Aula 06 Cincias dos

Materiais
Estrutura Cristalinas dos Metais e
Defeitos Parte I*

Figuras e estruturas dos defeitos baseadas na aula Profa Eleani Maria da Costa- DEM/PUCRS disponibilizada em rede
virtual pblica.

Fator de Empacotamento para um

metal de raio r
N de tomos
o

por clula

Cbico simples:

FEA = 4/3r3

como a=2r

FEA=0,52

FEA = 4/3r3
como a=4r/3
a3
Cbico de Face Centrada:

FEA=0,68

FEA = 4/3r3

FEA=0,74

a3
Cbico de Corpo Centrado:

a3

como a=2r/2

Clculo da densidade terica de

um slido metlico
= nPA
VCNA
Onde:
n= nmero de tomos por clula unitria
PA= peso atmico
VC= volume da clula unitria
NA = nmero de Avogrado (6,02x1023)

Exerccios
Calcule o raio de um
tomo de tntalo
sabendo que o Ta
possui uma estrutura
cristalina CCC, uma
massa
especfica
(densidade)
de
16,6g/cm3 e um peso
atmico de 180,9
g/mol.

Exerccios
O Nibio possui um raio atmico de 0,143
nm e uma massa especfica de 8,57g/cm3.
Determine se ele possui uma estrutura
cristalina CFC ou CCC. Peso atmico
=92,9g/mol.

= nPA
VCNA

Exerccios
O raio atmico do Pb
vale 0,175nm, calcule
o volume de sua
clula unitria em m3
sabendo que o Pb
apresenta estrutura
cristalina CFC.

Defeitos Cristalinos o que um

defeito? Devem ser evitados?
- Defeitos pontuais
- Defeitos de linha
(discordncias)
- Defeitos de interface
(gro e maclas)
- Defeitos volumtricos
(incluses, precipitados)

 uma imperfeio no arranjo peridico

regular dos tomos em um cristal.
Podem envolver uma irregularidade na
posio dos tomos e no tipo de tomos

O tipo e o nmero de defeitos dependem:

- da constituio qumica do material
- das circunstncias sob as quais o
material processado.

Tipos de Defeitos: classificados de acordo com sua

geometria ou dimenses

Defeitos Pontuais

associados c/ 1 ou 2
posies atmicas

Defeitos lineares

uma dimenso

Defeitos planos ou interfaciais (fronteiras)

duas dimenses

Defeitos volumtricos

trs dimenses

Nem sempre Malfico

DEFEITOS

INTRODUO
SELETIVA

CONTROLE
DO NMERO

ARRANJO

Permite desenhar e criar novos materiais

com a combinao desejada de propriedades

Casos Positivos

O processo de dopagem em semicondutores:

mudana no tipo de condutividade

A deformao mecnica dos materiais promove a

formao de imperfeies:

geram um aumento na resistncia mecnica

(processo encruamento):

Wiskers de ferro (sem imperfeies do tipo discordncias):

resistncia maior que 70GPa

ferro comum r 270MPa.

Defeitos Pontuais
Vacncias ou vazios

tomos Intersticiais
Schottky
Frenkel

Ocorrem em slidos inicos

Defeitos Pontuais: viso geral

Defeitos Pontuais: vacncias ou lacunas

Envolve a falta de um
tomo.
So formados durante
a solidificao do
cristal ou como
resultado das vibraes
atmicas (os tomos
deslocam-se de suas
posies normais).

Defeito Pontual: vacncias ou vazios

O nmero de vacncias aumenta
exponencialmente com a temperatura
Nv= N exp (-Qv/KT) lacunas/m3
Nv= nmero de vacncias
N= nmero total de stios por unidade de volume
N= NA
Qv= energia requerida para formao de vacncias
PA
K= constante de Boltzman = 1,38x1023J/at.K ou
Onde: NA=no avogrado;
8,62x10-5 eV/ at.K
= densidade e PA=
peso atmico

Clculo de lacunas a uma dada T

Calcule o no de lacunas em equilbrio por
m3 de Cu, a 1000oC. A energia para
formao de uma lacuna de 0,9
eV/atomo.
PA: 63,5 g/mol
= 8,4 g/cm3 (T=1000oC)
NAVOG= 6,02x1023 atomos/mol

Defeito Intersticial

tomo intersticial grande

Gera maior distoro na rede

tomo intersticial pequeno

Defeito Intersticial
Envolve um tomo extra no
interstcio (do prprio cristal)
Produz uma distoro no
reticulado, j que o tomo
geralmente maior que o
espao do interstcio
A formao de um defeito
intersticial implica na
criao de uma vacncia, por
isso este defeito menos
provvel que uma vacncia

Defeitos Pontuais

Defeitos Pontuais

FRENKEL
Ocorre em slidos
inicos
Ocorre quando um
on sai de sua
posio normal e vai
para um interstcio

SCHOTTKY
Presentes em
compostos que tem
que manter o balano
de cargas
Envolve a falta de
um nion e/ou um
ction

Superfcie metlica: microscpia eletrnica de

tunelamento ou microscopia de fora atmica
Em nveis de monocamadas nem sempre o elemento de liga provoca
Aparecimento de de defeitos.

Superfcie (111) do ouro (estrutura

CFC)

adio uma monocamada de

cobre

A ADIO DE IMPUREZAS PODE FORMAR

Solues slidas
Segunda fase

[tomos] < limite de

solubilidade
[tomos] > limite de
solubilidade

A solubilidade depende :
Temperatura
Tipo de impureza
Concentrao da impureza

IMPUREZAS NOS SLIDOS

As impurezas (chamadas elementos de
liga) so adicionadas intencionalmente
com a finalidade:
aumentar a resistncia mecnica
aumentar a resistncia corroso
aumentar a condutividade eltrica
etc.

IMPUREZAS NOS SLIDOS

Um metal considerado puro sempre tem
impurezas (tomos estranhos) presentes

99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3

A presena de impurezas promove a
formao de defeitos pontuais

Terminologia
Elemento de liga

soluto (< quantidade)

(ou impureza)

Matriz
(ou hospedeiro)

solvente(>quantidade)

Especificao da Composio

Composio de uma liga em termos de

seus elementos constituintes:
porcentagem em peso (ou massa)(%p)
porcentagem atmica (no tomos) (%a)

Exerccios
Uma liga contm 80% em peso de Al e 20% em
peso de Mg. Qual a porcentagem atmica de
cada um na liga?
Suponha que 20% dos tomos de Cu so
substitudos por Al em um bronze de alumnio.
Quais porcentagens de peso que esto
presentes?
PA: Mg- 24,3 g/mol; Al- 26,98 g/mol; Cu- 63,54g/mol
Nv= 6,02x1023 atomos/mol