Soares Gabriel M

UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Instituto de Física "Gleb Wataghin"
Gabriel Soares
Competição entre anisotropias perpendiculares

em bicamadas de CoCrPt/Ni resolvida por
ressonância ferromagnética
CAMPINAS
2015
Agência(s) de fomento e nº(s) de processo(s): CAPES, 2013/1186360
Ficha catalográfica
Universidade Estadual de Campinas
Biblioteca do Instituto de Física Gleb Wataghin
Valkíria Succi Vicente - CRB 8/5398
Soares, Gabriel, 1988-

So11c SoaCompetição entre anisotropias perpendiculares em bicamadas de
CoCrPt/Ni resolvida por ressonância ferromagnética / Gabriel Soares. –
Campinas, SP : [s.n.], 2015.
SoaOrientador: Fanny Béron.

SoaDissertação (mestrado) – Universidade Estadual de Campinas, Instituto de
Física Gleb Wataghin.
Soa1. Ferromagnetismo. 2. Ressonância ferromagnética. 3. Filmes finos. I.

Béron, Fanny,1980-. II. Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física
Gleb Wataghin. III. Título.
Informações para Biblioteca Digital
Título em outro idioma: Perpendicular anisotropy competition in CoCrPt/Ni bilayers

resolved by ferromagnetic resonance
Palavras-chave em inglês:
Ferromagnetism
Ferromagnetic resonance
Thin films
Área de concentração: Física
Titulação: Mestre em Física
Banca examinadora:
Fanny Béron [Orientador]
Luiz Guilherme Costa Melo
Ricardo Rodrigues Urbano
Data de defesa: 27-11-2015
Programa de Pós-Graduação: Física
Powered by TCPDF (www.tcpdf.org)

"Aquele que luta com monstros deve acautelar-se para não tornar-se também um
monstro. Quando se olha muito tempo para um abismo, o abismo olha para
você."(NIETZSCHE, F. Beyond Good and Evil. New York: Dover Publications Inc.,
1997)
Agradecimentos
Em primeiro lugar gostaria de agradecer ao Dr. David Navas por disponibilizar as
amostras, me receber atenciosamente na Universidade do Porto, em Porto, Portugal,
além das valiosas discussões indispensáveis para a construção deste trabalho. Gostaria
também de agradecer ao Prof.Dr. Flávio César Guimarães Gandra por disponibilizar seus
equipamentos de medida, juntamente com a didática necessária e discussões de instru-
mentação sobre as medidas em cavidade. Agradeço também ao Prof.Dr.Ricardo Urbano
e Ms.Guilherme Gorgen Lesseux por disponibilizar e acompanhar as medidas extras re-
alizadas no EPR-Bruker. Gostaria de agradecer também ao Dr. Sergiy Bunyayev por
disponibilizar o experimento de varredura em frequência com o VNA, e respectivas discus-
sões sobre instrumentação e análise de dados. Também gostaria de agradecer as valiosas
discussões sobre ressonância ferromagnética com o Dr.Massimo Pasquale e Dra.Ambra
Caprile, os quais me receberam no Istituto Nazionale di Ricerca Metrologica, em Turim,
Itália. Gostaria de agradecer também o Prof.Dr.Rafael Morales, responsável pelo pro-
jeto FP7-PEOPLE-2012-IRSES, Coupling effects in magnetic patterned nanostructures,
financiado por Community Research and Development Information Service (CORDIS) de
la Comisión Europea, pela bolsa necessária para os estágios mencionados. A CAPES pelo
financiamento da bolsa de mestrado.
Gostaria de agradecer ao Prof.Dr.Kleber Pirota, por ter me iniciado cientificamente
no LMBT durante a graduação e discussões durante o mestrado; e a minha orientadora
Profa.Dra.Fanny Beron, pela paciência; em suma, a todos os professores que contribuíram
direta ou indiretamente pela minha formação.
Aos meus colegas e ex-colegas de laboratório: Luiz, Muraca, Marlene, Peterson, Mu-
rilo, Karol, Maria, Luis, Juan, Cintia e Roman, pelo apoio, discussões e momentos de
descontração.
Ao Chico pelas longas noites de estudo, cerveja e debates filosóficos, recorrentes desde
o início da graduação. Aos meus ex-colegas de república: Baiano, Japonês e Dantas, que
me aguentaram reclamando e bagunçando a casa repetidamente (e pelas cervejas também
é claro). Ao Thiago, por ter me abrigado em sua casa durante os últimos meses que estive
sem bolsa, companhia e infinidade de galhos quebrados.
Finalmente, gostaria de agradecer a minha família pela minha criação e oportunidades
de estudo, sem eles nunca teria chegado até aqui.
Resumo
Desde a descoberta dos filmes finos magnéticos com anisotropia perpendicular, ou
PMAs (Perpendicular Magentic Anisotropy, em inglês), se tornou possível aumentar dras-
ticamente a densidade de dados em discos rígidos. Uma maneira de continuar a incre-
mentar a densidade final de dados seria desalinhar o eixo de anisotropia uniaxial e o
campo magnético de escrita. Para isso, necessita-se de materiais com anisotropia magné-
tica intermediária, i.e, na qual o seu eixo fácil está entre a longitudinal ao plano e a sua
perpendicular. A situação ótima seria com o eixo fácil a 450 , teoricamente dobrando a
densidade final. No entanto, fabricar grãos ou filmes com esta propriedade não é viável
do ponto de vista industrial. Todavia, bicamadas podem ser utilizadas para imitar este
comportamento, onde um filme com anisotropia longitudinal é depositado sobre um PMA.
Além do mais, esta abordagem apresenta a possibilidade de maior velocidade de escrita.
Bicamadas de CoCrPt/Ni podem ser utilizadas para este propósito, com a camada de
CoCrPt como PMA e a de Ni com anisotropia longitudinal.
O experimento de ressonância ferromagnética permite, a priori, resolver as contri-
buições de anisotropia de cada camada no sistema de bicamadas, juntamente com os
mecanismos de amortecimento magnético. O objetivo principal desta dissertação de mes-
trado é introduzir os conceitos de experimentação e teoria desta técnica, e aplicá-los nas
bicamadas de CoCrPt/Ni. Neste trabalho foram utilizados filmes já depositados por sput-
tering com 10 nm de Co66 Cr22 Pt12 , seguidos de 5 a 40 nm de Ni, para investigar o efeito
da camada com anisotropia longitudinal sobre o PMA. Um outro conjunto de amostras
contém um espaçador de Ti entre as camadas magnéticas, a fim de se estudar a interação
na interface entre elas.
Os experimentos de ressonância foram realizados em varredura de frequência num ana-
lisador de rede vetorial com campos magnéticos aplicados longitudinais ou perpendicula-
res e numa cavidade de banda X (9,54GHZ) em função da orientação do campo aplicado.
Foi verificado qualitativamente o decréscimo da energia de anisotropia longitudinal com
menores espessuras de Ni nas bicamadas. No entanto, não foi possível observar a linha
de absorção da camada de CoCrPt, e consequentemente, encontrar unequivocamente as
constantes de anisotropia do sistema, muito menos confirmar o comportamento multiaxial
encontrado. Não obstante, foi confirmado a natureza de curto alcance da interação entre
as camadas. Nova experimentação em outras bandas de frequência é necessária, afim de
identificar a absorção do CoCrPt. Uma perspectiva futura interessante é o estudo da
largura de linha e o amortecimento magnético do sistema devido a interação envolvida.
Palavras-chave: Ferromagnetismo, anisotropia magnética, filmes finos, ressonância

ferromagnética
Abstract
Since the advent of perpendicular magnetic anisotropy media, or PMAs, it was possible
to greatly enhance the data density of hard drives. A method to push forward the data
density increase is to misalign the anisotropy and applied field axes. This can be achieved
by tilted media, i.e., in which the anisotropy axis lays somewhere between in-plane (IP)
and out-of-plane (OOP). The optimal condition is with the axis tilted by 450 . However,
produce this kind of material is not practible at industrial scale. Thus, composite media
can be used to mimic this behavior, where an in-plane anisotropy media is deposited on top
of a PMA. Nonetheless, this approach allows to reach faster switching rates. CoCrPt/Ni
bilayers may be used for this purpose, with the CoCrPt serving as the PMA and the Ni
as the IP anisotropy layer.
The ferromagnetic resonance experiment (FMR) can be used to obtain information
about the magnetic anisotropy, being able to characterize its constant for each layer in the
bilayer system, together with the damping mechanisms. Therefore, the main goal of this
master thesis is to introduce the FMR theory and experimentation and apply them in this
system. The used films were already deposited by sputtering with 10 nm of Co.66 Cr.24 Pt12
under a 5 to 40 nm Ni layer. Another set of samples with a Ti layer between the magnetic
layers provides information of the interface coupling.
The FMR experiments were partly performed in a broadband vector network analyzer
(VNA) with applied magnetic fields IP or OOP, and in a X-band (9,54 GHz) cavity as
function of the orientation of the applied magnetic field. It was qualitatively verified a
decrease of the longitudinal magnetic anisotropy energy as a function of the Ni thickness
in the bilayer system. However, the CoCrPt single layer absorption could not be observed,
making it impossible to unequivocally identify each anistropy constant. Nonetheless, the
short-range nature of the coupling was confirmed. Further experimentation in higher
frequencies is needed in order to find the CoCrPt absorption. Also, promising effects in
the damping mechanism due to the coupling are expected.
Keywords:
Ferromagnetism, magnetic anisotropy, thin films, ferromagnetic resonance
Sumário
1 Introdução 11
2 Ressonância ferromagnética 14
2.1 Fenomenologia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.1.1 Introdução histórica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.1.2 Ressonância eletrônica de spin (ESR) . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
2.1.3 Ressonância ferromagnética . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
2.2 Formulação teórica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.2.1 Equação de Landau-Lifshitz-Gilbert . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
2.2.2 Susceptibilidade magnética próxima a ressonância . . . . . . . . . . 20
2.2.3 Fórmula geral para frequência de ressonância - Método de Smit-Beljers 25
2.2.4 Energia livre magnética . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.5 Ressonância ferromagnética de um filme com anisotropia uniaxial . 33
3 Métodos experimentais 40
3.1 Experimento de FMR em cavidade (reflexão) . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.1.1 Blocos de operação . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
3.1.2 Potência absorvida e a susceptibilidade magnética . . . . . . . . . . 41
3.1.3 Leitura do módulo de tensão . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
3.1.4 Cavidade ressonante e a onda perturbativa estacionária . . . . . . . 45
3.1.5 Montagem experimental . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
3.1.6 Exemplo de medida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
3.2 Experimento de FMR com analisador de rede vetorial (varredura de frequên-
cia e campo aplicado) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
3.2.1 Analisador de rede vetorial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
3.2.2 Guia de onda coplanar . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
3.2.3 Parâmetros de espalhamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
3.2.4 Tratamento de dados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
4 Revisão bibliográfica 59
4.1 Anisotropia magnética uniaxial em filmes finos . . . . . . . . . . . . . . . . 59
4.1.1 Filmes de CoCrPt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
4.2 Bicamadas com anisotropia perpendicular . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
4.2.1 Sistema CoCrPt/Ni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 61
4.3 Ressonância ferromagnética e bicamadas com anisotropia perpendicular . . 64
5 Resultados Experimentais 66
5.1 Medidas de FMR com VNA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 66
5.1.1 Filmes de Ni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 67
5.1.2 Filmes de CoCrPt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 69
5.1.3 Bicamadas CoCrPt/Ni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
5.1.4 Bicamadas com espaçador . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
5.1.5 Fatores giromagnéticos e campos de anisotropia . . . . . . . . . . . 74
5.2 Medidas de FMR em cavidade . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
5.2.1 Evolução das espessuras . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 76
5.2.2 Anisotropia uniaxial . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 77
6 Conclusões e perspectivas 81
Referências 83
11
Capítulo 1
Introdução
Uma preocupação recorrente na indústria de armazenamento de dados é a crescente

demanda por dispositivos com maior densidade de informação digital possível. A tecnolo-
gia mais usada é a gravação magnética em discos rígidos, onde os dados são armazenados
em filmes finos ferromagnéticos com espessura nanométrica. Os materiais ferromagnéticos
apresentam a propriedade de estabilizar regiões de magnetização (com sentidos diferentes)
sem campo aplicado, conhecidas como domínios, e a informação é então traduzida a partir
da transição de sua orientação magnética [1]. Para escrever o bit de informação, aplica-se
um campo magnético local, de maneira a alterar apenas a orientação da magnetização
do respectivo domínio. Em seguida, para ler o bit, precisa-se encontrar uma forma de
detetar a direção dessa magnetização. A descoberta do fenômeno da magnetorresistência
gigante (Giant magneto resistance, em inglês), foi um grande avanço na década de 1990
e permitiu um aumento exponencial na densidade, quando o gargalo estava em detetar
o sinal magnético proveniente de domínios cada vez menores. Já na década de 2000, a
próxima grande dificuldade encontrada foi em continuar a reduzir o tamanho do domínio
[2].
O formato de um ferromagneto influencia na qual direção preferencial é a sua magne-
tização, ou seja, a anisotropia de forma magnética. No caso de filmes finos policristalinos,
eles preferem formar seus domínios de maneira que a magnetização fique paralela ao plano
do filme - neste caso a tecnologia é conhecida como escrita longitudinal. Consequente-
mente, quanto menor for o tamanho deste domínio, maior a densidade de informação que
pode ser armazenada. No entanto, existe um limite de quão pequeno pode ser o domínio
de maneira que ele permaneça termicamente estável, dependendo da competição entre a
energia de agitação térmica e a de anisotropia magnética. A energia de anisotropia de
forma depende diretamente da magnetização de saturação, que por sua vez é uma pro-
priedade intrínseca do material. Portanto, ela se torna o principal limitador em reduzir o
tamanho do domínio e consequentemente a densidade de dados final.
Uma maneira de continuar a aumentar a densidade magnética é a introdução de fil-
mes com anisotropia magnética perpendicular ao plano do filme (Perpendicular Magnetic
Anisotropy, PMAs, em inglês) [2]. Sendo assim, a anisotropia proveniente da estrutura
CAPÍTULO 1. INTRODUÇÃO 12
cristalina, juntamente com efeitos de superfície, vencem a anisotropia de forma. Com isso
é possível controlar a intensidade da energia de anisotropia final, obtendo valores superio-
res aos respectivos devido à geometria do material. Ligas de CoCrTa, CoCrPt, CoCrPtTa
são comunmente utilizadas para este tipo de aplicação [3]. No entanto, os PMAs também
trazem uma grande desvantagem, que é a baixa tolerância ao desalinhamento entre o eixo
de anisotropia perpendicular e o campo magnético local de escrita. Por exemplo, com
uma variação de 2% no alinhamento, o campo aplicado necessário para inverter o sentido
da magnetização do domínio aumenta entre 8% a 10% [4].
Uma das soluções promissoras propostas para aumentar a tolerância em respeito ao
alinhamento é fabricar filmes com eixo de anisotropia a 450 . Como fabricá-los em labo-
ratório já apresenta uma série de dificuldades técnicas, consequentemente eles não são
viáveis em escala industrial. Para contornar esse fato, foi proposto sobrepor dois filmes,
um PMA e um com anisotropia longitudinal. Como será visto mais adiante, a combinação
de duas anisotropias uniaxiais (com apenas uma direção preferencial) não resulta em uma
intermediária, mas o conjunto pode apresentar propriedades magnéticas de interesse ao
problema, de maneira a resolver a questão do alinhamento [4].
O Laborátorio de Materiais e Baixas Temperaturas (LMBT), do qual sou estudante,
participou em 2012 de um trabalho de colaboração internacional em bicamadas de Co-
CrPt/Ni (o CoCrPt é um PMA). Nosso grupo realizou medidas de caracterização mag-
netostática (ciclos de histerese) de onde foram retiradas as primeiras estimativas para as
constantes de anisotropia. No entanto, a obtenção da constante de anisotropia através
deste tipo de caracterização não é tão precisa, uma vez que a modelagem fisíca associ-
ada assume uma série de aproximações (para mais detalhes, ver [5]). Por não depender
dessas aproximações, a ressonância ferromagnética é uma ferramenta mais adequada para
esse tipo de caracterização. Além do mais, a estimativa é obtida através da medida das
duas camadas em conjunto, ausentando informações locais independentes e a natureza da
interação entre elas [6]1 .
Neste trabalho foram realizadas medidas de ressonância ferromagnética nestas mesmas
bicamadas. Escolhemos essa técnica justamente por apresentar mais detalhes das propri-
edades de anisotropia e interações na interface entre os dois filmes. Os objetivos desta
dissertação consistem em estudar a teoria e experimentação da ressonância ferromagnética
e então caracterizar as anisotropias das bicamadas e a interação na interface.
No capítulo 2 será descrita a teoria de ressonância ferromagnética, com as soluções da
equação de dinâmica da magnetização. O capítulo 3 é composto das técnicas experimen-
1
Formalmente, o tratamento adequado para este tipo de problema é mais conhecido como ressonância
de ondas de spin. Para este trabalho, as equações e métodos experimentais são equivalentes, e mais
interessantes do ponto de vista didático.
CAPÍTULO 1. INTRODUÇÃO 13
tais utilizadas, incluindo a conexão com a teoria da ressonância ferromagnética, a qual

demanda alguns conceitos a partir das equações de Maxwell. No capítulo 4 será descrito
o conjunto de amostras, sua fabricação e parâmetros estruturais. No capítulo 5 os re-
sultados serão analisados, confrontando os dados experimentais obtidos com os conceitos
abordados nos capítulos 2 e 3.
14
Capítulo 2
Ressonância ferromagnética
Ressonância ferromagnética (FMR1 ) é a absorção de radiação eletromagnética por um

espécime ferromagnético sob um campo magnético aplicado, induzindo uma precessão
coerente dos seus momentos magnéticos. Classicamente, se a frequência da radiação for
a mesma que a precessão natural do momento magnético sob o campo aplicado, os dois
sistemas entram em ressonância. Isso faz com que a energia da radiação seja absorvida
pelos momentos magnéticos do material, aumentando a amplitude de sua precessão. Do
ponto de vista quântico, o campo aplicado remove a degenerescência entre os estados de
energia relativos aos números quânticos orbitais e magnéticos. Se a radiação tiver energia
adequada, ela pode ser absorvida gerando transições entre esses estados.
No caso de um material ferromagnético, deve se tomar o cuidado de considerar as con-
sequências de campos magnéticos locais sob o campo aplicado externo. Seria como se, na
prática, o material não sofresse somente o torque do campo magnético aplicado externo,
mas também de seus campos internos. A soma vetorial dos campos magnéticos internos
e externos é chamada de campo efetivo. Não obstante, ele define a diferença mais básica
entre a ressonância eletrônica de spin (ESR2 ) e a FMR. A obtenção do campo magné-
tico efetivo - ou mais precisamente - o gradiente da densidade de energia livre magnética
em relação à magnetização - permite averiguar diversas propriedades magnéticas do es-
pécime, tais como: a magnetização de saturação, o fator giromagnético e as constantes
de anisotropia. Outro ponto extremamente interessante é o estudo da largura de linha
da absorção. Ela está diretamente ligada ao amortecimento magnético, o qual provém
principalmente de mecanismos de grupo do material, juntamente com uma contribuição
intrínseca. Os processos físicos do amortecimento intrínseco são temas de debate desde
sua primeira proposição aos dias de hoje [7]–[11].
Neste capítulo, inicio com a fenomenologia da FMR, tanto do ponto de vista quân-
tico quanto clássico. Posteriormente, a teoria será desenvolvida a partir das soluções da
equação de dinâmica de magnetização, focando nos efeitos da anisotropia uniaxial. A
abordagem será do ponto de vista clássico sempre que possível, e dado a natureza fe-
1
Ferromagnetic resonance, em inglês.
2
Electron Spin Resonance, em inglês. Também conhecida como ressonância paramagnética.
CAPÍTULO 2. RESSONÂNCIA FERROMAGNÉTICA 15
nomenológica das equações, a atenção será centrada de maneira mais intuitiva do ponto
de vista físico/experimental. Este capítulo é baseado no livro Ferromagnetic Resonance,
editado por Vosovskii [12].
2.1 Fenomenologia
2.1.1 Introdução histórica3
Os primeiros registros de absorção de microondas numa amostra ferromagnética são
da década de 1910 por magnetologistas russos. V.K. Arkhad’yev, em uma série de estu-
dos entre 1911 e 1913, observou absorções de ondas de rádio (comprimento de onda em
centímetros) em fios de ferro e níquel e a mudança na sua magnetização. Neste momento,
as bandas de absorção foram interpretadas como uma resposta ressonante de momentos
magnéticos elementares ao campo de radiofrequência aplicado. Em 1923, Ya. G. Dorf-
mann sugeriu qualitativamente a influência do efeito Zeeman4 em separar dois estados
de energia; em 1926 a questão de campos magnéticos perturbativos perpendiculares e
paralelos ao campo fixo aplicado foi atacada por N.S. Akulov. Com a equação de magne-
todinâmica de L.D. Landau e L.M. Lifshitz (1935), foi possível modelar uma teoria geral
para cristais ferromagnéticos uniaxiais em um campo alternado e investigar o efeito de
ressonância. E.K. Zavoiskii (1944) descobriu experimentalmente o fenômeno da ESR, e
em seguida ele e D. Griffiths (1946) investigaram os materiais ferromagnéticos: Fe, Ni e
Co. Os campos de ressonância encontrados de 2 a 6 vezes maiores que os calculados teo-
ricamente motivaram C. Kittel (1946 e 1947) e Polder (1949) a desenvolver e generalizar
o fenômeno a partir da equação de Landau-Lifshitz da magnetodinâmica.
Desde então inúmeros trabalhos foram feitos e continuam sendo realizados sobre a
dinâmica de magnetização e FMR, inclusive abrindo campos de estudo a outros fenômenos
semelhantes, como a geração de ondas de spin e sua propagação, com alta aplicabilidade
tecnológica (spintrônica, magnônica).
2.1.2 Ressonância eletrônica de spin (ESR)

Quando submetido a um campo magnético aplicado H, a degenerescência dos níveis
de energia de um átomo - relativos aos seus números quânticos orbital 𝑙 e magnético 𝑚
- é quebrada. Esse fenômeno, conhecido por efeito Zeeman, é de suma importância para
compreender a ressonância ferromagnética (figura 2.1). Os níveis de energia criados são
3
De caráter não rigoroso do ponto de vista de história da física, uma vez que os artigos originais não
foram estudados, devido à disponibilidade e língua original. O objetivo é descrever rapidamente a linha
do tempo em que os conceitos mais importantes da FMR foram introduzidos na comunidade cientifica
[12]. Todas as datas são referentes a data de publicação dos artigos originais.
4
Interação do campo magnético nos estados de energia do elétron.
𝐸𝑖 e 𝐸𝑘 - multipletos Zeeman - no caso relativos ao elétron com valores de 𝑚 = ±1/2. A

energia Δ𝐸𝑖𝑘 , consequentemente a frequência 𝜔𝑖𝑘 , que uma onda eletromagnética necessita
para induzir transições entre esses níveis (i, k) deve ser:
ℎ̄𝜔𝑖𝑘 = 𝐸𝑖 − 𝐸𝑘 = Δ𝐸𝑖𝑘 (2.1.1)
e para o efeito Zeeman:

Δ𝐸𝑖𝑘 = 𝑔𝜇𝐵 Δ𝑚𝑖𝑘 𝐻 (2.1.2)
onde ℎ̄ = 1, 054571 × 10−34 J.s é constante de Planck, 𝑔 é o fator de Landé5 , Δ𝑚𝑖𝑘 é a

diferença entre os números quânticos i e k do multipleto, e 𝜇𝐵 = 9, 274009 × 10−24 J/T
é o magneton de Bohr. Isolando 𝜔𝑖𝑘 , encontramos a frequência necessária a induzir a
transição:
𝑔𝜇𝐵
𝜔𝑖𝑘 =
Δ𝑚𝑖𝑘 𝐻 (2.1.3)
ℎ̄
Levando em consideração os valores das constantes, e os típicos valores de campo 𝜇0 𝐻
(0, 1 a 3 T), encontramos frequências da ordem de GHz (10−9 s-1 ). Δ𝑚𝑖𝑘 pode assumir
valores ±1 e 0: transições do tipo Δ𝑚𝑖𝑘 = 0 têm polarizações na mesma direção que
o campo aplicado 𝐻, e |Δ𝑚𝑖𝑘 |= 1 perpendiculares a esse campo. Portanto, um campo
magnético alternado induzido pela onda eletromagnética deve ser perpendicular ao campo
aplicado para realizar transições entre os multipletos Zeeman.
𝑔𝜇𝐵
Δ𝑚𝑖𝑘 é definido como o fator giromagnético 𝛾 do sistema atômico em questão,
ℎ̄
e substituindo encontramos a relação entre a frequência de ressonância 𝜔𝑟𝑒𝑠 e o campo
aplicado:
𝜔𝑟𝑒𝑠 = 𝛾𝐻 (2.1.4)
Esta última relação é conhecida como a frequência de Larmor, e com ela é possível
realizar experimentos varrendo o campo aplicado H para encontrar a frequência de res-
sonância6 . Experimentalmente, expõe-se a amostra a uma radiação eletromagnética, e
quando encontrada a condição de ressonância do material em questão, os elétrons sofrem
transições de estado, absorvendo a radiação.
A análise quântica do problema recém apresentada é importante para justificar a
conservação de energia da onda perturbativa, bem como seu intervalo de frequência na
ordem de GHz. A partir da próxima seção, será tratado apenas do ponto de vista clássico,
sendo suas equações mais convenientes para se trabalhar experimentalmente.
5
Relacionado a transferência de momentos mecânicos e magnéticos, definidos por experimentos giro-
magnéticos. Para um elétron livre: 𝑔 = 2.
6
O fator 𝛾 é utilizado para converter, nesse caso, entre frequência e campo de ressonância, o que for
mais conveniente dependendo da montagem experimental.
1
Ei= gµB H
2
ΔEik
hωik
1
Ek= − gµB H
2
H
0
Figura 2.1: Níveis de energia do multipleto Zeeman. Se uma onda eletromagnética per-
turbativa tem energia Δ𝐸𝑖𝑘 , o sistema tem transições entre os estados 𝐸𝑖 e 𝐸𝑘 .
2.1.3 Ressonância ferromagnética

Em um material paramagnético (no caso, paramagnetismo de Pauli), o(s) elétron(s)
desemparelhados contribuem para o momento magnético atômico e sofrem as transições de
efeito Zeeman para a ressonância. Em materiais ferromagnéticos, os momentos atômicos
vizinhos estão fortemente ligados devido a interação de troca proveniente dos elétrons
da camada 3d para metais de transição, ou 4f para terras raras. Para eles, a equação
da frequência de Larmor nem sempre é válida, pois efeitos do conjunto fazem com que o
campo magnético exercido sobre a amostra e o aplicado não sejam necessariamente iguais.
Inclusive, a própria orientação da média da magnetização pode não estar na mesma direção
que o campo aplicado. Medir e modelar o campo efetivo permite encontrar e inferir sobre
propriedades magnéticas desses materiais, tais como anisotropias e alterações no fator
giromagnético.
Observando a questão do ponto de vista clássico, o elétron gira em torno do seu
próprio eixo, gerando um momento magnético de spin. Se esse elétron sofresse um torque
proveniente da interação entre o campo aplicado e seu momento magnético, ele precessiona
ao redor deste campo. Introduzindo uma perturbação alternada na precessão, de maneira
que seja com a mesma frequência - com um campo magnético alternado perpendicular -
os dois sistemas ressonam, absorvendo a energia da perturbação (figura 2.2a).
Caso o campo perturbativo seja uniforme pela amostra e se todos os momentos mag-
néticos do material precessionam com a mesma fase, o fenômeno é conhecido como resso-
nância ferromagnética 2.2b. Se por ventura o campo perturbativo não for mais uniforme,
implicaria em diferenças de fase entre os momentos magnéticos vizinhos. Como há a
interação de troca, essa diferença de fase pode ser coerente em determinadas condições,
a) H ef z b)
M
y
h
x
Figura 2.2: a) Precessão dos momentos magnéticos 𝑀 ⃗ ao redor do campo efetivo 𝐻⃗𝑒𝑓 e
perturbativo ⃗ℎ. b) Com campo perturbativo suficientemente uniforme (não apresentado),
a precessão também é majoritariamente uniforme.
formando ondas de spin. Essas ondas podem ser estacionárias, e também fazem o sis-
tema ressonar. O fenômeno em questão é conhecido como ressonância de ondas de spin,
e foi proposto devido a descompensação entre spins vizinhos devido ao comprimento de
penetração da onda eletromagnética em amostras ferromagnéticas metálicas [13].
Pelo resto da dissertação, será utilizada a explicação do ponto de vista clássico recém
comentada. Com base na descrição fenomenológica, é mais intuitivo acompanhar a solução
da equação de dinâmica de magnetização (Landau-Lifshitz-Gilbert) para a FMR a ser
realizada na próxima seção (2.2).
2.2 Formulação teórica

2.2.1 Equação de Landau-Lifshitz-Gilbert
A equação de Landau-Lifshitz-Gilbert (LLG) descreve de maneira clássica/fenomeno-
lógica o comportamento dos momentos magnéticos de uma amostra ferromagnética sob
ação de um campo magnético aplicado externo. A dinâmica do momento magnético é
descrita como uma precessão amortecida ao redor do eixo de campo efetivo. Essa equação
foi primeiramente proposta por Landau e Lifshitz em 1935, com a adição de um termo
de amortecimento puramente fenomenológico - um torque adicional na direção do eixo
de precessão, em função de 𝐻
⃗ e 𝑀
⃗ - sem relação direta com primeiros princípios [7].
São atribuídos a ele diversos fenômenos de grupo, relativo a perdas por energia térmica,
análogas a um arraste. Entre eles, vale citar: propagação de ondas de spin, presença de
correntes parasitas, vibrações de rede e defeitos de ordem cristalina (inomogeneidades,
tensões, impurezas).
Em 1954, Gilbert se deparou com um problema de rotação coerente de magnetização
num filme fino ferromagnético, e estudando o tempo de relaxação, encontrou valores de

amortecimento muito mais altos do que poderia justificar pelos mecanismos físicos citados
anteriormente. Este fato o motivou a procurar um novo termo, mas agora considerando
a perda de energia em função do tempo, substituindo o anterior proposto por Landau
e Lifshitz. As duas equações são equivalentes, com as devidas correções de constantes.
Nesta seção será descrito a obtenção dessa equação, sendo uma tradução livre do artigo
reeditado de Gilbert [8].
Da dinâmica clássica, a equação que descreve a rotação de um corpo rígido é:
⃗
𝑑𝐿
⃗𝜏 = (2.2.1)
𝑑𝑡
onde t é o tempo, ⃗𝜏 e 𝐿
⃗ são o torque e o momento angular do espécime, definido como
⃗ =𝐼 ×𝜔
𝐿 ⃗ , em que I é o tensor momento de inércia e 𝜔
⃗ paralelo ao eixo de rotação.
⃗ e ⃗𝜏 forem considerados como operadores de torque e momento angular quânticos
Se 𝐿
no espaço de Hilbert, substituindo 𝐿
⃗ por 𝑆,
⃗ o momento angular de rotação do elétron em
torno do seu próprio eixo se torna:
𝑑𝑆⃗
⃗𝜏 = (2.2.2)
𝑑𝑡
mas nos interessa a dinâmica da magnetização, e podemos utilizar a relação de proporci-
onalidade 𝑀
⃗ = 𝛾𝑆 ⃗ [14]:
𝑑𝑀⃗ 1
⃗𝜏 = (2.2.3)
𝑑𝑡 𝛾
Do outro lado, considerando o torque sofrido pela densidade de dipolos de momento
magnético 𝑀⃗ sob ação do campo efetivo 𝐻𝑒𝑓 ser ⃗𝜏 = 𝜇0 𝑀
⃗ × 𝐻⃗𝑒𝑓 7 obtemos:
𝑑𝑀⃗
= −𝛾𝜇0 𝑀
⃗ × 𝐻⃗𝑒𝑓 (2.2.4)
𝑑𝑡
O campo efetivo é encontrado a partir do gradiente da densidade de energia livre magné-
tica F :
1
𝐻⃗𝑒𝑓 = − ∇𝑀⃗ 𝐹 (𝑀
⃗) (2.2.5)
𝜇0
𝛼 ⃗
O termo de amortecimento adicionado na equação de movimento por Gilbert é − 𝑀×
𝑀𝑠
𝑑𝑀⃗
, onde 𝛼 é o amortecimento magnético (adimensional). Consequentemente, chegamos
𝑑𝑡
a equação de Landau-Lifshitz-Gilbert:
𝑑𝑀⃗ ⃗
⃗ × 𝐻⃗𝑒𝑓 + 𝛼 𝑀
= −𝛾𝜇0 𝑀 ⃗ × 𝑑𝑀 (2.2.6)
𝑑𝑡 𝑀𝑠 𝑑𝑡
Para trabalhar com a FMR, é necessário encontrar duas soluções da equação de LLG.
A primeira, relativa a absorção da onda eletromagnética perturbativa, é a variação da
7
𝜇0 é a permeabilidade magnética do vácuo.
susceptibilidade magnética 𝜒 ou permeabilidade magnética 𝜇 = 1 + 𝜒 próxima a resso-

nância. A outra solução, para acompanhar a evolução da frequência de ressonância em
função do campo efetivo, que nos permite encontrar as propriedades magnéticas (fator
giromagnético, constantes de anisotropia e amortecimento).
2.2.2 Susceptibilidade magnética próxima a ressonância

Já foi discutido na seção 2.1 a absorção da onda eletromagnética perturbativa pelo es-
pécime magnético na ressonância de maneira qualitativa. É de suma importância entender
de maneira quantitativa como se dá essa absorção, afim de obter o campo/frequência de
ressonância nas medidas experimentais. Nesta seção, será realizada a dedução da equação
de LLG para encontrar quantitativamente a expressão da absorção, em função da suscep-
tibilidade magnética, uma vez que a potência absorvida é proporcional a permeabilidade
magnética8 . Os cálculos que serão apresentados a seguir foram baseados no capítulo 2 de
[12].
Solução sem amortecimento magnético
Primeiramente, considerando um sistema sem amortecimento (𝛼 = 0) e sem efeitos de

campo efetivo (𝐻⃗𝑒𝑓 = 𝐻)
⃗ 9 . A equação de LLG fica da forma:
𝑑𝑀⃗
= −𝛾𝜇0 𝑀
⃗ ×𝐻
⃗ (2.2.7)
𝑑𝑡
⃗ devido a perturbação de campo
onde tem-se uma resposta da magnetização alternada 𝑚(𝑡)
⃗ tornando os vetores de magnetização 𝑀
externo ℎ(𝑡), ⃗ e campo aplicado 𝐻:
⃗
⃗ =𝑀
𝑀 ⃗
⃗ 0 + 𝑚(𝑡) (2.2.8)
⃗ =𝐻
𝐻 ⃗
⃗ 0 + ℎ(𝑡) (2.2.9)
onde 𝑀
⃗0 e 𝐻
⃗ 0 são a magnetização e campo aplicado. Substituindo os campos na equação
2.2.7:
𝑑𝑀⃗
= −𝛾𝜇0 [𝑀⃗0 × 𝐻 ⃗ 0 × ⃗ℎ + 𝑚
⃗0 + 𝑀 ⃗ × ⃗ℎ]
⃗0 + 𝑚
⃗ ×𝐻 (2.2.10)
𝑑𝑡
onde considera-se a amostra completamente saturada (𝑀0 ≈ 𝑀𝑠 e constante) e sob ação
⃗ uniforme da forma exp [𝑖𝜔𝑡]. Como 𝐻𝑒𝑓 = 𝐻0 , 𝐻
de um campo perturbativo ℎ(𝑡) ⃗0 e 𝑀 ⃗0
estão paralelos entre si, então o primeiro termo do lado direito da equação desaparece.
Linearizando o processo, ou seja, fazendo com que a perturbação seja de baixa amplitude
e 𝑀0 ≈ 𝑀𝑠 , o último termo se torna desprezível em uma aproximação de primeira ordem.
Fazendo ⃗ℎ⊥𝐻⃗ 0 , a equação 2.2.10 se torna:
⃗ = 𝑧^ × [−𝜔𝑚⃗ℎ + 𝜔0 𝑚]
−𝑖𝜔 𝑚 ⃗ (2.2.11)
8
ver seção 3.1.2.
9
O campo efetivo será tratado na seção 2.2.3.
com
𝜔𝑚 ≡ +𝛾𝜇0 𝑀0 (2.2.12)
𝜔0 ≡ +𝛾𝜇0 𝐻0 (2.2.13)
Resolvendo para ⃗ℎ, tem-se:

⎡ ⎤ ⎡ ⎤ ⎡ ⎤
ℎ𝑥
⎣ ⎦=
1 ⎣𝜔0 −𝑖𝜔 ⎦ ⎣𝑚𝑥 ⎦
· (2.2.14)
ℎ𝑦 𝜔𝑚 𝑖𝜔 𝜔0 𝑚𝑦
Do outro lado a susceptibilidade magnética 𝜒 é um tensor que relaciona a resposta

da magnetização da amostra em função do campo aplicado. No caso de ferromagnetos,
compreende principalmente a irreversibilidade do processo de magnetização. A suscepti-
bilidade para um sistema ferromagnético é definida como:
⃗ = 𝜒¯𝐻
𝑀 ⃗ (2.2.15)
onde 𝜒¯ é conhecido como tensor de susceptibilidade de Polder:

⎡ ⎤
𝜒 𝑖𝜅
𝜒¯ = ⎣ ⎦ (2.2.16)
−𝑖𝜅 𝜒
o qual pode ser encontrado invertendo a equação 2.2.14:
𝜔0 𝜔𝑚
𝜒= (2.2.17)
𝜔02 − 𝜔 2
𝜔𝜔𝑚
𝜅= 2 (2.2.18)
𝜔0 − 𝜔 2
Na ressonância, ou seja, quando a frequência de precessão do sistema é igual a de
Larmor (𝜔 = 𝜔0 ), ambos 𝜒 e 𝜅 tendem a infinito. Isso acontece porque não há perdas
magnéticas, o que não é observado em um sistema real.
Solução com amortecimento magnético
Reescrevendo a equação de LLG considerando 𝛼 ̸= 0:
⃗
[︃ ]︃
𝑑𝑀 ⃗ 0 × ⃗ℎ + 𝑚 𝛼
⃗ ⃗ × 𝑑𝑚
⃗ 𝑑𝑚
⃗
= −𝛾𝜇0 [𝑀 ⃗0 + 𝑀
⃗0 × 𝐻 ⃗ ×𝐻 ⃗ × ⃗ℎ] +
⃗0 + 𝑚 𝑀 +𝑚
⃗ ×
𝑑𝑡 𝑀𝑠 𝑑𝑡 𝑑𝑡
(2.2.19)
Após o mesmo raciocínio que levou a linearização da equação 2.2.11 (sem amortecimento),
chega-se a:
⃗ = 𝑧^ × [𝜔𝑚⃗ℎ − (𝜔0 + 𝑖𝛼𝜔)𝑚]
−𝑖𝜔 𝑚 ⃗ (2.2.20)
observando que as equações 2.2.11 e 2.2.20 são iguais se substituído 𝜔0 → 𝜔0 + 𝑖𝜔𝛼, as

componentes do tensor susceptibilidade de Polder se tornam:
(𝜔0 + 𝑖𝜔𝛼)𝜔𝑚
𝜒= (2.2.21)
(𝜔0 + 𝑖𝜔𝛼)2 − 𝜔 2
𝜔𝜔𝑚
𝜅= (2.2.22)
(𝜔0 + 𝑖𝜔𝛼)2 − 𝜔 2
Nos experimentos de FMR, utiliza-se um campo perturbativo com componente apenas
numa direção, por exemplo ℎ𝑥 . Assim, considera-se apenas os termos diagonais do tensor
¯ Separando 𝜒 em partes real (𝜒′ ) e imaginária (𝜒′′ ):
𝜒.
𝜔0 [2𝛼2 𝜔 2 + 𝜔02 − (1 + 𝛼2 ) 𝜔 2 ]
𝜒′ = 𝜔𝑚 2 (2.2.23)
4𝛼2 𝜔 2 𝜔02 + [(1 + 𝛼2 ) 𝜔 2 − 𝜔02 ]
𝛼𝜔 [(1 + 𝛼2 ) 𝜔 2 + 𝜔02 ]
𝜒′′ = 𝜔𝑚 2 (2.2.24)
4𝛼2 𝜔 2 𝜔02 + [(1 + 𝛼2 ) 𝜔 2 − 𝜔02 ]
Experimentalmente, é medido indiretamente a permeabilidade magnética 𝜇, que está
relacionada a susceptibilidade por 𝜇
¯ = I + 𝜒10 .
Largura de linha
A parte imaginária de 𝜒 com amortecimento tem a forma de uma distribuição, di-

ferente de tender ao infinito como no caso sem amortecimento. Um conceito comum a
distribuições é a largura de linha a meia altura ou Full Width at Half Maximum (FWHM),
√
em inglês. Na ressonância, 𝜔 = 𝜔0 / 1 + 𝛼2 e o pico da absorção 𝜒′′𝑚𝑎𝑥 é:
2𝛼𝜔03
𝜒′′𝑚𝑎𝑥 = 𝜔𝑚 𝜔4
4𝛼2 (1+𝛼0 2 )
𝜔𝑚 (1 + 𝛼2 )
= (2.2.25)
2𝛼𝜔0
É em seguida necessário encontrar as frequências para que 𝜒′′ = 𝜒′′𝑚𝑎𝑥 /2:
𝛼𝜔 [(1 + 𝛼2 ) 𝜔 2 + 𝜔02 ] 1 + 𝛼2
= (2.2.26)
4𝛼2 𝜔 2 𝜔02 + [(1 + 𝛼2 ) 𝜔 2 − 𝜔02 ]
2
4𝛼𝜔0
A última equação apresenta quatro soluções. No entanto, apenas duas são reais:11
𝛼2 𝜔0 𝜔02 𝛼𝜔0
𝜔1 = + − (2.2.27)
(1 + 𝛼2 ) 2
1+𝛼 2 1 + 𝛼2
𝛼2 𝜔0 𝜔02 𝛼𝜔0
𝜔2 = + + (2.2.28)
(1 + 𝛼 )
2 2
1+𝛼 2 1 + 𝛼2
A largura de linha a meia altura é, portanto:
2𝛼𝜔0
Δ𝜔 = 𝜔2 − 𝜔1 = (2.2.29)
1 + 𝛼2
de onde se pode perceber a relação entre a largura de linha e a constante de amortecimento
𝛼. Como 𝛼 é sempre menor que um e positivo, a largura de linha cresce com ela.
10
I é a matriz identidade.
11
Os termos 𝛼4 foram negligenciados, pois 𝛼 < 1.
Comportamento da susceptibilidade
Para visualizar o comportamento da susceptibilidade, é mais conveniente trabalhar

com 𝜒¯ sem termos cruzados, i.e., diagonalizando o tensor de Polder (autovalores Λ e
autovetores 𝐶):
⃗
⃗ · 𝜒¯ = Λ · 𝐶
𝐶 ⃗ (2.2.30)
Para encontrar os autovalores Λ± :
𝑑𝑒𝑡[𝜒¯ − Λ.𝐼] = 0
(𝜒 − Λ)2 − 𝜅 = 0 (2.2.31)
E então:
Λ± = 𝜒 ± 𝜅
(𝜔0 − 𝑖𝜔𝛼)𝜔𝑚 ± 𝜔𝜔𝑚
=
(𝜔0 − 𝑖𝜔𝛼)2 − 𝜔 2
𝜔𝑚 [𝜔0 − 𝑖𝜔𝛼) ± 𝜔]
=
[(𝜔0 − 𝑖𝜔𝛼) − 𝜔][(𝜔0 − 𝑖𝜔𝛼) + 𝜔]
𝜔𝑚
= (2.2.32)
(𝜔0 ∓ 𝜔) − 𝑖𝜔𝛼
Λ− não apresenta ressonância (𝜔0 + 𝜔 ̸= 0) e portanto, procura-se apenas o autovetor 𝐶⃗+

relacionado ao autovalor Λ+ , o substituindo na equação 2.2.30 tem-se:
⎡ ⎤
1 1
𝐶⃗+ = √ ⎣ ⎦ (2.2.33)
2 𝑖
Aplicando a dependência temporal da forma exp[𝑖𝜔𝑡]:

⎡ ⎤
1 cos(𝜔𝑡) + 𝑖 sen(𝜔𝑡)
𝐶⃗+ = √ ⎣ ⎦ (2.2.34)
2 − sen(𝜔𝑡) + 𝑖 cos(𝜔𝑡)
As partes reais e imaginárias de 𝐶+ são similares, diferenciando-se apenas na fase, e a

segunda será desprezada. Fazendo ⃗ℎ = ℎ0 𝑅𝑒[𝐶⃗+ ]:
⎡ ⎤
ℎ0 cos(𝜔𝑡)
𝐶⃗+ = √ ⎣ ⎦, (2.2.35)
2 − sen(𝜔𝑡)
finalmente pode-se escrever 𝜒¯ em sua forma linear e sem termos cruzados:
⃗ = 𝜒¯ · ⃗ℎ
𝑚 (2.2.36)
= ℎ0 𝜒¯ · 𝐶⃗+
= 𝜒+⃗ℎ
1.0
0.8
0.6
FWHM
αω/ωm χ+
0.4
0.2
χ''+
0.0
- 0.2 χ+
'
- 0.4
- 4 - 2 0 2 4
(ω0 − ω)/ωα
Figura 2.3: Gráfico normalizado e centrado na ressonância das partes real (𝜒′+ ) e imagi-
nária (𝜒′′+ ) da susceptibilidade, em função da frequência. No gráfico está destacado pelas
linhas verticais a largura a meia altura (FWHM) da parte imaginária e sua correlação
com a parte real.
Separando 𝜒+ em partes real e imaginária:
𝜒+ = 𝜒′+ + 𝑖𝜒′′+ (2.2.37)

𝜔𝑚 (𝜔0 − 𝜔)
𝜒′+ = (2.2.38)
(𝜔0 − 𝜔)2 + 𝜔 2 𝛼2
𝜔𝑚 𝛼𝜔
𝜒′′+ = (2.2.39)
(𝜔0 − 𝜔)2 + 𝜔 2 𝛼2
Na figura 2.3 estão demonstradas as partes real e imaginária da susceptibilidade pró-

xima a ressonância normalizadas. A parte imaginária está relacionada com a absorção, e
a real com a dispersão do vetor de onda. É importante ressaltar que nos experimentos
discutidos a seguir, a diagonalização não é válida, uma vez que o vetor ⃗ℎ utilizado não é
autovetor de 𝜒.
¯ No entanto, as expressões obtidas para 𝜒+ são válidas se feita a aproxi-
mação para pequenas larguras de linha ((1 + 𝛼2 )Δ𝜔 2 ≈ 𝜔02 ). De fato, repetindo o processo
para encontrar a largura de linha para 𝜒+ :
𝜔𝑚
𝜒′′+𝑚𝑎𝑥 = (2.2.40)
𝜔0 𝛼
e fazendo Δ𝜔 = 2(𝜔𝑟𝑒𝑠 − 𝜔𝑖 ) 12
, encontramos:
𝜒′′+𝑚𝑎𝑥 𝜔𝑚 𝜔𝑚 𝛼𝜔
= = ⇒
2 2𝜔0 𝛼 Δ𝜔 2
( ) +𝜔 𝛼2 2
2
𝛼
Δ𝜔 = 2 √ 𝜔0 (2.2.41)
1 + 𝛼2
O estudo da largura de linha permite obter a constante de amortecimento magnético
𝛼, e a FMR é a principal ferramenta para essa caracterização. Uma vez obtido essa
constante, é possível relacioná-las a fenômenos magnéticos de conjunto do material, a
fim de construir um modelo para as origens do amortecimento em cada caso. Em geral,
provêm desde inomogeneidades - como defeitos cristalinos e impurezas - a desacoplamento
dos spins.
A análise descrita nesta seção só é válida rigorosamente para sistemas não metálicos e
isotrópicos. No caso de ferromagnetos, o campo efetivo deve ser considerado: por exem-
plo, se a amostra tem um formato diferente de uma esfera, ele já induz uma série de
efeitos que dependem de sua direção (anisotropias) e magnetização de saturação (campo
desmagnetizante). Para considerar esses efeitos, a melhor maneira é obter como primeira
aproximação a frequência de ressonância e a largura de linha com as expressões detalha-
das nesta seção, e posteriormente estudar sua evolução em função de outros parâmetros
(frequências de perturbação, magnitude e direção de campos aplicados).
2.2.3 Fórmula geral para frequência de ressonância - Método de

Smit-Beljers
O campo efetivo 𝐻𝑒𝑓 de uma amostra ferromagnética depende de diversos fenômenos
de grupo no material. Com isso em mente, é necessário obter uma fórmula geral da
ressonância em função da densidade de energia livre magnética F. Assim, basta defini-
la para o sistema a ser utilizado em questão, e encontrar a expressão da frequência de
ressonância.
Como é de interesse uma expressão geral, é mais conveniente passar para coordenadas
esféricas (figura 2.4):
⎡ ⎤ ⎡ ⎤ ⎡ ⎤
sen𝜃 cos𝜑 cos𝜃 cos𝜑 − sen𝜑
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
𝑒^𝜌 = ⎢ sen𝜃 sen𝜑⎥ ; 𝑒^𝜃 = ⎢ cos𝜃 sen𝜑⎥ ; 𝑒^𝜑 = ⎢− cos𝜑⎥ ; (2.2.42)
⎢ ⎥ ⎢ ⎥ ⎢ ⎥
⎣ ⎦ ⎣ ⎦ ⎣ ⎦
cos𝜃 − sen𝜃 0
Fixando as coordenadas de maneira que se movam com o vetor 𝑀

⃗ , com magnitude fixa
12
A meia altura, 𝜔𝑖 pode assumir dois valores, um antes e depois da ressonância. Os dois valores estão
igualmente espaçado em relação a 𝜔0 .
êz
θ
êρ
êφ
M êθ
êy
êx
Figura 2.4: Coordenadas esféricas, móveis com a magnetização 𝑀

⃗
(𝑀 ≈ 𝑀𝑠 ):
⃗ = 𝑀𝑠 𝑒^𝜌
𝑀 (2.2.43)
e então,
𝜃˙ cos𝜃 cos𝜑 − 𝜑˙ sen𝜃 sen𝜑

⎡ ⎤
𝑑𝑀⃗ 𝑑𝑒^𝜌
= 𝑀𝑠 ⎢𝜃 cos𝜃 sen𝜑 − 𝜑˙ sen𝜃 cos𝜑⎥ = 𝑀𝑠 (𝜃˙𝑒^𝜃 + 𝜑˙ sen𝜃𝑒^𝜑 )
⎢˙
⎢ ⎥
= 𝑀𝑠 (2.2.44)
⎥
𝑑𝑡 𝑑𝑡
−𝜃˙ sen𝜃
⎣ ⎦
Neste sistema de coordenadas, 𝐻⃗𝑒𝑓 = 𝐻𝜌 𝑒^𝜌 + 𝐻𝜃 𝑒^𝜃 + 𝐻𝜑 𝑒^𝜑 e os produtos vetoriais se

tornam:
⃗ × 𝐻⃗𝑒𝑓 = 0𝑒^𝜌 − 𝑀𝑠 𝐻𝜑 𝑒^𝜃 + 𝑀𝑠 𝐻𝜃 𝑒^𝜑

𝑀 (2.2.45)
⃗
⃗ × 𝑑𝑀 = 0𝑒^𝜌 − 𝑀𝑠 sen𝜃𝜑˙ 𝑒^𝜃 + 𝑀𝑠 𝜃˙𝑒^𝜑
𝑀 (2.2.46)
𝑑𝑡
Substituindo 2.2.45 e 2.2.46 na equação de LLG, encontra-se as equações de movimento:
(1 + 𝛼2 )𝜃˙ = 𝛾(𝐻𝜑 + 𝛼𝐻𝜃 ) (2.2.47)

(1 + 𝛼2 ) sen𝜃𝜑˙ = −𝛾(𝐻𝜃 + 𝛼𝐻𝜑 ) (2.2.48)
O próximo passo é escrever o campo efetivo em função de F, lembrando que 𝐻⃗𝑒𝑓 =

1
− ∇𝑀⃗ 𝐹 (𝑀⃗ ). Encontrando a posição de equilíbrio da magnetização 𝑀
⃗ (𝜃0 , 𝜑0 ), i.e., o
𝜇0
mínimo de 𝐹 em respeito a 𝜃 e 𝜑:
𝜕𝐹 ⃒⃒ 𝜕𝐹 ⃒⃒
⃒ ⃒
𝐹𝜃 ≡ = 0; 𝐹𝜑 ≡ =0 (2.2.49)
𝜕𝜃 ⃒𝜃=𝜃0 𝜕𝜑 ⃒𝜑=𝜑0
O campo perturbativo induz pequenas oscilações 𝛿𝜃 e 𝛿𝜑 ao redor desse equilíbrio, de

forma que:
𝜃 = 𝜃0 + 𝛿𝜃; 𝛿𝜃 << 𝜃0 (2.2.50)

𝜑 = 𝜑0 + 𝛿𝜑; 𝛿𝜑 << 𝜑0 (2.2.51)
Expandindo em primeira ordem a equação 2.2.49 ao redor da posição de equilíbrio 𝜃0 e

𝜑0 13
:
𝐹𝜃 (𝜃, 𝜑) = 𝛿𝜃𝐹𝜃𝜃 + 𝛿𝜑𝐹𝜃𝜑 (2.2.52)

𝐹𝜑 (𝜃, 𝜑) = 𝛿𝜑𝐹𝜑𝜑 + 𝛿𝜃𝐹𝜃𝜑 (2.2.53)
Onde 𝐹𝜃𝜃 , 𝐹𝜑𝜑 e 𝐹𝜃𝜑 são as derivadas duplas. Finalmente tem-se o campo efetivo 𝐻𝑒𝑓 :
1 ⃗ ) = 1 𝜕𝐹 𝑒^𝜌 + 1 1 𝜕𝐹 + 1 𝑒^𝜃 + 1 𝜕𝐹
𝐻𝑒𝑓 = − ∇𝑀⃗ 𝐹 (𝑀 𝑒^𝜑 (2.2.54)
𝜇0 𝜇0 𝜕𝑀𝑠 𝜇0 𝑀𝑠 𝜕𝜃 𝜇0 𝑀𝑠 sen𝜃 𝜕𝜑
de onde obtêm-se as componentes nas direções 𝑒^𝜃 e 𝑒^𝜑 :
1 1
𝐻𝜃 = 𝐹𝜃 = (𝛿𝜃𝐹𝜃𝜃 + 𝛿𝜑𝐹𝜃𝜑 ) (2.2.55)
𝑀𝑠 𝑀𝑠
1 1
𝐻𝜑 = 𝐹𝜑 = (𝛿𝜑𝐹𝜑𝜑 + 𝛿𝜃𝐹𝜃𝜑 ) (2.2.56)
𝑀𝑠 sen𝜃 𝑀𝑠 sen𝜃
Substituindo 𝐻𝑒𝑓 nas equações de movimento (2.2.47 e 2.2.48):
−𝛾 *−1 𝑀𝑠 sen𝜃0 𝛿 𝜃˙ = [𝐹𝜃𝜑 + 𝛼𝐹𝜃𝜃 sen𝜃0 ]𝛿𝜃 + [𝐹𝜑𝜑 + 𝛼𝐹𝜃𝜑 sen𝜃0 ]𝛿𝜑 (2.2.57)
𝛾 *−1 𝑀𝑠 sen𝜃0 𝛿 𝜑˙ = [𝐹𝜃𝜃 − 𝛼𝐹𝜃𝜑 ( sen𝜃0 )−1 ]𝛿𝜃 + [𝐹𝜃𝜑 − 𝛼𝐹𝜑𝜑 ( sen𝜃0 )−1 ]𝛿𝜑 (2.2.58)
considerando:
𝛾
𝛾* = (2.2.59)
1 + 𝛼2
sen𝜃 = sen(𝜃0 + 𝛿𝜃) ≈ sen𝜃0 (2.2.60)
Colocando as oscilações de maneira que 𝛿𝜃 = 𝛿𝜃′ exp[𝑖𝜔𝑡] e 𝛿𝜑 = 𝛿𝜑′ exp[𝑖𝜔𝑡], suas deriva-
^ = 𝑖𝜔𝛿𝜃′ exp[𝑖𝜔𝑡] e 𝛿𝜑
das se tornam: 𝛿𝜃 ^ = 𝑖𝜔𝛿𝜃′ exp[𝑖𝜔𝑡]. Escrevendo as equações 2.2.57
e 2.2.58 na forma matricial:
⎡ ⎤ ⎡ ⎤
[𝐹𝜃𝜑 + 𝛼𝐹𝜃𝜃 sen𝜃0 ] + 𝑖𝜔𝛾 *−1 𝑀𝑠 sen𝜃0 𝐹𝜑𝜑 + 𝛼𝐹𝜃𝜑 sen𝜃0 𝛿𝜃′
0=⎣ ⎦·⎣ ⎦
𝐹𝜃𝜃 − 𝛼𝐹𝜃𝜑 ( sen𝜃0 )−1 [𝐹𝜃𝜑 − 𝛼𝐹𝜑𝜑 ( sen𝜃0 )−1 ] − 𝑖𝜔𝛾 *−1 𝑀𝑠 sen𝜃0 𝛿𝜑′
(2.2.61)
13
Expansão em série de Taylor de duas dimensões: 𝑓 (𝑥, 𝑦) = 𝑓 (𝑎0 , 𝑏0 ) + (𝑥 − 𝑎)𝑓𝑥 (𝑎, 𝑏) + (𝑦 − 𝑏)𝑓𝑦 (𝑎, 𝑏).
e o sistema tem solução não trivial se o determinante da matriz 2x2 for igual a zero:
[𝐹𝜃𝜑 + 𝛼𝐹𝜃𝜃 sen𝜃0 ][𝐹𝜃𝜑 − 𝛼𝐹𝜑𝜑 ( sen𝜃0 )−1 ] − [𝐹𝜃𝜃 − [𝐹𝜃𝜃 − 𝛼𝐹𝜃𝜑 ( sen𝜃0 )−1 ][𝐹𝜑𝜑 + 𝛼𝐹𝜃𝜑 sen𝜃0 ]+
+ 𝑖𝜔𝛾 *−1 𝑀𝑠 sen𝜃0 [[𝐹𝜃𝜑 − 𝛼𝐹𝜑𝜑 ( sen𝜃0 )−1 ] − [𝐹𝜃𝜑 + 𝛼𝐹𝜃𝜃 sen𝜃0 ]+
+ 𝜔 2 [𝛾 *−1 𝑀𝑠 sen𝜃0 ]2 = 0
= − (1 + 𝛼2 )[𝐹𝜃𝜃 𝐹𝜑𝜑 − 𝐹𝜃𝜑
2
]] − 𝑖𝜔𝛾 *−1 𝑀𝑠 sen2 𝜃0 𝛼[𝐹𝜃𝜃 + 𝐹𝜑𝜑 ( sen𝜃0 )−2 ] + 𝜔 2 [𝛾 *−1 𝑀𝑠 sen𝜃0 ]2 = 0
(2.2.62)
Comparando com a equação secular 𝜔 2 − 𝑖𝜔Δ𝜔 − 𝜔𝑟𝑒𝑠

2
= 0, identifica-se a fórmula geral
para ressonância ferromagnética:
1 2 1/2
𝜔𝑟𝑒𝑠 = 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 [𝐹𝜃𝜃 𝐹𝜑𝜑 − 𝐹𝜃𝜑 ](𝜃=𝜃0 ,𝜑=𝜑0 ) (2.2.63)
𝑀𝑠 sen𝜃0
e a largura de linha:
𝛼𝛾 *
Δ𝜔 = [𝐹𝜃𝜃 + ( sen2 𝜃0 )−1 𝐹𝜑𝜑 ](𝜃=𝜃0 ,𝜑=𝜑0 ) (2.2.64)
𝑀𝑠
A partir destas equações gerais, tanto da ressonância quanto da largura de linha, é
possível encontrar a expressão adequada para lidar com qualquer sistema magnético. Para
tanto, é preciso definir a densidade de energia livre em questão, o que será feito na seção
a seguir.
2.2.4 Energia livre magnética

Em um ferromagneto, o campo efetivo sentido na amostra depende de vários fenômenos
de grupo, sendo o gradiente da densidade de energia livre total. Ele depende do estado
da amostra, de suas anisotropias, suas propriedades elétricas e estruturais. Para tanto,
deve-se identificar as contribuições de energia de cada fenômeno, e assim, de posse do
campo efetivo, modela-se o sistema a ser estudado. As principais contribuições são:
𝐹 = 𝐹𝑍𝑒𝑒𝑚𝑎𝑛 + 𝐹𝑑 + 𝐹𝑐𝑟𝑖𝑠 + 𝐹𝑚−𝑠 + 𝐹𝑡𝑟𝑜𝑐𝑎 + 𝐹𝑃 𝐷 (2.2.65)
onde:
• 𝐹𝑍𝑒𝑒𝑚𝑎𝑛 é a energia dipolar, proveniente do torque entre o dipolo da magnetização

e o campo magnético aplicado;
• 𝐹𝑑 é a energia do campo desmagnetizante, induzindo uma anisotropia que depende

do formato da amostra;
• 𝐹𝑐𝑟𝑖𝑠 é a energia da anisotropia magnética induzida pela ordem cristalina;
• 𝐹𝑚−𝑠 é a energia da anisotropia proveniente das tensões internas do material, ou

magnetostrição;
• 𝐹𝑡𝑟𝑜𝑐𝑎 é a energia proveniente da inomogeneidade espacial da magnetização;
• 𝐹𝑃 𝐷 é a energia da descompensação entre os spins vizinhos dentro das paredes de

domínios.
Formalmente, as energias aqui descritas como 𝐹𝑍𝑒𝑒𝑚𝑎𝑛 e 𝐹𝑑 provém do mesmo fenômeno,

a interação da indução magnética 𝐵 com 𝐻. Igualmente, 𝐹𝑡𝑟𝑜𝑐𝑎 e 𝐹𝑃 𝐷 são consequências
da energia de troca entre os spins vizinhos. Apesar disso, separar as contribuições é
mais conveniente do ponto de vista didático e de análise do sistema a ser estudados. No
experimento da FMR, a amostra está (teoricamente) completamente saturada, implicando
em 𝐹𝑃 𝐷 ≈ 0. A perturbação ℎ⃗0 é uniforme, resultando em 𝐹𝑡𝑟𝑜𝑐𝑎 ≈ 0. 𝐹𝑍𝑒𝑒𝑚𝑎𝑛 é isotrópica,
e então resta descrever os termos de anisotropia.
Campo desmagnetizante - anisotropia de forma
Em um material ferromagnético, a magnetização é intensa o suficiente para gerar

um campo interno (campo desmagnetizante), que é a resultante da soma das interações
dipolares entre os seus momentos magnéticos. Para magnetizar o espécime, o campo
magnético externo compete com o campo desmagnetizante, uma vez que estão em direções
opostas. A variação da intensidade do campo desmagnetizante em relação a geometria é
a causa da anisotropia de forma.
Rigorosamente, o campo desmagnetizante e a energia dipolar provêm do mesmo fenô-
meno, i.e., o torque do campo magnético 𝐻
⃗ com a indução magnética 𝐵⃗ = 𝜇0 (𝐻
⃗ +𝑀⃗ ).
O campo desmagnetizante 𝐻
⃗ 𝑑 é o campo entre os extremos do material, na orientação da
magnetização, com a amostra saturada. O formato do material é a principal variável em
questão, que pode resultar em planos ou eixos nos quais existem concentrações diferentes
de dipolos e consequentemente variando a intensidade de 𝐻 ⃗ 𝑑 (figura 2.5). Por exemplo,
numa esfera, todos os seus eixos geométricos são iguais, e 𝐻
⃗ 𝑑 tem a mesma intensidade
em todas as direções. Num cilindro, 𝐻⃗ 𝑑 é menos intenso se tiver magnetizado ao longo
do eixo longitudinal, em comparação as outras direções. Já num filme, 𝐻⃗ 𝑑 é menos in-
tenso longitudinal ao seu plano. Quando 𝐻⃗ 𝑑 tiver sua menor intensidade, é mais fácil
magnetizar nessa direção, e é chamado de eixo/plano fácil.
O potencial magnetostático 𝜑𝑀 (⃗𝑟) no ponto ⃗𝑟 de uma amostra ferromagnética é dada
por (ver figura 2.6):
𝜇0 ∫︁ 𝑀⃗ (𝑟⃗′ ) 𝜇0 ∮︁ 𝑀⃗ (𝑟⃗′ )
𝜑𝑀 (⃗𝑟) = − ∇′ · 𝑑𝑉 ′
+ ^
𝑛 · 𝑑𝑆 ′ (2.2.66)
4𝜋 𝑉 |𝑟 − 𝑟′ | 4𝜋 𝑆 |𝑟 − 𝑟′ |
Se a amostra está completamente saturada e for um elipsóide, 𝑀 ⃗ é uniforme em todos os

pontos dentro do material e ∇ · 𝑀
⃗ (𝑟⃗′ ) = 0, sobrando somente a contribuição dos polos na
M
M
Hd
Hd
Figura 2.5: Seção transversal de um elipsoide de revolução magnetizado tanto na direção
do seu eixo maior quanto menor. Se magnetizado no seu eixo mais longo (a esquerda),
apresenta menos dipolos nas extremidades que se magnetizado no eixo menor (a direita).
dV'
dS' r-r'
P
r'
r
O
Figura 2.6: Esquema dos vetores e elementos infinitesimais 𝑑𝑉 ′ e 𝑑𝑆 ′ encontrados na eq.
2.2.66. 𝑂 refere-se a origem, e 𝑃 ao ponto no espaço de teste do potencial.
superfície (normal a superfície 𝑛

^ ):
𝜇0 ⃗ ∮︁ 𝑀⃗ (𝑟⃗′ )
𝜑𝑀 (⃗𝑟) = 𝑀· 𝑛 ^ 𝑑𝑆 ′ (2.2.67)
4𝜋 𝑆 |𝑟 − 𝑟 ′ |
assim, o campo desmagnetizante pode ser definido como 𝐻
⃗ 𝑑 = −∇𝜑𝑀 e depende unica-
mente do formato da amostra:
𝐻 ¯𝑀
⃗ 𝑑 = −𝑁 ⃗ (2.2.68)
¯ é o tensor para elipsoides de rotação (com 𝑁𝑎 + 𝑁𝑏 + 𝑁𝑐 = 114 ):
onde 𝑁
⎡ ⎤
𝑁𝑎 0 0
⎢ ⎥
𝑁 =⎢
⎢ 0 𝑁𝑏 0⎥ (2.2.69)
⎥
⎣ ⎦
0 0 𝑁𝑐
Por exemplo, numa esfera, 𝑁𝑎 = 𝑁𝑏 = 𝑁𝑐 = 1/3.
Como as amostras a serem trabalhadas são filmes finos, e considerando que a razão
entre a espessura e o plano do filme se aproxima de zero, considera-se a aproximação
para um elipsoide oblato (como um disco, mas sem bordas). Em coordenadas esféricas, a
densidade de energia livre magnética 𝐹𝑑 se torna (com a normal do filme perpendicular
ao eixo azimutal):
𝜇0 ⃗ ⃗
𝐹𝑑 = − 𝑀 · 𝐻𝑑
2
𝜇0 ⃗ ⃗ ⃗
= 𝑀 ·𝑁 ·𝑀
2 ⎡ ⎤⎡ ⎤
0 0 0 sen𝜃 cos𝜑
𝜇0 2 [︁ ]︁ ⎢ ⎥⎢ ⎥
= 𝑀 sen𝜃 cos𝜑 sen𝜃 sen𝜑 cos𝜃 ⎢
⎢
0 0 0⎥
⎥⎢
⎢ sen𝜃 sen𝜑⎥
⎥
2 𝑠 ⎣ ⎦⎣ ⎦
0 0 1 cos𝜃
𝜇0 2
=𝑀 cos2 𝜃 (2.2.70)
2 𝑠
O mínimo de 𝐹𝑑 se encontra em 𝜃 = 𝜋/2, ou seja, quando a magnetização se encontra
no plano do filme. Portanto, ao magnetizar a amostra longitudinalmente não há oposição
do campo desmagnetizante. A situação oposta se dá quando 𝜃 = 0, em que o campo
desmagnetizante é máximo, com a magnetização perpendicular ao plano do filme. Como
os quatro quadrantes cartesianos são simétricos, ao trabalhar apenas com o primeiro,
existe somente um máximo (eixo fácil) e um mínimo (eixo difícil). Por isso, dizemos que
em relação a normal a amostra apresenta anisotropia de forma uniaxial. Usualmente,
escreve-se a 𝐹𝑑 como:
𝐹𝑑𝑒𝑠𝑚𝑎𝑔 = 𝐾𝑓 cos2 𝜃 (2.2.71)
onde 𝐾𝑓 = 𝜇0 𝑀𝑠2 /2 é a constante de anisotropia de forma [5].

14
𝑎, 𝑏 e 𝑐 são as direções do elipsoide.
Anisotropia cristalina
Em uma rede cristalina, identifica-se três tipos diferentes de acoplamento: spin-spin,

órbita-rede e spin-órbita. O acoplamento spin-spin é devido a interação de troca entre
spins vizinhos, e é isotrópico, uma vez que depende apenas da diferença de orientação
entre eles. Portanto, não contribui para a anisotropia.
O campo elétrico total produzido por cada átomo interage com os seus vizinhos e
se distorce. Este efeito é chamado de campo cristalino, concordando com a simetria da
rede. Considerando uma rede cúbica, os campos elétricos de cada átomo se alongam na
direção dos três eixos principais, por causa dos sítios em cada vértice. Isso faz com que as
órbitas dos spins fiquem fortemente acopladas a rede (acoplamento órbita-rede). Se um
campo magnético é aplicado, os spins estão livres para se orientarem na direção do campo
magnético, mas os momentos magnéticos de suas órbitas estão presos a rede. Portanto,
o momento angular orbital deixa de contribuir para a magnetização, e esse fenômeno
é conhecido como quench do momento angular. No entanto, os spins na realidade não
estão inteiramente livres para se alinhar com o campo magnético externo, já que estão
também acoplados com suas órbitas (acoplamento spin-órbita). Consequentemente, para
reorientar um spin com a aplicação de um campo magnético, ele deve ser forte o bastante
para superar o acoplamento spin-órbita do sítio, o qual depende da simetria da rede.
Apesar de não restar muitas dúvidas sobre o papel principal do acoplamento spin-
órbita na anisotropia cristalina, não é possível calculá-la por primeiros princípios, muito
menos encontrar uma relação entre a densidade de spins e os eixos fáceis e difíceis de
magnetização. Por exemplo: no ferro, com estrutura bcc (cúbico com corpo centrado), o
eixo difícil é a direção de maior densidade atômica [111]; já no níquel fcc (cúbico com face
centrada), a direção de maior densidade atômica é a [110], que não é o eixo mais difícil de
magnetização. Assim, a anisotropia cristalina é tratada de maneira fenomenológica, como
uma expansão de séries dos cossenos diretores, i.e., os cossenos (𝛼1 , 𝛼2 , 𝛼3 ) dos ângulos
entre a magnetização e os eixos do cristal:
𝐹𝑐𝑟𝑖𝑠 = 𝐾0 + 𝐾1 (𝛼12 𝛼22 + 𝛼22 𝛼32 + 𝛼32 𝛼12 ) + 𝐾2 (𝛼12 𝛼22 𝛼32 ) (2.2.72)
onde 𝐾0 , 𝐾1 e 𝐾2 são as constantes de anisotropia.

Um sistema com simetria hcp, ou pacote fechado hexagonal, apresenta eixos igual-
mente difíceis no plano do hexágono e um eixo fácil (c) perpendicular (figura 2.7). Nesse
caso, considera-se apenas um eixo fácil de anisotropia, ou seja, uma anisotropia uniaxial:
𝐹𝑐𝑟𝑖𝑠 = 𝐾0 + 𝐾1 sen2 𝜃 + 𝐾2 sen4 𝜃 (2.2.73)
onde a expressão dos cossenos diretores foi convertida, para a série de senos. Se 𝐾1 > 0,
Figura 2.7: Curvas de magnetização de um monocristal de Co hcp. Eixo difícil e fácil se

encontram nas direções [1010] e [0001] respectivamente [5].
o eixo c é perpendicular; e se 𝐾1 < 0 é paralelo ao plano [5]. A constante de anisotropia

uniaxial cristalina de primeira ordem (𝐾1 ) será utilizada no resto deste texto como 𝐾𝑢 .
2.2.5 Ressonância ferromagnética de um filme com anisotropia

uniaxial
Para descrever o comportamento da FMR em um filme com anisotropia uniaxial, em
relação ao plano do filme e com simetria em 𝜑 - ver figura 2.8 - aplica-se a fórmula geral da
FMR (equação 2.2.63) com os termos de densidade de energia magnética para anisotropia
uniaxial. Deve-se então levar em consideração os efeitos das anisotropias de forma (𝐾𝑓 )
e cristalina uniaxial (𝐾𝑢 ). A densidade de energia livre então toma a forma:
𝐹 = −𝜇0 𝑀 ⃗ 0 + 1 𝜇0 𝑀𝑠2 cos2 𝜃 + 𝐾𝑢 sen2 𝜃

⃗ ·𝐻 (2.2.74)
2
onde faz-se cos2 𝜃 = 1 − sen2 𝜃 e consequentemente, é possível escrever as energias de
anisotropia uniaxial em função de uma única constante 𝐾𝑒𝑓 :
𝐹 = −𝜇0 𝑀 ⃗ + 𝐾𝑒𝑓 sen2 𝜃

⃗ ·𝐻 (2.2.75)
onde:
1
𝐾𝑒𝑓 = 𝐾𝑢 − 𝜇0 𝑀𝑠2 + 𝐾𝑠 (2.2.76)
2
No entanto, deve se tomar com o fato que não necessariamente 𝑀⃗ é paralelo a 𝐻
⃗ 0 . Para
tanto, o filme é posicionado no plano 𝑥^𝑦^ com 𝐻
⃗ 0 variando em orientação perpendicular
θ
M
θH
H y
Figura 2.8: Coordenadas esféricas para filmes finos. Dois ângulos azimutais: 𝜃 e 𝜃𝐻 ,
relativos a orientação da magnetização e campo aplicado respectivamente.
a superfície. Assim, 𝜃 é o ângulo que 𝑀

⃗ faz com o eixo 𝑧^, e respectivamente 𝜃𝐻 com 𝐻
⃗
(figura 2.8). A energia do torque criado pelo campo externo (𝐹𝑍𝑒𝑒𝑚𝑎𝑛 ) se torna:
𝐹𝑍𝑒𝑒𝑚𝑎𝑛 = −𝜇0 𝑀
⃗ ·𝐻
⃗0
= −𝜇0 𝑀𝑠 [ sen𝜃 cos𝜑^

𝑥 + sen𝜃 sen𝜑^
𝑦 + cos𝜃^
𝑧 ] · 𝐻0 [ sen𝜃𝐻 𝑥^ + 0^
𝑦 + cos𝜃𝐻 𝑧^]
= −𝜇0 𝐻0 𝑀𝑠 [ sen𝜃𝐻 sen𝜃 cos𝜑 + 𝑐𝑜𝑠𝜃𝐻 cos𝜃] (2.2.77)
e a densidade de energia livre total:
𝐹 = −𝜇0 𝐻0 𝑀𝑠 [ sen𝜃𝐻 sen𝜃 cos𝜑 + 𝑐𝑜𝑠𝜃𝐻 cos𝜃] + 𝐾𝑒𝑓 sen2 𝜃 (2.2.78)
De posse de 𝐹 , basta aplicar o método de Smit-Beljers descrito na seção 2.2.3 e

encontrar a fórmula geral da ressonância ferromagnética. Começando pelas condições de
equilíbrio:
𝜕𝐹 ⃒⃒
⃒
= 𝜇0 𝐻0 𝑀𝑠 [ sen𝜃𝐻 sen𝜃 sen𝜑0 ] = 0 ⇒ 𝜑0 = 0 (2.2.79)
𝜕𝜑 ⃒𝜑=𝜑0
𝜕𝐹 ⃒⃒
⃒
= −𝜇0 𝐻0 𝑀𝑠 [ sen𝜃𝐻 cos𝜃0 cos𝜑0 − cos𝜃𝐻 sen𝜃0 ] + 2𝐾𝑒𝑓 sen𝜃0 cos𝜃0 = 0 (2.2.80)
𝜕𝜃 ⃒𝜃=𝜃0
2𝐾𝑒𝑓
⇒ 𝜇0 𝐻0 [ sen𝜃𝐻 cos𝜃0 cos𝜑0 − cos𝜃𝐻 sen𝜃0 ] = sen𝜃0 cos𝜃0
𝑀𝑠
⇒ 𝐻0 sen(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) = 𝐻𝐴 sen𝜃0 cos𝜃0 (2.2.81)
onde é definido o campo de anisotropia 𝐻𝐴 :

2𝐾𝑒𝑓
𝜇0 𝐻𝐴 ≡ [𝑇 ] (2.2.82)
𝑀𝑠
A razão 𝐻0 /𝐻𝐴 determina o ponto de saturação da magnetização da amostra, já que,

juntamente com a energia Zeeman (isotrópica) é o único fator de energia (anisotrópico)
que é levado em consideração. Como nesse modelo simplificado não há formação de
domínios, a inversão da magnetização se dá apenas pela rotação de um grande e único
domínio. Com isso em mente, as diversas soluções da equação 2.2.81 devem ser avaliadas
cuidadosamente, afim de terem seu sentido físico adequado.
Para aplicar na condição de ressonância e largura de linha, precisamos das segundas
derivadas:
𝜕 2 𝐹 ⃒⃒
⃒ ⃒
= [ sen𝜃 sen𝜃 cos𝜑]
⃒
𝜇 0 𝐻0 𝑀𝑠 𝐻
⃒
𝜕𝜑2 𝜑=𝜑0 ;𝜃=𝜃0
⃒ ⃒
𝜑=𝜑0 ;𝜃=𝜃0
= 𝜇0 𝐻0 𝑀𝑠 [ sen𝜃𝐻 sen𝜃0 ] (2.2.83)
𝜕 2 𝐹 ⃒⃒
⃒ ⃒
= −𝜇0 𝐻0 𝑀𝑠 [− sen𝜃𝐻 sen𝜃0 cos𝜑 − cos𝜃𝐻 cos𝜃0 ] + 2𝐾𝑒𝑓 cos2𝜃0 ⃒⃒
⃒
2
𝜕𝜃 𝜑=𝜑0 ;𝜃=𝜃0
⃒
𝜑=𝜑0
= 𝜇0 𝐻0 𝑀𝑠 cos(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) + 2𝐾𝑒𝑓 cos2𝜃0

= 𝑀𝑠 [𝜇0 𝐻0 cos(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) + 𝜇0 𝐻𝐴 cos2𝜃0 ] (2.2.84)
𝜕 2 𝐹 ⃒⃒ 𝜕𝐹 ⃒⃒
⃒ ⃒ ⃒
= 𝜇0 𝐻0 𝑀𝑠 [ sen𝜃𝐻 sen𝜃 sen𝜑]⃒⃒ =0 (2.2.85)
⃒
𝜕𝜃𝜕𝜑 𝜑=𝜑0 ;𝜃=𝜃0
⃒
𝜕𝜃 𝜃=𝜃0
⃒
𝜑=𝜑0
agora substituindo na equação15 2.2.63:

√︁
𝜔𝑟𝑒𝑠 = 𝛾 * (1+𝛼2 )1/2 [𝜇0 𝐻0 cos(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) + 𝜇0 𝐻𝐴 cos2𝜃0 ] × [𝜇0 𝐻0 cos(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) + 𝜇0 𝐻𝐴 cos2 𝜃0 ]
(2.2.86)
e a largura de linha:
𝛼𝛾 *
Δ𝜔 = [𝑀𝑠 [𝜇0 𝐻0 cos(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) + 𝜇0 𝐻𝐴 cos2𝜃0 ] + 𝑀𝑠 [𝜇0 𝐻0 cos(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) + 𝜇0 𝐻𝐴 cos2 𝜃0 ]]
𝑀𝑠
= 𝛼𝛾 * [2𝜇0 𝐻0 cos(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) + 𝜇0 𝐻𝐴 cos2𝜃0 + 𝜇0 𝐻𝐴 cos2 𝜃0 ]
= 𝛼𝛾 * [2𝜇0 𝐻0 cos(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) + 𝜇0 𝐻𝐴 (3 cos2 𝜃0 − 1)] (2.2.87)
onde 𝜃0 é dado pela equação 2.2.81.

O primeiro experimento de FMR, foi realizado por D. Griffiths em uma cavidade res-
sonante, numa montagem típica de ESR. O campo perturbativo dentro da cavidade é
formado por uma onda estacionária, que depende do seu formato geométrico. Consequen-
temente, a frequência é fixa, e o experimento permite varrer a intensidade de 𝐻0 e sua
15 𝐹𝜑𝜑 cos𝜃0
Aqui tem um artificio matemático. O termo 𝐹𝜑𝜑 é somado por 𝐹𝜃 = 0: 𝐹𝜑𝜑 = + 𝐹𝜃 =
sen2 𝜃0 sen𝜃0
𝐻0 sen𝜃𝐻 sen𝜃0 cos𝜃0
𝑀𝑠 + [−𝐻0 𝑀0 [ sen𝜃𝐻 cos𝜃0 − cos𝜃𝐻 sen𝜃0 ] + 2𝐾𝑒𝑓 sen𝜃0 cos𝜃0 ] = 𝑀𝑠 [𝐻0 cos(𝜃𝐻 −
sen2 𝜃0 sen𝜃0
𝜃0 ) + 𝐻𝐴 cos2 𝜃0 ].
Campo de ressonância, μ0Hres (T)

80
0.8
60
θ0 (0)
40
0.6 20
0
0 20 40 60 80
0.4 θH (0)
z
θ
y
0.2
x
0 20 40 60 80
0
Ângulo de campo aplicado, θH ( )
Figura 2.9: Solução numérica do campo de ressonância em função da orientação de campo

aplicado. No gráfico menor tem-se o ângulo de equilíbrio da magnetização em função da
orientação de campo aplicado. 𝛾 = 29, 7 GHz/T e 𝜇0 𝐻𝐴 = −0, 5652 T
direção. Para tanto, precisamos inverter a equação 2.2.86:

1
[︂
𝐻𝑟𝑒𝑠 = − sec(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) 2𝐻𝐴 + 6𝜇0 𝐻𝐴 cos2𝜃0 +
8 √︃
𝜔2
]︂
+ sec(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) 2 cos2 (𝜃0 − 𝜃𝐻 )(3𝜇20 𝐻𝐴2 + 32 + 𝜇20 𝐻𝐴2 ( cos4𝜃0 − 4 cos2𝜃0 )
𝛾
(2.2.88)
e resolvê-la juntamente com a condição de equilíbrio (equação 2.2.81):
𝐻𝑟𝑒𝑠 sen(𝜃𝐻 − 𝜃0 ) = 𝐻𝐴 sen𝜃0 cos𝜃0 (2.2.89)
Nota-se que a condição de equilíbrio é uma função implícita, tornando-se impossível

substituí-la diretamente nas equações de ressonância e largura de linha obtidas. Ajustar
os mínimos quadrados neste cenário é particularmente difícil, uma vez que as constantes
de interesse aparecem nas últimas três equações. Na figura 2.9 está ilustrada uma solução
numérica adequada, para 𝛾 = 29, 7 GHz/T e 𝜇0 𝐻𝐴 = −0, 5652 T. Vale ressaltar o com-
portamento de 𝜃0 × 𝜃𝐻 , onde os dois ângulos apenas são iguais nos limites de 00 e 900 .
Estes valores foram encontrados para os filmes de 40 nm de Ni (mais detalhes na seção
5.1.1).
Para encontrar os parâmetros de fator giromagnético (𝛾) e anisotropia uniaxial (através
de 𝐻𝐴 ), será utilizado experimentos nos quais a orientação de 𝐻 ⃗ 0 é fixa IP (𝜃𝐻 = 900 )
ou OOP (𝜃𝐻 = 00 ). Para cada valor de 𝐻0 (intensidade), é varrida a frequência da onda

perturbativa em GHz. Consequentemente, é necessário simplificar a expressão 2.2.86 para
estes casos particulares.
Campo magnético aplicado paralelo ao plano (IP)
O campo no plano significa que 𝜃𝐻 = 900 , e a condição de equilíbrio (equação 2.2.81)

se torna:
𝐻0 sen(900 − 𝜃0 ) = 𝐻𝐴 sen𝜃0 cos𝜃0

𝐻0 cos𝜃0 = 𝐻𝐴 sen𝜃0 cos𝜃0
𝐻0
sen𝜃0 = 𝑝/ |𝐻𝐴 |> 𝐻0
|𝐻𝐴 |
𝜃0 = 900 𝑝/ |𝐻𝐴 |< 𝐻0 (2.2.90)
O módulo do campo de anisotropia |𝐻𝐴 | é o campo mínimo necessário a saturar a amostra.

Como 𝜃0 é a orientação de equilíbrio da magnetização, deve estar sempre próximo de 𝜃𝐻 .
O fato de se utilizar o módulo de 𝐻𝐴 para as condições - que comprime as duas condições
de anisotropia (plano fácil IP:𝐾𝑒𝑓 < 0 ⇒ 𝐻𝐴 < 0 ou OOP: 𝐾𝑒𝑓 > 0 ⇒ 𝐻𝐴 > 0) -
se deve ao comportamento da função arcseno. Se 𝐻𝐴 é negativo, arcseno também o é,
e consequentemente, 𝜃0 = −900 . Como sempre, neste trabalho, os experimentos foram
realizados no ramo superior da histerese, podemos assumir que nessas condições o angulo
de equilíbrio máximo é sempre 900 .
A ressonância (equação 2.2.86) para anisotropia fora do plano da amostra (𝐾𝑒𝑓 > 0
⇒ 𝐻𝐴 > 0) fica:
√︁
𝜔𝑟𝑒𝑠 = 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝐻0 cos(900 − 𝜃0 ) + 𝐻𝐴 cos2𝜃0 ] × [𝐻0 cos(900 − 𝜃0 ) + 𝐻𝐴 cos2 𝜃0 ]
√︁
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝐻0 sen𝜃0 + 𝜇0 𝐻𝐴 (1 − 2 sen2 𝜃0 )] × [𝐻0 sen𝜃0 + 𝜇0 𝐻𝐴 (1 − sen2 𝜃0 )]
⎯
𝐻2 𝐻2
⎸
𝐻0 𝐻0
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 ⎷[𝐻 + 𝐻𝐴 (1 − 2 02 )] × [𝐻0 + 𝐻𝐴 (1 − 02 )]
⎸
0
𝐻𝐴 𝐻𝐴 𝐻𝐴 𝐻𝐴
√︃
𝐻02 𝐻2 𝐻2 𝐻2
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [ + 𝐻𝐴 − 2 0 ] × [ 0 + 𝐻𝐴 − 0 ]
𝐻𝐴 𝐻𝐴 𝐻𝐴 𝐻𝐴
√︃
𝐻02
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝐻𝐴 − 𝜇0 )] × [𝐻𝐴 ]
𝐻𝐴
√︁
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 𝐻𝐴2 − 𝐻02 𝑠𝑒 |𝐻𝐴 |> 𝐻0 (2.2.91)
e
√︁
𝜔𝑟𝑒𝑠 = 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝜇0 𝐻0 cos(900 − 𝜃0 ) + 𝜇0 𝐻𝐴 cos2 𝜃0 ] × [𝜇0 𝐻0 cos(900 − 𝜃0 ) + 𝜇0 𝐻𝐴 cos2𝜃0 ]
√︁
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 𝐻0 × [𝐻0 + 𝐻𝐴 (2 cos2 𝜃0 − 1)]
√︁
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 𝐻0 × [𝐻0 − 𝐻𝐴 ] 𝑠𝑒 |𝐻𝐴 |< 𝐻0 (2.2.92)
Finalmente para anisotropia no plano da amostra (𝐾𝑒𝑓 <0 → 𝐻𝐴 < 0, 𝜃0 = 900 ):
√︁
𝜔𝑟𝑒𝑠 = 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 𝐻0 × [𝐻0 + 𝐻𝐴 ] 𝑠𝑒 𝐻𝐴 < 𝐻0 (2.2.93)
Campo magnético aplicado fora do plano (OOP)
Nesse caso, 𝜃𝐻 = 00 e a condição de equilíbrio se torna:
𝐻0 sen(00 − 𝜃0 ) = 𝐻𝐴 sen𝜃0 cos𝜃0

−𝐻0 sen𝜃0 = 𝐻𝐴 sen𝜃0 cos𝜃0
𝐻0
cos𝜃0 = 𝑝/ |𝐻𝐴 |< 𝐻0
|𝐻𝐴 |
𝜃0 = 00 𝑝/ |𝐻𝐴 |> 𝐻0 𝑒 𝐻𝐴 > 0 (2.2.94)
A ressonância (equação 2.2.86) para anisotropia fora do plano da amostra (𝐾𝑒𝑓 > 0
→ 𝐻𝐴 > 0, 𝜃0 = 00 ) se torna:
√︁
𝜔𝑟𝑒𝑠 = 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝐻0 cos(00 − 𝜃0 ) + 𝐻𝐴 cos2𝜃0 ] × [𝐻0 cos(00 − 𝜃0 ) + 𝐻𝐴 cos2 𝜃0 ]
√︁
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝐻0 + 𝐻𝐴 ] × [𝐻0 + 𝐻𝐴 ]
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝐻0 + 𝐻𝐴 ]
E para anisotropia no plano da amostra (𝐾𝑒𝑓 < 0 → 𝐻𝐴 < 0)

√︁
𝜔𝑟𝑒𝑠 = 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝐻0 cos(00 − 𝜃0 ) − 𝐻𝐴 cos2𝜃0 ] × [𝐻0 cos(00 − 𝜃0 ) − 𝐻𝐴 cos2 𝜃0 ]
⎯
𝐻02 𝐻02
⎸
𝐻0 𝐻0
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 ⎷[𝐻 (1 2 )] [𝐻 ]
⎸
0 − 𝐻𝐴 − × 0 − 𝐻𝐴
𝐻𝐴 𝐻𝐴2 𝐻𝐴 𝐻𝐴2
=0 𝑠𝑒 |𝐻𝐴 |> 𝐻0 (2.2.95)
√︁
𝜔𝑟𝑒𝑠 = 𝛾 (1 + 𝛼 )
* 2 1/2
𝜇0 [𝐻0 cos(00 − 𝜃0 ) − 𝐻𝐴 cos2𝜃0 ] × [𝐻0 cos(00 − 𝜃0 ) − 𝐻𝐴 cos2 𝜃0 ]
√︁
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝐻0 − 𝐻𝐴 ] × [𝐻0 − 𝐻𝐴 ]
= 𝛾 * (1 + 𝛼2 )1/2 𝜇0 [𝐻0 − 𝐻𝐴 ] 𝑠𝑒 |𝐻𝐴 |< 𝐻0 (2.2.96)
Na figura 2.10 estão plotadas as quatro situações anteriores, normalizadas por 𝐻𝐴 .

Nota-se um deslocamento das curvas, e as peculiaridades das condições de equilíbrio, i.e.,
quando 𝑀 ⃗𝑠 e 𝐻
⃗ estão paralelos (𝐻0 > 𝐻𝐴 ), ou não (𝐻0 < 𝐻𝐴 ). A curva 1, a única
que apresenta solução particular no caso em que 𝑀 ⃗𝑠 e 𝐻⃗ não estão paralelos, e pode
apresentar dois picos de ressonância na mesma frequência. Em 1955 Weiss e Anderson os
observaram em hexoferritas de bário (BaFe12 O19 ). No entanto, necessita de um alto valor
de anisotropia positiva, nesse caso, 𝜇0 𝐻𝐴 = 1, 8 T [12].
3.0
2.5
4
2.0
2
ωres/γ*HA
1.5
1 3
1.0
0.5
0.0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
H0/HA
Figura 2.10: Comportamento da frequência de ressonância normalizada (𝐻𝐴 ) nos casos

particulares de campo aplicado perpendicular ou paralelo ao plano do filme. Curvas 1 e
2 com campo aplicado IP; 3 e 4 com OOP; 𝐾𝑒𝑓 < 0 e 𝐾𝑒𝑓 > 0 respectivamente.
As recentes expressões encontradas para orientação de campo aplicado fixo serão uti-
lizadas para o ajuste de mínimos quadrados a fim de caracterizar as anisotropias do
conjunto de amostras no capítulo 5.
No próximo capítulo, será feita a conexão entre os experimentos de FMR que foram
realizados para esta dissertação e as expressões encontradas para um filme com anisotropia
uniaxial.
40
Capítulo 3
Métodos experimentais
Neste capítulo serão abordados os métodos experimentais de FMR utilizados na dis-

sertação. As técnicas experimentais dependem do equipamento de medida da absorção
da onda perturbativa. Serão discutidas duas delas, a medida da tensão (potência média)
rms1 através de um lock-in, e a matriz de espalhamento 𝑆 com um VNA2 . Em ambos
os casos, é necessário relacionar essas grandezas com a susceptibilidade magnética (seção
2.2.2) a fim de encontrar as ressonâncias e suas respectivas larguras de linha.
Para o experimento com o lock-in, pode-se aproveitar um experimento de ressonân-
cia paramagnética (EPR), desde uma montagem instrumental própria a uma comercial
(como EPR-Bruker) para materiais ferromagnéticos. A medida da absorção é basicamente
a mesma que na ESR, diferindo apenas na intensidade do sinal. Neste caso, o sinal de
tensão rms observado é diretamente proporcional a derivada da parte imaginária da sus-
ceptibilidade - podendo ser aproximado para uma distribuição lorentziana - desde que a
largura de linha seja da ordem de centenas de MHz. A onda perturbativa é introduzida
através de uma cavidade ressonante, e a reflexão da cavidade é comparada com um braço
de referência. Quando as condições de ressonância são cumpridas, a cavidade perde bas-
tante a capacidade de armazenar energia, e sua diferença é medida em forma de amplitude
da tensão da onda perturbativa. Como a frequência de ressonância da cavidade depende
da sua geometria, as varreduras são feitas em função da intensidade e direção do campo
aplicado.
Com um VNA, a montagem experimental é bem simples, bastando ligar os cabos nas
extremidades de um guia de onda coplanar (coplanar waveguide, CPW, em inglês), e o
introduzir sob um campo magnético aplicado. O equipamento insere uma onda eletro-
magnética entre as duas portas, e compara o sinal transmitido e refletido em cada uma
delas com o gerado internamente. Essa medida é complexa, sumarizada nos elementos
da matriz de espalhamento 𝑆, de onde se obtém tanto informações da absorção, quanto
da dispersão da onda perturbativa nas proximidades da ressonância. No entanto, rela-
cionar os elementos da matriz 𝑆 e a susceptibilidade não é direto como no experimento
1
Root Mean Square, em inglês.
2
Vector Network Analyser, ou analisador de rede vetorial em português.
CAPÍTULO 3. MÉTODOS EXPERIMENTAIS 41
de reflexão em cavidade. Uma série de aproximações devem ser feitas, e a calibração do

CPW pode ser bastante problemática. Além do mais, a sensibilidade é consideravelmente
menor que no experimento em cavidade, e depende drasticamente da qualidade do CPW,
da calibração e posição dos cabos. Sua maior vantagem quanto ao experimento com cavi-
dade é a possibilidade de se realizar tanto a varredura de frequência, quanto a de campo
aplicado. Assim, obtêm-se um perfil completo da ressonância, e depois, se necessário,
pode-se estudá-la com maior sensibilidade na cavidade.
Este capítulo está dividido em duas partes, a primeira relativa aos experimentos de
reflexão em cavidade, e a segunda relativa a transmissão com o VNA . Em ambos, o
objetivo é conectar os conceitos físicos básicos do experimento com a teoria da FMR,
principalmente com o comportamento da susceptibilidade/permeabilidade magnética.
3.1 Experimento de FMR em cavidade (reflexão)

3.1.1 Blocos de operação
Para facilitar a descrição do experimento, ele será dividido em blocos de operação:
• O bloco de campo aplicado, composto pelo magnetômetro e pequenas bobinas para

gerar a modulação de campo aplicado para o lock-in;
• O bloco do campo perturbativo, em que a onda eletromagnética é introduzida na

cavidade ressonante e depois comparada com um braço de referência3 ;
• O bloco de leitura, composto por um diodo Schottky e a leitura de tensão sobre ele
pelo lock-in.
Finalmente todo o processo é automatizado por computador, através da porta GPIB (ver
figura 3.1).
Em seguida, será detalhado o processo de leitura do sinal perturbativo, partindo da
conexão entre as equações de Maxwell e a potência absorvida, e como a medida de ten-
são relacionada é realizada. Ao final será apresentada a montagem experimental, e um
exemplo completo de medida e análise de resultados de FMR para um filme de Ni.
3.1.2 Potência absorvida e a susceptibilidade magnética

O primeiro passo é encontrar a contribuição da variação da potência da onda per-
turbativa devido a susceptibilidade. Das equações de Maxwell em um material tem-se
3
Mais detalhes na seção 3.1.3.
Campo Aplicado
GPIB
Computador
Campo perturbativo
Leitura
Figura 3.1: Esquemático dos blocos de operação do experimento de ressonância em ca-

vidade. O experimento como um todo é automatizado por GPIB. A atenção maior será
dada ao bloco de leitura.
[15]:
⃗
∇×𝐸⃗ = − 𝜕𝐵 (3.1.1)
𝜕𝑡
⃗
⃗ = 𝜕 𝐷 + 𝐽⃗
∇×𝐻 (3.1.2)
𝜕𝑡
onde 𝐵⃗ é a indução magnética, 𝐷

⃗ o deslocamento elétrico, 𝐽⃗ a densidade de corrente e 𝐸
⃗
é o campo elétrico. Fazendo 𝐵
⃗ e𝐷 ⃗ proporcional a exp[𝑖𝜔𝑡]:
⃗ = −𝑖𝜔 𝐵
∇×𝐸 ⃗ (3.1.3)
⃗ = 𝑖𝜔 𝐷
∇×𝐻 ⃗ + 𝐽⃗ (3.1.4)
Agora, multiplicando escalarmente a equação 3.1.3 por 𝐻

⃗ * e o conjugado da equação 3.1.4
por 𝐸,
⃗ e posteriormente subtraindo os dois resultados tem-se:
⃗ ·∇×𝐻
𝐸 ⃗ −𝐻 ⃗ = 𝑖𝜔 𝐸
⃗*·∇×𝐸 ⃗* +𝐸
⃗ ·𝐷 ⃗ · 𝐽⃗* + 𝑖𝜔 𝐻
⃗*·𝐵
⃗ (3.1.5)
Integrando no volume da amostra 𝑉 am ambos os lados da equação:

∫︁ ∫︁
(𝐸
⃗ ·∇×𝐻
⃗ −𝐻
⃗ * · ∇ × 𝐸)𝑑𝑉
⃗ = (𝑖𝜔 𝐸 ⃗* +𝐸
⃗ ·𝐷 ⃗ · 𝐽⃗* + 𝑖𝜔 𝐻
⃗ * · 𝐵)𝑑𝑉
⃗ (3.1.6)
𝑉 𝑉
têm-se do lado esquerdo da equação o teorema da divergência4 e, então, multiplicando

por 1/2 dos dois lados, encontra-se a aplicação do teorema de Poyinting para o caso em
questão:
1 ∮︁ ⃗ ⃗ = 1 (𝑖𝜔 𝐸
∫︁
− (𝐸 × 𝐻
⃗ * )𝑑𝑆 ⃗* +𝐸
⃗ ·𝐷 ⃗ · 𝐽⃗* + 𝑖𝜔 𝐻
⃗ * · 𝐵)𝑑𝑉
⃗ (3.1.7)
2 𝑠 2 𝑉
4 ⃗·∇×𝐵
⃗ −𝐵
⃗ · ∇ × 𝐴)𝑑𝑉
⃗ ⃗ × 𝐴)
⃗ · 𝑑𝑆.
⃗
∫︀ ∮︀
𝑉
(𝐴 = 𝑆
(𝐵
onde 𝑑𝑆
⃗ é normal a superfície da amostra. A potência absorvida pelo fenômeno da
ressonância ferromagnética age diretamente na susceptibilidade magnética, então, se é de
interesse conhecer a contribuição desse fenômeno para a absorção de potência, deve-se
apenas considerar o termo 𝑖𝜔 𝐻
⃗*·𝐵 ⃗ do lado direito da equação. Assim sendo, a potência
absorvida 𝑃𝑎𝑏𝑠 pela ressonância é a parte real da integral no volume do termo magnético:
1 ∫︁
[︂ ]︂
𝑃𝑎𝑏𝑠 = 𝑅𝑒 𝑖𝜔 𝐵 ⃗ ·𝐻 ⃗ * 𝑑𝑉
2 𝑉
1
[︂ ∫︁ ]︂
= 𝑅𝑒 ⃗
𝑖𝜔 𝐻 𝜇 *
¯ · 𝐻𝑑𝑉
⃗
2 𝑉
1
[︂ ∫︁ ]︂
= 𝑅𝑒 𝑖𝜔 𝐻 · (𝐼 + 𝜒)
⃗ *
¯ 𝐻 · 𝑑𝑉
⃗
2 𝑉
1
[︂ ∫︁ ]︂
′′ ⃗ 2
= 𝑅𝑒 𝑖𝜔(1 + 𝜒 + 𝑖𝜒 )|ℎ| 𝑑𝑉
′
2 𝑉
1 ∫︁
=− 𝜔𝜒′′ |⃗ℎ|2 𝑑𝑉 (3.1.8)
2 𝑉
onde foi utilizada a relação entre a permeabilidade magnética 𝜇 e a susceptibilidade mag-
nética 𝜒: 𝜇 = 1 + 𝜒, juntamente com as equações 2.2.37 e 2.2.39. Como nesta dissertação
sempre é considerada a aproximação de macrospin, i.e., a magnetização como um grande
vetor uniforme dentro do volume da amostra, tem-se [15]:
1
𝑃𝑎𝑏𝑠 = − 𝜔𝜒′′ |⃗ℎ|2 𝑉 (3.1.9)
2
A equação 3.1.9 mostra que há uma relação diretamente proporcional entre a potência
absorvida e a parte imaginária da susceptibilidade magnética. Lembrando que a potência
de um sistema também é diretamente proporcional a diferença de potencial, basta encon-
trar uma maneira de medir o módulo da tensão complexa na amostra, desde antes até
após as condições de ressonância.
A potência total incidida no sistema 𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 é: :
𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑃𝑟𝑒𝑓 𝑙𝑒𝑡𝑖𝑑𝑎 + 𝑃𝑎𝑏𝑠𝑜𝑟𝑣𝑖𝑑𝑎 + 𝑃𝑝𝑒𝑟𝑑𝑎𝑠 + 𝑃𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 (3.1.10)
onde 𝑃𝑟𝑒𝑓 𝑙𝑒𝑡𝑖𝑑𝑎 é a potência refletida pela cavidade, 𝑃𝑎𝑏𝑠𝑜𝑟𝑣𝑖𝑑𝑎 é a potência absorvida pela
variação da permeabilidade magnética (ressonância), 𝑃𝑝𝑒𝑟𝑑𝑎𝑠 são as perdas residuais do
circuito, e 𝑃𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 a potência sobre o diodo. A tensão medida no diodo então é proporcional
a:
𝑃𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜 = 𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 − 𝑃𝑟𝑒𝑓 𝑙𝑒𝑡𝑖𝑑𝑎 − 𝑃𝑎𝑏𝑠𝑜𝑟𝑣𝑖𝑑𝑎 − 𝑃𝑝𝑒𝑟𝑑𝑎𝑠 (3.1.11)
𝑃𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 e 𝑃𝑝𝑒𝑟𝑑𝑎𝑠 são parâmetros fixos do experimento, enquanto a informação da ressonância

está contida nas restantes.
Esta equação é apenas uma conservação de energia. Todas as potências são suas médias
temporais (rms), e podemos obtê-las pois o sinal foi retificado pelo diodo Schottky5 (ver
5
Diodo com velocidade de resposta apropriada para frequências da ordem de GHz.
Vac
Vdiodo t
Absorção
Vrms
t
Figura 3.2: Tensão alternada 𝑉𝑎𝑐 de resposta do experimento em função do tempo. Após
passar pelo diodo, o sinal é retificado, e a tensão rms 𝑉𝑟𝑚𝑠 é proporcional a absorção.
figura 3.2). Como a retificação é de meia onda, e a medida de 𝑉𝑟𝑚𝑠 é menor do que seria
se a retificação fosse completa. No entanto, isso reflete num fator de proporcionalidade, e
não é de interesse o valor numérico da amplitude do sinal6 , e sim utilizar a sua variação
a fim de encontrar a ressonância e a largura de linha. As informações possíveis de se
encontrar com a amplitude é o fator giromagnético 𝛾 e a magnetização de saturação 𝑀𝑠 .
Ambos podem ser encontrados com maior confiabilidade com os ajustes da fórmula geral
de ressonância (equação 2.2.86).
O próximo passo é medir a tensão 𝑉𝑟𝑚𝑠 , a qual é feita através de um lock-in.
3.1.3 Leitura do módulo de tensão

Como mencionado na seção anterior, é de interesse a média do módulo da tensão al-
ternada, mais especificamente a média temporal do quadrado dos valores instantâneos
durante um ciclo, ou a rms. Para isso, o equipamento mais apropriado é o lock-in. Di-
ferentemente de um filtro, o que ele faz é tirar vantagem da ortogonalidade das funções
seno, travando a medida a uma determinada frequência. Dessa maneira, define-se uma
frequência de referência e mede-se apenas o módulo da tensão relativo a essa frequência,
excluindo harmônicos indesejados, resultando em uma medida de extrema sensibilidade.
A teoria de funcionamento será descrita a seguir.
Considere um sinal de tensão 𝑉 , e expandindo em uma série de senos, com amplitudes
𝑉𝑛 e frequências 𝜔𝑛 , relativas a seus 𝑛 harmônicos e perturbações externas:
𝑉 = 𝑉0 sen(𝜔0 𝑡) + 𝑉1 sen(𝜔1 𝑡) + ... + 𝑉𝑛 sen(𝜔𝑛 𝑡) (3.1.12)

6
A amplitude do sinal apresenta informações sobre o campo efetivo, mas devido as outras perdas do
circuito, a melhor maneira de obtê-las é acompanhando a evolução da ressonância em função da orientação
de campo aplicado, para experimentos em cavidade.
onde só é considerada a contribuição linear. Agora, multiplica-se os dois lados da equação

anterior por 𝑉𝑟𝑒𝑓 = 𝑉0𝑟𝑒𝑓 sen(𝜔𝑟𝑒𝑓 𝑡 + 𝜑𝑟𝑒𝑓 ) (onde 𝜑𝑟𝑒𝑓 é uma fase) e integra-se no tempo,
de maneira que o tempo de integração seja múltiplo inteiro do período da referência 𝑇 :
∫︁
𝑉𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜 = 𝑉0𝑟𝑒𝑓 sen(𝜔𝑟𝑒𝑓 + 𝜑𝑟𝑒𝑓 )𝑉0 sen(𝜔0 𝑡) + 𝑉0𝑟𝑒𝑓 sen(𝜔𝑟𝑒𝑓 + 𝜑𝑟𝑒𝑓 )𝑉1 sen(𝜔1 𝑡) + ...
𝑇 +𝑡
... + 𝑉0𝑟𝑒𝑓 sen(𝜔𝑟𝑒𝑓 + 𝜑𝑟𝑒𝑓 )𝑉𝑛 sen(𝜔𝑛 𝑡)𝑑𝑡 (3.1.13)
Duas funções seno, quando integradas no seu período, se anulam caso não tenham a mesma
frequência. Por isso, diz-se que duas funções seno são ortogonais se suas frequências
são diferentes. Essa propriedade é conhecida como ortogonalidade das funções seno. A
equação 3.1.13 se torna (fazendo a diferença de fase 𝜑𝑟𝑒𝑓 = 0):
𝑉𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜 = 𝑉0𝑟𝑒𝑓 𝑉0 (3.1.14)
que é a amplitude do sinal alternado em questão, multiplicado pela a amplitude da refe-

rência.
O funcionamento do lock-in é exatamente o processo recém descrito. Escolhe-se uma
frequência de referência, o equipamento gera um sinal alternado com essa frequência e
amplitude da ordem de amplificação necessária. Multiplica então o sinal medido pelo
sinal gerado e sobra apenas a amplitude do sinal total. No entanto, muitas vezes o sinal
de referência e o que estamos interessados diferem por uma pequena fase, por causa da
eletrônica do experimento, ou seja, cabos e conexões. Por isso é interessante ajustar a
fase do sinal. Finalmente, os parâmetros a serem ajustados são: a amplificação (𝑉0𝑟𝑒𝑓 ), a
fase (𝜑𝑟𝑒𝑓 ) e o tempo de integração.
Sendo a potência rms proporcional a 𝑉𝑟𝑚𝑠 , podemos acompanhar seu comportamento
através da medida do lock-in. Para isso, colocamos um diodo Schottky em série no
sistema, e a corrente fixa, medimos a média do módulo de tensão sobre ele. É importante
ressaltar que uma modulação de campo aplicado é necessária, e é realizada com duas
bobinas auxiliares menores próximas a cavidade, gerando campos da ordem de 0, 1 mT.
A frequência desta modulação também deve ser distante da de operação da cavidade, ou
seja, da ordem de centenas de Hz ou kHz.
A sensibilidade experimental fica limitada pelo fator de qualidade do dispositivo uti-
lizado para introduzir a onda perturbativa. A cavidade ressonante apresenta um maior
fator de qualidade, principalmente por ser construída para trabalhar a uma frequência
fixa específica.
3.1.4 Cavidade ressonante e a onda perturbativa estacionária

A cavidade ressonante basicamente é um guia de onda com um curto circuito no
final. Pode ser cilíndrica ou retangular, com suas paredes condutoras. O espaço vazio
dentro da cavidade funciona como dielétrico, e como as paredes são condutoras, apresenta
uma capacitância. Como elas estão em curto, também são espiras - um indutor - e
portanto temos um circuito 𝑅𝐿𝐶 em paralelo. Consequentemente, há uma frequência de
ressonância 𝜔0 neste sistema. Dessa maneira, ambas as energias magnéticas e elétricas são
armazenadas dentro da cavidade, e são dissipadas por perdas do circuito, principalmente
por uma amostra no interior da cavidade. A relação entre essa energia armazenada e
dissipada, mais precisamente a razão entre elas multiplicadas pela frequência 𝜔 da onda
eletromagnética introduzida, é definida como fator de qualidade da cavidade 𝑄[16]:
𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑎 𝑎𝑟𝑚𝑎𝑧𝑒𝑛𝑎𝑑𝑎
𝑄=𝜔 (3.1.15)
𝑒𝑛𝑒𝑟𝑔𝑖𝑎 𝑑𝑖𝑠𝑠𝑖𝑝𝑎𝑑𝑎
𝑄 é máximo quando 𝜔 = 𝜔0 , e 𝜔0 é a frequência necessária para se formar ondas
estacionarias dentro da cavidade, que podem ser transversas magnéticas (modo TM) ou
elétricas (modo TE). A geometria e dimensões da cavidade determinam a frequência de
operação, ou seja, a frequência 𝜔0 para formar as ondas estacionárias.
Ao introduzir uma amostra na cavidade, mudam-se os parâmetros do circuito 𝑅𝐿𝐶,
alterando 𝜔0 e consequentemente, 𝑄. Se este sinal for comparado com uma referência
em que 𝜔0 se mantém com o valor inicial, podemos medir a potência absorvida pela
amostra. Para a ressonância ferromagnética, é necessário posicionar a amostra de forma
que o campo magnético seja uniforme e máximo dentro do volume da amostra. Ao mesmo
tempo, a potência deve ser baixa o suficiente para manter o regime linear da perturbação
[16].
3.1.5 Montagem experimental

Na figura 3.3, tem-se o esquema da montagem do experimento. O gerador de microon-
das introduz a onda eletromagnética, que passa por um circulador, com uma parte indo
para o braço de referencia e a outra à cavidade. A reflexão da cavidade é comparada
com o braço de referencia, e logo em seguida passa pelo diodo (detetor). No diodo o
sinal é retificado, e a tensão sobre ele é captada pelo lock-in. Para a referência do lock-in,
modula-se um pequeno campo magnético na direção do campo aplicado, com frequência
na ordem de centenas de kHz. Assim, a medida de tensão rms é efetuada sobre o diodo,
que por sua vez é proporcional a parte imaginária da susceptibilidade magnética para o
campo magnético aplicado pelas bobinas de Helmholtz.
Ao incrementar o campo aplicado 𝐻, tira-se um ponto de sinal para cada valor de
campo, até passar completamente pela região de ressonância. Assim, a mudança gradual
da frequência de ressonância da cavidade devido a alteração da parte imaginária de 𝜇,
reflete no fator de qualidade 𝑄, que por sua vez interfere no sinal medido sobre o diodo. O
esperado seria uma curva com a forma de 𝜒′′ , no entanto, devido a modulação do campo
Circulador
Cavidade
Gerador de
ressonante
Microondas
Microonda
Braço de reﬂetida
referência
Detetor
Lock-in
GPIB
Computador
Figura 3.3: Esquema de montagem do experimento de ressonância em cavidade.
aplicado, o que é visto é a derivada de 𝜒′′ em função de 𝐻.

O gerador de microondas utilizado foi HP 8620C e o lock-in PAR 5210. A cavidade
foi projetada para banda X (9,22 GHz), e o magnetômetro pode chegar a 2 T de campo
aplicado.
3.1.6 Exemplo de medida

Na figura 3.4 está um exemplo de medida em cavidade, referente ao filme de 40 nm
de Ni. A curva foi ajustada com a derivada da lorentziana (L’, equação 2.2.39), com
amplitude genérica 𝐴 mais uma contribuição linear (𝑎𝑥 + 𝑏) de erros instrumentais:
2𝐴Δ𝐻 2 (𝐻 − 𝐻𝑟𝑒𝑠 )
𝐿′ (𝐻) = − + 𝑎𝐻 + 𝑏 (3.1.16)
(Δ𝐻 2 + (𝐻 − 𝐻𝑟𝑒𝑠 )2 )2
A sua absorção apresenta formato (amplitude dos picos) bastante simétrico. A ampli-
tude da absorção não traz nenhuma informação confiável, pois há outras contribuições da
montagem experimental envolvidas; a parte deste fato, ela é diretamente proporcional a
𝑀𝑠 e o volume de material magnético. O campo foi varrido de 0 a 0, 27 T, a ressonância
𝜇0 𝐻𝑟𝑒𝑠 encontrada em 0, 1289 ± 0, 0001 T e a largura de linha 𝜇0 Δ𝐻 = 0, 01423 ± 0, 00002
T. Esses erros são da confiabilidade do ajuste, não necessariamente os experimentais reais.
Por via de regra foi utilizado 1% para a ressonância e 10% para a largura de linha.
Nos experimentos em cavidade, existe a possibilidade de variar a orientação do campo
aplicado H em respeito a normal do filme. Continuando o exemplo do filme de Ni, estão
sobrepostos os espectros para cada orientação na figura 3.5. Depois de realizar o ajuste
Pontos experimentais
30 Ajuste
R^2 = 0.999
A = -0.647 +/- 0.001
20 a = 0.18 +/- 0.04
b = 0.4 +/- 0.2
ΔH = 0.01423 +/-0.00002
10 Hres = 0.1289 +/-0.0001
Sinal (mV)
−10
−20
−30
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3
Campo aplicado, μ0H (T)
Figura 3.4: Exemplo típico de espectro de varredura de campo (IP, 𝜃𝐻 = 900 ). Filme de
40 nm de Ni.
lorentziano para cada espectro, o comportamento final da ressonância pode ser visto na
figura 3.6, onde foi graficado a solução das equações 2.2.89 e 2.2.88. Foi utilizado 𝛾 = 29, 7
GHz/T e 𝜇0 𝐻𝐴 = −0, 5652 T7 .
Os experimentos de varredura em cavidade tem alta sensibilidade devido ao seu alto
fator de qualidade (𝑄), e a possibilidade de variar a orientação de campo aplicado, ne-
cessário para procurar o eixo fácil a 450 nas bicamadas. No entanto, é limitado a uma
frequência fixa por cavidade, e as condições de ressonância nem sempre podem ser re-
solvidas nesta frequência e faixa de campo aplicado. Para investigar de maneira mais
completa o perfil da ressonância para faixas maiores de campo aplicado e frequência é
realizado experimentos com o analisador de rede vetorial (VNA).
3.2 Experimento de FMR com analisador de rede ve-

torial (varredura de frequência e campo aplicado)
As medidas em cavidade têm a limitação intrínseca da frequência fixa de perturbação.
Para medidas no espectro das frequências, é comum se utilizar um analisador de rede
vetorial (VNA), o qual pode aplicar uma ampla banda de frequências para a onda pertur-
7
Valores obtidos para o filme de 40 nm de Ni dos experimentos de varredura em frequência, ver seção
5.1.1.
40 900
00
20
Sinal (mV)
- 20
- 40
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
Campo aplicado , μ0H (T)
Figura 3.5: Combinação de todos os espectros de varredura de campo, mundando a

orientação de campo aplicado com a normal 𝜃𝐻 .
Campo de ressonância, μ 0H res (T)
0.8 Solução numérica
0.6
0.4
0.2
0 20 40 60 80
Angulo de campo aplicado, θH (⁰)
Figura 3.6: Campos de ressonância 𝜇0 𝐻𝑟𝑒𝑠 em função da orientação de campo aplicado

𝜃𝐻 . A curva analítica é a solução das equações 2.2.89 e 2.2.88, com 𝛾 = 29, 7 GHz/T e
𝜇0 𝐻𝐴 = −0, 5652 T.
bativa. Diferentemente do lock-in, ele mede tanto o módulo, quanto a fase relativa a onda
perturbativa. Essa medida é feita em função dos parâmetros de espalhamento 𝑆. Nas
medidas de ressonância utilizamos um VNA de duas portas, e os parâmetros complexos
𝑆 estão ligados a todas as possibilidades de transmissão e reflexão em ambas as portas.
Os parâmetros 𝑆 medidos estão diretamente ligados com a permeabilidade magnética
𝜇 e a permissividade elétrica 𝜖 [17]. A análise desses parâmetros pode ser feita sobre o sinal
obtido de uma ou duas portas, sendo a última consideravelmente mais complicada. Nessa
dissertação, foi utilizado a análise de uma porta, negligenciando o efeito das reflexões
[18]. Nas próximas seções será discutido a relação entre os parâmetros 𝑆 medidos e a
permeabilidade magnética 𝜇, seguido de um exemplo de medida para o filme fino de 40 n
de Ni.
O experimento de ressonância é realizado conectando as duas portas em um guia
de onda coplanar - CPW, Coplanar Waveguide, em inglês - colocado sob ação de um
campo magnético externo de maneira que os campos aplicados e perturbativos fiquem
perpendiculares entre si. Assim, escolhe-se um campo magnético após a saturação e
nessas condições faz-se uma varredura de frequência. Após repetir o processo para vários
campos, tem-se um mapa da ressonância para todas as condições possíveis dentro das
limitações experimentais de campo aplicado (a menos da orientação do campo aplicado)
e frequência de perturbação.
O ajuste do sinal é feito agora tanto da parte imaginária quanto real de 𝜒, tornando
mais fácil diferenciar as absorções de ressonância de outras indesejadas da montagem
experimental.
3.2.1 Analisador de rede vetorial

O analisador de rede vetorial, ou VNA, é um equipamento que mede os parâmetros
de espalhamento 𝑆 de um sistema. O diagrama de funcionamento simplificado pode ser
visto na figura 3.7. O sinal de microondas é gerado e ajustado para varrer uma faixa de
frequência, a qual incide sobre a amostra através das portas 1 e 2. A partir de um demul-
tiplexador e filtros que separam a direção de propagação da onda, é possível comparar
com a referência e obter sinais analógicos que passam por um conversor analógico/digital.
Um computador central realiza os cálculos necessários e fornece os parâmetros 𝑆. As me-
didas de tensão são feitas de maneira análoga ao lock-in, com um módulo extra que mede
a diferença de fase. Assim, tem-se a parte real e imaginária dos parâmetros, inclusive é
razão pela qual leva vetorial no nome. O uso de um computador próprio torna possível
correções extras de calibração e erros sistemáticos do sistema [16].
Figura 3.7: Blocos de operação do analisador de rede vetorial. [16]
3.2.2 Guia de onda coplanar

O porta amostra que utilizamos é um guia de onda coplanar, que consiste em três faixas
condutoras paralelas depositadas sobre um dielétrico com permissividade 𝜖, separadas
entre si por uma distancia 𝑠. A faixa central, de largura 𝑤, transmite o sinal, enquanto
as laterais servem de aterramento. As ondas transmitidas sofrem interferência de duas
constantes dielétricas, do ar e do substrato. O modo de propagação da onda não é
precisamente TEM, mas pode ser bem aproximado para quase-TEM num regime quase
estático (apresenta componentes longitudinais de campo elétrico e magnético, porém de
baixa amplitude). Devido ao posicionamento dos condutores, o campo magnético fica
achatado e homogêneo próximo a superfície, e perpendicular com a direção de propagação
(ver figura 3.8a). A geometria, i.e, os tamanhos 𝑤 e 𝑠, podem ser escolhidos para o
casamento de impedância desejado. A impedância característica 𝑍𝑐 de um guia de onda
coplanar é dada por [16]: √︃
𝐿 1 𝜇0
√︂
𝑍𝑐 = = 𝑓 (𝑠, 𝑤) (3.2.1)
𝐶 4 𝜖′
onde 𝑓 (𝑠, 𝑤) é uma função que depende da geometria e 𝜖′ ≈ 𝜖0 (𝜖𝑟 + 1)/2, uma vez que
o material dielétrico for muito mais espesso que o condutor (ℎ >> 𝑠 e ℎ >> 𝑤). Por-
tanto, com base nesses parâmetros pode-se planejar o guia de onda coplanar para ter a
impedância de 50 Ω e casar com os conectores e guias de onda8 .
Neste trabalho, foi utilizado o CPW desenvolvido pelo Dr. Sergiy Bunyayev, na Facul-
dade de Ciências da Universidade do Porto (figura 3.8b). Para este CPW temos: 𝑠 = 100
8
Para mais detalhes em como fabricar um guia de onda coplanar, o leitor pode se dirigir a referência
[16].
(a) (b)
Figura 3.8: a) Esquemático de um CPW. ℎ𝑟𝑓 e 𝑒𝑟𝑓 são os campos magnético e elétrico
perturbativos, gerados pela onda eletromagnética que atravessa pelo condutor central
(signal) [18]. b) Foto do CPW utilizado para realizar as medidas nesta dissertação.
Créditos da foto: Dr. Sergiy Bunyayev
𝜇m e 𝑤 = 150 𝜇m.
3.2.3 Parâmetros de espalhamento

Voltagem e corrente são definidos apenas para modos particulares TEM, com a corrente
proporcional ao campo magnético transversal e a tensão ao campo elétrico perpendicular.
Para relacionar a teoria de circuitos equivalentes, é melhor definir a corrente e tensão de
acordo com a transferência de potência no circuito. A razão entre a corrente e a tensão
então deve ser a impedância característica do sistema, e usualmente é escolhida para ser a
mesma que a impedância da linha. Não obstante, em frequências de microondas, tem-se
vários problemas práticos para medir diretamente a magnitude (inferida pela potência) e
fase da onda eletromagnética. Assim, tensão e corrente equivalentes são mais abstrações
matemáticas no espectro de microondas. O ideal é lidar com uma relação entre as ondas
incididas, refletidas e transmitidas no circuito. Essa representação é conhecida como
parâmetros de espalhamento 𝑆, e é definida por [16]:
[𝑉 − ] = [𝑆][𝑉 + ] (3.2.2)
onde 𝑉𝑛+ é a amplitude da onda incidida e 𝑉𝑛− é a amplitude da onda refletida na porta
𝑛. Elemento a elemento de 𝑆:
𝑉𝑖−
𝑆𝑖𝑗 = (3.2.3)
𝑉𝑗+
Por exemplo, no sistema que será tratado adiante de duas portas, 𝑆12 corresponde em
incidir uma onda com amplitude 𝑉2+ através da porta 2 e medir a amplitude transmitida
𝑉1− na porta 1.
l t l
a1 b2
Porta 1
Porta 2
DUT
b1 a2
I II III
Figura 3.9: Esquemático do guia de onda do material. As regiões I e III correspondem
ao espaço de ar sobre o guia de onda coplanar, e a região II da amostra (DUT). 𝑎𝑛 e 𝑏𝑛
são as amplitudes das ondas que incidentes e transmitidas/refletidas respectivamente em
cada porta.
As portas são ligadas através de cabos no dispositivo sobre teste (DUT - Device un-
der test, em inglês). Com duas portas, temos quatro parâmetros, relacionados com as
amplitudes incidentes 𝑎𝑛 e transmitidas/refletidas 𝑏𝑛 9 (ver figura 3.9):
⎡ ⎤ ⎡ ⎤ ⎡ ⎤
𝑏1 𝑆11 𝑆12 𝑎1
⎣ ⎦ =⎣ ⎦·⎣ ⎦ (3.2.4)
𝑏2 𝑆21 𝑆22 𝑎2
Também pode-se escrever a matriz de transmissão 𝑇 do sistema em função das amplitudes

𝑎𝑛 e 𝑏 𝑛 : ⎡ ⎤ ⎡ ⎤ ⎡ ⎤
𝑎1 𝑇11 𝑇12 𝑏2
⎣ ⎦ =⎣ ⎦·⎣ ⎦ (3.2.5)
𝑏1 𝑇21 𝑇22 𝑎2
e após manipulações algébricas, chega-se a:
⎡ ⎤ ⎡ ⎤
𝑇11 𝑇12 1/𝑆12 −𝑆22 /𝑆21
⎣ ⎦ =⎣ ⎦ (3.2.6)
𝑇21 𝑇22 𝑆11 /𝑆21 (𝑆12 𝑆21 − 𝑆11 𝑆22 )/𝑆21
De posse da relação entre a matriz de transmissão 𝑇 e de espalhamento 𝑆, é possível

conectá-los ao vetor de onda 𝑘, e finalmente a permeabilidade magnética 𝜇.
3.2.4 Tratamento de dados

Na figura 3.9, observa-se o esquemático do conjunto do CPW com a amostra sobreposta
ao último. As regiões de transmissão I e III compreendem a porção sem amostra, com
vetor de onda 𝑘0 ; a região II compreende a amostra com vetor de onda 𝑘. Na interface
entre I e II; enquanto II e III, teremos reflexões da onda perturbativa. Para encontrar
𝑇 , multiplica-se a matriz relacionada a cada seção de transmissão e reflexão (onde o
9
Foi trocada a nomeclatura dos parâmetros de amplitudes para deixar mais claro as expressões a
seguir.
coeficiente de reflexão é dado por 𝑅) [17]:

⎡ ⎤⎡ ⎤⎡ ⎤
𝑒𝑖𝑘0 𝑙 0 (1 − 𝑅)−1 𝑅(1 − 𝑅)−1 𝑒𝑖𝑘0 𝑡 0
𝑇 =⎣ ⎦⎣ ⎦⎣ ⎦·
0 𝑒−𝑖𝑘0 𝑙 𝑅(1 − 𝑅)−1 (1 − 𝑅)−1 0 𝑒−𝑖𝑘0 𝑡
⎡ ⎤⎡ ⎤
(1 + 𝑅)−1 −𝑅(1 + 𝑅)−1 𝑒𝑖𝑘0 𝑙 0
·⎣ ⎦⎣ ⎦
−𝑅(1 + 𝑅)−1 (1 + 𝑅)−1 0 𝑒−𝑖𝑘0 𝑙
⎡ ⎤
1 ⎣𝑒𝑖2𝑘0 𝑙 [𝑒𝑖𝑘𝑡 − 𝑅2 𝑒−𝑖𝑘𝑡 ] −𝑖2𝑅 sen𝑘𝑡
= (3.2.7)
1−𝑅
⎦
2
𝑖2𝑅 sen𝑘𝑡 𝑒 [𝑒 − 𝑅 𝑒 ]
−𝑖2𝑘0 𝑙 𝑖𝑘𝑡 2 −𝑖𝑘𝑡
onde 𝑡 e 𝑙 são os comprimentos dos espaços com e sem amostra, respectivamente. Fazendo
𝑆21 ≈ 𝑆12 , devido a pequena espessura dos filmes a serem trabalhados [18] e finalmente
comparando com a equação 3.2.6, encontra-se os parâmetros 𝑆 como:
(1 − 𝑅2 )𝑒−𝑖2𝑘0 𝑙
𝑆12 = 𝑆21 = (3.2.8)
𝑒𝑖𝑘𝑡 − 𝑅2 𝑒−𝑖𝑘𝑡
𝑖2𝑅𝑒−𝑖2𝑘0 𝑙 sen𝑘𝑡
𝑆11 = 𝑆22 = 𝑖𝑘𝑡 (3.2.9)
𝑒 − 𝑅2 𝑒−𝑖𝑘𝑡
isolando 𝑘𝑡 e 𝑅:
𝑒−𝑖4𝑘0 𝑙 + 𝑆12
(︃ )︃
2 2
− 𝑆11
𝑘𝑡 = cos −1
= cos−1 (𝑎𝑟𝑔) (3.2.10)
2𝑒−𝑖2𝑘0 𝑙 𝑆12
𝑆11
𝑅 = −2𝑖𝑘0 𝑙 (3.2.11)
𝑒 − 𝑆12 𝑒−𝑖𝑘𝑡
Separando 𝑘 em partes real e imaginária, temos:
𝑅𝑒[𝑘𝑡] = Θ𝐺 ± 2𝑛𝜋, 𝑛 = 0, 1, 2... (3.2.12)

𝐼𝑚[𝑘𝑡] = ln 𝐺 (3.2.13)
onde:
[︂ √︁ √︁ ]︂
Θ𝐺 = arctan 𝐼𝑚(𝑎𝑟𝑔 − 𝑎𝑟𝑔 2 − 1)/𝑅𝑒(𝑎𝑟𝑔 − 𝑎𝑟𝑔 2 − 1) (3.2.14)
√︂ √︁ √︁
𝐺= 𝑅𝑒[𝑎𝑟𝑔 − 𝑎𝑟𝑔 2 − 1]2 + 𝐼𝑚[𝑎𝑟𝑔 − 𝑎𝑟𝑔 2 − 1]2 (3.2.15)
Os múltiplos valores de Θ𝐺 são um resultado da inversa da função cosseno. Se o

comprimento do material 𝑡 for menor que metade do comprimento de onda dentro do
material, é possível considerar 𝑛 = 0. Isso implica em não apresentarem-se ressonâncias
dimensionais no sistema, ou seja, mantendo a aproximação linear.
√
O vetor de onda perturbativo no ar (CPW) é 𝑘0 = 𝜔 𝜇0 𝜖0 , e na amostra pode ser
√
escrito como 𝑘 = 𝑘0 𝜇𝑟 𝜖𝑟 . A constante de reflexão 𝑅 é também: 𝑅 = (𝑍 − 𝑍0 )/(𝑍 + 𝑍0 ).
A impedância 𝑍 do sistema amostra mais porta amostra pode ser escrita como 𝑍 =
√︃
𝜇𝑟
𝑍0 𝐴 , onde 𝑍0 é a impedância característica do sistema e A é uma constante da
𝜖𝑟
geometria do CPW. Resolvendo para 𝜇𝑟 e 𝜖𝑟 :
𝑘 1−𝑅
𝜖𝑟 = 𝐴 (3.2.16)
𝑘0 1 + 𝑅
𝑘 1+𝑅
𝜇𝑟 = 𝐴 (3.2.17)
𝑘0 1 − 𝑅
Como 𝐴 depende não somente dos parâmetros do CPW, mas também do espaço de ar
entre ele e a amostra, se é limitado a lidar com a diferença de magnitude de 𝜇𝑟 e 𝜖𝑟 .
Além do mais, se forem utilizados dielétricos adequados na confecção do porta amostra,
negligencia-se a parte imaginária e considera-se apenas a parte real constante de 𝜖𝑟 na
faixa de microondas.
Os parágrafos passados consistem em uma tradução livre de [17]. Esse método, apesar
de mostrar uma argumentação matemática bastante sólida, apresenta diversos problemas
experimentais. O primeiro deles é o casamento de impedância do sistema como um todo
- cabos, conectores, CPW - que nunca é perfeito, apresentando respostas não ligadas a
ressonância, podendo ser da mesma ordem de grandeza de 𝜇𝑟 e 𝜖𝑟 . O segundo é a medida
dos comprimentos 𝑡 e 𝑙, que podem propagar erros enormes nas medidas, principalmente
se a amostra não estiver perfeitamente centrada (implica em 𝑆12 ̸= 𝑆21 ).
O problema da calibração pode ser resolvido através de uma simplificação desenvolvida
por [18]. Se baseia em negligenciar o efeito das reflexões, i.e. ignorando as medidas de
𝑆11 e fazendo 𝑅 = 0. Substituindo na equação 3.2.8:
(1 − 𝑅2 )𝑒−𝑖2𝑘0 𝑙
𝑆21 =
𝑒𝑖𝑘𝑡 − 𝑅2 𝑒−𝑖𝑘𝑡
𝑒−𝑖2𝑘0 𝑙
= 𝑖𝑘𝑡
𝑒
=𝑒 −𝑖2𝑘0 𝑙+𝑖𝑘𝑡
𝑙𝑛𝑆21 = −𝑖2𝑘0 𝑙 + 𝑖𝑘𝑡 (3.2.18)
Agora, ao medir a amostra em questão numa condição que será chamada de referên-
cia, por exemplo medir 𝑆21 a campo aplicado alto, e em seguida realizar a medida de
interesse, a campo aplicado baixo. Dessa maneira, as contribuições de outros fenômenos
não relacionados a variação da permeabilidade magnética na ressonância (campo aplicado
𝐻) não se alteram, e são subtraídos pelo espectro de referência. No entanto, como agora
não há variáveis suficientes (𝑆11 ) não é possível mais resolver a diferença entre 𝜇𝑟 e 𝜖𝑟 .
Lembrando que a permissividade 𝜖𝑟 pode ser aproximada a não ter componente imagi-
nária a frequências altas, continua possível identificar unicamente o comportamento da
permeabilidade relativa 𝜇𝑟 .
Finalmente, introduzindo estes conceitos nas equações 3.2.12 a permeabilidade não

calibrada 𝑈 (𝑓 ) fica (em função da frequência 𝑓 da onda perturbativa) [18]:
𝑆21𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜
𝑙𝑛 𝑆21𝑟𝑒𝑓
𝑈 (𝑓 ) = ±𝑖 𝑒𝑟ê𝑛𝑐𝑖𝑎
(3.2.19)
𝑙𝑛𝑆21𝑟𝑒𝑓 𝑒𝑟ê𝑛𝑐𝑖𝑎
onde o divisor é apenas a título de normalização, que será desconsiderado (𝑆21𝑟𝑒𝑓 𝑒𝑟ê𝑛𝑐𝑖𝑎
na prática é muito próximo de zero, resultando em problemas numéricos). Separando em
partes real e imaginária:
𝐼𝑚[𝑆21𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜 ] 𝐼𝑚[𝑆21𝑟𝑒𝑓 𝑒𝑟ê𝑛𝑐𝑖𝑎 ]
𝑅𝑒[𝑈 (𝑓 )] = cot − cot (3.2.20)
𝑅𝑒[𝑆21𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜 ] 𝑅𝑒[𝑆21𝑟𝑒𝑓 𝑒𝑟ê𝑛𝑐𝑖𝑎 ]
𝐴 |𝑆21𝑚𝑒𝑑𝑖𝑑𝑜 |
𝐼𝑚[𝑈 (𝑓 )] = 𝑙𝑛 (3.2.21)
2𝜋𝑓 |𝑆21𝑟𝑒𝑓 𝑒𝑟ê𝑛𝑐𝑖𝑎 |
onde 𝐴 é uma constante de amplitude. O ajuste de 𝑈 (𝑓 ) está ligado a susceptibilidade
magnética 𝜒 como:
𝜇(𝑓 ) = 𝐶[1 + 𝜒0 + 𝜒𝑒𝑖𝜑 ] (3.2.22)
onde 𝐶 e 𝜒0 são constantes; e 𝜑 um parâmetro de fase. 𝜑 permite corrigir diferenças de

fase devido a particularidades do circuito, como conectores e torções do cabo, ou qualquer
fator prático experimental que misture as partes real e imaginária do sistema (em suma,
um ajuste fino ao casamento de impedância). Lembrando que 𝜒 é um número complexo
(ver equação 2.2.21), substitui-se todo o dividendo por uma constante 𝐶1 , uma vez que a
amplitude não é necessariamente confiável, e é de interesse nesse momento a frequência
de ressonância 𝑓𝑟𝑒𝑠 e sua largura de linha Δ𝑓 , a expressão para o ajuste se torna:
𝐶1
𝜒𝑎𝑗 = (3.2.23)
2
𝑓𝑟𝑒𝑠 − 𝑓 2 + 𝑖𝑓 Δ𝑓
Exemplo de medida
Um exemplo de ajuste pode ser visto na figura 3.10. A amostra em questão é um filme
de 40 nm de Ni, com campo aplicado 𝜇0 𝐻 = 0, 806 T perpendicular ao plano da amostra
e potência de 1 mW. Os contatos do CPW são coaxiais, sob impedância casada de 50 Ω.
Os erros de confiabilidade do ajuste (mínimos quadrados não-linear) na maioria dos casos
são menores que os experimentais. Por segurança, vamos seguir como guia o erro mínimo
1% para 𝑓𝑟𝑒𝑠 e 10% para Δ𝑓 (inclusive para os experimentos de cavidade). Após obter
a 𝑓𝑟𝑒𝑠 e Δ𝑓 para um determinado campo aplicado, um novo valor superior é aplicado, e
retiramos sucessivamente os mesmos pontos de interesse para cada valor de intensidade.
Na figura 3.11a estão todos os espectros de frequência 𝑓 obtidos em função de cada
campo aplicado 𝐻. O esquema de cores determina a intensidade da absorção, em unidades
arbitrárias, indo do azul (menor) a vermelho (maior). O processo descrito no parágrafo
anterior é repetido para cada valor de campo aplicado, de onde se obtêm a 𝑓𝑟𝑒𝑠 e Δ𝑓 . A
partir daí, é feito o ajuste de mínimos quadrados com as expressões 2.2.91 e 2.2.95, para
campos aplicados 𝐻 IP (900 ) e OOP (00 ) respectivamente. O resultado do ajuste para o
exemplo em questão (OOP) está na figura 3.11b . Foram encontrados 𝛾 = 29, 75 ± 0, 05
GHz/T e 𝜇0 𝐻𝐴 = 0, 5652 ± 0, 0005 T.
O procedimento que recém descrito foi repetido para todo o conjunto de amostras,
tanto para campos IP quanto OOP. A partir dos valores de 𝐻𝐴 e 𝛾 obtidos, é possível
encontrar a constante de anisotropia uniaxial 𝐾𝑒𝑓 , através da equação 2.2.82. Para tanto,
é necessário conhecer a magnetização de saturação do filme 𝑀𝑠 . No próximo capítulo
será descrito o conjunto de amostras e suas características estruturais, juntamente com
as constantes encontradas.
0
Permeabilidade não-cal., U (U.A.)
Permeabilidade não-cal., U (U.A.)
0.05
−1
0
−2
−0.05
−3
Re[U(f)] Im[U(f)]
Ajuste não-linear Ajuste não-linear
Δf = 3.64e+08 +/- 8e+06 Hz Δf = 3.59e+08 +/- 6e+06 Hz
−0.1 −4
fres = 7.281e+09 +/- 4e+06 Hz fres = 7.282e+09 +/- 4e+06 Hz
6 7 8 9 6 7 8 9
Frequência, f (GHz) Frequência, f (GHz)
(a) Espectro real (b) Espectro imaginário
Figura 3.10: Exemplo de ajuste do espectro de varredura de frequência, em função da

permeabilidade não calibrada 𝑈 (𝑓 ).
14
Freq. de ressonância, fres (GHz)
Ajuste
12
10
0
0.6 0.7 0.8 0.9 1
Campo aplicado, μ0H (T)
(a) (b)
Figura 3.11: Exemplo de medida para filme de 40 nm de Ni, campo OOP. a) Diagrama
com todos os espectros de 𝑓 obtidos para diferentes intensidades de 𝐻. O esquema de cores
é determinado pela intensidade da absorção (u.a). De azul (menor) a vermelho (maior).
b) Exemplo de ajuste das frequências de ressonância 𝑓𝑟𝑒𝑠 em função da intensidade de
campo aplicado 𝐻.
59
Capítulo 4
Revisão bibliográfica
Neste capítulo, será apresentada uma breve revisão bibliográfica sobre as amostras a
serem trabalhadas, e os resultados já publicados sobre elas. O seguinte texto inicia-se
com a descrição da anisotropia magnética uniaxial em filmes finos, as limitações tecno-
lógicas para escrita magnética com anisotropia perpendicular, e a solução proposta com
bicamadas. Finalizando, as constantes de anisotropia e magnetização obtidas bicamadas
de CoCrPt/Ni, com técnicas magnetostáticas [6].
4.1 Anisotropia magnética uniaxial em filmes finos

A densidade de energia de anisotropia uniaxial, em relação a normal do plano (eixo
azimutal em coordenadas esféricas) é definida como:
𝐹𝑎 = 𝐾𝑢 sen2 𝜃, (4.1.1)
onde 𝜃 é o ângulo entre a normal do filme e a direção da magnetização e 𝐾𝑎 é a soma

das constantes de anisotropia uniaxial (forma, cristalina, tensões). O sinal de 𝐾𝑎 define
a orientação do eixo fácil: se positivo é perpendicular e se negativo longitudinal ao plano
do filme.
Especificamente em filmes finos, a constante de anisotropia proveniente do formato é
sempre negativa e orientada paralela ao plano do filme. Consequentemente, para se obter
um filme com anisotropia perpendicular (PMAs), necessita-se que as outras contribuições
(superfície, cristalina e tensões) sejam maiores que a da forma.
A componente perpendicular da anisotropia é um resultado de efeitos na superfície
(𝐾𝑠 > 0) que competem com a anisotropia no volume (𝐾𝑣 < 0). É uma consequência
direta da quebra da simetria na superfície, e foi primeiramente prevista por Néel em 1954
[2]. O tratamento fenomenológico das contribuições de anisotropias (soma de todas as
contribuições uniaxiais, 𝐾𝑒𝑓 ) é convencionalmente feito da seguinte maneira [2]:
𝐾𝑎 = 𝐾𝑒𝑓 = 𝐾𝑣 + 2𝐾𝑠 /𝑡, (4.1.2)
onde 𝑡 é a espessura do material. Nesta dissertação, foram utilizados PMAs de CoCrPt,

fabricados pelo nosso colaborador Dr. David Navas em colaboração com a Profa.Dra.
Caroline Ross, no Massachusetts Institute of Technology.
CAPÍTULO 4. REVISÃO BIBLIOGRÁFICA 60
4.1.1 Filmes de CoCrPt

Filmes com ligas de CoCr, compostos basicamente por grãos de Co em uma matriz
paramagnética de Cr, têm a possibilidade de apresentar anisotropia magnética perpendi-
cular. A coexistência de duas fases hcp1 , ferromagnética do Co e paramagnética do Cr,
são verificadas através de cálculos termodinâmicos do diagrama de fase magnético. Foi
verificado que a adição de Pt aumenta a coercividade - largura da histerese em relação ao
campo aplicado - fator determinante para aumentar a barreira de energia térmica [19] [3].
A liga de Co66 Cr22 Pt12 utilizada neste trabalho apresenta textura hcp, com eixo c
perpendicular ao plano do filme e uma distribuição variando em torno de 70 . O filme foi
depositado sobre um waffer de Si, com uma camada semente de Ti para garantir o eixo
c dos grão de Co perpendicular ao plano do filme [6][20].
As camadas de CoCrPt são compostas de grãos de CoCr e Co em uma matriz amorfa
de CrPt. Os grãos apresentam estrutura hcp, com variação de 70 ao redor do eixo normal.
A magnetização de saturação 𝜇0 𝑀𝑠 encontrada foi de 0, 40 ± 0, 02 T por medidas de
reflectividade de nêutrons [20].
4.2 Bicamadas com anisotropia perpendicular

A grande desvantagem dos PMAs é a alta sensibilidade ao alinhamento do campo
aplicado de escrita e o eixo de anisotropia uniaxial. No melhor cenário, ou seja, com
alinhamento perfeito, a relação 𝜉 entre a barreira de estabilização de energia Δ𝐸 e o
campo de inversão 𝐻𝑠 é dada por: 𝜉 = 2Δ𝐸/(𝐻𝑠 𝑀𝑠 𝑉 ) = 1, onde 𝑉 é o volume do
domínio e 𝑀𝑠 a magnetização de saturação. Utilizando um eixo de anisotropia uniaxial
inclinado, na situação ótima de 450 , 𝜉 pode ser incrementado para 2 [4]. Isto significa que
a densidade de escrita possível para este tipo de material é o dobro, teoricamente.
No entanto, controlar a orientação do eixo de anisotropia uniaxial, principalmente a
textura hcp para grãos de Co, é de extrema dificuldade técnica, principalmente pensando
em fabricá-los industrialmente. Uma das maneiras de tratar esse problema, proposta por
[4], é um sistema composto de dois grãos (ou filmes) sobrepostos, um com anisotropia
uniaxial longitudinal e outro perpendicular. A coercividade de cada região também deve
ser considerada: a porção com anisotropia longitudinal deve ter o menor campo de inversão
(se a histerese for quadrada).
A energia total do sistema composto, sobre um campo aplicado 𝐻 com orientação
perpendicular (𝜃 = 0) pode ser escrita como:
𝐸𝑡 = 𝑉2 𝐾2 sen2 𝜃2 + 𝑉1 𝐾1 sen2 𝜃1 − 𝑉2 𝑀2 𝐻 cos𝜃2 − 𝑉1 𝑀1 𝐻 cos𝜃1 − 𝐽𝑒𝑥 cos(𝜃2 − 𝜃1 ) (4.2.1)

1
Pacote fechado hexagonal.
onde 𝐾𝑥 , 𝑀𝑥 , 𝜃𝑥 , 𝑉𝑥 são respectivamente: as constantes de anisotropia uniaxial, magne-

tização de saturação, orientação de equilíbrio e volume de cada região magnética (1 e 2);
e 𝐽𝑒𝑥 é a constante de troca (relativa a interação de curto alcance entre as camadas ).
Através da análise de soluções numéricas de 𝜉, levando em consideração 𝐸𝑡 , as condições
ótimas para escrita magnética são [4]:
• Acoplamento de troca fraco entre os materiais é preferencial (𝐽𝑒𝑥 );
• 𝑉2 /𝑉1 = 1/2;
• 𝑀2 /𝑀1 = 0, 1 a 0, 3;
• |𝐾2 /𝐾1 |= 10.
4.2.1 Sistema CoCrPt/Ni

Do ponto de vista tecnológico, o filme de CoCrPt é bastante interessante, principal-
mente por já ser utilizado na indústria e ser de fácil fabricação em massa - via deposição
por sputtering. Portanto, precisa-se agora de um material que apresente menor coercivi-
dade e anisotropia uniaxial longitudinal. O Ni é um bom candidato: pode ser crescido
com estrutura policristalina e anisotropia de forma dominante, simples de depositar por
sputtering e extremamente mole (baixa coercividade). Esta foi a combinação utilizada, a
qual faz parte de uma colaboração internacional, com o primeiro trabalho já mencionado
sobre caracterizações magnetostáticas [6].
Detalhes de fabricação
A técnica de deposição por sputtering consiste em bombardear um alvo com íons

eletricamente acelerados, ejetando o material contido no alvo, o qual condensa em um
substrato. Usualmente são utilizados íons de um gás inerte, e aplica-se um gradiente
de campo elétrico para acelerá-los na direção do alvo. Diferentemente da deposição por
evaporação térmica, a estequiometria do alvo se mantém no substrato, e a alta energia
dos íons (por volta de alguns eV) para garantir uma alta taxa de deposição (10 Å.s-1 ) é
suficiente para a maioria dos metais e suas ligas.
É possível construir uma câmara de vácuo com vários alvos, todos fechados por um
anteparo. Abrindo e fechando-os, com a devida ordem, podem ser depositadas multica-
madas. Apesar da alta energia garantir uma grande homogeneidade com poucos defeitos
na superfície do filme em uma escala de 𝜇m, existe a possibilidade de interdifusão entre
as camadas.
Variando a pressão de base (qualidade do vácuo gerado antes de ser introduzido o
gás inerte), a energia de aceleração e o elemento do gás, controla-se a estrutura do filme
[2]. Majoritariamente, esses parâmetros implicam em estresse interno, o qual depende da
energia com que as partículas colidem com o substrato, e consequentemente a constante

de anisotropia magnetoelástica. Quanto mais positivamente for a constante de anisotropia
magnetoelástica, maior a contribuição para que a anisotropia resultante seja perpendicu-
lar.
As amostras a serem estudadas nesta dissertação foram fabricadas no MIT-EUA, pelo
nosso colaborador Dr. David Navas, em conjunto com Profa. Dra. Caroline Ross. A
pressão de base utilizada estava abaixo de 2 × 10−8 mTorr, a pressão de argônio com
99, 999% de pureza com 2 mTorr e energia de rf (campo elétrico) de 300 W. Os filmes
foram depositados sobre um waffer de Si (100), com uma camada de semente de Ti de 5
nm, seguidas de 10 nm de CoCrPt, 0 a 40 nm de Ni e uma camada de proteção de 3 nm
de Ti. As taxas de deposição foram 1, 9 Å.s-1 , 1, 4 Å.s-1 e 0, 8 Å.s-1 , para o CoCrPt, Ni e
Ti respectivamente. As camadas são homogêneas em um raio de 2 × 2 cm e a espessura
prática é esperada para ser menor que a nominal [6].
As amostras foram depositadas por sputtering em um waffer de Si, sob uma camada
semente de 5 nm de Ti. A espessura das camadas (nominais) para o Ni é de 0 a 40 nm,
do CoCrPt 10 ou 20 nm. Um segundo grupo de amostras tem 10 nm de CoCrPt e 20 nm
de Ni, mas com um espaçador de Ti variando de 3 a 10 nm.
Resultados
Em [6], o objetivo era construir um modelo do processo de reversão da magnetização:

e para tal foram medidas curvas de magnetização, curvas de inversão de primeira ordem
(FORC)2 e reflexão polarizada de nêutrons (PNR)3 .
A partir das curvas de histerese, é possível encontrar um valor estimado da constante
de anisotropia efetiva 𝐾𝑒𝑓 . Conforme a espessura de Ni vai aumentando, verificou-se uma
reorientação da direção preferencial, de OOP para IP - mais precisamente com 5 (10) nm
de Ni para 10 (20) nm de CoCrPt. A previsão feita através das médias ponderadas das
𝐾𝑒𝑓 de cada camada e sua espessura, mostram 7,5 nm e 13 nm de espessura nominal de
Ni respectivamente para a inversão do eixo fácil (ver figura 4.1). Das medidas de ciclo
de magnetização podem ser obtidos as coercividades 𝐻𝑐 . Quando o campo é aplicado
na direção fácil, 𝐻𝑐 tipicamente está muito próximo ao de anisotropia4 𝐻𝐴 , que define
a intensidade mínima de campo para a ressonância ferromagnética. Já quando o campo
é aplicado no eixo difícil de anisotropia, a saturação completa pode ser estimada em
até 1 T. Não é possível averiguar com precisão a saturação completa dessas amostras,
devido a alguns fatores: baixa intensidade de sinal magnético, impossibilitando de centrar
devidamente a amostra no detetor e por não ter sido confeccionada uma amostra apenas
2
First-order reversal curves, em inglês.
3
Polarized Neutron Reflectivity, em inglês.
4
Campo aplicado mínimo necessário a alinhar todos os momentos magnéticos da amostra.
Figura 4.1: Anisotropia efetiva média das camadas de Ni e bicamadas de CoCrPt/Ni em

respeito as suas espessuras. Valores positivos indicam orientação fora do plano (OP) e
negativos no plano (IP). A reorientação acontece para 10 (20) nm de CoCrPt e 5 (20) nm
de Ni [6].
com Ti e Si (substrato e camada semente). Para realizar as medidas de 𝑀 × 𝐻 no

VSM5 , é necessário primeiro centrar a amostra no detetor, o qual é composto muitas vezes
por um quadripolo. Consequentemente, se a amostra não for devidamente centrada, a
medida pode apresentar sinais diamagnéticos e paramagnéticos artificiais, que facilmente
são confundidos com as propriedades magnéticas do substrato. De qualquer forma, a FMR
no eixo difícil aparece sempre a campos mais altos. Na figura 4.2, podem ser verificados
os valores de coercividade medidos para cada amostra e condição de campo.
As bicamadas também apresentaram um comportamento de exchange-bias, que con-
siste em um deslocamento do ciclo de histerese, causando assimetrias nos eixos 𝑀 e 𝐻.
A causa deste efeito foi atribuída a orientação magnética da camada dura (CoCrPt), com
domínios magnéticos criando campos locais de interação. O efeito acontece sob condições
experimentais distantes das utilizadas na FMR, não interferindo a priori neste trabalho.
Das medidas de PNR, foi possível averiguar com precisão adequada a magnetização
de saturação 𝑀𝑠 das camadas: 𝜇0 𝑀𝑠 = 0, 606 ± 0, 009 T para o Ni, muito próximo do
valor volumar6 0, 608 T; e 0, 45 ± 0, 02 T para o CoCrPt, semelhante ao valor encontrado
5
Vibrating Sample Magnetometer, em inglês. Instrumento utilizado para se obter curvas de histerese.
Consiste em vibrar o espécime magnético sob um campo aplicado, induzindo tensão elétrica nos detetores
(bobina).
6
Valor encontrado em uma amostra com dimensões maiores, sem efeitos de escala.
Figura 4.2: a) Valores da coercividade em função da espessura de níquel. b) Magnetização

de saturação sobre remanência em função da espessura de níquel. Particularmente útil
como guia para preparar o experimento de FMR, apenas para campos aplicados na direção
de fácil magnetização [6]
.
na literatura de 0, 440 T [6]. O erro maior nos valores encontrados de CoCrPt se deve
principalmente a camadas amorfas entre o CoCrPt e o Ti, relacionado a interdifusão (grãos
de Co-Ti) e desalinhamento da rede cristalina no CoCrPt. As espessuras ferromagnéticas
também foram caracterizadas, sendo 32, 79 ± 0, 06 nm e 18, 04 ± 0, 04 nm para os valores
nominais de 40 nm de Ni e 20 nm de CoCrPt respectivamente. A rugosidade não excedeu
1 nm.
Ainda com os resultados de PNR, uma medida do filme de 20 nm de CoCrPt e 40 nm
de Ni com campo IP de 250 Oe (0,025 T) permitiu uma análise qualitativa e preliminar
da formação dos domínios magnéticos. Neste estado, é esperado a formação de domínios
trapezoidais com o campo e piramidais perpendiculares ao campo. É resultado da com-
petição entre as energias de troca da interface, das anisotropias de cada camada e dos
defeitos estruturais [6].
4.3 Ressonância ferromagnética e bicamadas com ani-

sotropia perpendicular
Com o experimento de ressonância ferromagnética, é possível, a priori, caracterizar as
constantes de anisotropia com maior precisão em relação as medidas de 𝑀 × 𝐻. Carac-
terizando a anisotropia dos filmes de Ni e CoCrPt sozinhos, e em seguida, comparando
com o comportamento quando depositados em formato de bicamada, pode-se determinar
quantitativamente a interação entre as camadas e sua natureza. Com essa informação,
complementa-se a análise de dados da PNR, e finalmente possibilita construir um modelo
adequado sobre a reversão da magnetização (formação de domínios, tipos de rotação e

movimentação de suas paredes).
Além do mais, considerando o interesse tecnológico em particular de escrita magné-
tica, é necessário caracterizar o amortecimento magnético, um limitador da velocidade
máxima de escrita. A FMR, nesse caso, é uma das ferramentas mais apropriadas para
essa caracterização, sendo principalmente utilizada para esse fim desde sua descoberta
[12].
Portanto, a FMR é um passo natural e necessário para complementar a compreensão da
anisotropia magnética do sistema de bicamadas. Recentes publicações utilizaram a técnica
em bicamadas de Fe/FePt, juntamente com simulações micromagnéticas e espalhamento
Brillouin [21]–[23]. Os resultados obtidos foram adequadamente tratados com a teoria
da FMR uniaxial, onde os esforços foram concentrados na caracterização da camada
mole. Apesar de serem sistemas diferentes tanto magneticamente quanto estruturalmente
(espessuras da ordem de alguns nm), apresentam anisotropia perpendicular entre si.
66
Capítulo 5
Resultados Experimentais
Em primeiro lugar, serão apresentados os resultados de varredura em frequência e

campo (VNA), pois foram as únicas que permitiram uma análise quantitativa. Em se-
guida, os valores das constantes obtidas serão utilizados para comparar a teoria da FMR
uniaxial com as ressonâncias retiradas dos experimentos em cavidade (em função da ori-
entação de campo magnético aplicado 𝐻).
5.1 Medidas de FMR com VNA

As medidas de varredura de frequência foram realizadas na Faculdade de Ciências
da Universidade do Porto, com um VNA Anritsu 37247D, capaz de inserir ondas de
frequências de até 20 GHz transmitidas através de um CPW. O campo pode ser aplicado
de 0 a 2 T, tanto IP ou OOP, bastando apenas rotacionar o suporte em 900 . O degrau de
campo aplicado foi ajustado de maneira que sejam obtidos por volta de 40 espectros de
frequência por amostra e orientação de campo.
A análise de dados consiste em três etapas, como descrito no capítulo anterior. A
primeira para obter a resposta da permeabilidade em função da frequência e calibrar a
medida, a segunda para retirar os parâmetros da ressonância (𝑓𝑟𝑒𝑠 e Δ𝑓 para cada campo)
e finalmente a terceira para se obter as constantes físicas (𝐾𝑒𝑓 ). A priori, essas constantes
devem ter o mesmo valor tanto para campos IP quanto OOP. Devido a particularidade das
amostras e/ou medidas, apenas os experimentos realizados com campo OOP apresentaram
o comportamento esperado da teoria de FMR com anisotropia uniaxial. A respeito desse
fato consideraremos quantitativamente apenas nessa condição de campo aplicado (OOP),
que será descrito a seguir.
Primeiro, serão apresentados os gráficos da frequência de ressonância em função do
campo magnético aplicado 𝑓𝑟𝑒𝑠 ×𝐻, com exceção das amostras que não apresentaram sinal,
onde será mostrado o perfil de densidade 𝐻 × 𝑓 × 𝑈 (𝑓 ) quando necessário. Cada ponto é
resultado da obtenção da 𝑓𝑟𝑒𝑠 a partir do processo apresentado na seção 3.2.4 do capítulo
anterior. Ao final desta seção os resultados dos ajustes serão expostos e comparados em
função das espessuras de Ni.
CAPÍTULO 5. RESULTADOS EXPERIMENTAIS 67
5.1.1 Filmes de Ni
Campo OOP
Iniciaremos com as camadas de Ni sozinhas, por esperarmos que o seu comportamento

de anisotropia seja uniaxial. Para todas as espessuras, apenas uma absorção de ressonân-
cia foi encontrada. Na figura 5.1, temos as curvas da frequência de ressonância dos filmes
finos das espessuras estudadas de Ni (de 40nm em a) a 5 nm em d)), em camada única.
Cada ponto é o resultado do ajuste não-linear de um espectro de frequência em relação ao
campo aplicado (ver seção 3.2.4), neste caso perpendicular ao plano do filme. A camada
com 5 nm de espessura apresenta sinal muito próximo ao ruído de fundo do experimento,
e para algumas intensidades de campos aplicados não é possível encontrar a absorção da
ressonância (implicando em menos pontos). Outro detalhe importante é a possibilidade de
aparecer ressonâncias antes da saturação magnética completa da amostra. Esses pontos
não foram considerados nos ajustes. Para todas as espessuras o comportamento é linear
como esperado da teoria da FMR uniaxial (seção 2.2.5).
Com respeito aos ajustes (tabela 5.1), o fator giromagnético encontrado foi em torno
de 29, 7 GHz/T, valor muito próximo da literatura para o Ni volumar de 30, 8 GHz/T
[24], com exceção da camada de 5 nm. Neste caso, deve-se levar em consideração a maior
relação sinal-ruído, causada principalmente pela baixa quantidade de material magnético.
Lembrando que o valor de 5 nm de espessura é nominal, e facilmente pode ser menor.
Além do mais, existe a possibilidade de interdifusão de Ti, diminuindo ainda mais a porção
de material com comportamento ferromagnético conjuntamente a efeitos de superfície.
Consequentemente, o fator giromagnético encontrado nesse caso foi de 27 ± 1 GHz/T,
próximo ao valor analítico do elétron livre, de 28 GHz/T.
O comportamento do campo de anisotropia 𝐻𝐴 foi similar, diferenciando novamente
em 5 nm, caindo por volta de 15%. A variação encontrada entre as espessuras de 10, 20, e
40 nm foi de 8%. Isso se deve a: resíduos de calibração não compensados, propagação de
erros dos ajustes, posicionamento da amostra perante o magnetômetro e gaussímetro, e
as limitações intrínsecas dos equipamentos. Presumivelmente, o esperado seria que 𝐻𝐴 se
aproximasse do valor calculado a partir da equação 2.2.70 com a 𝑀𝑠 encontrada a partir
das medidas de PNR de 𝐾𝑒𝑓 = −1, 46 × 105 Jm-3 . No entanto, apenas a amostra com
20 nm de espessura apresentou valor semelhante de −1, 43 × 105 Jm-3 . O comprimento
de penetração não deve ser considerado nesse caso, uma vez que a amostra sempre tem o
mesmo posicionamento em relação ao guia de onda coplanar e os valores calculados para
o Ti e Ni são da ordem de centenas de nm, ou seja, maiores que as espessuras dos filmes.
14 14

Pontos experimentais Ajuste
Ajuste 12
12
10 10
8 8
6 6
4 4
2 2
0 0
0.6 0.7 0.8 0.9 1 0.7 0.8 0.9 1
Campo aplicado, μ0H (T) Campo aplicado, μ 0H (T)
(a) 40 nm (b) 20 nm
14 14
Freq. de ressonância, fres (GHZ)

Ajuste Ajus te
12 12
10 10
8 8
6 6
4 4
2 2
0 0
0.6 0.7 0.8 0.9 1 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8
Campo aplicado, μ 0H (T) Campo aplicado, μ 0H (T)
(c) 10 nm (d) 5 nm
Figura 5.1: Frequências de ressonância em para os filmes de Ni, e seu respectivos ajustes.
Campo perpendicular ao plano da amostra (OOP).
Campo IP
Novamente, apenas uma absorção de ressonância foi encontrada nos espectros. Na fi-
gura 5.2, estão os ajustes para o campo aplicado longitudinal (IP, ver seção 2.2.5). O com-
portamento das curvas está de acordo com o esperado, e os ajustes também apresentam
uma confiabilidade alta, com exceção da amostra com 5 nm de espessura, pelas mesmas
razões discutidas anteriormente. No entanto, os valores de 𝛾 e 𝐻𝐴 diferem substancial-
mente dos encontrados na seção anterior (tabela 5.2). O fator giromagnético encontrado
foi em torno de 30 GHz/T e 𝜇0 𝐻𝐴 em torno de −0, 58 T. Os valores deveriam ser os
mesmos que com campos OOP, e esta variação pode ter várias causas. Estão entre elas:
descompensação da calibração, ajuste dos mínimos quadrados (𝑓𝑟𝑒𝑠 ), posicionamento do
gaussímetro, etc.
Tabela 5.1: Resultados dos ajustes das camadas de Ni independentes, sob campo magné-
tico OOP
Espessura Ni (nm) 𝛾 (GHz/T) 𝜇0 𝐻𝐴 (T) 𝐾𝑒𝑓 (105 J/m3 )

5 27 ± 1 −0, 48 ± 0, 06 −1, 16 ± 0, 06
10 29, 3 ± 0, 2 −0, 552 ± 0, 002 −1, 32 ± 0, 02
20 29, 8 ± 0, 7 -0, 5934 ± 0, 0008 −1, 43 ± 0, 02
40 29, 5 ± 0, 1 −0, 562 ± 0, 001 −1, 36 ± 0, 02
20
20

Ajuste
Ajuste
15
15
10
10
5
5
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45
Campo aplicado, μ 0H (T)
Campo aplicado, μ 0H (T)
(a) 40 nm (b) 20 nm
20 20
Pontos experimentais Pontos experimentais

Ajuste Ajuste
15 15
10 10
5 5
0 0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
(c) 10 nm (d) 5 nm
Figura 5.2: Frequências de ressonância para os filmes de Ni, e seu respectivos ajustes.
Campo paralelo ao plano da amostra (IP).
5.1.2 Filmes de CoCrPt

Com relação ao filme de CoCrPt, não foi possível obter objetivamente o primeiro
estágio de ajustes da ressonância. A intensidade do sinal está muito próxima do sinal-
ruído, juntamente com a largura de linha na ordem de alguns GHz, torna impossível
reconhecer adequadamente a ressonância (figura 5.3).
Tabela 5.2: Resultados dos ajustes das camadas de Ni independentes, sob campo magné-
tico IP
Espessura Ni (nm) 𝛾 (GHz/T) 𝜇0 𝐻𝐴 (T) 𝐾𝑒𝑓 (105 J/m3 )

5 31 ± 2 −0, 43 ± 0, 06 −1, 0 ± 0, 2
10 29, 7 ± 0, 2 −0, 59 ± 0, 02 −1, 42 ± 0, 07
20 30, 9 ± 0, 2 −0, 57 ± 0, 02 −1, 37 ± 0, 07
40 31, 7 ± 0, 4 −0, 51 ± 0, 01 −1, 23 ± 0, 04
Campo aplicado, μ0H (T) Campo aplicado, μ0H (T)
(a) IP (b) OOP
Figura 5.3: Mapa completo (𝐻 ×𝑓𝑟𝑒𝑠 ×𝑈 (𝑓 )) das camadas independentes de CoCrPt. Não
foi possível encontrar adequadamente as absorções. As cores determinam a intensidade
da absorção, de azul (menor) a vermelho (maior).
5.1.3 Bicamadas CoCrPt/Ni

Campos OOP
O mesmo procedimento das seções anteriores foi repetido para as bicamadas. Lem-
brando que são compostas de uma camada superior de Ni, variando de 5 a 40 nm, sobre
uma camada de 10 nm de CoCrPt. Para campos OOP, apenas uma ressonância foi en-
contrada por espectro, e a sua evolução apresenta comportamento linear, indicando a
possibilidade de se usar a equação 2.2.95. Na figura 5.4, temos os ajustes para cada
bicamada. A camada de 5 nm de Ni (figura 5.4d), não apresenta resposta uniaxial, e
não foi considerada. Repetindo o mesmo ajuste da seção 5.1.1, encontramos valores de
𝛾 = 29, 7 ± 0, 1 GHz/T (tabela 5.3). Esses valores são muito próximos dos encontrados
nas camadas independentes de Ni, sendo um indicador de que a ressonância observada

pode ser da respectiva camada no sistema composto. Os valores de 𝐻𝐴 s são menores,
podendo diferenciarem até 53% para 10 nm de Ni.
Para encontrar as constantes de anisotropia efetiva 𝐾𝑒𝑓 , precisamos da 𝑀𝑠 , que por
sua vez tem um valor diferente para cada camada. Portanto, em primeiro lugar preci-
saríamos identificar qual das camadas (Ni ou CoCrPt) está ressonando. O valor de 𝛾
encontrado é um indicativo de ser relativo a camada de Ni, mas como não sabemos a res-
pectiva constante para o CoCrPt, não é possível excluir a possibilidade das duas camadas
ressonarem em conjunto.
16 20
Frequ. de ressonância, fres (GHz)
Freq. de ressonâcia, fres (GHz)

14 Ajuste Ajuste
12 15
10
8 10
4 5
0 0
0.6 0.7 0.8 0.9 1 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 1.1
(a) CoCrPt 10 nm / Ni 40 nm (b) CoCrPt 10 nm / Ni 20 nm
20
Ajuste 15
15
10
10
5
5
0 0
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
(c) CoCrPt 10 nm / Ni 10 nm (d) CoCrPt 10 nm / 5 nm
Figura 5.4: Frequências de ressonância para as bicamadas, e seu respectivos ajustes.

Campo perpendicular ao plano da amostra (OOP).
Campos IP
Como discutido anteriormente, as medidas com campo OOP sugerem ter mais confi-
abilidade que as IP. Na figura 5.5a estão expostos os espectros das frequências antes dos
Tabela 5.3: Resultados dos ajustes das bicamadas (10 nm de CoCrPt) em função da
espessura da camada de Ni, sob campo magnético OOP
Espessura Ni (nm) 𝛾 (GHz/T) 𝜇0 𝐻𝐴 (T)

10 29, 8 ± 0, 1 −0, 295 ± 0, 002
20 29, 7 ± 0, 1 −0, 414 ± 0, 001
40 29, 37 ± 0, 05 −0, 459 ± 0, 006
ajustes de permeabilidade. Podem ser observados duas absorções, uma relativa ao Ni com
o comportamento de raiz quadrada esperado (equação 2.2.91), e outra acima de 12 GHz
que pode representar o CoCrPt. A contrapartida é que as larguras de linha para este
último padrão de absorção encontradas são grandes demais (por volta de 3 GHz, quando
no Ni são da ordem de dezenas de MHz), a ponto de não ser possível encontrar o mínimo
devido a ressonância.
Para espessuras menores de Ni, foi observado apenas uma absorção de ressonância.
Apesar disso, o comportamento encontrado nesses casos não corresponde a teoria da FMR
uniaxial. Isso pode ter várias causas, desde convoluções de ressonâncias das duas camadas
a um comportamento multiaxial da anisotropia [12].
Um fator de suma importância, são os valores de 𝐻𝐴 s esperados (saturação magnética
completa) de cada camada. Quando o campo está aplicado longitudinalmente, a camada
de CoCrPt não está saturada, consequentemente está quebrada em vários domínios mag-
néticos, induzindo fenômenos não lineares de ressonância. Na figura 5.5b está um exemplo
referente a bicamada de CoCrPt 10 nm e Ni 20 nm, que difere claramente da equação
2.2.91.
5.1.4 Bicamadas com espaçador

Em relação a natureza e/ou existência da interação entre as camadas magnéticas,
podemos verificar que com a introdução do espaçador de Ti, os fenômenos encontrados
que diferenciam as camadas independentes de Ni e as bicamadas desaparecem. Uma única
ressonância é observada, relativa ao Ni (figura 5.6). De fato os valores são, dentro dos
erros experimentais, os mesmos que encontrados nas camadas únicas de Ni. Os valores
encontrados de 𝛾 e 𝜇0 𝐻𝐴 foram de: 28, 7 ± 0, 1 GHz/T e 32 ± 0, 1 GHz/T; 0, 580 ± 0, 001 T
e 0, 51 ± 0, 01 T, para campos OOP e IP respectivamente (tabela 5.4). Com isso, podemos
concluir que a interação entre as camadas é de curto alcance.
20

15
10
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Campo aplicado, μ0H (T) Campo aplicado, H (T)
Figura 5.5: a) Mapa do espectro de frequências da amostra de 10 nm de CoCrPt e 40

nm de Ni. b) Frequências de ressonância para a bicamada de 10 nm de CoCrPt e 20
nm de Ni, para campos IP (longitudinal ao plano do filme). Ambas não apresentam o
comportamento de raiz quadrada esperado pela teoria da FMR uniaxial.
Tabela 5.4: Resultados dos ajustes das bicamadas (10 nm de CoCrPt) com espaçador
10 nm CoCrPt + 7 nm Ti + 20 nm Ni 𝛾 (GHz/T) 𝜇0 𝐻𝐴 (T) 𝐾𝑎 (105 J/m3 )

IP 32, 0 ± 0, 3 −0, 51 ± 0, 02 −1, 23 ± 0, 03
OOP 28, 7 ± 0, 1 −0, 580 ± 0, 001 −1, 40 ± 0, 02
14 20

Ajuste Ajus te
12
10 15
6 10
5
2
0
0.6 0.7 0.8 0.9 1 0 0.1 0.2 0.3 0.4
(a) OOP (b) IP
Figura 5.6: Frequências de ressonância para as bicamadas com espaçador, e seus respec-
tivos ajustes.
5.1.5 Fatores giromagnéticos e campos de anisotropia

Na figura 5.7, estão expostos os valores de 𝛾 encontrados nos ajustes da seção anterior.
Tanto para as medidas IP quanto OOP, para as espessuras em questão, eles deveriam ser
iguais. As barras de erro apresentadas são em relação ao ajuste de mínimos quadrados,
servindo como um guia (um valor mínimo), e não o erro real efetivamente. Esperávamos
obtê-lo a partir da discrepância entre os valores de 𝛾 com campos IP e OOP, mas a
diferença encontrada também está muito acima do aceitável, quando esperávamos que
fosse muito próxima do erro dos ajustes.
Para a camada de Ni, o valor volumétrico na literatura é de 𝛾𝑁 𝑖 = 30, 8 GHz/T [24],
que foi observado com mais proximidade nas medidas IP. No entanto, as medidas OOP
apresentaram maior concordância entre si, o que nos leva a crer que são mais confiáveis,
a exceção de 5 nm de Ni. Para esta espessura, a baixa quantidade de pontos e menor
volume magnético implica no maior erro encontrado.
Temos também um forte indício que a absorção encontrada nas bicamadas é relativa ao
Ni, uma vez que os valores são muito próximos. Como só foi observada uma ressonância,
e não conhecemos o 𝛾 do CoCrPt, resta a dúvida se ele está ressonando juntamente com
a camada de Ni.
Ao introduzir o espaçador de Ti, os valores encontrados se assemelham ao do Ni, e
podemos concluir que a interação entre as camadas é de curto alcance (provavelmente
troca).
Na figura 5.8, estão os valores encontrados dos campos de anisotropia das amostras,
em função da espessura de Ni. A discussão relativa às barras de erro é a mesma que nos
parágrafos anteriores. Como não foi possível identificar qual camada está ressonando nas
Fator giromagnético, γ (GHz/T)

32
γNi
30
γe
28
Ni (IP)
Ni (OOP)
CoCrPt 10 nm / Ni (OOP)
CoCrPt 10 nm / Ti 7 nm / Ni (IP)
CoCrPt 10 nm / Ti 7 nm / Ni (OOP)
26
0 10 20 30 40
Espessura de Ni (nm)
Figura 5.7: Valores de 𝛾 encontrados nos ajustes da seção anterior, em função da espessura
da camada de Ni.
bicamadas, deixamos em função do campo de anisotropia 𝐻𝐴 , o qual é proporcional a

constante de anisotropia efetiva 𝐾𝑒𝑓 .
O comportamento esperado seria um aumento da anisotropia a menores espessuras de
Ni, da forma 𝐾𝑒𝑓 = 𝐾𝑣 +𝐾𝑠 /𝑡 (equação 4.1.2), devido ao fator superficial 𝐾𝑠 . De maneira
geral, tanto os valores retirados das medidas IP quanto OOP nos filmes de Ni, seguem esta
expressão, a exceção de alguns pontos. Este fato pode ser devido à propagação de erros
sistemáticos do primeiro estágio de ajustes (ressonância), descompensação da calibração
pela mudança de posição dos cabos com o CPW (de IP para OOP) e/ou localização do
gaussímetro.
Já as bicamadas se comportaram como esperado em relação à espessura de Ni, com o
decréscimo de 𝐻𝐴 com o seu aumento. Com a introdução do espaçador, o valor encontrado
para 𝐻𝐴 com campos OOP está dentro da faixa de erro do encontrado para a camada de
Ni sozinha. Este fato confirma a não existência de interações de longo alcance.
Com as medidas em varredura de frequência, foi possível: identificar a natureza da
interação (curto alcance - troca); encontrar as constantes de anisotropia do Ni e verificar
o aumento significativo da constante de anisotropia nas bicamadas. No entanto, novas
questões foram levantadas:
1. A absorção observada nas bicamadas (OOP) é em resposta ao Ni, o CoCrPt, ou as

duas juntas?
2. Por que não foi possível observar a ressonância da camada de CoCrPt sozinha?
3. É correto utilizar a teoria da FMR com anisotropia uniaxial para a absorção encon-
Ni (IP)
Campo de anisotropia, μ 0H a (T)

Ni (OOP)
−0.3
CoCrPt 10 nm / Ni (OOP)
CoCrPt 10 nm / Ti 7 nm / Ni (IP)
CoCrPt 10 nm / Ti 7 nm / Ni (OOP)
−0.4
−0.5
−0.6
Kforma
0 10 20 30 40
Espessura de Ni (nm)
Figura 5.8: Valores de 𝐻𝐴 encontrados nos ajustes da seção anterior, em função da es-
pessura da camada de Ni.
trada nas bicamadas?
As questões anteriores podem ser respondidas com medidas em cavidade, em parte

por sua maior sensibilidade (fator de qualidade da cavidade superior), e por caracterizar
em função da orientação do campo aplicado. As questões 1 e 2 podem ser respondidas se
for encontrado a ressonância da camada sozinha de CoCrPt. A questão 3 pode ser testada
qualitativamente graficando a teoria uniaxial da FMR com os valores de 𝛾 e 𝐻𝐴 obtidos
sobre os pontos experimentais de ressonância retirados dos espectros em cavidade. Este
processo será apresentado na próxima seção.
5.2 Medidas de FMR em cavidade

As medidas em cavidade podem resolver as perguntas levantadas pelos resultados
obtidos pelo experimento com o VNA, e ainda verificar se algumas das bicamadas se com-
portam como se tivesse anisotropia magnética a 450 . Devido a dificuldade de se realizar
o ajuste de mínimos quadrados neste tipo de experimento (evolução da ressonância, ver
seção 3.1.6), a discussão a seguir será apenas de caráter qualitativo. Ela será dividida
em duas partes: a primeira, contrastando os resultados entre as espessuras, e a segunda
comparando com os valores obtidos na seção anterior e a teoria da FMR uniaxial.
5.2.1 Evolução das espessuras

Nesta seção estão os resultados das Lorentzianas ajustadas em função do ângulo de
campo aplicado 𝜃𝐻 . A cavidade utilizada foi de banda X, a 9,54 GHz. Na figura 5.9,
estão comparadas essas curvas. Novamente não foi observada a ressonância da camada
independente de CoCrPt. Em todos os outros espectros, apenas uma curva de ressonância

foi observada. Quanto maior o campo de ressonância 𝐻𝑟𝑒𝑠 , mais energia é necessária para
inverter a magnetização, consequentemente, o máximo indica a posição de eixo mais
difícil e o mínimo o eixo mais fácil de magnetização. Na figura 5.9a, pode se perceber
qualitativamente a semelhança entre as anisotropias das camadas de Ni, com o decréscimo
do pico de eixo difícil para a camada de 5 nm, como esperado devido a ação da anisotropia
superficial 𝐾𝑠 . Novamente não foi observada a ressonância da camada independente de
CoCrPt.
Já nas bicamadas (figura 5.9b), dois eixos difíceis são observados, e a anisotropia 450
desejada pode ser vista com 5 nm de Ni sobre 10 nm de CoCrPt (mínimo em 𝐻𝑟𝑒𝑠 ).
Outro fator interessante é a dinâmica do decréscimo do pico a 00 e aumento a 900 , em
relação as espessuras de Ni. Essa é uma consequência direta da competição entre as duas
anisotropias uniaxiais, inclusive o achatamento do pico a 900 é uma assinatura do espalha-
mento de dois magnons (TMS, Two magnon scattering, em inglês), encontrado em outras
estequiometrias de filmes de CoCrPt [25]. Fisicamente, o TMS pode ser interpretado
como a convolução de outros modos de ressonância, respectivos a ondas estacionárias de
spin de comprimento de onda maior que o material, e degeneradas com o modo uniforme
(FMR). Novamente, introduzindo o espaçador de Ti os fenômenos descritos nas bicamadas
desaparecem (figura 5.9c).
5.2.2 Anisotropia uniaxial

Para a seguinte discussão, será comparada a equação de FMR com anisotropia uniaxial
com os valores de 𝛾 e 𝐻𝐴 encontrados nos experimentos de varredura em frequência
(VNA, OOP). Para encontrar a expressão é necessário resolver as raízes de 𝐻0 da equação
2.2.86 juntamente com a condição de equilíbrio 2.2.81. Como as equações são implícitas,
o fizemos numericamente. Na figura 5.10, temos os pontos experimentais medidos em
cavidade comparados com a teoria para a camada sozinha de Ni, de 40 (a) a 5 (d) nm.
Podemos observar que os valores encontrados no experimento de varredura concordam
bem com os pontos experimentais, a excepção da menor sensibilidade, especialmente para
a camada de 5 nm.
Na figura 5.11, foi refeito o mesmo procedimento com as bicamadas. Nota-se que em
0 o comportamento é de acordo com a teoria da FMR uniaxial, e vai se distanciando
0
a maiores ângulos, até diferir completamente, com eixo fácil (mínimo global) a 450 e
o novo eixo difícil a 900 (máximo local de mesma intensidade que o encontrado a 00 ).
Obviamente, a teoria utilizada não é apropriada, uma vez que deveriam ser considerados
os termos de energia das duas camadas, e da interface (equação 4.2.1). No entanto, o termo
de interação de troca faz com que o eixo difícil se alargue [22], e não pode introduzir esse

5 nm Ni CoCrPt 10nm Ni 5nm
0.8 10 nm Ni 0.8 CoCrPt 10nm Ni 10nm
0.6 z 0.6
θ
y
x
0.4 0.4
0.2 0.2
0 0
0 20 40 60 80 0 20 40 60 80
Ângulo de campo aplicado, θH (⁰) Ângulo de campo aplicado, θH (⁰)
(a) Camadas de Ni (b) Bicamadas

CoCrPt 10 nm Ti 3 nm Ni 20 nm
0.8 CoCrPt 10nm Ni 20 nm
Ni 20 nm
0.6
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80
Ângulo de campo aplicado, θH (⁰)
(c) Bicamada de 10 nm CoCrPt e 20 nm de Ni,

com ou sem espaçador de Ti
Figura 5.9: Comparativo dos campos de ressonância 𝐻𝑟𝑒𝑠 encontrados em função da

orientação de campo aplicado 𝜃𝐻 .
tipo de comportamento. O que é possível afirmar por hora é que os valores encontrados
para as medidas OOP em varredura de frequência (00 ) concordam com a teoria uniaxial.
A partir das medidas em cavidade, concluímos que: as camadas de Ni sozinhas apre-
sentam anisotropia uniaxial e os valores obtidos em varredura de frequência estão muito
próximos entre os dois experimentos (considerando as constantes encontradas com campo
OOP); a bicamada de 10 nm de CoCrPt com 5 nm de Ni apresenta anisotropia a 450 em
banda X; a teoria da FMR uniaxial não pode ser aplicada para as bicamadas, no entanto
se aproxima a baixos ângulos dos pontos experimentais para maiores espessuras de Ni.
A próxima etapa é repetir as medidas com uma cavidade de banda K (18 a 27 GHz) a
fim de encontrar a ressonância do CoCrPt, e responder as questões em aberto em relação
a seu fator giromagnético e possibilidade de convolução nas bicamadas. Ao mesmo tempo,
escrever um programa de análise de dados para realizar o ajuste de mínimos quadrados

0.8 Solução numérica
Solução numérica
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0 20 40 60 80 0 20 40 60 80
Angulo de campo aplicado, θH (⁰) Ângulo de campo aplicado, θH (⁰)
(a) 40 nm (b) 20 nm

0.8 S olução numérica 0.8 Solução numérica
0.6 0.6
0.4 0.4
0.2 0.2
0 20 40 60 80 0 20 40 60 80
Ângulo de campo aplicado, θH ( 0) Angulo de campo aplicado, θH (⁰)
(c) 10 nm (d) 5 nm
Figura 5.10: Pontos experimentais obtidos das ressonâncias em cavidade ressonante, com-
parados com a teoria uniaxial da FMR. As constantes utilizadas foram as obtidas nos
experimentos de varredura. Camadas individuais de Ni.
nas medidas de cavidade, juntamente com obter a expressão adequada de FMR para as
bicamadas.
0.8 0.8

Solução numérica Solução numérica
0.6 0.6
0.4 0.4
0.2 0.2
0 20 40 60 80 0 20 40 60 80
Angulo de campo aplicado, θH (⁰) Angulo de campo aplicado, θH (⁰)
0.7
Solução numérica
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0 20 40 60 80
Ângulo de campo aplicado, θH (T)
(c) CoCrPt 10 nm / Ni 20 nm
Figura 5.11: Pontos experimentais obtidos das ressonâncias em cavidade ressonante, com-
parados com a teoria uniaxial da FMR. As constantes utilizadas foram as obtidas nos
experimentos de varredura. Bicamadas, a respectiva com 5 nm Ni não foi considerada,
pois não foi possível encontrar suas constantes.
81
Capítulo 6
Conclusões e perspectivas
A limitação de densidade em escrita magnética perpendicular devido ao desalinha-

mento do campo magnético local e eixo de anisotropia pode ser vencida sobrepondo uma
camada magnética de anisotropia IP. Um dos candidatos é a bicamada de CoCrPt/Ni,
em que o CoCrPt serve como camada de escrita principal com anisotropia OOP e o Ni
com IP. Motivado pela necessidade de se fazer um modelo da reversão da magnetização
nestas bicamadas, nosso grupo de pesquisa optou por realizar medidas de ressonância
ferromagnética. Com esta técnica experimental seria possível separar a contribuição de
anisotropia magnética de cada camada, e com esses dados abrir a possibilidade de se fazer
simulações micromagnéticas e construir um modelo da reversão da magnetização. Neste
projeto de mestrado, o objetivo principal foi de documentar a técnica da FMR, tanto
a teoria quanto experimentação, e aplicá-la nas bicamadas de CoCrPt/Ni, as quais tem
espessuras na ordem de dezenas de nanômetros. Limitamos-nos em caracterizar apenas a
anisotropia das camadas pela FMR, tanto com experimentos de varredura em frequência e
campo aplicado sob orientação fixa (IP e OOP) quanto com varredura em campo aplicado
- em cavidade, com respeito a sua intensidade e orientação.
A teoria da FMR foi estudada de maneira geral, com ênfase em anisotropias uniaxiais.
A experimentação foi documentada, conectando a teoria com as técnicas de varredura em
frequência com o VNA, e de campo em cavidade com o lock-in.
Das medidas em varredura de frequência, as camadas de Ni sozinhas apresentaram
comportamento e constantes próximas a literatura, a menos do fato de serem relativa-
mente discrepantes em relação as medidas com campo IP e OOP (as quais deveriam ser
iguais). Este fato pode ter diversas causas, desde falhas nos ajustes a calibração dos
equipamentos. Não foi possível encontrar a ressonância da camada de CoCrPt com a
sensibilidade dos experimentos utilizados. Já a respeito das bicamadas, apenas as me-
didas OOP demonstraram comportamento uniaxial. No entanto, foi encontrado apenas
uma absorção por espectro, e ela não pode ser identificada, uma vez que ela pode ser da
camada de Ni, de CoCrPt, ou das duas conjuntas. A partir da introdução do espaça-
dor entre as camadas, apenas a absorção da camada de Ni é observada, com constantes
semelhantes as de Ni sozinhas.
CAPÍTULO 6. CONCLUSÕES E PERSPECTIVAS 82
Das medidas em cavidade, realizadas em banda X (9,54 GHz), as camadas de Ni

sozinhas apresentaram comportamento uniaxial clássico, com resultados qualitativamente
iguais, a menos da camada de 5 nm. Isso já era esperado devido a contribuição maior
da anisotropia de superfície em menores espessuras. Novamente, não foi observada a
absorção da camada de CoCrPt sozinha. No entanto, as bicamadas apresentaram um
comportamento multiaxial, o que não era esperado pela teoria. Indicaram inclusive eixo
fácil a 450 da amostra de 5 nm de Ni sobre 10 nm de CoCrPt.
A primeira questão a ser resolvida para dar continuidade ao trabalho é sobre a dis-
crepância das constantes encontradas com campos aplicados IP e OOP no experimento
de varredura em frequência. Como a constante de anisotropia é a mesma independente
da orientação de campo aplicado, elas deveriam ser muito semelhantes e inclusive é um
bom indicador do erro experimental real. A segunda e mais importante questão é rela-
tiva a absorção do CoCrPt. Sem encontrá-la, é virtualmente impossível dar continuidade
a análise de resultados das bicamadas, mais precisamente: em identificar a ressonância
encontrada nos experimentos de varredura em frequência; desvendar a natureza do com-
portamento multiaxial encontrado nos experimentos em cavidade. A melhor maneira de
fazê-lo é medir em cavidades de frequências superiores, em primeira tentativa com banda
K (entre 18 e 27 GHz), região na qual demonstrou algum sinal nos experimentos com o
VNA.
Além do mais, o estudo da largura de linha (constante de amortecimento) ainda pode
ser feito, tanto da parte teórica como experimental. O CoCrPt pode apresentar espalha-
mento de dois magnons (TMS), o qual é estudado através do comportamento das larguras
de linha em função da orientação de campo aplicado (cavidade).
Uma vez compreendidas as anisotropias magnéticas de cada camada e suas constantes
de amortecimento, o caminho está aberto para modelar a reversão da magnetização nessas
amostras.
REFERÊNCIAS 83
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3200238. endereço: http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/95/
5/10.1063/1.3200238.

Soares Gabriel M

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UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS

Instituto de Física "Gleb Wataghin"

Competição entre anisotropias perpendiculares

Soares, Gabriel, 1988-

SoaOrientador: Fanny Béron.

Soa1. Ferromagnetismo. 2. Ressonância ferromagnética. 3. Filmes finos. I.

Informações para Biblioteca Digital

Título em outro idioma: Perpendicular anisotropy competition in CoCrPt/Ni bilayers

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Palavras-chave: Ferromagnetismo, anisotropia magnética, filmes finos, ressonância

Uma preocupação recorrente na indústria de armazenamento de dados é a crescente

tais utilizadas, incluindo a conexão com a teoria da ressonância ferromagnética, a qual

Ressonância ferromagnética (FMR1 ) é a absorção de radiação eletromagnética por um

2.1.2 Ressonância eletrônica de spin (ESR)

𝐸𝑖 e 𝐸𝑘 - multipletos Zeeman - no caso relativos ao elétron com valores de 𝑚 = ±1/2. A

ℎ̄𝜔𝑖𝑘 = 𝐸𝑖 − 𝐸𝑘 = Δ𝐸𝑖𝑘 (2.1.1)

e para o efeito Zeeman:

onde ℎ̄ = 1, 054571 × 10−34 J.s é constante de Planck, 𝑔 é o fator de Landé5 , Δ𝑚𝑖𝑘 é a

2.1.3 Ressonância ferromagnética

2.2 Formulação teórica

num filme fino ferromagnético, e estudando o tempo de relaxação, encontrou valores de

susceptibilidade magnética 𝜒 ou permeabilidade magnética 𝜇 = 1 + 𝜒 próxima a resso-

2.2.2 Susceptibilidade magnética próxima a ressonância

Solução sem amortecimento magnético

Primeiramente, considerando um sistema sem amortecimento (𝛼 = 0) e sem efeitos de

Resolvendo para ⃗ℎ, tem-se:

Do outro lado a susceptibilidade magnética 𝜒 é um tensor que relaciona a resposta

onde 𝜒¯ é conhecido como tensor de susceptibilidade de Polder:

o qual pode ser encontrado invertendo a equação 2.2.14:

Solução com amortecimento magnético

Reescrevendo a equação de LLG considerando 𝛼 ̸= 0:

observando que as equações 2.2.11 e 2.2.20 são iguais se substituído 𝜔0 → 𝜔0 + 𝑖𝜔𝛼, as

A parte imaginária de 𝜒 com amortecimento tem a forma de uma distribuição, di-

Para visualizar o comportamento da susceptibilidade, é mais conveniente trabalhar

Para encontrar os autovalores Λ± :

Λ− não apresenta ressonância (𝜔0 + 𝜔 ̸= 0) e portanto, procura-se apenas o autovetor 𝐶⃗+

Aplicando a dependência temporal da forma exp[𝑖𝜔𝑡]:

As partes reais e imaginárias de 𝐶+ são similares, diferenciando-se apenas na fase, e a

finalmente pode-se escrever 𝜒¯ em sua forma linear e sem termos cruzados:

Separando 𝜒+ em partes real e imaginária:

𝜒+ = 𝜒′+ + 𝑖𝜒′′+ (2.2.37)

Na figura 2.3 estão demonstradas as partes real e imaginária da susceptibilidade pró-

2.2.3 Fórmula geral para frequência de ressonância - Método de

Fixando as coordenadas de maneira que se movam com o vetor 𝑀

Figura 2.4: Coordenadas esféricas, móveis com a magnetização 𝑀

𝜃˙ cos𝜃 cos𝜑 − 𝜑˙ sen𝜃 sen𝜑

Neste sistema de coordenadas, 𝐻⃗𝑒𝑓 = 𝐻𝜌 𝑒^𝜌 + 𝐻𝜃 𝑒^𝜃 + 𝐻𝜑 𝑒^𝜑 e os produtos vetoriais se

⃗ × 𝐻⃗𝑒𝑓 = 0𝑒^𝜌 − 𝑀𝑠 𝐻𝜑 𝑒^𝜃 + 𝑀𝑠 𝐻𝜃 𝑒^𝜑

(1 + 𝛼2 )𝜃˙ = 𝛾(𝐻𝜑 + 𝛼𝐻𝜃 ) (2.2.47)

O próximo passo é escrever o campo efetivo em função de F, lembrando que 𝐻⃗𝑒𝑓 =

O campo perturbativo induz pequenas oscilações 𝛿𝜃 e 𝛿𝜑 ao redor desse equilíbrio, de

𝜃 = 𝜃0 + 𝛿𝜃; 𝛿𝜃 << 𝜃0 (2.2.50)

Expandindo em primeira ordem a equação 2.2.49 ao redor da posição de equilíbrio 𝜃0 e

𝐹𝜃 (𝜃, 𝜑) = 𝛿𝜃𝐹𝜃𝜃 + 𝛿𝜑𝐹𝜃𝜑 (2.2.52)

Comparando com a equação secular 𝜔 2 − 𝑖𝜔Δ𝜔 − 𝜔𝑟𝑒𝑠

2.2.4 Energia livre magnética

𝐹 = 𝐹𝑍𝑒𝑒𝑚𝑎𝑛 + 𝐹𝑑 + 𝐹𝑐𝑟𝑖𝑠 + 𝐹𝑚−𝑠 + 𝐹𝑡𝑟𝑜𝑐𝑎 + 𝐹𝑃 𝐷 (2.2.65)

• 𝐹𝑍𝑒𝑒𝑚𝑎𝑛 é a energia dipolar, proveniente do torque entre o dipolo da magnetização

• 𝐹𝑑 é a energia do campo desmagnetizante, induzindo uma anisotropia que depende

• 𝐹𝑐𝑟𝑖𝑠 é a energia da anisotropia magnética induzida pela ordem cristalina;

• 𝐹𝑚−𝑠 é a energia da anisotropia proveniente das tensões internas do material, ou

• 𝐹𝑡𝑟𝑜𝑐𝑎 é a energia proveniente da inomogeneidade espacial da magnetização;

• 𝐹𝑃 𝐷 é a energia da descompensação entre os spins vizinhos dentro das paredes de