Espalhamento Raman

Lasers
 Laser

Histria do desenvolvimento e
algumas aplicaes

Foto: Rudolf Lessmann

 Introduo

Maser
Laser
O primeiro laser
Condies
Desenvolvimentos
Aplicaes
 Laser: uma nova fonte de luz

Monocromtica (1 cor ou comp. de onda)

Altamente direcional com baixa divergncia
Capaz de ser focalizada num ponto muito
pequeno
Pulsos curtos de luz com alta intensidade
 O papel de Einstein

Em 1917 Einstein publicou estudo sobre o

equilbrio dinmico para um meio material
imerso em radiao eletromagntica,
absorvendo-a e reemitindo-a.

O processo de emisso estimulada.

Absoro e emisso

A probabilidade da emisso
estimulada idntica
probabilidade da absoro
estimulada.
 Absoro e emisso
Nveis de energia:

http://micro.magnet.fsu.edu/primer/java/lasers/electroncycle/laserfigure1.jpg
 O argumento de Einstein

Equilbrio:

espontnea
estimulada absoro

Em equilbrio trmico:
 O argumento de Einstein

No limite clssico (T infinita):

(prob. de emisso estimulada

aprox. igual a prob. de absoro)

Resolvendo para u ():

Ou:

(Parecida com Planck)

 O argumento de Einstein
Planck:

Ento:

Isto , emisso estimulada proporcional a emisso espontnea

em equilbrio.
 MASER
Microwave Amplification by Stimulated Emission of
Radiation

Charles H. Townes
(1954)
 LASER
Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
1958 Previso de condies para amplificao de
luz por emisso estimulada (Laser) por Charles H.
Townes e Arthur L. Schawlow (Nobel 1981)
Julho 1960 Primeira operao bem sucedida de
um maser ptico (laser) por Theodore H.
Maiman

Theodore H. Maiman
O primeiro laser: Rubi

Laser
pulsado de
rubi (1960)
meio ativo:
Al2O3 :Cr2O3 (0,05%)
 Condies

Inverso de Populao

Nesta situao a
emisso estimulada
domina sobre a
absoro estimulada.
 Condies

Emisso Estimulada

O fton emitido est em fase

com, tem a polarizao de, e
se propaga na mesma direo
da radiao que o estimulou.
Mecanismo
Nveis de energia: laser de Rubi

estados F transies
(largos) rpidas
no-radiativas

estados metaestveis
luz de bombeio

transio
laser

(694,3 nm)
estado fundamental
Nveis de energia dos ons Cr no rubi
Cavidade Laser
A cavidade ptica ressonante

modos longitudinais (ondas estacionrias):

A cavidade ptica ressonante

modos longitudinais (ondas estacionrias):

 Modos transversais

TEM00 TEM10 TEM20 TEM30

TEM11 TEM21 TEM22 TEM13 TEM03

Modos transversais: fase
 Classificao
Divididos em quatro reas abrangentes, dependendo do potencial de dano
biolgico:

Classe I estes lasers no emitem radiao dentro dos nveis de perigo

conhecidos.
Classe IM pode apresentar perigo se observada com instrumentos
pticos.
Classe II lasers de baixa potncia, os quais emitem acima dos nveis da
classe I, mas com potncia no acima de 1 mW. O conceito aqui que a
reao humana de averso ao brilho intenso iria proteger a pessoa. Perigosa
se exposio > 0,25 s.
Classe IIM como a classe II, mas apresenta maior perigo se observada
com instrumentos pticos.
Classe IIIR lasers de potncia intermediria (cw: 1 a 5 mW). Risco baixo,
mas potencialmente danoso. So danosos apenas para exposio direta do
olho ao feixe. A maioria dos apontadores laser esto nesta classe.
Classe IIIB lasers de potncia moderada, abaixo de 0,5 W. Potencialmente
perigosos para os olhos e pele.
 Desenvolvimentos

O laser de He-Ne
Fevereiro 1961 Ali Javan, W.R. Bennett Jr. e D. R. Herriott - Laser
He-Ne contnuo (cw) 1152.3 nm
Mistura tpica 0.8 torr de He e 0.1 torr de Ne
Hoje em dia 632.8 nm
O laser de He-Ne
 Desenvolvimentos

Lasers de Estado Slido (de aprox. 170 nm a 3900 nm)

Ex: Nd3+, Ho3+, Gd3+, Tm3+, Er3+, Pr3+ e Eu3+ em cristais de
CaWO4, Y2O3, SrMoO4, LaF3, YAG e vidro
Lasers a Gs (do IR ao UV(1 mm a 150 nm))
Ex: He-Ne, Ar, Kr, CO2, N2, He-Cd
Lasers Semicondutores (1962) (juno ou diodo laser, 700 nm a
30 mm)
Ex: GaAs/GaAlAs, GaInAsP/InP
Lasers de Corantes (1963) (soluo corante + solvente, do IR ao
UV)
Lasers Qumicos (1964) (bombeado com energia de reao
 Laser a gs

Figure 1: Setup of a 20-W argon ion laser. The gas discharge with
high current density occurs between the hollow anode and cathode.
The intracavity prism can be rotated to select the operation
wavelength.

http://www.rp-photonics.com/argon_ion_lasers.html
 Ar laser
+

http://micro.magnet.fsu.edu/primer/java/lasers/argonionlaser/
O laser de estado slido
 Semicondutor tipo p Semicondutor tipo n

Esquema de bandas da
juno p-n

--++
Carga espacial devido a p --++
n
--++
defeitos ionizados --++
--++

d0
log da concent.

Concentrao de
doadores e aceitadores

Posio
O diodo emissor de luz (LED)
O laser de semicondutor
O laser semicondutor
Desenvolvimentos
 Desenvolvimentos
Condensado de Bose-
Einstein (1924)
Emisso coerente de
pulsos de 100.000 at
vrios milhes de
tomos

W. Ketterle et al. (1996)

Do micro
Ao macro

O laser NOVA (EUA)

 Aplicaes
Pesquisa
estudo de interfaces
deteco de molculas

Medicina
cirurgia ocular
dermatologia
odontologia

Comercial
leitores de cdigo de barras
(1974)
telecomunicaes

Industrial
corte
 Pesquisa

Espalhamento dinmico de luz

 Processos de espalhamento de
luz
Espalhamento de luz

Espalhamento Espalhamento
elstico inelstico
(fton incidente e espalhado (fton incidente e espalhado
mesma freq.) freq. diferentes)

Rayleigh Mie Brillouin Raman

(partculas (partculas (fnons (fnons pticos ou
menores que ) comparveis a acsticos) excitao vibracional
) na molcula)
 Aplicaes no dia a dia

A impressora a laser
 Aplicaes no dia a dia

O CD-driver
 Aplicaes no dia a dia

O leitores de cdigos de barra

 Aplicaes no dia a dia

Palomar Q Yag 5

antes depois

Medicina e odontologia
Aplicaes industriais
Absoro de luz por metais
 Aplicaes

laser
de CO2
30 kW

laser
de diodo
200 W
O laser de CO2
O laser de Nd:YAG
O papel da polarizao

Perpendicular ao corte

Paralela ao corte
O perfil de intensidade
A mquina de corte a laser
A cabea
Corte e soldagem
 Concluses

http://www.laserfocusworld.com

http://www.photonics.com/spectraHome.asp