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42.1 Os slidos
Fsica do estado agregado compacto de um grande nmero de tomos ligados quimicamente (Ibach & Lth)
1023
Permite modelos tpicos de estado slido
14 Redes de Bravais
Aproximando 2 tomos
anti-ligante
anti-ligante Energia E
energia de ligao
ligante
Aproximando os tomos
Bandas de energia
Sdio (11 eltrons): 1s2 2s2 2p6 3s1
Bandas de energia
Sdio (11 eltrons): 1s2 2s2 2p6 3s1
Bandas de energia
Nveis muito prximos
tomo isolado
4p 4s 3p 3s
Slido
Banda permitida
2p 2s
Banda proibida
Banda permitida
Banda proibida Banda permitida
1s
Bandas de energia
Eg
EF
T>0
Energia de Fermi
Bosons
Fermions
42.4 Isolantes
Corrente eltrica = energia cintica media dos eltrons
Isolante
Metal
Eg
EF
EF
Relembrando
Ex E0
Caso do diamante, Ex - E0 = Eg = 5,5 eV:
42.5 Metais
E
Metal
T=0K
EF
DDP
corrente
(ondas planas)
Bandas proibidas
Superfcie de Fermi
)=(
)(
Concentrao de portadores: n=
)= =
Exemplo do Mg
Quantos eltrons de conduo existem num cubo de Mg com 2 cm de aresta? (lembrando que o Mg divalente e tem densidade de 1,738 g/cm3)
( (
)=(
)(
)= = )=
1,72 x 1023
T=0K
EF
Verificao
(a) A distncia entre nveis de energia vizinhos em uma amostra de cobre nas proximidades da energia E = 4 eV maior, igual ou menor que a distncia entre nveis vizinhos nas proximidades de E = 6 eV? (b) A distncia entre nveis de energia vizinhos no cobre nas proximidades de uma certa energia maior, igual ou menor que a distncia entre nveis vizinhos em uma amostra de mesmo volume de alumnio nas proximidades da mesma energia?
P (E, T)
P (E, T)
Funo da temperatura
Como para T=0, P(E)=1 para energias abaixo das de Fermi, substitumos N0(E) por N(E):
42.6 Semicondutores
Isolante Semicondutor T=0
E Eg
EF
Eg
EF
Semicondutores
T>0
Semicondutores
T>0
T=0
Semicondutores
T>0
&
&
Concentrao de portadores, n
Resistividade, r
t
n
Semicondutores tipo n
Silcio neutro (14 eltrons): 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
doadores para Si
Si tipo n
Semicondutores tipo p
aceitadores para Si
Si tipo p
Semicondutores dopados
Energia do eltron
Inomogeneidade
Juno p-n
Difuso Implantao inica
contato Schottky
d0
Posio
Polarizaes
diretamente inversamente
dD
di
O fotodiodo
O fotodiodo
O laser semicondutor
O laser semicondutor
42.11 O transistor
O transistor
MOSFET
Perguntas
7. Os valores de Eg para os semicondutores silcio e germnio so, respectivamente, 1,12 e 0,67 eV. Quais das seguintes afirmaes so verdadeiras? (a) As duas substncias tm a mesma concentrao de portadores temperatura ambiente. (b) temperatura ambiente, a concentrao de portadores no germnio maior que no silcio. (c) As duas substncias tm uma concentrao maior de eltrons que de buracos. (d) Nas duas substncias, a concentrao de eltrons igual a de buracos.
T>0
&
&
Exerccios e problemas
17P. Suponha que o volume total de uma amostra metlica seja a soma do volume ocupado pelos ons do metal que formam a rede cristalina com o volume ocupado pelos eltrons de conduo. A densidade e a massa molar do sdio (um metal) so 971 kg/m3 e 23,0 g/mol, respectivamente; o raio do on Na+ e 98 pm. (a) Que porcentagem do volume de uma amostra de sdio ocupada pelos eltrons de conduo? (b) Repita o clculo para o cobre, que possui uma densidade, massa molar e raio inico de 8960 kg/m3, 63,5 g/mol e 135 pm, respectivamente. (c) Em qual dos dois metais o comportamento dos eltrons de conduo mais parecido com o das molculas de um gs?
Exerccios e problemas
38P. A funo probabilidade de ocupao pode ser aplicada tanto a metais como a semicondutores. Nos semicondutores, a energia de Fermi est praticamente a meio caminho entre a banda de valncia e a banda de conduo. No caso do germnio, a distncia entre a banda de conduo e a banda de valncia 0,67 eV. Determine a probabilidade (a) de que um estado na extremidade inferior da banda de conduo esteja ocupado e (b) de que um estado na extremidade superior da banda de valncia esteja ocupado. Suponha que T = 290 K.
1.0
Ge
0.8
T=290K
P(E)
0.6
0.4
banda de conduo
0.2
Energia (eV)
Exerccios e problemas
47P. Em um certo cristal, a ltima banda ocupada est completa. O cristal transparente a todos os comprimentos de onda maiores que 295 nm, mas opaco a comprimentos de onda menores. Calcule a distncia, em eltrons-volts, entre a ltima banda ocupada e a primeira banda vazia neste material.