a entrada
negativa). RF1
ACL = Vo / Vin+ = RF2 / RF1 + 1
Exemplo de projeto de Amplificador
Vamos projetar um amplificador para a faixa de áudio, partindo dos parâmetros desejados:
Parâmetros iniciais:
 Ganho de tensão de 10 V/V (20 dB)
 Alimentação a partir de uma fonte simétrica de +/- 15V
 Corrente de polarização (DC bias) de Q1 e Q2 de 0,5mA
 Corrente de polarização (DC bias) de Q3 de 3,5mA
 Mínimo sinal na entrada quando operando em malha aberta de 25mV
Inicialmente, para obter IC1 = 0.5 mA, vemos que VBE3 (de Q3) está em paralelo com RC1, limitando-o a 0.7V.
Assim, temos RC1 = 0,7V/ 0.5mA = _______. (determine o valor teórico de RC1 e anote)
A corrente através de RE se divide em Q1 e Q2, então temos: IC1 = IC2 = IE / 2
IC1 = [ (VCC - VBE) / RE ]× ½  RE=[ (VCC - VBE1) / IC1 ] × ½  RE = [ (15 - 0,7) / 0,5mA ] × ½  RE = ______
A corrente de coletor do Q3 é calculada como:
IC3 = (VCC - VBE4) / RC3  RC3 = (VCC - VBE4) / IC3  RC3 = (15 - 0,7) / 3,5mA =_____
A transcondutância de Q1 é dada por:
gm1 = IC1 / VT  gm1 = 0,5 mA / 25mV  gm1 = 0,02 (A / V)
A saída atual do estágio de entrada diferencial será
IC1 = Vin × 1/2 × gm1  IC1 = Vin × 1/2 × 0,02  IC1 = Vin × 0,01 (A / V)
Cosiderando um β3 mínimo de 100, a resistência de entrada exibida por Q3 será
RIN3 = β / (IC3 / VT)  RIN3 = 100 / (3,5 mA / 25 mV)  RIN3 = 714Ω
A corrente de coletor ic1 será dividida entre RC1 e rin3, definida por
Ki = IB3 / IC1  Ki =RC1 / (RC1 + RIN3)  Ki = 1,4k / (1,4k + 714) = 0,662

50
O transistor Q3 converte a saída de Q1 em tensão em: IBQ3×β3 × RC3.
O ganho global em malha aberta torna-se
AOL = VC3 / Vin  AOL = gm1 × Ki × beta3 × RC3 × 1/2  AOL = 2705 (V / V)
Finalmente, com o ganho em malha aberta (AOL) tão grande, podemos fechar com segurança o loop com
RF1 e RF2 definindo o ganho de malha fechada. Neste caso, como veremos adiante, o ganho em malha
fechada (ACL) será dado por:
ACL = RF2/RF1 + 1  ACL = Vo / Vin+  ACL = RF2 / RF1 + 1
Como escolhemos inicialmente um ganho de 10 vezes (ACL = 10 V / V), adotando o resistor de realimentação
de 10K, teremos:
ACL = RF2 / RF1 + 1  10 = 10k / RF1 + 1  RF1 =________
Construa a simulação o circuito amplificador com os valores calculados.
A resistência RL, próxima ao osciloscópio, simula a carga alimentada pela saída do circuito.
V1 XSC1
XFG1
RE RC3 15 V
14300Ω 4085Ω Ext Trig
+
_
Q11 A B
+ _ + _
D1
RF2
Q1 Q2
10kΩ
RF1 D2
1.1kΩ RL
1kΩ
Q12
CC
470pF Q3
RC1 V2
1400Ω 15 V
Meça as correntes de coletor de Q1, Q2 e Q3 e compare com os valores escolhidos (teóricos):
IC1TEORICO = 0,5 mA IC1 = ______________mA
No gerador de funções, injete um sinal de 1KHz com 1Vp.
Verifique no osciloscópio a amplitude do sinal de saída. Anote Vs = __________

51
Experimente outros valores para a malha de realimentação e verifique seu funcionamento na simulação.
Sugestões: ACL = 25; ACL=100. Para ambos, considere RF2 = 18KΩ.
Podemos estudar possíveis ajustes para aproximar o projeto para o de um amplificador ideal.
A figura seguinte mostra o mesmo projeto, mas sem os resistores de realimentação e carga e também com
as entradas conectadas a 0V (gnd).
Neste circuito foram incluídos amperímetros e um voltímetro para auxiliar nos ajustes.
V1
+
RC3 15 V
RE 0.000 A
-
14300Ω
XSC1
Ext T rig
+
Q11
_
B
D1 A
_ _
+ +
Q1 Q2 D2
Q12
+
+ +
CC 0.000 A
0.000 A 0.000 A
470pF - +
- -
0.000 A
-
Q3
+ V2
RC1 0.000 V 15 V
-
A tensão VBE de Q3 foi considerada 0,7V para fins de cálculo, mas na realidade este valor é apenas próximo
disto, como podemos ver pelo voltímetro. Isto significa que o valor calculado de RC1 é teórico, podendo ser
melhorado.
Podemos iniciar com a adoção de RE=14300 conforme calculado, e modificar o valor de RC1 para que a
diferença entre as correntes de coletor de Q1 e Q2 seja a menor possível. Anote o valor ajustado encontrado
para RC1.
RC1 = ______________
Para a saída, já que as entradas estão em 0V, a tensão de saída medida pelo osciloscópio deveria apresentar
0V, o que com os valores calculados não ocorre. Para que isso ocorra devemos ajustar o valor de RC3. Altere
o valor de RC3 para que a leitura na saída seja a mais próxima possível de zero volt.
Anote o valor ajustado encontrado para RC3. RC3 = ______________
Note que com o valor ideal, as correntes de coletor dos transistores de saída se igualam. Compare os valores
encontrados para os resistores e as correntes medidas ainda estão bem próximas do calculado.
Para finalizar, substitua RC1 por um espelho de corrente e refaça as análises.
O circuito a seguir mostra essa configuração.

52
RE RC3 +
14300Ω 0.000 A V1
- 15 V
+
XSC1
0.000 A Q11
-
Ext Trig
+
_
B
D1 A
_ _
+ +
Q1 Q2
D2
+
Q12
0.000 A
-
+
+
0.000 A CC
-
470pF 0.000 A
-
+
Q3
0.000 A
-
Q4 Q5 +
0.000 V V2
- 15 V
Nesta nova configuração, o valor de RC3 deverá ser reajustado para que a saída se apresente a mais
simétrica possível. Na ausência de sinais de entrada, como na figura, a saída deve ficar em 0V. Experimente o
valor de 9k1 para RC3 e verifique o efeito na saída. Isto ocorre em malha aberta, onde o ganho é máximo e
diferenças entre o ideal e o real são amplificadas. Esta é a correção de offset dos AOs. Com laço fechado em
ganho 10, por exemplo, o valor anteriormente calculado pode ser aplicado.
Em um CI comercial, os resistores RE e RC3 são normalmente substituídos por fontes de corrente constante.
A figura a seguir foi obtida de um datasheet do CI LM386. Interprete o diagrama de sua constituição interna.
Os circuitos apresentados contêm os princípios dos amplificadores operacionais e são ótimos para baixas
frequências como a faixa de áudio. Porém, um amplificador operacional deve operar com ampla faixa de
tensão de alimentação e de sinais, ter precisão de funcionamento e ganho controlado com exatidão em uma
faixa de frequências muito mais ampla que a de áudio, além de trabalhar com qualquer tipo de forma de
onda. Então, um circuito mais elaborado se faz necessário.

53
O primeiro AO integrado a tornar-se largamente disponível foi o Fairchild UA-709, no final dos anos 60.
Porém foi ultrapassado pelo desempenho superior do 741 (é mais fácil de utilizar, e provavelmente o mais
conhecido da eletrônica – todos os principais fabricantes produzem uma versão deste chip). O 741 possui
transistores bipolares, e segundo os padrões modernos possui uma performance considerada média.
No final dos anos 70 surgiram projetos baseados em transistores FET e as versões com MOSFET no início dos
anos 80. Há ainda os chamados AOsBi-FET, que combinam transistores bipolares e MOSFETs e que
aproveitam as melhores características de ambos. Bi-FETs típicos são os CA3130 e CA3140 da RCA.
A figura seguinte ilustra a constituição interna do 741.
Fontes de corrente
+Vcc
7
Q8 Q9 Q12 Q13
Entrada
Inversora
Q14
2
4K7Ω
3
Q1 Q2 39kΩ Q16 Q17
Entrada não
Inversora 7K5Ω
30pF 24Ω
Saída
Estágio de
Entrada Q3 Q4
6
diferencial Q15
Q7 51Ω
Q19
Estágio de saída
push-pull
Q5 Q6 Q10 Q11 Q22 Q20 (em classe AB)
1kΩ 51kΩ 1kΩ 4K7Ω 51kΩ 51Ω

4
1 5 -Vcc
Offset Offset
Fonte de Estágio de ganho
corrente (em classe A)
A seção tracejada que contém os transistores Q1 a Q7 é o amplificador diferencial. Q1 e Q2 são seguidores

de emissor e junto com o par “base comum” composto por Q3 e Q4, formam o estágio de entrada
diferencial. Q3 e Q4 funcionam também como registradores de nível e provêem ganho de tensão para
alimentar o amplificador classe A. Eles também ajudam a aumentar a taxa de VBE reverso nos transistores de
entrada.
O amplificador diferencial formado por Q1 a Q4 comanda uma fonte de corrente de carga ativa formadas
pelos transistores Q5/Q7. Q7 aumenta a precisão da fonte de corrente pela redução da quantia de corrente
de sinal necessária para Q3 controlar as bases de Q5 e Q6. Esta fonte de corrente provê a conversão de
estágio diferencial para saída única, descrito a seguir:
A corrente de sinal de Q3 é a entrada para a fonte de corrente, enquanto a saída da fonte (o coletor do Q6) é
conectada ao coletor de Q4. Ali, as correntes de sinal de Q3 e Q4 são somadas. Para sinais de entrada
diferencial, os sinais de corrente de Q3 e Q4 são iguais e opostos. Desse modo, a soma é o dobro das
correntes individuais. Isto completa a conversão para uma saída única.

54
A tensão de sinal para um circuito aberto sobre este ponto é dada pelo produto das correntes de sinal
somadas pelo valor da associação paralela entre as resistências dos coletores de Q4 e Q6. Como os coletores
de Q4 e Q6 aparecem como altas resistências à corrente de sinal, o ganho de tensão de circuito aberto é
muito alto.
Deve se notar que a corrente de base nas entradas não é zero, e que a impedância efetiva das entradas
diferenciais do 741 é de cerca de 2 MΩ. Os pinos de ajuste de offset (offset null) podem ser usados em
conjunto com um potenciômetro para remover qualquer tensão de offset que iria existir na saída do AO
quando o sinal aplicado entre as entradas fosse igual a zero.
As seções em destaque formadas pelos pares Q8/Q9, Q10/Q11 e Q12/Q13 são as fontes de corrente. A
corrente primaria, da qual as outras correntes estáticas são geradas, é determinada pela alimentação do
chip e pelo resistor de 39 kΩ atuando (em conjunto com as duas junções de diodo dos transistores) como
uma fonte de corrente. A corrente gerada é de aproximadamente [ (VS+) – (VS−) – (2Vbe) ] / 39 kΩ.
As condições em CC do estágio de entrada são controladas pelas duas fontes de corrente à esquerda. A fonte
formada por Q8/Q9 permite tensões de modo-comum maiores nas entradas sem exceder a faixa ativa de
nenhum transistor no circuito. A fonte de corrente formada por Q10/Q11 é usada, indiretamente, para
determinar a corrente no estágio de entrada. A corrente é determinada pelo resistor de 5 kΩ.
O controle do estágio de entrada ocorre da seguinte maneira: As saídas das fontes de corrente Q8/Q9 e
Q10/Q11 juntas formam um circuito diferenciador de corrente com alta impedância. Se o estágio de entrada
tende a desviar (como detectado por Q8) do valor definido por Q10, isto é refletido por Q9 e qualquer
mudança do circuito é corrigida alterando a tensão nas bases de Q3 e Q4. Desta maneira, as condições de CC
do estágio de entrada são estabelecidas por um sistema de realimentação negativa de alto ganho.
A fonte de corrente no topo à direita, formada por Q12/Q13 provê uma carga de corrente constante para o
estágio de ganho classe A, através do coletor de Q13, que é largamente independente da tensão de saída.
A área tracejada que contêm os transistores Q15, Q19 e Q22 é o estágio de ganho classe A. Ele consiste de
dois transistores NPN em uma configuração Darlington(Q15/Q19) e utilizam a saída de fonte de corrente
como a sua carga de coletor para obter um alto ganho. O capacitor de 30 pF provê uma realimentação
negativa que varia com a frequência no estágio de ganho classe A para estabilizar o amplificador em
configurações de realimentação. Está técnica é chamada “compensação Miller” e funciona de uma maneira
similar ao circuito integrador com AO. É também conhecida como compensação de pólo dominante, porque
introduz um pólo dominante (que mascara os efeitos dos outros pólos) na resposta de frequência em malha
aberta. Estepólo pode ser baixo como 10 Hz em um amplificador 741 e introduz uma perda de −3dB na
resposta em malha aberta à esta frequência. Isto é feito para conseguir estabilidade incondicional no
amplificado até o ganho unitário de malha fechada e torna este tipo de amplificador mais fácil de utilizar.
A seção tracejada ao redor dotransistor Q16 é um chaveador de nível de tensão ou um multiplicador de VBE
(um tipo de fonte de tensão). Q16 provê uma queda de tensãoconstante entre seu coletor e emissor
independente da corrente que passe pelo circuito. Se a corrente de base no transistor for tida como zero, e a
tensão VBE for de 0.625 V (um valor típico em um transistor bipolar na região ativa), a corrente no resistor de
4.5kΩ será a mesma que a do resistor de 7.5 kΩ, produzindo uma tensão de 0.375V sobre ela. Isto mantém a
tensão no transistor e nos dois resistores em 0.625 + 0.375 = 1 V. Isto serve para polarizar os dois
transistores de saída levemente para prevenir a distorção por crossover. O problema da distorção de
crossover pode ser resolvido utilizando-se dois diodos de silício (2 × 0,6 V) em substituição a este estágio
(Q16 e resistores). Em amplificadores com componentes discretos, para se ter sucesso com esta técnica é
necessário que os diodos e os transistores de saída estejam em contato térmico.

55
O estágio de saída (tracejado que contém os transistores Q14, Q17 e Q20) é um amplificador seguidor de
emissor Classe AB push-pull (Q14/Q20) com a entrada definida pela fonte de tensão VBE de Q16 e seus
resistores de base. Este estágio é controlado pelos coletores de Q13 e Q19. A faixa de saída do amplificador
é de cerca de 1 volt a menos do que a tensão de alimentação, definido em parte pelo VCE(SAT) dos transistores
de saída.
O resistor de 25 ohms no estágio de saída atua com um sensor de corrente para prover a função de limite de
corrente de saída que limita o fluxo de corrente no seguidor de emissor Q14 para cerca de 25 mA no caso do
741. A limitação de corrente para a saída negativa é feita pela percepção da tensão no resistor do emissor do
Q19 e a utilizando para reduzir a carga na base de Q15. Versões posteriores deste esquema de amplificador
podem mostrar um método levemente diferente de limitar a corrente de saída. A resistência de saída não é
zero como em um AO ideal, porém com a realimentação negativa ela se aproxima de zero.
A figura abaixo é mais um exemplo de amplificador operacional na forma de circuito integrado. Foi obtida do
datasheet do CA3140 do fabricante Intersil.

56
Offsetnos Amplificadores Operacionais:
Como são componentes reais (não ideais), por maior que seja a precisão construtiva dos componentes
sempre haverá algum grau de imperfeição. Isto faz com que os AOs apresentem uma tensão DC em sua
saída mesmo sem nenhum estímulo nas entradas. Essa é a tensão de offset.
O cancelamento de offset é possível porque os terminais citados estão conectados ao estágio diferencial de
entrada do AO, permitindo o balanceamento das correntes de coletor dos transistores.
Quando o AO não possui os terminais para ajuste de offset, isso pode ser feito através de resistores
externos.
Em qualquer caso, a tensão de offset poderá ser reduzida (mas não anulada) colocando-se um resistor de
equalização no terminal não inversor. Esse procedimento é sugerido pelos próprios fabricantes.
A figura seguinte mostra a inclusão do resistor de equalização (RE) para as configurações do AO como
inversor e não inversor.
Muitos AOs têm dois terminais dedicados para correção de offset, aos quais se conecta um trimpot. O cursor
do trimpot é conectado a um dos pinos de alimentação para prover o ajuste ou o cancelamento dessa
tensão. No 741 esses terminais estão presentes nos pinos 1 e 5 do circuito integrado.
Na simulação do componente 741 existente Multisim®, embora os terminais 1 e 5 estejam disponíveis para
uso, essa correção não funciona.
Na prática, esse erro (offset) é corrigido com a inclusão de um potenciômetro com os extremos entre os
pinos 1 e 5 do 741 e com o terminal central em –Vcc.

57
V1
12 V
Vejamos como isso se comprova. Utilizando o software de
simulação Multisim®, construa o circuito indicado ao lado. XMM1
Execute a simulação e meça a tensão de saída (pino 6). 7 1 5 U1
3
Anote: VS = ___________________ R1
6
2
15kΩ
Veja que as entradas estão ligadas a terra (0V). Com isso, a 5% R2
4 741
saída (pino 6) deveria apresentar tensão nula, o que não
150kΩ
ocorre. Esta é a tensão de offset. 5%
V2
Faça variar os valores dos resistores R1 e R2 conforme a 12 V
tabela abaixo e veja sua influência sobre a tensão de offset
na saída.
R1 R2 Vs Essa tensão (Vs) é resultado dos erros internos

10K 150K multiplicado pelo ganho do amplificador. Isto nos leva a
conclusão de que, para cada ganho programado pelo elo
5K 150K de realimentação (R2 e R1, neste circuito), teremos
diferentes níveis de offset.
15K 470K
10K 470K Por outro lado, se a realimentação for fixa (ganho fixo),
um ajuste pode eliminar o offset, tornando-o preciso
5K 470K (sem erros) para qualquer nível de sinal de entrada.
O circuito seguinte mostra o equivalente do 741 construído como simulação no Multisim®.

R15
1kΩ
+Vcc
7
Q8 Q9 Q12 Q13
Entrada
Inversora
Q14 V1
2 12 V
4K7Ω XMM1
3
Q1 Q2 39kΩ Q16 Q17
Entrada não
Inversora 7K5Ω
30pF 24Ω
Saída
Q3 Q4
6
Q15
Q7 51Ω
Q19
V2
12 V
Q5 Q6 Q10 Q11 Q22 Q20
1kΩ 51kΩ 1kΩ 4K7Ω 51kΩ 51Ω

4
1 Offset Offset 5 -Vcc

R12 R13
2K2Ω R14 2K2Ω

4K7Ω 9%
Key=A

58
Note que a alimentação é simétrica: +12V / GND / -12V. Construa esse circuito ou pegue o arquivo com o
professor.
Execute a simulação. Um voltímetro mede a tensão na saída. Atue sobre o potenciômetro (R12, na
simulação) de forma a obter a mínima tensão de saída. Esse é o ajuste de offset.
A realimentação faz com que o ganho seja ajustado conforme o projeto de aplicação, de ganho unitário a
centenas de milhares de vezes, multiplicando por esse valor qualquer diferença entre os componentes da
entrada diferencial. Assim, mesmo que sejam injetados 0V (zero Volt) nas entradas, a saída exibirá uma
tensão. O ajuste de offset é para minimizar este erro.
O circuito apresentado possui um resistor de 1K (R15) no elo de realimentação. Como não há resistência de
entrada, o AO atua como seguidor de tensão.

O Transistor: Prof. Wilson Carvalho de Araújo

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1

John Bardeen, William Shockley e Walter Brattain no Bell Labs, 1948

Réplica do primeiro transistor

Existem vários tipos de transistores, como por exemplo:

Prof. Wilson Carvalho de Araújo

Como dito anteriormente, os transistores bipolares podem ser NPN ou PNP.

Estrutura simplificada do transistor NPN simbologia NPN

Estrutura simplificada do transistor PNP simbologia PNP

Embora possamos fazer a aproximação para um modelo com diodos,

A maioria dos transistores é feita de silício puro ou germânio, mas

Prof. Wilson Carvalho de Araújo

Tensões e correntes nos terminais do transistor

Na condição normal de funcionamento, denominada de funcionamento na região ativa, a junção base-

Prof. Wilson Carvalho de Araújo

VC Nesta configuração de circuito, para garantir que a junção coletor-base

Analisando as tensões envolvidas, encontramos:

 VCE = tensão entre coletor e emissor;

Assim, podemos dizer que: VCE = VCB + VBE

Da mesma forma, podemos analisar as correntes:

Pela figura, vemos que: IE = IC + IB

Devido à pequena espessura da base e também ao seu pequeno grau

Assim um grande número de elétrons atinge a base em grande

Os elétrons provenientes do emissor que não se recombinam,

Em geral, do total de elétrons que entra no emissor de um transistor

Prof. Wilson Carvalho de Araújo

𝐼 Essa correspondência direta (β) entre a corrente de coletor (IC) e a corrente

A sigla hFE é uma abreviação de “HybridparameterForwardcurrentgain, common Emitter” e significa "ganho

Por exemplo, no datasheet dos transistores BC546~550 encontramos o seguinte:

Os ganhos β e α estão relacionados entre si através das equações:

Prof. Wilson Carvalho de Araújo

A figura ao lado ilustra a entrada e conexão de um transistor

Retornando à equação vista:

Temos ainda as seguintes possibilidades:

- Conhecendo β e IB, podemos determinar IC:

Transistor operando como chave

Transistor em saturação Transistor em corte

Prof. Wilson Carvalho de Araújo

VCC = tensão de alimentação do circuito;

Exemplos de aplicação do transistor como chave:

 Carga acionada por ausência de luz

Neste circuito usamos um Led para indicar a localização de um circuito

Quando a iluminação cessa, sua resistência sobe podendo atingir mais de

Prof. Wilson Carvalho de Araújo

Podemos iniciar determinando o valor de RC:

Vcc − VD − VCE 12V − 2V 10

O valor comercial superior mais próximo para esse resistor é de 510Ω.

A potência dissipada por esse resistor será:

A corrente de base é dada por:

Vcc − VBE 12V − 0,7V 11,3

O valor comercial superior mais próximo para esse resistor é de 68kΩ.

A potência dissipada por esse resistor será:

P = R x I2 P = 68000 x 0,0001672 P = 2mW ( usamos 1/8W )

Prof. Wilson Carvalho de Araújo

Ao lado temos representado o circuito eletrônico finalizado.

O mesmo raciocínio pode ser aplicado para diferentes cargas, como

Porém, deve-se tomar o cuidado de escolher o transistor correto para

Para o caso de cargas reativas, como um relê, um diodo de proteção

Ocorre que, em cargas indutivas (com enrolamentos como em

A figura seguinte detalha esse risco:

 Carga com desligamento temporizado

Neste circuito, a corrente de base (IB) de saturação é alcançada no

O botão "reset" permite o reinício da temporização, acionando a

O circuito ao lado também proporciona o desligamento temporizado,

α = IBQ =

ICQ = ___