AULA 1

REVISO
Eletrnica I I
Prof. Gustavo Fabro de Azevedo
gustavoazevedo@pelotas.ifsul.edu.br
1

O que um TOMO? ...

NVEIS DE
ENERGIA

NCLEO

ELTRONS

Segundo o Modelo
atmico de Bohr, o tomo
um elemento qumico
que compem a molcula
formado por...
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Quais as partculas que compem o

tomo?

Eltrons...

Prtons...

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Nutrons...
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Estrutura do tomo
O tomo basicamente formado
por trs tipos de partculas
elementares: eltrons, prtons e
nutrons.
rbita electrnica

Os prtons e os nutrons esto

no ncleo do tomo e os eltrons
giram em rbitas eletrnicas em
volta do ncleo do tomo.
O nmero de eltrons, prtons e
nutrons diferente para cada tipo
de elemento.

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Carga Eltrica das

Partculas
A carga eltrica do eltron
igual carga do prton, porm de
sinal contrrio: o eltron possui
carga negativa (-) e o prton
carga eltrica positiva (+).
O nutron no possui carga
eltrica, isto , a sua carga
nula.
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rbitas Eletrnicas

Num tomo, os eltrons que giram em volta do ncleo distribuem-se em

vrias rbitas ou camadas electrnicas num total mximo de sete (K, L, M,
N, O, P, Q).
Quanto maior a energia do eltron, maior o raio de sua rbita. Assim,
um eltron da rbita Q tem mais energia que um eltron da rbita P.
O mesmo ocorre com os prtons, aqueles que possuem maior energia
esto situados nas rbitas mais externas.
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Ionizao

O tomo altera as suas

caractersticas eltricas
por meio da ionizao:
perdendo eltrons, o
tomo torna-se um on
positivo ou ction;
ganhando eltrons
torna-se um on
negativo ou nion.
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ons positivos e ons

negativos
Um tomo quando eletricamente neutro poder ganhar (receber) ou
perder (ceder) eltrons.
Quando ele ganha um ou mais eltrons, dizemos que se transforma num
on negativo.
Quando um tomo perde um ou mais eltrons, dizemos que ele se
transforma num on positivo.
Exemplo: Se o tomo de sdio (Na) ceder um eltron ao tomo de cloro (Cl)
passamos a ter um on positivo de sdio e um on negativo de cloro.
on negativo
de cloro

Cl

N+
a

on positivo
de sdio

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Eltrons de Valncia
A ltima rbita de um tomo ou camada mais afastada do ncleo
define a sua valncia, ou seja, a quantidade de eltrons desta rbita que
pode se libertar do tomo atravs do bombardeio de energia externa (calor,
luz ou outro tipo de radiao) ou se ligar a outro tomo atravs de ligaes
covalentes.
Os eltrons dessa camada so chamados de eltrons de valncia.
Ligaes Covalentes: compartilhamento dos eltrons da ltima rbita
com os da ltima rbita de outro tomo.
Num tomo, o nmero mximo de eltrons de valncia de oito.

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Os eltrons da banda de valncia so os que tm mais facilidade

de sair do tomo.
Isso ocorre porque eles tm uma energia maior e tambm esto a
uma distncia maior em relao ao ncleo do tomo, a fora de atrao
menor.
So estes eltrons livres que, sob a ao de um capo eltrico formam
a corrente eltrica.
Quando um tomo tem oito eltrons de valncia diz-se que o tomo
tem estabilidade qumica ou molecular.

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No campo da eletrnica, dentre os diversos materiais usados,

encontramos os SEMICONDUTORES, que possuem
caractersticas intermedirias entre os condutores e os isolantes.
Os materiais semicondutores mais utilizados so o SILICIO
(Si) e o GERMNIO (Ge) que na sua forma pura (intrnseca)
apresentam uma estrutura cristalina, tendo quatro eltrons na
camada de valncia, sendo por isso considerados
TETRAVALENTES.

SEMICONDUTORES
INTRNSECOS
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Surgimento da Lacuna ou
Buraco
Quando um eltron se
torna livre, ao romper
uma ligao covalente,
cria-se um buraco ou
uma lacuna.

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Surgimento da lacuna ou
Buraco, no espao de onde
um eltrons se libertou

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Formao de uma carga positiva

aparente (lacuna, buraco)

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Formao de uma carga positiva

aparente (lacuna, buraco)
Quando um eltron abandona uma ligao covalente,
fica faltando nesse lugar uma carga eltrica negativa,
constituindo-se uma lacuna, que pode ser considerada
uma partcula autnoma, carregada positivamente.

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A lacuna uma partcula fictcia, de propriedades

anlogas s do eltron, mas de carga positiva (+).

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Movimento dirigido de um eltron livre sob a ao de um campo eltrico.

Com o cristal sujeito a ao de

um campo eltrico, os eltrons
livres se deslocaro em sentido
oposto, criando uma orientao
predominante, o que significa um
transporte de cargas eltricas e
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com isso uma corrente eltrica.

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Condutores x Isolantes

Os materiais condutores so
formados por tomos cujos
eltrons da rbita de valncia
esto fracamente ligados ao
ncleo, de modo que a
temperatura ambiente tem
energia suficiente para
arranc-los da rbita,
tornando-os livres.
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Condutores
Os tomos com 1, 2 ou 3 eltrons de valncia tm uma certa
facilidade em ced-los j que a sua camada de valncia est muito
incompleta (para estar completa deveria ter 8 eltrons de valncia).
Por exemplo, um tomo de cobre tem um eltron de valncia o
que faz com que ele ceda com muita facilidade esse eltron (eltron
livre).

Nmero atmico do cobre = 29 (nmero total de eltrons no tomo)

K=2
2n2 = 2x12 = 2
L=82n2 = 2x22 = 8
M=18 2n2 = 2x32 = 18
N=1

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Isolantes
Os tomos que tm entre 5 e 8 eltrons de valncia no cedem
facilmente eltrons j que a sua camada de valncia est quase
completa (para estar completa deveria ter 8 eltrons de valncia).
O vidro, a mica, a borracha esto neste caso.
Estes materiais no so condutores da corrente eltrica porque
no tm eltrons livres sendo necessrio aplicar-lhes uma grande
energia para passar os eltrons de banda de valncia para a banda
de conduo.
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Semicondutores
Existem vrios tipos de semicondutores. Os mais comuns so o
silcio (Si) e o germnio (Ge).
Nmero atmico do Germnio:
32
K=2, L=8, M=18 e N=4.
Nmero atmico do Silcio: 14
K=2, L=8 e M=4.
Os tomos com 4 eltrons de valncia geralmente no ganham nem
perdem eltrons, o que acontece com os materiais semicondutores,
Germnio (Ge) e Silcio (Si).
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Representao plana das ligaes do Si

Os materiais como Si, Ge, Arseneto de Glio (GaAs) e fosfeto de ndio

(InP) so chamados de semicondutores intrnsecos ou puros pois encontramse em seu estado natural.
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A Partir do SEMICONDUTOR INTRNSECO, podemos

formar os SEMICONDUTORES EXTRNSECOS,
adicionando impurezas, ou seja outros materiais, por um
processo conhecido como dopagem.

SEMICONDUTORES
EXTRNSECOS tipo P e tipo
N
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Dopagem
Altera a resistividade do material;
Substituio de um tomo de Silcio por tomos de impurezas

dopantes;

tomos chamados trivalentes ou aceitadores so usados para

criar camadas com predominncia de buracos, ou tipo P.

tomos chamados pentavalentes ou doadores so sados para

criar camadas com predominncia de eltrons, ou tipo N.

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Impurezas para dopagem

Exemplos de impurezas para

dopagem no silcio:
Tipo P:

Boro (B), Alumnio (Al) e Glio

(Ga).
Tipo N:

Fsforo (P), Arsnio (As) e

Antimnio (Sb).
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Surgimento da Lacuna ou
Buraco

Quando um eltron se
torna livre, ao romper
uma ligao covalente,
cria-se um buraco ou
uma lacuna.

Surgimento da lacuna ou
Buraco, no espao de onde um
eltrons se libertou

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Formao do Cristal de Silcio tipo N.

Com o acrscimo de um
elemento do grupo V da
Tabela Peridica
(pentavalente - 5 eltrons
na camada de valncia, ou
doador), na estrutura do
Silcio intrnseco vamos ter
eltrons livres em excesso
(carga negativa) formando-se
o silcio tipo N ou de
dopagem N.
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Formao do Cristal de Silcio tipo P.

Com o acrscimo de um elemento do

grupo III da Tabela
Peridica(trivalente- 3 eltrons na
camada de valncia, ou receptor), na
estrutura do Silcio intrnseco vamos
ter a falta de eltrons livres em uma
ligao,
Originando-se uma lacuna ou
buraco (carga positiva) formando-se
o silcio tipo P, ou de dopagem P.

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Simbologia da Juno PN e
identificao dos seus terminais
P

O lado P convencionou-se
chamar da ANODO;

O lado N convencionou-se
chamar de CATODO (K).

N
K

ANOD
O
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CATOD
O

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Exemplos de Diodos

Polarizao Direta do Diodo

Legenda:
Esferas
vermelhas so
as lacunas e as
esferas pretas
so os eltrons.

Observao: nesta animao utilizado o sentido eletrnico ou

real da corrente, ou seja, do potencial negativo para o potencial
positivo.
Nos demais clculos utilizaremos sentido convencional da
corrente que oposto ao real ou eletrnico.

Polarizao Reversa do Diodo

Legenda:
Esferas
vermelhas so
as lacunas e as
esferas pretas
so os eltrons.

Observao nesta animao utilizado o sentido eletrnico ou

real da corrente, ou seja, do potencial negativo para o
potencial positivo.
Nos demais clculos utilizaremos sentido convencional da
corrente que oposto ao real ou eletrnico.

Circuitos com Diodos

Um diodo nunca pode estar conectado

diretamente a uma fonte de alimentao na
polarizao direta, j que, nesta condio ele
se comporta praticamente com um curto
circuito.

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Resistor Limitador de Corrente

Razo pelo qual ligamos um Resistor Rs em srie com o

diodo para limitar a corrente direta e polariz-lo de forma
adequada em corrente contnua, evitando que suas
especificaes mximas de tenso sejam atingidas.
Este resistor limitador poder ser o prprio resistor de carga
RL nos demais circuitos.

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Resistor Limitador de Corrente

Aplicando-se a Lei de Kirchhoff para tenses
no circuito, temos:
VRs
Rs =
If

V=VRs+Vf

VRs=RsxIf

If

VVf=VRs

Vf

Im
po
rt a
nt
e

Portanto o valor de Rs dado por:Rs=VVf

If

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Reta de Carga e Ponto Quiescente

Ifmax

ID

Rs

If

If

VD
V
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Vf

Vf max

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Conhecidos os valores da
Tenso Vda fonte de
alimentao e do resistor,
podemos definir a reta de
carga do circuito e
determinar graficamente, o
ponto exato de operao
do diodo denominado
ponto quiescente ou
ponto de trabalho.

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Reta de Carga e Ponto Quiescente

Ifmax

A reta de carga independe

do diodo, pois definida
pela fonte de alimentao
Ve pelo resistor Rs.

Ela traada a partir de

seus dois extremos,
denominados ponto de
corte (corrente nula- Ifc), e
ponto de saturao (tenso
nula- Vfc).

ID

Rs

If

Ifs
Q

IfQ
If

VD
V
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Vf VfQ Vf max

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Vfc = V

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Reta de Carga e Ponto Quiescente

Ifmax

Ponto de Corte: Quando a corrente

Ifc=0,a tenso Vfcno diodo vale :

ID

VRs

V=VRs+Vf
If

Vf

Ifs

V=Rs.0+Vfc
V=Vfc

IfQ
If

VD
V
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Vf VfQ Vf max

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Vfc = V

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Reta de Carga e Ponto Quiescente

Ponto
Ifmax

de Saturao : Quando a
tenso Vf=0,a corrente Ifsno
diodo vale :

ID

VRs
V

If

V=VRs+Vf
Vf

V=Rs.Ifs+0

Ifs

Ifs=V/Rs

IfQ
If

VD
V

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Vf VfQ Vf max

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Vfc = V

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Reta de Carga e Ponto Quiescente

Quiescente Q:
(VfQx
IfQ)ainterseodacurvado
diodocomaretadecarga.

Ponto

Ifmax

ID

Nessascondiesapotncia

VRs
V

If

dissipadapelodiododadapor:PD
=VF.IF

Vf

IfQ
If

VfQ
V
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Vf

VD
Vf max

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Vfc = V

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Para traar a Reta de Carga e o Ponto Quiescente

Resumindo:

Determina-se

a tenso de corte - Vc (tenso do diodo quando ele

est aberto); Vc = Vcc

Determinar-se

a corrente de saturao - IS (corrente do diodo

quando ele est em curto);
Is = Vcc / Rl

Traa-se

a reta de carga sobre a curva caracterstica do diodo;

ID

Ponto quiescente (Vd e Id) corresponde exatamente s

coordenadas do ponto Q onde a reta de carga intercepta a curva
caracterstica do diodo;

VD

A Potncia

e dissipao do diodo calculado por PD= VD . ID

Vc=Vcc

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