Tema2 - Transistor Bipolar de Junção (TBJ)

DESCRIÇÃO
Introdução ao Transistor Bipolar de Junção, análise de circuitos com TBJ, circuitos de polarização e estudos dos amplificadores.
PROPÓSITO
Compreender o princípio de funcionamento dos transistores bipolares de junção e suas principais aplicações, calcular circuitos de polarização e compreender a operação do transistor
como amplificador.
PREPARAÇÃO
Antes de iniciar o conteúdo deste tema, tenha em mãos papel, caneta e uma calculadora.
OBJETIVOS
MÓDULO 1
Reconhecer a estrutura física e o princípio básico de funcionamento do TBJ
MÓDULO 2
Calcular circuitos de polarização para TBJ
MÓDULO 3
Demonstrar a operação do TBJ como amplificador

TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO
MÓDULO 1
 Reconhecer a estrutura física e o princípio básico de funcionamento do TBJ

INTRODUÇÃO
ESTRUTURA FÍSICA E PRINCÍPIO BÁSICO DE FUNCIONAMENTO DO TBJ
Os transistores bipolares de junção (TBJ) estão presentes em grande parte da eletrônica atual. Foram eles que substituíram o emprego das válvulas e permitiram a redução do
tamanho dos circuitos eletrônicos.
 SAIBA MAIS
O transistor teve uma importância tão grande na área de Engenharia Eletrônica que sua invenção rendeu, em conjunto, a William Bradford Shockley, John Bardeen e Walter Houser
Brattain o prêmio Nobel de física de 1956.
Os transistores possuem duas funções básicas: amplificação e chaveamento, o que permite a esses dispositivos serem usados em uma gama de aplicações que incluem
transmissores sem fio, televisores, dispositivos celulares móveis e controle industrial.
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
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 Figura 1 – Primeira geração de computadores valvulados ENIAC (1946) versus computador atual, desenvolvido a partir de circuitos transistorizados
REVISÃO SOBRE DIODOS

Para começar a explorar os conceitos sobre transistores, é imprescindível que você esteja familiarizado com os princípios de funcionamento do diodo. Antes de iniciar o conteúdo
deste tema, vamos fazer uma breve revisão, porém não abordaremos toda a complexidade desses dispositivos.
O diodo é um dispositivo semicondutor de dois terminais, construído a partir de uma junção pn, conforme a Figura 2. Uma propriedade interessante dos diodos é que eles atuam como
válvulas de sentido único, as quais permitem a passagem de corrente em apenas uma direção, quando uma tensão é aplicada entre seus terminais.
Fonte: EnsineMe
 Figura 2 - Junção P-N de um diodo tradicional.
A condução ou não de corrente dependerá da forma como o diodo é polarizado. Quando temos uma fonte de tensão com o lado positivo conectado ao ânodo e o lado negativo ao
cátodo, o diodo permite que a corrente flua entre seus terminais e assim dizemos que ele está na condição de polarização direta. Se invertemos a direção da tensão, conectando o
lado positivo da fonte no cátodo e o lado negativo no ânodo, o diodo não permitirá a passagem de corrente e dizemos então que ele está na condição de polarização reversa.
Podemos resumir os modos de operação básicos de um diodo convencional da seguinte forma:
POLARIZAÇÃO DIRETA (MODO DE CONDUÇÃO)

Quando é aplicada uma tensão positiva alta o suficiente entre o ânodo e o cátodo, o diodo entra no modo de condução. A tensão mínima de ativação, conhecida como tensão direta,
depende do tipo de diodo. Para um diodo de silício essa tensão é de aproximadamente de 0,6 V a 0,7 V. A tensão de ativação também pode ser vista como a tensão nos terminais do
diodo quando ele está no modo de condução.
POLARIZAÇÃO INVERSA (MODO DE NÃO CONDUÇÃO)

Quando é aplicada uma tensão negativa entre o ânodo e o cátodo, não é permitida a passagem de corrente nesse dispositivo. Existem diodos específicos, projetados para trabalhar
no modo de polarização inversa (ex: diodo zener), mas esse não será o caso considerado quando nos referirmos aos diodos convencionais.
Na Figura 3 apresentamos exemplos que mostram os dois modos de operação básico dos diodos.
Fonte: EnsineMe
 Figura 3 – Polarização direta e inversa em um diodo.
PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO DOS TRANSISTORES

Um transistor bipolar de junção é composto basicamente por três regiões semicondutoras dopadas com portadores do tipo P (lacunas) e portadores do tipo N (elétrons) conectadas de
forma encadeada. Na figura a seguir mostramos os dois tipos de transistores que são possíveis a partir da combinação desses semicondutores:
Fonte: EnsineMe
 Figura 4 – Estrutura de um transistor npn e pnp.
Note que os semicondutores de diferentes tipos são sempre intercalados na estrutura do transistor, e é exatamente daí que vem a sua nomenclatura: transistor npn e pnp. Observe
que em cada região do transistor é conectado um terminal, denominados de coletor, emissor e base. Essa combinação permite que os transistores de junção bipolar trabalhem como
"Dispositivos Operados por Corrente", no qual uma pequena corrente no terminal da base permite que uma grande quantidade de corrente flua entre os terminais coletor e emissor
Na figura a seguir realizamos uma comparação com a operação de uma torneira para ajudá-lo a entender o princípio de funcionamento. Em uma torneira convencional, a válvula é
responsável por controlar o fluxo de água que passa em seu interior. Vamos considerar que a abertura da válvula é mensurada em termos da corrente da base do transistor. Assim, os
transistores controlam o fluxo de corrente elétrica de maneira semelhante à maneira como uma torneira controla o fluxo de água.
Fonte: EnsineMe
 Figura 5 – Analogia de funcionamento do transistor.
 ATENÇÃO
Assim como na analogia, o transistor não força o fluxo de corrente. Na realidade, ele apenas “permite” a passagem de corrente com determinado nível de controlabilidade. No caso de
um transistor npn, uma fonte ligada aos terminais coletor e emissor será responsável por realizar o fluxo de corrente, enquanto a corrente da base controla esse fluxo.
O símbolo que utilizaremos para representar o TBJ em circuitos está representado na Figura 5. Nos transistores do tipo npn, o pino central é a base do dispositivo, o terminal superior
o coletor e abaixo temos o emissor. Note que o fluxo de corrente em um transistor TBJ sempre será do coletor para o emissor. Para o TBJ do tipo pnp o fluxo será um pouco diferente,
mas veremos isso com mais detalhes adiante. Por enquanto, vamos nos concentrar em transistores do tipo npn.
Conforme apresentado anteriormente, o TBJ apresenta as seguintes funções principais: amplificação e chaveamento — o que vai definir o modo de operação são tensões entre os
terminais do TBJ, ou, em outras palavras, se as junções pn estão diretamente ou reversamente polarizadas.
Veja na tabela a seguir um resumo dos diferentes modos de operação para um TBJ npn.
Voltagens Aplicadas Polarização da Junção B-E Polarização da Junção B-C Modo Aplicação
Ve < Vb < Vc Direta Reversa Ativo Amplificação
Ve < Vb > Vc Direta Direta Saturação Chaveamento
Ve > Vb < Vc Reversa Reversa Corte Chaveamento
Ve > Vb > Vc Reversa Direta Ativo-Reverso Não utilizado
 Atenção! Para visualização completa da tabela utilize a rolagem horizontal
 Tabela 1 – Modos de operação do TBJ npn. Fonte: EnsineMe
 ATENÇÃO
Reforçando que esta tabela é válida para um transistor npn, para o caso do pnp, veremos adiante. Vamos apresentar uma visão simplificada do TBJ e em seguida complicar um
pouco este modelo apresentando os métodos de análise.
OPERAÇÃO DO TRANSISTOR NPN NO MODO ATIVO
Vamos começar analisando a operação física de um transistor no modo ativo. Para isso ocorrer, precisamos de duas fontes externas para o estabelecimento da polarização entre os
terminais C, B e E, conforme apresentado na Figura 6.
Fonte: EnsineMe
 Figura 6 – Fluxo de corrente em um transistor no modo ativo.
Seguindo as descrições da Tabela 1 precisamos que VC > VB e que VB > VE. Dessa forma, teremos uma polarização reversa na junção pn B-C e uma polarização direta na junção B-E;
lembrando que uma junção pn comporta-se como o diodo. O que teremos na prática em muitos circuitos é que VB ≈ VE + 0 , 7 (lembre-se das características da polarização direta de
uma junção pn!).
Quando essas duas condições ocorrem, dizemos que o transistor está no modo ativo. Nessa condição, teremos uma interessante relação entre a corrente que passa no coletor e a
corrente da base, que vamos definir como IC e IB, respectivamente. Essa relação será dada por IC = β . IB (também conhecido como Hfe), que costuma ser na ordem de centenas e
representa o “ganho de corrente” e relaciona diretamente como a corrente IB controla o fluxo de corrente no coletor do transistor. O valor de β varia de cada dispositivo e depende do
nível de dopagem entre as regiões integrantes do transistor.
Agora, o que podemos dizer sobre a corrente que passa no emissor IE? Usando a definição de β e a Lei de Kirchhoff das correntes (LKC), temos:
Fonte: EnsineMe
em que:
IE = IB + IC
1
IE = IC ( 1 + )
Β
Β+1 IC
IE = IC ( )=
Β Α
Β
Α=
Β+1
 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal
 Figura 7 – Fluxo de corrente em um transistor no modo ativo.
Como β é usualmente elevado (na faixa de centenas), é comum considerarmos IE ≈ IC. Quando estamos trabalhando com métodos de análises de circuitos, utilizar essas relações a
partir da representação do diagrama de um transistor pode não nos parecer intuitivo. Então, uma forma de auxiliar a resolução desses circuitos consiste na utilização de modelos de
circuitos equivalentes para representar a operação de um transistor. Um transistor npn operando em modo ativo pode ser representado pelos modelos a seguir.
Fonte: EnsineMe
 Figura 8 – Modelos de circuitos equivalentes para o TBJ npn no modo ativo.
EXEMPLO 1
Projete um circuito conforme a figura adiante, de modo que uma corrente de 5 mA circule pelo coletor e que a tensão no coletor seja de 5V. Para esta questão, são fornecidos os
seguintes dados do transistor:
β = 100 ;
VBE = 0,7 V, quando IC = 5 mA (lembre-se de que pela curva do diodo a queda de tensão na polarização direta vai depender da corrente que passa por ele; na prática, muitas
vezes podemos considerar como sendo aproximadamente 0,7V).
Fonte: EnsineMe
 Figura 9 – Exemplo TBJ npn.
RESOLUÇÃO
Para a resolução deste problema vamos aplicar o modelo equivalente ao TBJ operando em modo ativo:
Fonte: EnsineMe
1) Como queremos Vc = 5V, aplicando a Lei de Ohm no resistor R1 temos:
∆V=10V- VC=10V-5V=5V
R1= ∆VIC=5V5mA=1kΩ
2) Sabendo que VBE=0,7 V e a relação entre IE e IB, podemos calcular o valor da resistência R2 a partir das seguintes expressões:
IE=IB+IC= β+1β . IC=1,01 . 5mA=5,05mA
VE=VB-VBE=0-0,7V=-0,7V
R2= ∆VIE=VE-(-10V)5,05mA=-0,7V-(-10V)5,05mA=9,3V5,05mA≅ 1,84kΩ
Neste exemplo, podemos notar que este circuito, nestas condições, satisfaz os requisitos para que ele esteja operando em modo ativo, ou seja:
Junção B-E diretamente polarizada (com VBE≥0,7V)

Junção B-C inversamente polarizada (uma vez que VC> VB)
REFLETINDO SOBRE O PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO, CASO

REDUZÍSSEMOS O VALOR DE R1, O QUE PODERÍAMOS ESPERAR DA CORRENTE QUE
PASSA PELO COLETOR? REDUZINDO O VALOR DE R1 A CORRENTE TENDERÁ A
AUMENTAR?
Um leitor desavisado poderá acreditar que sim (ainda mais lembrando-se das Leis Ohmicas), mas, na realidade, o TBJ não se comporta dessa maneira. O que será observado é um
aumento do valor de VC, enquanto o valor de IC não irá alterar-se. Conforme visto, no modo ativo IE≈IC, e como IE está definido pelas tensões aplicadas na base e no emissor. Isso
torna-se mais perceptível quando utilizamos o modelo equivalente, conforme demonstrado a seguir:
Fonte: EnsineMe
Analisando apenas a região hachurada, representamos na figura da direita apenas a parte do circuito que nos interessa para o cálculo de IE. Como os valores de Vx e VY são
conhecidos, podemos utilizar a Lei de Kirchhoff das tensões (LKT) para o cálculo da corrente que passa pelo resistor R2. Assim:
∑VK=0
VX+ VBE+ VR2+ VY=0
0+0,7V+ R2IE-10=0
IE=9,3VR2
Note que, como a corrente no coletor atua como uma fonte de corrente dependente em relação à variável IE, podemos reduzir o valor de R1 até zero, pois a corrente no coletor não
irá se alterar!
REFLETINDO SOBRE O QUE ACONTECERIA SE O VALOR DA RESISTÊNCIA R1 FOSSE

AUMENTADO, COMO ISSO IMPACTARIA O FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO?
Note que, à medida que R1 aumenta, como a corrente do coletor não depende dessa resistência, o valor de VC tende a reduzir-se, uma vez que podemos expressá-lo como:
VC=VCC- R1I1=10-R1 . 5MA

Um leitor atento notará que, caso o valor de R1 seja suficientemente elevado, o valor de VC será menor do que VB, o que viola um dos requisitos para que o transistor esteja
operando em modo ativo. Nessas condições, dizemos que o transistor está operando no modo de saturação.
OPERAÇÃO DO TRANSISTOR NPN NA SATURAÇÃO
Nesse modo de operação, o transistor não é capaz de manter a corrente constante, como demonstrado anteriormente, e as relações apresentadas para o modo ativo (Figura 7) não
serão mais válidas.
 ATENÇÃO
A condição de saturação pode ser resumida como uma tentativa de forçar uma corrente no coletor maior do que o necessário para manter-se no modo ativo. Quando a tensão na
base torna-se superior à tensão no coletor, a junção pn base-coletor ficará diretamente polarizada e apresentará uma tensão de polarização direta de aproximadamente 0,5V.
Nessa condição, ambas as junções pn estão diretamente polarizadas e apresentarão quedas de tensões diretas. Em Sedra (2005) é proposto o seguinte modelo para TBJ saturado:
Fonte: EnsineMe
 Figura 12 – Modelo de circuito equivalente para o TBJ npn no modo de saturação.
EXEMPLO 2
Usando os dados do EXEMPLO 1 e substituindo R1=3kΩ , para IC=5 mA teremos que:
Fonte: EnsineMe
VC=10V- R1IC
VC=10V- 3kΩ . 5mA= -5V
VCB=-5<0
Falha da suposição do modo ativo.
A junção pn base-coletor está diretamente polarizada e o TBJ está no modo de saturação.
Utilizando o modelo equivalente de TBJ saturado da Figura 12:

Fonte: EnsineMe
RESOLUÇÃO
Como VBC≅0,5V, pode-se calcular IC como:
IC= 10V- VCR=10V-(-0,5V)3kΩ=3,5mA
Sabendo que VBE≅0,7V, a corrente no emissor é igual a:
IE=0,7-(-10)1,84kΩ≈5,05mA
IB=IE-IC=5,05mA-3,5mA=1,55mA
Note que a relação entre IC e IB será:
βforçado= 3,5mA1,5mA≈2,26<βativo (100)
Esta relação é conhecida como β forçado. A razão entre βativo e βforçado é conhecida como fator forçado.
Fator Forçado≡ βativoβforçado

TRANSISTOR NPN COMO CHAVE – MODO DE CORTE E SATURAÇÃO
Uma aplicação típica de TBJ consiste em operar como uma chave. Nessa condição, é usual que o transistor opere apenas no modo corte e saturação. O seguinte esquema
exemplifica esse tipo de funcionamento:
Fonte: EnsineMe
 Figura 15 – Transistor atuando como chave.
Caso Vcontrole seja menor do que aproximadamente 0,7V, pode-se considerar que a corrente em IB será aproximadamente zero, pois a condução na junção pn será desprezível
(lembre-se dos conceitos de polarização direta em uma junção pn). Consequentemente, o valor de IC=0 e IE=0. Logo:
VC=10V- RCIC= 10V-RC . 0=10V

Quando Vcontrole=5V, o valor da corrente na base será:
IB=5V-0,7V1KΩ=4,3MA
Dessa forma Vc=0,2V e Ic=9,8mA. Calculando o β forçado:
ΒFORÇADO= ICIB≈2,28
Assim, quando VB=5V, a corrente na base é suficientemente alta para que o transistor entre no modo de saturação. Como pode ser observado nos resultados, o sinal de saída é
oposto ao de controle. Quando Vcontrole=0V, a saída é VC=10V, caso contrário, se Vcontrole=5V, a saída é VC≈0V. Apesar de aparentar simples, esta aplicação é a base do
funcionamento dos computadores e de circuitos digitais.
MODELO EXPONENCIAL
Apresentamos incialmente o transistor como um amplificador de corrente. No entanto, o TBJ pode ser visto também como um amplificador de transcondutância, ou seja, a corrente de
coletor é determinada pela voltagem base-emissor. A corrente no coletor pode ser calculada pela fórmula da corrente em uma junção semicondutora, dada por:
IC=IS(EVBEVT-1)
Em que:
IS é a corrente de saturação: variável que depende dos parâmetros da junção semicondutora e que é altamente dependente da temperatura (IS aproximadamente dobra a cada
aumento de 5°C de temperatura). IS é da ordem de 10-15.
VT=kTq, onde k = constante de Boltzmann; T = temperatura em kelvin, q = carga do elétron. Em temperatura ambiente (25°) é considerada VT≈25mV
Para um transistor no modo ativo IC≫IS; desta forma, o termo "-1" pode ser desprezado da equação resultado na seguinte expressão:
IC≈IS(EVBEVT)
Devido à dependência de IS com a temperatura, isso acarretará consideráveis variações da corrente da base dependendo do ambiente.
Fonte: EnsineMe
 Figura 16 – Efeito da temperatura na curva característica Ic – VBE.
TRANSISTOR PNP
Um TBJ pnp é um transistor bipolar de junção construído associando duas regiões semicondutoras dopadas com portadores do tipo p entre uma região semicondutora do tipo N,
conforme apresentado na figura a seguir:
Fonte: EnsineMe
 Figura 17 – Fluxo de corrente em um transistor pnp no modo ativo e símbolo do circuito.
Assim como no TBJ npn, nesse tipo de transistor é observada a presença de duas junções pn, contudo a configuração de portadores é contrária. Portanto, as relações entre correntes
do TBJ pnp são iguais às do transistor npn, exceto queVBE é substituído por VEB.
Um detalhe importante que deve ser avaliado é o sentido das correntes no transistor pnp, que é contrária à de um TBJ npn, conforme indicado na Figura 17. Observe ainda que o
fluxo de corrente no emissor é indicado pela direção da seta no símbolo do transistor.
Fonte: EnsineMe
 Figura 18 – Fluxo de corrente em um transistor pnp no modo ativo.
Note que, apesar do sentido contrário das correntes nos terminais, as relações entre eles serão idênticas ao do TBJ npn, de forma que aplicando a Lei de Kirchhoff das correntes no
nó ao lado teremos:
IE=IB+IC
Além disso, quando operando no modo ativo, as relações serão mantidas:
Β=ICIB; Α=ICIE; Α=ΒΒ+1
Assim como no TBJ npn, as polarizações das junções pn definirão o modo de operação do transistor. Na tabela a seguir faremos um resumo dos diferentes modos de operação para
um TBJ pnp. Note que, à exceção da primeira coluna, a tabela é idêntica à Tabela 1 do TBJ npn.
Voltagens Aplicadas Polarização da Junção B-E Polarização da Junção B-C Modo Aplicação
Ve > Vb > Vc Direta Reversa Ativo Amplificação
Ve > Vb < Vc Direta Direta Saturação Chaveamento
Ve < Vb > Vc Reversa Reversa Corte Chaveamento
Ve < Vb < Vc Reversa Direta Ativo-Reverso Não utilizado
 Atenção! Para visualização completa da tabela utilize a rolagem horizontal
 Tabela 2 – Modos de operação do TBJ pnp. Fonte: EnsineMe
A operação de um transistor pnp no modo ativo pode também ser modelada por um circuito equivalente, como o apresentado a seguir:
Fonte: EnsineMe
 Figura 19 – Modelos de circuitos equivalentes para o TBJ pnp no modo ativo.
EXEMPLO 3
Projete um circuito conforme a figura a seguir, de modo que uma corrente de 5 mA circule pelo coletor e que a tensão no coletor seja de -5V. Para esta questão, são fornecidos os
seguintes dados do transistor:
β=100;
VBE=0,7 V, quando IC=5 mA

Fonte: EnsineMe
 Figura 20 – Exemplo TBJ pnp.
RESOLUÇÃO
Para a resolução deste problema vamos aplicar o modelo equivalente, supondo que o TBJ está operando em modo ativo:
Fonte: EnsineMe
 Figura 21 – Exemplo TBJ pnp.
Como deseja-se que VC=-5 V, a diferença de tensão VR2 será 5V, logo:
R2=VR2IC=5 V5 mA=1 kΩ
Considerando β=100, a corrente no emissor pode ser calculada por:
IE=ICβ+1β=5mA .1,01=5,05 mA
Podemos calcular o valor de R1 como:
R1=VCC-VEIE=10-0,75,05m≈1,8 kΩ
 ATENÇÃO
Note que os valores dos resistores R1 e R2 inverteram-se em relação aos valores obtidos para o exemplo do transistor npn.
VERIFICANDO O APRENDIZADO
1. (IF-MG, 2015) SELECIONE A ALTERNATIVA QUE COMPLETA CORRETAMENTE A FRASE, CONSIDERANDO UM TRANSISTOR BIPOLAR
GENÉRICO: O GANHO DE CORRENTE É SEMPRE A RAZÃO DA:
A) Corrente de coletor pela corrente do emissor.
B) Corrente da base pela corrente de coletor.
C) Corrente de coletor pela corrente da base.
D) Corrente do emissor pela corrente da base.
E) Corrente da base pela corrente do emissor.
2. (IBADE - 2019 - DEPASA - AC - ENGENHEIRO ELETRICISTA). CONSIDERE O CIRCUITO E CURVA CORRENTE DE BASE VERSUS TENSÃO
BASE-COLETOR APRESENTADOS NA SEQUÊNCIA PARA RESPONDER À QUESTÃO.
CONSIDERANDO O GANHO DO TRANSISTOR Β=200, A CORRENTE NO COLETOR (IC) É IGUAL A:
A) 2,6 mA
B) 2,6 µA
C) 1,3 mA
D) 1,3 µA
E) 2,0 mA
GABARITO
1. (IF-MG, 2015) Selecione a alternativa que completa corretamente a frase, considerando um transistor bipolar genérico: O ganho de corrente é sempre a razão da:
A alternativa "C " está correta.
Conforme visto, o ganho de corrente β= ICIB, logo será a corrente de coletor pela corrente da base.
2. (IBADE - 2019 - DEPASA - AC - Engenheiro Eletricista). Considere o circuito e curva corrente de base versus tensão base-coletor apresentados na sequência para
responder à questão.
Considerando o ganho do transistor β=200, a corrente no coletor (Ic) é igual a:
A alternativa "A " está correta.
IB=VBB-VBERB=1,3V100kΩ= 13μA
Supondo que o TBJ esteja no modo ativo:
IC=IB β=13μA.200=2,6 mA
VC= 10V- RC IC=10V- 1kΩ.2,6 mA=7,4V>0
Suposição de operação no modo ativo está correta.

MÓDULO 2
 Calcular circuitos de polarização para TBJ
INTRODUÇÃO
CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO PARA TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO

Vimos que as polarizações das junções pn de um TBJ influenciam diretamente em seu modo de operação. Neste módulo, estudaremos as técnicas de polarização de transistor para
que ele opere em modo ativo e seja insensível às variações de temperatura.
O objetivo da polarização pode ser resumido como um método de estabelecer uma corrente constante no emissor do TBJ. De acordo com Sedra (2014), essa corrente deve ser
calculável, previsível e insensível às variações de temperatura e a grandes variações de β encontradas em transistores do mesmo tipo.
Agora serão apresentados os circuitos de polarização mais comuns e como calcular os valores dos componentes de seu circuito.
POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

Nessa polarização, uma das mais comuns em circuitos TBJ, utiliza-se um divisor de tensão que é responsável por aplicar uma tensão VBE entre a base e o emissor do transistor. Na
Figura 22 apresentamos um circuito que emprega esse tipo de polarização. Note que o divisor de tensão é responsável por gerar um potencial VB no terminal da base, de tal forma
que a junção pn base-emissor estará diretamente polarizada, gerando uma corrente na base IB.
Fonte: EnsineMe
 Figura 22 – TBJ com polarização por divisor de tensão.
 ATENÇÃO
Tal disposição é particularmente útil quando se tem disponível apenas uma fonte de alimentação. Além disso, esse esquema proporciona elevada estabilidade térmica do circuito e
maior robustez em relação aos parâmetros do transistor (se substituirmos esse transistor por um com parâmetros semelhantes, a corrente de polarização sofrerá variações
desprezíveis).
Para iniciar a análise desse circuito, substituímos o subcircuito indicado pelo divisor resistivo da Figura 22 pelo seu equivalente de Thévenin:
Fonte: EnsineME
 Figura 23 – Divisor resistivo responsável por polarização do TBJ.
RTH=R1//R2 =R1+R2R1R2
VTH=R1R1+R2VCC
Então, o circuito pode ser substituído por:

Fonte: EnsineMe
Aplicando a Lei de Kirchhoff das tensões (LKT) na malha em vermelho, teremos:
VTH-IBRTH-VBE –IERE=0
Substituindo IB=IEβ+1, é possível obter o valor da corrente da base:
IE=VTH-VBERE+RBΒ+1
Equação 1

Nossa proposta é dessensibilizar IE das variações dos parâmetros do TBJ. O valor de VBE é dependente da temperatura e o valor de beta varia com o transistor. Então, faremos duas
análises para que o valor da corrente IE não dependa destes parâmetros.
DESSENSIBILIZANDO IE EM RELAÇÃO A VBE
Obtemos isso, a partir da Equação 1, considerando VTH≫VBE
Esta condição garante que variações no valor de VBE serão desprezadas devido ao valor elevado de VTH. Note que podemos rescrever esta condição como:
R1R1+R2VCC≫ VBE
Assim, para determinado valor de VCC, se quisermos aumentar o valor de VTH, precisamos reduzir o valor da soma R1+R2. Em contrapartida, um valor elevado de VTH é
desvantajoso, pois limita a excursão do sinal no coletor, uma vez que queremos que o transistor opere no modo ativo. Para isso, a junção base-coletor precisa estar em polarização
reversa: (VB<VC).
De acordo com Sedra (2014), uma regra prática para determinação de VTH é projetar um circuito com os seguintes requisitos:
VTH≅13VCC
VCB(ou VCE) ≅13VCC
RCIC≅13VCC
DESSENSIBILIZANDO IE EM RELAÇÃO À VARIAÇÃO DE Β
Observando a Equação 1, vamos projetar o circuito para satisfazer a seguinte condição:

RE≫RTHΒ+1
Esta condição faz com que IE seja insensível às variações de β, sendo obtida escolhendo-se valores baixos para R1 e R2. Contudo, valores baixos resultarão em maior corrente
drenada da fonte e em uma redução na resistência de entrada do amplificador.
De acordo com Sedra (2014), uma regra prática para a escolha de R1 e R2 consiste em escolher as resistências de modo que a corrente que passa entre elas IR seja:
IE>IR≥0,1IE
Uma boa prática é considerar que IR seja aproximadamente 10 vezes menor do que IE. Por isso, a tensão na base dependerá mais de IR e variações do valor de β não causarão
impacto no valor dessa tensão.
Fonte: EnsineMe

EXEMPLO 4
Projete uma rede de polarização do circuito da figura a seguir de forma a estabelecer uma corrente IE=1.5mA a partir de uma fonte de alimentação de VCC=9V. Neste circuito, foi
utilizado o transistor BC548A ( β = 180 e VBE=0,66, valores típicos).
Fonte: EnsineMe
 Figura 26 – Exemplo de TBJ com polarização por divisor de tensão.
RESOLUÇÃO
Para calcular esses valores, vamos utilizar as regras práticas apresentadas anteriormente. A fim de facilitar os cálculos, adotaremos algumas aproximações.
Seguindo as regras para que VTH≫VBE teremos:
VB≈ VTH≈13VCC
VB=3V
VE=VB-VBE=2,34V
Logo, RE pode ser determinado por
RE=VEIE=2,341,5mA=1,56 kΩ
Selecionando a corrente para o divisor de tensão para que IR=0,1IE=0,15mA (segunda regra prática). Aplicando a Lei de Kirchhoff das tensões no ramo do divisor resistivo, obtemos:
VCC-R1IR-R2IR-IB=0
Desprezando a corrente da base, encontramos:
R1+R2=VCCIR=90,15m= 60 kΩ
VB=R1R1+R2VCC= 3V
Desta expressão R1=20 kΩ e R2=40 kΩ.
Calculando o valor preciso da corrente da base para a polarização escolhida, temos:
IE=VTH-VBERE+RBβ+1
IE=3-0,661,56k+ 20k//40k181=1,43 mA
Note que este valor é um pouco abaixo do que tinha sido inicialmente estipulado de 1,5 mA. Vamos verificar a robustez desta polarização frente a variações nos valores dos
parâmetros do circuito.
Supondo uma variação de 20% no valor de β (β = 216)
IE=3-0,661,56k+ 20k//40k216=1,44 mA
Observe que, mesmo com uma variação considerável no valor de β, a corrente no emissor varia pouco. Lembrando que o objetivo da polarização é estabelecer uma corrente
constante no emissor do TBJ insensível a grandes variações de β encontradas em transistores do mesmo tipo.
A mesma robustez é observada caso esta análise seja conduzida para variações do VBE.
A IMPORTÂNCIA DA POLARIZAÇÃO
Você pode se perguntar por que não empregar os circuitos apresentados nas figuras a seguir, uma vez que o cálculo da polarização é mais simples.
Fonte: O autor
 Figura 27 – Exemplo de TBJ para demonstrar a importância da polarização.
Para ambos os circuitos, a corrente no emissor pode ser obtida pela seguinte expressão:
IE=β(VCC-VBE)R1
 ATENÇÃO
Observe que IE e β relacionam-se linearmente. Logo, uma variação de 20% no valor de β ocasionará uma variação de 20% no valor de IE. Por este motivo, esses dois arranjos são
considerados inadequados para a polarização de transistores.
POLARIZAÇÃO UTILIZANDO FONTE SIMÉTRICA

Nessa configuração o emissor é polarizado negativamente em relação à base, conforme indicado na figura a seguir:
Fonte: EnsineME
 Figura 28 – TBJ com polarização utilizando fonte simétrica.
Aplicando Lei de Kirchhoff das Tensões (LKT) no laço L indicado, teremos:
-RBIB-VBE-REIE--VEE=0
Como IB=IEβ+1:
IE=VEE-VBERBΒ+1+RE
 ATENÇÃO
Note que, se substituirmos VEE por VTH, esta expressão é idêntica à encontrada para a polarização por divisor resistivo. Desse modo, as seguintes condições de contorno aplicam-
se aqui:
VEE≫VBE
RE≫RBβ+1
POLARIZAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DO COLETOR

Na figura a seguir apresentamos uma configuração alternativa quando temos disponível apenas uma fonte de alimentação. Veremos no próximo módulo que esse tipo de polarização
é apropriado para o projeto de amplificadores na configuração modo comum (cujo emissor está conectado ao referencial terra).
Fonte: EnsineME
 Figura 29 – TBJ com polarização com realimentação do coletor.
Aplicando a Lei de Kirchhoff no laço designado na figura, obtemos:
VCC-RCIC+IB-IBRB-VBE=0
Substituindo IB=IEβ+1 eIE=IC+IB, teremos:
IE=VCC-VBERBβ+1+RC
Observe que esta equação é semelhante à encontrada para a polarização por divisor resistivo, à exceção que RC substitui RE e VCC substituiVTH.
Assim, para garantir que IE seja insensível às variações de β basta que:
RC≫RBβ+1
Uma questão importante é que o valor de RB determina a excursão máxima permitida para o sinal no coletor, uma vez que:
VCB=RBIB=RBIEβ+1

EXEMPLO 5
Vamos projetar uma rede de polarização com arranjo de realimentação do coletor, de forma a estabelecer uma corrente IE=1.5mA a partir de uma fonte de alimentação de VCC=9V.
Queremos que o circuito garanta uma excursão no sinal do coletor de ±2V. Nesse circuito foi utilizado o transistor BC548A (β = 180 e VBE=0,66, valores típicos).
RESOLUÇÃO
Para permitir uma excursão no coletor de ±2V, precisamos projetar VC tal que:
VC=VB+2= VBE+2=2,66 V
A partir disso, podemos calcular a resistência do coletor como:
RC=VCC-VCIE=9-2,661,5mA≈4,2 kΩ
Para β = 180:
IB=IE β+1≈8,3 μA
VCB=IBRB
Logo:
RB=VCBIB=28,3μA=240kΩ
Note que, de fato, RC(4,2kΩ)≫RBβ+1 (1,32kΩ), o que garante robustez da corrente do emissor, frente à variação dos valores de β. Para verificar isso vamos calcular o valor de IE,
caso o valor seja igual a β=90
IE=VCC-VBERBβ+1+RC=9-0,661,32k+4,2k≈1,51mA
Observe que, mesmo com uma variação considerável no valor de β, isso ocasiona apenas uma pequena variação na corrente IE.
POLARIZAÇÃO COM FONTE DE CORRENTE CONSTANTE
Por fim, apresentamos uma polarização usando uma fonte de corrente conforme indicado na figura a seguir. A vantagem desse circuito é que a corrente no emissor independe dos
valores β e RB.
Fonte: EnsineME
 Figura 30 – TBJ com polarização com fonte de corrente constante.
Note que I (Figura 30) é uma fonte de corrente constante. Esse arranjo pode ser implementado pelo circuito espelho de corrente, utilizando-se um par de transistores casados (que
possuem parâmetros praticamente idênticos).
Fonte: EnsineME
 Figura 31 – TBJ com polarização com fonte de corrente constante.
Como o TBJ-1 e TBJ-2 possuem os parâmetros semelhantes, ambos possuem o mesmo VBE, e as suas correntes no coletor serão iguais, expressas por:
IR1=IR2=VCC+VEE-VBERC
Observação: As correntes em ambos os coletores serão iguais, pois elas podem ser expressas por IC=ISeVBE/VT.
1. (COSEAC - 2019 - UFF - ENGENHEIRO – ELETRÔNICA). ANALISE O CIRCUITO A SEGUIR.

DADOS:
VCE = 0,5 VCC
VBE = 0,7 V
Β=100
CONSIDERANDO QUE A POTÊNCIA MÁXIMA DISSIPADA ENTRE O COLETOR E O EMISSOR VALE 480 MW, OS VALORES DE RB E RC, EM Ω,
VALEM RESPECTIVAMENTE:
A) 120 e 10600
B) 75 e 6625
C) 10600 e 120
D) 12000 e 75
E) 6625 e 75
2. (IGP-SC - 2017 – PERITO CRIMINAL ENGENHARIAS). DADO O CIRCUITO ABAIXO CONTENDO UM AMPLIFICADOR COM O TRANSISTOR
Q1, QUE TEM UMA TENSÃO BASE-EMISSOR DE 0,7 V E OS RESISTORES R1 A R4 QUE TÊM, RESPECTIVAMENTE, OS SEGUINTES
VALORES: 8,4KΩ, 1,6 KΩ, 100Ω E 1KΩ. A TENSÃO DE ENTRADA DA FONTE É DE 10V. SOBRE O COMPORTAMENTO DESTE CIRCUITO, LEIA
AS PROPOSIÇÕES A SEGUIR:
I. A CORRENTE NO RESISTOR R3 DEPENDE DO VALOR DA RESISTÊNCIA ALI COLOCADA.

II. ESSE CIRCUITO POSSUI UMA CONFIGURAÇÃO DO TRANSISTOR COMO FONTE DE CORRENTE.
III. A TENSÃO SOBRE O RESISTOR R4 É 0,90V.
IV. O FUNCIONAMENTO DESSE CIRCUITO INDEPENDE DOS DADOS DE FABRICAÇÃO DO TRANSISTOR Q1.
ASSINALE A ALTERNATIVA CORRETA:
A) Apenas as proposições I e III são verdadeiras.
B) Apenas as proposições II e IV são verdadeiras.

C) Apenas as proposições II e III são verdadeiras.
D) Apenas as proposições I e II são verdadeiras.
E) Apenas as proposições I e IV são verdadeiras.
GABARITO
1. (COSEAC - 2019 - UFF - Engenheiro – Eletrônica). Analise o circuito a seguir.
Dados:
VCE = 0,5 VCC
VBE = 0,7 V
β=100
Considerando que a potência máxima dissipada entre o coletor e o emissor vale 480 mW, os valores de Rb e Rc, em Ω, valem respectivamente:
A alternativa "E " está correta.
Sabendo que a potência máxima dissipada entre o coletor e o emissor vale 480mW e que Vce = 0,5 Vcc = 6V, então:
PD=VCEIE=VCEVCC-VCERC
480mW=36RC
RC=75Ω
Logo:
IE=VCC-VCERC=80mA
IB=IEβ=800μA
A partir disso podemos calcular a resistência na base como:
RB=VCE-VBEIB=5,3800μ=6625Ω
2. (IGP-SC - 2017 – Perito Criminal Engenharias). Dado o circuito abaixo contendo um amplificador com o transistor Q1, que tem uma tensão base-emissor de 0,7 V e os
resistores R1 a R4 que têm, respectivamente, os seguintes valores: 8,4kΩ, 1,6 kΩ, 100Ω e 1kΩ. A tensão de entrada da fonte é de 10V. Sobre o comportamento deste
circuito, leia as proposições a seguir:
I. A corrente no Resistor R3 depende do valor da resistência ali colocada.

II. Esse circuito possui uma configuração do transistor como fonte de corrente.
III. A tensão sobre o Resistor R4 é 0,90V.
IV. O funcionamento desse circuito independe dos dados de fabricação do transistor Q1.
Assinale a alternativa correta:
I. Falso – No modo ativo, a corrente no resistor R3 não dependerá do valor dessa resistência.
II. Correto.
III. Correto – VB=1,6k1,6k+10k*Vin=1,6V desta forma: VR4=VB-VBE=1,6 V-0,7 V=0,9 V
IV. Falso – Os dados de fabricação dos transistores TBJ são importantes para o seu correto funcionamento.
MÓDULO 3
 Demonstrar a operação do TBJ como amplificador

INTRODUÇÃO
EMPREGO DO TBJ COMO AMPLIFICADOR
Amplificador é um termo genérico, utilizado para descrever a capacidade de aumentar a potência de um sinal. A transformação de um sinal de pequena intensidade em outro de maior
intensidade visa manter a frequência e a forma original inalteradas, conforme ilustrado a seguir:
Fonte: EnsineMe
 Figura 32 – TBJ como amplificador.
TBJ COMO AMPLIFICADOR

Para um transistor operar como amplificador, primeiramente ele deverá ser polarizado para trabalhar no modo ativo. Conforme já vimos, a finalidade da polarização é estabelecer uma
corrente contínua de forma que ela seja robusta às variações de temperatura e do valor de β.
Veremos, neste módulo, que a operação do TBJ como amplificador é altamente influenciada pela polarização da corrente, o que reforça a importância dos circuitos de polarização
vistos anteriormente.
Para iniciar nossa análise da operação de um TBJ como amplificador, vamos considerar uma simplificação dos circuitos de polarização, representado na figura a seguir:
Fonte: EnsineMe
 Figura 33 – Circuito simplificado e idealizado para ilustrar a operação de um transistor como amplificador.
Todas as análises realizadas até então consideravam apenas componentes CC (corrente contínua). A partir de agora o sinal de entrada vi será composto por uma componente CC
(VBE) e uma componente CA (corrente alternada - vbe). Esta composição pode ser visualizada na figura a seguir:
Fonte: EnsineMe
 Figura 34 – Composição CC + CA do sinal de entrada vi.

 ATENÇÃO
A associação em série de uma fonte CC e CA apresentada no circuito da Figura 33 é um circuito idealizado que não é empregado na prática. Porém, vamos utilizá-lo para simplificar a
análise do TBJ como amplificador. Formas de associar esses dois tipos de fonte serão apresentadas posteriormente neste módulo.
Neste circuito, a junção emissor-base é diretamente polarizada pela componente CC VBE, e a polarização reversa da junção coletor-base é realizada pela fonte VCC e do resistor
RC. Assim, vamos considerar que o TBJ está operando no modo ativo e que o nosso objetivo é amplificar a componente CA representada pelo sinal vbe.
Para isso, adotaremos neste módulo a seguinte notação:
Apenas a componente CC (valor quiescente): VB, VE, VC, IB,IE,IC;

Apenas a componente CA (Valor instantâneo da componente variável): vb, ve,vc,ib,ie,ic;

Componente CC + CA (valor total instantâneo): vB_, vE_,vC_,iB_,iE_,iC_.
A TRANSCONDUTÂNCIA DO TBJ E A CORRENTE DE COLETOR
Vamos começar a nossa análise considerando apenas as condições de polarização CC do circuito, ou seja, vamos considerar que vb=0 e vi=VBE. Portanto, o circuito pode ser
simplificado para:
Fonte: EnsineMe
 Figura 34 – Circuito conceitual para ilustrar a operação do TBJ como um amplificador.
Utilizando as técnicas de análise já vistas aqui, podemos expressar as seguintes relações entre correntes e tensões CC.
IC=ISeVBE/VT
IE=IC/α
IB=IC/β
VC=VCE=VCC-ICRC
Considerando as componentes CC + CA na entrada do circuito, podemos reescrever as expressões da corrente do coletor como:
VI=VBE+VBE
Pelo circuito, temos:

VI=VBE_
Então:
IC_=ISEVBE_/VT=ISE(VBE+VBE)/VT=ISEVBE/VTEVBE/VT
Substituído pela expressão da relação da corrente CC, dado IC=ISeVBE/VT, podemos reduzir a expressão para:
IC_=ICEVBE/VT
Caso vbe≪VT, a exponencial pode ser aproximada para:
IC_=IC(1+VBEVT)
Note que esta aproximação é válida apenas para pequenos valores de vbe. Como para temperatura ambiente (25°) VT≈25mV, nessas condições essa aproximação pode ser
considerada válida quando vbe<10mV. Denominamos esta técnica de aproximação para pequenos sinais. Logo, a corrente total (CC + CA) no coletor pode ser reescrita como:
Fonte: EnsineMe
Por isso, a corrente no coletor é a soma de uma componente de sinal CA (ic) e uma componente oriunda da corrente de polarização CC (IC). Separando apenas a componente CA,
para pequenos sinais, da corrente do coletor, podemos escrever:
IC=ICVBEVT=GMVBE
O que leva à definição de um novo parâmetro do TBJ, que relaciona tensão e corrente, denominada de transcondutância:
GM=ICVT
Note que a transcondutância é diretamente proporcional à corrente de polarização IC, obtida da análise CC (quando zeramos o valor de vbe). Dessa forma, se quisermos obter um
valor previsível e “invariável” para gm, precisamos de um valor previsível e constante para IC. É por este motivo que o estudo da polarização do TBJ, visto do módulo anterior, é
importante quando estamos trabalhando com amplificação de sinais.
A CORRENTE DE BASE E A RESISTÊNCIA DE ENTRADA DA BASE
Uma análise análoga pode ser realizada para a corrente da base do TBJ, em que:
IB_=IC_Β=ICΒ+1ΒICVTVBE
Relacionando essas parcelas com as componentes CC e CA (para pequenos sinais, ou seja, vbe<10mV) podemos dizer que:
IB_=IB+IBIB=ICΒ (COMPONENTE CC)IB=1ΒICVTVBE (COMPONENTE CA)
Assim, podemos representar a corrente de base para pequenos sinais como:
IB=GMΒVBE
Desse modo, a resistência de entrada para pequenos sinais entre a base e o emissor, vista da base, é definida da seguinte forma:
Fonte: EnsineMe
 Figura 35 – Representação da definição de resistência de entrada (rπ).
RΠ≡VBEIB=ΒGM
alternativamente, substituindo o valor de gm podemos expressar rπ por:
RΠ=VTIB
A CORRENTE DE EMISSOR E A RESISTÊNCIA DE ENTRADA DO EMISSOR

Realizando a mesma análise para corrente no emissor, temos:
IE_=IC_Α=ICΑ+ICΑ
Relacionado estas parcelas com as componentes CC e CA (para pequenas sinais, ou seja, vbe<10mV) podemos dizer que:
IE_=IE+IEIE=ICΑ (COMPONENTE CC)IE=ICΑ=1ΑICVTVBE=IEVTVBE (COMPONENTE CA)
Por isso, a resistência de entrada para pequenos sinais entre a base e o emissor, vista do emissor, é definida como:
Fonte: EnsineMe
RE≡VBEIE=ΑGM≈1GM
 Figura 36 – Representação da definição de resistência de entrada (re).
As duas resistências podem ser relacionadas pelas seguintes expressões:
VBE=IERE=IBRΠ
Então:
RΠ=IEIBRE=Β+1IE
GANHO DE TENSÃO
Vamos retornar para o circuito amplificador apresentado no início deste módulo.

Fonte: EnsineMe
 Figura 36 – Exemplo de TBJ com componentes CC e CA.
Aplicando a Lei Kirchhoff das tensões (LKT) para obter a tensão de saída no coletor:
vC_=VCC-iC_RC = VCC-(IC+ic)RC=(VCC-ICRC)+icRC=VC-icRC
Considerando apenas a parcela de pequenos sinais (CA)
VC=-ICRC=-GMVBERC=-GMRCVBE
Assim, podemos definir o ganho de tensão do amplificador (Av) como:
AV=VCVBE=-GMRC
Como gm é diretamente proporcional à corrente de coletor, a estabilidade do ganho estará atrelada à estabilidade de IC. Substituindo o valor de gm, temos:
AV=-ICRCVT
MODELO DE PEQUENOS SINAIS

Para analisar o funcionamento de um TBJ como amplificador, muitas vezes é oportuna a utilização de um modelo linear para pequenos sinais. Esse modelo só será válido para
determinada polarização e para sinais de entrada suficientemente pequenos (vbe<10mV).
Quando aplicamos esse modelo, as fontes CC do circuito são zeradas, ou seja, as fontes de tensão são substituídas por curto-circuito e as fontes de corrente são substituídas por
circuitos abertos.
Fonte: EnsineMe
 Figura 37 – Metodologia para empregar o modelo de pequenos sinais.

Os modelos equivalentes de pequenos sinais mais utilizados são o modelo π-híbrido e o modelo T. Ambos são válidos apenas para o transistor operando na região ativa. Além disso,
como os modelos dependem de rπ, re e gm, eles só serão válidos para determinado ponto de polarização (dos quais estes parâmetros foram obtidos).
Fonte: EnsineMe
 Figura 38 – Modelos equivalentes de pequenos sinais.
SISTEMÁTICA DE APLICAÇÃO DO MODELO DE PEQUENOS SINAIS
De acordo com Sedra (2005), a análise de circuitos amplificadores para a operação com pequenos sinais pode ser realizada de forma sistemática. Dessa forma, esse processo pode
ser dividido nas seguintes etapas:
01
02
03
Determinar o ponto de operação CC do TBJ e, em especial, o valor da corrente do coletor IC (em CC).
Calcular os valores dos parâmetros do modelo para pequenos sinais:

gm=ICVT
rπ=βgm
re=VTIE≈1gm
Substituir as fontes CC de tensão por um curto-circuito e as fontes CC de corrente por um circuito aberto.
04
05
Substituir o TBJ pelo modelo equivalente para pequenos sinais.
Por fim, analisar o circuito para determinar as grandezas de interesse.
EXEMPLO 6
Calcule o ganho de tensão (v0/vi) do amplificador apresentado na figura a seguir. Considere que β=120 e VBE≈0,7 V.
Fonte: EnsineMe
 Figura 39 – Exemplo do emprego de modelos equivalentes de pequenos sinais.
RESOLUÇÃO
Seguiremos com nossa análise nas etapas descritas no tópico anterior.
1ª etapa: determinar o ponto de operação CC.

Fonte: EnsineMe
Iremos considerar vi=0.
Aplicando a análise CC no circuito da Figura 40 teremos:
IB=Vi-VBERB=5-0,7120k≈36μA
Podemos calcular a corrente do coletor como:
IC=IBβ=36 μ.120=4,3 mA
Por fim, a tensão (CC) no coletor será:
VC=VCC-ICRC=15-4,3×2,2=5,54V
Note que, pelos valores encontrados, confirmamos que o TBJ está operando em modo ativo (VC>VB).
2ª etapa: determinar os parâmetros do modelo para pequenos sinais.

gm=ICVT=4,3mA25mV=172 mA/V
rπ=βgm=120172m=698 Ω
re=VTIE≈1gm=1172m=5,8 Ω
3ª etapa: eliminar as fontes CC de tensão e corrente.
Fonte: EnsineMe
4ª etapa: substituir o TBJ por um modelo equivalente.
Vamos substituir o circuito obtido na 3ª etapa pelo seu equivalente para pequenos sinais com os parâmetros obtidos da 2ª etapa gm, rπ e re. Observe que os valores das fontes CC
não estão incluídos no circuito equivalente para pequenos sinais, de forma que substituímos as fontes VB e VCC por curto-circuitos, ficando apenas a fonte CA(vi).
Fonte: EnsineMe
5ª etapa: determinar as grandezas de interesse.
Neste caso, desejamos calcular o valor do ganho de tensão (vi/vB). Obtemos isso a partir da análise do circuito equivalente obtido anteriormente.
Fonte: EnsineMe
Aplicando a Lei de Kirchhoff das tensões (LKT) no laço L indicado na figura, obtemos:
vi-ibRB-ibrπ=0
Isolando o termo da corrente:
ib=viRB+rπ
A partir do valor de ib podemos calcular a queda de tensão em cima da resistência rπ:
vbe=rπib=virπrπ+RB≈0,0058vi
Com o valor de vbe, sabemos o valor da corrente que passa pelo resistor RC, determinado pela fonte de corrente dependente (gmvbe) e podemos calcular o valor de v0 como:
-172m . 0,0058 vi. 2,2k≈-2,2 vi
Logo, o ganho de tensão será:
v0vi=-2,2 V/V
Observe que, como a relação é negativa, temos uma inversão de fase. O efeito da amplificação pode ser visualizado na figura a seguir:
Fonte: EnsineMe
ACOPLAMENTO DE SINAIS
Neste módulo, foi considerado um modelo simplificado para vB¯ (ou vi), responsável pela polarização CC e pela componente CA do sinal. No entanto, para evitar a necessidade de
adicionar uma fonte adicional em série com o sinal CA, vamos utilizar os circuitos de polarização apresentados no módulo anterior.
Para conseguir utilizar esses circuitos de polarização em conjunto com um sinal de entrada CA, realizamos o “acoplamento” por meio de um capacitor atuando como um filtro passa-
alta. Logo, os capacitores de acoplamento são responsáveis por acoplar o sinal CA e a carga de saída, sem alterar a polarização CC.
Na Figura a seguir apresentamos o princípio do acoplamento de sinais.
Fonte: EnsineMe
 Figura 45 – Arranjo de acoplamento de sinais, para um amplificador TBJ.
No qual C1 e C2 são os capacitores de acoplamento. Com a presença desses elementos, os capacitores atuarão como um circuito aberto para as componentes CC (que são
constantes), e atuarão com um curto-circuito para as componentes CA. Para que isso seja válido e sua presença não impacte o circuito, considera-se que os capacitores possuem
elevada capacitância.
1. (UFMT – 2015). EM RELAÇÃO AO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ), SEUS MODELOS E MÉTODOS DE POLARIZAÇÃO, ASSINALE
A AFIRMATIVA CORRETA.
A) Para operar como um amplificador linear, o TBJ é polarizado de forma que a tensão entre base e emissor é mantida próxima da tensão limiar (VT).
B) Na polarização CC, a resistência de realimentação do emissor tem a função de estabelecer uma corrente de coletor dependente do ganho βcc.
C) Para pequenos sinais na região linear, o TBJ funciona como uma fonte de corrente controlada por tensão.
D) O ganho βcc do TBJ aumenta com a frequência.
E) O ganho βcc do TBJ diminui com o período.
2. (SEDRA, 2005 - ADAPTADA). O AMPLIFICADOR COM TRANSISTOR NA FIGURA, A SEGUIR, ESTÁ POLARIZADO POR UMA FONTE DE
CORRENTE I E POSSUI Β MUITO ALTO. CONSIDERE QUE O TRANSISTOR ESTÁ NO MODO ATIVO.
O GANHO DE TENSÃO VC/VI É IGUAL A:
A) 80 V/V
B) -80 V/V
C) 40 V/V
D) -40 V/V
E) 1
GABARITO
1. (UFMT – 2015). Em relação ao transistor bipolar de junção (TBJ), seus modelos e métodos de polarização, assinale a afirmativa correta.
Para pequenos sinais e o TBJ operado na região linear (modo ativo) podemos relacionar corrente e tensão como:
ic=gmvbe
Em que a tensão vbe, controla a corrente ic no coletor.
2. (SEDRA, 2005 - Adaptada). O amplificador com transistor na Figura, a seguir, está polarizado por uma fonte de corrente I e possui β muito alto. Considere que o
transistor está no modo ativo.
O ganho de tensão vc/vi é igual a:

A alternativa "A " está correta.
Seguindo as etapas para a análise de um circuito utilizando o modelo de pequenos sinais, começamos analisando o valor das componentes CC.
Como o valor de β é muito alto, podemos considerar que IC≈IE=1mA.
A partir destes valores, podemos calcular os parâmetros do modelo de pequenos sinais:
a. gm=ICVT=1mA25mV=40 mA/V;
Na etapa seguinte, eliminamos as fontes CC. Desse modo, substituímos a fonte de corrente por circuito aberto e substituímos o TBJ pelo modelo de pequenos sinais:
Deste circuito podemos ver que vbe=-vi
Podemos calcular a tensão na saída como:
v0= -gmvbeRC=-40m-vi2k= 80vi
Logo
v0vi=80

CONCLUSÃO
CONSIDERAÇÕES FINAIS
Ao longo deste tema, descrevemos os princípios de funcionamento dos transistores bipolares de junção. No primeiro módulo, apresentamos a estrutura física desses dispositivos e
seus modos de operação: ativo, corte e saturação.
No segundo módulo, vimos técnicas de polarização de transistor para que ele opere em modo ativo e seja insensível à variações de temperatura. Apresentamos quatro circuitos de
polarização e mostramos sua importância na robustez, perante as incertezas do circuito. Também aprendemos a calcular os valores das componentes desses circuitos de polarização.
Por fim, caracterizamos o emprego do TBJ como um amplificador. Definimos amplificadores de pequenos sinais e apresentamos uma sistemática de como analisar esses circuitos.
Assim, você compreendeu os principais conceitos relacionados aos transistores bipolares de junção.
AVALIAÇÃO DO TEMA:
REFERÊNCIAS
HOLOWITZ, P. HILL, W. The Art of Electronics. 2. ed. Cambridge: Cambridge University Press, 2000.
SCHERZ, P. MONK, S. Practical Electronics for Inventors, Fourth Edition. New York: McGraw-Hill Education, 2016.
SEDRA, S.; SMITH, K. Microeletrônica. 4. ed. São Paulo: Pearson-Makron Books, 2005.
SEDRA, S.; SMITH, K. Microelectronic Circuits. 7 ed. Oxford: Oxford University Press, 2014.
EXPLORE+
Para saber mais sobre os assuntos tratados neste tema, leia:
A história perdida do transistor, de Michael Riordan
CONTEUDISTA
Roberto Câmara Gentil Porto
 CURRÍCULO LATTES

Tema2 - Transistor Bipolar de Junção (TBJ)

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Tema2 - Transistor Bipolar de Junção (TBJ)

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DESCRIÇÃO

Reconhecer a estrutura física e o princípio básico de funcionamento do TBJ

Calcular circuitos de polarização para TBJ

Demonstrar a operação do TBJ como amplificador

 Reconhecer a estrutura física e o princípio básico de funcionamento do TBJ

ESTRUTURA FÍSICA E PRINCÍPIO BÁSICO DE FUNCIONAMENTO DO TBJ

REVISÃO SOBRE DIODOS

 Figura 2 - Junção P-N de um diodo tradicional.

Podemos resumir os modos de operação básicos de um diodo convencional da seguinte forma:

POLARIZAÇÃO DIRETA (MODO DE CONDUÇÃO)

POLARIZAÇÃO INVERSA (MODO DE NÃO CONDUÇÃO)

 Figura 3 – Polarização direta e inversa em um diodo.

PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO DOS TRANSISTORES

 Figura 4 – Estrutura de um transistor npn e pnp.

 Figura 5 – Analogia de funcionamento do transistor.

Ve < Vb > Vc Direta Direta Saturação Chaveamento

Ve > Vb < Vc Reversa Reversa Corte Chaveamento

Ve > Vb > Vc Reversa Direta Ativo-Reverso Não utilizado

 Atenção! Para visualização completa da tabela utilize a rolagem horizontal

 Tabela 1 – Modos de operação do TBJ npn. Fonte: EnsineMe

OPERAÇÃO DO TRANSISTOR NPN NO MODO ATIVO

 Figura 6 – Fluxo de corrente em um transistor no modo ativo.

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

 Figura 7 – Fluxo de corrente em um transistor no modo ativo.

 Figura 8 – Modelos de circuitos equivalentes para o TBJ npn no modo ativo.

 Figura 10 – Exemplo TBJ npn.

1) Como queremos Vc = 5V, aplicando a Lei de Ohm no resistor R1 temos:

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

IE=IB+IC= β+1β . IC=1,01 . 5mA=5,05mA

R2= ∆VIE=VE-(-10V)5,05mA=-0,7V-(-10V)5,05mA=9,3V5,05mA≅ 1,84kΩ

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

Junção B-E diretamente polarizada (com VBE≥0,7V)

REFLETINDO SOBRE O PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO DO CIRCUITO, CASO

 Figura 11 – Exemplo TBJ npn.

VX+ VBE+ VR2+ VY=0

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

REFLETINDO SOBRE O QUE ACONTECERIA SE O VALOR DA RESISTÊNCIA R1 FOSSE

VC=VCC- R1I1=10-R1 . 5MA

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

OPERAÇÃO DO TRANSISTOR NPN NA SATURAÇÃO

 Figura 12 – Modelo de circuito equivalente para o TBJ npn no modo de saturação.

VC=10V- 3kΩ . 5mA= -5V

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

Falha da suposição do modo ativo.

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

A junção pn base-coletor está diretamente polarizada e o TBJ está no modo de saturação.

Utilizando o modelo equivalente de TBJ saturado da Figura 12:

 Figura 14 – Exemplo TBJ npn.

IC= 10V- VCR=10V-(-0,5V)3kΩ=3,5mA

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

Sabendo que VBE≅0,7V, a corrente no emissor é igual a:

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

Note que a relação entre IC e IB será:

βforçado= 3,5mA1,5mA≈2,26<βativo (100)

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

Fator Forçado≡ βativoβforçado

TRANSISTOR NPN COMO CHAVE – MODO DE CORTE E SATURAÇÃO

 Figura 15 – Transistor atuando como chave.

VC=10V- RCIC= 10V-RC . 0=10V

 Atenção! Para visualização completa da equação utilize a rolagem horizontal

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Dessa forma Vc=0,2V e Ic=9,8mA. Calculando o β forçado:

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